4月14日消息，据韩媒报道，三星晶圆代工已将 4nm 制程工艺的 HBM4 内存基础裸片 (Base Die) 报价上调 40~50%，这将推高存储器业务的 HBM 制造整体成本。 据报道，自2026年初以来，随着HBM4出货量快速上升，三星开始上调4nm基础裸片的价格，已上涨了40%至50%，表明其半导体产品线的定价趋于正常化。与此同时，三星4nm生产线已接近满负荷运转，晶圆代工业务整体盈利能力呈现渐进改善的趋势。 三星4nm工艺良品率的提升及性能的稳定性，已开始反映在今年的HBM4上。三星已经为接下来的HBM4E准备了相同工艺的基础裸片，计划今年内投入生产。传闻三星还打算在HBM4E中引入2nm工艺制造基础裸片，提高能效、散热管理和面积利用率，进一步扩大竞争优势。 过去几个月里，得益于良品率的提升，三星的晶圆代工业务有抬升的趋势。三星也为晶圆代工业务设定了新目标，希望两年内实现盈利，并占据20%的市场份额。今年年初，三星晶圆厂的整体产能利用率已提高至60%，预计很快会达到80%的收支平衡线。 有消息称，三星的晶圆代工业务可能在今年第四季度实现盈利，明年会迎来更明显的改善周期。此外，伴随4/5nm工艺的订单量提升，三星在2025年第四季度还通知客户，将提高4/5nm的代工价格。

4月14日消息，据报道，棣山科技对外披露其2nm高端AI GPU芯片最新研发进展。 据悉，该款2nm AI GPU原型芯片采用FinFET/GAA混合制程与Chiplet异构集成架构，搭载公司自主研发的“棣山智核（DS- Core）”，核心晶体管数量达1700亿颗，采用2.5D CoWoS-L先进封装技术。 性能表现上，这款芯片FP32单精度算力可达50 TFLOPS，FP16半精度算力达100 TFLOPS，FP4低精度算力高达400 TFLOPS，可灵活适配不同精度需求的人工智能大模型训练、推理等高端算力场景；能效比较上一代产品提升40%，典型功耗控制在350W以内，每瓦算力可达142 GFLOPS。 同时，研发团队成功攻克高带宽内存（HBM）封装互联、超低延迟片间通信（<0.25ns/mm）、微流道高效热管理三大核心技术瓶颈，其中搭载的HBM4内存单颗容量达48GB，引脚速率超11Gb/s，内存带宽可达3.2TB/s，相较上一代HBM3E带宽提升约2.5倍，可满足大模型训练时海量数据的高速传输需求；微流道热管理技术可使芯片热失控风险降低68%，芯片工作温度稳定控制在85℃以下。 此外，该芯片支持NVLink 6兼容互连协议，单链路带宽达1.6TB/s，多芯片互联时可实现无瓶颈协同运算，进一步提升整体算力规模，同时兼容主流CUDA软件生态，可大幅降低下游客户技术迁移成本。 截至2026年4月13日，棣山科技这款自主研发的2nm高端AI GPU芯片尚未进入正式流片阶段，仍未完成从设计方案到实体芯片的关键跨越。 在2026年举办的日本国际半导体设备及材料展览会等国内外核心半导体行业展会上，棣山科技对外公开了该款芯片的完整设计方案、核心技术参数及多轮仿真测试数据，重点展示了其在2nm制程适配、Chiplet异构集成、自研智核架构等方面的核心技术突破，让行业各界及市场主体直观了解到该芯片的设计实力与发展潜力，披露具体的流片启动时间节点。

英特尔4月7日表示，将与马斯克旗下的SpaceX和特斯拉一道，加入其Terafab人工智能芯片项目，共同研发处理器，以支撑这位科技亿万富翁在人形机器人技术和数据中心领域的雄心。 消息公布后，英特尔股价上涨逾2%。该公司还发布了首席执行官陈立武（Lip-Bu Tan）与马斯克握手的照片，并表示上周末在其园区接待了这位全球首富。 数月前，马斯克曾公布特斯拉计划建造一座大型人工智能芯片工厂，为其自动驾驶目标提供算力，并暗示公司可能与英特尔展开合作。 英特尔在社交媒体平台X上表示，其技术能力将加速实现Terafab项目的目标——每年生产1TW的计算能力，以支持人工智能和机器人技术的未来发展。 陈立武表示：“马斯克在重塑整个行业方面有着卓越的过往记录，而这正是当下半导体制造领域所亟需的。Terafab项目代表了未来硅逻辑、存储与封装制造方式的一次根本性变革。” 上月，马斯克表示，其火箭公司SpaceX（近期已与其旗下的社交媒体及人工智能公司xAI合并）和特斯拉将在得克萨斯州奥斯汀的一处大型园区内建造两座先进芯片工厂。马斯克称，其中一座工厂将为自动驾驶汽车和人形机器人提供算力，另一座则专为太空人工智能数据中心设计。 与此同时，SpaceX已秘密在美国提交首次公开募股（IPO）申请，可能成为史上规模最大的股票上市交易。该公司计划于今年晚些时候启动上市。 对于在人工智能竞赛中落后于竞争对手的英特尔而言，此次合作将提振投资者信心，并显示其转型努力正逐步见效。随着处理器需求的增加，该公司的财务状况已有所改善。 美国金融服务公司D.A. Davidson的分析师吉尔·卢里亚（Gil Luria）表示：“英特尔需要证明，它有能力为最大客户的最重要项目提供支持，与特斯拉的合作似乎做到了这一点。”他称这是这家芯片制造商扭亏为盈过程中的“重要一步”。 陈立武目前执掌英特尔已逾一年，他正推行激进的重组计划以改善公司财务状况，包括裁员和资产出售。该公司还获得了英伟达和美国政府数十亿美元的投资，目前美国政府已成为其最大股东。

根据博通周一向SEC提交的监管文件，该公司已同意为谷歌生产未来版本的人工智能芯片，同时还与Anthropic签署了一项扩大后的协议，使Anthropic能够获得约3.5吉瓦的算力，这些算力将基于谷歌的AI处理器提供。 博通股价在盘后交易中上涨3%。谷歌母公司Alphabet股价基本持平。 根据这项新的长期协议，博通将为谷歌设计并供应定制化的张量处理单元（TPU），用于其下一代AI加速器，同时还将为谷歌的新一代AI数据机架提供网络设备及相关组件，该合作将持续至2031年。 同时，博通、谷歌和Anthropic也进一步深化了战略合作关系。从2027年开始，Anthropic将通过博通获得约3.5吉瓦的下一代基于TPU的AI算力，这也是其多吉瓦级扩张计划的一部分。 这项协议取决于Anthropic的商业增长路径，反映出市场对博通AI芯片和基础设施解决方案的需求正在上升。相关公司表示，正在与更多运营及金融合作伙伴进行洽谈，以支持这一规模化部署。 在上个月的财报电话会议上，博通CEO陈福阳表示： “对于Anthropic来说，我们在2026年1吉瓦TPU算力方面已经取得了一个非常好的开局。而到2027年，这一需求预计将激增至超过3吉瓦的算力。” 在财报电话会议后，瑞穗证券分析师Vijay Rakesh领衔的团队在一份报告中估计，博通将在2026年从Anthropic获得210亿美元的AI相关收入，并在2027年达到420亿美元。不过，周一的文件中并未披露具体金额。 与此同时，博通还在与Anthropic的竞争对手OpenAI合作开发用于AI的定制芯片。目前，这些模型开发公司仍高度依赖通过亚马逊、谷歌和微软等云服务提供商提供的英伟达图形处理器。OpenAI还承诺将使用6吉瓦的AMD GPU算力，其中首批1吉瓦预计将在今年下半年投入使用。 Anthropic算力需求暴涨 媒体称，这一交易凸显出市场对运行生成式AI模型所需基础设施的需求正在迅速增长。今年以来，Anthropic的人气大幅飙升，其Claude应用在今年2月一度成为苹果App Store美国区免费应用榜第一。 该公司表示，周一这项这一重大算力基础设施扩张将为该公司的前沿Claude模型提供支持，并帮助公司满足来自全球客户的巨大需求。 Anthropic首席财务官Krishna Rao表示： “这一与谷歌和博通达成的开创性合作，是我们在扩展基础设施方面保持纪律性推进的延续：我们正在建设必要的算力，以应对客户群体呈指数级增长的需求，同时推动Claude在AI发展前沿持续突破。为了跟上前所未有的增长速度，我们正进行迄今为止最大规模的算力投入。” Anthropic表示，2026年，来自Claude客户的需求明显加速。目前该公司的年化收入已超过300亿美元，高于2025年底约90亿美元的水平。在今年2月宣布G轮融资时，该公司曾表示已有超过500家企业客户的年化支出超过100万美元。而现在，这一数字已超过1000家，在不到两个月时间内实现翻倍。 根据公司公告，新增的大部分算力将部署在美国。这一合作也进一步深化了Anthropic与Google Cloud的现有合作关系。

三星电子周一公布一季度初步业绩，该公司预计一季度运营利润57.20万亿韩元，远胜分析师预期的39.28万亿韩元，远超去年同期并创历史新高，显示即使在中东战争引发不确定性的背景下，用于人工智能（AI）和数据中心的存储芯片需求依然强劲。 以下是三星电子一季度初步业绩要点： 营收：三星电子预计一季度营收升至133万亿韩元，同比增长68%，高于市场预期的116.8万亿韩元。 初步运营利润：三星电子预计第一季度初步运营利润为57.2万亿韩元（约379亿美元），同比大幅增长755%，创历史新高，远高于分析师平均预期的39.3万亿韩元。 该消息刺激三星电子在盘前交易中上涨5%。三星电子将于本月晚些时候公布完整财报，包括净利润及各业务部门的详细数据。 根据报告，该公司第一季度运营利润大幅领先以往季度表现，几乎是其此前纪录水平的三倍，该纪录为去年10月至12月季度创下的20万亿韩元，同时也超过其2025年全年实现的43.6万亿韩元。韩国政府数据显示，作为全球科技需求风向标的韩国半导体出口在3月同比激增151.4%，达到创纪录的328亿美元。 媒体表示，以云服务提供商为代表的客户正在加大订单，带动出货量与利润率双双提升。随着AI数据中心需求激增，三星电子成为主要受益者之一。 这一趋势压缩了用于智能手机、个人电脑和游戏主机等传统芯片的供应，并在第一季度推动芯片价格接近翻倍。研究机构TrendForce预计，在供应短缺持续的背景下，本季度DRAM合约价格将上涨超过50%。 Mirae Asset Securities表示，仅三星电子设备解决方案（DS）部门第一季度运营利润就预计超过42万亿韩元。 HBM突破叠加AI需求回暖 三星电子股价在去年上涨超过120%，但自今年2月高点以来已回落约12%。市场担忧伊朗冲突可能推高价格和利率，从而影响人工智能硬件支出的持续性。大约一年前，三星电子首席执行官曾因业绩和股价表现不佳而公开致歉，当时公司在为英伟达AI芯片提供关键高带宽存储（HBM）方面落后于竞争对手。 但随着最新HBM4芯片的推出，三星电子正逐步缩小与韩国竞争对手SK海力士之间的差距，同时也受益于AI推理需求带动的传统芯片需求回暖。 三星电子与SK海力士和美光科技共同主导全球存储芯片供应。近年来，这三家公司不断将产能转向用于英伟达AI加速器的HBM，从而收紧了传统存储芯片的供应。 同时，用于服务器、个人电脑和移动设备的传统DRAM价格也大幅上涨，进一步推升业绩。花旗分析师Peter Lee和Jayden Oh在4月2日的报告中指出，全球DRAM平均售价在第一季度环比大涨64%。 分析师依然看好三星电子，基本忽视了来自谷歌TurboQuant或Anthropic Claude Mythos等AI优化技术的潜在影响。花旗预计，随着AI推理需求持续强劲，价格将获得支撑，三星电子2026年全年运营利润有望达到310万亿韩元（约2060亿美元）。 上个月，美国存储芯片制造商美光科技在第二季度创下创纪录业绩后，预计第三季度营收将高于华尔街预期，反映出AI需求强劲和供应紧张的市场环境。 此外，三星电子移动体验（MX）部门也预计受益于今年早些时候推出的新产品，包括Galaxy S26系列。

在AI的推动下，台积电的晶圆厂产能需求紧张已经是公开的秘密。于是近几年，除了在台湾加紧扩张外，台积电还加快了海外扩张的步伐。当中尤其以美国最为激进、但近日，据台媒Digitimes透露，台积电在美国计划又变了，Digitimes在报道中指出，台积正加速扩大亚利桑那投资，目前总金额高达1650亿美元，加上先前规划将有6座晶圆厂与2座先进封装厂。但在美国期盼下，台积再追加投资，于现有厂区购得第二块土地，计划扩展为一独立的超大晶圆厂（GIGAFAB）聚落。 “据了解，台积电亚利桑那晶圆厂与先进封装厂将再各新增2座，共计12座厂，目前来看，资本支出不只是2026~2028年创高，2029、2030年也将维持高档。”Digitimes在报道中强调。 也就是说，届时台积电在美国会有8座晶圆厂+4座封装厂。总而言之，台积电进一步了Next Level。 台积电在美国，一路狂奔 台积电在美国的扩张，可以追溯到当初的新冠疫情。在当时的拜登政府推动下，台积电正式开启了美国建厂计划。 2020年五月，台积电宣布，在获得美国联邦政府和亚利桑那州政府的相互理解和支持后，台积电计划在美国建设和运营一座先进的半导体工厂。 根据一开始的规划，该工厂将建于亚利桑那州，采用台积电的5纳米制程技术进行半导体晶圆制造，月产能达2万片，将直接创造超过1600个高科技专业岗位，并在半导体生态系统中间接带动数千个就业岗位。工厂计划于2021年开工建设，预计于2024年投产。台积电在该项目上的总投资（包括资本支出）在2021年至2029年间约为120亿美元。 到了2022年12月，台积电公布，将把对美国一家巨型工厂的投资增加两倍以上，达到 400 亿美元。据介绍，台积电在美的第二家工厂将于2026年投产，生产3纳米芯片。 到了2025年三月，台积电宣布，计划追加1000亿美元投资美国先进半导体制造业务。此前，台积电已在亚利桑那州凤凰城的先进半导体制造业务中投资650亿美元，此次追加投资后，台积电在美国的总投资预计将达到1650亿美元。此次扩建计划包括新建三座晶圆厂、两座先进封装厂以及一个大型研发中心，这将使该项目成为美国历史上规模最大的单笔外国直接投资项目。换而言之，到这个时候，台积电在美国已经规划了六个晶圆厂和两个封装厂。 当年7月，魏魏哲家示，在亚利桑那州追加1000亿美元投资后，公司将加快多个制造工厂的生产进度。他指出，由六座工厂组成的“超级晶圆厂”集群建成后，将占台积电在该州2纳米及更先进工艺半导体产能的30%。 现在，如文章开头所说，台积电将在美国的制造设施再翻番。 关于这些晶圆厂的规划，台积电在官网中表示： 首个晶圆厂：采用 N4 工艺技术的大规模生产将于 2024 年第四季度开始。 第二座晶圆厂：晶圆厂结构于 2025 年竣工。计划于 2028 年采用 N3 工艺技术进行批量生产。 第三座晶圆厂：2025年4月，台积电第三座晶圆厂破土动工，计划采用N2和A16工艺技 术，目标是在本十年末实现量产。 从相关报道看来，台积电美国厂的产能应用似乎也符合预期，这体现在他们当地工厂的盈利状况。 数据显示，自2021年正式启动运营以来，该工厂一直处于建设和产能爬坡的“烧钱”阶段。财报数据显示，在2021年至2024年的四年间，该子公司累计产生了高达85亿人民币的营运亏损。其中，仅2024年一年的亏损就达到30亿。但到了2025年，台积电这个亏损状况被彻底扭转。财报指出，亚利桑那子公司在2025年实现了161.4亿新台币（约合34.84以人民币）的盈余。 而且，按照台媒所说，由于美国政策力推在地制造，台积电美国厂产能持续抢手，先前传出后续将开出的三厂产能已陆续被客户预订，最新传出进一步延伸到埃米制程等级，代表亚利桑那州第四座厂产能也已被包下。报道进一步指出，台积电位于亚利桑那州的新Fab 4 工厂的建设尚未开始，但其产能已排满至2027年底，这再次有力地证明了市场需求的持续旺盛。 台湾本土，持续扩产 作为台积电的发源地，台积电在台湾岛上的扩产也一直没有停歇。在去年年底的财报会上，台积电就曾表示，公司2026年资本支出计划最高将达560亿美元，较2025年实际支出409亿美元大幅增长37%，创下该公司历史新高。 针对当时大家一直关注的台积电赴美将让台湾失去“硅盾”这个说法，台积电财务长黄仁昭当时曾回应道：“我们持续加快在亚利桑那州的投资，但最先进工艺的根留台湾是核心原则。” 据当时的报道，台积电表示 2 纳米技术在 2025 年第四季度已于新竹和高雄同步开始量产，良率良好，预计 2026 年将快速爬坡。N2P（增强版）计划今年下半年量产。A16（采用超级电轨技术）计划2026 年下半年量产。为此，台积电正尽量加速现有晶圆厂建设。 在今年二月，台积电董事会核准了资本预算449.62亿美元，用以建置先进制程、先进封装、成熟制程或特殊制程产能，以及厂房兴建及厂务设施工程。台积电指出，董事会核准的资本预算主要是为因应基于市场需求预测，及技术开发蓝图所制定的长期产能规划，包含建置及升级先进制程产能、先进封装、成熟及特殊制程产能，与厂房兴建及厂务设施工程。 台积电在官网表示，2025年，台积公司及其子公司所拥有及管理的年产能超过1700万片十二吋晶圆约当量。其中，台积公司在台湾设有六座十二吋超大晶圆厂、四座八吋晶圆厂和一座六吋晶圆厂。 二月底，有一个报道指出，台积电正在加速在台湾的制造扩张，业内人士表示，到2026年，台湾各大科学园区可能有多达10座晶圆厂正在兴建或准备投产。英媒New electronics周一（23日）报导，这一发展反映这家芯片制造商在全球需求不断增长的情况下，努力扩大先进制程技术和封装产能的决心。 根据供应链报告，台积电目前的重点仍是尖端制程，包括2nm、A16和A14。新竹宝山Fab 20 内的P3和P4工厂正在进行前期工程工作，这些工厂将作为2nm以下制程技术的生产基地。 如上所述，台积电于2025年底开始量产2纳米制程，Fab 20（位于台积电全球研发中心旁）和新建成的位于高雄的Fab 22同时投产。 Fab 20目前已进入稳定生产阶段，预计月产量在2万至2.5万片晶圆之间。 在台湾中部科学园区，台积电正在建造Fab 25，作为其1.4nm制程中心。园区计划兴建四座晶圆厂，桩基工程已于2025年底启动。预计风险试产将于2027年底开始，随后于2028年下半年全面量产。 该地区在先进封装领域也将扮演核心角色。位于台中的AP5B工厂计划于2026年竣工，而位于嘉义的AP7 P1封装工厂的建设也正按相近的时间表推进。随着下一代芯片设计对后端制程的要求日益复杂，这些项目将进一步巩固台湾中部作为重要封装生产中心的地位。 在高雄，作为台积电2nm制程工程核心的Fab 22工厂，多个建设阶段正在并行推进。 P1工厂已于去年下半年投入量产，P2工厂已完成设备安装并开始试生产，P3工厂的结构建设也已基本完成。 P4和P5工厂的建设工作也在进行中，预计所有五座工厂将于2027年第四季全面投入营运。 台南正逐渐成为先进制程扩张的另一个战略要地。为了满足日益增长的2nm产能需求，台积电计划在台南A区追加投资。如果其P1项目在4月通过环境评估，最快可能在5月开工。 日本和德国，两样情 在台电的海外扩张中，除了美国意外，日本和德国也是两个发展重点，但两地的表现差距甚大。 在2024年8月20日，台积电表示，台湾积体电路制造股份有限公司、罗伯特博世公司、英飞凌科技股份公司及恩智浦半导体公司合资成立之欧洲半导体制造公司（ ESMC ）今日为其在德国德勒斯登的首座半导体晶圆厂举行动土典礼，正式启动初期土地准备阶段。政府官员、客户、供应商、业务伙伴及学术界贵宾受邀出席共襄盛举，一同见证此欧盟首座采用鳍式场效电晶体（ FinFET ）技术提供专业积体电路制造服务之晶圆厂所缔造的里程碑。 但随后，这个工厂缺鲜见公布新进展，反而甚至屡屡传出延迟的消息。反观日本，则完成了从一开始布局传统制程，到现在转向先进制程的跃升。 2021年11月，台积电和索尼半导体解决方案公司联合宣布，台积电将在日本熊本县成立子公司日本先进半导体制造株式会社（“JASM”），以提供采用 22/28 纳米工艺初始技术的代工服务，满足全球市场对特种技术的强劲需求，SSS 将作为少数股东参与其中。 JASM在日本的晶圆厂计划于2022年开工建设，目标是在2024年底前投产。该晶圆厂预计将直接创造约1500个高科技专业就业岗位，并具备每月4.5万片12英寸晶圆的产能。在获得日本政府的大力支持后，该项目的初始资本支出预计约为70亿美元。 到了2024年，双方宣布，将进一步投资台积公司于日本熊本县拥有多数股权之晶圆制造子（ JASM ），以兴建第二座晶圆厂，并计划于2027年底开始营运。丰田汽车公司也将投资JASM少数股权。 为了回应客户需求成长， JASM在日本的第二座晶圆厂计划于2024年底开始兴建，生产规模扩增亦有望优化JASM的整体成本结构和供应链效率。藉由这两座晶圆厂， JASM熊本晶圆厂的每月总产能预计超过10万片12吋晶圆，为汽车、工业、消费性和高效能运算（ HPC ）相关应用提供40纳米、 22/28纳米、 12/16纳米和6/7纳米的制程技术。 从后续进度看来，这些厂也如期推进。 2024年12月，台积电位于日本熊本县的晶圆厂（熊本一厂）正式按照计划开始量产。据熊本县知事木村敬透露，熊本二厂计划于2025年第一季度动工，目标是在2027年年底投产，更先进的6纳米芯片生产线也将随之落地。 但进入近日，台积电批准了全球最大半导体代工企业台湾积体电路制造公司（TSMC）在日本熊本第二工厂生产3纳米制程尖端半导体的申请。该工厂目前仍在建设当中，将于2028年启动量产。 台积电今年2月透露，原计划在熊本第二工厂生产6纳米制程半导体，但正在考虑改产性能更强的3纳米产品。台积电称，更改计划是为了应对“客户需求”，预计相关产品将被用于人工智能（AI）等领域。 在制程不断缩小的半导体领域，3纳米属于在日本尚无先例的尖端技术。台湾当局希望防止顶尖技术被转移至海外。但据台媒报道，经济部认为台湾已拥有更先进的技术，因此批准了在熊本的生产。 至此，台积电在日美有了此先进的制程。 写在最后 在台积电于上述诸地高歌猛进的同时，公司在技术上也稳步推进。无论是16A等先进制程，还是先进封装，或者是对硅光的投入，台积电都没有落后。例如台积电指出，旗下硅光子整合平台COUPE预计今年进入量产，成为推动共同封装光学（CPO）落地的关键里程碑，宣告AI光通讯正式进入产业化倒数阶段。 科技媒体 Wccftech 在3 月 31 发布博文，报道称因人工智能需求激增，导致 3 纳米产能全面告急，目前仅能优先保障等核心客户订单。 咨询(TrendForce)3月12日发布的数据显示,去年全球前十大晶圆代工企业的年度总营收为1695亿美元,同比大增26.3%,创下行业历史新高。 其中，行业龙头台积电去年实现营收1225.4亿美元,市场占有率达69.9%。人工智能(AI)服务器用图形处理器(GPU)以及谷歌(Google)张量处理单元(TPU)等先进制程产品的爆发性需求,成为推动营收增长的主要动力。与前一年相比,其营收增幅高达36.1%,在头部厂商中涨势最为迅猛。 由此看来，这家全球晶圆巨头，似乎已经立在了不败之地。

4月2日,龙磁科技股价出现下跌，截至2日收盘，龙磁科技跌4.84%，报81.74元/股。 龙磁科技4月2日晚间公告的2025年年报显示：2025年，公司实现营业收入128,918.84万元，比上年同期增长10.18%；实现归属于上市公司股东的净利润16,848.64万元，同比增长51.71%。 公司在汽车、变频家电领域销售收入持续增长，已成为上述领域全球领先的磁性材料供应商，具有较强的市场竞争力。公司持续加大研发力度，通过生产线技改提升，不断优化产品结构，并持续推进各项降本增效措施，永磁毛利率水平较上年同期进一步提高。公司将继续凭借良好的服务和优质的产品，与国内外知名厂商建立长期良好、稳定的合作关系。为客户提供满足个性化和多样化的产品和服务。 对于报告期公司主营业务、产品及用途，龙磁科技表示：公司专注于高性能磁性材料与电子元件的研发、生产和销售，已构建“永磁+软磁+电感”三大核心业务协同发展的产业格局。永磁铁氧体磁瓦是永磁微特电机核心部件，主要应用于汽车、变频家电、电动工具等各类电机。作为磁性材料的专业制造商，我们与全球头部电机厂商共同推进高能效磁性元器件的研发。目前在安徽庐江、金寨和越南胡志明已形成了5万吨永磁产能，技术水平处于行业前列，客户大多为全球知名汽车电机制造商。软磁材料与磁芯主要应用于光伏储能（逆变器、功率模块）、新能源汽车及充电桩（车载OBC、DC-DC转换器）、消费类电子等领域。公司在安徽金寨、泰国大城府布局了超2万吨软磁粉芯产能，在依托永磁材料技术的基础上，引进了高水平软磁技术及管理团队，软磁产品已进入头部车企供应链。公司重点开发车载电感与芯片电感等高端一体成型电感产品。车载一体电感主要用于汽车LED车灯驱动、多媒体影音系统、ADAS、导航与通讯等模块。芯片电感广泛应用于各类集成电路中，起到为GPU、CPU、ASIC、FPGA等半导体芯片前端供电的作用。公司已完成芯片电感高端市场、高端产品的重大突破，中标知名国际半导体客户新项目，其他客户的认证和导入也已初见成效。 对于公司的采购模式，龙磁科技表示：公司主导产品湿压磁瓦的主要原材料为铁红、碳酸锶和预烧料等。公司生产部按照客户合同和订单编制一定时期（月度、季度）的生产计划，采购部根据生产计划和库存状况向供应商采购原辅材料。公司对主要原材料保持一定的安全库存，以应对客户订单的增加和生产周期的要求。公司按照质量管理体系要求对供应商实行资格认证。公司每年与主要供应商协商确定年度采购数量和价格，根据产品订单要求，分期向供应商下达采购合同。 永磁科技公告的公司发展战略显示：公司将继续深耕永磁铁氧体湿压磁瓦行业，不断推动技术创新、产品迭代、服务升级，巩固公司在永磁铁氧体湿压磁瓦行业的领先地位。推动永磁铁氧体湿压磁瓦产能规模达到6万吨，在规模上赶超日本TDK的同时，技术也做到接近或达到TDK的水平。在发展永磁产业的同时，积极推动软磁产业链的建设和布局。立足于自主研发、不断创新，优化整合全球技术和人才资源，充分利用多年来累积的品牌优势、技术优势及市场优势，早日形成软磁全产业链的竞争力。公司将不忘初心，扎根产业，始终坚持“发扬创业精神，拓展创新思维，建设创造能力”为经营理念，以“市场领先、技术支撑、规模效应”为经营战略，不断夯实发展基础，推动公司持续、平稳、健康发展。力争将公司打造成全球领先的磁性材料及器件制造企业。 龙磁科技2月11日公告，拟向不超过35名特定对象发行不超过3577.43万股A股股票，募集资金总额不超过7.6亿元。扣除发行费用后的募集资金净额将用于越南龙磁二期工程、芯片电感智造项目和补充流动资金及偿还银行贷款。 谈及本次发行对公司经营管理和财务状况的影响，龙磁科技表示：（一）对公司经营管理的影响 本次发行完成后，扣除发行费用后的募集资金净额将用于越南龙磁二期工程、芯片电感智造项目和补充流动资金及偿还银行贷款。上述募集资金投资项目符合国家相关的产业政策以及公司整体战略发展方向，具有良好的市场发展前景，有利于提高公司整体综合实力。通过本次募集资金投资项目的实施，有助于公司扩大产能规模，优化产品结构，进一步提高盈利能力，促进公司可持续发展，符合公司及全体股东的利益。 （二）对公司财务状况的影响 本次发行股票募集资金到位后，公司的资金实力将得到有效提升，公司资产总额与净资产额将同时增加，公司资本结构更加优化，为公司后续发展提供有力的保障。 在募集资金到位后，公司总股本将有所增加，募集资金投资项目无法迅速促进公司业绩提升，因此公司的每股收益在短期内存在被摊薄的风险。但随着募集资金投资项目的完成，本次募集资金将会得到有效使用，为公司和投资者带来较好的投资回报，促进公司健康发展。 国金证券研报显示：稀土：12月我国稀土永磁出口量当月值/累计值同比分别+7%/-1%，单月出口量创历史同期新高；结合往后出口更加宽松的预期，其对后续需求更加高看一眼；外部抢出口叠加供改持续推进，稀土供需共振可期。关注中国稀土、广晟有色、北方稀土、包钢股份、金力永磁等标的。 中信证券2025年10月18日研报称，商务部连发四文强化稀土出口管制，增加5类中重稀土出口管控，增加全产业链条设备、技术、原辅材料出口管制，并对海外军事及高端半导体需求进行管制，稀土战略地位进一步强化。中国稀土战略地位进一步得以强化，预计海外备库动作加强，稀土价格有望进一步上涨；长周期看，中国对稀土开采-冶炼分离-磁材制造-磁材回收全产业链的技术、设备、软辅材料管控，无疑将增加海外稀土自主可控产业链建成的难度，时间周期也将延长，长期强化中国稀土的壁垒优势，利好稀土价格中枢上移。此外，海外稀土磁材供给受限，将利好高性能铁氧体永磁的需求增加，铁氧体磁材订单大增。

4月2日消息，据报道，中国AI芯片市场格局正在重塑，本土厂商以快速攀升的市占率，不断撼动英伟达长期以来的主导地位。 市场研究机构IDC的最新报告显示，2025年中国AI加速服务器市场中，本土芯片厂商的市场份额已攀升至约41%，正逐步缩小与行业龙头英伟达的差距。 报告数据显示，2025年中国市场AI加速卡总出货量达到约400万张。其中，英伟达虽仍以约220万张的出货量保持市场首位，占据55%的份额，但其领先优势正显著收窄。 相比之下，中国本土厂商合计出货约165万张，成功占据了超过四成的市场份额。在中国厂商阵营中，华为成为了无可争议的领跑者，其AI芯片出货量约为81.2万张，占据了国产芯片总出货量的近一半。 阿里巴巴旗下的半导体公司平头哥紧随其后，出货量约为26.5万张，展现了互联网巨头在底层硬件领域的强劲实力。百度昆仑芯与寒武纪则并列出货量第三位，各自出货约11.6万张，共同构成了国产AI芯片的第一梯队。 此外，海光信息、天数智芯和沐曦等厂商也在市场中占据了一席之地，分别占国产厂商出货量的约5%、4%和3%，显示出多元化竞争格局正在形成。 IDC的报告还指出，2025年以来，各地智能计算中心的建设热潮为国产芯片提供了广阔的应用场景。这些项目在采购设备时普遍倾向于采用国产芯片，直接推动了本土厂商市场份额的快速增长。 面对竞争压力，英伟达也并未放弃中国市场。在3月举行的GTC大会上，其CEO黄仁勋透露，专供中国的H200芯片已获得部分采购订单，公司正在重启相关产品的生产。 英伟达CFO在此前的财报电话会上也坦言，中国本土竞争对手正取得积极进展，长期来看有可能“颠覆全球AI产业的结构”。

4月2日，据报道，在短短一周多的时间内，内存条市场经历了剧烈的价格跳水。以DDR5为代表的内存条近日持续降价，部分产品降幅达到30%！ 据悉，从上周开始，内存市场价格出现了显著回落。据深圳华强北电子市场的商户透露，多款主流内存产品价格直线下跌。 目前，16G内存已从上周的900元高位降至目前的700元左右。而32G规格的内存产品降幅更为惊人，普遍下调了约300元，部分品牌的跌幅甚至直接达到了30%。 这种短时间内的价格巨震在近期市场中相当罕见。目前上游经销商的出货意愿明显增强，试图通过降价来加速回笼资金，但市场反应却较为冷淡。 消费者普遍持有买涨不买跌的心理。由于担心现在入手后价格会继续下探，大多数人选择了继续等待，这种典型的观望心态导致市场并未因为降价而出现成交热潮。 自去年第四季度开启涨价潮以来，高昂的价格严重抑制了个人消费者的购买欲望。许多用户为了节省开支，不得不选择容量更小的内存，或者直接转向二手市场寻找替代品。 这种需求的萎缩直接导致了内存产品整体出货量的下滑。不少华强北从业者表示，去年的持续涨价对生意造成了不小的冲击，成交量普遍大幅萎缩。 由AI数据中心吸纳太多存储产能导致的存储产品普遍缺货、涨价，是否到达了一个拐点，目前尚难以下定论。 但在持续数月的价格上涨后，部分存储产品出现价格回调，可能已说明市场供需确实出现了变化。

SMM 4月1日讯：4月1日，半导体指数开盘拉涨逾2%，个股方面，炬光科技、派瑞股份、芯原股份盘中一同涨逾10%，长光华芯、晶合集成。兆易创新、甬矽电子等多股纷纷涨逾7%。 消息面上，智通财经获悉，尽管伊朗冲突带来的外部风险持续升温，但受益于存储芯片需求极度旺盛，韩国3月出口延续强劲增长态势，为经济提供了有力缓冲。半导体成为韩国出口增长的主要驱动力，其3月芯片出口额达328亿美元，创下历史新高，主要得益于全球企业在AI热潮之下对于韩国两大存储芯片超级巨头——三星电子与SK海力士的DRAM/NAND存储芯片依旧需求无比强劲。受全球对人工智能(AI)和数据中心持续投资的推动，韩国3月的月度芯片出口同比可谓狂飙式增长151.4%。韩国贸易部表示，汽车、石油产品和计算机的出口也有所增长。 此前，韩国贸易协会（KITA）预计，今年韩国存储半导体出口额将从1140亿美元增长至1250亿美元，增幅达9.6%。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）最新公布数据，2025年，全球半导体销售额同比增长25.6%至7917亿美元，预估2026年全球半导体市场销售额继续保持强劲增长，将同比增长26.3%，实现9750亿美元。 而近期，国产半导体产业链企业交出的一众表现出色的业绩报告，同样对本轮半导体板块的上涨提供了助力。 具体来看： AI芯片设计龙头 寒武纪 方面，其2025年业绩报告显示，公司2025年营收达64.97亿元，同比增长453.21%；归属于上市公司股东的净利润20.59亿元，上市以来首次实现年度盈利。提及公司营收增长的原因，寒武纪表示，主要受益于人工智能行业算力需求的持续攀升，公司凭借产品的优异竞争力持续拓展市场，积极推动人工智能应用场景落地，报告期内营业收入较上年同期大幅增长。 国产高端处理器与 AI 算力芯片的龙头企业 海光信息 此前也发布了2025年业绩报告，公司2025年共实现143.76亿元的营收，同比增长56.91%；净利润25.42亿元，同比增长31.66%。海光信息表示，报告期内，随着全球人工智能产业的发展，市场对公司产品需求不断提升，公司在高端芯片市场，为客户提供高性能、高可靠、低功耗的产品及优质的服务，不断扩展与整机厂商、生态伙伴在重点行业和重点领域的合作；同时，公司持续加大研发投入，通过技术创新迭代、产品性能提升等举措，持续保持了国内领先的市场地位，整体经营呈现良好发展态势。 此外，公司还同时发布了2026年一季度的业绩预告，预计其一季度实现归属于上市公司股东的净利润在1.14~2.14亿元，同比增长22.56%到 42.32%。提及公司业绩变化的原因，海光信息表示，公司持续加大研发投入力度，产品竞争力不断增强。国产高端芯片随着人工智能产业需求的提升市场需求持续攀升，公司通过持续加大研发投入、不断优化产品性能、提升产品迭代速度，推动公司高端处理器产品的市场版图扩展，实现了公司营业收入的显著增长，整体业绩的持续增长。 在封测设备与制造环节， 长川科技 的表现也十分亮眼。据2025年业绩预告显示，公司预计2025年净利润同比增长172.67%-205.39%，主要是因报告期内，受半导体行业需求持续复苏与客户需求旺盛的双重驱动，公司多产品线销售订单增加，销售收入同比大幅增长，使得利润同比大幅上升。 国内半导体行业的量检测设备龙头 中科飞测 此前发布业绩快报，公司2025年实现20.53亿元，同比增长48.75%；归属于上市公司股东的净利润在5771.24万元，相比2024年同期扭亏为盈。提及影响业绩的因素，中科飞测表示，公司 2025 年度实现营业总收入 205,329.82 万元，同比增长 48.75%，主要得益于公司在突破核心技术、持续产业化推进和迭代升级各系列产品的过程中取得的重要成果，公司在核心技术、客户资源、产品覆盖广度及深度等方面的全面竞争优势进一步增强，新系列产品及现有系列升级迭代产品收入贡献增长，推动公司订单规模及营收规模持续增长。公司净利润扭亏为盈主要系规模效应逐步凸显，公司研发投入稳步增长但占营业收入的比例同比有所下降，盈利水平提升。 晶圆厂龙头企业 中芯国际 2025年营收673.23亿元，净利润50.41亿元，同比增长36.3%，公司产能利用率达93.5%，产能利用率持续高企。 中芯国际表示，2025年，受美国关税政策、地缘政治及新兴市场复苏等多因素共同作用，智能手机市场稳中有增，个人电脑市场换机周期开启，销量增长；消费电子、智能穿戴等设备受端侧AI 驱动，市场持续稳健扩张。产业链在地化转换继续走强，更多的晶圆代工需求回流本土。 公司各项经营业绩稳中有进、质效向好。经营业绩稳步提升，继续位居全球纯晶圆代工第二位置。产能建设扎实推进，总体产能利用率业界领先。工艺研发和平台建设稳步拓展，产品竞争力和市场影响力显著增强。开放合作成效显著，与产业链供应链上下游合作伙伴密切交流，与高校、科研院所共同创新人才培养模式。管理赋能凝聚合力，扎实推进数字中芯建设，坚定开放合作，凝聚共识、形成合力。 设备龙头企业 中微公司 2025年全年共创下123.85亿元的营收，创下历史新高，同比增长36.62%；净利润21.11亿元，同比增长30.69%。其中刻蚀设备销售98.32亿元，同比增长35.12%；薄膜设备销售5.06亿元，同比暴增224.23%。中微公司表示，其针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。 作为全球内存接口芯片的龙头，以及AI互连芯片的核心厂商， 澜起科技 3月30日晚间发布2025年业绩公告称，2025年度，公司实现营业收入54.56亿元，较上年度增长49.9%；归属于上市公司股东的净利润22.36亿元，较上年度增长58.4%。对于公司业绩增长的原因，澜起科技表示，受益于AI 产业趋势，行业需求旺盛，公司的互连类芯片出货量显著增加，推动公司相关产品销售收入较上年度大幅增长。 而身为国内半导体存储芯片 + 通用 MCU双料龙头的 兆易创新 发布2025年业绩报告称，2025年实现营业收入92.03亿元，同比增长25.12%；净利润16.48亿元，同比增长49.47%。兆易创新表示，行业层面，存储行业周期向上，供需结构优化推动产品价量齐升。战略层面，公司积极拥抱 AI，发展定制化存储、较高算力 MCU 和 AI MCU 等新业务、新产品，围绕不同领域的客户需求，提供与之相适应的解决方案。公司始终坚持以市场占有率为核心的发展目标，持续深化多元化产品布局，多领域需求增长与公司丰富的产品矩阵形成高效协同，为全年业绩稳步攀升提供坚实支撑。 机构评论 华泰证券指出，SEMI预计全球半导体销售额2026年将增长23%至9750亿美元，提早四年接近万亿美元里程碑。存储量价齐升是半导体行业超预期增长的主要动力之一。TrendForce预测2026年一季度DRAM合同价格环比上涨90%～95%。据Digitimes，2026年二季度DRAM价格可能进一步上涨70%，IDC认为短缺或持续至2027年。除非消费电子需求出现显著下滑，否则存储涨价和供不应求情况有望持续全年。 爱建证券指出，本轮半导体产业升级核心，不仅是终端需求扩张，而是AI正在重塑产业链的价值承载环节与供给约束位置。随着算力需求由训练向推理迁移，产业景气的核心拉动已从单一先进逻辑扩产，逐步转向以HBM、先进封装和高性能互连为代表的系统级能力升级；对应到设备端，行业竞争也正由单点设备的国产替代，进一步演进为围绕关键工艺、复杂良率与平台化能力的深层突破。