2月13日,龙磁科技股价出现下跌，截至13日收盘，龙磁科技跌5.25%，报85.47元/股。 消息面上，龙磁科技2月11日公告，拟向不超过35名特定对象发行不超过3577.43万股A股股票，募集资金总额不超过7.6亿元。扣除发行费用后的募集资金净额将用于越南龙磁二期工程、芯片电感智造项目和补充流动资金及偿还银行贷款。 谈及本次发行对公司经营管理和财务状况的影响，龙磁科技表示：（一）对公司经营管理的影响 本次发行完成后，扣除发行费用后的募集资金净额将用于越南龙磁二期工程、芯片电感智造项目和补充流动资金及偿还银行贷款。上述募集资金投资项目符合国家相关的产业政策以及公司整体战略发展方向，具有良好的市场发展前景，有利于提高公司整体综合实力。通过本次募集资金投资项目的实施，有助于公司扩大产能规模，优化产品结构，进一步提高盈利能力，促进公司可持续发展，符合公司及全体股东的利益。 （二）对公司财务状况的影响 本次发行股票募集资金到位后，公司的资金实力将得到有效提升，公司资产总额与净资产额将同时增加，公司资本结构更加优化，为公司后续发展提供有力的保障。 在募集资金到位后，公司总股本将有所增加，募集资金投资项目无法迅速促进公司业绩提升，因此公司的每股收益在短期内存在被摊薄的风险。但随着募集资金投资项目的完成，本次募集资金将会得到有效使用，为公司和投资者带来较好的投资回报，促进公司健康发展。 龙磁科技发布2025年业绩预告显示：公司预计2025年度归属于上市公司股东的净利润为15500万元至20000万元，比上年同期增长39.57%至80.09%。 对于业绩变动原因，龙磁科技表示：1、报告期内， 公司主营业务磁性材料稳步提升，海外产能布局逐步完善，市场竞争力进一步增强，各项工作扎实有序推进。 2、公司于 2022 年 12 月收购恩沃新能源科技（上海）有限公司（以下简称“恩沃新能源”）51.4285%股权。根据公司与交易对手方签订的《股权转让及增资协议》，主要原始股东霍俊东、王灿、郑明华对恩沃新能源 2023 年-2025 年业绩进行了承诺，经初步测算，恩沃新能源未完成业绩指标，该项业绩补偿收益计入报告期非经常性损益，最终补偿金额以审定数据为准。3、综合客观因素和未来业务发展的谨慎判断，根据《会计监管风险提示第8号——商誉减值》及《企业会计准则第 8 号——资产减值》的相关要求，拟对部分存在减值迹象的资产及商誉计提减值准备。截至目前，相关商誉减值测试、资产减值测试、信用减值测试工作尚在进行中，最终计提金额以审定数据为准。 对于报告期公司主营业务、产品及用途，龙磁科技在其2025年半年报中介绍介绍： 公司专注于高性能磁性材料与电子元件的研发、生产和销售，已构建 “永磁+软磁+电感”三大核心业务协同发展的产业格局。 永磁铁氧体磁瓦是永磁微特电机核心部件，主要应用于汽车、变频家电、电动工具等各类电机。作为永磁材料的专业制造商 ，我们与全球头部电机厂商共同推进 高能效磁性元器件 的研发。目前在安徽庐江、金寨和越南胡志明共形成了 5 万吨永磁产能，技术水平处于行业前列，客户大多为全球知名汽车电机制造商。 软磁材料与磁芯主要应用于光伏储能（逆变器、功率模块）、新能源汽车及充电桩（车载OBC、DC-DC转换器）、消费类电子等领域。 公司在安徽金寨、泰国大城府布局了超 2 万吨软磁粉芯产能，在依托永磁材料技术的基础上，引进了高水平软磁技术及管理团队，软磁产品已进入头部车企供应链。 公司重点开发车载电感与芯片电感等高端一体成型电感产品。 车载一体电感主要用于汽车LED 车灯驱动、多媒体影音系统、ADAS、导航与通讯等模块。芯片电感广泛应用于各类集成电路中，起到为 GPU、CPU、ASIC、FPGA等半导体芯片前端供电的作用。公司已完成芯片电感高端市场、高端产品的重大突破，中标知名国际半导体客户新项目，其他客户的认证和导入也已初见成效。

今日港股芯片板块表现活跃。截至发稿，爱芯元智(02513.HK)涨16.17%、天数智芯(09903.HK)涨8.02%、兆易创新(03986.HK)涨5.14%。 M97芯片提振爱芯元智股价 爱芯元智涨幅居前。根据近日其官微披露，公司自研旗舰芯片M97(面向高阶智能驾驶)已顺利完成回片并成功点亮。作为继M55H、M76H、M57系列后的全新一代产品，M97采用国内首款顶尖车规级工艺打造，内置超高算力自研NPU，单芯片算力跃居国产智能驾驶领域前列。该平台可高效支持VLA模型、世界模型等前沿算法架构，并具备模型快速移植与持续优化能力，为智能驾驶算法长期演进提供坚实底座。 M97不仅支持“城区NOA”(城市导航辅助驾驶)等高阶功能，更通过高低配置产品矩阵，实现从L2+到L3级别智能驾驶需求的全覆盖。在感知层，芯片支持摄像头、激光雷达、毫米波雷达等多源传感器信号的一体化接入与融合处理，显著提升系统环境感知精度与响应效率。此举标志着国产智能驾驶芯片在高端市场实现关键跨越，为智能汽车业务高端化奠定技术基础。 存储芯片需求持续高热 行业景气度显著上行 存储芯片需求持续火热令相关个股走强。 日本存储巨头铠侠于2月12日发布2024财年业绩指引，营业收入与净利润目标较市场分析师预测高出35%至60%。公司指出，数据中心与企业级AI服务器对闪存需求快速扩张，PC及智能手机领域因端侧AI模型普及维持稳健需求。铠侠明确表示，数据中心需求激增将导致市场供需持续偏紧，“需求超过供应”态势有望延续。 受铠侠超预期业绩提振，美股存储板块夜盘应声走强，闪迪、美光科技直线拉涨。德意志银行分析指出，受大型科技公司AI基础设施持续投入影响，DRAM供应紧张局面或延续至2027—2028年，其中高带宽内存因大模型训练与推理需求爆发，成为增长最为迅猛的细分赛道。行业共识认为，半导体整体供需紧平衡态势将至少持续至2026年。 在此行业背景下，兆易创新作为国内平台型芯片设计企业备受关注。天风证券研报指出，公司正处于“AI应用深化+国产替代加速+存储周期上行”三重逻辑共振期，技术布局与产品矩阵具备较强成长韧性。市场对其在HBM、利基型存储等领域的突破预期升温，进一步强化板块配置价值。

当地时间周三，全球第八大晶圆代工厂高塔半导体Tower Semiconductor公布2025年第四季度及全年财报。 去年第四季度，高塔 营收创单季度历史新高 ，达4.40亿美元，同比增长14%，环比增长11%；同期净利润8000万美元，基本每股收益0.71美元，稀释每股收益0.70美元，前一季度净利润5400万美元，基本每股收益0.48美元，稀释每股收益0.47美元。 公司预计2026年第一季度营收为4.12亿美元，上下浮动幅度5%，同比增长15%。 引发业界高度关注的，则是高塔这次在硅光上颇为激进的资本开支和扩产力度。 几天前， 高塔刚刚宣布将与英伟达合作，通过高性能硅光子技术，支持面向下一代AI基础设施的1.6T数据中心光模块 。此次合作的重点在于实现与英伟达网络协议相匹配的高速光连接，从而扩展AI基础设施的部署。 而在这次财报中公司表示，硅光（SiPho）和硅锗（SiGe）需求持续增长， 基于与核心客户的协同规划，在此前宣布且正在执行的6.5亿美元资本支出计划基础上，额外追加2.7亿美元设备投资，用于提升SiPho产能及下一代技术能力，使SiPho和SiGe总投资规模达到9.2亿美元 ——这一数据较原计划增幅超过四成。 高塔目标是在2026年第四季度完成全部资本支出的设备安装与全面认证，在2027年实现全面投产启动。公司CEO透露， 到2026年12月，硅光晶圆的月投产能力将达到2025年第四季度实际月均出货量的5倍以上。 公司截至2028年的硅光总产能中，超过70%已被预订或正在预订中，且有客户预付款作为保障。 值得注意的是，这是几个月以来高塔再度追加扩产。一个季度以前（2025年11月）的财报会上，高塔已表示，将新增3亿美元用于八英寸晶圆厂的硅光子与硅锗产能扩展，预计硅光子产能提升三倍以上。 去年以来，得益于AI算力需求持续增长，光模块行业维持高景气。一方面，硅光光模块凭借着高集成度、低能耗、低成本的有点，逐渐受到终端客户认可；另一方面，在EML方案原材料短缺下，硅光方案成为重点产能供给补充。 中原证券指出，推理和训练算力需求的提升推动数据中心光模块市场规模增长。海内外云厂商AI应用持续渗透，对应的Token处理量迅速增长，未来AI大模型的广泛应用将进一步带动推理和训练算力需求提升，并推动数据中心光模块市场规模的持续增长。此外，ASIC芯片的集群化部署重构了数据中心网络架构，对光模块的数量和传输速率提出了更高要求。ASIC芯片对应的光模块比例也将有所提升。随着ASIC芯片的出货量增加，配套光模块的需求有望快速增长。

北京时间周四午后，全球主要存储芯片生产商日本铠侠（KIOXIA）发布了一份好于此前指引的三季报，同时奉上极其炸裂的第四财季指引。 受此影响，闪迪、美光科技在美股夜盘阶段直线拉涨，港股市场的兆易创新也在铠侠财报出炉后涨幅扩大至20%。财报发布前，铠侠周四在日本市场收涨12.36%， 收盘价较2024年底IPO的价格已经翻了14.5倍 。 （铠侠控股日线图，来源：TradingView） 财报数据方面， 铠侠在截至去年12月底的第三财季报告营业利润5436亿日元，接近此前指引5000-5500亿日元的上沿；Non-GAAP营业利润1447亿日元，超出指引区间1000-1400亿日元的上沿。 更加炸裂的是铠侠给出的四季报（今年1至3月）指引。 其中营收指引区间达到8450亿至9350亿日元；Non-GAAP营业利润指引更是达到4400亿至5300亿日元。 （来源：铠侠财报） 换个角度来说， 铠侠在截至去年12月的前三财季9个月里，一共实现了2057亿日元的净利润，同比下降42.1%。随后今年头3个月预期净利要达3100亿至3700亿日元，实现全年净利润至少同比增加7成的大逆转。 根据最新指引，铠侠当前财年归属母公司净利润将达到4537亿至5137亿日元，对应66.6%-88.7%的同比增速，分析师事前一致预期仅为3235亿日元。 很显然，铠侠的财报终于开始体现内存价格暴涨的影响了。去年11月时，铠侠还曾因为财报不及预期单日暴跌超20%，现在看来只是涨价的时候未到。 铠侠在财报中表示，第三财季在数据中心及企业级业务方面，受AI服务器需求强劲推动，出货量实现增长并创 历史新高 ，在销售单价（ASP）上升的叠加作用下，营收同样创下 历史新高 。 公司同时表示，第三财季内存芯片的销售单价上涨了“10%出头”（低双位数百分比），而出货量出现“中个位数百分比”的增长。由于数据中心需求强劲，并由此推动各应用领域产品售价 显著上升 ，公司预计在截至2026年3月的第四财季，营收和利润将较第三财季进一步增长。 铠侠董事会执行主席斯泰西·史密斯曾在1月表示，三星电子、SK海力士等竞争对手正倾向于利润率更高的下一代HBM竞争，并未大量投资扩充NAND产能，这为专注于该领域的铠侠创造了有利局面。 此外，铠侠与闪迪的合资工厂续约条款也对业绩产生增厚效应。两家公司在1月底时宣布，将铠侠四日市工厂的合资契约延长至2034年，合作方式变成“对价模式”—— 按合同约定定期打钱 。为此，闪迪将在2026年至2029年期间分期支付11.65亿美元，以确保合资工厂的芯片供应。

三星电子公司周四（2月12日）表示，已开始向客户交付其最新款高带宽存储芯片HBM4。这家韩国芯片制造商正试图在关键半导体竞赛中赶超竞争对手，这是一次关键突破。 三星电子表示，它是首家能够大规模生产并交付HBM4芯片的公司。 至于下一代HBM4E，其样品预计将于2026年下半年开始提供，而定制版HBM4E样品将于2027年开始交付给客户。 三星执行副总裁兼存储器开发部门负责人Sang Joon Hwang表示，“三星未沿用传统的成熟设计，而是大胆采用了最先进的制程工艺”。 性能大幅超越 三星电子的HBM4在性能上实现了对行业标准的大幅超越，已超出行业标准机构联合电子设备工程委员会（JEDEC）设定的标准，被选入用于英伟达下一代人工智能平台。 其HBM4芯片使用其1c工艺（第六代10纳米级DRAM技术）制造DRAM单元芯片，同时使用4纳米工艺制造基板芯片。 基于这些技术，三星的HBM4芯片实现了高达每秒11.7 Gbps的数据处理速度，超过了联合电子器件工程委员会规定的8 Gbps标准。 据此前报道，英伟达预计将在即将举行的GTC 2026大会上展示其下一代搭载三星HBM4的人工智能计算平台Vera Rubin。该大会定于3月16日至19日举行。 三星此次量产时间的落地，使三星在与SK海力士等竞争对手的角逐中占得先机。不过，也有业内消息人士称，SK海力士可能会提供更大的供应量，因为人们普遍认为其生产稳定性更高。 也有人提出质疑该公司在产量提升时如何确保生产良率，但三星电子首席技术官Song Jai-hyuk对此表示有信心，“很难用数字来描述（良率），但我可以说现状非常好，”他还补充道，客户对芯片的性能“非常满意”。

近段时间以来，“存储涨价风暴”越刮越猛，美国存储芯片大厂美光科技屡获华尔街大行“点名赞赏”、并上调评级和目标价。继瑞银、瑞穗、汇丰和德银之后，摩根士丹利成为了最新一家青睐美光的投行。 在周三（11日）最新发布的研报中， 大摩将美光的目标价从350美元大幅上调至450美元，并维持“超配”评级。与此同时，该行还将美光列为半导体板块首选标的。而这背后的原因也极其简单——人工智能（AI）需求太火爆！ “自美光上次发布业绩指引以来，存储芯片价格大幅上涨，所有终端市场均出现供应短缺局面，我们据此上调公司盈利预期。在AI需求保持强劲的背景下，HBM4供应担忧、中国市场相关顾虑及资本支出担忧均不构成核心影响因素。”报告称。 一直短缺 = 一直涨价 过去12个月，DRAM市场已实现显著增长，但未来增长潜力仍值得期待。大摩认为，今年一季度将迎来新一轮大幅涨价，且2026年供应增长有限，难以缓解当前严重的供需短缺局面，预计全年价格将持续上行。 该行进一步解释称，全球存储芯片持续供应短缺推高了动态随机存取存储器（DRAM）/NAND闪存的价格——DDR5现货价格年内大涨30%、较1月合约价高出130%。大摩强调， “这意味着主流产品价格可能再次翻倍”。 简单来说，只要供需缺口无法弥合，这场涨价风暴就不会停止，而AI需求的持续高增长又进一步扩大了供需缺口。 具体而言，大摩写道： 从需求端来看， 当前存储芯片生产商库存处于极低水平，客户即使愿意支付溢价也难以获得足够的供应。无论是无法获得足够供应的消费PC厂商等，还是优先获得增量供应的核心客户，均无法建立库存——核心客户甚至愿意支付溢价，提前30天锁定供应； 从供应端来看， 晶圆厂的产出增长极其缓慢，大摩预计到2026年底，包括合肥长鑫（CXMT）、海力士M15和三星P4L在内，晶圆投片量的同比增速仅为7%。这反映出晶圆厂产能短期内难以跟上需求。 AI需求爆发式增长： 预计到2026年底，英伟达季度营收将再增加300亿美元，AMD数据中心业务季度营收将翻倍至100亿美元，博通半导体业务季度营收将翻倍至约250亿美元，再加上Marvell和英特尔合计增加的10亿美元季度营收，未来12个月存储行业需支撑的年化营收增量将接近2000亿美元——这一规模超过2020年整个逻辑半导体（如CPU、GPU）市场的规模，且由于HBM对晶圆需求更高，DRAM供应商需投入更多资本支出才能跟上需求增长。 “基于此，我们认为，仅仅因担忧2027年下半年供应增长而卖出股票为时尚早。” 报告称。 涨价=盈利能力大增 这股“涨价风暴”带来最直接的好处就是盈利能力大增。大摩预计， 美光在2026日历年（CY26）的每股收益（EPS）将飙升至52.53美元。 大摩在报告中进一步指出，美光将于本周晚些时候在投资者会议上发言，市场普遍预期其业绩将达到或超过第二财季初始时发布指引的上限——营收环比增长37%，“这背后隐含的是平均销售价格（ASP）约30%的环比增长”。 大摩直言，这一预期过于保守，因为竞争对手的数据更加惊人：闪迪刚刚给出的指引显示其NAND ASP环比暴涨60%，而覆盖三星和海力士的团队也分别模型预测Q1常规DRAM价格将上涨48%和55%。 “值得注意的是，上季度初的情况与当前相似，美光当时并未提供新的具体指引，而是确认市场环境改善程度远超预期。 我们预计本次会议美光将延续此类表述——若未提供具体指引，股价可能出现短期回调，但这将构成买入机会。 ”报告补充道。 有鉴于此，大摩强调，当前价格走势为盈利预期持续上修奠定了基础，而市场大大低估了当前存储芯片市场的紧张程度。目前市场普遍预期，美光盈利将在2027年底达到峰值（约12美元/股），而这一目标仅需平均售价（ASP）较当前指引水平上涨20%-25%即可实现。 该行分析师在报告中写道：“但实际情况是，2026年一季度价格涨幅已远超指引隐含水平，因此 我们判断，未来18个月美光盈利可能持续超出市场普遍预期。 ” “此外，美光现金流表现强劲，预计每季度将产生约100亿美元现金流，一年内现金流规模将达到当前企业价值（EV）的10%，再加上潜在的大额预付款，公司资产负债表现金储备将显著增加。”他们补充道。 打破“空头谣言” 首先， 针对市场担忧的中国存储芯片公司可能带来的冲击，大摩认为这种担忧被夸大了。 其次是HBM4的供应问题。 AI热潮推动了市场对高带宽内存（HBM）的需求激增。需要知道的是吗，HBM通过堆叠DRAM制成，对于先进AI芯片——如英伟达设计的芯片——至关重要。美光与韩国的SK海力士、三星电子并称全球HBM “三巨头”，三家企业合计垄断了全球97%以上的HBM市场份额。 HBM是美光增长故事的核心组成部分，也是市场愿意给予其更高估值的关键逻辑。但目前来看，DDR5市场价格上涨势头更猛，已成为更具吸引力的市场。而市场对美光HBM4进展存在担忧，但 大摩判断这不会对公司盈利产生负面影响。 该行指出，美光早在去年12月的财报中就表示，已完成HBM4产品认证，并预计在2026年第二季度（C2Q26）实现批量出货，这一时间表没有变化。 “即便美光在HBM4产能爬坡上遇到未预见的困难，HBM3e仍占据市场主流，且拥有广泛的ASIC客户基础，不会对盈利造成负面影响。英伟达HBM4的早期主要量产份额历来属于海力士，这在预期之内，并不构成美光的基本面利空。”报告称。 估值 报告显示， 大摩采用了“跨周期（through cycle）估值方法”对美光进行估值，并直言“基于传统的周期性思维来评估美光是错误的”。 具体而言，该行解释称：此前目标价350美元是基于“25倍周期内每股收益（14美元）”测算的；而随着2026年每股收益预期突破50美元，我们将“跨周期每股收益”预期上调至18美元——这一水平虽较历史均值显著溢价，但仍不足未来12个月预期盈利的一半。 大摩总结称，因HBM带来的AI独特红利，大摩维持给予美光25倍的市盈率倍数。18美元的跨周期EPS乘以25倍的估值，直接导向了450美元的新目标价。 最后，大摩还预演了如下三个场景： 牛市场景（600美元）： 基于30倍“跨周期每股收益”（20美元）测算。得益于规模效应、AI产品占比提升及新产品成本优化，毛利率持续改善；HBM晶圆强度（WaferIntensity）推动需求持续超过供应，美光在HBM领域巩固性能领先地位，价格压力进一步缓解。 基本预期（450美元）： 基于25倍“跨周期每股收益”（18美元）测算。18美元的“跨周期每股收益”较过去8年平均水平显著溢价（主要得益于HBM业务）；25倍估值倍数反映市场对HBM机遇的乐观预期，处于半导体板块较高水平。 熊市场景（216美元）： 基于16倍“跨周期每股收益”（13.5美元）测算。2026年底存储行业进入下行周期，年初需求强劲实则为客户库存积压；盈利峰值不及预期后，估值倍数大幅压缩。

随着AI计算对内存需求不断扩大，全球存储技术创新也进入“加速期”。 据韩国经济日报报道，SK海力士近日在IEEE（电气与电子工程师协会）全球半导体大会上发表论文，提出了一种全新的存储架构。据悉，该架构名为“H³（hybrid semiconductor structure）”，同时采用了HBM和HBF两种技术。 在SK海力士设计的仿真实验中，H³架构将HBM和HBF显存并置于GPU旁，由GPU负责计算。该公司将8个HBM3E和8个HBF置于英伟达Blackwell GPU旁，结果显示，与单独使用HBM相比，这种配置可以将每瓦性能提升高达2.69倍。 图源：SK海力士 实验结果显示，H³架构在AI推理领域尤其具有优势。推理的核心是键值缓存 (KV cache)，它用于临时存储数据，以理解 AI 服务与用户之间交互的流程和“上下文”。然而，随着 AI 性能的提升，KV缓存容量不断增长，以至于HBM和GPU逐渐应接不暇。 因此，HBF被视作上述架构的核心。与堆叠DRAM芯片的HBM类似， HBF通过堆叠NAND闪存而制成 。被称作“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩类比道，HBM与HBF就好比书房与图书馆。前者容量虽小，但使用起来方便；后者容量更大，但也意味着延迟更高。 通过在HBF中存储KV缓存，GPU和HBM可以减轻存储KV缓存的负担，从而专注于它们在高速计算和创建新数据方面的优势。SK海力士模拟了HBF处理高达1000万个令牌的海量键值缓存的场景，结果表明，与仅使用HBM的配置相比， 该系统处理并发查询的能力提升了高达18.8倍 。以前需要32个GPU才能完成的工作负载，现在只需两个GPU即可完成。 从产业层面来看，SK海力士、三星、闪迪等均在推进HBF技术研发。SK海力士计划最早于今年推出HBF1（第一代产品）样品，该产品预计采用16层NAND闪存堆叠而成。三星电子和闪迪则计划最快在2027年底或2028年初将HBF技术应用于英伟达、AMD和谷歌的实际产品中。 广发证券认为，当前大模型的参数规模已经达到万亿级别，上下文长度普遍超过128K，HBM的容量已难以满足AI大模型对于内存容量的要求。在研的HBF存储容量有望达到现有HBM的8至16倍，有望将GPU的存储容量扩展至4TB，或成为满足AI大模型内存容量要求的最佳方案。 东方证券表示，利基存储不仅是存量市场，更是增量市场，AI需求有望为利基存储打开增量空间。SLC NAND有望应用于AI SSD产品，以高效处理AI推理中的数据；SLC NAND未来也可能应用在HBF（高带宽闪存）中。利基存储产能持续被主流存储挤压，涨价有望持续。

周四，在存储芯片股的引领下，韩国股市再创历史新高。 韩国基准股指KOSPI指数周四高开高走，截至发稿涨幅已经扩大至2.7%， 触及5499.79点的历史高点 。 其中， 存储芯片巨头领涨 。三星电子股价涨至记录高位，目前涨幅已扩大至近6%；而SK海力士目前涨近4%。 消息面上，韩国海关周三公布的数据显示，2月前10天，韩国半导体出口额达到67.3亿美元，同比飙涨137.6%。 同日，三星电子首席技术官Song Jai-hyuk表示，内存强劲需求料持续到2027年。他还重点强调，三星公司的HBM4芯片显示出“良好的”制造良率，客户对其性能表示非常满意。 市场普遍预期，三星电子将在下周农历新年假期后开始向英伟达发货HBM4产品。 而此前一天，有消息称，韩国SK集团会长崔泰源近期在美国与英伟达首席执行官黄仁勋会面。双方就高带宽内存（HBM）供应以及更广泛的人工智能（AI）业务合作事宜进行了商讨。 今年以来， Kospi指数已累计上涨近30% ，背后驱动因素包括AI驱动的半导体超级周期以及政策改革重塑市场信心等。 韩国存储芯片股追随了隔夜美股存储芯片板块的走势。周三，美股存储概念板块大涨，闪迪涨10.65%，美光科技涨9.94%，西部数据涨逾2%，希捷科技涨近3%。 上周，半导体行业研究机构SemiAnalysis发布报告预计，英伟达Vera Rubin首年量产将主要采用韩国公司的HBM4，美光产品或被排除在外。 美光首席财务官 Mark Murphy 在周三举行的一场会议上澄清称， 其HBM4已进入量产，整体进度好于此前预期，并开始供货给客户 。 摩根士丹利周三将美光科技目标价从350美元上调至450美元 ，同时维持对该股的"增持"评级，并预计2026年每股收益将达52美元。 大摩将其更为乐观的展望归因于持续上涨的DRAM价格和供应短缺。该行指出，今年DDR5价格大幅上涨，现货价格较1月合约价格高出约130%。该行预计，由于2026年供应增长仍将受到限制，主流DRAM价格将进一步上涨。 此外， 德意志银行周二将美光的目标价从300美元上调至500美元 ，理由是存储板块供需动态有利。 德银分析师Melissa Weathers称，她预计动态随机存取存储器（DRAM）的供应紧张局面将持续至2027年乃至2028年——尤其是AI热潮推动了市场对高带宽内存（HBM）的需求激增。 Weathers还指出，与传统DRAM相比，HBM的“硅密集度”大约高出三倍，这意味着它需要更多用于切割芯片的晶圆。她表示，这种高密集度“正引发一场我们认为尚未被充分理解的供应冲击”。 与此同时，Weathers称，新的DRAM晶圆厂至少需要两年时间才能投产，而现有工厂目前的扩张能力有限，无法缓解需求压力。

当地时间2月11日，英伟达液冷供应商Vertiv（维谛技术）交出了一份颇为亮眼的财报。 2025年第四季度，Vertiv每股收益为1.36美元，销售额为29亿美元，同比增长23%。华尔街此前预期每股收益为1.29美元，销售额为29亿美元。 不仅盈利超出预期，订单量也十分强劲： 报告期内同比增长252%，与2025年第三季度相比增长了117%。 奥本海默分析师Noah Kaye表示：“尽管本季度预期较高，但订单强劲增长依然令人瞩目。管理层看到所有技术和地区的项目储备都呈现强劲增长，预计2026年订单将继续增长。” 业绩指引方面，Vertiv预计2026年每股收益为5.97美元至6.07美元，销售额约为135亿美元。目前，华尔街预测该公司2026年每股收益为4.85美元，销售额为117亿美元。首席执行官Giordano Albertazzi表示：“我们第四季度的业绩展现了Vertiv在日益复杂且竞争激烈的数据中心市场中的领先地位，展望2026年，我们预计这一增长势头将持续下去。” 受上述消息影响，昨夜Vertiv美股跳空大涨24.49%，创下历史新高。 公开资料显示，Vertiv是全球最大的液冷和电源管理提供商之一，作为英伟达官方指定液冷合作伙伴，旗下液冷系统能提前获取Blackwell及Rubin等下一代平台的功耗与散热需求，并参与制定适配的参考设计。 在今年CES展会上，英伟达CEO黄仁勋公布了新一代AI平台Rubin，其芯片搭载第三代Transformer引擎，NVFP4推理算力为Blackwell的5倍。知名分析师郭明錤发文称， 相比GB300，Rubin架构的散热设计会更依赖液冷方案 ，因其内部的计算托盘和网络交换托架均采用无风扇设计。 华创证券认为，模型更迭驱动算力需求提升，进一步带动芯片、服务器及数据中心功率密度提升，同时也增加系统整体发热功率。为保障系统的安全性、稳定性以及使用寿命，系统热管理重要性更加突出，相较传统风冷，高功率情形下液冷方案拥有低能耗成本、高散热等显著优势，逐渐替代风冷成为数据中心主流散热方案。 基于英伟达最新指引，上述机构估计2025-2026年英伟达GPU出货量分别为920、1250万颗。随着新一代系统架构推出，液冷占比也将提升。预计2025-2026年英伟达GPU对应冷板式液冷需求有望达到69、173亿美元，其他厂商ASIC芯片的液冷需求估计为5、12亿美元。 中国银河证券指出，2026年液冷从“试点期”走向“规模量产”，迈向千亿规模。技术路线上，液冷以冷板DTC为主干、微通道与两相技术为高端补充、浸没式面向极致高密场景的格局。冷板液冷对服务器芯片组件改动量小，从风冷过渡较为平滑，产业链相对成熟，适用最广，将持续提升换热效率、降低成本和扩展应用场景。 此外，台积电、英伟达、微软等企业推动技术落地，微通道液冷正处于从实验室研究向大规模产业化应用转变的关键时期。浸没式液冷受限于氧化液高成本以及冷却液性能问题，发展相对较慢，未来随着高密度芯片广泛应用，浸没式液冷有望获得较快增长。 投资方面，东海证券等机构进一步表示，通过全球供应链和相似的技术演进逻辑，数据中心发展带动对高效制冷方案的需求，也有望为中国温控产业链企业带来机遇。目前，欧美主导系统与服务，国内承载制造，依托海外产能与NV/Google等项目切入全球供应链，登加国内AI算力基建，液冷景气持续上行。建议关注冷源装备提供商、制冷压缩机铸件制造商如冰轮环境、联德股份；在液冷方案二次侧领域关注具备全链条液冷方案储备的英维克等。

三星电子首席技术官表示，该公司预计，市场对内存芯片的强劲需求不仅将持续今年全年，而且还将持续到明年，因为人工智能推动了强劲的需求。他还重点强调，三星公司的HBM4芯片显示出“良好的”制造良率，客户对其性能表示非常满意。 中银国际证券表示，AI与数据扩张推动存储进入新周期，供需紧张致价格持续上涨，HBM等新技术迭代需求旺盛，国产存储加速发展机遇显现。在数字经济各领域对存储技术需求不断扩大的推动下，存储市场规模持续上升。从下游应用结构来看，AI端侧存储需求增长速度显著高于其他细分市场，已成为推动全球存储市场扩张的关键动力。同时大模型技术热潮带动AI服务器存储需求快速增长，服务器领域存储需求亦将保持较高增速。价格方面，存储全系产品价格2025年已出现较大幅度涨幅，2026年或进一步上涨，中银国际认为本轮价格上涨则是由AI服务器和通用服务器共同驱动，还存在着结构性的产能转换和多个维度的需求竞争，情况更为复杂，短缺和涨价或将会持续更长时间。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 澜起科技 在内存接口芯片行业处于领先地位，是全球三大DDR5生产商之一，可提供DDR5内存接口及模组配套芯片全套解决方案，同时布局高性能运力芯片满足AI系统需求。 艾森股份 存储领域相关产品成熟，产品已适配国产存储芯片制造全流程，在目前国产化加速背景下，公司持续推进在国内头部存储客户的技术交流与产品验证。