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  • 三星:明年HBM将占DRAM产能近30% 传统内存供应或进一步收紧

    三星电子高管预计,高带宽内存(HBM)在全球DRAM晶圆产能中的占比将持续攀升,对传统内存供应形成挤压,并推动整体内存价格进一步上行。 据路透社报道,三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示 ,HBM预计将在明年(2027年)占据全球DRAM行业晶圆总产能的近30%,高于目前约20%的水平。 Kim Taewoo同时指出, HBM与传统DRAM共用同一晶圆产能,HBM的持续扩张将进一步压缩传统DRAM的供应空间。 市场研究机构TrendForce预计,受AI服务器需求持续增长驱动,HBM与传统DRAM对先进制程及晶圆产能的竞争将延续,叠加次世代产品良率与产出爬坡需要时间,2027年内存市场供应料将维持偏紧态势。TrendForce已上调2027年HBM价格展望,预计混合平均售价(Blended ASP)将同比大幅跳升121%。 三星HBM产能扩张提速,HBM4系列主导出货 在公司层面,三星的HBM产能扩张力度同样不容小觑。据首尔经济日报援引业界估算,三星HBM晶圆月均投片量有望从今年约18万片提升至2027年的约25万片,增幅接近40%。 产品结构方面,随着HBM4E量产规模逐步扩大,HBM4系列产品预计将占三星明年HBM出货量的约80%,较今年约40%的占比大幅提升。这一结构性转变意味着更高单价产品在出货组合中的权重显著增加,将进一步支撑整体售价中枢上移。 HBM晶圆消耗效率是传统DRAM三倍,供应挤压效应被放大 HBM对传统DRAM供应的冲击,因其更高的晶圆消耗特性而被进一步放大。据集微网(ijiwei)数据,HBM消耗的晶圆面积约为传统DRAM的三倍——单颗HBM芯片所占用的晶圆面积,大致相当于生产3GB DDR5所需的面积。 这意味着,当HBM在DRAM产能中的占比从20%提升至30%时,传统DRAM供应实际受到的排挤幅度,可能达到该比例变化的两到三倍。对于依赖传统DRAM的消费电子、PC及服务器等下游市场而言,供应收紧的压力或将比表面数字所呈现的更为显著。 供应持续偏紧,2027年HBM价格展望大幅上调 产能结构性转移与需求持续旺盛,共同构成内存市场价格上行的核心驱动力。TrendForce指出,供应约束的持续性、HBM4等高价产品占比的提升,以及HBM4E在2027年下半年的逐步量产,均是推动价格预期上调的关键因素。 TrendForce已据此上调2027年HBM混合平均售价预测,预计同比涨幅达121%。在供应商层面,TrendForce亦注意到,各大内存厂商在2027年HBM定价谈判中普遍采取了更为强硬的立场,进一步印证了市场对供应偏紧局面的预期。

  • 三星电子2纳米良率接近60% 剑指台积电力争科技巨头订单

    三星电子代工事业部正加速推进2纳米制程良率提升,并将特斯拉订单作为打入大型科技客户的战略跳板。 9月28日,据韩国媒体ChosunBiz援引业内人士透露, 三星电子2纳米制程良率已从此前市场普遍认知的55%左右进一步改善,目前已接近60%水平。 在良率趋于稳定的背景下,三星正将工程资源集中投入到功耗与散热性能的优化工作,以期在与潜在大客户的技术谈判中建立信任基础。 与此同时,用于弥补现有制程性能短板的第二代2纳米工艺SF2P也在加速推进,目标今年内实现量产。 分析认为此举具有明确的战略指向: 以明年向特斯拉供应2纳米芯片为契机,全面打开大型科技公司订单的突破口。 良率接近60%,功耗效率成关键变量 根据报道援引业内消息,三星SF2制程良率的改善轨迹清晰: 去年年中约为30%,今年1月升至50%区间,8月前后达到55%左右,目前已逼近60%。 SF2是三星首款采用全环绕栅极(GAA)架构的2纳米量产制程,首款量产产品为自研移动应用处理器Exynos 2600,已搭载于年初推出的Galaxy S26系列部分机型,在京畿道华城S3产线生产。 三星在该芯片封装上采用了铜散热模块,使热阻降低30%。 然而,Exynos 2600上市后在部分海外测试中显示,执行相同任务时功耗高于高通骁龙最新产品,引发外界对制程能效的质疑,部分观点认为这反映出SF2制程本身的局限性。 针对上述问题,三星已在准备第二代2纳米制程SF2P,目标今年内量产。据悉,SF2P相较SF2性能提升12%,功耗降低25%,芯片面积缩小8%。 三星目前的工程重心,在于确保量产阶段产品性能的一致性。具体而言,是要将芯片装入客户产品后的散热与功耗偏差控制在可接受范围内。这一能力将成为三星与大型芯片设计公司(Fabless)谈判时的核心技术背书。 台积电霸占龙头,三星与英特尔争夺第二 目前全球先进制程代工市场呈现明显的"一超两强"格局。 台积电凭借苹果、AMD、英伟达等核心客户,在今年第二季度录得72.5%的市场份额,而三星代工的份额仅为5.9%,两者差距进一步扩大。 台积电2纳米晶圆价格已稳定在约3万美元,较3纳米(约2万美元)高出50%,且对大客户亦维持"不折扣"原则。业内人士普遍认为,台积电2纳米产能已预订至2028年。 英特尔方面 ,其2纳米级制程18A已在美国亚利桑那州Fab 52量产,所生产的Panther Lake处理器帮助英特尔在AI PC市场占据56%份额,在自有产品线上取得一定成果。 但18A在外部客户招募方面尚无明显进展,据悉英特尔内部倾向于将外部客户突破的希望寄托于计划于2027年后量产的下一代14A制程。 在此背景下,业内普遍预期市场格局将呈现台积电主导、三星与英特尔争夺第二梯队的竞争态势。对于三星代工业务的盈亏平衡节点,市场主流观点认为须与德克萨斯州Taylor晶圆厂的产能利用率联动观察。 一位半导体行业人士表示: 良率接近60%,以及功耗优化工作的启动,是有意义的反弹信号。 但同时指出: 与台积电的市场份额差距过大,要实现真正的市场格局转变,仍需要更多时间。

  • AI需求催化台积电加速扩产 2纳米月产能年底冲刺12万片

    AI芯片军备竞赛正在重塑全球最先进晶圆产能的扩张节奏。 据中国台湾媒体《经济日报》9月28日消息,苹果、英伟达、AMD、高通、联发科等科技巨头近期集体追加台积电2纳米家族产能预订,增幅达 10%至20% 。受此驱动,台积电大幅提速2纳米扩产计划, 今年底月产能目标直指12万片 ,较市场此前预估的9万至10万片大幅超出,且相当于将原定2027年的产能目标提前两年实现。这一扩张速度已被台积电官方确认为史上最快。 台积电资深副总暨副共同营运长侯永清在今年台积电北美技术论坛披露,为应对AI等强劲需求, 今年将首度同时有五座2纳米厂同步放量 ,涵盖新竹两座、高雄三座。他同时指出,2纳米第一年晶圆产出将较2023年3纳米第一年产出增加 45% ,2026年至2028年2纳米产能年复合成长率将高达 70% 。 与此同时, 台积电3纳米产能扩张亦在同步推进。 南科3纳米今年第四季月产能将接近18万片,并在中国台湾、美国亚利桑那州及日本新增三座3纳米晶圆厂,全面布局全球先进制程供应链。 客户追单踊跃,2纳米扩产进度大幅超前 市场原本预估,台积电2纳米家族今年底月产能约为9万至10万片,2027年在持续双位数成长下方可达到11万至14万片区间。然而,据报道,业界消息人士透露,由于苹果与非苹客户群需求强劲, 台积电2纳米家族新产能开出速度与规模均创历史纪录,远超3纳米家族第一年的产能爬升速度 。 此番追单的客户阵容涵盖AI芯片与高速运算(HPC)领域的核心玩家——苹果、英伟达、AMD、高通及联发科,追加预订幅度介于10%至20%之间。报道称,台积电一贯不评论客户信息与市场传闻,但侯永清在北美技术论坛的公开表态已从官方层面印证了这一扩产加速的事实。 据报道,业界分析指出,台积电大举扩充2纳米家族产能,对于上述需要大规模且稳定先进制程晶圆制造支援的客户而言至关重要,有助于锁定供应链安全并支撑各自的AI产品路线图。 五厂同步放量,2纳米爬坡速度史上最快 据报道,侯永清在北美技术论坛的表态是迄今最为明确的官方扩产信号。 今年同时有五座2纳米厂放量 ,在台积电历史上尚属首次,这一部署规模本身即反映出需求端的紧迫程度。 从量化指标来看,2纳米第一年晶圆产出较2023年3纳米第一年产出增加45%,意味着台积电在更先进制程节点上实现了更陡峭的产能爬坡曲线。 2026年至2028年,2纳米产能年复合成长率预计达70% ,这一增速在半导体行业属于极为罕见的高强度扩张。 相比之下,台积电3纳米产能的扩张节奏相对平稳——2022年至2027年年复合成长率预计约为25%。两者增速的显著差距,折射出市场对更先进制程需求的快速向前迁移。 3纳米全球布局同步推进,美国新厂2027年量产 在2纳米加速扩产的同时,台积电3纳米产能扩张亦未放缓。 南科3纳米今年第四季月产能将接近18万片 ,乐观预期2027年逼近20万至21万片,年增约16%。 在全球产能布局层面,台积电正新增三座3纳米晶圆厂,分别位于中国台湾、美国亚利桑那州以及日本,以支应未来3纳米制程的持续需求。此外,台积电在中国台湾持续将5纳米设备转换以支援3纳米产能,进一步提升现有厂区的利用效率。 美国新厂第二座晶圆厂将采用3纳米制程技术,目前已完成兴建,计划于2027年下半年开始量产 ,这将是台积电在美国本土落地的最先进制程节点,对于满足美国本地客户的供应链需求具有重要战略意义。 分析人士认为,台积电此轮2纳米扩产提速,对市场的直接影响体现在多个层面。 对客户而言 ,产能提前释放意味着苹果、英伟达等大客户能够更早获得充足的先进制程晶圆供给,有助于加快AI芯片及终端产品的量产节奏,降低供应链瓶颈风险。 对台积电自身而言 ,2纳米产能的超预期扩张将显著增厚先进制程营收贡献,叠加3纳米全球多点布局,整体营运动能有望持续强化。 对整体半导体产业而言 ,台积电在最先进制程节点上的快速扩产,进一步巩固其在全球晶圆代工市场的主导地位,同时也意味着AI基础设施投资热潮正在从芯片设计端向制造端加速传导。

  • 马斯克放话:Colossus 2部署的英伟达芯片年底或增加一倍

    马斯克旗下人工智能公司xAI正在加速扩充AI算力。 当地时间9月25日,马斯克在社交平台X上表示,其AI计算集群Colossus 2目前已部署 11万颗英伟达GB200和44万颗GB300,共计55万颗芯片 ,年底前芯片数量可能超过目前水平的两倍。 马斯克透露,Colossus 2还将迎来密集扩容: 22万颗GB300预计下周正式投入运行,另外22万颗将于11月上线;如果进展顺利,12月底前还可能再上线22万颗GB300。 按照这一扩容计划,Colossus 2到年底最多可能新增66万颗GB300,芯片总数将达到 121万颗左右 ,较目前的55万颗增加约120%。 这也意味着,Colossus 2将在未来几个月迎来大规模算力扩张,新增芯片几乎全部来自英伟达GB300。 马斯克同时披露,Colossus 1目前拥有 15万颗H100、5万颗H200和3万颗GB200 。此前,xAI曾表示,计划到2026年让其位于美国孟菲斯的数据中心配备 100万颗GPU 。 此次马斯克进一步公布Colossus 2的扩容时间表,显示xAI仍在快速扩大AI基础设施规模。随着GB300芯片持续上线,xAI的数据中心算力将在今年年底前进一步提升,以支撑其AI模型训练和推理需求。

  • 报道:SK海力士旗下Solidigm最快明年在美IPO 估值或高达1500亿美元

    SK海力士旗下美国子公司Solidigm正在评估上市计划, 潜在估值最高达1500亿美元,有望成为美国半导体史上规模最大的IPO。 据路透援引知情人士透露, Solidigm本周已与多家投行举行竞标会议,就IPO承销角色展开角逐,标志着上市进程迈出实质性一步。 该公司计划最早于明年完成上市,目标募资规模约150亿美元。 消息人士提醒,包括交易规模和时间表在内的相关计划仍处于早期阶段,可能因市场状况而调整。 据彭博报道, 今年8月,Solidigm与CoreWeave达成多年期协议,向后者提供企业级固态硬盘(SSD)容量。 Solidigm的其他客户还包括Vast Data、戴尔和腾讯。 若最终成行,此次上市将为这家专注于NAND闪存和企业级固态硬盘的公司提供独立估值,同时借助人工智能基础设施投资热潮吸引市场资金。 AI相关需求持续推动半导体硬件股上涨,Solidigm所在赛道正处于这一趋势的核心位置。 周五截至发稿,SK海力士美股盘中上涨2.8%。 估值远超同业,或刷新半导体上市纪录 1500亿美元的潜在估值将大幅超越近年半导体上市案例。 Arm Holdings于2023年上市时估值约540亿美元,Cerebras Systems于2026年IPO时全稀释估值约为560亿美元。Solidigm若按目标估值完成上市,将成为美国半导体行业有史以来规模最大的IPO。 Solidigm总部位于加利福尼亚州兰乔科多瓦,是韩国SK海力士的美国子公司, 主营NAND闪存芯片及固态硬盘业务。 该公司聚焦于面向AI应用的大容量存储产品,在服务器、云基础设施及数据中心领域供应企业级SSD,致力于通过差异化产品满足AI场景下日益增长的海量数据存储需求。 脱胎于英特尔并购,发展为SK海力士核心存储资产 Solidigm的业务基础源自一笔大型并购交易。 SK海力士于2020年宣布以约90亿美元收购英特尔的NAND存储及SSD业务,并于2021年将相关业务整合后以独立子公司形式推出Solidigm。 SK海力士当时表示,此次收购将强化其NAND闪存和企业级SSD业务,并扩大其在全球存储市场的份额。 Solidigm目前已成为SK海力士存储业务组合的重要组成部分。上月,SK海力士表示正在研究提升Solidigm竞争力的相关措施,此前有媒体报道称该子公司正考虑开展约5万亿韩元(约36亿美元)的IPO前融资。 在推进上市计划的同时,Solidigm亦在考虑扩大本土生产能力。据媒体此前报道,该公司正评估在美国建设NAND闪存芯片工厂的方案,纽约州北部已成为选址的主要候选地。

  • 三季报在即 三星电子和海力士面临“极高预期” 考验“全球AI交易”

    AI驱动的强劲需求和新一代存储技术的推进,韩国两大芯片巨头三星电子和SK Hynix正处于全球半导体“超级周期”的中心。随着这两家公司第三季度财报临近,其业绩表现将成为全球市场检验“AI交易”盈利持久性的关键试金石。 市场目前对两家巨头的业绩抱有极高预期。 据《首尔经济日报》引述FnGuide的数据,第三季度三星电子预计将实现199.1万亿韩元的营收和105.6万亿韩元的营业利润,而SK Hynix的营收和营业利润预计将分别达到94.1万亿韩元和74.1万亿韩元。两家公司的合并营业利润或逼近创纪录的189.9万亿韩元,直观反映了当前芯片供应短缺下的强劲市场动能。 然而,在耀眼的账面数据背后,市场共识预期近期已出现微调。过去三个月内,分析师将三星电子的营收和利润预期分别下调2.6%和4.4%,对SK Hynix的预期则分别下调5.3%和5%。这一最新动态主要归因于韩元走强导致的美元计价销售额缩水,而非存储市场本身的衰退,但这足以让市场重新评估汇率波动对科技巨头短期业绩的直接冲击。 抛开表面的庞大数字,即将到来的三季报将向市场传递更深层次的信号。 投资者正密切关注存储芯片涨价的持续性、长期供货协议(LTA)对利润的锁定效应,以及下一代高带宽存储器能否切实转化为底层利润,从而判断当前的繁荣究竟是短暂的爆发,还是具备长期韧性的结构性转变。 存储价格涨势放缓,长期协议平抑波动 第二季度DRAM和NAND闪存平均售价(ASP)的大幅上涨是推动两家公司业绩强劲的主要引擎。 进入第三季度,市场预计价格将继续上涨,但步伐有所放缓。据Mirae Asset Securities预计,三星电子第三季度DRAM ASP将攀升16.5%,但第四季度的增幅将收窄至5.4%,这表明价格反弹可能正在失去部分动力。 这种价格涨势的缓和部分源于长期供货协议(LTA)的日益普及。 目前,三星电子通过LTA锁定了其60%至70%的存储产能,而SK Hynix在第二季度已与约十家核心客户完成了LTA谈判。这些长期合同为企业提供了稳定性,平滑了存储行业长期存在的剧烈波动。然而,在价格快速上涨期,由于合同价格往往滞后于现货价格,LTA也在一定程度上限制了利润的向上空间。 HBM4量产提速,争夺AI基建核心话语权 在高级AI应用不可或缺的下一代高带宽存储器(HBM4)领域,第三季度同样是一个转折点。 随着向Nvidia下一代AI平台Vera Rubin的芯片出货量增加,三星电子预计其第三季度HBM4销售额将较第二季度增加两倍以上,并占其2026年下半年HBM总营收的60%以上。对于SK Hynix而言,面临的挑战则是在维持HBM3E市场领先地位的同时,扩大HBM4的生产规模。三季度的业绩将为了解这场高风险竞赛的格局提供初步线索。 这种对高带宽存储器的渴求正在重塑整个科技行业的底层逻辑。 据《环球经济》引述KB Securities的报告,随着Meta推出基于智能体的AI应用Muse,AI服务正进入一个需要连续、顺序操作和更高内存带宽的新时代。传统生成式AI每秒处理约100个代币(token),而智能体AI的需求飙升至每秒1000个代币。这种数据处理量十倍的跃升正从根本上改变数据中心的架构。 KB Securities分析师Kim对此指出:“在AI数据中心,GPU是心脏,CPU是大脑,电力是氧气,而存储器则是不断供应和循环数据的血液循环系统。最终,AI数据中心性能和效率的关键将转移到存储器上。” 这一趋势在更广泛的行业中已显露端倪,AMD近期加入由Nvidia、Broadcom和Micron组成的“万亿美元市值俱乐部”,以及其第二季度数据中心营收同比飙升107%,均表明市场对CPU和存储器的重视程度已与GPU并驾齐驱。为此,三星电子已着眼于下一代“zHBM”技术,计划将存储器直接堆叠在GPU之上,并力争在2027年底前提供样品。 晶圆代工迎转机,“芯片通胀”考验终端业务 除了核心的存储业务,三星电子的非存储部门同样处于市场的显微镜下。 在经历了自2023年以来的连续亏损后,受4nm语言处理单元(LPU)产能扩大和良率提高的提振,三星晶圆代工业务被广泛预期将在第三季度实现扭亏为盈。 如果该目标得以实现,将极大提振投资者信心,消除长期以来拖累三星整体估值的一大隐患。 然而,负责智能手机和电视的三星设备体验(DX)部门正面临“芯片通胀悖论”。 第二季度,由于Galaxy Foldables等高端设备的强劲销售未能抵消零部件成本的上升,DX部门录得了80亿韩元的营业亏损。对半导体业务有利的存储价格飙升,已成为终端硬件部门的沉重包袱。第三季度的核心悬念在于,高端产品的销售能否吸收这些成本压力,抑或这种“东边盈利西边亏”的困境将继续存在。 跨越“见顶”争议,重塑长期估值逻辑 随着三季报披露期的临近,全球半导体行业的焦点正从利润的绝对规模转向其可持续性。 经历过往周期波动的投资者依然保持警惕,如果三星电子和SK Hynix能够证明长期协议已有效锁定需求、HBM4能带来丰厚利润,且晶圆代工业务重回正轨,那么当前的超级周期将比以往更具韧性。 反之,如果DRAM和NAND的价格增速超预期放缓,或者HBM4的利润贡献不及预期,关于半导体行业是否已经“见顶”的争论必将再度爆发。 在未来几周内,这两份财报不仅将决定两家巨头的短期市值走向,更将为未来几年的全球科技基础设施投资定下基调。

  • 高测股份预计下半年硅片及切割加工服务业务盈利能力逐步修复 高度重视人形机器人业务

    SMM 9月23日讯:近日,高测股份发布投资者活动关系记录表,其中被问及2026年上半年业绩情况,高测股份表示,2026 年上半年,光伏行业仍处于深度调整阶段,供需失衡矛盾依然严峻,国内光伏新增装机显著回落,行业开工率持续低迷,产品价格低位震荡,企业经营持续承压。受行业整体影响,上半年公司实现营业收入 15.83 亿元,同比增加 9.06%,实现归属于母公司股东的净利润-4.90 亿元,实现扣非后净利润-5.26 亿元,基本每股收益-0.59 元/股。基于审慎性原则,上半年公司对应收款项及相关资产计提了相应减值准备,公司计提减值准备共计 3.76 亿元,其中计提信用减值损失 0.96 亿元,资产减值损失 2.80亿元。尽管短期业绩承压,但公司核心财务指标呈现积极变化,抗周期能力显著增强。公司经营活动产生的现金流量净额达 4.73 亿元,同比实现由负转正;期末合同负债 5.48 亿元,较上期末大幅增长386.13%。在光伏行业下行阶段,公司实现经营现金流突破性转正,体现公司经营质量逐步改善;合同负债大幅增长,在手订单比较充沛,对后续业绩修复将产生积极影响。 公告显示,报告期内,高测股份研发、生产和销售的主要产品和服务为光伏切割设备、光伏切割耗材、硅片及切割加工服务、其他高硬脆材料切磨设备及耗材四类,其中光伏切割设备及光伏切割耗材、硅片及切割加工服务主要面向光伏行业硅材料切割领域,其他高硬脆材料切磨设备及耗材主要应用于泛半导体、磁材、石材等其他切磨领域。 高测股份表示,2026 年上半年,光伏行业开工率普遍低迷,凭借更高的出片数、更低的切割成本和更优的产品质量,公司上半年硅片及切割加工服务业务产量约 24GW。虽然实现相对较高开工率,但受到硅片价格持续低位震荡影响,公司硅片及切割加工服务业务上半年盈利能力承压较大。 从下半年预测来看,硅片价格目前已经开始逐步回升,同时根据排产预测情况来看下半年公司开工率将有所提升,预计下半年硅片及切割加工服务业务盈利能力将逐步修复。 关于公司上半年金刚线出货情况及后续盈利展望,高测股份表示,2026 年上半年,碳丝金刚线逐步退出光伏硅片切割市场,钨丝金刚线成为主流产品。受行业硅片企业开工率持续走低影响,钨丝金刚线市场整体需求有所收缩,同时钨粉价格出现大幅波动,对行业盈利水平带来一定挑战。公司凭借钨丝金刚线差异化竞争优势,持续引领行业细线化迭代,上半年,公司实现金刚线销量(含自用)约 2450 万千米,产品市场占有率实现稳步提升。上半年,公司金刚线盈利出现波动,一方面钨粉价格波动影响成本但未能同步传导到下游客户,另一方面公司对废钨回收处理模式进行了相应调整,调整期间对金刚线产生盈利阶段性影响。废钨回收模式调整完成后将对下半年金刚线整体毛利率产生积极影响,预计金刚线整体盈利能力将持续改善。 在2026年上半年,基于对光伏产能出清进程的谨慎研判,公司聚焦光伏主业产能优化,对金刚线和硅片及切割加工服务业务产能开展针对性整合。整合后金刚线年产能规模调整至8400 万千米,硅片及切割加工服务产能在调整的同时进行提效升级,产能规模仍维持70GW。此次产能整合进一步优化了公司产能结构,有利于集中发挥优势产能的成本优势与规模效益,为公司穿越行业周期提供有力支撑。 近期,市场传出关于半导体零部件设备交货周期延长的消息,万联证券更是提到,有半导体制造设备关键零部件的交货周期已延长了一倍以上,行业正面临供应短缺的困境。有投资者询问高测股份关于半导体设备在手订单等的情况,公司回应称,依托在精密切割、精密研磨及电镀化学领域构建的平台化技术体系支撑,公司泛半导体产品研发及布局快速落地,产品矩阵持续完善,已具备泛半导体切倒磨一体化解决方案能力。2026 年上半年,公司泛半导体大尺寸设备市场开拓顺利,其中 12 寸半导体金刚线切片机凭借领先的技术优势及前期的导入验证,已实现行业头部客户订单基本覆盖;8 寸碳化硅减薄机已获客户订单,并向市场快速推出 12寸碳化硅减薄机,目前 12 寸碳化硅减薄机已经交付客户;12 寸碳化硅倒角机已进入头部客户试用阶段。公司在磷化铟等二代半导体领域也在持续研发新品,配合客户进行金刚线切割验证的同时加大市场拓展力度。2026 年上半年,公司泛半导体设备订单较同期增长较快,公司将围绕泛半导体切倒磨抛环节持续布局新品,加快产品升级迭代,不断提升泛半导体设备综合竞争力及一体化解决方案能力。其表示,在AI算力需求爆发背景下,全球半导体设备市场规模持续创新高,国产设备凭借技术及成本优势有望在本轮扩产中持续受益。公司将持续加大研发投入,大力拓展市场,推动半导体设备板块订单持续增长,提升公司综合竞争力。 同时,高测股份高度重视人形机器人业务战略落地,持续加大研发力度,积极开拓海内外市场,推动各项业务稳步推进。2026 年上半年,公司复合金属腱绳凭借优异的材料性能与技术优势,已获得国内市场批量订单,突破北美市场小批量订单,并与行业头部客户持续开展深度研发合作,获得国内外客户高度认可。依托高精密研磨设备技术积累,公司快速推出行星滚柱丝杠内螺纹磨床和外螺纹磨床设备,已进入客户测试阶段,市场推广有序推进。依托精密制造能力,公司配合客户推进人形机器人用减速器等产品研发工作,但公司配合客户研发相关产品尚处于非常早期阶段,存在不确定性风险,在此提醒广大投资者注意防范投资风险。

  • 报道:台积电明年1月起上调晶圆代工价格3%至6% 订单能见度延伸至2030年

    台积电新一轮涨价周期已至,覆盖范围从先进制程延伸至整个半导体供应链。 周三据Digitimes援引供应链人士透露, 台积电已确定自2027年1月起按制程调整晶圆出片(Wafer Out)价格,涨幅约为3%至6%,其中先进制程涨幅居前。 目前台积电8英寸厂产能利用率超过100%、45纳米以下制程满载,订单能见度已延伸至2030年。 此次涨价将直接抬升客户投片成本,并沿供应链逐级传导。三星电子、英特尔、联电、世界先进等晶圆代工厂,以及封测厂与IC设计客户的报价均面临跟涨压力。 供应链人士指出,台积电2纳米、3纳米产能供不应求,CoWoS等先进封装瓶颈至今未解,客户即便面对涨价也难以迅速切换供应商。 台积电美股ADR周三下跌1.2%。 AI需求外溢,成熟制程供需逆转 此轮涨价背后,是AI数据中心扩建带动的全面性芯片需求扩张。 AI带动的需求已不再局限于GPU、ASIC及高带宽存储器(HBM),数据中心建设同步拉动PMIC、MCU、MOSFET、驱动IC、模拟IC、MEMS、混合信号芯片及传感器等成熟制程产品的订单。 高速光通讯元件、硅中介层及各类封装材料亦受AI服务器出货量增加带动。 每台AI服务器所需芯片数量与种类较前几年显著增加,从运算、电源、网络通信到光通讯均有需求,晶圆代工厂受到的涵盖面远超以往。 世界先进已直接受益于这一外溢效应——其8英寸晶圆代工市场2026年供不应求,订单能见度达3至5个月,产能利用率当前已超过90%,下半年需求仍维持强劲。 先进制程涨幅最高,跟进效应蔓延全链 台积电此次并非对所有制程统一调涨,而是按制程及产品类别分级定价。 2纳米、3纳米等高价先进制程涨幅居高,客户仍在排队抢产能;成熟及特殊制程则依产品、稼动率及客户状况个别议价。 其他晶圆代工厂已陆续跟进。联电、力积电、世界先进均已宣布涨价策略,涨价效应预计延续至2027年。 过去受消费性需求疲弱拖累、产能利用率偏低的成熟制程厂商,随AI芯片订单回暖,产能排程已明显改善,议价能力随之增强。 IC设计业成本重估,转嫁能力因产品而异 台积电调价后,IC设计业者面临产品成本重估压力。 供应链人士指出,高端GPU、ASIC等产品单价较高,价格转嫁空间相对充裕;但成熟制程的MCU、PMIC及消费性IC受市场竞争制约,成本能否全额反映至终端报价仍存变数。 IC设计业者还指出,2027年面临的成本压力不止于晶圆代工涨价,封测、载板、材料及存储器价格亦持续上行,将全面计入产品成本。 海外建厂成本高企,成涨价结构性支撑 此轮涨价亦有成本端的驱动逻辑。 据估算,台积电美国建厂成本约为中国台湾的4至5倍。台积电此前已表示,2纳米量产初期将稀释毛利率约3至4个百分点,海外晶圆厂在未来数年内亦可能带来约2至3个百分点的毛利压力,在此背景下,上调Wafer Out价格符合市场预期。 台积电董事长魏哲家曾表示,客户选择晶圆代工合作伙伴,"不是去7-Eleven买牛奶,今天不满意明天就换一家"。 供应链人士指出,Google、苹果、英伟达等大客户的转单行为多属非核心芯片或规模有限的订单,台积电主要高端制程客户的投片量并未出现明显变化。台积电对2026年需求维持高度信心,持续扩大资本支出并上修全年美元营收增幅预期。

  • 二季度全球半导体营收再创新高!半导体指数拿下四连涨 康强电子等涨停【热股】

    SMM 9月23日讯:今日,半导体板块逆势走高,午后盘中快速上涨,截至日间收盘,半导体指数以1.48%的涨幅报2931.33,录得四连涨 。个股方面,慧智微-U 最终以20.03%的涨幅涨停,新恒汇、联动科技盘中涨逾13%。康强电子、领先股份等多股封死涨停板。 消息面上,隔夜费城半导体指数再度上涨,盘中一度创8月17日以来的逾一个月新高,存储概念股普涨,闪迪涨超6%,美光科技涨5%,希捷科技涨超4%。 据Omdia最新研究报告显示,2026年第二季度全球半导体营收突破4250亿美元,再创历史新高,市场环比增长率达到31.4%,创历史纪录。 AI需求和强劲的存储器价格继续成为推动市场的主要动力,使2026年上半年半导体总营收达到7520亿美元。 此外,据汇通网消息,特斯拉CEO埃隆·马斯克接受央视财经专访,谈及中国AI发展。他表示,中国的AI大模型整体而言非常出色,单位算力产出的性能几乎达到全球顶尖水平。他认为,中国解决算力问题的速度会比大多数人预想得更快 。他粗略估计,大概两到三年内,中国就能依靠光刻技术与芯片制造补齐算力缺口。 此外,在9月22日的2026杭州云栖大会上,阿里巴巴集团CEO吴泳铭发出迄今最为明确的AI扩张信号,将机器智能定位为继工业革命之后人类社会最深刻的变革,并为此锚定了横跨AI模型、AI芯片与AI云的全栈布局。 当日,平头哥正式发布新一代AI芯片“真武V900”。该芯片被定位为目前中国算力性能最强的AI芯片,其算力性能达到了上一代真武M890的3倍。阿里预计,平头哥AI芯片年出货量将大幅提升。 西部证券表示,建议关注半导体产业链的高能见度增长,行业景气度有望延续。华泰证券在阿里巴巴云栖大会点评中指出,AI基础设施投入持续加码,算力产业链有望长期受益。 且值得一提的是,在AI对半导体芯片的需求持续旺盛的当下,半导体零部件设备的交货周期也开始明显延长,万联证券指出,有半导体制造设备关键零部件的交货周期已延长了一倍以上,行业正面临供应短缺的困境。随着人工智能普及和基础设施投资大幅增长,AI芯片和存储芯片需求显著增加,半导体设备需求水涨船高;其进一步认为,算力产业链中的PCB、存储、MLCC等均处于景气扩张周期,亦有望提振上游设备、封装等需求。 中原证券指出,AI驱动全球存储厂商加速扩产,半导体设备供给紧张程度有望逐步提升,国产半导体设备出海有望加速,同时叠加半导体设备国产自主可控在持续推进中,建议关注国内半导体设备及零部件厂商的投资机会。 而存储芯片紧缺的情况直到如今依旧未能得到缓解,美银证券指出,2026年三季度DRAM均价环比涨20-30%、NAND涨超15%,且超大规模云厂商已提前签约锁定2027年一季度更高的DRAM价格。基于内存供应持续短缺及OEM/科技公司抢筹加剧,机构将2027-2028年DRAM均价预期上调8-12%、NAND上调2-3%;在更长期维度上,美银将2030年全球内存市场规模预测从1.8万亿美元上调至2.0万亿美元,并预测2027-2030年DRAM与NAND销售额年复合增速达21%。 华兴证券认为,整体一般型DRAM合约价在3Q26季增13%至18%,供给仍极度紧缺。利基型存储有望在4Q26维持价格上涨趋势,256Mb及以上高容量产品价格存在90%以上的上涨空间。 个股方面,9月22日晚间,佰维存储发布公告称,公司及控股子公司广东芯成汉奇半导体技术有限公司拟与东莞松山湖高新技术产业开发区管理委员会签订《晶圆级先进封测制造项目三期合作协议》,投资建设晶圆级先进封测制造项目三期,总投资约45亿元,其中固定资产投资40亿元。该项目资金来源为自有及自筹资金,不涉及募集资金。 提及该投资对公司的影响,佰维存储表示,公司晶圆级先进封测项目投产后,将有力强化大湾区在全球半导体产业格局中的竞争优势,为我国集成电路产业高质量发展注入新动能。广东芯成汉奇依托本项目增强自主创新能力,推动半导体晶圆级先进封测关键技术攻关突破,推动多芯片系统集成封装与存算合封技术产业化及规模量产,促进半导体产业链供应链安全。 今日在半导体板块上涨的背景下,佰维存储股价早间涨幅也一度上冲至4.53%,不过后续有所回落,最终以2.52%的涨幅报222.69元/股。

  • 大空头Burry加码做空美光、Nebius 逻辑是内存供应激增价格将面临下行压力

    因坚信内存市场供需格局正在逆转,Michael Burry大幅扩大了对半导体板块的空头押注。 据Burry本人在Substack发文披露,他已进一步加码做空美光科技、AI基础设施公司Nebius、iShares半导体ETF以及Palantir,并强调此次操作"规模相当大"。此举的直接导火索,是宏碁CEO陈俊圣公开警告称, 内存库存正在积累,新增供应将逐步冲击市场,并预计价格压力将于2027年底前后显现。 上述消息并未阻止相关股票短线上涨——美光股价当日盘中涨逾2%,SOXX上涨约1.5%,Nebius和Palantir亦小幅走高。这意味着Burry的空头仓位在短期内承压,但他表示,宏碁CEO的表态"与我所相信的判断相吻合"。 做空逻辑:AI拉动HBM需求,但普通内存供给正在反弹 Burry的核心论点在于,此前内存市场的短缺并非需求端的结构性繁荣,而是供给端的阶段性错位。他在文中解释称,三星、SK海力士和美光等主要厂商为满足AI数据中心对高带宽内存(HBM)的旺盛需求,将大量产能从传统DRAM转向HBM,由此造成普通内存的供应紧张。 然而,随着厂商逐步将普通内存产能恢复,叠加全球多个地区的新增供应陆续释放,Burry认为,"正常DRAM"的产量正在回升,供需缺口将逐步收窄,并最终对价格形成下行压力。 宏碁CEO陈俊圣的表态为这一逻辑提供了新的佐证。Chen在接受采访时指出,内存库存已在积累,来自多个地区的供应商正在向市场释放更多产能,这将挑战"当前短缺将持续数年"的主流预期。Burry引用该采访后写道,尽管解读这一消息"充满不确定性",但其方向与自己的判断一致。 空头布局:从英伟达到美光,押注范围持续扩大 Burry对半导体板块的看空布局并非一蹴而就。据披露,其旗下Scion Asset Management在2025年第三季度就已建立英伟达(NVDA)和Palantir的大额看跌期权仓位,彼时该基金随后宣告关闭。 进入2026年,Burry以个人名义延续并扩大了这一交易。 2026年6月下旬,他做空英伟达、应用材料(AMAT)及iShares半导体ETF,并将SOXX看跌期权展期至2027年3月。两天后,他将美光科技纳入做空标的,以约1051美元的价格直接建立空头仓位,并解释称选择直接做空而非买入看跌期权,是因为美光的期权权利金过于昂贵。 此次加码,是Burry在上述基础上的进一步强化,标志着他对内存周期见顶的判断愈发坚定。 散户情绪与Burry判断相左 从市场即时反应来看,散户投资者对Burry的看空逻辑并不买账。据Stocktwits数据,美光和SOXX的零售情绪在Burry发文当日均处于"看多"区间,Nebius的零售情绪同样偏多,仅Palantir的散户情绪显示为"看空"。 这一分歧折射出当前市场对AI相关半导体股票的整体乐观预期,与Burry所押注的供给过剩、价格下行逻辑形成直接对立。对于投资者而言,核心问题在于:半导体行业的产能扩张,究竟何时才会真正追上需求——而这正是Burry整个交易逻辑的关键变量。

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