SMM 1月5日讯：2026年首个交易日，A股高开高走，沪指时隔34个交易日收复4000点。芯片、半导体板块也迎来“开门红”，半导体指数盘中最高一度涨逾4%。个股方面，普冉股份、东微半导、恒烁股份一同20CM涨停，复旦微电、中微公司、江波龙等一同涨逾10%。 消息面上， 全球半导体市场规模持续攀升，SEMI预测，2025年全球半导体制造设备市场规模达1330亿美元，同比增长13.7%；2026年将进一步增长至1450亿美元，核心驱动力来自人工智能相关投资，涵盖先进逻辑、存储及先进封装技术。AI驱动下，2025年全球半导体市场已创历史新高，预计2026年将继续增长9%至7607亿美元。 此外，在2025年年底，半导体行业三大龙头资产重组迎来关键进展。具体如下： 【华虹公司：拟购买华力微 97.5% 股权 交易价格 82.68 亿元】 华虹公司 在12月31日发布公告称，公司 拟 通过发行股份的方式向上海华虹（集团）有限公司、上海集成电路产业投资基金股份有限公司、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司、上海国投先导集成电路私募投资基金合伙企业（有限合伙）等4名上海华力微电子有限公司（简称“华力微”）股东 购买其持有的华力微 97.4988% 股权，交易价格（不含募集配套资金金额） 82.68 亿元。 并向不超过35名符合条件的特定对象发行股份募集配套资金，本次发行股份购买资产的发行价格为43.34元人民币/股。 本次发行股份购买资产的发行股份的数量为1.91亿股，募集配套资金金额75.56亿元。标的公司主要为客户提供12英寸集成电路晶圆代工服务，为通信、消费电子等终端应用领域提供完整技术解决方案。 标的公司与上市公司均拥有 65/55nm 、 40nm 制程代工工艺，通过本次交易，上市公司将进一步提升公司 12 英寸晶圆代工产能， 双方的优势工艺平台可实现深度互补，共同构建覆盖更广泛应用场景、更齐全技术规格的晶圆代工及配套服务，能够为客户提供更多样的技术解决方案，丰富产品体系。 截至1月5日日间收盘，华虹公司以7.99%的涨幅报116.49元/股。 【中微公司：拟购买杭州众硅 64.69% 股权 股票今日复牌】 12月31日，中微公司发布公告称，公司拟发行股份及支付现金的方式购买杭州众芯硅、宁容海川、临安众芯硅、临安众硅、杭州芯匠、杭州众诚芯等41名交易对方合计持有的杭州众硅64.69%股权。同时，上市公司拟向不超过35名特定投资者发行股份募集配套资金。 标的公司主营业务为化学机械平坦化抛光（CMP）设备的研发、生产及销售，属于湿法工艺核心设备，并为客户提供CMP设备的整体解决方案，是国内少数掌握12英寸高端CMP设备核心技术并实现量产的企业。 通过本次交易，上市公司将成为具备“刻蚀 + 薄膜沉积 + 量检测 + 湿法”四大前道核心工艺能力的厂商，成功实现从“干法”向“干法 + 湿法”整体解决方案的关键跨越。 公司股票于2026年1月5日开市起复牌。在复盘之后，中微公司单日大涨14.16%，收盘股价报311.33元/股。 【中芯国际：拟购买中芯北方49%股权 交易价格406亿元】 12月29日晚间，中芯国际发布公告称，公司拟向国家集成电路基金等5名中芯北方股东发行股份购买其所持有的标的公司49.00%股权，交易价格406.01亿元。交易完成后，中芯国际将持有中芯北方100.00%的股权，中芯北方将成为上市公司的全资子公司。 此外，1月2日，据《中国基金报》消息，香港交易所信息显示，国家集成电路产业投资基金股份有限公司在中芯国际H股的持股比例于12月29日从4.79%升至9.25%。 2025年12月29日，中芯国际公告称，中芯国际通过中芯控股与国家集成电路基金等订立新合资合同及新增资扩股协议，将引入大基金三期、先导集成电路基金等作为中芯南方新的投资方。根据公告，中芯南方的增资金额为77.78亿美元（约合人民币543亿元），其中35.773亿美元计入注册资本，42.007亿美元计入资本公积。国家集成电路基金三期增资金额为18.32亿美元。 截至1月5日收盘，中芯国际以5.8%的涨幅报129.95元/股。 【国内存储巨头冲刺科创板IPO 设备国产化率有望逐步提升】 此外，2025年12月30日，国产存储巨头长鑫科技科创板IPO申请获受理。公司计划募资295亿元，以满足公司在DRAM行业进一步提升核心竞争力的需要。招股书显示，长鑫科技成立于2016年，是中国规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业。未来长鑫上市有望持续拉动扩产，设备国产化率有望逐步提升。 招商证券表示，长鑫IPO募投拉动产能升级，受益于国内存储原厂扩产，关注卡位良好及份额较高的存储设备。设备公司正处于景气上行周期，订单持续向好，同时头部公司不断放量，国产化率持续提升。东吴证券指出，在先进制程持续扩产与设备国产化率不断提升背景下，国产半导体设备迎来历史性发展机遇，预计新签订单增速有望超过30%，甚至达到50%以上，前道设备如刻蚀、薄膜沉积，后道测试及先进封装环节均将显著受益。 机构评论 中信证券认为，2026年最大的预期差来自于外需与内需的平衡，对外“征税”、补贴内需应是大势所趋，今年是个重要的开端。站在开年，考虑到去年末的资金热度并不算高，人心思涨的环境下开年后市场震荡向上的概率更高。 前期共识性品种“调整后再上车”大概率是机构资金主要的考虑方向，例如有色、海外算力、半导体自主可控等，当然有些偏游资风格的品种也属于这一类别，比如商业航天、机器人等。 方正证券指出，半导体自主可控提速，先进制造全产业链有望迎快速发展期，国产半导体设备与存储客户共同研发，加速国产化率的提升。在先进制造环节，国产半导体经过多轮共同研发、验证测试、小批量等，有望伴随终端客户扩产逐步提升国产化率，国产半导体有望再上一个台阶。 国金证券认为，半导体设备是半导体产业链的基石，存储扩产与自主可控共振，国产化空间广阔。存储芯片架构从2D向3D深层次变革，随着3D DRAM技术引入以及NAND堆叠层数向5xx层及以上演进，制造工艺中对高深宽比刻蚀及先进薄膜沉积的要求呈指数级提升，相关设备厂商将深度受益于工艺复杂度提升带来的红利。 银河证券表示，目前国内存储大厂扩产加速，国产设备在核心工艺环节迎来机遇，份额提升预期增强。在外部环境背景下，供应链安全与自主可控是长期趋势。设备与材料在国产化替代顶层设计下逻辑最硬，数字芯片是算力自主的核心载体，先进封测受益于技术升级。 浙商证券认为，2025年半导体设备指数显著跑赢大盘，当前估值处于28%分位点。其中前道设备营收持续高增长，利润增速结构性放缓；后道设备迎来爆发式增长，净利率显著提升，行业呈现高景气态势。 东莞证券表示，受益于AI训练与推理对高性能存储产品的需求爆发，2024年以来DDR5RDIMM、eSSD等产品需求快速增长，带动DRAM与NAND价格自9月起全面上涨，预计2026年涨势仍将延续。随着长鑫存储、长江存储等内资厂商持续扩产，存储设备需求弹性加大，尤其在刻蚀与薄膜沉积环节，设备价值量显著提升，国产设备企业有望深度受益。 国金证券表示，北美四大云厂商（CSP）2026年AI基础设施总投资有望达6000亿美元，强劲需求拉动下，2026年Q1存储芯片合约价格预计继续攀升30%-40%，其中DDR5 RDIMM内存价格上涨或超40%，NAND闪存价格也将出现两位数百分比涨幅，企业级SSD价格预计上涨20%-30%。服务器领域DRAM和NAND消耗量同比激增40%-50%，AI服务器需求更为旺盛，存储芯片持续供不应求将推动产业链业绩高增长。

据韩国三星电子联席首席执行官最新表示，内存芯片短缺的局面“前所未有”且“极其严重”，并且内存芯片价格飙升将对智能手机价格产生不可避免的影响。 据市场追踪机构DRAMeXchange称，过去一年中，传统DDR4 DRAM的基准价格飙升了近七倍——这是自 2016 年开始追踪价格以来的最高水平；同时，NAND 闪存的价格也大幅上涨，同期涨幅超过一倍。 三星或迎来强劲财报 有分析师指出，得益于内存芯片价格的历史性飙升以及用于人工智能的高带宽内存（HDM）的复苏，三星电子即将创下有史以来最强劲的季度营业利润。 该公司预计将于本周晚些时候公布初步第四季度业绩报告，市场普遍预期其季度营业利润将达到约19万亿韩元（约合140亿美元），几乎是上一季度的三倍。还有一些分析师预测，这一数字可能首次超过20万亿韩元，达到这一里程碑主要得益于其半导体部门。 内存价格的大幅上涨反映出供应紧张。而作为全球最大的存内存芯片生产商，三星成为这一转变的最大受益者。 令投资者更加乐观的是，三星在HBM领域的地位正在提升，而HBM是人工智能加速器中的关键组件。 业内消息人士称，三星最近在向包括英伟达和博通在内的主要客户提供的第六代 HBM4 产品测试中获得了最高性能评分。HBM4 预计将部署在英伟达计划于今年晚些时候发布的下一代人工智能平台上。 从市占率来看，三星在全球HBM市场的份额稳步上升，从去年第一季度的13%增长至第三季度的超过 20%。分析人士预计，今年这一数字将超过 30%，缩小与目前市场领导者韩国SK 海力士之间的差距。 三星电子联席首席执行官兼芯片主管全永铉（Jun Young-hyun）在一份新年致辞中表示，三星HBM4的差异化竞争力得到了客户的一致好评，并宣告“三星回来了”。 近日，投资者对三星的乐观预期反映在了股票市场中。在2026年头两个交易日中，三星电子股价的单日涨幅分别为7.17%和7.47%，并引领韩国基准股指KOSPI盘中刷新历史新高。

由于人工智能业务利润可观，内存行业已经将更多的产能用于生产人工智能专用高带宽内存（HBM），导致其他所有动态内存（DRAM）都受到影响，也极大推高了内存价格。 人工智能相关业务造成的挤压影响还在扩大，有消息称，联发科决定降低移动芯片部门的优先级，将资源倾斜向人工智能专用集成电路（ASIC）和汽车芯片等蓝海市场，这可能会进一步降低联发科天玑系列芯片的竞争力。 综合消息来看，联发科已经将部分资源，包括人员，从移动芯片部门转移到ASIC等领域，这是联发科深化与谷歌合作的一部分。 联发科在谷歌TPU芯片开发中发挥着重要作用，其负责设计处理器与外部设备之间的通信的输入/输出模块。这部分工作谷歌通常交给博通完成，但联发科专有的SerDes技术在ASIC领域具备优势，其可以将并行数据转化为高速串行流以实现高效传输，并在接收端转换回并行数据。 转型 谷歌的TPU计划在2026年第三季度进入量产，并在2027年计划生产500万颗ASIC芯片，到2028年生产700万颗，这需要联发科持续增加其晶圆开工量。 与此同时，由于谷歌TPU采用了台积电的3纳米技术，整体工艺复杂度大幅上升，联发科不得不抽调更多资源以组建专门的团队来完成谷歌的相关业务。 联发科预计，2026年ASIC业务收入将达到10亿美元，并在2027年增长至数十亿美元。除了谷歌之外，联发科还在与Meta就定制ASIC芯片展开合作讨论。 业内人士透露，联发科现在将人工智能视为其收入增长引擎，这意味着其移动芯片部门的优先级将被降低。而联发科在2025年第三季度以34%的全球智能手机AP-SoC市占率位居第一，并连续多季度领先，是该领域的龙头公司。 不过，移动芯片领域并非易守之土，苹果的A系列芯片和高通的骁龙长期以来与天玑芯片进行竞争，联发科可能很难持续保持优势。而这可能是联发科加快部署ASIC的关键理由。

1月5日，四川省人民政府办公厅印发《四川省国家数字经济创新发展试验区建设方案》，加快关键核心数智技术攻关。实施人工智能等重大科技专项，围绕专用芯片、大模型、智能终端（机器人、低空智能产品、脑机接口产品等）等重点方向，全力突破先进计算、具身智能、低空智能和类脑智能等方面关键核心技术，开展关键基础材料、核心零部件和元器件、终端产品等科技攻关。支持省内行业企业建设数字经济创新联合体，探索数字科技成果转化新模式以及多方优势互补、利益共享、风险共担的长效合作机制。 以下是具体原文： 四川省国家数字经济创新发展试验区建设方案 为贯彻落实党中央、国务院关于发展数字经济的决策部署，深入实施省委、省政府数字强省战略，按照国家数据局关于开展国家数字经济创新发展试验区建设的要求，结合我省实际，现制定本建设方案。 一、总体目标 坚持数据要素市场化配置改革，聚焦培育具有国际竞争力的数字产业集群，一手抓数字技术创新、促进数字经济核心产业发展，一手抓传统产业数智化转型、促进全要素生产率提升，同步推进数字基础设施和数据政策制度体系建设，加快建设数字经济创新发展先行省。力争通过3—5年努力，数字经济新技术新业态集聚发展，争创1—2个国家级新兴产业集群，培育10家左右数字经济产业生态主导型企业，打造10个左右具有全国影响力的行业标杆大模型；数字化转型促进网络成势见效，建成20个左右数字化应用场景实验室，建成200个左右省级数字化转型促进中心，培育200家智能制造先进工厂；数字基础设施硬环境提档升级，算力总规模达到40EFLOPS（每秒百亿亿次浮点运算次数），建成3—5个国家级、10余个省级可信数据空间；数字治理生态软环境显著改善，省级公共数据资源登记系统建成运行，公共数据资源授权运营有序开展。 二、重点任务 （一）积极探索数字产业集群发展新机制，构建区域联动、梯次发展新格局。 1.强化全域协同联动发展。加强战略协同、规划联动、政策对接，完善“链长+牵头部门+主要承载地+协同发展地”的重点产业链推进机制，以“建圈强链、一群多地”模式推动全省数字产业总体布局，建设全国数字产业重要集聚区，辐射共建数字产业生态，推动全省数据要素驱动、创新资源共享、新兴产业协同，形成“一核引领、五区共进、全域做大”的数字产业集群梯次发展格局。 2.增强主要承载地极核功能。坚持立足全国、放眼全球，集聚高端数据要素资源，提升成都、绵阳、宜宾等市智能设备、新型软件、产业互联网、数据安全、数据基础设施等产业的综合承载能力，高水平建设综合数字赋能平台，加快打造具有国际影响力和核心竞争力的数字产业集群。探索数字物流、数字低空、数字新能源、智能网联汽车等新业态新模式。巩固加强成都数字文创产业，推进数字文创企业产品审批备案和监管服务模式改革，实施数字内容创新工程。 3.提升协同发展地创新能级。支持协同发展地积极参与数字产业建链、补链、延链、强链，抓好产业链关键配套、关键环节和应用场景建设。支持德阳、遂宁等市协同推进智能设备产业集群。支持自贡、南充、眉山、资阳等市推动数字低空产业、卫星遥感及应用产业升级。发挥攀枝花、内江、雅安、阿坝、凉山等市（州）比较优势，布局建设智算中心和算力监测调度服务设施，打造协同互补、特色发展的数据基础设施产业集群。支持各市（州）因地制宜发展特色优势产业，打造一批数字经济产业园区、数据服务业基地。 4.培育数字经济创新型企业。健全数字经济创新型企业（以下简称数创企业）源头发现机制，构建“政府+企业+创新+金融”专业化遴选培育模式，搭建数创企业培育库，分级分类遴选入库、动态管理。依托省级数字产业集群建设，吸引各类创新资源集聚，打造有利于数创企业专业化、特色化、产业化发展的创新生态。规范关键数据收集，进一步面向民营企业开放应用场景和有关公共数据资源，鼓励支持民营数创企业投资数字基础设施竞争性领域。以场景和行业痛点为牵引，加强对人工智能、垂类大模型等数创企业培育。 （二）加快完善数智技术创新体系，布局数字新技术新赛道新业态。 5.加快关键核心数智技术攻关。实施人工智能等重大科技专项，围绕专用芯片、大模型、智能终端（机器人、低空智能产品、脑机接口产品等）等重点方向，全力突破先进计算、具身智能、低空智能和类脑智能等方面关键核心技术，开展关键基础材料、核心零部件和元器件、终端产品等科技攻关。支持省内行业企业建设数字经济创新联合体，探索数字科技成果转化新模式以及多方优势互补、利益共享、风险共担的长效合作机制。 6.前瞻布局未来产业新赛道。建设科学数据中心，探索建立“集中+分布”的关键科学技术管理与服务体系。推进成渝（兴隆湖）综合性科学中心、天府绛溪实验室等高能级创新平台建设，加快布局6G（第六代移动通信技术）、量子科技、太赫兹、毫米波、脑科学、元宇宙等未来产业。大力发展低空经济，支持有条件的地区建设低空经济示范区。加强新兴领域场景开放和建设，加速新技术新产品规模化商业化应用。发展数据产业，制定实施四川省数据企业培育认定方案，开展数据企业入库和认定。 7.培育发展平台经济新业态。引进国内外具有发展潜力的平台经济总部，加快培育一批龙头平台企业，推动平台经济产业链高质量发展。围绕数字教育、数字就业、数字交通、数字贸易、数字金融、网络货运和产业互联网等重点领域，加快培育一批具有较强引领带动作用的垂直行业企业。支持龙头平台企业建设国际开源社区，加快科技创新、模式创新。持续总结向平台企业开放信用监管数据试点的经验，有序推动向平台企业开放有关公共数据资源，提升数字技术、产品和服务水平。鼓励金融机构针对平台企业特点创新金融产品和服务方式。 （三）全面构建数字化转型促进网络体系，推进数实融合深度发展。 8.推动数字化场景大规模应用。探索组建数字化应用场景实验室，搭建“供需对接、概念验证、应用孵化、推广复用”公共服务平台，形成政府引导、企业主导、多元投资、市场化运行的多元合作新机制。完善数字化应用场景测试验证体系，推进数字政府、数字经济、数字社会等适数化创新场景应用。实施“人工智能”行动，重点推动人工智能在科研、制造、服务、商贸、文化旅游、医疗等领域落地应用。加快建设以数智技术、泛在感知、大数据为主要特征的新一代地震预警网，全面提升地震灾害风险防治和应对能力。依托四川省社会信用信息平台完善增信功能，构建多方协同、数据融合的中小微企业增信体系。 9.构建产业数字化转型服务体系。实施数字化转型工程，深入推进制造业“智改数转”行动，高效运行四川数智化绿色化发展促进中心，完善工业互联网平台赋能体系，推动标识解析节点建设和规模化应用。持续建设面向区域、园区、集群的省级数字化转型促进中心，助力打造高质量的数字化产业链。制定数字化转型服务商服务能力评价标准，促进提供精准匹配、定制化服务。推进通道网、物流网、数联网“三网”融合工程，建设多式联运数智化综合赋能平台，开展中欧班列（成渝）出口货物铁路通关转关模式创新，系统降低社会物流成本。优化全省农业数据基础设施建设布局。 10.开展城市全域数字化转型试点。推进政府效能提升数字化改革，建设一体化、智能化、协同化数字政府底座。实施基本公共服务和社会治理信息化专项，推动公共服务、生活服务、社会治理数字化转型和智能化升级。支持有条件的城市深化智慧城市建设，完善城市信息模型（CIM）平台，推进城市基础设施生命线安全工程建设，统筹部署城市智能感知终端，开展城市运行智能中枢建设试点。鼓励市场主体积极参与智慧城市建设，有效规范市场秩序，提升智慧城市建设质量。 （四）持续优化数据基础设施体系，夯实促进数据流通利用基础。 11.深度融入全国一体化算力网络。持续推进全国一体化算力网络国家枢纽节点（四川）建设，以天府数据中心集群为支撑，加快建设大型和超大型数据中心、城市数据中心、边缘数据中心等，构建多层次算力基础设施体系，优化提升通用算力，做大做强智能算力，深化应用超算算力。推动国家新型互联网交换中心建设，积极参与全国一体化算力网原型技术实验场建设。 12.推进数据基础设施先行先试。落实推进国家数据流通利用基础设施建设试点，按照国家统一目录标识、统一身份登记、统一接口的“三统一”要求建设数据流通利用基础设施底座，实现数据低门槛接入、大规模流通、高效安全利用。在数场、数联网、可信数据空间、区块链、隐私保护计算等方面先行先试，验证有关技术路线、商业模式、协同机制。开展全国一体化算力网算力设施安全试点，建设“天府数据中心集群—数据中心”两级一体协同、一体贯穿的安全管理能力。探索建立数据安全靶场，为数据安全防护科学研究、市场运用提供真实网络模拟验证环境，提升人工智能时代新型安全威胁的应对能力。 13.深入推进算电融合试点。坚持算电融合发展，加强数据中心集群建设与新能源发展、电网建设的衔接，推进清洁能源基地与数据中心集群一体化协同布局。开展“绿电+算力”融合发展，支持攀枝花、甘孜、阿坝、凉山等市（州）开展“算力—电力”协同试点试验，支持清洁能源富集地区就地布局“绿电+算力+产业”园区。优化数据中心能耗结构，鼓励通过参与绿色电力交易、绿色电力证书交易等方式提高可再生能源利用率。 14.建立健全算力监测调度服务体系。深入推进四川省算力调度服务平台高效运行、迭代提能，支持各地各类算力资源接入算力调度服务平台，促进算力资源供需双方精准匹配。推动建立多元异构算力全覆盖的算力网监测体系。建立算力资源交易标准与算力产品价格体系，构建各算力中心资源在算力配置、交易结算、收益分配等方面协同机制，鼓励发放“算力券”，提高算力资源利用率和普惠易用程度。 （五）健全完善数字治理政策体系，繁荣数字经济发展良好生态。 15.推进用数改革激活数据要素价值。落实公共数据资源登记管理、授权运营实施细则，探索公共数据运营收益反哺公共服务建设机制。开展公共数据与企业数据融合应用试点、企业数据公平授权使用试点，探索社会数据和有关服务产品的政府采购机制，推动龙头企业、平台企业开放数据服务能力。开展行政事业单位数据资产全过程管理试点，争取在数据资产场景应用、收益分配、风险防控等方面加快突破。在交通运输等行业领域打造一批可信数据空间，推动跨行业、跨领域数据流通和融合应用。 16.推进适数化改革提升治理能力。建立以数字化信息化赋能经济社会治理新机制，建设“一网共享”数据资源体系、“一网统管”经济运行体系、“一网协同”社会治理体系和“一网共治”数据安全体系。开展重要数据处理者网络和数据安全保险试点，构建“安全管理+网安保险+风险防控”模式。创新发展数字贸易，支持有条件的地区争创国家服务贸易创新发展示范区和数字贸易示范区。开展数据知识产权工作，完善相关制度规范，构建知识产权协同治理机制。 17.推进规则制度互通提升开放合作水平。推进成渝地区双城经济圈公共数据标准互认、流通互认，加强与京津冀、长三角、粤港澳大湾区等数字经济创新发展试验区对接合作。积极参与数字经济国际合作和标准规则制定，探索与“一带一路”沿线国家及地区数据互通路径，建立对外网络和信息安全机制。探索数据跨境流动新模式，支持中国（四川）自由贸易试验区在国家数据分类分级保护制度框架下，制定试验区内需要纳入数据出境安全评估、个人信息出境标准合同、个人信息保护认证管理范围的数据清单。 三、工作要求 依托数字经济省级部门会议会商机制，统筹推进各项改革任务，协调解决重大问题，会商机制牵头部门配套制定重要支持政策清单并动态更新。聚焦人工智能、数字经济、大数据、低空经济等，立足四川实际开展创制性立法，探索开展数字经济促进条例、人工智能产业促进条例等地方性立法。建立完善数字经济基础研究应用等投入机制，统筹用好省级财政专项资金。引导社会资本投资数字经济领域重大项目，拓宽数字经济市场主体融资渠道。鼓励金融机构创新金融产品和服务，支持银行机构加大对数字经济核心产业的中长期贷款投放力度。实施数字技术工程师培育项目、数字技能提升行动。探索建立数字经济统计监测制度和综合评价体系。完善对平台经济等新业态新模式的统计监管，探索数据资产投资统计可行性研究。构建数字经济创新发展试验评估和容错机制，营造支持改革、鼓励创新、包容试错的氛围。 点击跳转原文链接： 四川省国家数字经济创新发展试验区建设方案

2025年对于半导体市场而言是十分“疯狂”的一年，全球半导体市场在AI与存储的双轮驱动下强劲复苏，甚至市场的实际表现已经超过了部分机构在今年年初对半导体行业的预测，世界半导体贸易统计组织（WSTS）在12月2日发布的最新展望中便将2025年半导体市场规模上调至7720亿美元，较其2025年6月的约7009亿美元大幅提升，而其2025年年初对当年半导体市场的预测在6970亿美元左右，多次上调预期也足以证明实际市场的超预期表现；而市场研究机构Omdia也在12月表示，半导体行业2025年第三季度的营收达到2163亿美元，首次突破单季2000亿美元大关，按照目前的行情预测，2025全年半导体营收将站上8000亿美元。 而存储芯片行业也在2025年开启了“超级周期”，各企业存储芯片价格一涨再涨，“一芯难求”也成为了今年储能行业和存储芯片行业共同的“代名词”。在此背景下，半导体指数走出了2021年板块上市以来最高的年度涨幅，截至2025年12月31日日间收盘，半导体指数报1971.37，年内最高冲至2143.82，最终年线收涨46.5%；存储芯片指数也迎来了其指数上市以来的年度最强表现，年内最高冲至2086.75的高位，同样刷新其指数上市以来的新高，截至12月31日日间收盘，存储芯片指数报2018.24，年线涨幅达65.11%。 AI行业爆发式增长 而半导体行业在2025年持续火爆的主要原因便是受AI行业爆发式发展的推动。世界半导体贸易统计组织（WSTS）在提高2025年半导体市场规模预测时便提到，2025年全球半导体营收的增长主要受益于人工智能应用及数据中心基础设施的强劲需求，推动了对于逻辑芯片和存储芯片需求的增长。 据悉，2025年AI已经进入规模性应用阶段，大语言模型（LLM）与多模态模型在企业级服务、自动驾驶、消费电子三大场景实现深度集成，Agentic AI 凭借 “感知 - 规划 - 执行 - 反馈” 闭环能力，正推动自动化决策从单点工具向系统化平台跃迁，成为产业智能化的核心引擎。 来自AI方面的驱动，也正在重塑半导体产业格局。此前，市场研究机构Omdia曾表示，AI正推动半导体市场实现前所未有的增长，AI技术投资驱动营收创下历史新高。在AI技术驱动下，数据中心服务器成为半导体营收的主要驱动力，对 GPU、逻辑 ASSP/ASIC、DRAM(HBM)和电源管理芯片的需求显著增加。其表示，AI热潮预计将推动半导体行业持续六年增长，有望打破该行业传统的周期性规律。 此外，Omdia还预测，在数据中心与AI相关应用的推动下，数据计算板块预计将在2026年首次超过半导体总营收的50%。同时，存储芯片支出加速，重点聚焦先进DRAM和HBM的产能扩张以满足AI驱动的需求。 存储芯片迎“超级周期” 存储芯片行业的强劲表现，也为半导体行业在2025年的繁荣发展增添了几分助力。目前，不论是DRAM、NAND亦或是HBM芯片，均出现了不同程度的供应短缺的情况。其中，DRAM芯片呈现“全规格缺货”的情况，12月16日，财联社方面还表示，全球存储三巨头之一、韩国SK海力士的一份意外曝光的内部分析文件透露，DRAM（动态随机存取存储器）供应短缺状况将持续至2028年。海力士的内部分析显示，到2028年，主要面向消费电子终端的通用型DRAM的供应增长将持续受限，难以满足市场需求。 而在供应短缺的背景下，DRAM系列芯片的价格也持续上涨，12月初，财联社方面曾表示，DDR4x颗粒年内涨幅超4倍。酷赛智能相关负责人向财联社记者透露，以4GB DDR4x为例，颗粒现货市场价格已从年初的最低7美金涨至11月中旬的30美金以上，涨幅达到4至5倍。 据11月市场研究机构TrendForce发布最新调查报告称，第三季由于一般型DRAM合约价上涨、出货量季增，且HBM 出货规模扩张，推升DRAM产业营收较上季成长30.9%，达414亿美元。 值得一提的是，在AI浪潮的驱动下，HBM芯片作为高端 AI 显卡的核心配套存储，在人工智能开发中极具价值，因此，市场HBM需求迫切，前期不少譬如三星电子、SK海力士、美光科技等供应商也均纷纷将晶圆资源向HBM倾斜。Yole曾预计，全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元，复合年增长率达33%。 而全球存储芯片大厂美光科技此前也表示，公司2026年（日历年）全年高带宽内存（HBM）的供应量已就价格和数量与客户达成协议，全部售罄；另外，三星、SK海力士也均提及其下一代高带宽内存HBM的2026年产能已基本被预订完毕。其中SK海力士在10月底表示，已完成与主要客户关于2026年HBM供应的全部谈判，并计划在2025年四季度开始出货次世代HBM4产品，2026年进行全面销售；中关村在线方面在10月底提到，三星存储业务执行副总裁金在俊于此前财报会议上透露，公司针对下一代HBM4的生产规划已全部落实，明年产能已被客户提前锁定。他表示，尽管已大幅提升HBM产能，但市场需求依然超出预期，目前正评估进一步扩产的可能性，以应对不断增长的订单需求。 NAND闪存方面，目前也面临供应短缺的情况，且价格也呈现持续上涨的态势，12月18日，存储巨头金士顿数据中心SSD业务经理Cameron Crandall近日在“TheFullNerdNetwork”播客中表示，未来30天NAND闪存短缺将明显加剧，SSD价格将在当前基础上进一步上涨。据悉，Cameron Crandall透露，仅在2025年内，NAND Flash 价格从第一季至今已暴涨超240%。 此前，据和讯财经方面消息，2025年第三季，云端服务业者持续扩建AI基建，对Enterprise SSD需求强劲，带动前五大NAND Flash品牌商合计营收季增16.5%，逼近171亿美元。 国产半导体替代进程持续 此外，严苛的外部环境也一直在刺激着半导体国产化的进程。12月26日，商务部发那面还表示，坚决反对美对华半导体产品加征301关税，已提出严正交涉。新闻发言人何咏表示，美单边关税违反世贸组织规则，破坏国际经贸秩序，扰乱全球产业链供应链，损害美国企业和消费者利益，损人不利己。中方敦促美方尽快纠正错误做法，取消相关措施。中方愿与美方在相互尊重、和平共处、合作共赢原则基础上，通过平等对话磋商解决各自关切。倘若美方执意损害中方权益，中方将坚决采取必要措施，坚定维护自身权益。 》点击查看详情 众所周知，中国大陆半导体设备市场规模居于全球首位，此前日本半导体制造装备协会（SEAJ）公布统计数据指出，2024年全球芯片设备（新品）销售额年增10%达到1,171.4亿美元，中国市场销售额暴增35%至495.5亿美元、连续第5年成为全球最大半导体设备市场。 国际半导体产业协会（SEMI）此前也预计，中国大陆 2026-2028 年 300mm 半导体设备支出将达到940 亿美元，位列全球第一，占全球比重达到 25%，韩国与中国台湾分列第二、三位。 因此，在海外关税及政策不确定性的影响下，半导体国产化替代势在必行。近年来，在AI算力需求的爆发式增长下，海思、中芯国际、北方华创、中微半导体和新凯来装备，正式打破了英特尔、台积电、ASML和应用材料的垄断局面。其中北方华创作为国内半导体设备领域的龙头企业，中邮证券此前评价称，其产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗、涂胶显影、离子注入等多个核心工艺环节，工艺覆盖度完善，国内份额持续提升，将持续受益于下游扩产与国产替代进程。 而拓荆科技作为国内高端半导体设备领军企业，打破了国际厂商对薄膜沉积设备的垄断，完善了集成电路制造产业链关键环节，实现了工艺设备自主化；华为海思则在高端通用芯片领域，通过持续的技术创新和全栈布局，逐步打破了对外部技术的依赖，实现自主可控。 因此，国内市场在政策支持+国产替代双轮驱动的背景下，叠加存储芯片市场回暖带来的半导体产业链业绩回暖，A股半导体板块得以大幅上涨。 2026年半导体行业展望 展望2026年，WSTS此前预测，2026年的半导体市场规模将来到9754.60亿美元，实现26.3%的同比增长，逼近1万亿美元大关。 根据国际半导体产业协会（SEMI）预计全球半导体设备制造总销售额增长态势有望持续至未来两年，预计2026年全球半导体设备销售额将达1450亿美元，2027年将攀升至1560亿美元。 IT之家此前也表示，DIGITIMES《电子时报》副总监蔡卓卲在此前举行的科技趋势论坛上表示，2026 年全球半导体市场规模将增长18.3%，达8800 亿美元；晶圆代工产值则有望达到2331亿美元，增幅17%。且该媒体机构在稍早时候发布的中期预测中认为，2025~2030 年全球晶圆代工产业合计营收的 CAGR 将达到 14.3%，2030 年的总体营收预计是 2025 年的两倍。尽管 AI 应用加速了晶圆代工的发展，但仍需警惕可能的 AI 泡沫和地缘政治风险。 此外，据TrendForce数据，中国整体高阶AI芯片市场规模预计在2026年增长超过60%，其中本土AI芯片仍会朝向自主化发展，具备发展潜力的主要芯片设计厂商有机会扩大市场占比至50%左右。 存储芯片方面，美光科技公司此前还预计HBM总潜在市场（TAM）将在2028年将达到1000亿美元（2025年为350亿美元），较此前指引提前两年。 华泰证券表示，TrendForce预测，2026年DRAM位增长率或将达到26%，然而NAND相关投资或主要局限在现有产线的升级，暂未看到新厂的明确建设计划。 市场研究机构Omdia此前提到，以HBM为中心的生产模式限制了传统DRAM的产能增长。DRAM供应增速（约20%）将持续落后于需求增速（超20%），这一趋势将延续至2026年。供应商优先生产高利润的HBM产品，导致传统存储产品增长放缓。结构性紧张维持高价格水平，推动上升周期延续至2026年。2026年，AI需求推动NAND价格上涨40%，NAND价格复苏，上涨趋势将持续至2026年。 华尔街见闻12月15日发问提到，摩根大通在最新研报中指出，当前头部存储芯片制造商的总市值已接近1万亿美元。基于历史估值中枢推算，到2027年这一数字将飙升至1.5万亿美元，意味着头部厂商仍有超过50%的上涨空间。 招商证券也指出，AI需求增长带动全球存储及先进制程产能扩张，展望2026-2027年，国内存储及先进制程扩产有望提速，国内设备厂商订单持续向好，国产化率进入快速提升阶段，卡位良好及份额较高的存储设备公司有望受益。 和讯财经表示，业内认为，存储涨价周期的幅度和持续时间均超预期；在先进制程及存储扩产趋势下，2026年国产半导体设备订单有望加速增长，国产化率或进一步提升。

台积电等半导体制造商纷纷在美设厂的重要原因在于规避地缘政治风险，但它们也不得不接受运营成本上升带来的挑战。 据分析师Jukan在X平台上分享的SemiAnalysis汇总数据显示，台积电在美国生产芯片将使其利润率遭受重大损失。他还写道，他认为美国希望台积电将晶圆厂迁至美国的原因之一，就是为了提高该公司的成本来削弱台积电的竞争力。 具体而言，台积电在中国台湾地区生产5纳米制程芯片与美国生产相同产品的每片晶圆毛利率分别为62%与8%，两者相差54个百分点。其中，折旧和劳动力成本是造成差异的主要原因。 折旧指的是晶圆厂及其设备在其使用寿命内分担其购入成本，具体差异体现在生命期内的总产量上。数据显示，在美国工厂采用相同工艺生产晶圆的产量可能只有台湾工厂的四分之一，这意味着美国工厂的折旧成本是台湾工厂的近四倍。 经济与政治 美国总统特朗普去年8月表示，台积电可能在亚利桑那州投资3000亿美元，包括在亚利桑那州建设晶圆厂、先进封装和研发设施。这一数字是台积电此前在美国宣布的总投资额的近两倍。 台积电的这一举动是为了配合美国政府“美国优先”的经济议程，也是为了保证地缘政治因素不会影响到公司的供应。然而，在美国构建一条稳定的供应链可能需要花费数十年的时间。 此外，考虑到建设成本和运营成本，台积电美国晶圆厂需要创造更多收入才能覆盖支出，这要求台积电持续投入资金。另一方面，高昂的劳动力成本也在加大美国工厂的负担。 台积电前董事长张忠谋曾表示，如果设备在凌晨1点发生故障，台湾团队可能在凌晨2点就检修完毕，美国则要等到第二天早上，这就是工作文化的不同。 从高效和经济的角度来看，台积电更倾向于从台湾聘用工程师前往美国工作，但这也会引发一些政策问题，因为美国政府更希望台积电可以推动美国的当地就业。 政治因素推动的“美国制造”目前正面临经济上是否合算的关键考验。去年11月，有报道指出，台积电美国业务的最新季度利润环比大幅下滑，从42.32亿新台币降至4100万新台币。

百度1月2日在港交所公告，1月1日，昆仑芯已透过其联席保荐人以保密形式向香港联交所提交上市申请，以申请批准昆仑芯股份于香港联交所主板上市及买卖。 公告显示，分拆完成后，预计昆仑芯仍将为百度的附属公司，目前全球发售的规模与结构、百度对昆仑芯持股百分比的减少幅度等，尚未落实。公告还强调 分拆仍需获得香港联交所上市委员会批准、在中国证监会完成备案，以及百度和昆仑芯作出最终决定。 昆仑芯前身为百度智能芯片及架构部，于2021年4月完成独立融资，首轮估值约130亿元。截至2025年7月，昆仑芯经历了D轮融资，投资方包括上河动量资本、山证投资、国新基金下属的高层次人才基金、中移和创等。 2025年12月16日，昆仑芯变更为股份公司，注册资本从约2128万人民币增至4亿人民币，增幅约1780%。 在去年11月举行的百度世界大会上，新一代昆仑芯M100和M300发布。其中，昆仑芯M100 针对大规模推理场景优化设计，将于2026年上市；昆仑芯M300面向超大规模的多模态模型的训练和推理任务，预计2027年上市。 同步发布的天池256超节点与天池512超节点将于2026年正式上市，单个天池512超节点就能完成万亿参数模型训练。未来几年昆仑芯都将按年推出新产品，百度智能云还将陆续推出相应的千卡、4000卡超节点。 迄今，昆仑芯累计完成数万卡部署，包括已点亮昆仑芯三万卡集群，可同时支撑多个千亿参数大模型训练。未来，百度智能云将把昆仑芯单一集群的规模从三万卡进一步扩展至百万卡级别。 高盛在去年12月研报中指出，参考同类公司估值，百度所持昆仑芯59%股权的价值区间为30亿至110亿美元。麦格理证券估算这一股权价值约165亿美元，占其给予百度目标估值的30%。大摩此前研报预测，百度自研的AI芯片收入将从2025年的13亿元暴涨到2026年的83亿元，增长6倍之多，带动百度的GPU计算收入在2026年翻倍。 当前，AI芯片领域的企业正掀起一波上市潮。 国产GPU企业沐曦股份和摩尔线程在2025年12月登陆科创板。上市首日，两家公司股价分别大涨692.95%、425.46%。燧原科技则在近期完成了科创板上市辅导。 壁仞科技、天数智芯则与昆仑芯一样选择赴港上市。 截至《科创板日报》记者发稿，壁仞科技在1月2日的上市首日涨92.96%，市值超900亿港元。据此前壁仞科技在港交所的公告，公司全球发售约2.85亿股H股，公开发售占17.39%，国际发售占82.61%。最终每股发售价19.6港元，所得款项净额约53.75亿港元。公开发售获2347.53倍认购，国际发售获25.95倍认购。 而天数智芯已启动招股，将于1月5日结束，并计划在1月8日正式以“9903”为股票代码在港交所挂牌上市。天数智芯拟全球发售2,543万股。每股招股价144.6港元，每手100股，集资约37亿港元，其中香港公开发售占10%，其余为国际配售。以每股144.6港元的价格计算，天数智芯此次募资额约为37亿港元，IPO市值将达354.42亿港元。 一名芯片分析师对《科创板日报》记者表示，当前是AI叙事最好的时间窗口，而昆仑芯作为最早一批涉足自研AI芯片的企业，显然要赶上风口，也有利于摆脱大厂“自用”的印象。 根据IDC发布的2024年中国加速计算芯片的出货报告，英伟达出货量占比70%超过190万片。在国产AI芯片头部厂商中，华为昇腾64万片位居第一，其后为昆仑芯6.9万、天数3.8万、寒武纪2.6万、沐曦2.4万、燧原1.3万片。

周五（1月2日），韩国基准股指Kospi在其2026年首个交易日中首次突破4,300点关口，收盘创历史新高，而这主要由大型半导体股的强劲上涨所牵引。 基准韩国综合股价指数（KOSPI）收涨2.27%于4,309.63点，首次突破4,300点关口，并打破去年11月3日创下的上一个高点4221.87点；韩国创业板指数（KOSDAQ）也收于945.57，上涨2.17%。 当日，外资净买入约6300亿韩元，引领上涨趋势；相比之下，个人和机构投资者分别净售出约4500亿和2300亿韩元。 交易态势偏积极 强劲的出口似乎缓解了近期美国股市疲软带来的压力。韩国政府1月1日公布的数据显示，2025年该国出口达到历史新高7097亿美元，首次突破7000亿美元的里程碑，这得益于人工智能和半导体产业的增长。 元大证券分析师Kim Yong-gu指出，“在全球经济增长、销售和盈利的良性循环，以及政府全力刺激经济和股市的背景下，预计KOSPI股指将呈中性至积极的交易态势。” 另有分析指出，一月份股市的表现可以作为全年趋势的衡量标准，新年首个交易日KOSPI指数强劲的上涨提升了投资者对今年市场的预期。 韩国头部综合金融机构韩华证券研究员Kim Soo-yeon就表示，“自2013年以来对26个行业的分析显示，1月上涨的板块在全年上涨的概率约为60%。 科技板块活跃 从成分股表现来看，大型科技股带领了指数的上涨，投资者也在押注人工智能带来的持续作用力。 周五，市场风向标三星电子飙升7.17%，至128,500韩元；芯片巨头SK海力士上涨3.99%，至67.7万韩元。值得一提的是，这两家芯片巨头双双创下历史新高。 目前，这两家公司正在人工智能芯片市场展开激烈竞争。在10月举行的2025半导体展览会上，两家公司分别展示了各自研发的下一代高带宽内存HBM4芯片，表明了引领半导体行业的信心。 目前市场仍由第五代HBM3E芯片主导，但业内观察人士预计，HBM4将在明年成为一个主要因素，因为英伟达计划在其下一代AI加速器Rubin中使用它。 上月，有报道称，三星计划于2026年2月启动HBM4芯片的大规模量产，SK海力士也将在相近时间开启量产进程，此举标志着全球内存半导体产业迈入一个全新阶段。 值得一提的是，三星电子联席首席执行官兼芯片主管Jun Young-hyun在新年致辞中表示，三星HBM4的差异化竞争力得到了客户的一致好评，并宣告“三星回来了”。 Counterpoint Research的数据显示，在2025年第三季度，SK海力士占据了HBM市场53%的份额；三星紧随其后，占35%；美光占11%。

上交所官网12月30日晚间显示，长鑫科技集团股份有限公司（下称“长鑫科技”）申报科创板IPO获交易所受理。 长鑫科技申报科创板上市拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目建设，合计总投资规模达345亿元。 值得关注的是，长鑫科技是今年7月科创板市场改革新政后，首家采用IPO预先审阅机制申报上市的公司。该制度旨在避免特定情形的科技型企业，因过早披露业务技术信息、上市计划而可能对其生产经营带来重大不利影响。 《科创板日报》记者注意到，在12月30日长鑫科技申报获受理同日，上交所网站同步披露两轮审核问询回复。 综合两轮交易所问询来看，长鑫科技控制权、盈利持续性、与兆易创新关联交易、研发支出资本化等问题是监管关注的核心焦点。 长鑫科技成立于2016年，是中国规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业，采用IDM（垂直整合制造）业务模式。 根据Omdia数据显示，按照产能和出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。 招股书显示，长鑫科技提供DRAM晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模组等多元化产品方案，长鑫科技的产品主要覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，目前已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。 招股书披露，长鑫科技2025年1-9月营收320.84亿元，2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元。其中，2022年至2024年主营业务收入复合增长率达72.04%。 盈利情况方面，2024年长鑫科技尚且净亏损90亿元，但2025年火热的存储芯片行情将有望帮助长鑫科技在2025年度实现扭亏。 据招股书显示的全年业绩预计情况，2025年该公司预计实现净利润20亿元至35亿元，归母净利润为-16亿元至-6亿元，归母扣非净利润为28亿元至30亿元。 长鑫科技表示，2025年，随着公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化，以及2025年下半年以来DRAM产品价格的快速上涨，公司预计实现营业收入较上年同期大幅增加，净利润实现转正，归属于母公司所有者的净利润亏损金额较上年同比大幅收窄。 在上市报告期各期，长鑫科技主营业务毛利率分别为-3.67%、-2.19%、5.00%和12.72%，呈现明显改善。 该公司表示，报告期内，一方面，受公司持续进行大额固定资产及研发投入带来的折旧及摊销金额较高、规模效应尚未完全显现等因素影响，公司产品生产成本较高，另一方面，公司工艺技术水平等与三星电子、SK 海力士及美光科技相比仍有一定差距，产品结构处于持续优化状态，公司毛利率水平与国际前三家厂商相比仍较低。 招股书显示，2025年7-9月，在DRAM产品市场价格上涨、长鑫科技产销规模持续提升等因素的带动下，该公司营业收入较2024年7-9月同比大幅增长148.80%，综合毛利率上升至35.00%。 招股书显示，截至2025年6月30日，长鑫科技共拥有5589项专利，其中3116项境内专利及2473项境外专利。根据美国权威专利服务机构IFI公布数据，长鑫科技2024年美国专利授权排名全球第42位，在所有上榜的中国企业中排名第四。研发团队方面，长鑫科技拥有4653名研发人员，占公司员工总数的比例超过30%。 长鑫科技无控股股东、无实际控制人，清辉集电、长鑫集成、大基金二期、合肥集鑫、安徽省投分别持有该公司21.67%、11.71%、8.73%、 8.37%及7.91%的股权。 此外，在招股书所披露的长鑫科技股权架构中，安徽省投、阿里、腾讯、招银国际、人保资本、建信金融、国调基金、君联资本、小米产投等均位列其股东行列。 招股书所示发行前长鑫科技前十大股东情况 长鑫科技董事长为朱一明，对长鑫科技合计持股比例为2.67%。 公开资料显示，朱一明为1972年生人，清华大学及纽约州立大学双硕士背景，拥有新加坡永久居留权。 朱一明目前还是A股上市公司兆易创新的董事长。兆易创新由朱一明2005年从美国硅谷归国创办，目前A股最新市值达1470亿元，该公司同时正在冲刺在港交所的二次上市。

人工智能（AI）领域对数据存储的旺盛需求，推动日本存储芯片制造商铠侠（Kioxia Holdings Corp）2025年斩获了全球领先的股价涨幅。这一表现表明，尽管市场情绪趋于谨慎，AI热潮依旧热度不减。 今年年初以来，铠侠股价累计上涨约540%，不仅跑赢MSCI全球指数的所有成分股，更一举成为日本东证指数中的年度冠军股。 这家闪存芯片制造商去年12月才在东京证券交易所上市，其客户包括苹果和微软，目前市值约为5.7万亿日元（约合366亿美元）。 铠侠股价的大幅上涨表明，随着超大规模企业竞相建设AI基础设施，科技行业对存储芯片的需求正呈现爆发式增长。 铠侠生产的芯片对于AI训练和数据中心而言至关重要。 鉴于需求激增，科技公司纷纷预警存储芯片供应短缺，分析师也预测存储芯片价格将大幅上涨。 存储热潮成为铠侠股价走高的强劲推手。投资者普遍预期，持续旺盛的需求与攀升的产品价格，将大幅提振该公司营收。 “展望2026年的科技板块，我们的重心将主要放在存储芯片领域，无论是直接布局铠侠，还是投资相关的间接受益标的。” Asymmetric Advisors Pte的日本股票策略师Amir Anvarzadeh表示。 他指出，像Sumco Corp这类晶圆制造商，明年也有望从存储芯片的强劲需求中获益。 不过，铠侠股价的暴涨也引发了市场对其估值过高的担忧，这一情绪同样波及了其它AI股票。就在上个月，由于铠侠发布的季度财报未能达到投资者的高预期，其股价单日暴跌23%。 但Anvarzadeh认为，鉴于存储芯片需求仍远超供给，铠侠明年有望从容应对AI市场的波动。 “市场担忧的数据中心投资放缓，应该不会对下一阶段的存储芯片价格造成实质性影响，毕竟目前市场已经处于严重的供不应求状态。”他补充道。