越来越多的迹象显示，几年前还被嘲讽抱着“10纳米++”制程固步自封的英特尔，极有可能在明年超越老对手台积电、三星，成为全球芯片代工行业先进技术的象征。 最新的信号来自于韩国。上周韩国总统尹锡悦访问荷兰，期间的重头戏，就是尹锡悦在荷兰国王威廉·亚历山大、阿斯麦总裁兼CEO温宁克的陪同下，与三星电子会长李在镕、SK集团会长崔泰源等商界代表一同造访了光刻机巨头阿斯麦。 据韩国媒体报道，在上周五回到金浦国际机场时，李在镕带着“满意的笑容”对记者们表示，这次韩国总统访问荷兰，取得的绝大多数成就都与半导体行业有关。一同回国的三星电子副会长、主管芯片业务的庆桂显特别表示， 通过与阿斯麦签订合作协议，三星电子已经确保了使用High-NA EUV（高数值孔径极紫外光刻机）技术的优先级 。 为了彰显此次访问的成果来之不易，韩媒还表示， 阿斯麦预期将在未来几个月里推出能生产2nm制程芯片的下一代高孔径极紫外光刻机 ， 明年大概只能供应10台 的样子，据称 英特尔已经锁定了其中的6台 。从远期看，未来几年的年产量大概也就是20台左右。 英特尔瞄准2nm逆转时刻 作为光刻机产业即将迎来的突破，ASML的新机器将把数值孔径（NA）从0.33增加到0.55（所谓的“高NA”），更强的聚光能力，意味着能够处理更加精细的几何尺寸，这也是继续推进半导体制程进化的路线之一。 眼下要生产7nm及以下工艺制程的芯片，唯一的方法就是找阿斯麦买极紫外光刻机。这东西的产能非常有限，ASML现在每个季度的发货量大概只有10台左右。 随着苹果公司今年已经用上台积电3nm制程的芯片，对于处于追赶位置的三星和英特尔而言，2nm就成为争夺市场领先地位的下一个目标。为了实现下一阶段的工艺制程跨越，阿斯麦TWINSCAN EXE:5000和5200光刻机的上市就将成为真正意义上的“破局时刻”。 这一刻，英特尔从2021年开始盼到了现在。 2021年初，前英特尔CTO帕特里克·格尔辛格在危难之际接过帅位，随后启动了美国芯片巨头“4年跨越5个工艺制程”的大冒险。随后在 2022年1月，英特尔便抢先向阿斯麦下定TWINSCAN EXE:5200，直接将下一代光刻机上市作为“超车”的冲锋号 。 除了改变芯片行业用“工艺制程命名代工工艺”的行为（例如Intel 7对应的是10nm、Intel 4对应7nm）引发些许吐槽外，英特尔的快速进步整个行业有目共睹。 英特尔本月发布应用Intel 4工艺的Meteor Lake酷睿Ultra处理器时，也发布了后续产品的路线图， 清晰展现英特尔将在明年进入20A（2纳米）时代 ，15代酷睿Arrow Lake处理器将肩负重振英特尔名望的重任， 再过一年传说中的“1.8nm”消费级芯片也将初露端倪 。 鉴于台积电和三星眼下还在努力推进3nm工艺的量产，意味着接近明年底的某个时刻，英特尔将成为应用工艺制程先进的代工厂，过了量产关就是一片坦途。 在上周接受媒体采访时，英特尔技术发展副总裁Sanjay Natarajan明确表示：“ 我们将在2024年进入2nm工艺的量产，英特尔将再度成为微型化的领导者。这不仅是公司的大胆宣言，也意味着紧密贴合路线图前进。 ” 作为对比，台积电目前预期2nm制程的量产至少要到2025年，也有传言称可能会推后到2026年；三星电子的预期也是2025年量产2nm，韩国芯片巨头也明确表示，他们的目标是与台积电的2nm竞争。

近期，三星申请了多个CXL产品相关商标。据《韩国先驱报》援引业内人士消息称，三星近期申请的商标包括三星CMM-D、三星CMM-DC、三星CMM-H和三星CMM-HC。这些产品专为内存、芯片、数据存储设备等而设计。在内部，三星将CXL称为CMM（CXL内存模块）。 CXL全称Compute Express Link，意为计算快速链接，是一种全新的互联技术标准， 被称为存储芯片界的CPO。 三星之外，国内外芯片大厂也在加速布局CXL 。AMD预计将于2023年推出支持CXL1.1接口新品；澜起科技已完成第一代CXL MXC芯片量产版本的流片及样品制备，目前正在推进量产前的相关准备工作，产品预计明年开始进入上量爬坡阶段；今年5月，英特尔发布首款具有PCIe5.0和CXL功能的FPGA芯片…… 据了解，CXL能够让CPU与GPU、FPGA或其他加速器之间实现高速高效的互联，满足高性能异构计算的要求，其可以保持CPU内存空间和附加设备上内存的一致性，允许资源共享，从而解决了各设备间的存储割裂的问题，具有大幅增加整体容量的效果，能够大大降低内存的分割导致的浪费和性能下降。 在传统服务器或计算网络中，内存仅作为暂存CPU运算数据、并充当与外部储存器与CPU之间交换数据的“桥梁”角色，与计算紧紧耦合。这一情况或将伴随着CXL的诞生而发生改变——**未来，内存或许将与计算解耦，不仅作为硬件器件而存在，而且可以成为独立的系统，成为以软件驱动的新行业*。 SK海力士副会长朴正浩曾在演讲中透露，随着ChatGPT等应用开启AI新时代，加上相关技术演进，预计全球数据生成、储存、处理量将呈等比级数增长。在技术演进的路上，为克服主机CPU存储器容量受限问题，CXL技术相当重要。 三星电子高级研究员Lee Kyung-han此前也指出，随着ChatGPT等大模型发展，新内存相关需求增加，“除了内存容量和速度之外，对CXL的需求也在增加。” 华西证券曾表示，随着CXL的应用渗透率提升，服务器也从传统围绕CPU的设计思路转向为以DRAM为中心的架构。

复苏预期加持下，三星、SK海力士两大投资巨头正在筹划调高2024年半导体设备投资额及出货量目标。 据今日ET News消息， 三星2024年计划半导体设备投资额达到27万亿韩元，同比增长25%；SK海力士则计划投资5.3万亿韩元，同比增长100% 。 存储芯片具体投资方向上，三星电子和SK海力士正准备投资以DDR5和HBM为主的设备；同时，前者计划大规模投资3nm和2nm等超精细工艺。 至于出货量方面， 三星计划将DRAM与NAND产量分别较今年提高24% 。SK海力士同样在谋划扩产， 扩产重点将是HBM等高端DRAM产品，公司拟将DRAM产量提高到减产前水平 ，即去年年底前水平。 去年底开始，三星与SK海力士开始大幅减产，彼时工厂开工率甚至低至50%。而新的一年，这两家存储巨头的DRAM将与减产前持平甚至更高，NAND则仍低于减产前水平。 据悉， 三星与SK海力士增加设备投资及产量的最主要原因，还是为了行业状况改善做准备 。 值得一提的是， 韩国金融投资业界近日一致上调了三星电子和SK海力士两家存储龙头的Q4业绩预期 ：SK海力士有望结束连续4个季度的营业赤字，今年Q4将实现1000亿韩元左右的盈利；三星电子也有望在明年Q1扭亏为盈。 实际上，复苏之风有望吹遍整个存储芯片行业，摩根士丹利上周报告就指出， PC与智能手机制造商正积极建立存储芯片库存，明年Q1存储芯片的价格有望大幅上涨 。 根据其援引的TrendForce预期数据，明年Q1，DRAM及NAND价格环比增幅均有望达到18%-23%——相较TrendForce此前预期（DRAM价格环比增长8%-13%、NAND 5%-10%），最新的预计增幅翻倍不止，上调了10-13个百分点。 存储厂商威刚也表示，看好明年内存价格将持续正向发展，“内存多头市场才正要开始”。现阶段上游的减产计划维持，涨价态度强势，不只Q4的NAND Flash调涨幅度与频率超乎预期，明年Q1也预期有相当的涨价空间。

三星和SK海力士正在计划增加明年半导体设备投资，其中三星电子计划投资约27万亿韩元，SK海力士计划投资约5.3万亿韩元；与今年相比，投资额分别增长25%和100%。同时，两家公司也调高了明年的出货量，三星计划将DRAM和NAND产量分别扩大约24%，SK海力士计划将DRAM产量提高到去年年底前的水平。 2024年全球半导体有望迎来周期复苏，资本开支有望进入上行周期，SEMI预计2024年全球半导体设备销售额回升至1000亿美元。浙商机械团队指出，国内晶圆厂积极向设备厂商开放各个工艺环节验证机会，设备验证、调试机会增多，推动性能指标、稳定性逐步提升，我国半导体设备从成熟迈向先进制程的节奏有望提速。以存储为代表的先进制程扩产带来设备资本开支提升，重点看好刻蚀、薄膜沉积等价值量高的环节，以及离子注入、涂胶显影等0到1的设备环节。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 拓荆科技 作为国内领先的PECVD设备厂商，产品已可适配国内先进的28/14nm逻辑芯片，19/17nmDRAM芯片和64/128层3DNANDFLASH产线。 华海清科 是国内龙头CMP设备厂商，现已进入中芯国际、长江存储、华虹集团等国内一线晶圆厂供应体系。

继今年10月上市后，日本半导体设备制造商Kokusai Electric（国内子公司叫做科意半导体）股价累计上涨60%。公司首席执行官Fumiyuki Kanai在最新的采访中透露，他们正着眼于抓住中国的“建厂热潮”，进一步提高公司股价在二级市场的表现。 Kokusai的前身是日立国际电气。美国资管机头KKR从日立手中买下这块业务后，经过拆分运营后变成了今天的Kokusai。公司的核心业务为半导体批量成膜设备，在业界仅次于龙头老大东京电子。 在公司上市前也曾有媒体测算，考虑到日本的“负利率”政策，以及KKR收购后曾拆分出售一部分资产，所以美国资管巨头在这笔投资中的回报可能超过10倍。 根据此前报道，通过这次的IPO，KKR已经将持股比例从73.2%下降至47.7%。Kanai强调，在完成对产能和下一代产品开发的投资后，将会优先考虑股东回报，回购将是公司会积极考虑的选项。 需求非常旺盛 将扩大中国团队 Kanai表示，他们已预见到中国市场将持续投资扩张半导体产能，公司计划将持续扩张中国团队。 Kanai说道：“ 在中国，数不清的小型晶圆厂就像蘑菇一样冒出来，当地政府正在大力支持物联网、智能手机、个人电脑等一系列产业活动。 ” 与市场紧盯的先进制程不同，Kokusai Electric所面对的火热需求，更大程度上反映的是 国内成熟工艺产能的扩张热潮 。虽然相关产品并不在美国处心积虑设定的尖端半导体禁令中，但依然对智能手机、电动车等产业非常重要。 Kanai透露称，中国的投资横跨存储、逻辑和功率芯片，工艺制程集中在28nm及以上。由于全球其他市场的需求不振，所以来自中国的需求现在已经占到公司营收的40%，他也预期接下来几个月里这个数字会进一步上升到略低于50%的水平。可作对比的是，从历史数据来看，公司在中国市场的占比大概接近30%。 据悉，Kokusai Electric的中国团队主要提供售后服务，并不包含生产、研发等流程。 作为Kokusai Electric的技术特点，公司的机器使用批量原子层沉积技术，有助于高效生产多层芯片。公司的主要客户是NAND闪存制造商，近年来该市场一直处于需求下滑的挑战中。 Kanai表示，公司也有产品组合多元化的计划，甚至可能采取一些收购的动作，但将专注于能够与公司现有产品产生协同效应的公司。

据媒体报道，之前有消息称三星电子将调涨2024年CIS价格，业内人士透露，中国CIS厂商计划跟进涨价。有厂商表示，手机市场需求逐步回暖，加快CIS去库存速度，价格已进入触底反弹阶段。 据媒体报道，三星已于11月29日向客户发出CIS涨价通知，2024年一季度正式启动涨价，涨价范围主要集中在32MP以上规格的产品。方正证券认为，随着三星打响CIS涨价第一枪，豪威等相关厂商后续有望同步跟进，从而带动业绩持续上涨。此外，随着多模态AI模型Gemini发布，摄像头作为AI视觉的主要信息入口，其需求量将不断提升，将会进一步推动CIS的市场空间增加。据ICinsights，预计2026年全球CIS市场规模269亿美元。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 思特威 主要产品为高性能CIS芯片，公司客户包括三星、小米、联想、荣耀等手机主流品牌客户，而高端旗舰5000万像素系列产品也已开始与相关品牌厂商展开合作。 韦尔股份 是全球前三的图像传感器龙头，公司拥有5000万像素以上CIS新品，OV50H已应用于10月26日发布的小米14系列50MP主摄，公司中高端旗舰主摄实力逐步显现。

存储行业涨价的风愈吹愈烈，分析机构再次上调涨幅预期，这次调涨幅度“相当大”。 摩根士丹利最新报告指出， PC与智能手机制造商正积极建立存储芯片库存 ，明年Q1存储芯片的价格有望大幅上涨。 根据其援引的TrendForce预期数据， 明年Q1，DRAM及NAND价格环比增幅均有望达到18%-23%——相较TrendForce此前预期（DRAM价格环比增长8%-13%、NAND 5%-10%），最新的预计增幅翻倍不止，上调了10-13个百分点 。 下游客户行为已发生转变：到2024年，来自中国智能手机OEM厂的订单量将大幅增加。大摩指出，智能手机OEM厂商已开始补货，目前库存仅恢复到正常水平（移动DRAM为4-6周、NAND为6-7周）。与此同时，PC ODM/OEM厂商也在着手建立库存。 而存储厂商大幅减产之后， 产量仍远远低于需求 ，因此需求上涨带动存储价格上涨。 供需差距下，已有部分存储产品出现缺货。上游存储原厂减产后，整体供货资源顺序出现动态调整，优先供货自家品牌产品，对外NAND销售比例下降。供应链称， 目前已有部分产品缺货，客户敲定第一波预订单后，想再增加拉货却已买不到 。 不仅如此，产业链厂商们对涨价趋势均是颇为乐观。 上周全球第四大NAND Flash供应商西部数据对客户发出涨价通知信。在信中，西部数据表示，公司会每周审查硬盘产品定价，预计明年上半年价格将上涨； NAND芯片部分，公司预期未来几季价格将呈现周期性上涨，在当前报价的基础上，累计涨幅或达55% 。 存储厂商威刚日前也表示， 看好明年内存价格将持续正向发展，“内存多头市场才正要开始” 。现阶段上游的减产计划维持，涨价态度强势，不只Q4的NAND Flash调涨幅度与频率超乎预期，明年Q1也预期有相当的涨价空间。 值得一提的是， 韩国金融投资业界日前一致上调了三星电子和SK海力士两家存储龙头的Q4业绩预期 。其中，SK海力士有望结束连续4个季度的营业赤字，今年Q4将实现1000亿韩元左右的盈利；三星电子也有望在明年Q1扭亏为盈。 中信证券12月6日报告指出，产业链公司Q3业绩均有所修复，主流、利基存储价格齐涨，持续关注原厂库存去化进程和下游需求复苏节奏对存储价格的影响。行业周期角度，海外大厂稼动控制下存储供需逐渐改善，主流存储价格Q3起持续回暖，并在Q4带动利基存储价格触底回升， 看好产业链细分龙头Q4随库存去化、需求逐步回归迎来业绩底部复苏，看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。 建议关注：1）存储模组；2）受益DDR5升级渗透的存储配套芯片；3）存储芯片设计。

据《日经新闻》报道，日本政府计划提供为期10年的税收激励措施，来促进包括电动汽车和半导体设备在内五个领域的大规模生产。 日本政府将在2024财年财政税制改革框架中纳入这些措施，改革框架最早将于本周确定。这些措施将针对国内战略领域的生产，并作为一系列优惠政策的一部分。优惠幅度将与符合条件的产品生产和销售量成比例。 其他可以获得税收优惠的领域包括电动汽车储能电池，可持续航空燃料、利用可再生能源生产的绿色钢铁，以及由植物和回收废弃物制成的绿色化学品。 本次税收优惠将涵盖每辆电动车40万日元（约合2749美元）、每升可持续航空燃料30日元，以及每吨绿色钢铁2万日元的补助。 对于半导体行业，企业每个财年将获得多达20%的企业所得税减免，而其他行业的上限将设为40%。对于专利和版权的转让和许可收入，将可从应纳税收入中扣除30%。此规定将适用于自2024年4月起取得的版权和专利，而激励措施将在2025年4月之后的七年内到期。 如果企业在报告期间遭受亏损，可以将未使用的税收优惠结转至下一个报告期。对于半导体行业而言，延期时间最长为三年，而其他领域最长为四年。 这些激励措施将持续10年，从企业商业计划获得授权之日开始。日本政府将要求企业在2026财年结束前递交他们的商业计划。此外，政策制定者确定了“创新盒子”税收优惠的具体内容，以吸引更多研发中心来日本。 目前，日本政府还在修改都道府县级企业税收制度的计算公式，该制度根据企业规模征收税款，主要目标是防止企业通过降低资本额来降低税款。 立法者还将延长申请税收优惠的期限，以促进小型企业向年轻一代转让。截止日期将从当前的2024年3月延长至2026年3月。

近日，一家企业—“芯链融创集成电路产业发展（北京）有限公司”，引发了市场关注。 有投资者在互动平台上向科创板上市公司广钢气体提问，上述芯链融创集成电路产业发展（北京）有限公司（以下简称“芯链融创”）是否有上市计划。广钢气体回复称，芯链融创为其参股企业，“其相关经营发展情况，将会按照上市公司信息披露相关监管规则要求及时披露”。 工商注册显示，广钢气体持有芯链融创4%的股权。而除了广钢气体外，芯链融创还有其他19个股东。这20个股东均为半导体产业链企业，其中11家为A股上市公司，包括富创精密、中巨芯、北方华创、上海新阳以及南大光电等。 这些公司股东的持股比例均在4%左右，最高的是4.29%，持股公司为上海新阳。 芯链融创成立于2020年8月，注册资本为1亿元，法定代表人为康劲。工商信息显示，该公司经营范围为与集成电路、半导体技术有关的技术开发、技术服务、技术转让、技术咨询、技术检测；产品设计以及设备租赁。 针对上述芯链融创更多具体业务信息，《科创板日报》记者以投资者身份致电了其中6家上市公司股东的证券部以了解具体情况，但不同的公司给出了不同的答案。其中一家上市公司的接线人士表示，“之前的资料显示，芯链融创为集成电路平台，更多是为相关产品提供一些产业化前的最终测试。” 《科创板日报》记者亦致电了工商注册显示的芯链融创联系电话，但多次拨打，均提示号码关机。 芯链融创还对外出资了一家公司“北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司（以下简称“北方创新中心”）。芯链融创对北方创新中心的投资数额为1亿元，即芯链融创的注册资本数额，持有后者50%的股份。北方创新中心还有另外两个股东，即北京屹唐科技有限公司以及中芯国际控股有限公司，分别持有25%的股份。 北方创新中心成立于2017年9月，经营范围为与集成电路、半导体技术有关的开发、设计服务、技术服务、技术转让、技术咨询；半导体(硅片及各类化合物半导体)集成电路芯片的制造、针测及测试、光掩膜制造、测试封装；销售自产产品；货物进出口；机械设备租赁。 广钢气体招股书曾显示，中关村芯链集成电路制造产业联盟为芯链融创的牵头组织。 据该产业联盟官网，北方创新中心总经理康劲曾在公开会议中表示，是“效益最大、种类最多”的集成电路装备、材料和零部件国产化项目组织平台，也是“思维最活跃、技术最前沿”的集成电路及半导体创新技术研发及应用平台，更是 “建制最全面、合作最紧密”的产学研及人才培养合作平台。