历史价格会员

下游补库存、涨价预期上调 存储芯片“多头市场正要开始”

存储行业涨价的风愈吹愈烈,分析机构再次上调涨幅预期,这次调涨幅度“相当大”。

摩根士丹利最新报告指出,PC与智能手机制造商正积极建立存储芯片库存,明年Q1存储芯片的价格有望大幅上涨。

根据其援引的TrendForce预期数据,明年Q1,DRAM及NAND价格环比增幅均有望达到18%-23%——相较TrendForce此前预期(DRAM价格环比增长8%-13%、NAND 5%-10%),最新的预计增幅翻倍不止,上调了10-13个百分点

下游客户行为已发生转变:到2024年,来自中国智能手机OEM厂的订单量将大幅增加。大摩指出,智能手机OEM厂商已开始补货,目前库存仅恢复到正常水平(移动DRAM为4-6周、NAND为6-7周)。与此同时,PC ODM/OEM厂商也在着手建立库存。

而存储厂商大幅减产之后,产量仍远远低于需求,因此需求上涨带动存储价格上涨。

供需差距下,已有部分存储产品出现缺货。上游存储原厂减产后,整体供货资源顺序出现动态调整,优先供货自家品牌产品,对外NAND销售比例下降。供应链称,目前已有部分产品缺货,客户敲定第一波预订单后,想再增加拉货却已买不到

不仅如此,产业链厂商们对涨价趋势均是颇为乐观。

上周全球第四大NAND Flash供应商西部数据对客户发出涨价通知信。在信中,西部数据表示,公司会每周审查硬盘产品定价,预计明年上半年价格将上涨;NAND芯片部分,公司预期未来几季价格将呈现周期性上涨,在当前报价的基础上,累计涨幅或达55%

存储厂商威刚日前也表示,看好明年内存价格将持续正向发展,“内存多头市场才正要开始”。现阶段上游的减产计划维持,涨价态度强势,不只Q4的NAND Flash调涨幅度与频率超乎预期,明年Q1也预期有相当的涨价空间。

值得一提的是,韩国金融投资业界日前一致上调了三星电子和SK海力士两家存储龙头的Q4业绩预期。其中,SK海力士有望结束连续4个季度的营业赤字,今年Q4将实现1000亿韩元左右的盈利;三星电子也有望在明年Q1扭亏为盈。

中信证券12月6日报告指出,产业链公司Q3业绩均有所修复,主流、利基存储价格齐涨,持续关注原厂库存去化进程和下游需求复苏节奏对存储价格的影响。行业周期角度,海外大厂稼动控制下存储供需逐渐改善,主流存储价格Q3起持续回暖,并在Q4带动利基存储价格触底回升,看好产业链细分龙头Q4随库存去化、需求逐步回归迎来业绩底部复苏,看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。建议关注:1)存储模组;2)受益DDR5升级渗透的存储配套芯片;3)存储芯片设计。

SMM在线问答访问TA的主页

上海有色网资讯中心,在线回答您的提问!

SMM在线问答
微信二维码今日有色
微信二维码

微信扫一扫关注

下载app掌上有色
掌上有色

掌上有色下载

返回顶部返回顶部
publicize