伊朗和平协议预期与AI地缘政治争夺战双重驱动，芯片板块单日摆脱调整区间并刷新历史收盘纪录。 周一，全球风险偏好强势回归，两大因素共同推动芯片股领涨美股市场。 美伊初步和平协议的签署提振整体市场情绪，而美国对Anthropic新模型实施出口管制，引发外界对其他国家加快自建AI基础设施的强烈预期，潜在利好全球芯片需求扩张。 费城半导体指数周一大涨5.45%，不仅脱离技术性调整区间，更创下历史收盘新高。 英伟达、博通、英特尔各涨逾2.5%，高通涨超4%，Marvell科技飙升逾10%。 存储板块同样爆发，美光科技、希捷科技分别涨逾10%和9%，西部数据更飙升逾16%，领涨标普成分指数。 （周一标普500指数成分股涨幅前十） 风险偏好回潮，为芯片股提供基础支撑 本轮行情的第一个催化剂来自中东局势的重大转机。 据新华社，美国总统特朗普14日在社交媒体上说，随着美伊协议于6月19日周五签署，霍尔木兹海峡将重新开放，以便进行排雷作业。伊朗副外长也表示，将于今晚开始宣布立即且永久停止多个战线上的军事行动，包括黎巴嫩。 美国官员证实，伊朗议会议长Ghalibaf代表伊方签署协议，此人被视为最高领袖阵营中的强硬派，其背书具有一定政治分量。备忘录细节预计将于24至48小时内公布。 受此消息刺激，避险情绪迅速消退，资金转向高贝塔风险资产。 美股纳斯达克指数大幅跑赢其他主要指数，科技、传媒及电信（TMT）板块领涨，能源及防御性板块相对落后。 Rainwater Equity ETF创始人兼基金经理Joseph Shaposhnik表示： 很明显，市场认为伊朗协议的达成降低了风险，周一行情为更大范围的风险资产反弹。 不过，分析人士提醒，和平进程存在诸多变数。 华尔街见闻提及 ，据美媒周一报道，一名美国高官表示，海峡船运量将逐步攀升，航运明显增加可能需要多达两周时间，而要恢复至美国与以色列今年2月底对伊朗发动军事行动前的水平，则需更长时间。 该官员还指出，海峡内仍有水雷需要清除，且各航运公司对通行风险的承受程度不尽相同。德银的Reid在报告中指出： 协议对市场而言是非常好的消息，但未来60天内仍需进行艰难谈判以确保和平的可持续性。 Reid还特别指出，该协议还需获得美国参议院对伊朗制裁豁免的批准。 Anthropic出口管制风波，点燃全球AI军备竞赛预期 另一条推动力线索来自AI领域的地缘博弈。 华尔街见闻提及，华尔街见闻提及，Anthropic两款顶尖AI模型Fable 5和Mythos 5被美国商务部纳入出口管制，限制境外及境内外籍人士访问，理由是存在越狱安全风险。 此举迅速引发市场对全球AI主权竞争升温的联想。 D.A. Davidson分析师Gil Luria表示， 若其他国家决定加大AI基础设施投入，"可能包括自建设备、自建数据中心，并为本土前沿模型开发提供资金"，这将为芯片企业带来可观的国际及政府端业务增量。 Box首席执行官Aaron Levie周日发文指出， 美国政府的这一决定开创了一个先例——AI模型确实可能被强制下架。 他认为，这一风险在两天前还只是从未发生过的理论假设，如今却成了现实，这很可能会促使更多国家加速独立发展自己的人工智能。 他同时警告，随着其他国家转向追求开放权重模型，而此类模型"目前普遍并非来自美国"，美国的AI领导地位或将随时间推移受到侵蚀。 不过，瑞穗分析师Jordan Klein持较为保留的态度， 认为美国政府与Anthropic之间的争议只是"噪音"，对"芯片行业的整体大局叙事"及AI支出"根本没有实质影响"。

6月15日消息，据韩媒报道，韩国全国混凝土运输工会（KNRCTWU）已自8日起暂停在首尔首都圈出货，并表示这次罢工有约8000名会员参与，要求包括提高运费等数项改革。 报道称，本次大规模罢工，令人担忧韩国半导体业两巨头三星电子和 SK 海力士的重大扩厂计划可能遭延宕。 据悉，参与罢工的工会成员11日还阻止平泽两家混凝土工厂出货，导致兴建中三星芯片厂工地混凝土灌浆作业不得不暂停。韩国Newsis通讯社也引述业界人士报导，SK海力士龙仁芯片厂因混凝土出货取消，暂停相关作业。 SK海力士声明，已调整建筑施工顺序，因此短期冲击预料有限。三星则婉拒置评。 KNRCTWU先前虽与混凝土业者达成初步协议，但工会成员投票否决提案，使罢工继续。Newsis报导，这起罢工短期影响很可能不大，因建商为预防冲击已将一些工程提前；但若罢工拖长，较长期施工进度便可能受影响。

台积电先进封装产能持续扩张，AI芯片供应链瓶颈有望逐步缓解。 据媒体援引机构投资者观点， 随着台积电及其合作伙伴积极扩建先进封装产能，CoWoS供需缺口预计将从目前约20%大幅收窄至2026年底的约10%，并有望在2027年进一步改善。 这一进展对依赖CoWoS封装技术的AI加速器供应链具有直接影响。 与此同时，台积电正推进下一代封装平台CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）的研发布局， 据悉英伟达Feynman平台有望成为首批采用该技术的客户，量产时间窗口指向2028至2029年。 产能扩张提速，供需缺口加速收窄 据集邦科技（TrendForce）报道， 台积电2026年月均CoWoS产能有望达到12万至14万片晶圆，创历史新高。 若计入外包封测（OSAT）合作伙伴新增的5万至6万片月产能，整体行业月产能合计有望接近20万片。 集邦科技预计，全球2.5D封装产能的严重短缺将于2027年开始趋于缓和，支撑因素包括订单外溢效应，以及台积电计划于2027年将CoWoS产能扩大逾60%。 据路透社报道，台积电在今年5月举办的技术研讨会上预测，CoWoS先进封装产能将在2022年至2027年间实现年均复合增长率逾80%，进一步印证了此轮扩产的规模与力度。 下一代平台CoPoS加速落地，英伟达有望率先采用 在持续扩充现有CoWoS产能的同时，台积电也在为下一代先进封装平台CoPoS铺路。随着晶圆尺寸持续扩大，CoPoS被视为突破现有技术天花板的关键路径。 台积电已于2025年在旗下子公司VisEra建立CoPoS研发产线，材料与设备认证工作最快将于2026年6月完成，中试量产目标定于2027年中。 据集邦科技报道，英伟达Feynman平台预计将成为CoPoS技术的首个商业客户， 该平台预计于2028至2029年间进入全面量产阶段 ，主要部署地点包括台积电嘉义厂区及其美国亚利桑那州晶圆厂。 市场意义：AI供应链关键瓶颈有望松动 CoWoS封装技术是当前高端AI加速器生产的核心工艺，其产能紧张程度直接影响下游AI芯片的出货节奏与交货周期。供需缺口从20%收窄至10%，意味着此前制约AI算力硬件扩产的关键环节正在松动，有助于缓解市场对AI基础设施供给的担忧情绪。 从更长周期来看，CoPoS平台的推进则为台积电在先进封装领域构建更深的技术护城河提供支撑，并将进一步巩固其在AI芯片供应链中的核心地位。

应用材料公司（Applied Materials）周一发布两款针对先进半导体制造的新系统，旨在解决高深宽比三维结构中精密加工的核心难题，进一步推动逻辑芯片与存储芯片的制程延伸。 此次推出的Centris™ Spectral™ SiN ALD与Producer™ Selectra™ Mo Etch，分别面向介电薄膜沉积与金属选择性去除两大工艺环节。据公司介绍，上述系统已被头部逻辑与存储芯片厂商用于先进节点量产。 在AI算力需求持续扩张的背景下，半导体行业加速向全环绕栅极（GAA）晶体管及高层数3D NAND等三维架构演进。新系统的推出，直接回应了制造商在器件性能、工艺稳定性与良率方面面临的瓶颈，对相关设备供应链具有重要的市场信号意义。 应用材料周一收涨3.27%，股价续创历史新高。 技术背景：3D结构深化带来工艺瓶颈 随着芯片三维架构的持续演进，器件结构愈发趋向纵深发展——特征尺寸不断缩小的同时，结构深度也在持续增加。 这种高深宽比的三维结构对传统沉积与蚀刻工艺构成严峻挑战：常规方法难以在从顶部到底部的整个纵向空间内实现材料的均匀分布，由此引发工艺变异，进而导致器件电学性能下降和制造良率损失。 应用材料公司表示，AI计算需求的激增正在加速行业向上述先进三维器件架构的整体迁移，这也使得精密材料工程的重要性愈加凸显。 新产品详解：覆盖沉积与蚀刻两端 Centris™ Spectral™ SiN ALD采用创新微波等离子体技术，可在复杂三维结构中实现氮化硅薄膜的均匀沉积，主要服务于先进逻辑制程中的介电材料工程需求。 Producer™ Selectra™ Mo Etch则专注于钼（Mo）材料的选择性去除，用于实现3D NAND的字线分离工艺，是推动存储芯片层数持续提升的关键制程手段。 应用材料半导体产品集团总裁Dr. Prabu Raja表示： "从晶体管结构到存储堆叠，芯片制造商需要在极度复杂的三维架构中，找到精确沉积与选择性去除材料的新方法。我们最新的沉积与选择性蚀刻系统，正是为帮助客户突破关键制程瓶颈、加速逻辑与存储领域下一波创新而设计的。" 市场意义：材料工程成AI芯片竞争新焦点 应用材料强调，随着行业在AI计算领域持续突破极限，最重要的机遇正越来越多地集中于材料工程环节。 这一判断折射出半导体设备竞争格局的结构性转变——在光刻以外，沉积、蚀刻等前道工艺正成为制程能力分化的关键变量。 两款新系统能够同时覆盖逻辑与存储两大应用场景，有助于应用材料在GAA逻辑制程与高层数3D NAND这两条当前半导体行业最重要的技术路线上巩固其市场地位。

近日，据韩国媒体The Elec报道，SK海力士已顺利完成下一代V10系列375层3D NAND闪存的生产验证工作，并计划于今年年底前在韩国清州M15工厂正式实现量产。 这款产品最初在SK海力士内部被称为“400层级”NAND闪存，但因超高层数堆叠工艺面临的技术挑战，尤其是沟道孔蚀刻等关键制程难度指数级上升，最终将实际量产层数下修至375层。 然而，相较于层数的微调，真正令业界关注的关键变革，隐藏在一个细节里：这款375层NAND闪存首次在字线金属栅极中引入了钼（Mo）材料，取代了传统上已沿用了十余年的钨（W）薄膜。 然而，SK海力士的技术转向，并非孤例。 在此之前，三星电子、美光等存储巨头就已布局了采用钼材料的相关产品；全球半导体设备龙头泛林半导体也明确表态，钨向钼的技术切换，是高层数3D NAND演进的唯一可行路径。 随着行业巨头相继从钨转向钼，行业释放出一个清晰的信号：曾在存储芯片行业沿用十余年的钨材料体系迎来替代拐点。钼金属一跃成为支撑300层以上超高堆叠NAND闪存落地的核心关键材料。 在这场半导体材料革命中，为何全球存储巨头集体转向钼？相较于老牌导电金属钨，钼具备哪些不可替代的优势？这场材料替代风暴，又将如何重塑半导体材料产业链、改写全球行业的竞争格局？ 为什么要“以钼代钨”？ 要理解“以钼代钨”的缘由，首先需要理解3D NAND的技术演进逻辑。 众所周知，3D NAND闪存通过垂直堆叠存储单元来提升容量。随着层数的攀升，穿行于各层之间的字线数量同步激增，字线的线宽也在不断被压缩至纳米级的极限尺寸。字线是连接存储单元控制栅极、负责选择与操作特定行内存单元的核心线路，其材料性能直接决定了芯片的信号传输效率和存储密度。 回顾字线材料演变史：早期方案是多晶硅，因其电阻较高，从64层、96层起主流方案转向电阻率更低的金属钨。彼时，钨堪称材料层面的胜利，支撑了3D NAND从两位层数跨越到三位层数的黄金时期。 然而，当层数突破300+层大关时，电阻率高、阻挡层对到点空间挤占、长期可靠性隐患等传统钨材料的结构性缺陷暴露无遗。 因此，到如今300+层时代，钨在高层数NAND中彻底触碰到了其物理与工艺天花板，这一代材料红利已经被吃尽。 图源：东方财富 钨触顶、钼崛起，掀起新一轮材料竞赛 与此同时，在半导体领域仅作为溅射靶材、光刻掩模等辅助材料存在的钼，长期以来属于行业关注度极低的小众金属。而如今，钼凭借其独特的物理化学特性，正从边缘辅料逆袭为高层数存储芯片的核心功能性材料。 据了解，钼是一种难熔金属，密度约为钨的一半，熔点高达约2623°C，热膨胀系数低、导热率优异，这些特性使其天然适配高密度、高热量、高可靠性的芯片制造环境，早已在冶金、特种合金、光伏等领域广泛应用。而在半导体产业中，其经历了从边缘辅料到核心功能材料的完整转变。 从基础物理参数来看，钼与钨均属于高导电、高熔点金属，二者体相电阻率相差极小，钨约5.28μΩ·cm，钼约5.34μΩ·cm，宏观导电能力几乎持平。但进入纳米尺度——也就是3D NAND栅极、接触孔这类芯片微结构中，二者的性能差距被急剧放大，这也是高层数闪存选择钼的核心原因。 不同金属在不同厚度下的电阻率（图源：imec） 在芯片微缩结构内，钨的电阻率会随线宽减小、结构深宽比提升出现断崖式上涨，进而造成信号延迟、芯片功耗上升、发热加剧；而钼的电子平均自由程更短，在纳米尺度下电阻率增幅仅为钨的六成左右，能够长期维持稳定的导电性能。 同时，钨作为栅极材料，必须搭配TiN氮化钛作为阻挡层，防止金属扩散与漏电，这层辅料会持续占用堆叠空间。在375层、400层等高堆叠架构中，每层额外增设的阻挡层会持续挤占堆叠空间，累计占用30%-40%的有效结构厚度，直接锁死存储密度提升上限；钼则凭借优异的界面稳定性，无需额外增设阻挡层，这意味着在同等线宽条件下，钼字线的有效导电截面显著大于钨字线，等效导电性能的提升远高于单纯电阻率对比数据所带来的影响。在多层堆叠结构中可直接节省大量垂直物理空间，为存储密度提升腾出余地。 此外，在制程工艺适配性上，二者的差异同样显著。传统钨金属主要依靠CVD化学气相沉积工艺成膜，面对3D NAND动辄40:1以上的高深宽比孔道结构，CVD填充极易出现空洞、薄膜不均等缺陷，直接拉低产品良率；而钼完美适配当下先进制程主流的ALD原子层沉积技术，填充均匀性强、薄膜成型平整度与贴合度更高，能够完美匹配超高堆叠架构的制造要求。并且钼与二氧化硅等绝缘介质的粘附性更强，电迁移抗性更优，能有效降低芯片长期使用中的失效风险，大幅提升产品可靠性。 纵观钼材料在半导体行业的应用历程，其发展大致可分为三个阶段： 早期阶段，钼仅作为辅助材料存在，主要用于半导体溅射靶材、光刻掩模基材、封装散热部件等非核心环节，市场体量有限，行业关注度较低。 随着ALD沉积工艺、高纯金属提纯技术逐步成熟，钼前驱体实现商业化量产，钼开始小范围切入逻辑芯片接触孔、先进封装TSV硅通孔等场景，完成从辅料到功能材料的转型。 真正的爆发节点，正是3D NAND走向300层以上超高堆叠的时代，传统钨材料触及物理极限，钼顺势接棒，成为字线金属栅极的首选方案，正式跻身半导体核心材料行列。 一场由钼主导的半导体材料迭代浪潮已然开启，不仅将重构3D NAND技术演进路径，未来更有望重塑全球半导体材料产业链格局。 不止NAND，钼打开半导体多场景增量空间 NAND已是确定性爆发赛道 上文提到，NAND是钼材料当前最大、最确定的应用市场。随着存储巨头相继导入，钼的需求量级正在快速提升。 据行业测算数据显示，三星去年钼材料采购量约4吨，今年预计增至10吨，按照其技术路线的持续推进，预计2030年将达到80吨。SK海力士则从明年开始大规模导入钼工艺，初期年需求量约为4吨。需要注意的是，上述采购量仅是字线工艺方面的直接用量，若考虑靶材等更大口径的应用，实际需求不止于此。 DRAM：下一个增量市场轮廓已现 钼材料在DRAM领域的应用前景同样值得高度关注。事实上，NAND领域的钼前驱体供应商已在量产设备中展开相关布局，DRAM紧随其后引入钼材料已成大概率趋势。 钼在HBM领域的应用尤为值得注意。HBM通过垂直堆叠DRAM层来提升带宽，层数已达8至12层，HBM4规格更高。在如此高密度堆叠的场景下，钨的电阻高、氟残留、填充困难等短板被极致放大。 相比之下，钼电阻率比钨低30%至40%，无需TiN阻挡层，接触电阻降低约56%，良率更高。据市场信息，单颗HBM的钼靶用量约为普通DRAM的3至5倍，HBM4的钼渗透率已接近100%。随着三星、SK海力士、美光在HBM3e/HBM4产品中全面转向钼字线，DRAM领域对钼的需求正快速赶上NAND。 逻辑芯片的远期想象空间 从NAND到DRAM再到逻辑芯片，钼在半导体领域的应用路径正在形成清晰的传导脉络。 在逻辑芯片领域，钼正被积极探索作为铜互连的替代材料。铜互连在10nm以下先进制程中因表面散射和晶界散射而面临电阻率指数级上升的窘境，而钼的电子平均自由程远短于铜，在纳米尺度下受到尺寸效应的负面影响更小。另有研究指出，钼与钌在特定结构下的表现优于传统方案。 业内预期，逻辑芯片将在未来两到三年内开始逐步采用钼互连方案，这将把钼的市场空间从一个细分应用推向半导体材料的全局性变革。 从投资逻辑角度看，NAND赛道是当前最确定的机会窗口——存储巨头的技术路线图均已明确，钼需求呈指数级增长态势，而国内钼靶材企业进入存储大厂供应链的进程正在加速，国产替代的空间广阔。中期来看，DRAM和HBM领域的钼渗透率正在快速提升，将成为下一个重要的需求拉动极。长期而言，逻辑芯片互连方案的变革将为钼打开更大想象空间。 全球玩家跑马圈地，产业链价值重估 随着“以钼代钨”成为行业趋势，全球存储厂商的技术路线、产品迭代节奏开始出现分化，而上游材料、设备、耗材等配套产业链，也迎来了全新的市场增量与竞争格局。 先从存储厂商来看，三星的技术路线已相当清晰：已从2024年4月量产的第九代286层3D NAND开始，在金属布线工艺中引入钼；第十代400层以上产品将于今年下半年推向市场，钼材料的应用范围还将持续扩大。SK海力士紧随其后，其375层产品敲定今年年底量产，接下来将依次推出480层和604层产品，意味着钼材料在NAND领域的渗透率将持续走高。 美光则双线布局NAND与DRAM领域钼材料应用，探索复合金属技术路线，差异化抢占先进制程市场；相较之下，铠侠、西部数据相对保守，目前仍处于技术验证阶段，暂无明确量产规划。 向上游产业链延伸，这场材料变革正在带动整条半导体供应链的价值重估。 SK海力士的供应链体系中，法国液化空气集团（Air Liquide）、美国英特格（Entegris）与德国默克被确定为主要供应商。韩国本土企业SK Specialty也正积极入局，双方正在商讨其借用液化空气集团的配送基础设施来构建供应能力的方案。 在设备方面，据科创板日报披露，SK海力士在考察了泛林集团（Lam Research）和东京电子（TEL）的设备后，最终选择了后者的设备。泛林集团的设备采用单片晶圆处理方法，逐片处理晶圆；东京电子的炉式设备可一次性完成约100片晶圆的沉积作业，在设备采购成本、场地占用以及钼物料消耗上更具性价比。三星选择的是泛林集团的沉积设备处理钼材料。 同时，在靶材领域，高纯钼原料与半导体钼靶材需求爆发，随着3D NAND层数持续提升、应用场景不断拓展，2026-2028年全球半导体级钼材料市场规模有望扩容4倍以上。有数据显示，全球电子级高纯钼靶材市场2025年销售额达到了77.52亿元，预计2032年将达到132.0亿元，年复合增长率为7.9%，增量空间巨大。国内企业正在加速追赶，并取得了一定突破。 其次，钼前驱体作为核心耗材，目前较为依赖海外进口，是国内材料企业攻坚的核心赛道。再者，适配钼制程的ALD设备需求持续攀升，国内设备厂商加速技术研发与客户验证，有望借助本轮材料迭代实现弯道超车。此外，钼制程配套的CMP抛光液、专用清洗液等电子化学品，也将迎来全新增量市场。 落到终端应用层面，钼材料带来的性能提升也将传导至下游全场景。例如搭载钼栅极的3D NAND闪存，读写速度可提升20%~30%，功耗降低15%~20%，单颗芯片存储密度提升30%以上。对于AI服务器、数据中心而言，更高密度、更低延迟的存储产品能够有效缓解高算力场景下的存储带宽瓶颈；对于智能手机、平板电脑等消费电子，可支撑终端轻薄化设计，同时大幅优化续航能力，助力终端产品迭代升级。 综合来看，本轮材料迭代对于国内半导体产业而言，是难得的国产化黄金窗口期。不同于传统制程追赶的代差壁垒，钼材料属于全新技术赛道，国内外产业研发、量产节奏基本同步，不存在绝对技术代差。同时，国内拥有全球领先的钼资源储量与成熟的基础钼产业集群，具备天然供应链优势。 上游可依托本土资源，攻坚高纯钼提纯、高端前驱体“卡脖子”技术；中游国产ALD设备可借助本轮量产浪潮完成客户验证，快速实现国产化替代；下游国内存储厂商可同步跟进钼材料技术路线，因此有望摆脱跟随式发展困境，实现弯道超车。 钼材料规模化量产的隐忧与挑战 虽然钼的技术优势全面碾压传统钨材料，但从实验室技术到规模化量产落地，仍面临多重产业化壁垒，这也是业界厂商仍处于验证阶段、尚未大规模量产的核心原因。 有行业专家向笔者表示，目前行业核心难点集中在材料提纯、前驱体制备、制程管控、产线适配等几大维度。 超高纯度提纯门槛高：半导体核心制程使用的钼材料，纯度需达到6N-7N（99.9999%-99.99999%），微量杂质就会引发芯片漏电、性能衰减、寿命缩短等问题。当前全球高端高纯钼原料、高纯钼前驱体市场，长期被默克、液化空气等海外巨头垄断，国内传统钼企多聚焦工业级产品，高端产品的稳定性、一致性仍需持续打磨。 前驱体输送与管控难度大：区别于气态氟化钨，主流钼前驱体常温下为固态，无法直接适配传统气态输送产线，生产时必须借助专用设备进行高温加热，同时精准把控物料的供给量与输送速率，对产线硬件改造、制程参数精细化管控提出极高要求，初期设备投入成本较高。 固态前驱体相比气态或液态前驱体在热稳定性和供料均匀性方面存在天然劣势，大晶粒钼薄膜的稳定沉积对集成成功至关重要，小晶粒钼的电阻率对厚度的依赖性与钨相当，会导致性能大打折扣。 imec等研究机构已多次发出警示：从材料体特性到实际器件性能之间存在显著落差，钼最终呈现的电学、热学和电迁移特性，完全取决于沉积薄膜的晶粒尺寸和晶界结构。不是任何“钼”都能实现低电阻——工艺方案的优劣决定了性能天花板的上限。 存量产线改造成本高： 原有面向钨CVD工艺的存储产线，无法直接适配钼ALD沉积工艺，企业需要新增设备、重构制程流程，前期资本投入压力较大。 薄膜工艺良率管控严苛： 钼ALD薄膜的厚度、均匀度、附着力对腔体温度、气压、气体流量等参数高度敏感，参数细微偏差就会导致批量产品质量波动，需要企业长期的工艺积累与量产打磨。 钼矿供应与价格波动风险： 随着钼在半导体领域的用量快速攀升，上游矿端资源供给的瓶颈问题日益突出。钼粉价格已出现大幅上涨，半导体用靶材钼的供需缺口预期将持续存在。若需求快速放量而矿端扩产滞后，钼价的剧烈波动可能对中游靶材厂商和下游芯片制造商的成本结构带来冲击。 从全球供需格局来看，钼资源的分布高度集中。若主要产区面临地缘政治或政策变动因素干扰，供应链安全性将面临考验。这既是挑战，也进一步强化了钼材料国产替代的投资逻辑。 针对上述壁垒，全产业链正循序渐进的探索破局路径，规避技术风险与改造成本压力，加速推动钼材料产业化落地。 还值得注意的是，“以钼代钨”本身并非技术演进的终点。 在半导体行业材料的竞逐中，钌（Ru）同样是备受关注的方向。钌的电阻率甚至低于钼，但其成本和工艺废料问题严重限制了大规模商业化应用的可行性。 如果能够解决成本和工艺废料问题，钌材料在高端场景中仍是颇具竞争力的挑战者。imec院士Tőkei曾指出：钼较钨有更优电阻率且无需阻挡层；较钌成本更低、附着力更好。 更重要的是，拓扑半金属等新材料方向也在快步进入研究视野。国内科研团队已在用二硫化钼这类二维材料探索芯片制造的可能性，而磷化钼等拓扑半金属在极细纳米线中的电阻率甚至低于铜，展现出令人瞩目的潜力。 这意味着，钼虽然在这一轮材料革命中占据了先机，但半导体材料竞赛的赛道还在延伸。对行业参与者而言，当前的关键在于将钼工艺尽快落地转化为产品优势；对投资者而言，则需在密切关注钼赛道的同时，保持对未来替代方案的前瞻性观察。 写在最后 当半导体制造走到物理极限的边缘时，创新的主体正在从架构设计与微缩制程，渐渐转移到材料和工艺的底层突破。 钼从实验室走向量产线，从三星的一条产线扩散到SK海力士的整厂改造，从NAND的字线推进到DRAM的HBM堆叠再到逻辑芯片的互连探索，标志着金属材料在整个半导体行业中正在被重估其战略价值。 传统上，业界习惯于将芯片性能的提升归功于摩尔定律驱动的晶体管微缩。然而在3D堆叠成为主流、二维微缩逼近极限的今天，材料革命正在成为延续半导体性能提升曲线的关键变量。 展望未来，“以钼代钨”已经不再是一个是否会发生的问题，而是一个以多快速度发生的问题。当这场材料变革全面铺开之后，下一个站上舞台中央的半导体关键材料，会是谁？ 本文来源： 半导体行业观察

日本NAND闪存芯片制造商铠侠（Kioxia）已超越丰田汽车，首次登顶日本股市市值榜首，标志着日本资本市场的权重格局正在发生历史性转变——科技与半导体正在取代传统制造业，成为市场估值的新锚点。 6月12日，据《日本经济新闻》报道，铠侠控股（Kioxia Holdings）股价周三（6月10日）在东京证券交易所大涨8%， 市值突破44万亿日元（约合4175亿元人民币），正式超越丰田汽车。 市场预测显示，铠侠截至2027年3月财年的合并营业利润（IFRS口径）预计将达约7万亿日元，是上一财年的八倍，远超丰田自身制定的3万亿日元目标。这一盈利前景的巨大落差，是铠侠估值快速追赶并最终超越丰田的核心驱动力。 从第169名到市值第一：铠侠的跃升轨迹 铠侠的崛起速度令市场瞩目。去年6月，该公司在日本股市市值排名中仅位列第169位，而在短短约一年时间内，其股价大幅飙升，一举超越被视为日本制造业象征的丰田汽车。 这一跃升背后，是AI驱动的存储芯片需求爆发所带来的盈利预期重估。随着数据中心对处理AI计算的存储芯片需求持续激增，铠侠作为全球主要NAND闪存供应商之一，被市场视为直接受益者。 铠侠副总裁Yoshihiko Kawamura在6月2日举行的投资者说明会上表示： "我们预计将进入超级周期阶段。" 这一表态进一步强化了市场对其盈利爆发的信心。 为应对AI带来的需求增长，铠侠正在加速扩张产能与研发投入。 公司计划在2025年4月至2029年3月的四年间，累计投入2.1万亿日元用于资本支出和研发，以巩固其在NAND闪存领域的竞争地位。 这一投资规模体现了铠侠对AI存储需求长期性的判断，也意味着公司正将当前的盈利周期红利转化为未来的产能与技术壁垒。 铠侠股价的上涨得到日本主要券商的背书支撑。 SMBC日兴证券在6月10日发布的报告中，将铠侠目标价从4.8万日元大幅上调至12.6万日元，涨幅逾160%。野村证券亦将目标价从7.188万日元上调至11.5万日元，理由是截至2029年3月财年的盈利扩张能见度显著改善。 值得注意的是， 铠侠的强劲表现并非孤例，而是全球存储芯片行业景气上行的缩影。 随着AI计算对数据中心存储芯片的需求持续扩张，整个行业正呈现出明显的盈利改善趋势。

据韩国News1报道，当地时间6月12日上午9时50分，SK海力士清州园区4号楼M15X二楼气体室突发火灾。火情发生后，M15与M15X两座工厂内约3600名员工立即全部撤离。 火由现场作业人员自行扑灭。截至目前，当局确认无人员伤亡，也未发现气体泄漏。相关部门正在核查确切起火原因及疏散人数。 SK海力士方面表示：“事故似乎发生在进行气体相关作业期间。”公司同时说明，由于疏散员工尚未返岗，“生产设备是否受到影响目前仍在核查中”。 6月1日，清州工厂曾因气体泄漏起火 这不是SK海力士清州工厂第一次出事。11天前，6月1日上午10时32分，同一园区M15与M15X工厂之间连接区域六楼的气体室发生火灾。据路透社援引韩联社报道，火势在喷淋系统启动后迅速得到控制，但过程中部分氟气体外泄，造成6人受伤，伤者已被送往公司医院接受治疗。 那次事故同样触发了约3600名员工的紧急疏散。 SK海力士当时的发言人表示：“我们已立即完成全员疏散，火灾已被扑灭。将配合相关部门调查原因，同时向主管机构进行申报。”公司还补充称，设备运营未出现异常，生产未受中断，安全检查完成后员工将返回工作岗位。 M15与M15X是SK海力士在清州的核心芯片制造工厂。两次事故的起火点均为气体室——这是芯片制造中用于存储和输送特种工艺气体的关键区域。

特朗普释放出美国与伊朗即将达成和平协议的信号，原油价格重挫，通胀担忧缓解助推美债价格大涨，美股、加密货币及黄金日内强势反弹。 美股早盘 ，市场仍处于此前特朗普威胁对伊朗展开军事打击的阴影之下，油价维持高位，美股指横盘。 美股午盘 ， 华尔街见闻提及 ，据央视，特朗普在社交媒体发文称，鉴于与伊朗的磋商已提交至伊朗最高领导层并获得批准，作为美国总统，他已取消原定于美东时间当晚针对伊朗实施的打击与轰炸行动。 金融市场迅速反应。三大美股指盘中拉升，均涨超1%。国际原油期货跳水，布油跌破89.50美元，日内跌3.9%，美油跌破86.60美元，日内跌近3.9%。 美股盘中 ，发帖宣布取消打击伊朗计划后，特朗普在白宫举行的活动中宣扬将达成一项可能解决美伊冲突的“重大协议”，并暗示有望本周末签署协议。美股涨幅进一步扩大，三大股指刷新日高。 美股尾盘 ，道指盘中涨超1000点、涨逾2%，标普一度涨2%，纳指涨超2%。 值得注意的是，以色列和伊朗均否认协议迫在眉睫，伊朗官方通讯社法尔斯报道称"伊朗尚未批准与美国任何协议文本"。 CreditSights宏观策略主管Zach Griffiths指出： 市场能获得如此强劲的提振，令我有些意外，因为这场博弈已持续相当长时间，实质性进展依然有限。 据统计，这已是特朗普第38次宣布和平协议即将达成。 股债双涨，市场情绪全面修复 油价下跌直接打压通胀预期，推动债券收益率大幅下行，并带动股市全面走高。 美债方面，10年期收益率单日下行10个基点至4.45%，7年期国债表现最为突出，收益率下行12个基点。 市场对2026年加息的概率预期从超过100%降至约60%。债市上涨行情甚至消化了当日疲软的30年期国债拍卖以及高于预期的PPI数据。 Mischler Financial Group利率销售交易董事总经理Tony Farren指出： 在能源价格冲击之外核心通胀涨幅低于预期，已至少暂时改变了国债市场的心态。 美股方面，中小盘股与科技股领涨，纳斯达克100指数当日收涨约3.5%，创一年多来最佳单日表现。 半导体板块大幅反弹，相关指数单日涨幅接近8%，能源股成为唯一收跌的板块。 空头回补加剧了市场上行动能，动量因子当日涨幅近8%，为2021年以来第二佳表现。 UBS首席投资办公室的Ulrike Hoffmann-Burchardi表示： 尽管走向解决的路径可能并不平坦，但我们的基准情景是外交最终占据主导，令投资者得以将注意力重新聚焦于稳健的经济基本面和强劲的盈利增长。 SpaceX明日即将登场，为本已火热的市场再添一把柴。 此次IPO以135美元/股定价，发行5.556亿股，融资750亿美元，以市值计达1.77万亿美元，若考虑员工期权及限制性股票单位，完全稀释估值约为1.8万亿美元。 期权交易员们正严阵以待，准备迎接明天的市场波动。 资深策略师Louis Navellier表示: IPO热潮有利于提振投资者信心，将助力整体股市走高。毫无疑问，我们仍处于FOMO（错失恐惧）市场之中，投资者追涨的势头预计将持续。 美元因TACO协议而暴跌，徘徊在本周的支撑低点附近。 美元走软终于为贵金属近期的暴跌提供了支撑，黄金价格从接近4000美元反弹至接近4200美元。 比特币同样反弹，价格从 6.1 万美元飙升至 6.35 万美元以上。 周四，美股三大指数收涨。费城半导体指数收涨7.91%，2025年4月份以来最大单日涨幅，报13171.439点。 美股基准股指： 标普500指数收涨127.31点，涨幅1.75%，报7394.30点。 道琼斯工业平均指数收涨929.97点，涨幅1.86%，报50848.75点。 纳指收涨640.158点，涨幅2.54%，报25809.66点。纳斯达克100指数收涨938.149点，涨幅3.29%，报29446.176点。 罗素2000指数收涨3.02%，报2921.029点。 恐慌指数VIX收跌12.47%，报19.45。 美股行业ETF： 美股行业ETF普遍收涨，半导体ETF收涨6.75%，全球航空业ETF涨6.31%，全球科技股指数ETF、科技行业ETF、生物科技指数ETF、可选消费ETF、银行业ETF、网络股指数ETF至多涨3.73%。 （6月11日 美股各行业板块ETF） 科技七巨头： 万得美国科技股七巨头（Magnificent 7）指数涨1.14%。 特斯拉涨4.60%，英伟达涨2.22%，亚马逊涨1.47%，苹果涨1.39%，谷歌A涨0.39%，Meta跌0.45%，微软跌1.77%。 芯片股： 费城半导体指数收涨7.91%，2025年4月份以来最大单日涨幅，报13171.439点。 台积电ADR涨3.26%，AMD大涨7.97%。 中概股： 纳斯达克金龙中国指数收涨0.25%，报6296.64点，北京时间01:28出现一波强势反弹行情——从6200点拉升大约60点。 热门中概股里，日月光半导体收涨7.2%，网易涨0.2%，阿里跌1.5%。 其他个股： Circle涨4.74%。 欧元区蓝筹股指在欧洲央行加息日收涨约0.8%，阿斯麦、ASM、BE半导体实业创收盘历史新高。荷兰股市涨1%，在欧洲央行加息日创收盘历史新高，意大利股指涨超0.9%，德国军工ETF涨约1.7%。 泛欧股指： 欧洲STOXX 600指数收涨0.54%，报621.53点。 欧元区STOXX 50指数收涨0.78%，报6056.96点。 各国股指： 德国DAX 30指数收涨0.06%，报24209.71点。 法国CAC 40指数收涨0.48%，报8200.80点。 英国富时100指数收涨0.48%，报10303.88点。 （6月11日 欧美主要股指表现） 板块和个股： 欧元区蓝筹股中，西门子能源收涨6%，阿斯麦控股涨4.56%，报1576.00欧元，突破6月8日所创收盘历史最高位1514.60欧元，英飞凌涨2.61%。 欧洲STOXX 600指数的所有成分股中，ASM国际收涨7.39%，报973.60欧元，连续第二个交易日创收盘历史新高，BE半导体实业公司涨6.61%，也连续两天创收盘历史新高。 特朗普宣布取消对伊朗的打击计划，美国国债上涨，交易量激增。德债收益率至少跌4个基点，两年期收益率在欧洲央行宣布加息后反弹并一度刷新日高。 美债： 纽约尾盘，10年期美债收益率大幅下行9.3个基点，报4.457%。 两年期美债收益率跌7.92个基点，报4.058%。 （美国主要期限国债收益率） 欧债： 欧市尾盘，德国10年期国债收益率下跌4.5个基点，报3.032%，全天持续下挫，交投于3.091%-3.021%区间。 英国10年期国债收益率跌2.6个基点，报4.905%，20:15欧洲央行宣布加息之后，出现一波冲高回落行情。 法国、意大利、西班牙和希腊等四国10年期国债收益率至多跌5.3个基点。 美元指数周四跌超0.2%，纽约中午跳水。 美元： 纽约尾盘，ICE美元指数跌0.25%，报99.700点。 彭博美元指数收跌0.32%，报1206.74点，日内交投区间为1213.41-1206.11点。 （彭博美元指数） 非美货币： 纽约尾盘，欧元兑美元涨0.36%，报1.1578，英镑兑美元涨0.38%，报1.3419，美元兑瑞郎跌0.61%，报0.7950。 商品货币对中，澳元兑美元涨0.76%，纽元兑美元涨0.73%，美元兑加元涨0.11%。 日元： 纽约尾盘，美元兑日元跌0.37%，报159.91日元，日内交投区间为160.59-159.58日元。 离岸人民币： 纽约尾盘，美元兑离岸人民币报6.7635元，较周三纽约尾盘涨187点，日内整体交投于6.7846-6.7621元区间，01:27开启加速上涨行。 加密货币： 纽约尾盘，比特币上涨2.5%，以太坊涨3%。 （比特币价格） 原油重挫，WTI原油期货较日高回落5.4%，纽约尾盘报85.86美元/桶。 原油： WTI 7月原油期货收跌2.32美元，跌幅2.58%，报87.71美元/桶。 （WTI原油期货下挫） 布伦特8月原油期货收跌2.72美元，跌幅2.92%，报90.38美元/桶。 中东Abu Dhabi Murban原油期货跌3.36%，报86.97美元/桶。 天然气： NYMEX 7月天然气期货收报3.0870美元/百万英热单位。 美元走弱为近期受挫的贵金属提供了底部支撑。现货黄金大涨3.5%，收复4200美元。白银飙升6.3%、收复周三跌幅。 黄金： 纽约尾盘，现货黄金涨3.44%，报4212.34美元/盎司。 （现货黄金价格） COMEX黄金期货涨2.38%，报4231.90美元/盎司。 白银： 纽约尾盘，现货白银涨6.03%，报67.1837美元/盎司，走势与伦敦金相仿，03:42刷新日高至67.5590美元。 COMEX白银期货涨5.85%，报67.255美元/盎司，日内大部分时间持稳于64美元附近。 其他金属： 纽约尾盘，COMEX铜期货涨3.07%，报6.3870美元/磅。 现货铂金涨3.27%，报1719.67美元/盎司；现货钯金涨4.59%。

SK海力士在HBM热潮带动下创下历史最高季度利润，正着手向供应链传导红利，这在半导体设备行业尚属罕见。 据韩国科技媒体ETNews周四报道，SK海力士近期已向多家设备一级供应商要求提交"价格调整审核材料"，即证明涨价合理性的支撑文件。 部分设备厂商趁势提出3%至4%的涨价要求。 SK海力士方面表示，将依据汇率、供应稳定性等客观采购原则决定最终价格。 此举引发业界对所谓"涓滴效应"的广泛期待——即大型半导体企业的丰厚利润能够逐步惠及上游合作伙伴。 值得关注的是，业内人士指出，比较常见的是原材料和零部件供应商因成本波动较大而进行涨价谈判，但连设备厂也提出涨价则较为少见，此次动向因此受到市场高度关注。 设备涨价何以罕见 设备供应商提出涨价之所以被视为异常，根源在于设备行业独特的成本结构。 原材料和零部件供应商的采购价与化学品、气体、晶圆、铜等原材料高度挂钩，此类成本通常占供货价格的30%至70%，且可随国际大宗商品价格直接联动，涨价逻辑清晰易证。 设备厂商则截然不同——其成本构成以固定费用、研发投入和技术积累为主，难以套用"原材料涨了所以要提价"的简单逻辑。行业惯例反而是反向操作：设备初次供货时价格最高，此后每次追加采购谈判，供货价往往被压低约10%。 一名设备行业人士表示，此轮半导体景气主要源于存储器短缺推动的销售端价格上涨，相当一部分材料、零部件及设备供应商的供货单价并未随之提升，"有些供应商的盈利能力反而有所恶化"。他还补充道，伊朗局势引发油价上涨、韩元持续走弱，都进一步加剧了成本压力，使涨价诉求愈发迫切。 超级周期强化供应商议价筹码 业内人士将此次设备厂商成功推动涨价的背景，归因于半导体超级周期下供应链话语权的结构性变化。 在产能扩张节奏加快的背景下，核心设备供应商的交货周期与响应能力，对芯片制造商的生产计划影响日益显著。 这意味着设备厂商的战略地位上升，对下游大厂而言，维护关键供应商的配合意愿已成为不可忽视的成本。 一级设备供应商中的A公司近期向SK海力士供货的价格已高于上年水平。该公司此前逾五年未曾获得任何价格上调，但据了解，今年的谈判进展相对顺利。 SK海力士业绩与外部压力 SK海力士拥有充裕的财务空间消化成本上升。今年第一季度，该公司实现营收52.5万亿韩元，营业利润37.6万亿韩元，营业利润率约72%，刷新单季历史纪录。市 场普遍预期，二季度营业利润将在旺季效应推动下进一步跃升至60万亿至64万亿韩元区间。 与此同时，外部因素或也在悄然施压。部分业内观察人士认为，此次SK海力士主动推进供货价上调，与近期韩国政界对大型半导体企业"共赢合作"的舆论压力不无关联 。据报道，韩国政府正在研究将三星电子半导体工厂引入湖南地区的方案，以此向大企业施加更直接的压力。 SK海力士官方表示，随着原材料采购负担加重，供应商的涨价请求持续增多，公司将依据汇率、供应稳定性等客观采购原则做出定价决策。

台积电下一代先进封装技术CoPoS的量产时间表与技术细节正逐步清晰。 知名分析师郭明錤最新研究指出，台积电CoPoS预计于2028年下半年进入量产阶段，目标是改善超大尺寸AI芯片封装的量产经济性，适用范围针对掩模尺寸超过9.5倍以上的封装需求。郭明錤同时点名，英伟达最新一代AI芯片Feynman有望成为CoPoS的首批采用者。 量产节点明确，英伟达Feynman或为首发 根据郭明錤的研究，CoPoS的量产节点定于2028年下半年，核心驱动力在于提升超大型AI芯片封装的量产经济性。当前AI算力芯片的封装尺寸持续扩大，突破单一掩模限制的超大封装方案对良率和成本的管控提出了更高要求，CoPoS正是针对这一痛点而设计。 在潜在客户层面，郭明錤指出英伟达Feynman芯片是CoPoS的可能首批用户。Feynman为英伟达规划中的下一代AI芯片，若时间节点吻合，将与CoPoS 2028年下半年的量产窗口形成对接。 玻璃基板结构解析：三层架构，与ABF共存 郭明錤在报告中详细描述了CoPoS中玻璃核心基板的结构。该基板以玻璃为核心层，上下两侧分别覆盖ABF增层（ABF-GCP），形成三层架构。玻璃的加工环节涉及TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）制作、铜填充及金属化等关键工艺，技术难度较高。 在材料规格方面，CoPoS在两处使用玻璃：一是尺寸为310×310毫米的临时玻璃载板；二是用于测试的250×250毫米玻璃面板，以及用于量产的510×515毫米玻璃面板，后者经加工后切割为玻璃核心基板。 澄清三大误读：玻璃不是中介层，不取代ABF 郭明錤专门就业界流传的三种技术误解作出纠正。 误解一：CoPoS使用玻璃中介层（glass interposer）。 郭明錤指出，玻璃在CoPoS中并非中介层，互连功能由芯片侧的RDL（再分布层）以及玻璃核心基板侧的TGV和ABF增层分别承担，两者共同完成互连，而非由玻璃中介层统一实现。 误解二：玻璃取代ABF。 郭明錤明确，玻璃与ABF在CoPoS的基板堆叠中共存，并非替代关系，上述三层架构即为佐证。 误解三：芯片直接置于玻璃上。 郭明錤澄清，芯片实际上是附着在玻璃核心基板的ABF增层表面，而非直接接触玻璃。 郭明錤认为，CoPoS将持续巩固台积电在先进封装领域的竞争优势，这一优势预计可维持至2032年前后，为台积电在AI芯片封装市场的长期地位提供支撑。