过去数月全球存储芯片价格的持续飙升，正在股市中催生出赢家与输家间的巨大鸿沟，而投资者眼下可能尚未看到这轮分化行情的终点。 从游戏机制造商、大型PC品牌到手机厂商，众多终端消费电子企业的股价因盈利担忧而暴跌；与此同时，内存生产商的股价则正飙升至前所未有的高位。 这促使基金经理和分析师纷纷开始评估，哪些公司能通过锁定供应、提高产品价格或重新设计以减少存储芯片使用量，从而在这场挤压中寻求最佳生路。 市场对此的反应显然也很直接： 一项衡量全球消费电子制造商股价表现的指数自9月底以来已下跌了12%，而包括三星电子在内的一篮子存储厂商的股价则飙升了160%以上。 而现在的疑问在于，市场价格已经消化了多少预期？ 风险仍被低估？ 富达国际基金经理Vivian Pai表示，目前仍被低估的是关于持续时间的风险。当前估值基本假设(存储芯片)供应中断将在一至两个季度内恢复正常。但我们认为行业紧张局势可能会持续——或将贯穿今年余下时间。 在近来的财报和电话会议中，随着企业频繁提及内存芯片短缺与价格上涨问题。投资者已听见警钟。 上周四，智能手机处理器制造商高通公司暗示内存限制将影响手机产量后，其股价下跌逾8%。 目前，瑞士外设制造商罗技的股价自11月峰值已下跌约30%，因芯片价格上涨抑制了个人电脑需求预期。而从比亚迪到小米的中国电动汽车和智能手机制造商股价也因芯片短缺担忧而持续低迷。 “在本轮财报季，内存价格已从背景话题跃升为头条新闻，”盛宝银行首席投资策略师Charu Chanana表示，“市场普遍意识到内存价格上涨且供应紧张——这已非新消息，我认为市场已对此定价。但供应紧张的时间线似乎正开始受到质疑。” 存储超级周期 目前，需求与盈利的双重忧虑正压制着企业前景，而美国超大规模云服务商巨额投入人工智能基础设施的计划，更可能加剧存储芯片短缺。亚马逊等企业主导的人工智能基础设施大规模建设，正将产能从传统DRAM转向高带宽内存。 由此催生了所谓的存储“超级周期”，打破了过往存储芯片供需通常的繁荣-萧条循环模式。 尽管智能手机和汽车等终端产品需求疲软，DRAM现货价格近几个月仍飙升逾600%。更甚者，人工智能正催生对NAND闪存及其他存储产品的全新需求，推高了这些细分市场的成本。 在此背景下，存储芯片制造商成为科技股中的最大赢家。自9月底以来，作为英伟达关键HBM芯片供应商的SK海力士，在韩国市场上的涨幅已超150%。在通用存储芯片制造商中，日本储存企业铠侠同期涨幅达280%左右，美企闪迪在纽约股市涨幅更突破了400%。 GAM投资管理公司的基金经理Jian Shi Cortesi表示，“从历史上看，存储周期通常持续3到4年。而当前周期无论在持续时间还是幅度上都已超越以往周期，且需求动能尚未显露疲软迹象。” 她补充道，自己目前正长期持有存储芯片类股票。

据媒体周一援引业内消息人士报道称， 韩国SK集团会长崔泰源已在美国与英伟达首席执行官黄仁勋会面，双方就高带宽内存（HBM）供应以及更广泛的人工智能（AI）业务合作事宜进行了商讨 。 消息人士称，此次会面于本月早些时候在加州的一家炸鸡店进行。观察人士认为，双方讨论了HBM4的供应计划，HBM4是下一代高带宽内存（HBM），预计将用于英伟达即将推出的名为“Vera Rubin”的AI加速器。 SK集团旗下子公司SK海力士是英伟达HBM产品的核心供应商。该公司已经表示，正按照与客户商定的时间表推进 HBM4的量产。 一名SK海力士高管表示：“即便全力生产，公司可能仍无法100%满足客户需求，这为一些竞争对手赢得供应合同提供了机会。但凭借产品性能、制造能力与品质，我们作为主导供应商的领先地位仍将稳固。” SK海力士本土竞争对手三星电子预计于本月下旬开始向英伟达交付HBM4，成为全球首家大规模量产和出货HBM4的企业。周一有报道称，三星电子已决定在即将到来的农历新年假期（2月17日为农历初一）之后开始向英伟达供应HBM4产品。 不过，业内消息人士表示， SK海力士今年仍有望保持英伟达最大HBM供应商的地位，其HBM4 市场份额预计约为70% 。 消息人士称，此次讨论还涉及与SK集团战略相关的潜在合作，该集团正计划在存储芯片之外拓展AI解决方案业务。 据报道，崔泰源自本月初起就一直留在美国，与美国大型科技公司的高管们举行了一系列会面。

据业内人士对媒体透露，美国特朗普政府计划在即将实施的芯片关税中，对包括亚马逊、谷歌和微软在内的科技巨头公司予以豁免，这些公司正在竞相建设数据中心，需要进口大量芯片。 这项豁免计划凸显了特朗普激励美国国内制造芯片的决心，同时也为那些严重依赖进口半导体、支撑美国人工智能（AI）产业快速扩张的公司提供了一定的缓冲空间。 2026年1月15日起，美国根据《1962年贸易扩展法》第232条，对特定进口半导体及其衍生品加征25%的从价关税，核心针对那些在美国本土建设不足的进口高端芯片，不过美国同时给了90天的谈判期。新规指出，用于美国数据中心、研发、维修替换、初创企业、消费电子、民用工业及公共部门等领域的半导体产品被豁免。 值得一提的是，美国商务部为超大规模云服务商提供关税豁免的计划与台积电（TSMC）的投资承诺挂钩。 台积电成为关键一环 一直以来，特朗普都在利用关税威胁来推动美国制造业发展。 但事实上，美国大型科技公司的人工智能供应链极大程度依赖于中国台湾地区的半导体厂商，而一旦特朗普对芯片征收全面关税，势必也将对美国科技公司造成巨大冲击。 今年1月，白宫在宣布计划对芯片进口商征收“高额关税的同时，也留了个“后门”。特朗普当时表示，新方案将允许台积电为其美国客户分配相关关税的豁免额度，豁免力度则将与台积电在美投资规模挂钩。 这就意味着，美国超大规模数据中心运营商可获得的豁免规模和范围，将取决于台积电预测其未来几年在美国能够达到的产能。 显然，这项复杂的计划旨在推动台积电将更多生产产能转移到美国。 台积电是一家全球领先的半导体代工厂商，主要生产用于人工智能的大部分先进芯片，其大部分生产基地目前位于中国台湾地区，其美国客户包括了英伟达、苹果、AMD等大型公司。台积电公司日前已承诺在美国投资1650亿美元用于产能建设。 据一位了解该计划的政府官员表示，该计划仍在不断变化，尚未获得总统签署，“我们将密切关注该计划公布后的进展”。

随着科技方向热度回暖，今日港股半导体板块又迎来一轮爆发行情。 截至发稿，新上市的澜起科技(06809.HK)挂牌首日大涨超50%，兆易创新(03986.HK)涨逾11%，上海复旦(01385.HK)等多只个股跟涨幅度也在5%以上。 短线来看，今日全球内存互连芯片龙头澜起科技正式登陆港股，开盘便较发行价拉涨50%以上，市值迅速突破2000亿港元，随即引发半导体板块的情绪共振。 据信达证券研究显示，AI大模型训练和推理需求的快速增长是此轮存储行业复苏的核心动力，高性能存储产品需求呈现爆发式增长。且在供给持续收缩趋势下，存储价格涨势仍将持续。 此外，产业链层面，2026年以来，半导体产业链迎来新一轮涨价潮，从存储、CPU到封测、设计等细分领域，多家企业发布涨价函。 消息面上，最近一周海外亚马逊、谷歌、微软和Meta等海外主要CSP大厂披露最新财报，2026年资本开支合计将达6600亿美元，同比大幅增长60%，主要投向AI算力的建设，也令市场对于芯片行业高景气度延续的预期更为强烈。 近日，全球芯片代工龙头台积电也预计2026年资本开支为520-560亿美元，相较于2025年409亿美元的资本开支大幅增长，进一步凸显行业当前的强劲势头。 综合来看，由于AI上行周期的强需求拉动，本轮芯片涨价周期逐渐形成扩散趋势，或推动整个半导体市场规模持续增长。 中国银河证券还表示，AI正驱动新一轮半导体周期上行，叠加上游原材料铜、金价格持续上涨，引发“半导体通胀”，相关公司业绩迎来改善。

上周，半导体行业研究机构SemiAnalysis在一份机构级研究报告中提到，英伟达将把美光HBM4排除在Rubin架构的首年量产之外，主要采用韩国公司产品。 SemiAnalysis在报告中写道，“目前没有任何迹象表明英伟达会向美光订购HBM4”，该机构还预计，SK海力士将占据英伟达HBM4供应量的70%，三星电子将占据30%。 Vera Rubin是英伟达正在开发的下一代Blackwell人工智能芯片平台（Vera CPU搭配Rubin GPU），该系统将首次采用HBM4（第四代高带宽内存），以实现超高速的数据访问。 SemiAnalysis表示，“根据我们的供应链调研，美光最新的HBM4工程样品在引脚速率方面仍低于目标规格。”受该消息影响，美光科技股价夜盘跌超1.2%。 “三星和SK海力士样品的引脚速率约为10Gbps，而美光的HBM4样品引脚速率明显较低，这一差距凸显了HBM4技术复杂度的显著提升，将影响其市场份额以及量产爬坡时间表。” “在更细分层面，三星HBM4前端制程在性能和能效方面具备竞争力，在某些情况下功耗甚至低于SK海力士。而海力士在信号完整性方面仍占优势，更低的抖动反映出其在封装层面的执行力更强。” SemiAnalysis认为，“尽管美光管理层对HBM4表现出信心，但鉴于其在满足英伟达所要求的引脚速率方面持续存在挑战，我们仍对其执行能力保持怀疑。” 先前有消息称，美光预计英伟达将在约5%的产品中采用其HBM4。TrendForce等市场研究公司和业内人士透露，英伟达在去年第三季度将HBM4的数据传输速度要求提高到11Gbps以上。 虽然美光声称已达到11Gbps，但业内人士认为该公司难以达到这一标准。英伟达一直敦促HBM4生产商提升性能，以最大限度地发挥Vera Rubin芯片的潜力。 SemiAnalysis表示，“更具体地说，我们认为HBM4的竞争很可能演变为由韩国内存厂商主导的双寡头格局，尤其是在英伟达这一HBM4最大终端客户身上。” 财联社日内报道提到，业内消息人士透露，三星电子已决定在即将到来的农历新年假期（2月17日为农历初一）之后开始向英伟达供应HBM4产品。 英伟达预计将在即将举行的GTC 2026大会上展示其下一代搭载三星HBM4的人工智能计算平台Vera Rubin。该大会定于3月16日至19日举行。

继兆易创新、豪威集团之后，今年又一家A股千亿市值芯片龙头成功登陆港股，实现“A+H”上市。 澜起科技今日（2月9日）正式在香港联交所挂牌上市，首日开盘后大涨超57%，截至收盘涨63.72%，收报175港元。 据了解，澜起科技此次发售6589万股，发行价106.89港元，募资金额为70.43亿港元；扣非发行应付上市费用1.38亿港元后，募资净额为69亿港元。该公司计划募资用于互联类芯片领域的研发，以及用于提高商业化能力、战略投资或收购等。 据介绍，澜起科技此次在港股上市，是迄今为止募资规模最大的芯片设计公司港股IPO，该公司也成为港股高速互连芯片领域第一股。 澜起科技登陆港股同日，其A股走势同样迎来上涨，涨幅为6.06%，收报173.45元/股。该公司股价、A股市值也在今年2月创下历史新高，其最新A股市值为1988.48亿元。 澜起科技表示，在港交所的上市，有利于公司深化国际化布局，持续吸引并聚集优秀研发及管理人才，增强境外融资能力，进一步提高公司的核心竞争力等。 摩根大通、瑞银等为基石投资者 澜起科技此次赴港上市，受到众多外资及国内科技产业、金融资本的关注。 澜起科技基石投资者囊括了摩根大通JPMIMI、瑞银UBS AM、abrdn Asia、韩国未来资产Mirae Asset、美国万通旗下霸菱、华登国际等知名外资机构，国内投资者则包括阿里旗下Alisoft China、云锋基金旗下Yunfeng Capital、华勤通讯、中邮理财、泰康人寿等。以上机构合计认购4.5亿美元。 事实上，澜起科技作为一家国产芯片企业，长期布局全球化发展。 从行业引领性来看，该公司是DDR5 RCD芯片国际标准的牵头制定者，MDB芯片及CKD芯片国际标准的牵头制定者，也是全球内存接口芯片的三家主要供应商之一。据弗若斯特沙利文报告，按2024年销售额统计，澜起科技是全球最大的内存互连芯片供应商、全球第二大PCIe Retimer供应商。 从收入结构来看，澜起科技港股招股书显示，其主要收入来自海外市场。2022年至2025年1-3月，其海外销售额分别约为24.55亿元、19.21亿元、25.77亿元、5.64亿元及9.34亿元，分别约占总收入的66.9%、84.0%、70.8%、76.5%及76.4%。 澜起科技成立于2004年，其创始人为杨崇和、Stephen Kuong-Io Tai。 Stephen Kuong-Io Tai曾参与创建Marvell科技集团，并就任该公司的工程研发总监，拥有逾25年的半导体架构、设计和工程管理经验。杨崇和则曾在美国国家半导体、上海贝岭等公司任职。 2013年9月，澜起科技登陆美国纳斯达克上市。然而上市后不到半年，澜起科技遭遇做空机构指控通过关联交易虚增收入，陷入集体诉讼和退市风险。尽管独立调查确认财报真实性，其后在外界压力下，澜起科技于2014年6月接受浦东科技投资领衔的财团收购，以6.93亿美元价格完成私有化。 AI持续推动存储需求 新品逐步上量 澜起科技作为AI计算时代的“卖铲人”，其产品聚焦互连类芯片，包括内存互连芯片及PCIe/CXL互连芯片等，应用场景涵盖包括数据中心、服务器及电脑在内的各类终端领域。 澜起科技2025年业绩及增长表现亮眼。其在今年1月公告称，经其财务部门初步测算，该公司预计2025年度归母净利润为21.50亿元-23.50亿元，较上年同期增长52.29%-66.46%；实现归母扣非净利润19.20亿元-21.20亿元，较上年同期增53.81%-69.83%。 关于业绩增长原因，澜起科技表示，受益于AI产业趋势，行业需求旺盛，该公司互连类芯片出货量显著增加，推动公司2025年度经营业绩较上年同期实现大幅增长。 2025年，DDR5内存接口芯片渗透显著提升，澜起科技内部子代持续迭代。2025第三季度，澜起科技DDR5第三子代RCD芯片销售收入首次超过第二子代产品，DDR5第四子代RCD芯片开始规模出货。 澜起科技在2025年第四季度接受机构调研，展望未来两年，从产业趋势来看，AI将持续推动存储需求的增长，DDR5持续渗透及子代迭代有助于维系和提升公司相关产品的平均销售价格及毛利率；此外，针对公司的互连类芯片新产品，包括PCIe Retimer、MRCD/MDB、CKD、MXC芯片等，行业生态在持续完善，其价值也在逐步获得终端客户的认可，新产品的逐步上量将对公司业绩产生积极影响。

根据Counterpoint本月发布的《内存价格追踪》报告显示，2026年第一季度，全球内存价格环比飙升了80%至90%，创下前所未有的涨幅纪录。 此次价格上涨的主要原因是通用服务器DRAM价格大幅上涨。此外，在第四季度价格表现相对平静的NAND芯片，在今年第一季度也出现了80%至90%的同步上涨。同时，部分HBM3e产品同样出现价格大幅上涨，整个内存市场呈现出全线上扬的趋势。 PC和服务器内存价格趋势(2025年第二季度至2026年第二季度预测) 以服务器级内存为例，64GB RDIMM的价格从去年第四季度固定合同价450美元飙升至第一季度的900多美元，预计第二季度将突破1000美元大关。 Counterpoint高级分析师Jeongku Choi强调：“对于设备制造商而言，这是双重打击——零部件成本上升以及消费者购买力减弱，这可能会导致需求在本季度逐渐放缓。这要求原始设备制造商（OEM）改变采购模式或专注于高端机型，通过为消费者提供更多价值来证明更高价格的合理性。” 目前，智能手机制造商正在减少设备中DRAM芯片的含量，或者用更具成本效益的四层单元（QLC）固态硬盘替代三层单元（TLC）固态硬盘。与此同时，LPDDR4内存的订单量明显下降（目前供应短缺），而LPDDR5内存的订单量则不断增长，这得益于兼容最新DRAM标准的新型入门级芯片组的推出。 Jeongku Choi进一步指出： “内存芯片盈利能力预计将达到前所未有的水平。尤其是DRAM的营业利润率在2025年第四季度已达到60%左右，这是通用DRAM的利润率首次超过HBM芯片。2026年第一季度将是DRAM利润率首次超过历史峰值的时期。 也就是说，这要么会树立一个新的常态，要么会设定一个非常高的标准，这个标准现在看起来很稳固，但可能会使下一次下行周期（如果真的存在的话）看起来更加糟糕。”

SMM 2月9日讯：今日股市早盘高开高走，上证指数涨逾1%，创业板指数一度涨逾3%，整体市场表现向好。半导体板块盘中一度拉涨逾2%，个股方面，炬光科技盘中涨逾18%，芯原股份、国芯科技等多股涨逾10%，苏州固锝盘中涨停，国科微、晶方科技、灿芯股份等多股纷纷跟涨。 消息面上， 近日，半导体行业协会(SIA)数据显示，2025年行业总销售为7917亿美元，预计2026年还将增长26%。SIA首席执行官John Neuffer表示，2025年全球半导体行业年销售额创历史新高，接近8000亿美元，预计2026年全球销售额将达到约1万亿美元。其表示，半导体是几乎所有现代技术的基础，而人工智能、物联网、6G、自动驾驶等新兴技术将继续推动对芯片的强劲需求。 而此前，世界半导体贸易统计组织（WSTS）也对2026年半导体市场展开预测，预计2025年全球半导体营收有望同比增长22.5%至7720亿美元，2026年将再增长26.3%，达9750亿美元，逼近1万亿美元关卡，成长幅度预计在2027年、2028年趋缓。其预计，存储和逻辑IC仍是主要成长动能，两者增长率都超过三成，分别增长39.4%及32.1%。 近日，市场调研机构Omdia最新报告指出，半导体行业已明确进入由存储主导的扩张阶段。得益于2025年下半年强劲的业绩表现及AI加速部署，行业收入预期有所上调，预计在存储芯片的驱动下，到2026年行业收入将突破1万亿美元。相比之下，非存储领域的增长仍然较为温和，突显了本轮周期集中性日益增强的特性。 值得一提的是，近期，受上游成本上涨、产能紧张以及供需失衡等的影响，多家半导体企业陆续发布涨价通知。1月27日，中微半导、国科微2家半导体公司相继发出涨价函，公司旗下部分芯片产品将不同程度涨价。中微半导表示，受当前全行业芯片供应紧张、成本上升等因素的影响，封装成品交付周期变长，成本较此前大幅度增加，框架、封测费用等成本也持续上涨。鉴于当前严峻的供需形势以及巨大的成本压力，经过慎重研究，决定于即日起对MCU、Norflash等产品进行价格调整，涨价幅度15%~50%。若后续成本再次发生大幅变动，价格也将跟进调整。 国科微也宣布自1月起对合封512Mb的KGD（已知合格芯片）产品涨价40%，对合封1Gb的KGD产品涨价60%，对合封2Gb的KGD涨价80%，对外挂DDR的产品价格另行通知。 美芯晟在2月2日接受投资者问询是否会涨价时回应称，公司会综合考量市场需求、原材料成本、在手订单与库存等因素，结合市场动态制定并调整价格策略，目前公司已经启动价格调整，相关产品价格适度上浮。 思瑞浦子公司创芯微也在此前发布了涨价函，思瑞浦在互动平台回应称，因关键原材料成本持续上涨，为保障产品质量与稳定供应，创芯微决定对部分产品价格进行调整。该调整自2026年1月1日起生效，因此不会对2025年第四季度经营业绩产生直接影响。关于母公司思瑞浦的价格策略，将综合考量成本、供需及客户合作等多重因素，审慎评估并做出决策。公司整体具备完善的供应链与价格管理体系，以灵活应对外部环境变化，保障业务的健康发展。 另外，市场上也不乏已经回应将涨价但并未发布正式涨价函的半导体企业，普冉股份便被投资者问及公司“NOR Flash是否提价”的问题，公司回应称，NOR Flash产品价格结合行业供需格局、市场行情及成本等因素动态调整，目前整体呈修复回升态势。 而佰维存储虽然没有明确回应过涨价事宜，但在此前接受投资者询问时提到，存储涨价属于行业利好，公司亦受益于价格提升。同时，随着公司面向AI新兴端侧领域的高价值产品持续批量交付，公司出货产品结构持续优化，公司的营业收入和利润有望持续改善。 此外，在被问及目前存储价格持续上涨，公司2026年发展展望时，佰维存储还表示，从当前来看，存储产品价格在 2026 年第一季度、第二季度有望持续上涨。在供应方面，公司积极备货，目前库存较为充足。公司与全球主要存储晶圆原厂继续签订 LTA（长期供应协议），公司北美客户亦积极与原厂沟通，帮助公司锁定原厂产能，有效保障关键原材料的稳定供应。 在产品方面，公司预计 2026年 AI 眼镜等高价值 AI 端侧产品将持续放量，有助于公司稳定毛利率水平；预计2026 年智能汽车产品收入有望大幅提升。公司产品目前已进入手机、PC 领域头部客户，2026 年公司将持续提升自研主控的出货占比，为提升存储解决方案的核心竞争力提供坚实保障。 机构评论 东海证券近期指出，1月半导体行业持续回暖，价格延续上涨趋势。全球半导体需求持续改善，AI服务器与新能源车保持高速增长，PC、智能手机保持小幅增长，TWS耳机、可穿戴腕式设备、智能家居快速增长。尽管企业库存水位较高，但AI带来的部分细分市场需求高增，使得上游晶圆代工厂有所提价。存储价格持续上涨，DRAM和NAND Flash在内的存储器产业产值逐年创高。海外头部CSP厂商资本开支同比高增，AI仍是未来很长一段时间内的主线叙事。 整体看，半导体2月供需格局预计将继续向好。 银河证券指出，随着全球头部互联网企业继续保持对AI高投入，AI 正驱动新一轮半导体周期上行，叠加上游原材料铜、金价格持续上涨，引发“半导体通胀”，存储价格短期快速上涨，相关公司业绩迎来改善。随着国产GPU公司陆续上市，有望带动上游晶圆代工需求。国内存储龙头上市进程持续推进，DRAM价格上涨有望助推公司业绩高增长，扩产势在必行。 中信建投证券认为，AI驱动的逻辑和存储扩产需求持续向上。从国内fab扩产角度来看，先进逻辑缺口较大，自主可控背景下，看好后续先进逻辑扩产加速；存储大周期向上，两存大幅扩产确定性强，弹性值得期待，同时看好国内先进封装后续放量。

随着美股“七巨头”中其他六家都已经公布第四季度财报，华尔街众多分析师的目光如今都聚集在英伟达身上——英伟达将在2月25日发布财报，而这份财报预计将被广泛视为全球人工智能热潮能否持续的关键风向标。 目前，高盛集团对英伟达业绩寄予厚望。高盛分析师在最新报告中上调了对英伟达的业绩预期，预计该公司不仅将再次交出优秀“成绩单”，而且高盛还维持对英伟达250美元的目标价，这意味着较上周五的收盘价还有35%的上涨空间。 高盛预计英伟达将再次交出强劲财报 高盛分析师吉姆·施耐德（Jim Schneider）预测，该公司2026财年第四财季营收将达到673亿美元，比市场普遍预期高出约20亿美元；他们还预测，英伟达第四财季每股收益（EPS）将达到1.59美元，比市场预期高出5%；27财年第一财季EPS将达到1.8美元，比市场预期高出9%。 高盛分析师在报告中写道： “根据我们的交流，我们认为市场预期很高， 鉴于强劲的供应端（台积电、SK海力士）业绩表现和需求数据（美国超大规模数据中心运营商2026年资本支出增加），投资者对英伟达盈利预期持乐观态度 。” 不过同时，高盛也发出警告：强劲的季度业绩超预期可能已经反映在股价中。他们认为，市场的投资焦点已从过去的业绩转向公司对2027财年的业绩指引。 高盛分析师写道：“该股股价似乎已经反映了英伟达2026财年业绩预测上调的可能性。未来的表现能否超越预期，将取决于2027财年的营收可见性。” 换句话说，对于投资者们而言，英伟达现在仅仅是交出强劲的业绩可能还不够，投资者们还需要看到英伟达产品的强劲需求能够保持到明年，以及下一代芯片平台顺利实施的计划。 看好英伟达前景的几大原因 高盛在报告中，仔细列举了他们对英伟达看好的几大原因： 1.超大规模数据中心支出： 该行预测，2026年全年，全球超大规模数据中心的资本支出将从3940亿美元增至超过5270亿美元。考虑到亚马逊（2000亿美元）和Alphabet（1850亿美元）近期最新公布的支出计划，高盛的这一预测可能还有上调的空间。 2.数据中心业务前景看好： 尽管英伟达预测到2026年数据中心业务收入将达到5000亿美元，但高盛预测的这一数字不仅远高于英伟达预期，而且“远高于华尔街”。高盛预计，英伟达高管如果针对2027年业绩前景发出任何积极评论，都可能进一步提振英伟达股价。 3.超大规模数据中心之外的需求： 来自OpenAI和Anthropic等大型语言模型公司以及主权政府合同的加速增长的GPU需求，带来了巨大的机遇。 4.宽厚的竞争护城河： 面对来自谷歌的TPU、AMD的MI455X以及博通和Marvell的定制ASIC的日益激烈的竞争，英伟达能否利用其CUDA软件生态系统维持其约80-85%的市场份额，将是至关重要的关注点。 5.中国需求复苏：据美国联邦公报显示，美国放宽了对英伟达H200芯片出口到中国的监管规定，中国这个关键市场（曾经占收入的20%以上）的营收反弹可能成为一股强大的推动力。 6.向Rubin的过渡： 即将于今年晚些时候取代Blackwell的全新RubinGPU平台的成功量产对于保持增长势头至关重要。在CES展会上，英伟达表示Rubin显卡已投入生产，并将于2026年下半年开始量产。施耐德预计，市场将重点关注Rubin显卡的量产速度，预计第三季度将开始出货，并在第四季度及以后实现“强劲增长”。 高盛还概述了其对英伟达长期增长轨迹的积极预测： 2026财年： 营收2151亿美元/每股收益44.90美元 2027财年： 营收3829亿美元/每股收益87.50美元 2028财年： 营收5130亿美元/每股收益121.30美元 目前高盛给出的250美元的目标价是基于2027年每股收益预测87.50美元，并采用30倍市盈率计算得出的。如果将同样的市盈率应用于2028年的预测，则未来的潜在目标价约为364美元。

三星电子或将于本月下旬开始向英伟达交付其高带宽存储芯片HBM4，这将标志着全球首次HBM4大规模量产和出货。 业内消息人士透露，三星电子已决定在即将到来的农历新年假期（2月17日为农历初一）之后开始向英伟达供应HBM4产品。 据相关官员称，三星电子已完成英伟达HBM4的认证流程，并根据英伟达新的人工智能加速器（包括Vera Rubin平台）的发布计划，确定了交付时间表。 英伟达预计将在即将举行的GTC 2026大会上展示其下一代搭载三星HBM4的人工智能计算平台Vera Rubin。该大会定于3月16日至19日举行。 英伟达首席执行官黄仁勋在上个月的CES 2026展会上表示，Vera Rubin已全面投入生产，这使得人们期待该平台将在2026年下半年推出。 领先行业标准 三星电子的HBM4在性能上实现了对行业标准的大幅超越，已超出行业标准机构联合电子设备工程委员会（JEDEC）设定的标准，被选入用于英伟达下一代人工智能平台。 在制造工艺上，三星在DRAM单元芯片上采用了1c工艺（第六代10纳米级DRAM技术），而基板芯片则采用4纳米代工厂工艺。 凭借这一工艺组合，三星HBM4的数据处理速度达到11.7千兆比特每秒（Gbps），超出JEDEC标准8 Gbps约37%，较上一代HBM3E的9.6 Gbps快22%。单堆栈存储带宽达到3 TB/s，是上一代产品的2.4倍。采用12层堆叠技术可提供36 GB容量，未来若采用16层堆叠，容量可扩展至48 GB。 在这种背景下，三星与其主要竞争对手SK海力士之间在向英伟达供应HBM4芯片方面的竞争预计将会加剧。SK海力士的HBM4芯片采用的是该公司第五代1b DRAM工艺，并用台积电12纳米逻辑芯片晶圆制造工艺来生产基板芯片。 值得一提的是，三星此次量产时间表的落地，使三星在与SK海力士等竞争对手的角逐中占得先机。行业消息人士称，“三星电子拥有全球最大产能和最广泛产品线，通过率先量产性能最高的HBM4证明了其技术竞争力。基于此，公司正处于引领市场的最有利位置。” 也有业内消息人士称，SK海力士可能会提供更大的供应量，因为人们普遍认为其生产稳定性更高，而三星则希望通过性能优势在市场中抢占先机。