SMM 6月3日讯：6月3日，半导体板块盘中走高，指数盘中涨逾3%，个股方敏，源杰科技、盛美上海、和林微纳、优讯股份等多股涨逾10%，立昂微，通富微电、康强电子等多股盘中涨停。 消息面上，近日，市场传来多重利好信号，英伟达CEO黄仁勋6月1日在COMPUTEX2026大会发表主题演讲，介绍公司在Agentic AI领域和Vera Rubin机架最新进展，以及Vera CPU等硬件平台与AI PC等技术前沿应用。黄仁勋表示，芯片制造商Marvell注定会成为万亿美元市值的公司。此话一出，Marvell股价单日飙升逾32%，创下三年来最大单日涨幅，市值从周一约1920亿美元跃升至逾2540亿美元。 6月2日，韩国SK集团董事长宣布，旗下存储芯片子公司SK海力士计划在未来五年内将晶圆产能扩大一倍，以应对全球人工智能基础设施建设带来的内存芯片持续短缺。他表示， 全球存储芯片供应缺口可能持续至2030年，公司正加大资本支出以弥合供需失衡。 而得益于AI驱动的需求持续性，高盛此前上调了SK海力士和三星电子2028年的营业利润预测，将SK海力士2028年的营业利润预测上调24%，三星电子上调23.3%。部分分析师认为，AI热潮正在重塑传统上具有强烈周期性特征的内存行业。 此外，据市场消息，近日首届集微存储论坛近期在上海张江举行， 会议披露2025年至2027年存储芯片供需比整体处于供不应求状态，端侧推理算力需求正重塑利基型存储市场格局。2027年被与会嘉宾视为观察存储芯片价格趋势的转折之年。 后市预期方面，据日本共同社报道，世 界半导体贸易统计协会（WSTS）2日发布报告显示，受人工智能（AI）相关需求激增带动，今年全球半导体行业市场规模预计将同比增长89.9%，达到1.51万亿美元，创历史新高。 从产品结构来看，其预计存储芯片将成为增长最强的领域，预计规模将增至8039.41亿美元，约为此前水平的3.5倍，主要受AI服务器需求拉动。 此外 ，2027年，WSTS预计2027年全球半导体市场将继续增长26.6%，达到1.91万亿美元。 在通胀压力延续及地缘政治风险等不确定性仍存的背景下，AI相关投资预计保持活跃，通用服务器、工业及汽车等领域需求也有望稳步增长。 机构评论 国泰海通证券表示，在AI存储需求攀升、原厂产能倾斜、下游客户积极锁定长协供应的背景下，行业景气度持续向上。存储板块核心交易逻辑将从涨价/跌价预期的景气度博弈转向基于盈利确定性的重新定价，估值有望从周期峰值估值切换为具备长约支撑和现金流可见度的AI基础设施优质资产定价，推动行业估值中枢上行。 美银证券也提到，AI基础设施建设仍处于早期阶段。随着AI应用从云计算厂商逐步向企业客户、政府机构以及主权AI项目扩散，到2030年全球AI基础设施投资规模有望从目前约1万亿美元，进一步扩大至3-4万亿美元。在这一背景下，AI数据中心、存储器、半导体设备以及模拟芯片行业都将迎来新的增长机遇。

大宗商品市场的核心矛盾，正在从“价格是否已经涨多”，转向“库存还能遮掩供需缺口多久”。中泰证券认为，市场可能低估了美伊冲突对油、铜、铝供需的滞后影响；国泰海通证券则强调，金属行情将进入调整后的结构性主升阶段，关键不在全面上涨，而在重新筛选供给受限、需求仍有增量的品种。 中泰证券刘洋等在6月2日发布的有色金属周报中称，当前市场存在两个假象：一是美伊冲突未导致油、铜、铝等大宗商品出现大规模供需缺口，二是商品价格上涨动能或已衰竭。该机构认为，进入6月后，随着外交持续陷入僵局、核问题分歧难以弥合以及军事摩擦升级，市场或迎来“变盘时刻”。 最直接的信号来自库存和现货升水。 中泰证券称，全球石油库存或将降至2017年以来的低位，LME铝现货升水已升至95美元/吨，超过2022年3月纪录，接近20年来高位。铜端则面临矿端扰动、冶炼费用下行和需求结构改善的共同影响，价格大幅下跌空间受到限制。 国泰海通证券李鹏飞的金属行业中期策略给出另一条主线：金属行情分歧正在扩大，黄金看央行购金、ETF回流和美国利率路径，铜看电力、AI数据中心和美国供应链政策，铝看电解铝利润与新能源需求，稀土、钨、锡、钴更偏供给约束交易。 换言之，所谓“变盘”不是所有金属同步上涨，而是库存、政策和需求共同推动的结构性重估。 市场低估的不是冲突本身，而是库存缓冲消失后的再定价 中泰证券认为，上周美伊谈判前景反复摇摆：特朗普称与伊朗谈判进展顺利，随后伊朗谴责美国违反停火协议，白宫又否认伊朗媒体曝光的备忘录。尽管正式协议仍未达成，市场交易却已经偏向停火落地的情景。 这构成预期差。冲突没有立刻引发大宗商品断供，并不意味着供需矛盾不存在。中泰证券指出， 冲突前中东生产的部分铝材刚运抵美国，使铝的真实紧张被库存掩盖。随着库存缓冲垫持续消耗，油、铜、铝的供需缺口可能从预期进入现实定价。 这种定价通常不是线性的。库存充足时，地缘风险可能被市场快速消化；库存下降后，同样规模的供给扰动会被现货升水、加工费和区域价差放大。LME铝现货升水创近20年高位，正是这一过程的早期信号。 铝：升水先发警报，出口需求带来量价弹性 铝是两家研报交集最明显的品种之一。中泰证券认为， LME铝现货升水持续走高，表明欧洲市场铝供需持续趋紧。 截至2026年5月28日，LME铝现货升水为95美元/吨，或创2007年1月25日以来近20年新高。 国内出口也在强化这一逻辑。海关总署数据显示，中国4月铝出口已明显增长。中泰证券统计，截至2026年4月，未锻造铝及铝材累计出口205万吨，同比增加9.04%，环比增加40.41%。该机构认为，国内电解铝及铝加工企业出口或迎来量价齐升。 国泰海通证券则从产业链角度补充，铝土矿和氧化铝不再是最紧环节。2026年铝土矿港口库存逐步提升，1月至4月进口铝土矿对外依存度为79%，几内亚进口铝土矿同比增长18.9%。 氧化铝产能利用率下降、价格维持低位，显示上游原料端紧张已经缓和。 真正的弹性在电解铝和新需求。国内电解铝运行产能和产能利用率仍处高位，吨铝利润表现出韧性。中东地区电解铝建成产能合计713.6万吨，产量700.5万吨，也显示海外低成本产能已有较高利用。需求端，地产链条仍是拖累项，但新能源汽车、太阳能新增装机、储能系统正在带来新的用铝场景，包括电池铝箔、外壳、电池托盘、连接件、液冷板、电缆和储能集装箱。 铜：矿端收紧限制下跌，AI和电网重塑需求曲线 铜的逻辑更复杂。短期看，宏观变量仍在压制铜价。中泰证券称，美国通胀预期抬升、加息预期升温和美债利率走高，可能使铜价维持震荡。 但供给端正在提供支撑。中泰证券数据显示，本周中国铜冶炼厂粗炼费TC降至-106.2美元/千吨，环比下降24.17%，精炼费为-10.62美分/磅。硫磺价格维持历史高位，硫酸价格上涨可能向海外铜冶炼端传导，加剧边际减产担忧。智利主力铜矿3月整体产量同比下降，秘鲁发布《能源危机紧急法令》，赞比亚一季度铜产量同比减少4.27%。 国泰海通证券将铜定义为从周期金属向政策金属切换。 美国关税和供应链政策正在改变铜的定价框架。自2025年8月1日起，半成品铜及“高强度铜衍生品”被征收50%关税，精炼铜目前主要受15%的全球临时关税覆盖。研报假设，如果到2026年中美国国内产能恢复不明显，2027年1月1日起可能启动精炼铜阶梯关税，第一阶段15%，2028年升至30%。 更重要的是，铜被纳入关键矿产和数据中心供应链讨论。商务部评估对象包括AI数据中心相关铜母线和液冷系统组件。铜不再只是建筑、家电和传统工业金属，而是电力基础设施和AI硬件的一部分。 供需表显示，铜几乎没有冗余。国泰海通证券预计，全球精炼铜供给将从2025年的2853万吨增至2026年的2922.9万吨、2027年的3071.9万吨、2028年的3211.7万吨；全球用铜量则从2025年的2855万吨增至2026年的2947万吨、2027年的3072万吨、2028年的3200万吨。2025年至2027年供需几乎贴着平衡线运行。 需求结构也在换挡。电力用铜占比预计从2025年的45.48%升至2028年的47.56%；数据中心用铜量从2025年的31.55万吨增至2028年的68.94万吨，占比从1.11%升至2.15%。建筑用铜、家电用铜则继续下行。 黄金：利率仍重要，但已不是全部定价变量 黄金的定价也在发生变化。中泰证券认为，利率不是黄金定价的全部。自美伊冲突以来，黄金受流动性冲击影响，短期与原油呈现明显负相关。一些国家面临短期财政压力，被迫变卖储备黄金换取流动性；但人民银行3月在金价明显下行时增加购金量，为金价中长期上行提供支撑。 美国通胀预期上行导致市场对年内美联储降息预期下降，黄金的金融属性短期承压。但中泰证券认为，中期看，黄金的商品属性仍将受益于通胀上行，美元储备货币价值的不确定性也使黄金货币属性继续被重估。 国泰海通证券的数据进一步显示，黄金的支撑已经不只来自降息交易。 2025年黄金总供应量为5002吨，需求端同样为5002吨。金饰制造需求从2024年的2027吨降至2025年的1638吨，高金价压制消费；但投资需求从2024年的1181吨跃升至2175吨，其中黄金ETF及类似产品从2024年的-6吨转为2025年的801吨。 央行和官方机构购金仍处高位。2022年、2023年、2024年分别为1082吨、1051吨、1089吨，2025年预计降至863吨，但仍明显高于2010年至2021年多数年份水平。国泰海通证券认为，ETF重新流入和央行购金正在抬高金价底部。 小金属：供给约束比需求爆发更关键 国泰海通证券认为，更有价格弹性的部分在稀土、钴、锡、钨和锂。这些品种的共同特点是市场规模相对较小，供给约束更硬，一旦需求上修或库存下降，价格反应往往更大。 稀土的关键不是单一需求爆发，而是配额增速下降。2021年至2023年，国内稀土矿配额增速分别为20.0%、25.0%、21.4%，冶炼分离配额增速分别为20.0%、24.7%、20.7%。到2024年，稀土矿开采配额增速降至5.9%，冶炼分离配额增速降至4.2%。2025年，稀土进口量同比下降。 需求端仍在增长。中国新能源汽车对钕铁硼需求量预计从2025年的69148吨增至2026年的84866吨、2027年的103008吨；工业机器人对钕铁硼需求量从2025年的18817吨增至2026年的28226吨、2027年的40927吨。供需平衡表显示，中国氧化镨钕供需平衡预计2025年为-2917吨，2026年为-3306吨，2027年扩大至-9664吨。 锡的短缺更连续。全球锡供需平衡从2025年至2028年分别为-1.76万吨、-1.77万吨、-1.27万吨、-1.53万吨。缺口绝对规模不大，但连续四年为负，足以让价格保持敏感。 钨仍处偏紧状态。全球原钨供需平衡预计2025年为-4598吨，2026年为-2538吨，2027年才转为976吨的小幅过剩。钴的约束更强，刚果（金）占全球钴产量约76%，该国已实施出口配额制度，将2026年至2027年年度钴出口总量上限设为9.66万金属吨，较2024年实际供应量缩减约55%。 锂则从过剩转向小幅短缺。国泰海通证券预计，全球锂供需平衡从2025年的+9.67万吨LCE，转为2026年的-1.10万吨LCE、2027年的-1.77万吨LCE。储能是最大变化项，储能电池需求预计从2025年的600GWh增至2026年的990GWh、2027年的1238GWh。 不是所有金属都进入主升，镍和普通钢材仍有压力 两家研报的共同指向，并不是全面看多所有金属。国泰海通证券明确指出，镍仍是供需表里最不舒服的品种。即便矿端配额收紧，原生镍供需仍显示过剩。2025年原生镍总供应为379万吨，总需求355.2万吨，过剩23.9万吨；2026年供给386.8万吨，需求364.3万吨，仍过剩22.5万吨。 钢铁也不是总量行情。粗钢表观消费仍承压，普通建筑链条不是主要亮点，中高端制造用钢更值得关注。国泰海通证券认为，钢铁筛选标准较窄，重点在高端钢材、有业绩、有分红、具备行业引领性的钢企。 这也意味着，当前有色和大宗商品交易的重点不是追逐单一宏观叙事，而是区分三类资产： 第一类是库存缓冲快速消耗的油、铜、铝，第二类是央行和ETF支撑的黄金，第三类是供给约束突出的稀土、锡、钨、钴等小金属。 变盘更像结构性重估，而非普涨行情 中泰证券的“变盘时刻”强调短期预期差：市场按停火和供应稳定定价，但库存、升水和矿端扰动显示，油、铜、铝的供需紧张可能正在显性化。 国泰海通证券的“迎接调整后的主升”强调中期筛选：谁的供给被政策、资源、配额卡住，谁的需求还能被AI、电力、新能源、核电、储能拉动，谁就更容易进入主升阶段。 对投资者而言，关键不是判断大宗商品是否整体上涨，而是判断价格上涨能否留在企业利润表中。铝看现货升水、出口需求和电解铝利润；铜看矿端资源、TC变化、电网和AI需求；黄金看央行购金、ETF回流和美国利率路径；小金属看配额、出口限制和连续短缺。

与马斯克相关联的一家空壳公司近期在休斯顿郊外大规模收购土地，或在为投资规模高达550亿美元的"Terafab"半导体工厂选址。该项目由SpaceX与特斯拉联合推进，旨在为马斯克旗下人工智能与机器人业务提供芯片支撑。 根据房产记录，这家名为WIT Tech LLC的有限责任公司已在德克萨斯州格兰姆斯县（Grimes County）收购至少六块土地，总面积逾6000英亩，约合近10平方英里。 与此同时，格兰姆斯县将于本周二和周三连续召开特别会议，就SpaceX的税收减免协议及经济发展协议举行公开听证。 该工厂的落地，与SpaceX近期筹备上市的进程高度重叠。据报道，SpaceX目标估值至少达1.8万亿美元，有望创下史上最大规模IPO纪录。项目的推进与资本市场的高度关注，正将这片人口仅约3.4万的德克萨斯农业县推至聚光灯下。 WIT Tech：与马斯克核心圈层紧密相连 尽管马斯克本人未出现在相关文件中，多条线索将WIT Tech与其旗下企业体系直接串联。 据WIT Tech提交给怀俄明州务卿的最新年报，该文件由马斯克的核心助手Jared Birchall签署；公司注册邮寄地址位于加州帕洛阿尔托，与SpaceX旗下子公司xAI的办公室地址相同。 多份德克萨斯州的土地交易文件还显示，xAI总法律顾问James Burnham以WIT Tech授权代表身份出现。 550亿美元"Terafab"：从芯片到机器人的宏大布局 马斯克于今年3月首次披露这一被称为"Terafab"的芯片工厂计划，称其为SpaceX、特斯拉与xAI的联合项目，核心目标是满足人工智能与机器人业务对算力的大规模需求。 上月在格兰姆斯县提交的公告显示，该工厂初期投资估算不低于550亿美元；若后续阶段全部落地，总资本投入或升至1190亿美元。 英特尔已于今年4月加入该项目，预计将在芯片设计、制造及封装环节提供技术支持。 据规划，工厂将生产两类芯片：一类用于特斯拉Optimus人形机器人及电动汽车，另一类专为太空应用场景设计。 格兰姆斯县：机遇与疑虑并存 格兰姆斯县位于休斯顿西北约60英里，以畜牧业为主，常住人口约3.4万。在地方官员就潜在优惠政策密集磋商之际，部分居民对项目的不透明程度表达了不满。 "我们希望能清楚地了解这个项目是什么，以及它将如何影响我们的县，因为我们掌握的信息远远不够，"拥有140英亩牧场的牧场主Joseph Reznicek在电话采访中表示，"我们至今没有得到任何明确说明或透明信息。" 格兰姆斯县专员法院将于周二举行特别会议，就与SpaceX的经济发展谈判进行讨论；周三将进一步举行公开听证，议题包括设立SpaceX再投资区、拟议中的房产税减免协议，以及SpaceX与格兰姆斯县之间的经济发展协议。

三星电子在Computex 2026展会上首次公开第八代高带宽存储器HBM5原型，标志着这家韩国芯片巨头在AI存储市场的产品布局持续提速。在存储价格全面走高的背景下，市场对韩国存储厂商今年盈利的预期已大幅上调。 三星电子首席技术官Song Jae-hyuk在展会上表示，随着AI系统日趋复杂，从存储、晶圆代工到逻辑芯片与封装的全价值链竞争力愈发关键。 HBM5的核心技术亮点是名为Heat Path Block（HPB）的热管理创新，通过在半导体晶圆之间引导热量流动，有效缓解高密度堆叠芯片中的热量积聚问题，从而提升性能稳定性与运行可靠性。 在HBM4E层面，三星已于5月下旬率先向全球主要客户发货12层HBM4E样品，成为业内首家出货该产品的厂商。HBM4E引脚传输速度稳定在14Gbps，可扩展至16Gbps，较HBM4提升逾20%，每堆栈带宽达3.6TB/s，容量48GB，较上一代增加逾30%。 通用DRAM价格大幅上涨显著强化了三星和SK海力士的HBM定价主导权，两家公司盈利预期随之大幅上调。摩根士丹利预测，三星今年全年营业利润同比增幅或达464%，SK海力士增幅约280%。 HBM5：热管理突破与先进工艺路线 三星此次展出的HBM5原型以HPB热管理技术为核心创新点。随着AI模型运算需求持续攀升，存储带宽随之提升，密集堆叠芯片中的热量积聚问题日益突出，直接威胁芯片的性能表现与使用寿命。三星表示，HPB技术通过在半导体晶圆之间引导热量，将其从关键区域疏散，从而改善整体运行稳定性。 该技术已在HBM4E平台完成验证，计划随HBM5正式商用。 Song Jae-hyuk表示，具体推进节奏将视客户需求而定，不排除提前商用的可能。在工艺层面，HBM5计划引入三星第六代10纳米级DRAM制程（1c DRAM）及2纳米逻辑工艺节点。 Song Jae-hyuk进一步指出，HPB技术的实现需要对芯片架构多个层次进行重新设计并协同整合，三星作为集存储、晶圆代工与封装于一体的综合半导体制造商，具备其他厂商难以复制的跨环节协同优势。此外，三星正准备成为业内首家部署混合铜键合（hybrid copper bonding）先进封装技术的厂商，该技术可进一步提升散热效率与芯片性能，相关样品已向多家客户提供。 HBM4E：速度与容量双升级，量产在即 在HBM5技术展望之外，三星此次在Computex展会上同步展示了HBM4E平台的晶圆及芯片组。展会信息显示，该产品引脚传输速度达14Gbps，带宽最高可达4TB/s，核心芯片采用1c DRAM制程，逻辑基底芯片则由三星晶圆代工以4纳米工艺制造。 三星5月29日公告显示，此次交付的12层HBM4E样品能效较上一代提升16%，热阻特性改善逾14%，有助于在高负载数据中心场景中延长可靠性并降低能耗。HBM4E与HBM4共用核心技术路径，旨在提升制程稳定性与良率。三星存储开发部门执行副总裁Sang Joon Hwang表示，HBM4E再次体现了三星的技术差异化优势，公司将持续推动全球AI存储市场增长。 在产品线规划上，三星除现有12层48GB版本外，后续还将推出32GB（8层）与64GB（16层）版本，以覆盖不同客户需求，量产节奏将根据客户时间表推进。 存储价格全线上涨，韩国厂商盈利有望创历史新高 三星在AI存储技术端积极布局的同时，整体存储市场价格走势也为其提供了有力支撑。市场认为，通用DRAM价格大幅上涨后，其收益性已接近HBM水平，三星和SK海力士均无需依赖HBM冲量维持营收，得以在价格谈判中保持强硬立场。 三星采取审慎的产能分配策略，并未将DRAM产能过度转移至HBM，这一做法进一步支撑了HBM高价格区间的维持。据报道，三星HBM4的谈判价格已在700美元左右，较上一代HBM3E高出20%至30%。 HBM、通用DRAM及NAND闪存价格同步走高，为韩国存储厂商带来全面盈利改善预期。摩根士丹利预测，三星电子今年全年营业利润将达约245.7万亿韩元，同比增幅达464%；SK海力士全年营业利润预计约179.4万亿韩元，同比增幅约280%，两家公司的业绩改善预计将贯穿全年。

SK海力士宣布大规模扩产计划，将在未来五年内将晶圆产能翻倍，以应对全球人工智能基础设施建设带来的内存芯片持续短缺。 SK集团董事长崔泰源（Chey Tae-won）周二在台北出席Computex大会期间向记者表示， 全球存储芯片供应缺口可能持续至2030年，公司正加大资本支出以弥合供需失衡 ，但未披露具体投资金额。此番表态是他今年3月警告全球晶圆短缺或将延续至2030年后的最新确认。 这一扩产计划对市场影响显著。上周，SK海力士市值首次突破1万亿美元，与三星电子及美光科技同步跻身万亿美元俱乐部，三家公司共同主导全球内存市场。 投资者和分析师普遍预计内存短缺将持续至2027年 ，这赋予了内存芯片制造商对全球最大科技公司罕见的定价权。 AI需求重塑传统周期性行业 内存芯片是AI服务运行所需大量数据的存储与传输核心组件，已成为人工智能发展的主要瓶颈之一。以Meta Platforms为代表的超大规模云服务商在数据中心建设上的数万亿美元预期投入，直接推动了SK海力士与美光市值的历史性突破。 高盛将SK海力士和三星电子2028年营业利润预测分别上调24%和23.3%， 至454万亿韩元（约合2996亿美元）和610万亿韩元，理由是AI驱动的需求具有持续性。部分分析师认为，AI热潮正在重塑传统上具有强烈周期性特征的内存行业。 SK海力士领跑HBM市场，寻求深化合作 在高带宽内存（HBM）这一AI芯片关键细分市场，SK海力士目前占据主导地位。据Counterpoint Research数据，今年第一季度SK海力士在全球HBM市场的份额达58%，三星和美光各占21%。 崔泰源表示，希望SK海力士能够成为英伟达Vera Rubin系统的主要HBM供应商。他同时指出，公司需要拓展更多合作伙伴关系，而不仅限于全球最大晶圆代工厂台积电。此次Computex大会汇聚了包括英伟达在内的全球顶尖科技公司高管，崔泰源的上述表态进一步凸显了寻求与合作伙伴深化合作。

AI推理工作负载的爆炸式增长，正将铠侠（Kioxia）从一家饱受周期困扰的闪存制造商，重塑为数据中心基础设施的核心供应商。 在6月2日举行的投资者日上，铠侠宣布将推行累进股息政策，这是公司上市以来首次作出分红承诺。与此同时，公司披露第十代BiCS FLASH闪存样品将于今夏开始交付，并规划FY26至FY28年均资本支出约4700亿日元，较FY25大幅提升。 首次分红的消息打开了新的投资者群体大门——对持仓股票有分红要求的机构投资者及日本散户将可纳入铠侠。据彭博报道，自2024年底上市以来股价表现平平的铠侠，因AI行情逆转，股价在过去一年累计涨超30倍，公司已于FY26第一季度实现净现金头寸，公司Q1运营利润率指引高达74%。 AI推理需求引爆，首次分红打开机构入场通道 铠侠将此次分红政策定性为"累进股息"，即在可持续的基础上逐步提升派息，但尚未披露具体金额。公司表示，股东回报将与多年累计自由现金流挂钩，并依据经营环境灵活调整，超额回报部分将考虑额外分配方式。 推动这一决策的核心逻辑是需求结构的根本性改变。据Tech Insights数据，数据中心闪存需求规模预计从2025年的295EB跳升至2028年的1807EB，其中AI推理需求占数据中心增量的86%，年均复合增速高达46%。供需方面，整个FY27供需格局预计持续偏紧，闪存均价随之上行。 铠侠表示，AI智能体（Agentic AI）与物理AI（Physical AI）的兴起，正驱动推理工作负载呈指数级扩张，带动存储需求从消费端向数据基础设施端加速迁移。公司目标是在FY28年前将数据中心营收占比提升至60%以上。 第十代BiCS FLASH今夏交付样品，CBA技术领先行业四年 技术层面，铠侠将第十代BiCS FLASH（Gen.10）定位为其核心竞争利器。公司披露，Gen.10采用332层堆叠的1Tb TLC设计，样品出货目标定于2026年夏季，量产爬坡随后启动。 与上一代BiCS FLASH Gen.8相比，Gen.10位密度提升59%，接口速度提升33%，读取吞吐量提升逾15%，写入吞吐量提升逾30%，读取功耗效率改善逾40%，写入功耗效率改善逾30%。 在层数选择上，铠侠选择332层而非业界部分竞争对手追求的400层以上方案。公司测算显示，与400层以上方案相比，332层设计在GB成本上低约23%，功耗效率优约10%，单元可靠性亦高出约35%，综合效益更为突出。 铠侠的另一项技术优势在于CBA（CMOS直接键合阵列）技术的提前量产导入。公司估计，其CBA技术的商业化应用领先美国及韩国同业约四年，预计到2029年，铠侠将率先实现4.8Gbps接口速度，而其他主要厂商届时仍处于3.6Gbps阶段。铠侠表示，这将支撑其未来持续向市场供应性能领先的高端产品。 年均资本开支4700亿日元，研发投入大幅扩张 在资本配置上，铠侠规划FY26至FY28年均资本支出约4700亿日元，较FY25实际资本开支283.7亿日元（约合FY26开支450亿日元，同比增约60%）显著提速。支出重点涵盖Gen.10量产爬坡、下一代制程基础设施建设及后段制程强化。 研发投入方面，公司同期年均研发预算约230亿日元，较FY25提升约63%，聚焦BiCS FLASH Gen.10/Gen.11开发、超高IOPS固态硬盘及OCTRAM等新型存储器件。 铠侠同时设定了严格的投资纪律：资本开支须通过高于加权平均资本成本的门槛收益率才予批准。公司披露，截至FY26第一季度，最近12个月ROIC已升至31%，显著高于FY25的18%，资产效率持续改善。 SSD产品矩阵对齐AI推理架构，数据中心战略加速落地 在产品端，铠侠围绕AI推理系统的多元需求，构建了差异化SSD产品组合：面向KV缓存场景的高带宽CM系列（TLC闪存）、搭载XL-Flash的超高IOPS GP系列（兼容NVIDIA Storage-Next架构），以及采用BiCS FLASH Gen.8 2Tb QLC、最大容量达245TB的高容量LC系列（已实现量产）。 公司首席战略官Junichiro Yaguchi指出，传统消费端市场呈现平稳或微降态势，资源将进一步向数据中心倾斜。首席执行官Hiroo Ota则强调，铠侠正从消费端周期驱动转向AI基础设施主导的稳定增长模式，多年期长期协议（LTA）的引入将增强营收可见性，降低盈利波动。 首席财务官Yoshihiko Kawamura在投资者日表示，公司目标是将股权比率提升至50%以上（目前约为38%），并在维持充裕流动性的基础上稳步提升股东回报。随着净现金头寸的确立及自由现金流持续扩张，铠侠的资本结构正经历实质性转型。

LG电子股价今年累计涨幅超过300%，从一家传统家电企业，蜕变为韩国市场最受瞩目的AI相关标的之一。 6月1日据媒体报道，LG集团会长具光谟（Koo Kwang-mo）将于6月5日与英伟达CEO黄仁勋会面，会谈预计聚焦于机器人与自动驾驶等实体AI领域的合作扩展。 消息传出后，LG电子股价连续第二个交易日触及30%的单日涨停板，今年股价已翻四倍。 NH驻首尔韩国现货股票主管Shawn Oh表示， 此次具光谟与黄仁勋的会面重点，在于拓展实体AI领域的合作，潜在受益范围可能覆盖LG Innotek、LG Uplus等多个关联公司。 这一轮涨势迅速蔓延至整个LG系。周一LG CNS单日最大涨幅达29%，LG Corp.上涨26%，LG Innotek涨23%，LG Uplus涨17%，各家公司股价均创历史新高。 韩国Meritz证券分析师Soowook Hwang在研报中对此轮行情给出了更宏观的解读。他写道： 黄仁勋此行与其说是一次单次企业会面，不如说是一个信号——韩国将在英伟达全球AI基础设施扩张战略中扮演何种角色。 市场重新定价的，不是谁来构建AI服务，而是谁将搭建运行AI所需的实体基础。 从家电巨头到AI新贵：LG电子的角色重塑 随着芯片股涨势过于凶猛，投资者正在寻找参与AI主题的新入口。实体AI，即以机器人、自动驾驶为代表的AI应用落地，正在成为资金轮动的新方向。 进入2026年后，LG电子在机器人与实体AI方向的加速布局，令其成为新一轮资金追捧的焦点。 在韩国去年的芯片驱动AI行情中，LG电子几乎完全缺席。 LG电子的前身是1950年代以"金星"（Goldstar）起家的家电企业，如今已发展成业务横跨多个领域的综合集团。 目前，LG电子已在实际应用层面接入英伟达生态，公司正使用英伟达的Omniverse平台进行智能工厂的数字仿真。 此前，英伟达高管、黄仁勋之女黄敏珊已于今年4月与LG电子总裁Lyu Jae-cheol会面，就合作细节展开磋商。

AI需求从GPU向CPU全面扩散，正在重塑全球存储芯片行业的基本面逻辑。 据追风交易台，摩根大通在最新研究报告中大幅上调全球存储市场规模预测，并维持对该板块的多年期看多立场，认为存储芯片正从传统的周期性大宗商品向AI基础设施的战略核心资产转型。 摩根大通将2026至2028年全球存储市场总规模（TAM）预测较3月模型上调37%至53%，预计2028年TAM将达1.7万亿美元。 其中DRAM市场收入预计从2025年的1430亿美元跃升至2026年的6360亿美元，再于2028年达到1.237万亿美元；NAND市场收入同期预计从710亿美元增至4545亿美元。 摩根大通预计， 供需缺口将在2027年进一步扩大，理论上为DRAM及NAND价格提供额外上行空间，但长期协议（LTA）合同销售占比的提升将令价格走势趋于稳定。 上述预测的核心驱动力在于：CPU算力需求的爆发式增长为原本以GPU为主导的AI存储需求叙事注入了新变量，而存储芯片在云服务商（CSP）硬件资本开支中的价值占比已从AI浪潮初期的十几个百分点攀升至今年预计超过50%。摩根大通指出，这一结构性转变正推动市场重新审视存储股的估值框架。 CPU需求爆发，存储需求驱动力全面拓宽 摩根大通报告指出，AI算力需求正从GPU向CPU加速扩散，成为本轮存储上行周期的最新催化剂。1Q26财报季的最大超预期之处，正是CPU需求的强劲表现——CPU承担着AGI系统中任务编排、状态管理及API执行等关键控制层功能。 具体来看，NVDA指引2026年独立Vera CPU销售额达200亿美元；AMD将服务器CPU市场规模增速预测从此前的18%大幅上调至每年35%以上，预计到2030年市场规模将达1200亿美元；INTC则预计CPU与GPU的配比将从约1:8收窄至1:4，并暗示随着智能体AI计算需求持续增长，两者最终将趋于平衡。 从存储行业视角看，GPU与CPU的配比持续下降——从2023年的5.4:1降至2025年的3.2:1，摩根大通预计2028年将进一步收窄至2.4:1——这一趋势将显著拉动AI服务器内存需求。摩根大通将2026至2028年服务器内存需求预测上调5%至22%，并强调2027至2028年上调幅度中逾60%来自AI服务器（AI头节点及AI独立CPU）需求的增量贡献。据此，AI服务器内存需求（不含HBM）在2027至2028年将占DRAM总需求的30%以上，而此前预测仅为14%。 HBM供需持续偏紧，ASP上行空间打开 高带宽内存（HBM）市场的供需格局同样持续收紧。摩根大通将2026至2028年HBM市场规模预测上调17%至21%，预计HBM供需缺口将贯穿整个2028年，缺口比例维持在两位数百分比水平。 需求端，NVDA Blackwell GPU出货量上调至2026/2027年的890万/990万颗（此前预测为750万/760万颗）；谷歌TPU单元假设上调至2026/2027年的450万/800万颗；亚马逊Trainium出货量亦有所上调。ASIC出货量预计将于2027年超越商用GPU。 定价方面，摩根大通预计2027年混合HBM均价将同比上涨32%，创历史新高，主要由HBM3E及HBM4价格分别上涨19%和15%驱动，而HBM4E因供应链极度紧张，定价较HBM3E溢价高达61%。HBM占DRAM晶圆产能的分配比例预计将从2026年的24%提升至2028年的31%，进一步加剧传统DRAM的供需压力。 三星方面，摩根大通将其在NVDA客户中的HBM4市场份额上调至2026年约高十几个百分点（HBM4相关钱包份额约31%），认为三星在HBM4认证进度上领先竞争对手，并已开始出货12层48GB HBM4E样品用于认证测试。 存储成为CSP战略资产，估值框架面临重构 存储芯片在AI计算体系中的战略地位正发生根本性转变。摩根大通援引Micron CEO的表态指出，存储正在成为一种战略资产，稳定采购对于AI服务的高速、高质量运营至关重要。 数据显示，存储在CSP硬件资本开支中的占比从AI浪潮初期的十几个百分点大幅攀升，预计今年将超过50%，2030年有望达到73%。与此同时，摩根大通预计存储行业营业利润率将在2026至2028年稳定在75%至77%的历史高位，远超2025年的30%。 然而，摩根大通也坦承，存储股目前仍以折价于盈利的估值水平交易，主要原因在于投资者对存储价值份额能否持续提升存有疑虑。报告认为，更高的CSP硬件资本开支以及NVDA对2030年3至4万亿美元支出前景的更多佐证，将有助于缓解市场对存储盈利可持续性的担忧。摩根大通指出，AI已带来全新的需求结构，传统的周期性估值框架已不再适用，新的估值方法势在必行。 企业级SSD引领NAND扩张，供给纪律支撑价格 NAND市场方面，企业级固态硬盘（eSSD）正成为市场扩张的核心驱动力。摩根大通预计2026年eSSD市场规模将超过500EB，占NAND总需求的43%，并预计未来两年将以52%的复合年增长率扩张至逾1100EB。考虑到ASP溢价，eSSD价值TAM在未来两年有望超过3000亿美元，规模将超过HBM市场。 供给端，NAND资本开支仍低于历史峰值水平，SLC需求的增加进一步支撑供需平衡。摩根大通预计NAND三年累计资本开支为860亿美元，主要用于技术迁移，新建产能影响最早于2028年下半年显现。相较DRAM，NAND在头部厂商中的资本开支优先级相对较低，但已出现2029年新建产能项目的早期迹象。 资本开支加速，中国竞争格局持续演变 面对多年供需短缺前景，存储厂商正加速扩大资本开支。 摩根大通预计未来三年全球存储资本开支合计约4500亿美元，较2025年12月模型的3000亿美元大幅上调。 其中DRAM三年累计资本开支约3640亿美元，60%的增量产能分配给HBM；NAND三年累计资本开支约860亿美元。EUV设备采购及基础设施建设是当前的主要瓶颈。 中国厂商方面，DRAM市场份额预计从2025年的6%提升至2028年的8%至11%，NAND市场份额从12%提升至12%至16%，产能扩张速度高于行业平均水平。 但受制于产品结构偏低端，价值份额增长空间有限，预计2028年DRAM及NAND价值份额分别约为10%和12%。

美光科技股价首次收于1000美元上方，华尔街分析师随即上调目标价，理由直指AI需求持续扩张与存储芯片供给受限的双重逻辑。 美光股价周一收报1034.74美元， 创下历史性里程碑。 Raymond James分析师Melissa Fairbanks当日将目标价从530美元大幅上调至1100美元， 预计AI驱动的存储需求及供给紧张局面将延续至2027至2028年，支撑美光维持高价格水平。 Morningstar分析师William Kerwin向MarketWatch表示，美光股价突破1000美元这一整数关口本身，可能正在进一步激发投资者的热情。分析师密集上调目标价的动作，也印证了市场对美光后续上涨空间的普遍预期。 "存储需求越来越多，但没有任何竞争" Melissa Fairbanks在研报中指出，高带宽内存（HBM）芯片随着每一代图形处理器（GPU）的迭代而愈发复杂，这一趋势正在强化美光作为少数HBM供应商之一的市场地位。 她预计， AI需求旺盛与存储供给"受限"的格局大概率延续至2027至2028年，为美光维持高售价提供支撑。 上周，D.A. Davidson分析师Gil Luria更将目标价从1000美元上调至1500美元，理由是美光与SK海力士、三星几乎垄断了整个DRAM及高带宽内存市场。 Luria在研报中直言，他"没有意识到任何竞争正在到来"——新进入者若要切入这一市场，需要新建晶圆厂，建设周期长达两至三年，这一高壁垒为现有玩家提供了强有力的护城河。 与此同时，Stifel分析师Brian Chin称，英伟达即将推出的RTX Spark个人计算芯片， 将为美光带来额外的需求增量。 该芯片支持更高内存容量，效率亦优于普通PC处理器，美光内存芯片有望从中受益。 据华尔街见闻文章写道，英伟达宣布推出RTX Spark超级芯片，标志着其正式进军个人电脑处理器市场，RTX Spark预计于今年秋季发布，将为戴尔、惠普、联想及微软等厂商的台式机产品提供动力。

英伟达与LG集团深化物理AI合作的消息，正在引发韩国资本市场的强烈反响。 据彭博社周一报道，LG集团会长具光谟（Koo Kwang-mo）将于6月5日与英伟达首席执行官黄仁勋会面，双方会谈将聚焦于物理AI领域的合作拓展。受此消息提振，LG电子股价连续第二个交易日触及30%的每日涨停上限，今年以来累计涨幅已超过300%。 此次会面被市场视为英伟达将韩国纳入其全球AI基础设施扩张版图的重要信号。 LG集团旗下多只股票同步大涨，LG CNS单日最高涨幅达29%，LG Corp.上涨26%，LG Innotek上涨23%，LG Uplus上涨17%，多只个股创下历史新高。 芯片股涨势趋于饱和，资金寻找AI新标的 LG电子的强势表现，折射出市场对AI投资逻辑的再定价。 在芯片股涨幅已相当充分的背景下，投资者正积极寻找参与AI浪潮的替代路径，而机器人、自动驾驶等物理AI赛道正成为新的资金聚集地。 LG电子去年基本缺席了韩国以芯片为主线的AI行情，但今年以来股价已翻逾四倍。这一转变与黄仁勋大力推进物理AI业务的战略方向高度契合。 NH Investment & Securities韩国现金股票业务负责人Shawn Oh表示，黄仁勋与具光谟的会面将着眼于扩大物理AI领域的合作，“合作范围可能延伸至LG旗下多家子公司”，包括LG Innotek和LG Uplus。 LG与英伟达合作已有实质进展 LG集团与英伟达的合作并非空穴来风，双方此前已建立起实质性的业务联系。据报道，黄仁勋之女Madison Huang曾于今年4月与LG电子总裁Lyu Jae-cheol会面，就合作细节进行磋商，LG电子目前已在智能工厂数字仿真中采用英伟达的Omniverse平台。 LG集团的业务版图早已远超其1950年代以起家时的家电范畴，目前正积极拓展与英伟达的合作关系，致力于开发面向多种应用场景的机器人产品。 黄仁勋本周正身处亚洲，出席在台北举行的Computex科技展。 市场对此次会面的解读已超出单纯企业合作的范畴。Meritz Securities分析师Soowook Hwang在研报中写道："黄仁勋此行与其说是一次企业会面，不如说是一个信号——昭示韩国将在英伟达全球AI基础设施扩张战略中扮演何种角色。" 他进一步指出："市场重新定价的，不再是谁来构建AI服务，而是谁来搭建运行AI所需的物理基础设施。" 这一判断或许正是LG系股票此轮集体爆发的核心逻辑所在。