2025年对于半导体市场而言是十分“疯狂”的一年，全球半导体市场在AI与存储的双轮驱动下强劲复苏，甚至市场的实际表现已经超过了部分机构在今年年初对半导体行业的预测，世界半导体贸易统计组织（WSTS）在12月2日发布的最新展望中便将2025年半导体市场规模上调至7720亿美元，较其2025年6月的约7009亿美元大幅提升，而其2025年年初对当年半导体市场的预测在6970亿美元左右，多次上调预期也足以证明实际市场的超预期表现；而市场研究机构Omdia也在12月表示，半导体行业2025年第三季度的营收达到2163亿美元，首次突破单季2000亿美元大关，按照目前的行情预测，2025全年半导体营收将站上8000亿美元。 而存储芯片行业也在2025年开启了“超级周期”，各企业存储芯片价格一涨再涨，“一芯难求”也成为了今年储能行业和存储芯片行业共同的“代名词”。在此背景下，半导体指数走出了2021年板块上市以来最高的年度涨幅，截至2025年12月31日日间收盘，半导体指数报1971.37，年内最高冲至2143.82，最终年线收涨46.5%；存储芯片指数也迎来了其指数上市以来的年度最强表现，年内最高冲至2086.75的高位，同样刷新其指数上市以来的新高，截至12月31日日间收盘，存储芯片指数报2018.24，年线涨幅达65.11%。 AI行业爆发式增长 而半导体行业在2025年持续火爆的主要原因便是受AI行业爆发式发展的推动。世界半导体贸易统计组织（WSTS）在提高2025年半导体市场规模预测时便提到，2025年全球半导体营收的增长主要受益于人工智能应用及数据中心基础设施的强劲需求，推动了对于逻辑芯片和存储芯片需求的增长。 据悉，2025年AI已经进入规模性应用阶段，大语言模型（LLM）与多模态模型在企业级服务、自动驾驶、消费电子三大场景实现深度集成，Agentic AI 凭借 “感知 - 规划 - 执行 - 反馈” 闭环能力，正推动自动化决策从单点工具向系统化平台跃迁，成为产业智能化的核心引擎。 来自AI方面的驱动，也正在重塑半导体产业格局。此前，市场研究机构Omdia曾表示，AI正推动半导体市场实现前所未有的增长，AI技术投资驱动营收创下历史新高。在AI技术驱动下，数据中心服务器成为半导体营收的主要驱动力，对 GPU、逻辑 ASSP/ASIC、DRAM(HBM)和电源管理芯片的需求显著增加。其表示，AI热潮预计将推动半导体行业持续六年增长，有望打破该行业传统的周期性规律。 此外，Omdia还预测，在数据中心与AI相关应用的推动下，数据计算板块预计将在2026年首次超过半导体总营收的50%。同时，存储芯片支出加速，重点聚焦先进DRAM和HBM的产能扩张以满足AI驱动的需求。 存储芯片迎“超级周期” 存储芯片行业的强劲表现，也为半导体行业在2025年的繁荣发展增添了几分助力。目前，不论是DRAM、NAND亦或是HBM芯片，均出现了不同程度的供应短缺的情况。其中，DRAM芯片呈现“全规格缺货”的情况，12月16日，财联社方面还表示，全球存储三巨头之一、韩国SK海力士的一份意外曝光的内部分析文件透露，DRAM（动态随机存取存储器）供应短缺状况将持续至2028年。海力士的内部分析显示，到2028年，主要面向消费电子终端的通用型DRAM的供应增长将持续受限，难以满足市场需求。 而在供应短缺的背景下，DRAM系列芯片的价格也持续上涨，12月初，财联社方面曾表示，DDR4x颗粒年内涨幅超4倍。酷赛智能相关负责人向财联社记者透露，以4GB DDR4x为例，颗粒现货市场价格已从年初的最低7美金涨至11月中旬的30美金以上，涨幅达到4至5倍。 据11月市场研究机构TrendForce发布最新调查报告称，第三季由于一般型DRAM合约价上涨、出货量季增，且HBM 出货规模扩张，推升DRAM产业营收较上季成长30.9%，达414亿美元。 值得一提的是，在AI浪潮的驱动下，HBM芯片作为高端 AI 显卡的核心配套存储，在人工智能开发中极具价值，因此，市场HBM需求迫切，前期不少譬如三星电子、SK海力士、美光科技等供应商也均纷纷将晶圆资源向HBM倾斜。Yole曾预计，全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元，复合年增长率达33%。 而全球存储芯片大厂美光科技此前也表示，公司2026年（日历年）全年高带宽内存（HBM）的供应量已就价格和数量与客户达成协议，全部售罄；另外，三星、SK海力士也均提及其下一代高带宽内存HBM的2026年产能已基本被预订完毕。其中SK海力士在10月底表示，已完成与主要客户关于2026年HBM供应的全部谈判，并计划在2025年四季度开始出货次世代HBM4产品，2026年进行全面销售；中关村在线方面在10月底提到，三星存储业务执行副总裁金在俊于此前财报会议上透露，公司针对下一代HBM4的生产规划已全部落实，明年产能已被客户提前锁定。他表示，尽管已大幅提升HBM产能，但市场需求依然超出预期，目前正评估进一步扩产的可能性，以应对不断增长的订单需求。 NAND闪存方面，目前也面临供应短缺的情况，且价格也呈现持续上涨的态势，12月18日，存储巨头金士顿数据中心SSD业务经理Cameron Crandall近日在“TheFullNerdNetwork”播客中表示，未来30天NAND闪存短缺将明显加剧，SSD价格将在当前基础上进一步上涨。据悉，Cameron Crandall透露，仅在2025年内，NAND Flash 价格从第一季至今已暴涨超240%。 此前，据和讯财经方面消息，2025年第三季，云端服务业者持续扩建AI基建，对Enterprise SSD需求强劲，带动前五大NAND Flash品牌商合计营收季增16.5%，逼近171亿美元。 国产半导体替代进程持续 此外，严苛的外部环境也一直在刺激着半导体国产化的进程。12月26日，商务部发那面还表示，坚决反对美对华半导体产品加征301关税，已提出严正交涉。新闻发言人何咏表示，美单边关税违反世贸组织规则，破坏国际经贸秩序，扰乱全球产业链供应链，损害美国企业和消费者利益，损人不利己。中方敦促美方尽快纠正错误做法，取消相关措施。中方愿与美方在相互尊重、和平共处、合作共赢原则基础上，通过平等对话磋商解决各自关切。倘若美方执意损害中方权益，中方将坚决采取必要措施，坚定维护自身权益。 》点击查看详情 众所周知，中国大陆半导体设备市场规模居于全球首位，此前日本半导体制造装备协会（SEAJ）公布统计数据指出，2024年全球芯片设备（新品）销售额年增10%达到1,171.4亿美元，中国市场销售额暴增35%至495.5亿美元、连续第5年成为全球最大半导体设备市场。 国际半导体产业协会（SEMI）此前也预计，中国大陆 2026-2028 年 300mm 半导体设备支出将达到940 亿美元，位列全球第一，占全球比重达到 25%，韩国与中国台湾分列第二、三位。 因此，在海外关税及政策不确定性的影响下，半导体国产化替代势在必行。近年来，在AI算力需求的爆发式增长下，海思、中芯国际、北方华创、中微半导体和新凯来装备，正式打破了英特尔、台积电、ASML和应用材料的垄断局面。其中北方华创作为国内半导体设备领域的龙头企业，中邮证券此前评价称，其产品覆盖刻蚀、薄膜沉积、热处理、清洗、涂胶显影、离子注入等多个核心工艺环节，工艺覆盖度完善，国内份额持续提升，将持续受益于下游扩产与国产替代进程。 而拓荆科技作为国内高端半导体设备领军企业，打破了国际厂商对薄膜沉积设备的垄断，完善了集成电路制造产业链关键环节，实现了工艺设备自主化；华为海思则在高端通用芯片领域，通过持续的技术创新和全栈布局，逐步打破了对外部技术的依赖，实现自主可控。 因此，国内市场在政策支持+国产替代双轮驱动的背景下，叠加存储芯片市场回暖带来的半导体产业链业绩回暖，A股半导体板块得以大幅上涨。 2026年半导体行业展望 展望2026年，WSTS此前预测，2026年的半导体市场规模将来到9754.60亿美元，实现26.3%的同比增长，逼近1万亿美元大关。 根据国际半导体产业协会（SEMI）预计全球半导体设备制造总销售额增长态势有望持续至未来两年，预计2026年全球半导体设备销售额将达1450亿美元，2027年将攀升至1560亿美元。 IT之家此前也表示，DIGITIMES《电子时报》副总监蔡卓卲在此前举行的科技趋势论坛上表示，2026 年全球半导体市场规模将增长18.3%，达8800 亿美元；晶圆代工产值则有望达到2331亿美元，增幅17%。且该媒体机构在稍早时候发布的中期预测中认为，2025~2030 年全球晶圆代工产业合计营收的 CAGR 将达到 14.3%，2030 年的总体营收预计是 2025 年的两倍。尽管 AI 应用加速了晶圆代工的发展，但仍需警惕可能的 AI 泡沫和地缘政治风险。 此外，据TrendForce数据，中国整体高阶AI芯片市场规模预计在2026年增长超过60%，其中本土AI芯片仍会朝向自主化发展，具备发展潜力的主要芯片设计厂商有机会扩大市场占比至50%左右。 存储芯片方面，美光科技公司此前还预计HBM总潜在市场（TAM）将在2028年将达到1000亿美元（2025年为350亿美元），较此前指引提前两年。 华泰证券表示，TrendForce预测，2026年DRAM位增长率或将达到26%，然而NAND相关投资或主要局限在现有产线的升级，暂未看到新厂的明确建设计划。 市场研究机构Omdia此前提到，以HBM为中心的生产模式限制了传统DRAM的产能增长。DRAM供应增速（约20%）将持续落后于需求增速（超20%），这一趋势将延续至2026年。供应商优先生产高利润的HBM产品，导致传统存储产品增长放缓。结构性紧张维持高价格水平，推动上升周期延续至2026年。2026年，AI需求推动NAND价格上涨40%，NAND价格复苏，上涨趋势将持续至2026年。 华尔街见闻12月15日发问提到，摩根大通在最新研报中指出，当前头部存储芯片制造商的总市值已接近1万亿美元。基于历史估值中枢推算，到2027年这一数字将飙升至1.5万亿美元，意味着头部厂商仍有超过50%的上涨空间。 招商证券也指出，AI需求增长带动全球存储及先进制程产能扩张，展望2026-2027年，国内存储及先进制程扩产有望提速，国内设备厂商订单持续向好，国产化率进入快速提升阶段，卡位良好及份额较高的存储设备公司有望受益。 和讯财经表示，业内认为，存储涨价周期的幅度和持续时间均超预期；在先进制程及存储扩产趋势下，2026年国产半导体设备订单有望加速增长，国产化率或进一步提升。

台积电等半导体制造商纷纷在美设厂的重要原因在于规避地缘政治风险，但它们也不得不接受运营成本上升带来的挑战。 据分析师Jukan在X平台上分享的SemiAnalysis汇总数据显示，台积电在美国生产芯片将使其利润率遭受重大损失。他还写道，他认为美国希望台积电将晶圆厂迁至美国的原因之一，就是为了提高该公司的成本来削弱台积电的竞争力。 具体而言，台积电在中国台湾地区生产5纳米制程芯片与美国生产相同产品的每片晶圆毛利率分别为62%与8%，两者相差54个百分点。其中，折旧和劳动力成本是造成差异的主要原因。 折旧指的是晶圆厂及其设备在其使用寿命内分担其购入成本，具体差异体现在生命期内的总产量上。数据显示，在美国工厂采用相同工艺生产晶圆的产量可能只有台湾工厂的四分之一，这意味着美国工厂的折旧成本是台湾工厂的近四倍。 经济与政治 美国总统特朗普去年8月表示，台积电可能在亚利桑那州投资3000亿美元，包括在亚利桑那州建设晶圆厂、先进封装和研发设施。这一数字是台积电此前在美国宣布的总投资额的近两倍。 台积电的这一举动是为了配合美国政府“美国优先”的经济议程，也是为了保证地缘政治因素不会影响到公司的供应。然而，在美国构建一条稳定的供应链可能需要花费数十年的时间。 此外，考虑到建设成本和运营成本，台积电美国晶圆厂需要创造更多收入才能覆盖支出，这要求台积电持续投入资金。另一方面，高昂的劳动力成本也在加大美国工厂的负担。 台积电前董事长张忠谋曾表示，如果设备在凌晨1点发生故障，台湾团队可能在凌晨2点就检修完毕，美国则要等到第二天早上，这就是工作文化的不同。 从高效和经济的角度来看，台积电更倾向于从台湾聘用工程师前往美国工作，但这也会引发一些政策问题，因为美国政府更希望台积电可以推动美国的当地就业。 政治因素推动的“美国制造”目前正面临经济上是否合算的关键考验。去年11月，有报道指出，台积电美国业务的最新季度利润环比大幅下滑，从42.32亿新台币降至4100万新台币。

百度1月2日在港交所公告，1月1日，昆仑芯已透过其联席保荐人以保密形式向香港联交所提交上市申请，以申请批准昆仑芯股份于香港联交所主板上市及买卖。 公告显示，分拆完成后，预计昆仑芯仍将为百度的附属公司，目前全球发售的规模与结构、百度对昆仑芯持股百分比的减少幅度等，尚未落实。公告还强调 分拆仍需获得香港联交所上市委员会批准、在中国证监会完成备案，以及百度和昆仑芯作出最终决定。 昆仑芯前身为百度智能芯片及架构部，于2021年4月完成独立融资，首轮估值约130亿元。截至2025年7月，昆仑芯经历了D轮融资，投资方包括上河动量资本、山证投资、国新基金下属的高层次人才基金、中移和创等。 2025年12月16日，昆仑芯变更为股份公司，注册资本从约2128万人民币增至4亿人民币，增幅约1780%。 在去年11月举行的百度世界大会上，新一代昆仑芯M100和M300发布。其中，昆仑芯M100 针对大规模推理场景优化设计，将于2026年上市；昆仑芯M300面向超大规模的多模态模型的训练和推理任务，预计2027年上市。 同步发布的天池256超节点与天池512超节点将于2026年正式上市，单个天池512超节点就能完成万亿参数模型训练。未来几年昆仑芯都将按年推出新产品，百度智能云还将陆续推出相应的千卡、4000卡超节点。 迄今，昆仑芯累计完成数万卡部署，包括已点亮昆仑芯三万卡集群，可同时支撑多个千亿参数大模型训练。未来，百度智能云将把昆仑芯单一集群的规模从三万卡进一步扩展至百万卡级别。 高盛在去年12月研报中指出，参考同类公司估值，百度所持昆仑芯59%股权的价值区间为30亿至110亿美元。麦格理证券估算这一股权价值约165亿美元，占其给予百度目标估值的30%。大摩此前研报预测，百度自研的AI芯片收入将从2025年的13亿元暴涨到2026年的83亿元，增长6倍之多，带动百度的GPU计算收入在2026年翻倍。 当前，AI芯片领域的企业正掀起一波上市潮。 国产GPU企业沐曦股份和摩尔线程在2025年12月登陆科创板。上市首日，两家公司股价分别大涨692.95%、425.46%。燧原科技则在近期完成了科创板上市辅导。 壁仞科技、天数智芯则与昆仑芯一样选择赴港上市。 截至《科创板日报》记者发稿，壁仞科技在1月2日的上市首日涨92.96%，市值超900亿港元。据此前壁仞科技在港交所的公告，公司全球发售约2.85亿股H股，公开发售占17.39%，国际发售占82.61%。最终每股发售价19.6港元，所得款项净额约53.75亿港元。公开发售获2347.53倍认购，国际发售获25.95倍认购。 而天数智芯已启动招股，将于1月5日结束，并计划在1月8日正式以“9903”为股票代码在港交所挂牌上市。天数智芯拟全球发售2,543万股。每股招股价144.6港元，每手100股，集资约37亿港元，其中香港公开发售占10%，其余为国际配售。以每股144.6港元的价格计算，天数智芯此次募资额约为37亿港元，IPO市值将达354.42亿港元。 一名芯片分析师对《科创板日报》记者表示，当前是AI叙事最好的时间窗口，而昆仑芯作为最早一批涉足自研AI芯片的企业，显然要赶上风口，也有利于摆脱大厂“自用”的印象。 根据IDC发布的2024年中国加速计算芯片的出货报告，英伟达出货量占比70%超过190万片。在国产AI芯片头部厂商中，华为昇腾64万片位居第一，其后为昆仑芯6.9万、天数3.8万、寒武纪2.6万、沐曦2.4万、燧原1.3万片。

周五（1月2日），韩国基准股指Kospi在其2026年首个交易日中首次突破4,300点关口，收盘创历史新高，而这主要由大型半导体股的强劲上涨所牵引。 基准韩国综合股价指数（KOSPI）收涨2.27%于4,309.63点，首次突破4,300点关口，并打破去年11月3日创下的上一个高点4221.87点；韩国创业板指数（KOSDAQ）也收于945.57，上涨2.17%。 当日，外资净买入约6300亿韩元，引领上涨趋势；相比之下，个人和机构投资者分别净售出约4500亿和2300亿韩元。 交易态势偏积极 强劲的出口似乎缓解了近期美国股市疲软带来的压力。韩国政府1月1日公布的数据显示，2025年该国出口达到历史新高7097亿美元，首次突破7000亿美元的里程碑，这得益于人工智能和半导体产业的增长。 元大证券分析师Kim Yong-gu指出，“在全球经济增长、销售和盈利的良性循环，以及政府全力刺激经济和股市的背景下，预计KOSPI股指将呈中性至积极的交易态势。” 另有分析指出，一月份股市的表现可以作为全年趋势的衡量标准，新年首个交易日KOSPI指数强劲的上涨提升了投资者对今年市场的预期。 韩国头部综合金融机构韩华证券研究员Kim Soo-yeon就表示，“自2013年以来对26个行业的分析显示，1月上涨的板块在全年上涨的概率约为60%。 科技板块活跃 从成分股表现来看，大型科技股带领了指数的上涨，投资者也在押注人工智能带来的持续作用力。 周五，市场风向标三星电子飙升7.17%，至128,500韩元；芯片巨头SK海力士上涨3.99%，至67.7万韩元。值得一提的是，这两家芯片巨头双双创下历史新高。 目前，这两家公司正在人工智能芯片市场展开激烈竞争。在10月举行的2025半导体展览会上，两家公司分别展示了各自研发的下一代高带宽内存HBM4芯片，表明了引领半导体行业的信心。 目前市场仍由第五代HBM3E芯片主导，但业内观察人士预计，HBM4将在明年成为一个主要因素，因为英伟达计划在其下一代AI加速器Rubin中使用它。 上月，有报道称，三星计划于2026年2月启动HBM4芯片的大规模量产，SK海力士也将在相近时间开启量产进程，此举标志着全球内存半导体产业迈入一个全新阶段。 值得一提的是，三星电子联席首席执行官兼芯片主管Jun Young-hyun在新年致辞中表示，三星HBM4的差异化竞争力得到了客户的一致好评，并宣告“三星回来了”。 Counterpoint Research的数据显示，在2025年第三季度，SK海力士占据了HBM市场53%的份额；三星紧随其后，占35%；美光占11%。

上交所官网12月30日晚间显示，长鑫科技集团股份有限公司（下称“长鑫科技”）申报科创板IPO获交易所受理。 长鑫科技申报科创板上市拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目建设，合计总投资规模达345亿元。 值得关注的是，长鑫科技是今年7月科创板市场改革新政后，首家采用IPO预先审阅机制申报上市的公司。该制度旨在避免特定情形的科技型企业，因过早披露业务技术信息、上市计划而可能对其生产经营带来重大不利影响。 《科创板日报》记者注意到，在12月30日长鑫科技申报获受理同日，上交所网站同步披露两轮审核问询回复。 综合两轮交易所问询来看，长鑫科技控制权、盈利持续性、与兆易创新关联交易、研发支出资本化等问题是监管关注的核心焦点。 长鑫科技成立于2016年，是中国规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业，采用IDM（垂直整合制造）业务模式。 根据Omdia数据显示，按照产能和出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。 招股书显示，长鑫科技提供DRAM晶圆、DRAM 芯片、DRAM 模组等多元化产品方案，长鑫科技的产品主要覆盖DDR、LPDDR两大主流系列，目前已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品覆盖和迭代，产品广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车等市场领域。 招股书披露，长鑫科技2025年1-9月营收320.84亿元，2022年至2025年9月累计营收达736.36亿元。其中，2022年至2024年主营业务收入复合增长率达72.04%。 盈利情况方面，2024年长鑫科技尚且净亏损90亿元，但2025年火热的存储芯片行情将有望帮助长鑫科技在2025年度实现扭亏。 据招股书显示的全年业绩预计情况，2025年该公司预计实现净利润20亿元至35亿元，归母净利润为-16亿元至-6亿元，归母扣非净利润为28亿元至30亿元。 长鑫科技表示，2025年，随着公司产销规模的持续增长、产品结构的持续优化，以及2025年下半年以来DRAM产品价格的快速上涨，公司预计实现营业收入较上年同期大幅增加，净利润实现转正，归属于母公司所有者的净利润亏损金额较上年同比大幅收窄。 在上市报告期各期，长鑫科技主营业务毛利率分别为-3.67%、-2.19%、5.00%和12.72%，呈现明显改善。 该公司表示，报告期内，一方面，受公司持续进行大额固定资产及研发投入带来的折旧及摊销金额较高、规模效应尚未完全显现等因素影响，公司产品生产成本较高，另一方面，公司工艺技术水平等与三星电子、SK 海力士及美光科技相比仍有一定差距，产品结构处于持续优化状态，公司毛利率水平与国际前三家厂商相比仍较低。 招股书显示，2025年7-9月，在DRAM产品市场价格上涨、长鑫科技产销规模持续提升等因素的带动下，该公司营业收入较2024年7-9月同比大幅增长148.80%，综合毛利率上升至35.00%。 招股书显示，截至2025年6月30日，长鑫科技共拥有5589项专利，其中3116项境内专利及2473项境外专利。根据美国权威专利服务机构IFI公布数据，长鑫科技2024年美国专利授权排名全球第42位，在所有上榜的中国企业中排名第四。研发团队方面，长鑫科技拥有4653名研发人员，占公司员工总数的比例超过30%。 长鑫科技无控股股东、无实际控制人，清辉集电、长鑫集成、大基金二期、合肥集鑫、安徽省投分别持有该公司21.67%、11.71%、8.73%、 8.37%及7.91%的股权。 此外，在招股书所披露的长鑫科技股权架构中，安徽省投、阿里、腾讯、招银国际、人保资本、建信金融、国调基金、君联资本、小米产投等均位列其股东行列。 招股书所示发行前长鑫科技前十大股东情况 长鑫科技董事长为朱一明，对长鑫科技合计持股比例为2.67%。 公开资料显示，朱一明为1972年生人，清华大学及纽约州立大学双硕士背景，拥有新加坡永久居留权。 朱一明目前还是A股上市公司兆易创新的董事长。兆易创新由朱一明2005年从美国硅谷归国创办，目前A股最新市值达1470亿元，该公司同时正在冲刺在港交所的二次上市。

人工智能（AI）领域对数据存储的旺盛需求，推动日本存储芯片制造商铠侠（Kioxia Holdings Corp）2025年斩获了全球领先的股价涨幅。这一表现表明，尽管市场情绪趋于谨慎，AI热潮依旧热度不减。 今年年初以来，铠侠股价累计上涨约540%，不仅跑赢MSCI全球指数的所有成分股，更一举成为日本东证指数中的年度冠军股。 这家闪存芯片制造商去年12月才在东京证券交易所上市，其客户包括苹果和微软，目前市值约为5.7万亿日元（约合366亿美元）。 铠侠股价的大幅上涨表明，随着超大规模企业竞相建设AI基础设施，科技行业对存储芯片的需求正呈现爆发式增长。 铠侠生产的芯片对于AI训练和数据中心而言至关重要。 鉴于需求激增，科技公司纷纷预警存储芯片供应短缺，分析师也预测存储芯片价格将大幅上涨。 存储热潮成为铠侠股价走高的强劲推手。投资者普遍预期，持续旺盛的需求与攀升的产品价格，将大幅提振该公司营收。 “展望2026年的科技板块，我们的重心将主要放在存储芯片领域，无论是直接布局铠侠，还是投资相关的间接受益标的。” Asymmetric Advisors Pte的日本股票策略师Amir Anvarzadeh表示。 他指出，像Sumco Corp这类晶圆制造商，明年也有望从存储芯片的强劲需求中获益。 不过，铠侠股价的暴涨也引发了市场对其估值过高的担忧，这一情绪同样波及了其它AI股票。就在上个月，由于铠侠发布的季度财报未能达到投资者的高预期，其股价单日暴跌23%。 但Anvarzadeh认为，鉴于存储芯片需求仍远超供给，铠侠明年有望从容应对AI市场的波动。 “市场担忧的数据中心投资放缓，应该不会对下一阶段的存储芯片价格造成实质性影响，毕竟目前市场已经处于严重的供不应求状态。”他补充道。

据媒体报道，三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进，其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。该工厂将成为三星10nm第六代（1c）DRAM生产的核心，三星率先将1c DRAM用于第六代HBM（HBM4）芯片。 国盛证券表示，打破内存墙瓶颈，HBM已成为DRAM市场增长主要驱动力。HBM解决带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制等问题，已成为当下AI芯片的主流选择。Yole预计全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元，CAGR达33%。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 中科飞测 的3D AOI设备、三维形貌量测设备、套刻精度量测设备等多种设备已经通过HBM先进封装工艺的验证并批量销售，客户基本覆盖国内主要HBM厂商，客户订单量持续增长，在手订单充沛。 华海诚科 的颗粒状环氧塑封料（GMC)可以用于HBM的封装，相关产品已通过客户验证。

2025年，全球集成电路行业在AI算力爆发与产业重构双重作用下，可谓迎来规模与质量双升的发展元年。行业增长逻辑从单一需求拉动转向多领域协同赋能，国产集成电路企业凭借技术突破、产能扩张与政策加持，在关键赛道实现从“替代”到“引领”的跨越，为全球产业格局注入新变量。 WSTS近期发布了2025年秋季展望，将对2025全球半导体市场规模的估计上调约450亿美元至7722.43亿美元，同比增幅扩大至22.5%。WSTS进一步预测，2026年的半导体市场规模将来到9754.60亿美元，实现26.3%的同比增长，逼近1万亿美元大关。 另据TrendForce数据，中国整体高阶AI芯片市场规模预计在2026年增长超过60%，其中本土AI芯片仍会朝向自主化发展，具备发展潜力的主要芯片设计厂商有机会扩大市场占比至50%左右。 多名业内人士向《科创板日报》记者表示， 本轮半导体市场规模持续扩张驱动因素包括AI和数据中心的强力需求；地缘政治、国际贸易的变化，促使中国大幅扩充独立的核心供应体系。 ▍存储结构性涨价延续 国产算力竞速IPO 有业内咨询师向《科创板日报》记者表示，半导体市场规模扩张的驱动因素，本质上是全球数字化进程从“增量普及”转向“深度赋能”所带来的结构性跃迁。 其认为，首先，核心驱动力已从过去的消费电子周期性轮动，升级为AI与云边智能所触发的全域算力需求增加，这要求从逻辑芯片到存储、互联的全产业链同步升级；其次，能源革命、汽车电子化、工业智能化正将半导体植入社会经济运行的底层脉络，使其需求具备了穿越周期的韧性；最后，全球供应链的区域化重构催生了重复建设和战略囤货，在短期内放大了市场规模。“这些力量共同推动半导体从‘周期性产业’迈向‘基础性战略物资’的新常态”。 WSTS在近期发布的2025年秋季展望表示， 此次上调半导体市场规模的原因在于AI与数据中心持续需求带动逻辑芯片与存储器市场火热。 其中，今年存储器销售则有望增长28%，涨幅扩大11%；2025年逻辑芯片预计增长37%，较今年夏季预测上修8%；而到2026年这两个类目的同比增幅则将双双超过三成。 目前，存储产品涨价潮仍在延续，行业看涨情绪蔓延。今年12月25日，TrendForce集邦咨询最新发布的存储现货价格趋势报告显示，DDR4、DDR5与模组价格仍连日上扬。金士顿上周大幅提高了DRAM（内存）价格，整体现货价格未见疲软迹象。与此同时，NAND Flash现货市场在合约价格上涨的预期下呈现看涨情绪。 业内人士表示，当前存储涨价是结构性而非周期性。AI对高带宽内存（HBM）和高速存储的渴求，已颠覆传统存储产业的产能分配逻辑：从技术迭代角度来看，HBM3E/4、CXL协议将存储从“数据仓库”升级为“算力协处理器”，存储芯片附加值持续上移；从价格博弈方面来看，短期因AI服务器需求刚性，价格仍将高位震荡。 上述人士进一步表示， 2025年后，随着三星、美光HBM产能释放及QLC/PLC堆叠技术普及，消费级存储或面临产能过剩风险。未来存储产业将裂变为“AI级”与“消费级”双轨市场，价差拉大。 再看逻辑芯片，随着沐曦股份和摩尔线程登陆科创板，国产GPU赛道热度只增不减，壁仞科技、摩尔线程、沐曦股份、燧原科技等GPU企业也纷纷推进IPO事宜。与此同时，国产GPU市场出现了多种技术路线，市场竞争进一步加剧。 关于 国产算力目前竞争点 ，有业内人士向《科创板日报》记者表示，短期靠“国产替代”政策红利抢占信创市场，中期需在软件栈（CUDA替代）、异构计算整合（CPU/GPU/IPU融合）、能效比上突破。 对于 未来发展方向 ，上述人士表示，应绕过CUDA霸权，通过开源框架（如OpenML）、专用AI编译器（如沐曦MUSA）构建软硬一体方案；与此同时，在自动驾驶、科学计算等新兴领域优先建立标准，而非硬刚英伟达的通用GPU霸权；此外，利用国产成熟制程，通过先进封装堆叠提升算力密度，规避高端光刻机封锁。 在芯片制造端 ，中国市场引领全球行业驶入新的成长周期。根据SEMI预计，2025年和2026年，全球芯片制造企业12英寸产能建设的设备支出将分别增长24%和11%，而中国12英寸芯片制造企业的量产工厂数量，预计将从2024年底的62座，快速增长至2026年底的超过70座。预计到2026年，中国内地12英寸晶圆厂的量产产能将达到321万片/月。 《科创板日报》记者了解到，近期中芯国际、世界先进已率先提价，并向下游客户发布涨价通知。此次涨价主要集中于8英寸BCD工艺平台，涨价幅度在10%左右。BCD工艺主要是集成功率、模拟和数字信号处理电路。而BCD的涨价，或将带涨高压CMOS等工艺的价格。2025年中芯国际、华虹公司等中国大陆晶圆厂产能利用率保持较高水位，伴随下游较高景气度，业内预计拥有BCD工艺的其它晶圆厂或将跟进相关产品线的涨价计划。 ▍国产力量加速全链突围 AI范式转变与供应链重构 在全球半导体产业格局重构的关键期，国产力量正以 “全链攻坚、多点突破” 之势加速突破，从核心技术到市场布局全面打破海外技术围堵。 从地区来看，2025年国内半导体产业区域发展格局愈发清晰，形成 “长三角全链领跑、珠三角设计主导、京津冀研发策源、中西部特色突破”的梯队格局，各区域依托资源禀赋实现差异化竞争。 “半导体市场未来三年将见证产能泡沫与技术革命并存，企业胜负不取决于规模，而取决于能否在‘技术路线、生态绑定、地缘站位’中押中下一个范式裂口。”薪火私募投资基金管理有限公司总经理翟丹向《科创板日报》记者分析表示。 对于2026年半导体市场重点关注的方向，翟丹认为，其中包括AI芯片战局分化，英伟达霸主地位是否受开源架构（如：RISC-V+AI）、ARM PC生态、存算一体芯片冲击；汽车、工业半导体需求或将形成新平衡；半导体设备材料自主竞赛，ASML High-NA EUV量产进度、第三代半导体（SiC/GaN）成本曲线下移等。 另有头部半导体产业基金VP向《科创板日报》记者分析表示， 2026年的半导体市场，围绕AI、数据中心、具身智能等赛道，值得关注先进制程制造、大芯片、设备、材料、零部件，光计算与光通信技术、先进散热与高功率电源。

在昨日举办的2025财联社第八届投资年会暨科大硅谷硬科技投资生态大会上，韦豪创芯投资有限公司副总经理陆正杨带来主旨演讲《技术价值为核，并购为桥：半导体产投共赢之道》，深入剖析了在当前技术迭代加速、全球竞争日趋激烈的背景下，半导体企业如何以技术为核心、以并购为纽带，实现产业与资本的深度协同与共赢发展。 趋势洞见：技术整合驱动并购活跃 陆正杨指出，半导体产业的并购具有内在必然性。这不仅是整合高校与科研机构前沿技术、实现高效转化的重要方式，也是技术型企业突破商业化与规模化瓶颈的关键路径，能够丰富产品线、整合供应链以提升企业整体竞争力。 当前，半导体领域并购活动保持活跃。他援引数据表示，“科创八条”发布以来，科创板并购交易完成率约为70%。2025年披露的并购交易数量显著增长，其中半导体相关项目约40个。从结构上看，并购以横向整合为主，约占90%，并广泛覆盖了芯片设计、材料、装备、制造、封测等产业链各个环节。 对于部分并购终止的案例，陆正杨认为应理性看待。终止项目多集中于中小企业，且以发行股份的重组为主，核心原因常在于交易双方未能就关键条款达成一致。实践中，不少上市公司为防范信息泄露，常在初步意向后即发布公告，但后续深入谈判若出现分歧，则容易导致交易搁浅。 实践挑战：核心矛盾交织“不可能三角” 尽管并购需求旺盛，但实际操作中挑战重重。陆正杨重点比较了并购与少数股权投资的显著差异：并购风险更高，不仅涉及标的本身，更关乎母公司的整合与未来发展；其尽调过程更深、更复杂，通常需要中介机构驻场1-3个月；估值逻辑也更为审慎，多围绕15倍左右的PE进行，这与早期投资相对宽松的估值体系（如PS）存在较大差异。他将并购中的主要矛盾归纳为 “不可能三角” ，即难以同时满足 “高科技属性”、“交易方案易达成”和“监管落舒适区” 这三个条件。 陆正杨认为，这背后折射出三大核心问题：一是信任缺失，并购相当于企业“托付终身”，在有限尽调时间内难以建立足够深厚的信任基础；二是股东利益难以平衡，科技公司往往历经多轮融资，股东构成复杂，对退出回报的诉求各异，增加了谈判难度；三是产业理解度的左右为难，买卖双方业务若过于接近，卖方会担心核心数据泄露给竞争对手，若跨界明显，买方又面临管理整合与价值判断的困境。 协同破局：价值共识促进共赢发展 提升半导体行业并购成功率，关键在于构建多方协同机制与价值共识。 对买方/产业侧而言，需确立清晰的并购战略目标，明确是为强化主业还是开辟新增长曲线，并建立合理的价值预期，理解并购估值与早期股权融资的本质差异——并购更侧重于挤干估值水分，基于企业扎实的基本面与协同效应定价。同时，充分的内部股东沟通和向交易对方有效展示核心技术价值也至关重要。 对资本侧来说，核心在于秉持“长期主义”。投资机构不仅要选择具备真正价值的企业进行长期陪伴，更应在企业成长过程中，帮助其深入理解IPO与并购等不同资本路径的差异。在并购交易中，资本方应发挥桥梁作用，利用自身经验弥合买卖双方在专业认知和商业诉求上的分歧，从而有力推动交易进程。 关于半导体企业的 核心价值 定义，陆正杨表示，这一价值不能仅用单项技术指标衡量，而是一个贯穿创新与产业化的完整系统，具体体现在五个层面： 核心技术硬实力、产品定义能力、工程化与量产能力、供应链韧性与生态协同能力，以及客户导向的技术服务与价值共创能力 。 在实践层面，陆正杨提出了系统性提升并购成功率的实施路径。首先，并购方应坚持“目标明确、方向聚焦、提前布局”的策略框架，在交易启动前就与潜在标的建立信任关系，为后续谈判与整合奠定基础。其次，在执行层面采用“小步快跑、管理提升”的务实策略，优先开展围绕主业的中小型并购以降低整合难度，同时持续强化企业自身的管理体系与组织能力，确保具备整合新业务的基础。最后，在生态层面着力打造相互赋能的协同网络，使标的方在交易中不仅能获得并购方的资源支持，更能看到融入整个生态体系的长期价值，这种增值预期可显著增强其合作意愿，并在交易对赌、定价等关键条款上展现更大灵活性，从而系统性地提升并购达成的可能性与后续整合成效。

中芯国际收购子公司中芯北方股权迎来新进展，同时中芯国际宣布其先进工艺平台运营主体增资扩股。 12月29日晚间，中芯国际公告称，公司拟向国家集成电路基金等5名中芯北方股东发行5.47亿股股份购买其所持有的中芯北方49%股权，交易价格406.01亿元。 公告显示，上述五名股东分别为国家集成电路基金、集成电路投资中心、亦庄国投、中关村发展、北京工投。 采用市场法评估，截至评估基准日，中芯北方所有者权益账面值为418亿元，评估值为828亿元，评估增值410亿元，增值率/溢价率为98.19%。 本次交易完成后，中芯国际将持有中芯北方100%的股权，中芯北方将成为公司的全资子公司。本次交易不会导致公司控制权变更。交易对方所获股份锁定期为自股份发行结束之日起12个月。 在此次交易前，中芯北方是中芯国际控股子公司，主要为客户提供不同工艺平台的12英寸集成电路品圆代工及配套服务。 公开资料显示，中芯北方现拥有一条12英寸半导体晶圆产线，2016年起投产，主要技术节点为65nm-24nm的成熟工艺平台。 2024年度，中芯北方经审计营业收入规模为63.60亿元，占同年中芯国际总营收的11%。2025年1-8月营收合计90亿元，综合毛利率为14.74%。 中芯国际表示，本次交易有利于进一步提高上市公司资产质量、增强业务上的协同性，促进上市公司的长远发展。交易前后上市公司的主营业务范围不会发生变化。 12月29日晚间，中芯国际同步公告称，中芯控股与国家集成电路基金、国家集成电路基金二期等订立新合资合同及新增资扩股协议，将引入大基金三期、先导集成电路基金等作为中芯南方新的投资方，中芯南方注册资本将由65亿美元增加至100.773亿美元。 由此，中芯控股、国家集成电路基金、国家集成电路基金二期、国家集成电路基金三期、上海集成电路基金、上海集成电路基金二期、泰新鼎吉、先导集成电路基金，将分别持有中芯南方41.561%、9.392%、14.885%、8.361%、7.939%、11.253%、5.545%及1.063%股权。 据中芯国际在科创板上市提交的招股书显示，中芯南方成立于2016 年12月，是其先进技术及制程产线的运营主体，提供14nm FinFET及以下的技术工艺。 截至2025年9月30日，中芯南方净资产为人民币574.620亿元。 中芯国际表示，本次增资有利于降低中芯南方的资产负债率，构建集团更为稳健的财务结构。 中芯国际联合CEO赵海军在今年第三季度举行的业绩会上表示，除人工智能外，其他主流应用市场温和增长或回稳。整体来看，当前中芯国际产线仍处于供不应求状态，出货量仍无法完全满足客户需求。 今年三季度，受益于消费电子下游的国产化及家电等下游市场复苏回暖，晶圆制造本土化需求提升，中芯国际Q3产能利用率攀升至接近96%。 据中芯国际方面测算，预计公司全年销售收入预计超过90亿美元，收入规模将踏上新台阶。 中芯国际今年前三个季度资本开支合计57亿美元，公司方面预计今年资本开支与去年持平（即约为73.3亿美元）。同时预计保持大概每年5万片12英寸上下的月产能扩充。 从行业来看，以中芯国际为代表的晶圆代工厂于近期率先开启BCD等工艺平台的提价。开源证券分析师研报观点认为，代工厂部分产能涨价，降低市场对2026年成熟制程需求的担忧。