SK海力士正主动踩下HBM4扩产油门，将战略重心转向利润率更高的普通DRAM市场，而竞争对手三星则在HBM4赛道上加速狂奔。 据韩国媒体最新报道， SK海力士正放缓HBM4产能爬坡节奏，并削减部分原定从HBM3E升级至HBM4的产线转换计划。 该公司认为，在HBM市场已占据强势地位的情况下，没有必要激进押注下一代产品扩产。 与此同时， 三星电子HBM4营收据报已突破10亿美元，成为业内首个在量产后四个月内达到这一里程碑的公司，两家巨头在HBM4策略上的分歧日益凸显。 SK海力士股价周二大跌7.5%，三星同日亦录得显著跌幅。 SK海力士：利润优先，主动降速HBM4 SK海力士放缓HBM4扩产的核心逻辑，在于对利润率的主动管理。据朝鲜Biz报道，HBM业务目前已占该公司总营收逾40%，在现有市场地位稳固的前提下，继续大规模投入HBM4扩产的边际收益有限。 相比之下，普通DRAM市场的盈利前景正变得愈发吸引人。分析师预计，DRAM运营利润率有望在年内接近90%的理论峰值。SK海力士第一季度DRAM平均售价已环比上涨约60%，公司表示将重点聚焦高密度服务器模组及移动端需求。此外，该公司与微软签订的三年期DDR5供应协议，也被市场普遍视为强化了其在普通DRAM领域的长期盈利能见度。 在产能规划层面，据TrendForce，SK海力士HBM4大规模量产时间节点已推迟，有效放量预计将延至2026年第三季度。受此影响，其全年HBM4出货量预测从4500亿Gb下调至4000亿Gb。 三星：HBM4营收破10亿美元，加速追赶 与SK海力士的审慎姿态形成鲜明对比，三星正在HBM4赛道上全力提速。据韩联社及ZDNet报道，三星HBM4营收已超过10亿美元，按6月底预测，这一数字有望进一步突破12亿美元。 TrendForce指出，三星在HBM4上的技术优势来自于底层芯片采用4nm FinFET制程节点，其认证时间线领先于竞争对手。受益于此，三星全年HBM4出货量预测已从3500亿Gb小幅上调至4000亿Gb。 三星此番在HBM4上的强势表现，也被视为对SK海力士高带宽内存市场主导地位的直接挑战——后者正是凭借HBM领域的领先优势，推动股价年内累计涨幅一度超过340%。 多重利空叠加，股价承压 SK海力士股价周二下跌7.5%，从前一交易日创下的历史高点₩2,945,000大幅回落。此前，该公司市值已短暂超越三星电子，成为韩国市值最大的上市公司。 此次回调是多重因素共振的结果。 首先，历史高点附近的获利了结压力本身已较为充分；其次，HBM4放缓扩产的报道引发市场对其竞争地位的担忧；此外，韩国Hana Securities分析师此前曾发布报告警告，SK海力士市值超越三星的时刻，可能是KOSPI牛市见顶的信号，并将其类比于2000年互联网泡沫高峰期思科短暂登顶标普500的历史。尽管多数分析师认为这一类比并不贴切，但相关讨论仍对市场情绪形成压制。 宏观环境同样提供了负面背景：纳斯达克指数隔夜下跌1.3%，拖累全球芯片板块情绪；KOSPI当日跌幅一度超过5%，触发短暂熔断；与此同时，有报道称韩国将不会被纳入MSCI发达市场指数的即将进行的评审，进一步打压了市场信心。

英伟达挑战者Cerebras发布上市以来首份季度财报，第一季度营收近乎翻倍且超预期，全年营收指引亦超出华尔街平均预测，但公司表示毛利率将显著收窄、全年核心经营利润率将持续为负，令股价在盘后交易中大幅承压。 公司一季度核心营收（非GAAP口径）同比增长94%至1.934亿美元，超出分析师平均预期的1.812亿美元；全年核心营收指引区间为8.55亿至8.65亿美元，以中值计同比增长69%，高于分析师平均预期的8.248亿美元。 然而，公司预计二季度核心毛利率将从一季度的46.5%大幅收窄至36%-38%，全年核心经营利润率区间为负28%至负32%。 财报发布后，Cerebras股价在盘后交易中下跌9.7%至204.7美元。此前收盘价为226.72美元，较5月IPO发行价185美元上涨约23%，但已较上市首日收盘价311.07美元累计回落逾27%。 Cerebras今年5月在纳斯达克挂牌，融资约55亿至56亿美元，在AI基础设施领域开辟出差异化定位。本次财报发布正值科技股遭遇更广泛抛售，市场对AI成本持续攀升及美联储潜在加息的担忧情绪升温之际。 营收翻倍，亏损收窄，指引超预期 一季度整体财务表现优于市场预期。Cerebras报告季度净亏损1400万美元，合每股亏损0.22美元，好于分析师预期的每股亏损0.25美元，较上年同期净亏损2390万美元（每股亏损0.46美元）明显收窄。营收同比增长94%至1.934亿美元，超出分析师平均预期。 分业务来看，硬件营收增长59%至1.106亿美元，云服务及其他服务营收近乎三倍至8280万美元。 首席财务官Bob Komin表示，一季度业绩"凸显了公司面前规模庞大、快速增长的市场机遇"，并称公司专注于"以需求为步调持续创新，支持增长投资加速，同时有效管理资本结构。" 二季度方面，公司预计核心营收增速约88%，规模约1.94亿美元，高于分析师此前预期的1.777亿美元。 毛利率前景骤降，全年亏损路径明确 营收高增长背后，盈利能力改善的前景仍不明朗。 Cerebras预计二季度核心毛利率将从一季度的46.5%大幅收窄至36%-38%，降幅超过10个百分点；全年核心经营利润率预计维持在负28%至负32%区间，凸显出AI基础设施建设的高昂成本对利润空间的持续侵蚀。 这一前景令投资者感到失望。在英伟达及少数同类企业持续超越华尔街预测、为市场设定极高业绩基准的背景下，仅凭营收超预期已难以支撑股价走高——投资者期待看到更清晰的盈利改善路径。 Cerebras正面临如何将高速增长转化为可持续利润这一根本考验。 大客户协议落地，但数据中心空间成扩张瓶颈 商业落地方面，Cerebras一季度宣布其芯片将进入亚马逊云服务(Amazon Web Services)数据中心，并披露了一项与OpenAI规模逾200亿美元的算力供应协议，显示出公司在大客户层面的布局持续推进。 然而，首席执行官Andrew Feldman指出，当前制约公司扩张的最大因素并非技术，而是数据中心物理空间的稀缺。他在财报发布前接受采访时表示： "一个绝妙的讽刺是，在我们和英伟达发明了这一切技术之后，建筑物才是限制因素。" 在技术竞争优势层面，据Mizuho于6月8日发布的客户报告，与谷歌最新张量处理单元及英伟达今年3月发布的Groq 3 LPU芯片相比，Cerebras芯片封装了多出数倍的SRAM内存，为其运行大型AI模型时提供了性能优势。 高期望与高波动并存，估值逻辑待检验 Cerebras的股价走势折射出市场对AI时代芯片股的高度敏感。 5月挂牌首日，股价从185美元发行价跳空至350美元开盘，当日收报311.07美元高位。此后股价持续回调，至本次财报发布前较上市首日高点已累计下跌逾27%。 与其他潜在英伟达竞争者相同，Cerebras须在习惯了高速营收增长和强劲盈利能力的投资者面前证明自身价值。 如何在持续烧钱扩张的同时展示出可见的盈利改善轨迹，将是决定其市场估值走向的核心命题。

韩国一篇行业报道在全球市场引发连锁反应，将高带宽存储芯片供应前景的隐忧推至台前。 据韩国媒体23日报道， SK海力士正在放缓第六代高带宽存储芯片（HBM4）的量产扩张节奏，并将资源重新倾斜至通用型DRAM市场。 这一消息成为触发存储股大幅回调的导火索。彭博社与CNBC均援引消息称，"交易员将矛头指向一篇韩国媒体报道——SK海力士正在放缓AI存储芯片扩产，并将重心转回通用型DRAM"。 由于存储股约占韩国综合指数（KOSPI）权重的60%，韩国股市随即暴跌逾10%，并触发熔断机制，恐慌情绪随后向全球市场蔓延。 报道援引一名熟悉SK海力士内部情况的人士表示，鉴于 英伟达下一代芯片"Rubin"的生产预测持续下调 ，该公司管理层已无必要加速推进向HBM4的产线转换。此番表态令市场对高端AI基础设施的需求前景产生质疑，并对英伟达等相关产业链构成压力。 周二美光收跌13%，西部数据收跌8.5%。 通用DRAM利润率反超HBM，促使SK海力士重新配置资源 韩国媒体报道的核心逻辑在于存储市场内部的盈利结构变化。 截至今年一季度，通用型DRAM与HBM之间的营业利润率差距已扩大至逾15个百分点，通用DRAM反而占据优势。大信证券预计，通用DRAM的营业利润率在年内理论峰值可达90%。 在此背景下，SK海力士据报正延迟将部分第五代HBM（HBM3E）产线转换为HBM4的计划，转而加大对通用DRAM市场的供应响应能力。SK海力士管理层不得不正视竞争对手三星电子已通过通用DRAM获取丰厚利润这一现实。 SK海力士在一季度财报中亦披露，DRAM平均售价已升至60%中段水平，并与微软签署了一份为期三年的DDR5供应合同，外界普遍将此解读为公司在通用DRAM领域锁定长期收益能见度的举措。 华尔街看多DRAM周期，HBM市场份额存分歧 多家海外投行的研判与上述战略取向相互印证。 高盛认为，SK海力士至少在2026年前维持HBM3及HBM3E合计逾50%的市场主导地位即已足够； 摩根士丹利则将整体存储价格周期而非HBM份额保卫战视为SK海力士估值的核心驱动因素，并基于DRAM均价至2026年将上涨62%的预测，将盈利预测上调56%至63%。 然而，HBM4扩产放缓也为竞争对手打开了窗口。 据Counterpoint Research数据，SK海力士去年四季度HBM市场份额为57%，但若三星电子在今年下半年成功实现HBM4量产，SK海力士的份额或逐步收窄至50%至60%区间。 高端AI供应链压力浮现，英伟达Rubin系统备受关注 此次报道引发市场波动，折射出投资者对高端AI基础设施建设节奏的深层担忧。 SK海力士知情人士在报道中明确提及，英伟达下一代"Rubin"芯片的生产预测正在下调，这一表述直接冲击了市场对HBM4需求强劲的预期。 从更宏观视角来看，这一动向也与高端英伟达系统的推进困境相呼应。搭载HBM4的Vera Rubin机架因存储价格大幅攀升推高整体成本，令超大规模数据中心运营商的利润空间承压。 SK海力士此次放缓HBM4扩张，究竟是主动管理定价节奏的战略选择，还是终端需求走软的信号，目前市场尚存分歧，但其触发的全球风险规避情绪已然真实落地。

SMM 6月23日讯：今日早间，半导体板块盘中快速拉涨，指数盘中一度涨逾2%，最高触及3391.46，刷新其指数上市以来的历史新高。不过随后半导体指数涨幅收窄，维持在1%左右。个股方面，国民技术盘中20CM涨停，台基股份、康希通信、微导纳米等多股涨逾10%，上海贝岭盘中封死涨停板！ 消息面上， 根据TrendForce数据，近期受成熟制程DRAM供给偏紧影响，市场对DDR2、DDR3等旧世代Consumer DRAM颗粒采购需求增加，带动合约价持续上涨。预估DDR2第二季合约价涨幅将达55-60%，第三季料再涨35-40%。 且据智通财经方面消息， 据Yole，全球功率半导体市场规模有望增至2030年433亿美元，其中AI数据中心相关规模有望达106亿美元、占比近1/4，SiC、GaN在数据中心规模CAGR分别达29.5%/46.3%。 此外，英飞凌预计2027财年AI数据中心收入将超过25亿欧元，3年翻10倍；意法半导体预计2027年AI数据中心收入将达到20亿美金。由此可见， AI数据中心正在成为半导体行业的新一轮增长核心驱动力。 中信建投证券近期也发布研报称，半导体设备全球景气周期持续确认，看好半导体产业趋势，关注零部件涨价情况。SEMI上修全年预期、海力士2034年产能翻三倍，全球半导体景气周期持续确立。全球半导体设备零部件正经历一轮历史罕见的全链条涨价潮。半导体产业链的定价权正从芯片终端向设备与零部件环节结构性上移。零部件企业规模较小、固定成本占比高，涨价直接转化为利润；同时产线扩产周期长达12—18个月，供给弹性最差。重视阀门管路、陶瓷件、射频电源、GAS BOX等海外供应商交期延长带来的国产替代诉求与涨价逻辑。 且目前，存储产品的需求仍在上涨，有望推动存储产品价格持续上行。 据行业追踪机构Counterpoint Research公布的数据，2026年全球存储芯片市场规模预计将达到1500万亿韩元，比去年的360万亿韩元增长约3.2倍。 本次市场规模大幅增长，核心驱动为服务器端存储产品需求上涨，品类包含服务器DRAM动态随机存取存储器、企业级NAND闪存。新建存储晶圆厂周期为18-24个月，短期无法补足市场增量，叠加全球算力集中采购、原厂产能倾斜等因素，全球服务器存储供需趋于紧张，存储产品价格持续上行。 且值得一提的是，在AI 芯片需求持续爆发的背景下，近期公布的韩国出口数据再度刷新市场预期。6月22日，韩国海关发布数据显示，6月前20天出口同比增长49.7%（工作日调整后），延续了5月同期52.6%增幅的强劲势头。 其中半导体出口同比暴涨188.4%，电脑相关产品出口更是飙升293.3%。全球科技巨头正在疯狂砸钱建AI数据中心，而韩国是全球最重要的存储芯片供应地，这波AI军备竞赛直接喂饱了韩国的出口账单。韩国出口已连续12个月实现同比正增长，半导体在几乎每个统计周期内都是最主要的拉动项。 而目前，国内企业也在持续加大对半导体板块的投入，企查查APP显示，近日，平头哥（上海）半导体技术有限公司发生工商变更，注册资本由3亿元增加至10亿元，增幅约为233.33%。企查查显示，该公司成立于2018年11月，法定代表人为包文俊，现由平头哥（上海）电子技术有限公司全资持股。官网显示，平头哥半导体为阿里巴巴集团全资半导体芯片业务主体，具备成熟的芯片研发体系及芯片端到端全链路研发能力。 中信证券此前发布研报称，受益于下游大客户积极的资本开支指引以及扩产计划，半导体设备需求有望维持强劲。我们预计2026年/2027年全球晶圆制造设备（WFE）市场规模将分别同比增长26%/35%至1,478/1,995亿美元，其中下游存储占比进一步提升。考虑到设备产能逐步释放以及新产品迭代，半导体设备厂商议价权或有所提升。结合下游市场需求、竞争格局、设备支出强度、公司业绩以及估值情况，建议关注相关标的。

华尔街技术分析师正对半导体板块发出罕见警示。BTIG首席技术策略师Jonathan Krinsky指出，半导体相对纳斯达克的强势程度已触及极端水平，历史上类似走势仅出现在重大市场顶部或熊市深处，当前科技与AI交易面临显著的回调风险。 Krinsky在最新报告中指出，费城半导体指数与纳斯达克100指数之比值（SOX/NDX）过去12周累计上涨46%，正逼近2000至2001年科技泡沫破裂前后所见的极端水平。与此同时，SOX在过去60个交易日内录得多达9个单日涨幅超5%的交易日，这一异常高频的大涨现象，历史上仅在重大市场顶部或熊市最低谷时期出现过。 上述信号令市场对AI及科技板块的持续性产生疑虑。Krinsky表示，尽管科技与AI相关交易目前看似对任何持续性回调免疫，但其团队仍持续看到该板块存在急剧反转风险。 半导体极端强势触发历史警示 SOX/NDX比值12周内飙升46%，是此轮警示的核心依据。Krinsky将这一水平与2000至2001年互联网泡沫时期相提并论——彼时半导体板块在顶部前同样出现了相对大盘的极端超额表现，随后市场经历了深度调整。 单日大涨频率同样异常。过去60个交易日内出现9次单日涨幅超5%的情形，在历史数据中极为罕见，且每次出现均与重大顶部或熊市底部相关联。这种高波动、高频率的单边上涨，往往预示着市场内部结构的不稳定性正在积累。 AI复合体内部出现裂痕 在更广泛的AI投资组合内部，Krinsky指出光学相关标的已开始显现疲态。鉴于这些公司对AI基础设施建设具有直接敞口，其走势值得投资者密切关注，或预示AI资本支出主题的边际变化。 小盘股与海外市场的结构性信号 与半导体的极端强势形成对比，Krinsky及其团队更倾向于小盘股当前缓慢而稳健的上升态势。IWM近期悄然跑赢标普500，小盘股相对突破的迹象正在形成，被视为更具可持续性的市场轮动方向。 海外市场同样出现值得警惕的信号。韩国KOSPI指数上周四上涨2.2%，但与此同时，85%的成分股收盘下跌。这一严重背离揭示出指数层面的高度集中风险——少数权重股拉动指数上行，而市场广度实际上已在恶化，这与半导体板块内部的结构性隐忧形成呼应。

6月22日，据彭博，存储芯片巨头美光科技与AI独角兽Anthropic宣布达成一项覆盖技术研发、供应链合作、企业应用及资本投资的战略合作协议，双方希望通过更深层次的协同，推动下一代AI基础设施在性能、能效及成本结构上的优化。 根据协议，美光将为Anthropic提供覆盖高带宽内存（HBM）、DRAM及数据中心SSD在内的全系列存储产品支持，双方还将联合开展AI系统架构设计与优化工作。 与此同时，美光已在内部部署Anthropic旗下Claude大模型，用于软件开发、自动化流程以及智能体（Agentic AI）应用探索。此外， 美光还参与了Anthropic最新一轮融资，使双方合作进一步延伸至资本层面。 从存储器件到系统架构协同 技术合作是此次协议的核心内容之一。 双方将围绕HBM、DRAM及SSD等关键存储产品展开联合研发，分析不同AI训练和推理场景下的存储需求，并优化存储系统与计算平台之间的协同效率。 美光表示，此次合作并非单纯的产品适配，而是将存储技术提前纳入AI系统架构设计阶段。通过更深入地参与模型训练和推理基础设施规划，双方希望缓解数据传输瓶颈，提升系统能效，并降低单位Token生成成本。 随着大模型规模持续扩张，存储系统已成为影响AI集群性能的重要环节。HBM等高性能存储产品的重要性也正不断提升。 Anthropic锁定关键存储供应 商业合作层面， 双方签署了覆盖美光数据中心全系列存储产品的长期供应协议。 对于Anthropic而言，这意味着在模型规模和算力需求快速增长的背景下，能够提前锁定关键存储资源供应，降低供应链波动带来的不确定性，并为未来基础设施扩张提供保障。 近年来，随着全球AI数据中心建设提速，HBM、高性能DRAM及企业级SSD需求持续攀升，存储器已成为AI基础设施产业链中最受关注的环节之一。 Claude进入美光内部运营体系 除了基础设施合作， Anthropic的大模型产品也开始深入美光内部业务体系。 目前，Claude已被应用于软件代码开发、工程流程优化以及制造运营自动化等场景。美光表示， 该模型已经在复杂工程任务和代码生成领域带来效率提升，公司正进一步探索智能体技术在企业运营中的应用潜力。 这也意味着双方合作不仅停留在基础设施层面，而是同步向企业AI应用落地延伸。 AI产业链进入深度绑定阶段 值得关注的是，美光同时参与了Anthropic最新H轮融资。 在AI竞争持续升温背景下，越来越多基础设施供应商开始通过股权投资强化与头部模型公司的合作关系。此次合作形成了“技术协同+长期供货+资本投资”的三重绑定模式，不仅增强了双方合作稳定性，也反映出AI产业链正向更深层次的生态协同演进。 对于美光而言，这有助于进一步巩固其在AI存储市场中的地位；而对于Anthropic而言，则能够获得更加稳定的关键硬件资源支持，为下一阶段模型扩张和商业化发展提供保障。

三星电子第六代高带宽内存HBM4的商业化进程正以惊人速度推进。 据韩联社周二报道，三星HBM4自今年2月全球首发量产出货以来， 仅约4个月便实现销售额突破10亿美元 ，成为AI存储芯片市场迄今最快的商业化里程碑之一。 据业界消息，近期HBM4需求急剧攀升是推动这一成绩的核心驱动力。若以6月底为统计节点，三星HBM4的累计销售额预计将进一步突破12亿美元（约合1.85万亿韩元）。与此同时，三星在HBM整体市场的份额也正随着HBM4供应量的快速放量而显著扩大。 这一进展对市场的意义不仅在于营收数字本身。三星此前已明确表示，其现有HBM4产能已被客户完全预订售罄， 下半年将实现供应量的实质性扩张，并预计从第三季度起HBM4销售额将超过其HBM产品总销售额的一半。 这意味着三星在AI存储领域的竞争地位正在加速重塑。 全球首发量产，4个月创下10亿美元纪录 三星电子于今年2月12日在韩国忠南天安园区率先启动HBM4量产出货，较原定计划提前约一周，成为全球首家实现HBM4商业化出货的企业。HBM4是目前已进入量产阶段的最新一代高带宽内存技术标准，也是英伟达（NVDA）Vera Rubin平台及AMD MI450的标配组件。 据韩联社援引业界消息，三星HBM4在量产出货约4个月后，销售额已突破10亿美元（约合1.54万亿韩元）。若以6月底为统计截止点，这一数字预计将超过12亿美元。 这一速度折射出AI基础设施建设对高端存储芯片需求的强劲拉动。三星管理层此前在一季度业绩电话会议上表示，公司当前的需求满足率处于历史最低水平，可用供应量远无法满足客户需求。 产能售罄，下半年供应将大幅扩张 供需紧张局面正推动三星加速扩产。据TradingKey报道，三星管理层在一季度业绩会上明确表示，目前已准备好的HBM4产能已被完全预订并售罄，下半年将实现供应量的实质性增长。 三星预计，从今年第三季度起，HBM4的销售额将超过其HBM产品总销售额的50%以上，产品结构将加速向新一代产品切换。 与此同时，比HBM4更先进的HBM4e产品，三星已从第二季度开始向客户提供样品，为下一轮技术迭代做好准备。 在供应协议层面，三星表示正积极推进多年期供应合约，与过去的短期合同相比，新协议将具有更高约束力，以应对超大规模云厂商（Hyperscalers）对中长期供应保障的迫切需求。 利润倒挂之下，三星坚守HBM战略 尽管HBM4商业化势头强劲，三星管理层也坦承当前存在一个罕见的"利润倒挂"现象——传统DRAM的利润率目前高于HBM产品。 三星解释称，这一现象源于两类产品定价机制的差异： HBM产品按年度预先锁定价格，而传统DRAM则按季度谈判定价。在传统DRAM价格逐季大幅上涨的背景下，两者之间出现了利润率的阶段性倒置。 然而，三星管理层明确表示不会为追求短期利益而大幅转向传统DRAM，理由是此举"可能对AI基础设施本身的建设构成制约"。管理层预测，随着推理服务和AI代理的普及，到2027年两类产品的利润率差距将显著收窄。 2027年存储供需缺口将进一步扩大 从更长周期来看，三星对存储市场的前景持高度乐观态度。据TradingKey报道，三星管理层表示， 仅从当前预订需求来看，2027年的供需缺口将比今年进一步扩大。 三星一季度财报数据印证了这一判断：季度营收达到创纪录的133.9万亿韩元，营业利润同比暴增756%至57.23万亿韩元，为公司史上最强劲的单季业绩表现。 除HBM外，三星的其他产品线也在布局AI基础设施需求的溢出效应。三星指出，数据中心需求正从HBM向NAND延伸——大型语言模型对存储容量的需求持续增长，而相对低成本的NAND正因此受益。三星表示已做好准备，计划在下半年抢占高性能PCIe Gen 6 SSD早期市场的领先地位。

台积电新一代面板级先进封装技术CoPoS的供应链版图正式浮出水面。 据Digitimes周一报道，据供应链消息人士透露，首批Demo设备已进驻台积旗下子公司采鈺龙潭厂， 近30家来自日本、美国、德国及台湾的设备商入列首波评估名单，涵盖从曝光、镀铜、研磨到检测的完整制程环节。 台积电CoPoS技术将传统圆形晶圆改以更大尺寸矩形玻璃面板作为封装载体，旨在应对AI GPU与高效能运算（HPC）芯片未来数年持续扩大的封装需求。台积电董事长魏哲家于2026年4月法说会上首度主动提及该技术，台湾智慧财产局近期亦公告台积已申请"TSMC-COPOS"商标。 供应链人士指出，CoPoS量产时程最快可望于2029年实现，较市场此前流传的2030年全面放量预期有所提前。不过，目前多数设备商仍处于Demo阶段，从开始验证到取得正式采购资格通常需要约一年半时间，竞争激烈，即便Demo机通过也不保证最终获得量产订单。 首批设备名单横跨六大制程环节 据Digitimes披露的设备清单，首波CoPoS供应链涵盖曝光与涂布、金属化与镀铜、研磨与激光加工、湿制程与热处理、模封与回焊，以及量测与检测六大领域。 曝光与涂布方面 ，台积电此次导入阵容完整，包括日本Canon的FPA-5525iV LF2曝光设备、德国SUSS MicroTec的DSC310s Gen4曝光机与ACS310 Gen2涂布/显影平台、日本Tokyo Electron（TEL）的LITHIUS Pro SQ3、SCREEN的LM-3000，以及台湾Scientech的面板级解离层涂布设备； 金属化与镀铜方面， 由于CoPoS需要更大尺寸的重布线层（RDL）与更精细的线路制程，设备规格同步升级。美国Applied Materials、KLA及台湾Leading Precision均进入名单；Lam Research则以SABRE 3D FP承接镀铜设备，并以Quaros FP负责UBM蚀刻，据报道Lam Research已挤下其他美系大厂取得试产线Demo机台订单； 研磨与激光加工领域， 日本DISCO几乎全面拿下相关订单；Nitto Denko提供Frame Mount及UV Erasing设备，LINTEC负责Lamination与De-taping制程；Kulicke & Soffa的APTURA WP与ASMPT的Firebird XQ分别切入无助焊剂晶粒贴合设备；日本Shibaura提供TFC-6600-WB与TFC-6500-WB系统；台湾All Ring切入填胶设备； 湿制程与热处理方面， 台湾Grand Process Technology（GPTC）与Scientech为重要受惠厂商；AblePrint的BPO-60A、Kokusai Electric的450A及450A-HT，以及Csun Mfg.的HOMOL-AP31、HP-AP31与CSL-A300PL等设备切入烘烤与热处理制程。模封设备由日本TOWA与APIC YAMADA入列，回焊设备则由SEMIgear及Heller负责； 玻璃基板带动检测需求，台厂抢占关键位置 随着CoPoS导入玻璃基板，量测与检测环节的重要性大幅提升，也为台湾设备厂商提供了重新卡位的契机。 台湾V5 Tech（倍利科）成为首波供应链焦点之一，旗下V5P310 Pro Glass玻璃AXI检测设备与V5300 Macro AOI系统同步入列；Favite（晶彩科技）负责Overlay量测；Weike Semi（威克半导体）切入3D轮廓与尺寸量测；Mirle Automation（大量）则与日本KOBELCO合作，切入Bevel Inspection与Bonding Shift量测设备。此外，Chroma ATE（致茂）、Gudeng Precision（家登）、Gallant Micro（均华）、Ta Liang（大量）、YaYa Tech（亚亚）、Nivek（佳宸）及Semtek Corp.（禾鏵）等台厂亦入列名单。 业界人士指出，CoPoS并非单纯将CoWoS制程放大，而是以方形面板为核心重新建构的新型封装产线，涵盖玻璃基板、面板级重布线、大尺寸曝光、高精度贴片、超低翘曲控制及全新量测机制，与现有CoWoS产线存在显著差异。这一技术门槛反而为过去未能切入CoWoS供应链的设备厂商提供了重新竞逐的机会。 供应链人士强调，CoPoS设备多属特殊规格，单价通常高于既有设备平台，但因目前仍处于认证阶段，实际价格须视客户最终需求而定。Demo设备通常免费提供客户验证使用，从设备交机到完成Demo验证约需3个月，后续量产认证周期更长，整体竞争态势仍高度不确定。

韩国芯片行业格局出现历史性转变。SK海力士股价周一大幅上涨，市值超越三星电子，成为韩国市值最高的上市公司，打破了三星长期占据榜首的格局。 周一（6月22日），SK海力士股价上涨5.61%，市值达到2080.38万亿韩元（约合1.35万亿美元），而三星电子同期涨幅下跌0.14%，市值报2066.66万亿韩元，两者差距极为微小。 这一市值逆转，折射出投资者对两家公司在人工智能芯片浪潮中前景判断的分化——SK海力士凭借高带宽内存（HBM）产品的强劲需求获得市场青睐，而三星则面临更大的竞争压力。 历史性时刻：三星"市值一哥"地位受到挑战 AI数据中心对高端存储芯片的强劲需求是此轮行情的核心驱动力。内存芯片价格在今年一季度环比翻倍，当前季度预计还将进一步上涨最高63%，供应紧张局面持续利好全球头部存储芯片制造商。 近年来，随着人工智能基础设施建设提速，对高性能存储芯片的需求持续攀升， SK海力士在HBM领域的布局使其受到资本市场的高度关注，股价表现持续强于三星电子，市值差距由此逐步收窄，并最终在周一实现历史性超越。 三星电子长期以来稳居韩国市值最高公司的位置，是韩国股市的绝对核心权重股。 SK海力士市值超越三星，标志着这一长期格局首次遭到实质性挑战，在韩国资本市场具有重要的象征意义。 SK海力士与三星电子同为全球领先的存储芯片制造商，两者在动态随机存取存储器（DRAM）及NAND闪存领域长期竞争。

以卫浴陶瓷起家的日本TOTO，正凭借AI芯片浪潮完成一场静悄悄的身份转换。 TOTO计划在未来五年内投入800亿日元（约合4.95亿美元），扩大半导体材料业务规模，目标是为1纳米制程级别的下一代芯片制造提供关键支撑。 这一投资规模远超其主营的卫浴设备业务，彰显出该公司战略重心的根本性转移。 AI芯片需求的爆发已将TOTO的半导体相关业务推上主要利润引擎的位置。截至今年3月的财年，其新领域业务板块（含半导体材料）销售额同比增长34%至674亿日元，营业利润增长42%至289亿日元，贡献的利润已超过公司总利润的一半，远高于其标志性的卫浴陶瓷业务。 此番扩产，意味着TOTO正将自身深度嵌入全球先进芯片供应链的核心环节，并与台积电等顶尖晶圆厂的技术路线图直接挂钩。 瞄准1纳米，超越当前制程数代 TOTO位于神奈川县的研发设施， 正集中资源攻关1纳米级逻辑半导体的生产支持技术。 这一目标在技术层级上领先当前量产水平数代。 作为对比，全球最大晶圆代工企业台积电目前的量产领先制程为2纳米。逻辑半导体的基本规律是，电路线宽越窄，芯片性能越强。TOTO此次押注1纳米，意在提前布局下一代制程所需的材料基础设施。 产能扩张的重心落在日本西南部的九州岛。TOTO将在大分县和福冈县两处工厂安装最新设备以提升产能，两处工厂目前均已满负荷运转。福冈县厂区新建的烧成车间预计明年1月竣工。 在资金安排上，TOTO计划在截至2030年3月的财年内完成800亿日元的总投资，其中390亿日元已确定落实，其余部分将视市场需求情况推进。若投产后仍无法满足市场需求，TOTO将进一步考虑新建工厂。 陶瓷烧成技术，从马桶到晶圆吸盘的跨界逻辑 TOTO进军半导体材料并非偶然。 早在1980年代，该公司便将研发卫生陶瓷积累的烧成技术延伸至半导体领域。其核心产品静电卡盘（用于在芯片制造过程中固定晶圆），以高纯度陶瓷工艺实现高耐久性，是其技术护城河所在。 此外，TOTO还在气溶胶沉积法领域具备差异化优势——该工艺通过直接喷涂微细陶瓷颗粒形成涂层，可应用于多类半导体制造环节。 不过，这项业务并非一帆风顺。多年来持续亏损后，大约在2020年前后，随着AI半导体需求急剧攀升，业务才实现根本性转机，最终超越主营卫浴业务成为公司第一利润来源。尽管新领域业务板块的销售额仅占TOTO总营收约10%，但其盈利能力已将传统卫浴设备业务远远甩在身后。