美国芯片股在2026年上半年创下历史性涨幅，但这场盛宴并非人人共享，AI芯片龙头英伟达今年以来涨幅仅约7%，在半导体指数成分股中垫底，与整个板块的狂欢形成鲜明反差。 截止周二收盘， 费城半导体指数第二季度大涨88%，创下该指数有史以来最佳单季表现，上半年累计涨幅达101% ，有望创下自1999年互联网泡沫以来最强年度表现。 相比之下，纳斯达克100指数同期上涨28%，标普500指数上涨15%，均远逊于芯片板块。推动这轮行情的核心动力，是市场对AI基础设施需求的强烈押注。 然而，就在庆功时刻，上周半导体指数单周重挫7.9%，创下2025年4月以来最大单周跌幅，本周一盘中更一度下跌3.2%后反弹收涨3.8%，剧烈震荡令投资者开始重新审视这轮涨势的可持续性。 与此同时，英伟达的相对落后折射出AI芯片需求正在向更广泛的半导体公司分散，其能否凭借下一代Vera Rubin硬件重夺主导地位，成为市场关注焦点。 史上最佳季度：内存芯片领跑，涨幅令大盘望尘莫及 本轮芯片股行情的最大赢家，集中在内存与存储领域。 闪迪以857%的年内涨幅位居标普500成分股首位；美光以300%的涨幅紧随其后，市值突破1万亿美元，跻身全球最大美国内存芯片制造商之列。西部数据、希捷科技以及大幅反弹的英特尔共同构成涨幅榜前五。 Thornburg Investment Management投资组合经理Sean Sun表示："我们看到投资者在追逐半导体行业的瓶颈所在，目前这对内存板块有利，对英特尔作为代工厂的复苏也有利。" 与此同时，韩国内存芯片巨头海力士正寻求在美国市场融资294亿美元，进一步印证了内存赛道的资本吸引力。 英伟达掉队：AI芯片需求分散，竞争格局生变 英伟达是本轮行情中最引人注目的"落后者"。作为全球市值最大的公司和AI芯片的代名词，英伟达今年以来涨幅仅约7%，在费城半导体指数成分股中排名垫底。博通以约7.9%的涨幅同样远落后于板块整体。 据分析，英伟达落后的核心原因在于， AI芯片的庞大支出正被分散至更广泛的半导体公司，竞争已从最初与AMD的正面交锋，扩展至定制芯片设计商以及英特尔等CPU专业厂商。 Sean Sun对此解释称："英伟达和博通正在遭遇那些瓶颈，它们不再像以前那样是高弹性品种。我认为它们仍会表现不错，但现在投资者想要的是对最强主题更大的弹性敞口。" 市场目前的关键问题是：英伟达下一代Vera Rubin硬件能否建立足够显著的性能优势，使其重新成为AI基础设施的首选供应商。然而，据巴伦周刊报道，即便性能表现亮眼，大型科技公司也未必愿意过度依赖单一供应商，尤其是在其资本支出规模正面临股东压力的背景下。 UBS Global Wealth Management首席投资官Mark Haefele在研报中写道："超大规模云厂商本月股价下跌，表明股东要求其证明支出合理性的压力正在上升， 我们承认资本支出增速放缓的风险在边际上有所上升。" 估值分化：英伟达创近年新低，部分个股严重透支 尽管整体板块估值已明显偏高，但内部分化极为显著。 费城半导体指数目前市盈率约为26倍预期盈利，远高于10年均值19倍，接近2024年创下的30倍近期高点。相比之下，纳斯达克100指数市盈率为23倍，标普500为20倍。 板块内部，ARM Holdings Plc的12个月远期市盈率超过140倍，英特尔约为100倍，按传统估值标准均属严重透支。 英伟达则处于另一个极端——其远期市盈率仅约18倍，为2018年以来最低，远低于其10年均值36倍。美光的远期市盈率约为8倍，部分华尔街人士将这一低估值解读为营收和利润已触顶的预警信号。 Bloomberg Intelligence数据显示， 分析师对芯片股前景日趋乐观，预计2027年行业盈利将增长49%，高于4月时预期的35%；营收增速预期也从29%上调至37%，均大幅领先标普500整体预期（盈利增长17%，营收增长7.4%）。 波动加剧：散户涌入与对冲基金撤退并存 高涨幅背后，芯片股的波动性同样创下历史纪录。 据彭博报道，追踪半导体ETF未来波动率的Cboe半导体ETF波动率指数今年以来已上涨83%，若年末维持这一涨幅，将创下该指数有史以来最大年度涨幅，目前已升至2025年4月特朗普关税冲击市场以来的最高水平。 本月以来，费城半导体指数单日涨跌幅超过1%的交易日占绝大多数，期间出现过单日最大涨幅7.9%，也出现过单日跌幅逾10%的极端行情。 据高盛大宗经纪业务数据，对冲基金正以十年来最快速度抛售科技、媒体和电信类股票，而散户投资者的大量涌入则进一步放大了价格波动。 Cantor Fitzgerald高级董事总经理兼科技分析师CJ Muse表示："投资者结构的新变化正在加剧波动，与此同时，几乎每周都有新的AI能力白皮书问世。我们将在这种高度波动的市场中持续一段时间。" 他同时指出，市场当前最大的担忧在于超大规模云厂商能否在2026年之后维持并扩大资本支出，但他本人并不认为这场"烧钱潮"会很快结束。目前，微软、亚马逊、Alphabet和Meta均维持着激进的资本支出计划。

SMM 6月30日讯：今日半导体板块盘中快速拉涨，指数盘中一度涨逾6%，在一众行业板块中排名遥遥领先。个股方面，格科微、长光华芯、敏芯股份、力合微等6股盘中20CM涨停，灿芯股份、神工股份等多股涨逾10%，先导基电、领先股份、斯达半导等一同封死涨停板。 消息面上，据媒体消息， 全球近 20 家模拟及功率半导体企业即将于 7 月 1 日启动新一轮涨价，年内已呈现多批次阶梯式调价特征。不少厂商称当前在手订单饱满，产能能见度显著提升。 国金证券计算机行业研究报告显示，功率半导体方面，年内已呈现多批次阶梯式调价特征，海外龙头普遍两轮、国内厂商分2~3批次阶梯调价。行业呈现分批次调价的节奏，核心原因是成本压力的分阶段显现——年初首轮调价主要受封装端金、铜等大宗金属价格上涨驱动，一季度末第二轮调价则来自晶圆制造端特种气体供给阶段性紧缺带来的成本上行。 据悉，全球功率半导体进入涨价周期的背后，一方面是需求侧，AI数据中心建设带来电源控制和机柜供电相关功率芯片需求激增；另一方面是成本侧，晶圆代工和原材料涨价带来成本压力。 此外，韩国方面关于半导体行业的利好消息也层出不穷。据市场公开消息，6月29日，韩国宣布推出投资规模逾1800万亿韩元的半导体+实体AI+AI数据中心三大韩国产业支柱；此外，6月30日消息，韩国两家巨头半导体投资规模达3130万亿韩元，大幅超出预告：三星宣布投资2030万亿用于投资半导体；SK海力士宣布到2033年投资1100万亿韩元。韩国2025年GDP约2560万亿韩元，本次投资规划已经达到近1.5个韩国GDP。 韩国官员还表示，预计五年内 DRAM 生产能力翻倍，全球内存市场 5 年内增长四倍。 不过华尔街对此评价称，尽管韩国此次扩产规模空前，但存储芯片短缺在近期内不会得到任何实质性缓解。 AI需求持续吸收存储供应，叠加新产能从建设到投产需要数年周期，供应紧张局面预计将延续至2027年乃至更长时间。 此外，根据Counterpoint Research最新发布的晶圆代工供应追踪报告，2026年第一季度全球晶圆代工2.0市场营收同比增长23%，达到860亿美元。这一增长主要由AI GPU和AI ASIC的强劲需求推动，进而带动了先进制程晶圆需求，并提升了先进封装产能利用率。AI投资周期正在重塑半导体价值链，加速行业迈向“晶圆代工2.0”时代。晶圆代工2.0的核心特征是将晶圆制造、先进封装和测试能力进行深度融合。台积电仍是这一趋势的主要受益者，同时，随着先进封装产能成为AI供应链中的关键瓶颈，领先的OSAT（外包半导体封装与测试）厂商也获得了更多增长机会。 与此同时，国内也频频出台关于人工智能等的政策，国务院总理李强6月29日主持召开国务院常务会议，听取人工智能发展情况汇报，研究当前外贸形势和贸易强国建设有关工作，审议通过《“十五五”碳达峰行动方案》和《国民健康“十五五”规划》。会议指出， 要深刻把握人工智能演进趋势，加快关键技术攻关和超大规模智算集群建设。要深入实施“人工智能 + ”行动，发挥我国产业体系完备、应用场景丰富等优势，促进智能产品和服务加快规模化商业应用。 要守牢人工智能安全底线完善科技伦理、测试认证等制度规则，构建动态适应、分级分类的安全监管体系，加强国际人工智能治理合作。 江苏方面也表示，要深化能源改革创新，加快能源科技创新、算电协同发展和人工智能赋能，构建主体多元、竞争有序、运作规范的电力市场体系；浙江方面此前也提到，要着力打通协议签订、医保政策、商业保险等方面堵点卡点，以丰富可及的应用场景为脑机接口产业发展提供支撑。要推动人工智能与脑机接口深度融合，充分发挥国家人工智能中试基地（医疗领域）作用，鼓励脑机接口企业与人工智能大模型、具身智能企业深度合作，推动人工智能真正成为脑机接口产业规模化、商业化的核心引擎。 企业动态方面，银河证券指出，长电科技拟投78亿元新建高端封测厂，甬矽电子亦规划百亿级三期项目布局BUMP、2.5D、FC等先进工艺，反映行业对长期需求的乐观预期。同时，AI持续拉紧晶圆代工供应链，头部厂已上调先进节点报价，成熟制程下半年亦将跟进涨价，叠加存储芯片价格上行与中报业绩预增，板块具备业绩与估值双击潜力。 开源证券则指出，年初至今，AI行情三分天下，AI材料、AI硬件、国产半导体三条主线并驾齐驱。其中，AI材料链共识度高，并伴随着涨价潮，正在被市场重新定价；背后的本质是AI产业链的利润持续向上游扩散，利润分配更占优，当未来的终端需求增速成为行业共识，相较中游，供给约束较强的上游材料往往壁垒更高、涨价弹性更大。随着产业链地位提升、利润分配占优，“AI材料”有望迎来估值和盈利的戴维斯双击。 国信证券研报指出，当前算力需求正从前期的“模型训练”加速向规模化落地的“应用推理”侧外溢。随着摩尔定律边际效应减弱，算力竞争的核心已从传统的“单芯片峰值性能提升”全面转向“芯片、软件生态与系统级集群的综合效率优化”。在海外高端芯片销售受限的背景下，国内信创需求与大模型迭代共振，推动本土AI芯片厂商加速适配并放量，国产算力全栈生态迎来增量机遇。 中信建投证券也指出，全球半导体设备景气周期持续确认，设备零部件环节正经历罕见全链条涨价潮，射频电源、陶瓷件、阀门管路等品类因海外交期延长催生国产替代加速。零部件企业因规模小、固定成本高，涨价直接转化为利润弹性，成为本轮行情最具爆发力方向。

英伟达下一代旗舰AI芯片Rubin Ultra的原始设计，据称因封装制造难题被迫大幅缩水。 6月30日，芯片行业研究机构SemiAnalysis在X平台发帖， 称英伟达原版4芯片Rubin Ultra在GTC 2026发布约三个月后即遭取消，新版“Rubin Ultra”尺寸规模缩减至原来的一半，实际性能也随之减半。 SemiAnalysis将此事置于更大背景下：英伟达市场份额正受到亚马逊Trainium、谷歌TPU及AMD芯片的侵蚀。该机构直言，“制造执行层面的问题只会让更多市场份额流失。” 此帖迅速引发争议——支持者认为这是英伟达执行力下滑的信号，质疑者则指该消息早在三个月前已是公开信息，并认为SemiAnalysis立场偏颇。 原版设计有多激进？ 要理解这次“缩水”，先看原版设计的野心。 据TechPowerUp此前3月31日报道，标准版Rubin GPU采用2颗计算芯片+8个HBM4内存模块的封装方案， 而原版Rubin Ultra计划将其翻倍——4颗计算芯片+16个HBM4E内存模块，全部集成在单一封装内，预计2027年推出。 这相当于把两块完整的Rubin芯片"拼"进一个封装，对封装技术的要求极高。 台积电为此采用CoWoS-L封装工艺。但据Global Semi Research，在4芯片（2+2排列）的配置下，封装基板出现翘曲问题——基板向多个方向弯曲，导致计算芯片无法与基板完全接触。接触不良意味着信号传输失效，芯片根本无法正常工作。 台积电的备选方案尚未就绪 面对CoWoS-L的翘曲难题，台积电正在探索一种名为CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate，面板上芯片基板封装）的新方案。 CoPoS的核心思路是用大尺寸方形/矩形面板替代约300毫米的硅中介层。早期规格约为310×310毫米，后续版本可扩展至515×510毫米乃至750×620毫米。更大的面板意味着可以容纳更多芯片和HBM内存，同时减少边缘浪费。 但问题在于时间。据TechPowerUp报道，台积电原计划最早2026年建立CoPoS试验线，量产目标在2028年底至2029年上半年。这与Rubin Ultra原定的2027年发布时间表存在明显错位。CoPoS能否赶上2027年的节点，目前仍不确定。 SemiAnalysis：CUDA护城河正在被侵蚀 SemiAnalysis在帖子中进一步指出，竞争对手的崛起速度超出预期。 "Claude Code这一最成功的AI智能体，其推理工作有相当大一部分运行在Trainium上，而Claude的训练则在TPU上完成，"SemiAnalysis写道，"就在一年前，TPU和Trainium能增长得如此之快，同时CUDA护城河被缓慢侵蚀，这还是难以想象的事。" 这一表述直指英伟达的核心竞争壁垒。CUDA生态系统长期被视为英伟达最难被复制的优势，但SemiAnalysis认为这一优势正在松动。 SemiAnalysis还提示，此次变动对HBM内存市场及英伟达未来机架产品均有系统性影响，并指向其最新加速器模型报告以获取更多细节。 质疑声：旧闻还是新料？ 这条帖子在X上引发了明显的两极反应。 质疑方 认为，这不过是翻炒旧闻。多位网友表示， “这是三个月前的旧闻。”“Jukan三月份就分享了这个信息，4芯片版本被取消是众所周知的事。” 有网友直接批评：“ SemiAnalysis又发了一篇反英伟达的文章 ，这次是关于4芯片取消的误导性报道（芯片数量其实没变）。更有意思的是——SA的全部公信力建立在供应商中立的立场上，而不是充当AMD和ASIC的代言人。” 还有网友称，“SemiAnalysis显然已做空英伟达，很可能是在模仿Leopold的对冲仓位。” 支持方 则认为此事值得关注。“英伟达正在自身的傲慢中崩塌。” 英伟达方面未就上述报道发表评论。网友称，“英伟达一如既往地对这些不停歇的FUD传言保持沉默。”

韩国正以国家意志押注半导体未来。三星和SK海力士联手启动史上最大规模存储芯片扩产计划，叠加AI数据中心建设，韩国政府主导的私人投资总额将至少达到1350万亿韩元（约合8800亿美元）， 摩根大通将此定性为"巨型投资时代"的开端。然而，华尔街的解读也揭示出一个对消费者和科技企业而言并不乐观的现实：存储芯片短缺在可预见的未来不会缓解。 韩国产业通商资源部在声明中表示，此次投资旨在五年内将韩国存储芯片产能翻倍，并在外部竞争压力下巩固韩国的芯片生产领先地位。韩国总统李在明在国家简报会上表示，"我们正进入一个转瞬即逝的时代"，并将"速度"定义为AI时代"唯一的生存之道"。 此次扩产计划的规模之大，意味着短期内不会有任何产能释放来缓解当前的供应紧张 。就在上周，苹果和Xbox已被迫上调MacBook及游戏主机售价。 三大支柱——半导体、AI机器人与数据中心 据摩根大通分析师Jay Kwon向客户发布的第一手点评，韩国政府此次宣布的"三大巨型项目计划"围绕三个核心增长支柱展开：半导体、AI机器人与实体AI，以及AI数据中心。 在半导体领域，产业通商资源部提出"3S+1F"战略： 速度（Speed） 方面，预计五年内存储产能翻倍，并将龙仁先进晶圆厂的量产时间线提前7至12年（由原定2045至2047年提前至2033至2040年）； 据点（Stronghold） 方面，将在东南部地区投入800万亿韩元建设四座晶圆厂，并在忠清地区投入81万亿韩元建设HBM后端封装厂； 先锋（Spearhead） 方面，未来15年将投入30万亿韩元用于研发和人才培育； 全力支持（Full Support） 则代表政府的全面政策背书。 AI数据中心方面，计划分两期投入550万亿韩元，第一期建设8.4吉瓦容量，第二期目标为2035年前达到10吉瓦。 三星、SK巨额投资 三星集团宣布在韩国投资2655万亿韩元，其中三星电子单独宣布2026至2040年间投资2450万亿韩元，半导体领域占2100万亿韩元。 据摩根大通梳理，三星电子的投资分配如下：龙仁晶圆厂集群及现有半导体厂区投入1650万亿韩元；光州潜在新制造中心投入400万亿韩元；天安/温阳HBM后端封装线投入56万亿韩元；牙山次世代显示及微显示项目投入67万亿韩元；龟尾实体AI与人形机器人量产线投入不超过60万亿韩元。 花旗研究分析师Peter Lee在此前的报告中指出，三星集团此次投资预计将包括光州及全罗南道约4至5座晶圆厂（约300万亿韩元）、龙仁集群6座晶圆厂（约360万亿韩元），以及忠清地区超过350万亿韩元的AI数据中心投资。花旗对韩国半导体设备（SPE）相关标的维持积极看法，认为Wonik IPS、TES、Eugene Technology及TechWing等企业有望受益。 SK集团宣布总投资规模达2100万亿韩元，其中1100万亿韩元用于存储芯片，另外1000万亿韩元投向AI基础设施。 在存储投资方面，SK将投入600万亿韩元用于龙仁基地（量产时间由2045年提前至2033年），100万亿韩元用于清州NAND厂，400万亿韩元用于东南部地区潜在新半导体集群。 AI基础设施方面，SK集团将投入1000万亿韩元，目标是到2035年建成15吉瓦的数据中心容量，分两期推进：第一期建设5吉瓦，第二期再增加10吉瓦。SK集团强调，数据中心的角色正从存储转向"算力生成"，并将AI工厂定位为集团下一个核心增长引擎。 摩根大通：规模相当于现有DRAM产能的两倍 摩根大通的Jay Kwon对整体投资规模进行了汇总测算。三星与SK两大集团合计投资规模达4755万亿韩元（约合3.1万亿美元），涵盖逾十余座约40万片/月产能的晶圆厂， 总规模相当于当前全球DRAM装机产能的两倍。 Jay Kwon估计 ，在3.1万亿美元的长期投资计划中，60%至70%将用于前端晶圆设备采购，20%至30%用于基础设施和洁净室建设，其余用于后端封装设施。 他预计，更多关于具体投资时间表的细节将在即将到来的业绩季及后续企业活动中披露。 Jay Kwon指出，此次计划的建设速度将远超过去——从2016年上半年至2026年上半年，全球DRAM产能累计新增约100万片/月，而此次扩产的推进节奏将在2020年代末的拐点之后大幅提速。 短缺难解：消费者与科技企业承压 尽管扩产规模空前，但华尔街的判断是：存储芯片短缺在近期内不会得到任何实质性缓解。 AI需求持续吸收存储供应，叠加新产能从建设到投产需要数年周期，供应紧张局面预计将延续至2027年乃至更长时间。苹果MacBook和微软Xbox游戏主机已相继涨价，苹果据报道还在寻求从中国采购存储芯片作为替代方案。 对投资者而言，此次计划的核心信号在于：韩国半导体设备产业链将迎来多年资本开支上行周期，而终端消费电子产品的存储成本压力短期内难以消退。

在创下历史天量成交与年内近300%的惊人涨幅后，市值达5895亿元的存储芯片龙头兆易创新深夜主动“降温”，折射出存储周期高位博弈与资金过热的双重隐忧。 6月29日周一晚间，兆易创新发布股票交易风险提示公告，明确指出公司所处利基存储市场价格大幅上涨趋势不可持续。公告直言，当前高价已对下游需求产生抑制，随着后续产能边际增加，产品价格将面临相当幅度的回落。 这一预警恰逢公司股价情绪沸点。当日兆易创新成交额高达431.5亿元位居A股榜首，且首次被全球最火内存ETF纳入重仓。在被动资金加速涌入与产业资本提示周期见顶的错位下，市场博弈正趋于白热化。 对于投资者而言，这不仅是一次合规层面的例行信披，更是基本面逻辑对当前半导体板块极端情绪溢价的一次实质性“纠偏”信号，短期交易风险已不容忽视。 利基存储供需逆转，周期高位敲响警钟 兆易创新在公告中详细拆解了当前存储市场的结构性矛盾。公司指出，存储芯片行业具有显著的周期性波动特征，目前产品价格已处于历史高位，供需终将走向再平衡。与受AI需求强劲驱动的主流存储市场不同，兆易创新主营的利基存储产品主要应用于消费、工业、网通、汽车等分散领域，下游需求总量相对稳定。 当前利基存储价格的上涨，主要源于国际大厂将产能重心切换至AI相关的主流存储，导致利基市场间接受益于供应紧张。然而，在价格快速上行过程中，下游需求已受到实质性抑制。公司明确提示，伴随利基存储产能边际增加，价格将出现相当幅度的回落。此外，作为无晶圆厂模式企业，在整体供应短缺背景下，公司还面临上游合作的晶圆厂产能供给进一步紧张的供应链风险。 全球被动资金入场，ETF重仓加剧波动 在基本面隐忧浮现的同时，资金面的狂热仍在推高股价。6月27日，美国市场稀缺的纯存储主动管理ETF——Roundhill Memory ETF（DRAM）发布最新持仓，首次将兆易创新纳入其中，权重达 2.91% ，位列第8大重仓股。这是该ETF自4月上市以来首次纳入A股存储标的，也是其持仓中唯一的A股存储芯片企业，意味着中国存储产业链正获得全球被动型资金的实质性认可。 国内公募资金同样高度集中。 情绪溢价亟待消化，短期交易风险凸显 从交易数据来看，兆易创新短期涨幅已严重脱离常规估值区间。6月29日，公司A股收涨9.09%逼近涨停，报收840元，年内累计涨幅达 292.64% ；港股表现更为激进，年内涨幅高达 667.50% 。近期公司成交额连续多个交易日维持在370亿元以上，单日431.5亿元的成交额更创下上市以来历史新高，位居A股第一。 在行业供需预期逆转与短期资金极度拥挤的叠加下，半导体板块整体估值面临严峻的消化压力。产业资本的深夜预警，实质上是对当前过热交易情绪的理性降温。投资者需密切关注后续机构资金的调仓动向及利基存储价格的实际走势，警惕短期情绪溢价回落带来的快速回调风险，回归理性投资逻辑。

席卷全球的内存价格飙升，正演变为一场法律风暴。三星、SK海力士与美光这三家掌控全球DRAM市场的芯片巨头，于上周在美国联邦法院遭遇集体诉讼，被指借向人工智能高带宽内存（HBM）战略转型之名，协同压缩传统DRAM产能，致使相关价格在过去四年内暴涨约700%。 诉讼于6月25日在加州联邦法院提起，原告方代表在近期价格上涨周期内购买含商用DRAM产品的消费者及企业。 诉状将苹果公司近期对iPad和Mac产品线的全面提价援引为直接损害案例，视其为提起诉讼的直接导火索，并指控三家公司协同削减DDR3、DDR4等传统内存产能，人为制造"RAMpocalypse"（内存末日）式的供给短缺与价格暴涨。 本案并非无先例可循。三星与SK海力士曾于2000年代就美国司法部提起的刑事价格操纵指控认罪，合计缴纳7.31亿美元罚款，多名高管被判处jian禁。诉状明确援引这一记录，试图确立三家公司长期串谋的行为模式，令当前指控具备更强的法律依据。 对投资者而言，无论诉讼走向如何，内存价格高位在短期内均难以逆转。Jefferies预计， 2026年第三季度内存价格将较上一季度再涨40%至50%， 第四季度继续环比上行30%至40%，2027年全年价格同比仍将增长40%至45%，最早要到2028年方可能出现较为明显的放缓——这意味着下游企业与终端消费者面临的成本压力将延续相当长时间。 诉讼核心：HBM转型被指充当压缩供给的"遮羞布" 诉状的核心论点在于：三星、SK海力士与美光凭借其在全球DRAM市场的寡头地位，在协同推进向HBM转型的同时，以这一战略调整为由大幅削减DDR3、DDR4等商用内存的产能，人为制造供给收缩。据诉状援引的数据，上述协同行动导致商用DRAM价格在过去四年间累计上涨约700%，对全球消费电子及商业IT采购造成广泛冲击。 苹果近期对iPad和Mac的大范围提价被原告方援引为价格传导的典型案例： 三家厂商在上游制造的供给缺口，已通过产业链层层转嫁，最终落在终端消费者身上。 此次诉讼的法律论据并非凭空而来。三星与SK海力士曾于2000年代就美国司法部提起的刑事价格操纵案正式认罪，两家公司合计缴纳7.31亿美元罚款，多名涉案高管被判处jian禁。 诉状援引这一历史记录，旨在向法庭呈现三家公司存在系统性、重复性串谋的行为模式，以强化当前指控的可信度与法律效力。相较于初次被指控的被告，这一前科记录为原告方提供了较为有力的参照依据，也令被告方的辩护面临更高的舆论与法律成本。 价格前景：高价"新常态"或延续至2028年 与诉讼进程并行的，是市场对内存价格走势的持续悲观预期。包括联想在内的多家企业已公开表示，内存高价将成为"新常态"。分析人士也指出，此类表态背后存在引导消费者提前下单、避免观望的商业动机。 Jefferies的预测更为具体：该机构预计2026年第三季度内存价格将较上一季度再涨40%至50%，第四季度继续环比上行30%至40%；进入2027年，全年价格料同比再增40%至45%，价格的实质性放缓最早要等到2028年。对下游企业及终端消费者而言，内存成本的持续攀升将在相当长的周期内继续向最终产品定价传导，消费电子、服务器及企业IT采购的成本结构均面临持续重构压力。 （华尔街见闻）

苹果寻求采购长鑫存储产品一事，正在重塑市场对这家DRAM厂商的定位。花旗认为，无论最终能否获得美国政府批准，苹果的这一举动本身已是对长鑫存储技术实力的有力背书。 据追风交易台，据中新经纬援引英国《金融时报》6月27日报道，六位知情人士透露，苹果正向美国政府游说，寻求获准采购长鑫存储的内存芯片，以缓解内存价格飙涨带来的成本压力。花旗在随后发布的研报中指出，苹果此举将长鑫存储的市场形象从"中国国产替代"重新定义为"可信赖的全球第四大DRAM制造商"。 这一消息对长鑫存储及其供应链构成积极信号。花旗认为，封测领域和设备端将受益于长鑫存储产能扩张带来的设备及封测需求上升。与此同时，知名苹果供应链分析师郭明錤指出，苹果游说白宫的真正驱动力并非单纯的降本需求，而是全球内存供应缺口将持续扩大至2027年这一更深层的结构性压力。 苹果寻求政策背书，技术门槛已不是障碍 花旗研报的核心判断在于：苹果愿意将长鑫存储纳入潜在供应商考量，本身即是一种市场认证。 长鑫存储LPDDR5X产品（12Gb/16Gb颗粒）已达到10667Mbps的传输速率，具备覆盖高端手机、平板及笔记本电脑应用场景的技术能力。 这意味着长鑫存储的产品规格已能满足苹果对内存性能的严苛要求，技术层面的障碍已基本消除。 花旗指出，1260H名单本身并不禁止美国企业向长鑫存储采购，但苹果主动寻求政策背书，是出于对未来更严格限制措施的预防性考量——例如商务部工业和安全局（BIS）实体清单的潜在扩容。在当前美国政治环境下，获批难度不容低估， 但苹果愿意承担这一政治成本本身，已充分说明其对长鑫存储产品可靠性的认可程度，以及当前内存短缺形势的严峻性。 供应缺口是更深层的驱动力 郭明錤对苹果此举给出了超越成本逻辑的解读。他明确表示，苹果面临的压力已从"内存价格飙涨"演变为"供应缺口扩大"，两者性质不同，后者更难通过涨价或更换供应商来解决。 根据他的最新行业调研，2026年分配给消费电子的内存产能，预计有15%至20%将在2027年转移至数据中心，且这一比例可能进一步扩大。AI基础设施建设持续吸纳高端内存产能，消费电子可获得的供应份额正在系统性收窄。 这一趋势已开始影响苹果的产品节奏。郭明錤表示，由于LPDDR内存供应紧张，苹果A20芯片在2026年下半年至2027年一季度的实际拉货量，可能较原定目标低10%至20%，尽管其中部分也可能反映苹果自身的超额预订。 供应链或将受益 花旗认为，长鑫存储获得苹果背书所带来的市场重新定价，将沿供应链向上游设备商和封测厂商传导。在封测领域，花旗近期已上调对三家国内封测企业的目标价，以反映板块整体估值重估。 长鑫存储能否最终获得苹果的采购订单，仍取决于美国政府的政策走向。但这张"信任票"本身，已足以改变市场对长鑫存储的叙事框架。

全球记忆体供应持续吃紧，台积电正将本土厂商纳入其核心AI芯片供应链，以降低对国际三大记忆体巨头的依赖。 据媒体报道， 台积电与华邦已启动合作，双方合作领域为晶圆对晶圆堆叠（Wafer-on-Wafer，WoW）先进3D封装技术。华邦将提供DRAM等记忆体晶圆，与台积电逻辑制程晶圆共同进行垂直堆叠。 台积电此前在WoW技术所需的记忆体晶圆，主要依赖三星、SK海力士及美光三家国际大厂。 此次合作对双方均具重要意义。对台积电而言，华邦的加入有助于在全球记忆体供应紧张背景下建立更稳定、更具韧性的货源；对华邦而言，此次合作意味着这家长期深耕利基记忆体市场的中国台湾厂商，正式跻身全球AI服务器核心供应链。 这一合作被业界视为中国台湾记忆体产业角色转变的标志性事件——从AI周边供应商迈向全球AI核心供应链参与者，也折射出台积电正系统性扶植本土供应链、强化AI芯片自主供应能力的战略取向。 WoW：下一代AI芯片的关键整合技术 WoW技术的核心在于通过Hybrid Bonding（混合键合）工艺，将逻辑芯片与记忆体晶圆直接垂直堆叠，建立数万至数百万个微型铜接点。相较于传统封装方式，WoW大幅缩短数据传输距离，可实现更高带宽、更低延迟与更优能源效率，有效突破制约AI运算性能的"记忆体墙"瓶颈。 业界分析，WoW已成为AI服务器、高效能运算（HPC）及边缘AI设备的重要技术方向，在云端数据中心部署中尤具价值——可将CPU/GPU等逻辑芯片与高速记忆体直接堆叠，实现超高数据吞吐量与极小化芯片面积。 台积电在WoW领域对合作伙伴设有极高门槛，要求具备成熟的12吋晶圆量产能力、高良率、特殊制程经验及晶圆整合实力。 华邦长年专注于利基型DRAM及NOR Flash（编码型记忆体）市场，在特殊记忆体制程、晶圆制造与品质管理方面积累了深厚技术底蕴 。业界认为，正是这一差异化的技术积累，使华邦最终获得台积电青睐，成为其WoW记忆体晶圆供应伙伴。 供应紧张倒逼多元化布局 此次合作的直接背景，是全球记忆体市场的结构性供应短缺。目前三星、SK海力士、美光三大国际原厂产能几近满载，全球AI供应链正积极寻求更多元、更具弹性的记忆体来源。 面对这一局面，台积电采取双轨策略：一方面持续深化与国际记忆体大厂的既有合作，另一方面积极引入本土供应商，以构建更完整的AI芯片生态系。华邦入列，正是这一战略的具体落地。 业界指出，台积电引入华邦并非孤立的单一合作案，而是其系统布局AI记忆体本土供应链的组成部分。随着WoW技术走向量产、更多AI平台相继导入，这一合作有望为华邦打开新一轮成长空间。

韩国两大科技集团在同一天抛出规模空前的本土投资计划，标志着全球AI与半导体产业竞争进入新阶段。 6月29日，三星集团与SK集团分别在韩国总统李在明主持的"大韩民国大跃进三大超级项目国民报告会"上公布投资蓝图。三星宣布总投资规模达2655万亿韩元（约11.68万亿人民币），SK集团则计划未来10年每年在韩国国内投入逾100万亿韩元，AI数据中心与半导体供应扩张两大项目合计约2200万亿韩元（约9.68万亿人民币）。两大集团合计承诺投资规模超过4800万亿韩元。 韩国政府同日宣布迄今规模最大的半导体与人工智能产业投资计划 ，将半导体、物理AI与AI数据中心定位为韩国产业升级的"三角支柱"，目标是在五年内将DRAM生产能力翻倍，并推动韩国跻身"AI革命主导国"行列。 三星：2655万亿韩元覆盖半导体、AI与新能源 据韩联社最新报道，三星集团此次投资计划以平泽和龙仁半导体集群为核心，同时大规模向地方延伸布局。 在核心半导体集群方面，三星计划向平泽园区及龙仁国家产业园区等反导体集群投入2030万亿韩元，构成整体计划的主体。 在地方投资方面，三星宣布向湖南（全罗道）地区投入425万亿韩元，其中半导体领域400万亿韩元。 三 星电子将在光州新建半导体晶圆厂并构建数字孪生创新枢纽；三星SDS将在海南Solaseado建设AI数据中心，布局主权AI基础设施；三星物产则将在湖南投资太阳能发电设施、核能制氢及绿氢研发示范基地。 在忠清地区，三星计划投入140万亿韩元，重点方向包括HBM晶圆厂、新一代显示屏、下一代电池及AI服务器封装基板。其中，三星电子将在天安和温阳投入56万亿韩元建设最先进HBM晶圆厂；三星显示器将在牙山建设折叠屏等新一代智能手机显示屏及超高分辨率微显示屏生产基地；三星SDI将在天安打造下一代电池全球母工厂；三星电机则将在世宗建设最先进AI服务器封装基板产线。 在岭南地区，三星计划投入60万亿韩元，推动主力制造业与AI及机器人技术融合。 三星电子将在龟尾建设智能手机全球制造创新枢纽及人形机器人量产线，三星SDS同步在当地建设AI数据中心；三星电机将扩大釜山MLCC及封装基板产能；三星SDI将在蔚山扩大全固态电池及储能系统投资；三星重工则将在巨济建设高附加值船舶建造基地。 SK海力士：2200万亿韩元押注AI数据中心与半导体扩产 SK集团董事长崔泰源在报告会上表示，集团计划在AI数据中心项目上投入约1000万亿韩元，在半导体供应扩张项目上投入约1100万亿韩元，"未来10年SK将持续每年在国内执行逾100万亿韩元的投资"。 在AI数据中心方面，SK集团以SK电讯为核心，计划建设总规模达15GW的AI数据中心网络。第一阶段将建设5GW规模的中心，以0.5至1GW为单位分散布局全国各地；第二阶段将综合电力、土地及水资源条件，逐步扩建至10GW规模。崔泰源表示，集团目标是"出口智能而非产品，并在国内构建'智能市场'"。 在半导体扩产方面，SK海力士将大幅提前原定产能建设时间表。 崔泰源宣布，原计划2045年竣工的龙仁集群将提前12年完成；为扩大DRAM产能，将在龙仁提前投入约600万亿韩元；为扩大NAND产能，将在清州提前投入约100万亿韩元。 此外，为应对持续的内存供应短缺，SK计划在西南地区新建生产基地，投资规模约400万亿韩元，该地区被认为能够满足大规模土地、电力、水资源及人力等综合条件。

美伊冲突出现缓和信号，叠加韩国推出规模空前的芯片投资计划，全球风险偏好在本季末获得双重提振，美股期货走高，亚洲市场止跌回稳，全球股市有望录得2020年以来最佳季度表现，但AI热潮持续性存疑、通胀压力及财政风险构成的多重隐患，使投资者依然保持审慎。 韩国政府宣布将在西南部建设四座芯片厂，总投资约800万亿韩元，并计划在2035年前在AI数据中心领域投入逾1000万亿韩元。美股盘前，存储芯片股反弹，美光科技涨超2%，科技股多数走高，英伟达涨超1%。韩国综合指数（Kospi）应声由跌转涨，SK海力士此前一度下跌近6%后也随之收复失地。 与此同时，据央视新闻，美国与伊朗同意暂停相互打击，并将于本周在卡塔尔举行会谈，就霍尔木兹海峡争端及其他结束战争的相关议题展开磋商，消息援引一位不具名的美国官员。布伦特原油则抹去早间涨幅，转为基本持平，报每桶约72美元。 上述消息推动全球股市本季度有望录得2020年以来最佳季度涨幅。尽管历史数据显示上半年强劲通常预示全年走势偏好，但AI交易持续性、利率上升空间及政府支出加速等多重变量仍令市场保持警惕。 标普500指数期货和纳斯达克100指数期货均上涨至少0.7%。美股盘前，存储芯片股反弹，美光科技涨超2%，科技股多数走高，英伟达涨超1%。 欧股开盘涨跌不一， 欧洲斯托克50指数开盘跌0.01%，德国DAX指数涨0.10%，英国富时100指数跌0.19%，法国CAC 40指数跌0.19%。 日经225指数收涨0.2%，报69468.11点。日本东证指数收涨0.5%，报3982点。韩国首尔综指收跌0.2%，报8394.65点。 美元现货指数变化不大。 黄金下跌近1%至每盎司4050美元。 10年期美国国债收益率小幅上行1个基点至4.38%。 布伦特原油则抹去早间涨幅，转为基本持平，报每桶约72美元。 比特币上涨0.5%，报59,892.68美元。 韩国千万亿芯片大计，Kospi由跌转涨但波动率创纪录 韩国产业部长周一宣布，三星集团与SK集团各自计划建设两座芯片厂，合计四座、总投资约800万亿韩元，以巩固韩国科技强国地位。政府另宣布，将在2035年前追加逾1000万亿韩元用于AI数据中心建设。 Kospi指数受此提振由跌转涨，SK海力士从盘中一度接近6%的跌幅中反弹收涨。 然而，据彭博策略师Garfield Reynolds指出，韩国股市隐含波动率指数周一创下历史新高，市场对今年涨势能否延续存在明显疑虑。"这一季度韩国股市屡创历史新高，但期权市场释放的热度信号表明，投资者担忧今年最好的时光已然过去。"MSCI亚太股票基准指数整体变化不大，投资者正将资金从权重较高的科技硬件股转向其他板块。 停火消息驱散地缘风险溢价，油价涨幅全数回吐 自上周四起，美伊局势明显升温。伊朗相继打击一艘集装箱船、一艘承运卡塔尔石油的船只，以及科威特和巴林的军事基地，美国随后多次实施报复性打击。Axios报道的停火协议由此成为本周初最受关注的市场催化剂。 Capital.com的Kyle Rodda表示，美国实际上邀请伊朗重返全球贸易体系、向全球市场销售原油，"这一意义不容低估"。 布伦特原油在伊朗袭击发生后一度走高，但随着停火消息落地，地缘风险溢价迅速消散，涨幅悉数回吐，报每桶约72美元。 资金加速轮出科技龙头，大盘广度走强 科技权重股遭受的抛售压力上周已有所显现。MSCI全国际世界指数上周下跌2.1%，主要受科技硬件龙头股外流资金拖累，资金转向更广泛的板块配置。 标普500指数上周五收盘基本持平，但多数成分股录得上涨，经济韧性迹象支撑市场对企业盈利前景的预期。该指数的等权重版本——剔除市值偏差后的指标——甚至创下历史新高。 "资金似乎流向任何地方，唯独绕开科技股，"新加坡First Degree Global Asset Management市场策略师Kaia Parv在接受彭博电视采访时表示。Tokai Tokyo Intelligence Lab首席全球策略师Shoji Hirakawa也认为，"股市似乎相信，随着中期选举临近，特朗普总统别无选择只能作出妥协。投资者将美伊之间的相互打击视为暂时现象，不认为局势会升级为另一场战争。" 辛特拉会议与非农数据成本周双重焦点 本周，交易员将聚焦于葡萄牙辛特拉举行的年度央行行长会议，美联储主席Kevin Warsh将出席发言。与此同时，一系列美国就业报告也将陆续公布，包括备受关注的非农就业数据。 市场预期美国经济的韧性与持续的通胀压力，可能推动美联储最早于9月加息。澳大利亚联邦银行策略师Joseph Capurso等人在研报中写道，尽管Warsh可能在辛特拉软化部分鹰派立场、对美元形成一定压制，但"美国例外论"叙事仍将推动美元"在未来数周持续走高"。 美元兑主要货币走势分化，黄金下跌近1%至每盎司4050美元，10年期美国国债收益率小幅上行1个基点至4.38%。 BIS年报三重预警：AI泡沫、通胀与财政压力并列高危 国际清算银行（BIS）周日发布年度报告，将AI驱动涨势的急剧回调、通胀高企及财政压力列为当前威胁全球繁荣最值得关注的风险，并警告潜在的金融脆弱性可能放大任何外部冲击。 "全球经济仍深陷进步与危险的交叉洪流之中，"这家总部位于巴塞尔的机构在报告中写道，"韧性正受到日益严峻的考验与磨损。" 美联储里士满联储行长Tom Barkin也警告，当前通胀水平"过高"。BIS在报告中将上述因素均列为"亟需关注"的压力点，认为当前全球金融体系潜伏的脆弱性一旦遭遇冲击可能产生放大效应。