复苏预期加持下，三星、SK海力士两大投资巨头正在筹划调高2024年半导体设备投资额及出货量目标。

据今日ET News消息，三星2024年计划半导体设备投资额达到27万亿韩元，同比增长25%；SK海力士则计划投资5.3万亿韩元，同比增长100%。

存储芯片具体投资方向上，三星电子和SK海力士正准备投资以DDR5和HBM为主的设备；同时，前者计划大规模投资3nm和2nm等超精细工艺。

至于出货量方面，三星计划将DRAM与NAND产量分别较今年提高24%。SK海力士同样在谋划扩产，扩产重点将是HBM等高端DRAM产品，公司拟将DRAM产量提高到减产前水平，即去年年底前水平。

去年底开始，三星与SK海力士开始大幅减产，彼时工厂开工率甚至低至50%。而新的一年，这两家存储巨头的DRAM将与减产前持平甚至更高，NAND则仍低于减产前水平。

据悉，三星与SK海力士增加设备投资及产量的最主要原因，还是为了行业状况改善做准备。

值得一提的是，韩国金融投资业界近日一致上调了三星电子和SK海力士两家存储龙头的Q4业绩预期：SK海力士有望结束连续4个季度的营业赤字，今年Q4将实现1000亿韩元左右的盈利；三星电子也有望在明年Q1扭亏为盈。

实际上，复苏之风有望吹遍整个存储芯片行业，摩根士丹利上周报告就指出，PC与智能手机制造商正积极建立存储芯片库存，明年Q1存储芯片的价格有望大幅上涨。

根据其援引的TrendForce预期数据，明年Q1，DRAM及NAND价格环比增幅均有望达到18%-23%——相较TrendForce此前预期（DRAM价格环比增长8%-13%、NAND 5%-10%），最新的预计增幅翻倍不止，上调了10-13个百分点。

存储厂商威刚也表示，看好明年内存价格将持续正向发展，“内存多头市场才正要开始”。现阶段上游的减产计划维持，涨价态度强势，不只Q4的NAND Flash调涨幅度与频率超乎预期，明年Q1也预期有相当的涨价空间。