伴随谷歌第七代TPU的崛起，HBM市场需求或持续增长。 据韩国《朝鲜日报》等媒体报道，三星电子和SK海力士已成为谷歌TPU供应链中的关键参与者。其中，SK海力士或成为谷歌第七代TPU内部HBM3E 8层芯片的首选供应商，并将独家为第七代改进型产品（TPU 7e）提供HBM3E 12层芯片，使之具备更高的能效。 KB证券认为，谷歌通过TPU扩展其AI生态系统，或增加三星电子尖端晶圆代工厂的内存供应量，并提高其产能利用率。该机构指出，谷歌第七代TPU预计将采用HBM3E，而第八代TPU预计将采用HBM4，因此三星电子明年的HBM供应量将比上一年翻一番以上。 韩国投资证券分析师预测， 今年SK海力士将占谷歌TPU中HBM供应量的56.6%，三星电子将占43.4% 。Meritz Securities则认为，SK海力士的市场份额将达到60%。 此前，HBM市场素来围绕英伟达GPU运转，而TPU的出现或将颠覆此格局。与GPU类似，每个TPU内部集成6-8个HBM模块，因此TPU的扩展将直接决定未来HBM需求。而除了TPU外，韩国投资证券指出，来自Meta和亚马逊AWS的定制芯片也有望推动HBM市场增长。 HBM需求的增长则有望继续带动DRAM价格，KB证券表示， 2026年服务器采用的DRAM需求将比上一年增长35%，但供应量却最多增长20% ，意味着其价格上涨势头可能加剧。 基于上述趋势，DRAM和NAND Flash原厂的重心正逐渐转变，从单纯扩产转向制程技术升级、高层数堆栈、混合键合以及HBM等高附加价值产品。 根据TrendForce的数据，2025年DRAM的资本支出预计为537亿美元，预计在2026年进一步成长至613亿美元，同比增长约14%。2025年NAND Flash的资本支出预计为211亿美元，2026年预计小幅增长至222亿美元，同比增长约5%。 国金证券指出，AI驱动存储需求快速攀升，存储原厂资本开支还未进入扩张周期。当前行业无尘室空间已接近瓶颈，各大DRAM厂商中仅三星与SK 海力士仍具备有限的扩线空间，即使资本开支上修，2026年产能增量亦有限。 在新增产能有限的前提下，中泰证券表示，受AI推理需求爆发的驱动，判断2026年全年存储将处于供需偏紧的状态。目前除了主流DRAM、NAND价格上涨外，利基存储DRAM、2DNAND（包括SLC、MLCNAND）和NORFlash自25Q3全面涨价。存储超级大周期，驱动存储公司Q3开始盈利能力明显提升，预计随着后续继续涨价，盈利能力有望持续提升。

美国半导体公司英特尔周五开盘后持续拉涨，到收盘时涨幅站上10%。消息面上，苹果、谷歌、Meta等科技巨头，似乎都有意找英特尔代工芯片。 先说最新的消息， 知名科技分析师郭明?周五深夜在社交媒体上发文称，英特尔有望最早在2027年开始出货苹果的最低端M系列处理器。 他的最新产业链调查显示，英特尔成为苹果先进制程供应商的可见性近期已有显著提升。 所谓的“最低端M系列处理器”，应该是指标准版M系列芯片，例如M5，不包括Pro、Max或Ultra版本。 郭明?称， 苹果此前已与英特尔签署保密协议，并取得了18AP先进制程的PDK 0.9.1GA工具包，项目进展符合预期 。目前苹果正等待英特尔计划在2026年一季度发布的PDK 1.0/1.1。苹果规划 最早可在2027年二至三季度，让英特尔开始量产出货用于最低端M系列处理器的18AP制程产品 ，但最终时间仍取决于收到PDK 1.0/1.1之后的开发推进情况。 据悉，苹果的标准版M芯片主要用于MacBook Air与iPad Pro，今年的预期出货量约为2000万颗。考虑到明年还有一款配备“iPhone级别芯片”的MacBook Air上市，可能会分流掉部分订单。所以明后两年的“低端M系列处理器”出货量预期均为1500万至2000万颗。 郭明?强调，这笔订单规模并不大，但对苹果与英特尔而言，其信号与趋势意义非常重要。 首先， 苹果找到台积电之外的先进制程“二供” ，满足供应链风险管理需求。对英特尔而言，拿到苹果订单的意义远超营收和利润本身，虽然短期内仍无法与台积电竞争高端代工份额，但这可能意味着 英特尔的代工业务熬过最艰难的时段 ，未来14A等更先进制程有望争取苹果等一线客户的更多订单。 除了苹果之外，“英特尔可能为谷歌TPU提供封装服务”的消息也在今天被拿出来翻炒。 这条消息的来源是行业咨询机构TrendForce本周发布的一份报告，其中提及美国芯片供应链缺乏本土可用的封装厂，所以多家大型科技公司正在寻求英特尔提供EMIB和Foveros等封装服务。 TrendForce预计， 英特尔最快可能会为预计于2027年问世的谷歌TPU v9提供封装技术，Meta的MTIA人工智能芯片也有传闻称将采用英特尔封装技术。 这背后也有另一层原因：现在英伟达、AMD等GPU制造商已经占据了台积电CoWoS封装产能的绝大部分。因此对于ASIC厂商而言，选择英特尔比等待台积电更为可行。

在谷歌加冕“新王”之际，算力芯片格局也随着TPU的横空出世而生变。与之对应的，先进封装技术作为高效能运算的配套方案，或将同步开启转型的步伐。 据Trendforce最新观察，谷歌、Meta等北美云端服务业者（CSP）开始积极与英特尔接洽EMIB解决方案。报告指出， 随着谷歌决定在2027年TPU v9导入EMIB试用，Meta亦积极评估规划用于其MTIA产品 。 什么是EMIB？简单来说，这是英特尔推出的一种2.5D先进封装技术。尽管台积电的CoWoS长期在该领域占据主导地位，但EMIB却凭借自身优势悄然吸引着市场的注意。据悉，苹果日前发布DRAM封装工程师招聘需求，要求具备CoWoS、EMIB、SoIC和PoP等先进封装技术经验。而高通为其数据中心业务部门招聘的产品管理总监职位也要求熟悉EMIB技术。 除此之外，据台湾电子时报，美满电子、联发科等同样考虑为ASIC项目导入英特尔EMIB先进封装。究其原因，TrendForce指出，AI HPC（高效能运算）需求旺盛导致CoWoS面临产能短缺、光罩尺寸限制，以及价格高昂等问题。 更进一步而言， EMIB关注度提升的背后，是以谷歌为代表的ASIC方案之崛起 。西部证券指出，谷歌在芯片侧以自研TPU为主，已经形成了成熟的训推一体的ASIC体系。Gemini 3模型即是在谷歌的TPU集群下完成的训练。而已正式发布的下一代Ironwood（TPU v7）专为推理模型打造，体现了其在大规模、低功耗推理上的工程化优势。 面对谷歌TPU的强大竞争力，Wedbush Securities的Dan Ives表示，市场正在“重新发现”ASIC芯片的巨大市场。根据多家机构研判，2026至2027年，谷歌、亚马逊、Meta、Open AI及微软的ASIC数量或迎来爆发式增长。 值此背景下，EMIB的技术优势逐渐为市场所看好。Trendforce总结称， 随着云端服务业者加速自研ASIC，为整合更多复杂功能的芯片，对封装面积的需求不断扩大 ，已有厂商开始考量从台积电的CoWoS方案，转向英特尔的EMIB技术。 ▌EMIB vs CoWoS，谁将胜出？ 相较于CoWoS，EMIB的优势主要集中在面积与成本上。 从市场角度来看，CoWoS历经十余年的持续迭代，具有较高的技术成熟度。英伟达CEO黄仁勋被问及是否会在美国使用三星或英特尔的先进封装技术时曾表示，CoWoS是非常先进的技术，英伟达目前没有其他选择。客户上，Trendforce判断， 英伟达、AMD等对于带宽、传输速度及低延迟需求较高的GPU供应商，仍将以CoWoS为主要封装解决方案 。 CoWoS面临的问题也较为显著，仅英伟达一家便占据其超过60%产能，导致其他客户遭排挤。今年10月台积电曾表示，目前正处于人工智能应用的早期阶段，AI产能非常紧张，仍在努力于2026年提升CoWoS产能。此外，CoWoS内部大中介层高昂的成本也令部分客户难以接受。 相比之下，允许高度定制封装布局的EMIB有望成为ASIC的最佳替补。据Trendforce报告，相较于CoWoS-S仅能达到3.3倍光罩尺寸、CoWoS-L目前发展至3.5倍，预计在2027年达9倍；EMIB-M已可提供6倍光罩尺寸，并预计2026到2027年可支援到8倍至12倍。 而在价格部分，因EMIB舍弃价格高昂的中介层，直接将芯片使用内嵌在载板的硅桥方式进行互连，简化整体结构，故而能为AI客户提供更具成本优势的解决方案。 目前为止，EMIB仍高度绑定ASIC客户需求。Trendforce指出，EMIB技术受限于硅桥面积与布线密度，可提供的互连带宽相对较低、讯号传输距离较长，并有延迟性略高的问题。因此，目前仅ASIC客户较积极在评估洽谈导入。

近日，工商信息显示，星钥半导体（武汉）有限公司新增投资方高瓴创投、红杉中国、柏睿资本。 《科创板日报》记者联系到星钥半导体公司，求证本轮融资的进展情况，截至发稿前，公司方面未回复。不过，记者从知情人士处了解到，以上投资机构确实已经参与到最新一轮的融资当中。 能同时得到高瓴、红杉两家头部机构的认可，星钥半导体显然不是泛泛之辈。其创始人骆薇薇是国内第三代半导体的领军人物，此前创办的英诺赛科（02577.HK）已经完成港股IPO，市值超过600亿元。 在业内， 骆薇薇被誉为“氮化镓女王” ，推动英诺赛科落地苏州工厂，成为全球第一家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业。据甲子苏州数据，截至今年7月，英诺赛科芯片出货量已超过10亿颗。 2022年，骆薇薇又成立了星钥半导体，主攻硅基氮化镓技术路线的Micro LED微显示方向。从公开的融资进展来看，河南国资洛阳科创集团是其天使投资人，在2022年9月就完成了出资。 之后直到2024年年底，星钥半导体才引入新一轮投资人华登国际、华业天成、盛裕资本。今年4月，武汉高科产投、君联资本等也加入到股东行列中来了。 与此同时，星钥半导体在2024年10月落户到武汉光谷，仅用8个月时间完成了厂房建设、设备搬入。 今年9月， 星钥半导体在光谷的Micro LED生产线就完成了正式通线，成为国内首条8英寸硅基氮化镓Micro LED芯片中试线。 据悉，该产线覆盖从外延生长到芯片模组封装的完整流程，一期厂房面积约1600平方米， 达产后年产能将达1.2万片8英寸Micro LED芯片 ，当下主攻单色显示的规模量产并逐步向全彩化迈进，生产产品可应用于AR/MR眼镜。 这背后也离不开英诺赛科的支持。今年3月，英诺赛科与星钥半导体订立产品、服务及设备销售框架协议，约定自2025年至2027年，英诺赛科向星钥半导体提供氮化镓外延晶圆、失效分析等测试服务及外延生长设备。 骆薇薇的“新项目”看中的是一片正在快速增长的“蓝海市场”。《科创板日报》记者了解到，在Micro LED的使用场景中，AR眼镜被认为是技术迭代与产品落地的主要阵地。 今年正是业内公认的，AR眼镜市场爆发“元年”，仅一季度全球智能眼镜出货量近150万台，同比增长超80%，小米、Meta、Rokid等巨头纷纷入场。 资金侧，近期上海显耀显示（JBD）宣布已完成一笔超十亿元人民币的B2轮融资，这一金额刷新了全球Micro LED微显示领域的单笔融资纪录。此前还有雷鸟创新在8月完成了C++轮融资，影目科技在7月完成了1.5亿元的B2轮融资等。 而星钥半导体选择的硅基氮化镓技术路线Micro LED具备高亮度、低功耗、高集成度优势，适合大规模量产，在当下市场上，它被列为最优选之一。 公司自身也在关注下游市场的进展。此前，星钥半导体市场总监陈叠峰曾指出，AI时代正催生以AR智能眼镜为代表的新一代人机交互方式。他表示， 当前Micro LED微显示产业化的核心挑战在于实现低成本、高良率的晶圆级混合键合与全彩化技术 。星钥半导体选择8英寸硅基氮化镓外延与混合键合技术路线，并构建了覆盖外延至模组的IDM模式，以加速技术融合与产业化进程，致力于为AI终端提供高性能的微显示解决方案。

根据行业追踪机构Omdia周五公布的数据， 由于价格上涨，今年第三季度（7-9月），全球DRAM（动态随机存取存储器）销售额环比大增三成，SK海力士连续三季度蝉联第一 。 从DRAM市场占有率的变动来看，全球三大存储巨头之间的竞争非常激烈。 按照销售额来算，SK海力士第三季度在全球DRAM市场的市占率为34.1%，尽管较前一季度的39.4%下降了5.3个百分点，但仍保持着第一的位置，为连续三个季度占据首位。 当季，三星电子的市占率为33.7%，从前一季度的33.2%上升了0.5个百分点，与SK海力士的差距进一步缩小。两家公司之间的市占率差距从6.2个百分点缩小到0.4个百分点。 从具体的销售额来看，SK海力士三季度DRAM销售额为137.57亿美元，三星电子为136.2亿美元，二者差距微乎其微。 这主要是因为，三星电子的HBM3E（第5代）进入了英伟达供应链，同时其通用型DRAM销售额也有所增长。 美光科技位居第三，市占率从第二季度的22.4%上升至25.8%。 今年第一季度，SK海力士在DRAM市占率上首次超越三星电子。这是33年来，三星电子首次失去全球最大DRAM制造商的地位。 Omdia数据还显示， 第三季度全球DRAM销售额达到403亿美元，较前一季度增长30%。这一增长归因于DRAM合同价格的上涨以及HBM（高带宽内存）出货量的增加 。 DRAM是目前全球应用最广泛的易失性半导体存储芯片。作为电子设备的核心运行内存，DRAM能实现数据随机高速存取，广泛应用于服务器、手机、PC等各类需要高速数据处理的场景。 而HBM是一种基于3D堆叠技术的高性能DRAM，是人工智能 (AI) 应用的核心部件，随着AI产业爆发，其需求也迅猛增长。 目前，SK 海力士在HBM市场占据着主导性地位，其HBM产品主要供应英伟达、谷歌等科技巨头。据证券行业消息称，SK海力士今年第三季度HBM市场占有率为60.8%，三星电子为17.2%，美光科技为22%。

11月28日，云南锗业延续前三个交易日的涨势继续上涨，截至28日收盘，云南锗业涨0.23%，报26.07元/股。 云南锗业11月24日在互动平台回答投资者提问时表示， 公司子公司的化合物半导体产品为砷化镓晶片、磷化铟晶片。 磷化铟晶片主要用于生产光模块中的激光器、探测器芯片，下游主要运用于5G通信/数据中心、可穿戴设备等；砷化镓晶片主要用于射频器件产品、激光器件、传感器，常用高亮度发光二极管（HBLED）器件产品，下游可运用于手机及电脑、通信基站、无人驾驶、新一代显示（Mini LED、Micro LED）、工业激光、面容识别等领域。 有投资者在投资者互动平台提问：贵司的砷化镓是否有应用于太阳能锗电池的供货案例？若有，出货量有多大，应用于哪些项目？云南锗业11月19日在投资者互动平台表示，公司子公司生产的砷化镓产品为砷化镓晶片（衬底），可以作为衬底运用于多节柔性砷化镓太阳能电池。公司各类产品的具体生产、销售情况公司将在年度报告中进行公开披露，敬请关注。 云南锗业公告的11月19日投资者关系活动记录表显示： 一、目前下游市场对磷化铟产品的需求情况如何？ 近年来，随着下游光通信市场景气度提升，使得化合物半导体材料磷化铟晶片的需求明显增加。 二、公司生产化合物半导体产品的原材料是否是自产的？ 公司并不生产砷、镓、磷、铟等原料，公司子公司云南鑫耀半导体材料有限公司生产化合物半导体材料所需的原辅料全部从外部采购。 云南锗业11月17日在互动平台回答投资者提问时表示，目前公司化合物半导体材料已向国内外多家客户供货；但因公司与客户的保密协议明确约定，未取得对方授权，不得向任何第三方透露与其相关信息，故公司无法回复涉及具体客户的相关信息，敬请谅解。 三、磷化铟、砷化镓晶片主要应用于哪些领域？ 目前磷化铟晶片主要用于生产光模块中的激光器、探测器芯片，下游主要运用于 5G 通信/数据中心、可穿戴设备等；砷化镓晶片主要用于射频器件产品、激光器件、传感器，常用高亮度发光二极管（HBLED）器件产品，下游可运用于手机及电脑、通信基站、无人驾驶、新一代显示（Mini LED、Micro LED）、工业激光、面容识别等领域。 四、光伏级锗产品的市场需求情况如何？ 空间太阳能电池用锗与全球卫星的发射数量直接相关，近年来受益于人类空间活动与航天产业的发展，全球卫星特别是低轨通讯用商业卫星组网需求快速增长，对空间太阳能电池需求大幅增加，全球太阳能锗衬底用量表现出较好的增长势头。公司前三季度光伏级锗产品产、销量均大幅增长。 五、公司光伏级锗产品的产能建设情况如何？何时能够达到规划的 250万片/年的产能？ 目前，公司光伏级锗产品太阳能锗晶片的产能为 30 万片/年（4 英寸）、20 万片/年（6 英寸）。经董事会批准，公司于 2025 年 3 月开始实施“空间太阳能电池用锗晶片建设项目”，该项目计划建设期为 18 个月，计划在现有产能基础上新建产能，2025 年末达到年产 125 万片锗晶片的产能，项目完全建成后达到年产 250 万片锗晶片的产能。 六、近期公司哪些板块增速较高？ 首先是光伏级锗产品板块，由于全球卫星特别是低轨通讯用商业卫星组网需求快速增长，对空间太阳能电池需求大幅增加，全球太阳能锗晶片的用量表现出较好的增长势头；其次是化合物半导体材料板块，由于下游光通信市场景气度提升，使得化合物半导体材料的需求大幅增加；再次是光纤级锗产品板块，本年度光纤用四氯化锗产销量均同比增长。 七、光纤用四氯化锗在光纤中起到什么作用？下游客户有哪些？ 光纤用四氯化锗系生产光纤预制棒的原料之一，公司下游客户在生产过程中，将液态的四氯化锗等氯化物，在一定条件下进行化学反应而生成掺杂的高纯石英玻璃。添加光纤用四氯化锗有利于进一步降低光纤衰耗，优化产品性能指标。公司光纤级锗产品的下游客户主要为光纤生产厂商。 八、公司的磷化铟产品是否有扩产计划？ 目前公司磷化铟晶片产能能够满足客户需求。截至目前，公司暂无磷化铟产品扩产计划，如有相关计划公司将按规定进行公开披露。 九、公司砷化镓产品的产线规划如何？ 经董事会批准，公司于 2025 年 11 月设立控股孙公司湖北鑫耀半导体有限公司实施“高品质砷化镓晶片建设项目”。该项目计划建设期为 18 个月，计划在湖北省黄冈市高新技术产业园区下属化工园区新建厂房，新增主要工艺设备及公辅设施，以及将现有砷化镓晶片生产线整体搬迁至新厂，最终建成年产 70 万片 6 英寸高品质砷化镓晶片生产线、配套年产 3 万套半导体级4-6 英寸石英管生产线。 十、出口管制涉及公司哪些产品？出口管制后，公司出口情况如何？ 目前公司主营产品均在出口管制之列。在涉及出口管制公告相关类别的产品时，公司已按照国家法律法规及相关规定申请办理相关出口许可，且部分订单按规定报批后已获得许可并出口。公司各期的具体出口情况可参阅公司各年度及半年度报告。 十一、公司是否有扩充资源储备的计划？ 公司一直积极寻求通过收购整合、勘探等方式增加自身资源储备。如涉及具体事项，公司会按规定进行公开披露。 十二、公司未来的重点发展方向是什么？ 未来公司将在做好锗产品的同时，加大现有化合物半导体材料的研发、市场开拓等工作，通过加大深加工产品的销量及销售占比，促进公司内部产业逐步转向以深加工为主，以此不断增强公司综合竞争力。 云南锗业11月13日晚间发布公告称，2025年10月30日，云南临沧鑫圆锗业股份有限公司第八届董事会第三十次会议审议通过《关于控股子公司向孙公司增资的议案》，同意控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司以10，000万元自有资金对孙公司云南中科鑫圆晶体材料有限公司进行增资。截至目前，中科鑫圆已收到了关于本次增资的全部价款，于近日完成了上述增资事项的工商变更登记手续，并取得了由昆明市市场监督管理局换发的《营业执照》。 云南锗业10月31日发布2025年三季报显示，公司前三季实现营业收入7.99亿元，同比增长58.89%；归母净利润1814.82万元，同比下滑38.43%；扣非归母净利润223.19万元，同比下滑83.79%。 云南锗业三季报中公告的增减变动原因显示： （1）营业收入较上年同期增加，主要系: ①产品销量变动增加营业收入合计 13,130.82 万元。其中：受国内通信卫星组网快速推进，下游对光伏级锗产品需求快速增加，使得光伏级锗产品销量同比大幅增加；下游光通信市场景气度提升，使得化合物半导体材料销量同比增加；本期加大红外镜头的市场开拓力度，获得的镜头类产品订单较上年同期增加，使得红外级锗产品（镜头、光学系统）销量同比增加；本期按合同约定交付上年末待履约合同，同时本期获得的订单较上年同期增加，使得光纤级锗产品销量上升；本期红外材料市场出口下滑，新增订单减少，使得红外级锗产品（毛坯及镀膜镜片）销量同比下降；本期子公司光伏级锗产品、光纤级锗产品产销量大幅增加，向公司采购的原料随之增加，使得材料级锗产品对外销量下降。②主要产品价格变动，增加营业收入 16,476.55 万元，其中，由于本年锗金属原料均价较上年上升，使得光纤级锗产品、光伏级锗产品、材料级锗产品和红外级锗产品（毛坯及镀膜镜片）销售价格较上年同期上升，单位价格较高的磷化铟产品销量占比上升使得化合物半导体材料均价上升；单位价格相对较低的镜头类产品销量占比上升使得红外级锗产品（镜头、光学系统）均价下降。 （2）营业成本较上年同期增加。主要系:①产品销量变动增加营业成本合计8,161.19 万元。②产品单位制造成本变动增加营业成本合计 18,186.58 万元，其中：受原材料市场平均价格同比增长的影响，材料级锗产品、光纤级锗产品、光伏级锗产品、红外级锗产品（毛坯及镀膜镜片）、化合物半导体材料单位成本上升，受产品产量以及规格型号影响，红外级锗产品（镜头、光学系统）单位成本下降。 （3）营业利润较去年同期下降。主要原因系：本期公司加大了研发投入，使得研发费用增加；上年末公司对控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司前一轮投资人的少数股东权益存在或有回购义务，对新增投资人的少数股东权益存在回购义务，按未来付现义务的现值确认的金融负债，本期摊销未确认融资费用 1,910.73 万元，使得财务费用同比增加；本期受原料价格均价同比上涨影响，公司综合毛利率下降。 （4）归属于上市公司股东的净利润、归属于上市公司股东的扣非后的净利润较上年同期下降，主要系本期公司研发费用和财务费用同比增加，以及综合毛利率下降所致。 此外，云南锗业在其半年报中介绍：公司主要业务为锗矿开采、火法富集、湿法提纯、区熔精炼、精深加工及研究开发。目前公司矿山开采的矿石及粗加工产品不对外销售，仅作为公司及子公司下游加工的原料。公司目前材料级锗产品主要为锗锭（金属锗）、二氧化锗；深加工方面，光伏级锗产品主要为太阳能电池用锗晶片，红外级锗产品主要为红外级锗单晶及毛坯（光学元件）、锗镜片、镜头、红外热像仪、光学系统，光纤级锗产品为光纤用四氯化锗，化合物半导体材料主要为砷化镓晶片、磷化铟晶片。公司产品主要运用包括红外光电、太阳能电池、光纤通讯、发光二极管、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、大功率激光器、光通信用激光器和探测器等领域。 对于2025 年公司及子公司计划，云南锗业曾在其2024年年报中介绍：生产材料级锗产品 69.45 吨（含内部销售、代加工），主要是考虑客 户需求和内部深加工需求；生产红外级锗产品 3.90 吨（毛坯、镀膜镜片），生产红外镜头、光学系统 11,000 具（套）；生产光伏级锗产品 86.67 万片（4—6 寸）；生产光纤级锗产品 35 吨；生产砷化镓晶 片 20 万片（3—6 寸）；生产磷化铟晶片 8.30 万片（2—6 寸）。 公司将精心组织生产，努力完成上述生产计划。 联储证券11月27日的研报显示：我国是目前全球锗镓材料的主要供应国，国际市场对华供应严重依赖且库存有限，出口管制举措出台直接导致两类金属价格显著攀升且国内外价差快速拉大。

11月27日晚间，东芯股份公告称，公司股票交易连续三个交易日内日收盘价格涨幅偏离值累计达到30%，属于股票交易异常波动情形。截至今日（11月27日）收盘，该公司股价上涨12.81%，报134.02元/股。 消息面上， 近日市场上出现了关于东芯股份对外投资企业砺算科技（上海）有限公司 （下称：“上海砺算”）签署了大额GPU芯片订单的相关市场传闻。 公告显示，经向上海砺算核实， 上海砺算近日与某国内领先云计算服务商签署了《战略合作框架协议》，双方就未来在国产云桌面系统开发、国产AIPC、云渲染、数字孪生解决方案等领域的合作达成指导性的框架协议，具体项目未来再另行签订具体的业务协议。截至目前，上海砺算与该企业仅签署了上述框架协议，尚未签署订单，目前尚未产生收入。 据介绍，上海砺算主要从事多层次（可扩展）图形渲染GPU芯片的研发设计，相关芯片产品主要应用于个人电脑、专业设计、AI PC、云游戏、云渲染、数字孪生等场景， 并非应用于大模型算力集群等相关场景。 业务进展方面，东芯股份在公告中表示， 上海砺算首款自研GPU芯片“7G100”的客户送样与测试、产品生产、软件配套与优化、销售拓展等相关工作正在正常开展中，目前尚未产生收入。 此外，东芯股份也在公告中进行了风险提示，其表示， 上海砺算目前的核心业务高度集中于其自主研发的“7G100”图形渲染GPU产品 。公司未来一段时间的营收、利润，很大程度上依赖于“7G100”单一产品的销售情况、市场接受度、技术竞争力以及定价能力，存在对单一产品的集中依赖风险。 今年9月，东芯股份拟与其他投资主体、砺算科技（上海）有限公司之员工持股平台共同对外投资上海砺算，投资人合计投资金额约为5亿元。目的为持续推进“存、算、联”一体化战略布局、强化核心竞争力。 其中，东芯股份拟通过自有资金约2.1亿元向上海砺算增资，认购其新增注册资本约80.99万元，本次增资完成后， 东芯股份将持有上海砺算约35.87%的股权 ，将超过南京砺算科技有限公司，成为上海砺算最大单一股东。 截至今年10月24日，上述增资的相关投资主体已分别与上海砺算签署了增资协议。本次增资完成后，上海砺算的注册资本将增加至人民币1619.73万元。 从业绩方面来看， 东芯股份仍处于亏损状态，且该公司表示2025年度预计仍处于亏损状态。 财报显示，今年前三季度实现营收5.73亿元，同比增长28.09%，净亏损1.46亿元。今年第三季度，该公司利润总额-3745.06万元，较上年同期亏损金额减少566.82万元；归母净利润-3521.58万元，较上年同期亏损金额减少400.41万元。 作为一家利基型存储芯片设计企业，东芯股份主营业务为NAND Flash、NOR Flash、DRAM等存储芯片的研发、设计及销售。其在今年近期举行的投资者交流会上表示， 近期随着市场的持续回暖，存储产品市场价格逐步回升，对公司产品销售价格产生积极影响。 此外， 东芯股份在近期披露的投资者关系活动记录表中披露了该公司多项业务进展。 该公司表示，该公司研发的LPDDR4X主要用于高端数据模块，目前有量产阶段产品及研发阶段产品；NOR Flash产品以1.8v低功耗中大容量为主，其研发的标准电压的中大容量NOR Flash也正在逐步推向市场；MCP产品方面，东芯股份的NAND MCP已在紫光展锐、高通、联发科等平台通过认证，应用于功能手机、MIFI、通讯模块等产品。

11月27日，东方钽业的股价出现下跌，截至27日13:30分左右，东方钽业跌1.9%，报26.32元/股。 有投资者在投资者互动平台提问：公司钽铌原料进口占比总原料比例，国内钽铌原料占比多少？分别是从哪个国家进口？东方钽业11月26日在投资者互动平台表示， 公司钽铌矿石原料以进口为主，主要从美洲、非洲等地区进口。公司已与实际控制人旗下巴西塔博卡矿业公司签署采购合同，该矿业公司拥有在产的锡钽铌多金属矿山、钽铌铁合金冶炼厂等完善资产，为公司生产所需原料提供有力保障。 东方钽业11月14日发布公告，宣布调减2025年度向特定对象发行A股股票的募集资金总额，由此前的不超过12亿元缩减至不超过11.899亿元，募集总额减少1010万元此次调整主要涉及补充流动资金项目。根据相关规定，公司前次募集资金用于补充流动资金的比例存在上限，超出部分需从本次募集总额中扣除。因此，本次发行中补充流动资金的金额由原来的12,569.73万元调整为11,559.73万元，调减了1010万元，值得注意的是，公告明确此次调整仅影响补充流动资金部分，其余三个实体投资项目的拟使用募集资金金额均保持不变，包括钽铌湿法冶金数字化工厂建设项目（56,649.61万元）、火法冶金熔炼产品生产线改造项目（25,319.98万元）以及高端制品生产线建设项目（25,460.68万元）。 东方钽业11月14日在互动平台回答投资者提问时表示，公司将持续关注钽铌材料在新兴领域的应用，并通过实施技术扩能改造、加大科研投入强度和科研攻关力度、加强市场开拓力度等方式，不断提升公司产品的技术含量和市场竞争力，打造钽铌高端制品新材料的新增长点，推动公司实现高质量发展。 东方钽业11月12日公告的000962投资者关系管理信息20251111的部分记录显示： 2、公司的原材料供应链保障如何？ 东方钽业：公司实际控制人中国有色矿业集团有限公司旗下中色经贸有限公司完成了巴西 Taboca（塔博卡矿业公司）的约束性股权收购事项。塔博卡矿业公司拥有一座在产的锡钽铌多金属矿山、锡冶炼厂、钽铌铁合金冶炼厂和一座为矿山供电的 UHE 水电站等资产；其中，锡钽铌多金属矿山和钽铌铁合金冶炼厂位于巴西亚马逊州。2025 年 4 月，公司已与塔博卡矿业公司公司签署了《铁钽铌合金采购合同》，拟采购约 3000 吨铁铌钽合金原材料，采购金额预计为5.4 亿元人民币，为钽铌矿石原料供应链的稳定可控提供有力保障。同时公司拥有矿石湿法冶炼到钽铌制品生产加工的全流程生产线，形成从原材料到产品的全供应链保障，并不断向高端产品突破的全链条进行升级改造。 3、下游市场需求可否消化公司新一批募投项目增加的产能？ 东方钽业：近年来钽铌行业格局发生深刻变化，公司迫切需要优化产品结构，加大新需求领域的投入。而目前公司湿法、火法及制品分厂生产装备能力无法满足下游增长需求，因此亟需推动新建项目和改造项目。公司本次募投项目旨在解决湿法生产线设备陈旧和产能不足，以及市场对火法产业高温合金产品和制品产业高端制品的需求。随着国家 5G、智能化、工业互联网、国家大科学装置等高新技术领域和国防工业领域的快速发展，高温合金、半导体、国防工业、高能物理、化工防腐等领域出现了越来越多的新需求，进而带动钽铌行业快速发展。同时在产业链自主可控战略指引下，国产化替代进程已从单一产品突破向系统化解决方案演进，为钽铌及其合金制品的增长提供了坚实基础。在政策、市场等多因素共同作用下，公司募投项目产品下游市场发展前景广阔。 4、公司新增的超导腔建设项目进展如何？ 东方钽业：为了提升公司铌超导腔的技术研发、质量保证和生产保障能力，扩大产品市场占有率，进一步优化公司产业结构，提升关键材料国产化保障能力和公司行业综合实力，公司分别于 2023 年使用募集资金实施“东方超导公司年产 100 只铌超导腔生产线技术改造项目”和于 2024 年使用自有资金建设的“东方超导新增年产 400 支铌超导腔智能生产线建设项目”。目前前次募投项目中“年产 100 只铌超导腔生产线技术改造项目”已达到预计可使用状态并已结项；“新增年产 400 支铌超导腔智能生产线建设项目”正按照原定计划加快推进建设中。 公司将持续关注钽铌材料在新兴领域的应用，并通过实施技术扩能改造、加大科研投入强度和科研攻关力度、加强市场开拓力度等方式，不断提升公司产品的技术含量和市场竞争力，打造钽铌高端制品新材料的新增长点，推动公司实现高质量发展。 5、公司对未来钽铌产业发展有何规划？ 东方钽业：公司将持续聚焦钽铌主业，以做全湿法、做优钽粉、做稳钽丝、做大火法、做强制品、做好延链的发展理念，持续优化产业发展布局，并加强科技创新和精益管理两方面工作，真正达到产业规模化和质量效益化。公司将坚持把技术进步放在首位，并将继续坚持走生产和科研相结合的发展道路，建立健全人才发展机制，围绕新材料产品的科技创新，不断实现新一批高技术产品的成果转化。 东方钽业11月11日在互动平台回复称，公司产品广泛应用于超导产品、高温合金添加剂、溅射靶材、钽电容器、硬质合金、化工防腐等领域。目前公司生产的高纯钽粉、高纯钽锭、12英寸钽靶坯已实现全流程技术突破和产业贯通。 东方钽业10月24日晚间发布2025年三季报显示：前三季度公司营业收入为11.99亿元，同比增长33.90%；归母净利润为2.08亿元，同比增长33.43%。其中，第三季度营业收入为4.02亿元，同比增长32.83%；归母净利润为6353.02万元，同比增长44.55%。 对于前三季度营业收入增加的原因，东方钽业三季报显示：主要系报告期内公司积极拓展市场空间，调整产品结构，募投项目产能逐步释放,产品销量同比增加，营业收入同比上升。 民生证券点评东方钽业的三季报显示：军品订单放缓影响短期利润释放，产能扩张支持钽铌主业同比快速增长。西材院同比增长，贡献稳定投资收益。2025Q1-3年实现投资收益5963万元，同比增长1.27%，2025Q3实现投资收益1779万元，同比增长18.00%，环比减少17.21%，主要系三季度军工交付节奏阶段性放缓。2025年西材院下游订单恢复趋势明确，投资收益预计稳步增长。国巨发布涨价函，钽电容需求高景气度明确，助力公司业绩增长。定增预案实现扩产扩能和一体化布局，打开远期成长空间。公司作为传统国企代表，积极实施市场化激励改革和持续研发创新双管齐下，提质增效成果持续兑现；公司作为国内钽铌铍行业龙头，钽丝钽粉主业企稳复苏，高端新兴应用领域需求多点开花，伴随定增项目扩张产能逐步释放，业绩进入增长加速期。风险提示：原材料价格波动风险、新品研发不及预期、下游需求不及预期。

最近一段日子，对曾今风光无两的“AI宠儿”英伟达来说，日子不太好过——一方面，市场上越来越多人担忧“AI泡沫”破裂风险，另一方面，谷歌的定制芯片TPU又成为英伟达GPU的又一劲敌，英伟达在AI芯片市场上的主导地位面临被挑战的风险。 然而，美国银行分析师Vivek Arya却并不那么担忧。他坚持认为，英伟达的长期前景仍然强劲，并将在未来几年维持其AI芯片的主导地位。他还重申了对英伟达的“买入”评级。 英伟达仍会占据行业主导地位 美银分析师表示，他注意到了谷歌TPU对英伟达的挑战风险，但他认为，这是整个行业更广泛的人工智能加速竞赛的一部分，这种竞赛对整个行业都有益处。 他预计到2030年，人工智能数据中心市场将增长五倍，达到约1.2万亿美元，而目前的市场规模为2420亿美元。 Vivek Arya预计，未来英伟达将保持其领先地位，不过到2030年时， 其市场份额将从目前估计的85%略微下滑至75%。 此外，他指出，英伟达股票的市盈率约为未来收益的25倍。因此他认为，鉴于英伟达营收和每股收益预计会有超过40%的增长，其股价仍被低估。 与此同时，Vivek Arya表示，英伟达的另一个竞争对手——AMD的长期前景也同样乐观。他提到，AMD股票的市盈率目前为2026年预期收益的33倍，这反映了其在CPU、GPU、嵌入式和游戏等领域的多元化增长动力。 “英伟达仍然领先一代” 谷歌最新版本的TPU名为Ironwood，于今年4月发布，采用液冷设计，专为运行AI推理工作负载而设计。 上周，谷歌发布了公司最强大模型Gemini 3，这款广受好评的AI模型正是在谷歌的TPU——而非英伟达GPU——上训练的。这一技术成就增强了TPU作为英伟达GPU可靠替代方案的说法的可信度。 不过，上周五，Vivek Ary还在另一篇报告中表示，面对来自谷歌定制TPU芯片的竞争压力，尽管需要承认Gemini 的成功可能会让OpenAI的模型黯然失色，但仍需强调的是，英伟达在整个生态系统中仍然会保持着更广泛的地位。 该报告称，英伟达GPU“在每个云中都可用，并且几乎参与了所有其他LLM”，并提供“最佳的每瓦性能”。 美东时间周二美股午盘时段，英伟达在社交媒体平台X上罕见地发贴安抚市场称： “我们为谷歌取得的成功感到高兴——他们在AI领域取得了巨大进步，我们也将继续向谷歌提供产品。 英伟达目前领先行业一代——我们是唯一一个可以运行所有AI模型、并在各种计算场景中通用的平台 。”