英伟达首席执行官黄仁勋周二表示， 他预计本周访问韩国期间，将与韩国企业共同宣布一些消息，这些消息会让美国总统特朗普和韩国都感到满意 。 这家美国人工智能芯片巨头此前透露，黄仁勋将出席在韩国举行的亚太经合组织(APEC)CEO峰会，期间计划与各国领导人及韩国企业高管会面。 “三星、SK、现代、LG、Naver，如果你看看整个韩国生态系统，每一家公司都是我的好朋友，也是非常好的合作伙伴，”黄仁勋周二在华盛顿举行的英伟达开发者大会间隙对记者表示。 “所以这次去（韩国），我希望能宣布一些消息，这些消息一定会让韩国民众非常开心，也会让特朗普总统非常开心，不过还要再等几天才会揭晓。” 他说道。 他还表示，英伟达正在“以多种方式”与三星电子和现代进行合作，并表示两家公司“将投资人工智能工厂”。 业界预测， 黄仁勋即将宣布的重大消息将和半导体行业有关 。英伟达与韩国半导体企业的合作将进一步加强。 与此同时， 周二有市场消息称，黄仁勋将在本周访问韩国期间宣布与韩国主要公司签订新的人工智能芯片供应合同 。 消息称，相关协议包括与三星电子、现代汽车集团和SK集团的合作，从而帮助英伟达在一个关键市场（韩国）扩张。 作为AI浪潮的受益者，今年以来，英伟达、三星电子、SK海力士股价均强劲上涨。受黄仁勋在英伟达开发者大会的讲话刺激，周二，英伟达股价大涨近5%，报201美元，市值逼近5万亿美元，有望成为全球首家突破这一市值门槛的公司。 与此同时，三星电子和SK海力士的股价目前徘徊在历史高位附近，年内涨幅分别高达约87%和218%。

昨日晚间，东芯股份（688110.SH）披露2025年Q3“成绩单”。受益于半导体行业景气度回升及下游需求回暖，公司单季度营收有一定增长、亏损收窄。但相较于去年同期，公司前三季度亏损却有所扩大。 东芯股份在财报中透露，公司Wi-Fi板块首颗产品仍在研发中，尚处于投入期。不过，公司在近期接受调研时亦透露，存储市场需求和价格在下半年处于持续改善中，公司第四季度能否延续Q3单季的业绩增势，值得关注。 财报显示，东芯股份今年第三季度实现营业收入约2.30亿元，较上年同期增长27.03%，较上季度环比增长14.35%；实现归母净利润-3521.58 万元，较上年同期减亏400.41 万元；扣除非经常性损益后的净利润为-3997.54 万元，较上年同期亏损额减少1358.77万元。 此外，公司报告期内毛利率为26.64%，较上年同期增加10.57个百分点。 针对单季业绩的改善，东芯股份方面称，主要系受益于半导体设计行业景气度回升，下游市场需求回暖，公司有效推动了产品销售。与此同时，公司产品销售价格有所上升。 至于未能实现单季盈利，东芯股份则表示，主要因素系公司以存储为核心，向“存、算、联”一体化领域布局，第三季度研发投入较上年同期增加。同时，公司Wi-Fi板块首颗产品仍在研发中，尚未达到产业化阶段。此外，公司对外投资砺算科技，第三季度确认投资亏损1583.63万元。 虽然单季业绩表现有所改善，但就前三季度整体来看，东芯股份的亏损有扩大的势头。整个前三季度，东芯股份归母净利润为-1.46亿元，而上年同期为-1.30亿元。研发投入来看，去年前三季度，公司研发投入占营收比重为35.34%，但今年则下降至28.38%。 事实上，全球存储芯片市场近期行情颇为强势。财联社记者日前报道显示，截至目前，存储芯片价格的上涨已持续超过半年，进入四季度，其涨势非但没有趋缓，反而因多重因素叠加而进一步加剧。 受此影响，多只存储概念股在二级市场备受追捧。年初至今，东芯股份累计涨幅也已超过三倍，但何时在盈利能力上给出足够的说服力，仍是摆在东芯股份面前的一道难题。 东芯股份在10月20日的一则调研纪要中表示，SLCNAND Flash自二季度起需求逐步回暖，价格呈现回升趋势，预计下半年随终端需求的持续复苏，价格具备进一步上行空间；NOR Flash方面，公司采取跟随策略，若头部厂商启动调价，公司将同步跟进；DRAM方面，公司现有量产的DDR3产品受DDR4涨价带动，已出现小幅提价，预计下半年随整体需求改善，价格有望延续上涨态势。 财联社记者注意到，2024年度，东芯股份亏损额为1.67亿元。对比今年前三季度的亏损情况（1.46亿元）来看，若要保证今年净利润表现较去年有所提升，则第四季度对东芯股份来说显得尤为关键。

周二的最新消息显示，在半导体产业的嗤笑和嘲讽声中，一家名为Substrate的旧金山光刻机创业公司完成超过1亿美元的融资，对应估值超过10亿美元。 这家公司引发外界关注的原因有二：近乎天方夜谭的“颠覆式创新”愿景，以及公司联创詹姆斯·普劳德是首批“蒂尔奖金”的获得者——拿这笔钱的前提是不能上大学。 这次融资也使得Substrate的估值超过10亿美元，投资人包括彼得·蒂尔的Founders Fund，以及General Catalyst等顶级风投机构。 简单来讲，这家公司的志向是利用新型激光技术，颠覆半导体晶圆加工业务的现有格局——相当于要抢阿斯麦和台积电的“饭碗”。Substrate表示，按照现有的光刻技术路线推算，到2030年建设一座先进半导体工厂的费用将达到500亿美元，生产一块先进芯片（晶圆）的成本将达到10万美元。鉴于人工智能和机器人对先进芯片的指数级需求增长，这样的经济模型是行不通的。 普劳德3年前创立了Substrat。他的目标是使用新技术打造“媲美阿斯麦最先进光刻机”的设备，同时在本十年末将每片先进芯片晶圆的生产成本压到1万美元。 作为背景，阿斯麦花了近25年和超过100亿美元开发极紫外（EUV）光刻技术，使得大规模生产集成更多、更小晶体管的先进芯片成为可能。这样的一台设备，定价就能超过3.5亿美元。 尽管获得了投资，这家初创公司仍面临几乎整个半导体行业的质疑：他们能否在鼓吹的三年时间表内，重做先进半导体制造的关键步骤。 Substrat声称，团队设计了一种新型垂直整合晶圆代工厂，利用粒子加速器产生光束，从而实现一种新的先进X光光刻方法。普劳德表示，公司试验中的机器已经能产生与阿斯麦最先进机器相当的结果。为证明这种说法，公司展示了“X光光刻机”在纳米尺度上印制的图像。 不过有行业专家分析称，能够在纳米尺度上印刻只是制造芯片的难题之一。对于先进半导体制造而言，还必须在更大面积的晶圆上保持同样的精度并高速运行。Substrate的光刻工艺也放弃了所谓的多重图形化，即在晶圆上进行反复曝光以制造超越当前设备光学极限的特征。 有知情人士称，在拜登政府期间，普劳德与CHIPS办公室曾会面讨论过Substrate，但一些官员认为他的计划不会成功。 当然，即便Substrat取得成功也并非没有先例。马斯克就是通过特斯拉、SpaceX颠覆了电动车和火箭行业的复杂先例，才当上了世界首富。 正如前文所述，Substrat的野心不只是打破阿斯麦的垄断，还要挑战台积电。该公司表示，与其把设备卖给代工厂或晶圆厂，不如自己建立一张配备其光刻机的晶圆厂网络，力争在2028年前开始生产芯片。 普劳德表示，现在制造一个先进晶圆厂起价就要200亿美元，有时花费可能还要翻一倍。Substrate将通过使用自产的廉价设备，将在美国建设晶圆厂的花销控制在“数十亿美元”。

随着钨价飙升，WF6供应商已经向韩国半导体制造企业提出大幅涨价要求。 据The Elec消息， SK Specialties、Foosung、日本关东电化（Kanto Denka）等主要WF6生产企业，近期已向三星电子、SK海力士、东部高科、麦格纳等韩国半导体制造商表示，自明年起供应单价将上调70%-90%。 一位业内人士表示：“钨价在短短五个月内上涨一倍，原料成本压力显著增加，这是涨价的主要原因。日本系气体企业还以汇率等因素为由，要求涨价约90%。”该人士还指出，“由于半导体厂商也清楚钨价暴涨的现状，因此大多觉得可能不得不接受涨价。” “WF6价格暴涨并非暂时性冲击，而是供应结构变化的直接反映。”另有业内人士分析本轮涨价。 作为氟与钨形成的无机化合物，WF6是密度最大的气体之一。半导体制造中，WF6主要用于电子工业中金属钨化学气象积淀工业（CVD）工艺，其可在晶圆表面沉积钨金属，填补通道与孔洞，形成芯片内的导电连接层， 是制作逻辑芯片、DRAM和3D NAND的关键材料。 招商银行研究院指出，2022年以来我国含氟特气的自主供应能力显著提升，国产化率达到50%。 用量最大的三氟化氮和WF6方面，国内已有中船特气、南大光电、昊华科技等企业陆续向台积电、中芯国际供货。

据Digitimes报道，存储龙头三星电子将针对12层HBM3E推出30%的降价策略，以试图抢占市场。 “价格战”背后的逻辑是三星产品良率爬坡速度缓慢导致的市场份额落后。直到今年9月，三星12层HBM3E产品才通过英伟达测试，并正式开始供应，预计今年第四季度出货量将达到数万片。 三星HBM3E出货时间仍然明显落后于SK海力士、美光等存储厂商。公开资料显示，早在2024年，SK海力士便已通过良率测试，并确定向英伟达供应HBM3E产品，今年上半年更是实现了16层HBM3E的量产供货；另有消息称，今年6月，美光HBM3E的良率已提高至70%以上，且预计出货量超过8层HBM3E。 在良率与市场份额明显落后的局面下，三星于今年7月被传出将针对部分客户提出HBM3E的降价提案，以促成商用合作 。彼时的三星提醒，HBM3E的供应增长速度将超过需求增长速度，预计供需关系将发生变化。短期内市场价格也可能受到影响。 不过，就产品迭代趋势而言，HBM3E仅仅是高带宽内存系列中的第五代产品。站在当下时点，高带宽内存系列第六代产品——HBM4或即将全面推出。 本月消息称，三星正在加紧推进HBM4的研发，其计划于10月27日至31日在2025年三星科技展上发布第六代12层HBM4，并计划于今年晚些时候量产。其他存储厂商方面，今年9月，SK海力士表示已完成全球首款HBM4的开发工作，已为量产做好准备。 在HBM4全面接棒老款产品的背后，是英伟达等科技巨头对AI芯片架构的全面升级。早在去年，黄仁勋就预告推出Blackwell Ultra AI芯片，且将采用HBM4内存。 而据TrendForce集邦咨询最新调查，近期英伟达积极要求Vera Rubin server rack的关键零组件供应商提高产品规格，包括HBM4的Speed per Pin须调升至10Gbps。值此背景，预计SK海力士在HBM4量产初期将维持其最大供应商的优势。 从价格趋势来看，TrendForce预测，2025年HBM的平均销售单价将同比上涨20.8%，达到1.80美元/Gb，盈利能力可观。另有机构预计明年上市的12层HBM4产品单价将达到500美元，比售价约300美元的12层HBM3e高出60%以上。 目前来看， 三星发动的HBM价格战，传导到DRAM等传统存储芯片的概率较低 。根据此前韩国KB证券研究主管Jeff Kim预计，若DRAM当前涨势持续，明年非HBM内存芯片的盈利能力甚至可能将超越HBM。据其估算，三星7-9月期间标准DRAM业务运营利润率约为40%，HBM业务则达60%。 另据日前消息，三星电子、SK海力士等存储厂商将在今年第四季度针对传统内存继续向客户调整报价，包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30%，从而顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。

韩国芯片制造商SK海力士周一（10月27日）表示，该公司在“2025 OCP全球峰会”中展示了针对人工智能行业定制的下一代NAND存储产品的策略。 SK海力士周一在一份声明中表示，“随着人工智能推理市场的迅速发展，人们对那些能够快速、高效地处理大量数据的NAND存储产品的需求也正在急剧增长。” 该公司指出，其将通过推出AI-NAND（AIN）系列的产品线来满足客户需求，这些产品是“为人工智能时代量身定制的解决方案”。 AIN产品线 具体来看，AIN系列产品在性能（Performance）、带宽（Bandwidth）、容量（Density）三方面分别优化了NAND闪存解决方案产品，旨在提升数据处理速度，并实现存储容量最大化。 其中，AIN P是一款专为大规模人工智能推理环境中海量数据的输入与输出而打造的高效解决方案。该方案通过将AI运算与存储之间的瓶颈尽量减少，显著提升了处理速度与能效。为此，公司正在以全新架构重新设计NAND闪存与控制器，并计划于2026年底推出样品。 而AIN D则是一款旨在以低功耗、低成本实现海量数据存储的高容量解决方案，特别适用于人工智能数据的存储。相较于现有基于QLC的TB级的SSD，AIN D可将存储容量提升至最高PB级，同时兼顾SSD的高速性能与HDD的经济性，成为一种中间层存储产品。 最后，AIN B是一款通过堆叠NAND闪存以扩大带宽的解决方案产品。该产品采用了公司名为HBF的技术。据悉，HBF（高带宽闪存，High Bandwidth Flash）与堆叠DRAM芯片的HBM（高带宽存储器）相似，是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品。 SK海力士的首席开发官Ahn Hyun表示，“在下一代NAND存储市场中，SK海力士将与客户和合作伙伴密切合作，以成为这一领域的关键参与者。”

受益于AI算力领域的高速增长，芯原股份（688521.SH）第三季度营收创历史新高，AI算力相关订单占比达65%，但在“亮眼成绩单”背后，公司仍尚未摆脱亏损。财联社记者注意到，今年以来不少国产芯片企业在业绩大增的情况下，面临着盈利考验，企业盈利拐点仍尚待市场检验。 公司昨日晚间发布公告，随着近两年订单的不断转化，2025年第三季度实现营业收入12.81亿元，单季度收入创历史新高，同比增长78.38%，环比增长119.26%；前三季度累计营收22.55亿元，同比增长36.64%，营收规模持续扩大。 其中，公司第三季度实现芯片设计业务收入4.28亿元，环比增长290.82%，同比增长80.23%；实现量产业务收入6.09亿元，环比增长132.77%，同比增长157.84%；此外，今年第三季度公司新签订单15.93亿元，其中AI算力相关的订单占比约65%。 公司方面透露，今年前三季度新签订单32.49亿元，已超过2024年全年新签订单水平，其中来自系统厂商、大型互联网公司、云服务提供商和车企等客户群体的订单占比达到83.52%。在今年三季度末的在手订单中，一站式芯片定制业务在手订单占比近90%，预计一年内转化比例约为80%。 不过在“亮眼成绩单”背后，公司仍尚未摆脱亏损。财报显示，公司前三季度实现归母净利润-3.47亿元，其中第三季度归母净利润为-2685万元。虽然单季度亏损同比、环比均实现大幅收窄，分别收窄8420.27万元、7265.40万元，但公司自2023年三季度开始，亏损一直在持续。 事实上，芯原股份并非个例。财联社记者注意到，今年以来受益于AI算力领域的高速增长，不少国产芯片企业在业绩大增的情况下，依旧面临盈利考验。 而这背后，与芯片行业技术壁垒高、需要研发投入的“烧钱”相关。正如公司在财报中表示，集成电路设计行业具有投资周期长，研发投入大的特点，需要坚持高研发投入以打造高竞争壁垒。数据显示，2025年前三季度研发投入9.91亿元，占比43.94%，第三季度研发投入3.51亿元，占收入比重为27.39%，同比下降15.99%。 当前，AI 大模型、智能汽车、工业互联网等下游应用加速渗透，算力芯片及配套IC的定制化需求持续释放。IDC数据显示，预计2025年全球半导体收入将达到8000亿美元，较2024年的6800亿美元同比增长17.6%。 不过财通证券也同时分析指出，目前全球集成电路行业主要受汽车、工业等应用的高需求带动，如果未来行业增长趋势放缓或行业出现负增长，可能会导致市场竞争加剧、产品需求下降的情况，对公司业绩及经营产生不利影响。

高通推出人工智能芯片，在数据中心市场与英伟达展开竞争。高通AI200和AI250预计分别于2026年和2027年投入商业使用。高通涨幅一度扩大至20%，创2019年以来最大日内涨幅。 高通在公告中宣布，推出高通AI200和AI250芯片和机架产品，这些产品均采用公司的神经处理单元（NPU）技术。其中，预定于2026年上市的AI200单卡支持768GB的LPDDR内存（低功耗动态随机存取存储器）。而将于2027年上市的AI250解决方案将首发一种基于“近存储计算（near-memory computing）”的创新内存架构，为AI推理工作负载带来“跨代的效率与性能飞跃”。高通声称，这款芯片在有效内存带宽方面提升超过10倍，同时显著降低功耗。 银河证券指出，在算力紧张的局面下，科技巨头对AI芯片资源主导权的竞争日益激烈。相较美国科技巨头，中国科技企业摆脱算力依赖的需求更加强烈。展望未来，中国AI芯片市场规模将持续提升，同时格局有望进一步优化，AI芯片国产化进程将持续加速。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 顺络电子 一体成型功率电感性能表现优秀，目前已成功进入高通认证方案当中，为国内首发。 长电科技 曾表示旗下不同的工厂与高通之间都有紧密的合作。其中集团子公司星科金朋韩国有限公司（SCK）2022年被高通授予“卓越供应商奖”。