为您找到相关结果约2815

  • 上周对冲基金抛售美国科技股创历史记录:芯片股连卖8天,Mag 7连抛5周

    上周,对冲基金对美国科技股的抛售力度创下逾十年来最大纪录,半导体板块遭遇连续八个交易日净卖出,"科技七巨头"(Mag 7)则已连续五周被净减持,仓位逼近三年低点。与此同时,美国科技股基金单周净流出规模亦创历史性高位,市场情绪急剧降温。 6月29日,高盛Prime Brokerage最新数据显示, 截至6月25日当周,对冲基金对美国信息技术板块的净卖出规模——无论以美元计还是以占比计——均为十年来最大 , z评分达-4.0,属于4个标准差级别的极端事件。 整体美国股票已连续第二周遭净卖出,速度为去年所谓"对等关税"当周以来最快。 此轮抛售对市场流向影响深远。 美国股票单周净流出85亿美元,为2026年3月以来首次录得资金外流,此前一周刚刚经历创纪录的1192亿美元净流入。 标普500指数当周收跌约2%,大盘科技股周内跌幅约达6%,半导体板块波动尤为剧烈。 科技股抛售力度创十年之最 高盛交易台最新周报显示,上周对冲基金对美国信息技术板块的净卖出为所有板块中最为突出, 偏离一年均值达-3.8个标准差,由多头和空头双向卖出共同驱动,多空卖出比例为1.3比1。 在信息技术各子板块中,半导体及半导体设备股贡献了逾半数的净卖出金额,其次依次为软件、科技硬件及通信设备。值得注意的是, 半导体板块已连续八个交易日遭净卖出 ,但从仓位角度看,该板块净敞口占美国Prime账簿总量的比例仍处于过去五年的第98百分位,显示整体持仓依然偏高。 与此同时,EPFR数据显示,美国科技基金在此前数周持续大幅净流入后,上周出现大规模净流出,进一步印证了机构资金的集中撤离态势。 "科技七巨头"上周延续减持趋势,已连续五周录得净卖出。 高盛数据显示,该组合的总敞口和净敞口目前分别处于过去三年的第4和第6百分位, 均逼近三年低点 ,反映出对冲基金对这一核心持仓的信心持续消退。 本轮抛售的背景是AI及超大规模云计算(hyperscaler)板块与半导体板块之间出现明显分化——前者被视为算力的"付费方",后者则为"收益方"。 市场对AI投资回报周期的重新审视,叠加个股层面的多重扰动因素,共同加速了资金的撤离。 材料板块上周亦跻身净卖出规模最大的板块之列,创逾三个月来最大单周净卖出 ,偏离一年均值达-1.9个标准差,空头和多头卖出比例为1.5比1。 其中,金属与矿业为材料板块内净卖出最多的子板块,容器包装及化工板块的小幅净买入仅部分抵消了上述压力。目前美国金属矿业股多空比降至1.21,较今年6月初的年内高点1.69大幅回落,处于过去一年的第7百分位及过去五年的第3百分位,仓位已极度偏低。 从整体结构看, 11个板块中有8个录得净卖出,以美元计净卖出规模居前的依次为信息技术、通信服务、工业及医疗保健;必需消费品、能源和房地产则录得净买入。 与此形成对比的是,宏观产品(指数与ETF合计)录得净买入,偏离一年均值达+1.3个标准差,几乎完全由空头回补驱动,多头流入有限。 这一模式与对冲基金的惯常操作一致——在做空个股的同时买入ETF作为市场中性对冲。美国上市ETF空仓规模周内下降2%,月内下降3.5%,回补主要集中在企业债、小盘股及非必需消费品ETF。 周末成交量爆炸式放大,罗素指数再平衡推波助澜 高盛股票销售交易台指出, 上周末因罗素指数年度再平衡,成交量出现"爆炸式"放大。 标普500指数当周收跌约2%,大盘科技股周内跌幅约6%,半导体板块波动则受到多重因素叠加影响,包括韩国市场走弱、杠杆交易集中、以及美光、安森美、高通投资者日、OpenAI IPO相关报道等个股事件。 资产管理公司整体呈净卖出态势,主要为大盘科技股的资金腾挪操作所驱动,但据高盛描述, 卖出过程"有序",未见过度反应或恐慌迹象。 对冲基金整体流向大致持平,市场内部的风格轮动仍在延续。 原油价格当周下跌约9%,10年期美债收益率下行8个基点至4.37%,为消费相关板块提供了一定支撑。

  • 下周重磅日程:美国非农、中国PMI、沃什出席欧洲央行论坛,半导体“7月涨价潮”

    06月28日 - 07月06日当周重磅财经事件一览,以下均为北京时间: 下周重点关注: 宏观政策方面, 美国6月非农就业报告将于7月2日登场,数据若超预期都可能强化美联储的加息预期,尤其是在美联储主席沃什及6月会议纪要释放偏鹰信号的背景下。中国方面,6月官方制造业PMI于6月30日公布,市场期待其从50的荣枯线小幅回升。此外, 6月29日至7月1日,欧洲央行年度中央银行论坛在葡萄牙举行,美联储主席沃什、欧央行行长拉加德、英国央行行长贝利等重量级人物将先后发言。市场将高度警惕沃什是否延续鹰派立场,这将是7月非农数据前最重要的政策风向标。 产业链方面,AI驱动的全球涨价潮与三星“4万亿”投资计划备受关注。 进入7月,村田、英飞凌、德州仪器、扬杰科技等十余家半导体巨头集体提价,涨幅最高达40%,几乎覆盖台湾全部IC设计企业,从上游材料到终端芯片全链条承压。三星集团计划6月29日公布一项为期十年、总额高达1000万亿韩元(约合4万亿人民币)的韩国本土投资计划,创下韩国企业史之最,芯片制造是核心去向。 其他事件方面,耐克财报、达沃斯科技峰会(聚焦物理AI与机器人)及上海具身智能博览会将同步为科技与机器人板块提供催化剂。此外, 美国总统特朗普宣布在7月4日美国独立日在华盛顿举办“迄今为止最盛大的特朗普集会”,并发表主题演讲。美伊局势也同样值得关注。 经济指标 美国6月非农就业报告 7月2日美国6月非农就业报告将公布,市场预期新增就业11.3万人,失业率4.3%。 若就业及薪资数据强劲,将强化美联储加息预期——此前美联储6月会议及主席沃什已释放偏鹰信号。 ADP就业报告也将于7月1日公布。 中国6月官方制造业PMI 中国6月官方制造业PMI将于6月30日周二公布,5月制造业PMI录得50.0,较前月下降0.3个百分点。市场预计,6月制造业PMI将小幅上升。7月1日更侧重于出口企业的RatingDog制造业PMI也将公布。 韩国6月出口数据、日本二季度短观企业景气调查 7月1日韩国6月出口数据将公布,彭博经济研究预计出口同比增长62.5%,高于5月的53.4%和市场预期的60.7%,主要受人工智能芯片需求推动——6月前20天芯片出口飙升188.4%。 此外,日本央行二季度短观企业景气调查将于7月1日公布。市场预计预计大型制造业指数维持在17不变,高于市场预期的16,主因汽车及人工智能相关需求提供支撑。若数据稳固,将增强日本央行继续退出刺激的理由。 财经事件 欧洲央行中央银行论坛在葡萄牙举行、美联储主席沃什、欧央行行长拉加德等发表讲话 欧洲央行中央银行论坛将于6月29日至7月1日在葡萄牙举行,全球央行官员齐聚,将共同探讨加速增长、人工智能与金融稳定等议题。 市场重点关注美联储主席沃什7月1日晚间发表的讲话。若沃什在论坛上延续偏鹰派基调,将进一步强化市场对美联储加息的预期。 此外,欧央行行长拉加德、英国央行行长贝利等主要央行行长亦将发言,全球货币政策走向将成为关注焦点。 特朗普:将于7月4日发表主题演讲 美国总统特朗普宣布在7月4日美国独立日在华盛顿举办“迄今为止最盛大的特朗普集会”,并发表主题演讲 。此外,特朗普将于7月3日出席在拉什莫尔山的活动。 4万亿扩产计划?三星计划公布一项规模超过1000万亿韩元的先进产业投资计划 据Maeil Business报道,三星集团将于6月29日在青瓦台公布 一项为期十年、总规模达1000万亿韩元(约合6475.3亿美元、约合4万亿人民币)的韩国本土投资计划。这将是韩国企业史上最大规模投资,相当于该国GDP的一半。 据报道,这项计划或包含300万亿韩元资金用于在韩国西南部建设芯片工厂。 在半导体繁荣期利润创纪录的背景下,三星此举旨在维持技术领先、寻找新增长引擎,并支持政府的区域均衡发展政策。 特斯拉FSD由买断制转向订阅制,港澳台地区买断版6月30日后下架 据每经,近日,特斯拉在全球范围大面积调整FSD(Full Self-Driving,完全自动驾驶)的售卖模式,将全面改为订阅制。其中,港澳台地区官网已同步显示FSD买断制将于6月30日后下架取消,正式转为订阅模式。中国内地尚无明确时间表。 隔夜逆回购“首秀”:央行将在公开市场操作中增加隔夜逆回购操作品种 中国人民银行6月25日公告,将在6月29日、6月30日公开市场操作中增加隔夜逆回购操作品种,隔夜逆回购操作采用固定利率、数量招标。据上证报报道,与欧洲央行等类似,目前我国央行公开市场主力操作品种是7天期逆回购。7天期逆回购操作有效维护了短端利率平稳。强化隔夜利率调控,更符合我国银行间市场的交易结构。 网易将于6月30日起在港交所转为双重主要上市 网易在一份交易所公告中表示,公司选择自6月30日起成为香港交易所的双重主要上市公司。 自动驾驶“交规”生效,即《智能网联汽车道路测试与示范应用安全通行规范》 2026年4月,公安部正式发布行业标准《智能网联汽车道路测试与示范应用安全通行规范》(GA/T 2388-2026),明确自7月1日起实施。 7月涨价潮来袭,芯片价格涨涨涨! 进入7月,一场由AI需求驱动的全球产业链涨价潮正加速蔓延。据不完全统计,已有超过十家半导体及相关领域的头部企业宣布或预告自7月1日起上调产品价格,覆盖从上游材料到终端芯片的多个关键环节。 村田对AI服务器及车规级MLCC提价10%—40%,日本酸素氨气涨价超30%,联发科预告调涨芯片价格,英飞凌、德州仪器年内二次提价,扬杰科技、立昂微等功率半导体企业同步上调10%—15%。据澎湃报道, 本轮涨价几乎覆盖中国台湾地区所有IC设计企业。 彭博经济研究指出,AI相关需求正推升通胀,涨价潮能否顺利传导及对终端需求的影响将是关注重点。 具体来看: 扬杰科技全系产品价格上调10%-15% 国内功率半导体龙头扬杰科技近日发布调价通知函:受上游芯片晶圆、大宗金属、封装原材料持续涨价影响,成本增幅超出预期,决定自7月1日起,全系列产品价格上调10%-15%。 村田:AI服务器和高端车规级MLCC涨价10%—40% 村田发布涨价函,7月1日起,AI服务器和高端车规级MLCC产品启动全面涨价,涨幅在10%—40%之间。 德州仪器、英飞凌再度提价 全球功率半导体厂商英飞凌向客户与合作伙伴表示,将自7月1日起调整部分产品价格。这是继2026年4月首轮提价之后,该公司年内的第二次价格上调。除了英飞凌,德州仪器同样计划自7月1日起提价,涉及产品包括电源管理芯片(PMIC)及MOSFET,这也是其2026年内的第二轮涨价。 日本酸素宣布氨气产品涨价超30% 日本酸素(Nippon Sanso)宣布,自2026年7月起开始发货的氨气产品调涨售价,平均涨幅将超过30%。 华大电子MCU产品价格适当涨价 华大电子涨价函:7月1日起对MCU产品价格适当调整。 IC设计龙头联发科预计7月涨价 6月24日,IC设计龙头联发科已经向客户发函,预告将调涨各项芯片价格。 据澎湃报道,业内人士表示,本轮涨价几乎覆盖中国台湾地区所有IC设计企业,不分规模大小,据悉瑞昱、联咏等厂商也正筹备与客户重新协商产品价格,其中瑞昱将于7月开始,针对特定产品线调涨逾1成。 存储产品成本上涨,海康威视硬盘或调价 近日,有市场消息称,海康威视已向经销商下发硬盘调价函,自今年7月1日起,公司硬盘产品价格将进行同步上调。 对此,海康威视相关人士向上证报记者回应称:近期,受全球AI算力建设和数据存储需求持续增长影响,第三季度部分存储产品成本出现一定幅度上涨。 埃夫特:旗下喷涂机器人全系列产品涨价5%—8% 埃夫特机器人发布产品调价通知函,当前全球供应链持续紧张,核心元器件、原材料、能源及国际物流成本显著上升。埃夫特决定对旗下喷涂机器人全系列产品及相关选件、软件与工作站方案实施价格调整。整体价格上调5%—8%。本次价格调整7月1日(含)起生效。 CCL大厂建滔等预计提价10%-15% 6月16日,覆铜板(CCL)龙头建滔积层板已宣布,由于铜价持续高企、玻璃布价格猛涨且供应极度紧张,自即日接单起,对所有FR-4及PP产品提价15%。据报道,生益7月计划进一步涨价;南亚计划继续调涨。 松下将于7月上调SP-Cap电容价格5%-30% 松下将于7月上调SP-Cap电容价格5%-30%。 立昂微、极海半导体涨价 极海半导体发布价格调整通知函,表示公司“决定对部分产品价格进行调整,新价格将于2026年7月1日起生效”。至于涨价原因,则是受上游原材料成本大幅攀升、晶圆代工、封装测试等成本递增导致行业供应链承压。立昂微对客户发出产品价格调整通知函,自6月15日起,对功率芯片业务全系产品价格调涨10%-15%。对于旗下半导体硅片业务,立昂微旗下金瑞泓表示,鉴于上游原材料成本上涨导致成本提升,公司决定自7月1日起,对金瑞泓硅片业务价格上调10%-15%。 友台半导体全系列产品价格上调15%至30% 友台半导体发布涨价函:自2026年7月1日起,对其全系列产品价格上调15%至30%起。 行业峰会 达沃斯科技峰会(Davos Tech Summit 2026)开幕 达沃斯科技峰会(Davos Tech Summit 2026)将于2026年7月1日至4日在瑞士达沃斯会议中心举行。本届峰会聚焦“物理AI与机器人(Physical AI & Robotics)”主题,全球30+人形/四足/无人机实景演示;英伟达、ETH Zurich 等大咖主讲;“Robot City” 全城机器人场景落地。 2026年北京太空算力大会于6月29日至30日举办 2026年北京太空算力大会将于2026年6月29日—30日在海淀举办,届时将在大会现场正式揭牌“北京市太空算力产业创新中心”,并组建专家委员会与产业创新联盟。 2026中国智算产业生态发展年会,聚焦GW级Token工厂建设 2026中国智算产业生态发展年会将于6月30日在深圳举办,聚焦GW级Token工厂这一下一代算力底座核心形态。 OPEC+会议 欧佩克表示,七个OPEC+成员国将于7月5日召开下次会议。 上海国际具身智能产业博览会启幕 7月2日至4日,2026上海国际具身智能产业博览会将于上海举办。 慕尼黑上海电子展 电子行业内重要盛会——慕尼黑上海电子展(electronica Shanghai)将于7月1-3日在上海新国际博览中心举办,主题:AI芯片、车载电子、先进封装、功率半导体。 全球OPC共创节在北京举行 据北京经信,作为2026全球数字经济大会的同期活动,全球OPC共创节将于7月1日至4日在北京国家会议中心举办,旨在打造一场真正属于AI创造者的年度派对,告别单向输出式展会,让AI被真正做出来、玩起来、用起来。 财报 未来一周,美股、港股财报季进入淡季,但仍有重量级公司发布业绩。运动服饰巨头耐克定于6月30日盘后公布2026财年第四季度财报。此外,南非传媒及互联网投资巨头Naspers及其子公司Prosus也将在下周发布财报。 A股方面,上交所网站显示,中船特气将于7月18日披露半年报,成为沪市首家披露2026年半年报的公司。 近期,多家公司发布业绩大幅预增公告,其中不乏石化、科技、锂电龙头企业。分析人士认为,随着中报披露窗口临近,市场资金关注点将逐步从主题交易转向业绩验证,成长板块仍是投资主线。

  • 逃离“韩国折价”:SK海力士之后 三星也酝酿赴美上市?

    韩国半导体双雄正相继将目光投向美国资本市场。SK海力士宣布下月在纳斯达克上市存托凭证,三星电子赴美挂牌的可能性也随之在韩国证券业内发酵——两家公司均寄望通过打通美国市场,吸引全球被动资金流入,并消除长期困扰韩国资产的估值折价。 SK海力士于6月24日公告,将发行1779万股新股作为基础股份,以原股与ADR(美国存托凭证)1比10的比例,于7月10日正式登陆纳斯达克。市场当前最关注的焦点,是该公司能否借此打入纳斯达克100指数。分析人士普遍认为,年底纳入已是大概率事件。值得注意的是,SK海力士最终选择纳斯达克而非纽约证券交易所——这与台积电当年选择NYSE、因此无缘纳斯达克100的路径形成鲜明对比。 与此同时,三星电子ADR上市的可能性也开始进入市场视野。 韩国KB证券研究中心负责人金东源透露,在与海外投资者的交流中,各方对三星电子上市ADR的关注和询问"大幅超出预期",不少人认为一旦付诸实施,将成为三星股价上涨的强力催化剂。 两家公司的美国上市布局,折射出韩国资本市场长期面临的结构性困境——本土上市公司估值系统性低于全球同类企业,即所谓"韩国折价"。赴美挂牌被视为争取国际机构投资者、推动估值修复的重要手段。 SK海力士7月登陆纳斯达克,年底有望纳入纳斯达克100 根据SK海力士的公告,此次ADR上市将于7月10日落地纳斯达克,采用1股ADR对应10股原股的比例结构。公司选择纳斯达克而非纽约证券交易所,外界普遍解读为其有意打入以科技股为核心的纳斯达克100指数。 韩国投资证券分析师廉东灿表示,ADR上市为SK海力士打开了纳入费城半导体指数(SOX)、ICE半导体指数以及纳斯达克100指数的可能性,"其中追踪ETF规模最大的纳斯达克100有望率先纳入,这一点尤为积极。" 纳斯达克100每年依据11月底数据,于12月第三个周五进行定期成分调整。分析人士指出,SK海力士上市初期尚不符合特例快速纳入标准,但通过年末定期调整实现纳入"预计相对顺利"。相比之下,进入费城半导体指数和ICE半导体指数则可能需要更长时间。 不过廉东灿也提示,由于此次ADR发行量相对于全部流通股而言规模有限,其在指数中的权重将较为受限。他估算,指数纳入所带动的ETF被动资金需求,约相当于全部ADR股份的2%。 三星ADR上市传闻升温,券商称海外需求超预期 SK海力士的纳斯达克上市计划公布后,韩国证券业内关于三星电子跟进的讨论明显增多。 金东源在介绍与海外投资者的沟通情况时表示, 三星电子ADR上市话题所引发的关注度"大幅超出预期",多数投资者认为此举一旦落地,将对三星股价构成"强力催化"。 目前,三星电子ADR上市尚处于市场讨论阶段,尚无官方表态。 估值修复逻辑:从被动资金流入到"韩国折价"消解 此轮赴美上市浪潮的核心驱动力,在于解决韩国资产长期面临的估值折价问题。两家公司希望借助ADR,向更广泛的全球机构投资者——尤其是被动跟踪美国主要指数的ETF——打开配置渠道。 台积电的先例提供了参照:该公司在纽约证券交易所上市后,因不在纳斯达克挂牌而无法被纳入纳斯达克100指数,在指数资金渠道上留有遗憾。SK海力士选择纳斯达克,被分析人士视为在吸取这一教训后的主动布局。 从市场预期来看,被动资金流入的直接体量或许有限,但ADR上市所传递的信号意义——向全球投资者展示公司愿意接受更高透明度和国际资本市场标准——可能同样重要。如果三星电子最终跟进,其体量效应将远超SK海力士,对韩国资本市场的影响亦将更为深远。

  • 联想:内存涨价是“新常态” DRAM和NAND高价将持续至2030年后

    内存价格高企的时代或许不会结束。联想在ISC 2026大会上发出警告:DRAM和NAND闪存价格已进入结构性上涨周期,即便主要厂商持续扩产,价格也极难回落至2025年初水平,价格上涨最终将成为2030年及以后的“新常态”。 联想在大会演示中展示了DRAM和NAND产品的价格走势图。据其分析,尽管三星、SK海力士、美光等主要内存厂商正加速新建产能,但扩产效果难以弥合供需缺口,预计价格长期居高不下。与此同时,美光已公开表示无法满足包括战略级客户在内的市场需求,三星和SK海力士亦发出类似信号,供应紧张局面短期内难以缓解。 这一判断对整个消费电子产业链影响深远。联想预警,高内存成本将向下传导至PC、游戏主机、智能手机及所有搭载内存或固态硬盘的终端产品,消费者未来十年将面临持续的设备价格上涨压力。 价格失控始于2025年末,涨势至今未止 根据联想在ISC 2026大会上呈现的数据,本轮内存价格的快速攀升始于2025年第三季度末至第四季度初。彼时,DRAM和NAND价格开始脱离此前的周期性波动区间,加速上行至市场普遍未曾预期的高位。 联想指出,尽管主要厂商正持续推进产能扩张、新建晶圆厂以应对供需失衡,但这些举措对于压低价格的实际效果极为有限。供需缺口的扩大速度已超出产能爬坡的节奏,价格回归2025年初水平的可能性正在下降。 值得注意的是,联想演讲者在大会上的相关评论带有一定的玩笑性质,但其对2030年及以后高价格常态化的判断,仍被视为一次正式的行业预警信号。 供应商扩产计划难解近渴 在主要内存厂商中,SK海力士已宣布将原定2040年以后实施的产能扩张路线图大幅提前至2030年以后,预计在该时间节点前将内存产出增至现有水平的三倍。 然而,联想与业内观察人士均对这一扩产计划能否真正缓解供需矛盾持保留态度。美光已明确表示,即便对战略级重要客户,当前也无法足额供货。三星和SK海力士的表态同样悲观,多家头部厂商实际上正借助这一供应紧缺周期获取丰厚利润。 在AI基础设施需求持续爆发的背景下,高带宽内存(HBM)及通用DRAM的需求增速依然强劲。扩产所带来的新增供应量,能否匹配同期的需求增量,目前仍是未知数。 终端消费者承压,全品类设备涨价难避 联想的预警意味着,内存和固态硬盘的高价将在未来十年持续向终端产品传导。PC、游戏主机、智能手机及其他搭载存储器件的消费电子产品,都将承受更高的物料成本压力。 对于普通消费者而言,这意味着低价PC和入门级智能设备的时代可能正在远去。企业端同样难以幸免——服务器、数据中心基础设施的采购成本将随内存价格同步抬升,进一步推高AI及云计算基础设施的整体投资门槛。 联想此次在ISC 2026大会上主动披露这一判断,在业界被解读为一份面向采购决策者和企业客户的前瞻性预算警示:高内存价格并非暂时性冲击,而是需要纳入长期成本规划的结构性变量。

  • 6460亿美元砸向AI“内存墙”:韩国存储双雄的产能狂飙与供应链重塑

    据最新披露,三星集团计划在未来十年豪掷1000万亿韩元(约6460亿美元)用于半导体与AI基础设施,而SK海力士则明确推进赴美上市以融资290亿美元。这一系列巨额资本开支计划将于6月29日由韩国总统主持的国家简报会上正式官宣。 随着新投资计划的正式公布进入倒计时,市场关注的焦点已从单纯的“产能扩张”转向资金的精准投放路径,以及这场产能狂飙能否在长期的供应短缺周期内转化为实质性的利润回报与股东价值。 6460亿美元投资落地与融资路径 此次数千亿美元的投资计划,核心目标直指AI时代的高附加值存储产品与基础设施。 据韩国媒体披露,三星集团拟在未来十年支出1000万亿韩元(约6460亿美元),这将是韩国历史上规模最大的投资计划。韩国总统李在明将于6月29日主持国家简报会正式宣布该计划,总统政策主管 Kim Yong-beom 透露,届时将公布“非常不寻常”的投资数字,重点聚焦半导体、AI数据中心和物理AI。此外,三星高管李在镕预计于7月2日公布位于牙山的数据中心投资计划。 与此同时,SK海力士的融资动作同样激进。为支持其未来五年产能翻倍的战略目标,SK海力士计划赴美上市融资290亿美元。这两大巨头的资本开支扩张,为全球存储市场的产能跃升提供了明确的量级指引。 技术路线分化与产能结构性重塑 在大幅削减NAND闪存产能后,三星与SK海力士正将资源重心全面转向HBM及下一代DRAM产线。在HBM4等下一代技术路线上,两家巨头的战略分化已初步显现,这也决定了巨额资本开支的具体流向。SK海力士选择与台积电合作,采用其12nm制程推进HBM4研发与量产;而三星则坚持垂直整合战略,采用自研的SF4X逻辑节点。 这种技术路线的差异,意味着数千亿美元的资金将大量流入先进制程晶圆厂建设、极紫外(EUV)光刻机采购以及与之配套的先进封装产线扩建中。为提升高带宽内存的良率与产能,针对硅通孔(TSV)刻蚀、热压键合等先进封装技术的产线升级,将占据相当比例的投资份额。 长协机制锁定供需紧平衡红利 天量资本开支的背后,是存储厂商对未来数年供需紧平衡的强烈预期。目前,全球主要存储原厂的HBM与先进DRAM产能已全线爆满,业内普遍预计高端存储芯片的供应短缺状态将持续至2028年前后。 为锁定长期收益并规避周期波动,三星与SK海力士已全面推行长期供应协议(LTA)框架。SK海力士此前已与微软达成数百亿美元的三年期DDR5供应协议,并正与谷歌推进为期五年的通用DRAM长约。这些长约引入了10%至30%的预付款机制,并包含最低价格保障及违约金条款,为巨额资本开支提供了坚实的现金流安全垫。通过结构性调整产能并计划大幅上调DRAM价格,两家企业正试图将存储芯片从强周期大宗商品,转化为具备稳定溢价能力的科技核心零部件。

  • 美光财报给美银的启示:存储超级周期或将持续至2027甚至2030年

    美光科技最新财报及业绩指引,正在重塑市场对全球存储芯片行业周期的判断。美银证券在最新研究报告中指出, 此轮存储超级周期或将延续至2027年,甚至持续到2030年 ,行业格局正在发生结构性转变。 据追风交易台,美银证券从美光财报中提炼出五大关键启示, 涵盖超级周期持续性、长期协议(LTA)普及化、新建晶圆厂的高门槛、2028年前产能扩张受限,以及资本支出大幅提升背景下自由现金流仍显著增长等核心判断 。美光同时披露,HBM4销售额已达10亿美元,并在美国、中国台湾、新加坡及日本多地推进新厂建设及大规模EUV设备采购。 包括三星、SK海力士在内的亚洲主要存储芯片厂商,均认同美光对存储行业的乐观判断,这一共识进一步强化了市场对本轮周期持续性的信心。 超级周期持续性:结构性供需失衡支撑长景气 此轮存储超级周期的持续性远超以往,核心驱动力在于供给端的结构性约束。 报告指出,新建晶圆厂面临高昂建设成本、地方政府监管、电力及水资源供应等多重障碍,短期内难以大规模复制。 即便展望至2028年,有效晶圆产能的扩张依然有限——旧厂升级需占用大量洁净室资源,制造周期拉长,前后端设备尺寸持续增大,先进制程良率爬坡缓慢,加之HBM相对传统DRAM的高换算比率,均对整体可用产能形成压制。 与此同时,需求端持续受益于AI基础设施建设提速,HBM4、HBM4e、SOCAMM、LPDDR5、GDDR7及企业级固态硬盘等高端产品需求强劲,推动2026年下半年及2027年比特出货量增速高于此前预期,但预计仍将维持在同比20%以下的水平。 长期协议重塑定价机制:行业周期性有望趋于平滑 LTA的加速普及是本轮存储行业有别于历史周期的关键变量之一。 美光及其他大型存储厂商正越来越多地与大型科技公司及OEM客户签订长期供货协议,以锁定出货价格。这一模式与台湾晶圆代工行业的成熟运营逻辑高度相似,有望使存储行业的周期波动性显著降低,并在更长时间维度内维持较高盈利水平。 不过,随着LTA占比提升,均价(ASP)大幅上涨的空间将受到压缩。报告预计,2026年第三季度或下半年的ASP走势将趋于温和,与第二季度的强劲表现形成对比。基于此,将2026至2028年全球DRAM及NAND销售预测上调2%至4%,调整主要来自2026年第二季度ASP超预期,部分被后续季度LTA压制的ASP所抵消,同时小幅上调2026年下半年及2027至2028年的出货量预测。 相比之下,台湾南亚科技的DRAM业务仍以传统月度或季度议价模式为主,LTA覆盖率极低,在行业定价机制转型过程中面临相对不利的竞争处境。 市场规模与财务展望:千亿美元级行业加速成形 美光在财报中给出的收入指引,与美银的行业模型高度吻合,进一步夯实了市场对存储行业规模扩张的预期。 美光预计截至2025年8月末季度的收入约为500亿美元,折合年化运营收入约2000亿美元;以美光约20%的市场份额推算,全球存储芯片市场规模有望达到约1万亿美元。行业模型显示,2026年第三季度全球DRAM及NAND销售总额约为2570亿美元,年化规模同样指向1万亿美元量级,与美光指引相互印证。 从需求侧高频数据来看,韩国半导体出口(以存储芯片为主)在6月前20天同比增长188%,延续强劲势头。DRAM现货价格已连续五周上涨,累计涨幅约20%;NAND现货价格则小幅回落约5%,两者走势出现分化。 尽管美光本轮资本支出较正常周期翻倍以上,但自由现金流仍实现显著增长,印证了高端产品结构升级带来的盈利质量提升,也为行业长期景气的可持续性提供了财务层面的支撑。

  • 6月26日,在由上海有色网信息科技股份有限公司(SMM)主办、广西誉升锗业高新技术有限公司冠名的 2026 SMM(第十四届)小金属产业大会——稀散金属产业论坛(铟、镓、锗、铋、硒、碲、铼) 上,朝阳金美镓业有限公司营销总监蒋军对“砷化镓(GaAs)与磷化铟(InP)——第二代化合物半导体衬底的核心材料”进行了分享。 现代科技-算力的基石——镓(Ga)与铟(In) 镓和铟同属元素周期表第ⅢA族,是典型的稀散金属和伴生金属。它们在地壳中丰度极低,无法形成独立矿床,生产完全依赖于主金属(铝和锌)的冶炼过程。 镓(Ga):手可熔化的奇妙金属 ►熔点极低 · 掌中消融:熔点仅为 29.7℃,低于人体正常体温,放在手心即可观察到其融化过程。 ►液态极宽 · 工业宠儿:沸点高达 2403℃,拥有所有金属中最宽的液态温度范围,适合做高温温度计。 ►化学特性 · 两性金属:化学性质活泼且独特,既能与强酸发生反应,也能与强碱发生反应 ►资源分布 · 铝土伴生:全球超过 90% 的原生镓,都是从生产氧化铝的铝土矿冶炼残渣中提取的。 铟(In):比稀土更稀有的金属 ►地壳丰度极低:约0.1ppm,比黄金还要稀少,被称为“比稀土更稀有的金属”。 ►质地极软:非常柔软,甚至能用指甲划出痕迹,物理延展性极佳。 ►主要来源:超过90%的原生铟,来自于冶炼锌的闪锌矿副产品回收。 ►传统应用:制造ITO靶材,广泛应用于液晶显示器(LCD)和各类触摸屏、焊料等。某些交易平台有铟品种,可以投资。 ►新兴应用:制造InP半导体,是高速光通信与AI数据中心的核心材料。 其对GaAs和InP的“母体”——镓和铟的战略地位,主要半导体材料及参数等进行了介绍。 第二代III-V族化合物半导体 ►砷化镓 (GaAs) 定义:由镓(Ga)与砷(As)构成的直接带隙半导体材料,兼具优异的光电与高频特性。 核心优势:电子迁移率高(约为硅的5-6倍),适合高频器件;直接带隙结构,发光效率极高,抗辐射/耐高温。 主要类型:半绝缘型(核心射频器件)、导电型(光电子/光伏应用)。 ►磷化铟 (InP) 定义:由铟(In)与磷(P)构成的直接带隙半导体材料,性能优于GaAs的高端化合物半导体。 核心优势:电子迁移率极高(硅的10倍,GaAs的2倍),饱和速度快;带隙完美匹配光纤通信低损耗窗口 (1.3-1.6μm)。 核心应用场景:5G/6G超高频器件、长距离光纤通信、光电集成芯片,800G及1.6T,以及未来3.2T光模块。 核心性能参数对比 关键技术与制造工艺 其从晶体生长、外延生长以及关键制程等进行了介绍。 晶体生长工艺 (以砷化镓举例) ►液封直拉法(Liquid Encapsulated Czochralski,简称LEC) LEC法采用石墨加热器和PBN坩埚,以氧化硼作为液封剂,在2MPa的氩气环境下进行砷化镓晶体生长。 LEC工艺的主要优点:可靠性高,容易生长较长的大直径单晶,晶体碳含量可控,晶体的半绝缘特性好。 主要缺点:化学剂量比较难控制、热场的温度梯度大(100~150 K/cm)、晶体的位错密度高达104以上且分布不均匀。 ►水平布里其曼法(Horizontal Bridgman,简称HB) HB法是曾经是大量生产半导体(低阻)砷化镓单晶(SC GaAs)的主要工艺,使用石英舟和石英管在常压下生长,可靠性和稳定性高。 HB法的优点:可利用砷蒸汽精确控制晶体的化学剂量比,温度梯度小从而达到降低位错的目的。HB砷化镓单晶的位错密度比LEC砷化镓单晶的位错密度低一个数量级以上。主要缺点:难以生长非掺杂的半绝缘砷化镓单晶,所生长的晶体界面为D形,在加工成晶体过程中将造成较大的材料浪费。同时,由于高温下石英舟的承重力所限,难以生长大直径的晶体。 ►垂直布里奇曼法(Vertical Bridgman , 简称VB) VB法是上世纪80年代末开始发展起来的一种晶体生长工艺,将合成好的砷化镓多晶、氧化硼以及籽晶装入PBN坩埚并密封在抽真空的石英瓶中,炉体垂直放置,采用电阻丝加热,石英瓶垂直放入炉体中间。高温下将砷化镓多晶熔化后与籽晶进行熔接,然后通过机械传动机构由支撑杆带动石英瓶与坩埚向下移动,在一定温度梯度下,单晶从籽晶端开始缓慢向上生长。 VB法的优点:生长的晶体质量较好,能生长出低位错密度的单晶,可用于生长大尺寸的晶片,已扩展至 英寸圆片制造,甚至在 6 英寸圆片方面取得的结果也较为乐观。 缺点:生长速度很慢,对于一些饱和蒸汽压很高的晶体,难以用此种方法来完成,设备要求相对较高。 ►垂直梯度凝固法(Vertical Gradient Freeze ,简称VGF) VGF工艺与VB工艺的原理和应用领域基本类似。其中最大区别在于VGF法取消了晶体下降走车机构和旋转机构,由计算机精确控制热场进行缓慢降温,生长界面由熔体下端逐渐向上移动,完成晶体生长。 VGF工艺优点:这种工艺由于取消了机械传动机构,使晶体生长界面更加稳定,适合生长超低位错的砷化镓单晶。 缺点:VB与VGF工艺的缺点是晶体生长过程中无法观察与判断晶体的生长情况,同时晶体的生长周期较长。 其还对镓是两用物项出口管制物资包括技术及资料;镓是第8类腐蚀性危险化学品等内容进行了介绍。 外延生长和关键制程工艺 MOCVD设备:金属有机化学气相沉积,是量产外延片的核心设备,通过精确控制温度与反应气体,实现薄膜的高质量生长。 晶圆抛光 (CMP):化学机械抛光,结合化学腐蚀与机械研磨,实现晶圆表面的原子级平坦化,是多层布线工艺的基础保障。 光刻工艺:利用光刻机与光刻胶的感光特性,将掩膜版上复杂的电路图案精确转移到晶圆表面,是芯片制造的核心步骤。 磷化铟芯片工艺流程 技术总结:磷化铟(InP) 制造流程具有极高的复杂性。通过这六大核心步骤的循环与配合,最终将微小的晶圆转化为具备高效光电性能的通信核心器件。 全球市场规模与增长 (2026-2030E) 其对砷化镓 (GaAs)和磷化铟 (InP)的市场规模和增长进行了阐述:GaAs市场相对成熟,预计以8-10%的年复合增长率稳定增长,主要驱动力来自5G射频和消费电子中的VCSEL。而InP市场虽然当前规模较小,但增长势头极其迅猛,预计未来几年的复合增长率高达27%。这背后的核心驱动力,正是AI大模型带来的对高速光模块的爆发式需求,以及激光雷达等新兴应用的兴起。 其结合GaAs射频功率放大器市场销售额以及全球磷化铟晶片销量及市场的数据等进行了分享。 全球竞争格局:高度垄断 全球衬底市场由日、美、德企业形成高度寡头垄断格局;国内厂商正加速国产化替代进程,奋力追赶国际领先水平。 下游应用:砷化镓 (GaAs) 射频器件 (RF):GaAs 最成熟的应用领域,核心用于5G手机功率放大器(PA)、基站建设,以及雷达和卫星通信系统中。 VCSEL垂直腔面发射激光器:广泛应用于数据中心的短距离光通信传输,同时也是智能手机3D结构光传感(人脸识别)的核心光源。 LED 发光器件:利用GaAs材料的光电特性,可制造红、橙、黄可见光LED及红外LED,是显示屏幕与光电传感的关键组件。 下游应用:磷化铟 (InP) 光通信(核心):800G/1.6T光模块核心材料 支撑AI数据中心与骨干网建设。 激光雷达 (LiDAR):1550nm长距人眼安全方案 自动驾驶感知层的核心技术。 射频与毫米波:5G/6G毫米波功率放大器 未来超高频通信的关键潜力材料。 发展趋势与挑战 ►核心发展趋势 •技术演进:大尺寸与集成化 晶圆向大尺寸升级 (GaAs 6→8英寸/InP 4→6英寸);推进与硅基光子的异质集成及薄膜化工艺。 •市场格局:爆发与稳健并行 InP在AI算力驱动下需求爆发;GaAs依托5G/6G射频保持稳健;国产替代进程全面加速。 •产业链:上下游深度协同 上游高纯金属供应趋紧;中游头部厂商加速扩产;下游应用端与通信、算力需求深度绑定。 ►面临的核心挑战 •生产成本居高不下 外延材料稀缺、制造工艺复杂,且量产良率较低,导致整体成本高昂。 •大尺寸量产技术瓶颈 化合物半导体的大尺寸晶圆制造难度远高于硅基,良率控制是规模化量产的核心难题。 •国际专利与技术壁垒 核心专利与关键技术长期被日、美、欧等国际大厂垄断,国产替代面临技术封锁风险。 •关键原材料供应链风险 关键原材料(如镓、锗)面临出口管制,供应链安全与稳定性面临严峻考验。 总结与展望 GaAs 砷化镓:第二代半导体中最成熟、应用最广的材料,市场保持稳健增长态势。 InP 磷化铟:高速光通信核心材料,是AI算力时代最具市场爆发力的关键半导体材料。 产业共性与基石:均为5G/6G、光通信、光子传感的核心基石,全球市场呈现高度集中化特征。 短期展望 (1-2年):GaAs 市场在存量应用下保持稳中有升。InP 将因AI数据中心建设需求持续高景气。 中长期展望 (3-5年):产业链的国产化突破与大尺寸量产技术的成熟,将是决定企业竞争胜负的关键。 核心战略地位:作为光电芯片核心材料,是支撑数字经济与算力网络发展的底层物理基础。 最后,其对金美镓业有限公司进行了介绍。 》点击查看2026 SMM(第十四届)小金属产业大会专题报道

  • 看好CPU火爆持续!瑞银上调AMD、ARM目标价 美银看多台积电、日月光

    随着AI产业从训练阶段迈向推理和Agentic AI时代,曾被GPU光芒掩盖的CPU正在重新成为市场焦点。 瑞银最新报告指出,Agentic AI将推动服务器CPU需求显著超越传统周期。在此趋势下, AMD凭借强劲的产品竞争力持续扩大服务器市场份额,而ARM架构则因能效优势获得云厂商和AI基础设施厂商青睐 。与此同时,美银最新报告认为CPU需求扩张将带动先进制程和先进封装需求同步增长,从而利好台积电、日月光等制造环节龙头。 两家机构判断的共同基础在于,AI基础设施正在从单纯追求算力规模,转向构建更完整的计算系统。GPU仍负责核心训练和推理任务, 但CPU在数据管理、Agent执行、多模型协同以及系统调度中的作用正变得愈发关键。 美银预计,到2030年全球服务器CPU市场规模将增长至1700亿美元以上。 随着AMD和ARM持续扩大市场份额,更多高端CPU订单将流向台积电等先进制程供应商,而Chiplet架构普及和复杂度提升也有望推动日月光等先进封装厂商受益。 Agentic AI崛起,CPU重新成为核心 过去几年AI基础设施建设主要围绕GPU展开,CPU更多承担数据调度、存储管理和任务协调等辅助角色。 随着AI应用逐渐从训练转向推理,并进一步向Agentic AI演进,CPU的重要性正在快速提升。 在Agentic AI场景下,模型需要规划任务、调用工具、访问数据库、管理状态以及执行复杂工作流。这类工作并非完全依赖矩阵计算,而是包含大量顺序执行、低延迟和高I/O需求任务,更适合CPU处理。 CPU正在从传统“宿主处理器”升级为AI系统的“控制中枢”。如果CPU无法及时完成数据调度、内存管理和任务协调,即便GPU性能再强,也可能出现利用率下降的问题。 基于这一趋势,预计全球服务器CPU市场将进入新一轮增长周期,到2030年市场规模将超过1700亿美元,较2025年的约350亿美元增长近5倍。 独立AI服务器市场指向x86,AMD占得先机 在CPU需求爆发背景下,瑞银进一步看好AMD的长期成长空间。 该机构认为, 独立Agentic AI服务器正在快速兴起,而这类应用更重视核心数量和多线程性能,恰恰是AMD的优势所在 。瑞银最新测算显示,在独立AI服务器市场中,未来x86架构和ARM架构市场份额将分别达到60%和40%, AMD有望获得绝大部分x86增量需求 。 基于更高市场份额预期,瑞银将AMD 2027年服务器CPU收入预测从210亿美元上调至230亿美元,2028年预测从270亿美元上调至290亿美元,并预计2030年服务器CPU收入有望达到500亿美元,高于此前预测的410亿美元。 对应地,瑞银将AMD目标价从455美元大幅上调至670美元。 剑指70%头部节点份额,ARM生态加速扩张 除AMD外,ARM也是瑞银重点看好的方向。 报告指出,AI基础设施未来将逐渐形成两类CPU架构:一类是连接GPU的Head Node CPU,强调低延迟和高能效;另一类是独立Agentic AI服务器,更强调核心数量和吞吐能力。 瑞银认为,在前者市场中,ARM架构优势明显。NVIDIA Grace、Vera,以及Google Axion、AWS Graviton等产品都在快速扩张。该机构预计, 到2030年ARM架构有望占据约70%的Head Node CPU市场,并获得接近50%的整体服务器CPU收入份额。 基于对AI CPU前景的乐观判断,瑞银将ARM目标价从260美元上调至470美元。 台积电和日月光迎来新一轮扩产周期 CPU需求激增正成为继GPU之后半导体产业的新增长极。美银指出, 这一趋势不仅利好芯片设计企业,更将直接传导至制造与封测环节。 据美银测算,全球服务器CPU相关半导体制造市场规模有望从2025年的150亿美元扩张至2028年的490亿美元。其中,外包生产占比将从52%提升至71%,反映出以台积电为代表的纯晶圆代工厂在高端CPU领域的核心地位持续强化。 先进制程产能的稀缺性,叠加多客户、多架构并行放量,使代工环节成为本轮景气上行中最确定的受益节点。 与此同时,AI CPU对Chiplet异构集成、CoWoS先进封装及系统级测试的需求持续走高,正带动后端封测市场快速扩张。 美银预计,服务器CPU相关封装测试市场规模将从2025年的19亿美元增至2028年的96亿美元,占先进封装市场比重由11%提升至24%。 封装价值链的升级,不仅提升了单颗芯片的封装价值量,也延长了测试等后道工序的作业时间,为封测龙头带来量价齐升的机会。 基于上述供需格局判断, 美银同步上调了台积电与日月光等供应链龙头的估值预期,认为先进制程与先进封装仍是产业链中最具壁垒的环节 。在Agentic AI驱动的新一轮计算架构变革中,CPU与GPU并行演进的趋势日趋明确,而具备技术领先优势和规模效应的代工及封测厂商,有望在此轮周期中持续受益于客户多元化和单芯片价值提升的双重红利。

  • 财报炸裂 华尔街密集上调美光目标价!

    美光科技交出本财年迄今最强季报,营收、盈利与毛利率三大核心指标全面大幅超出市场预期,并给出显著高于共识的下季度指引,推动存储行业景气度预期进一步上修。 财报公布后, 华尔街机构随即掀起密集上调目标价潮 。美银证券将目标价从1500美元上调至1550美元,维持“买入”评级;投行Baird将目标价由500美元大幅上调至1280美元;金融机构DA Davidson亦上调至2000美元(华尔街最高目标价),维持“买入”评级;高盛也将目标价从900美元上调至1100美元,维持“中性”评级。 高盛方面进一步指出,在DRAM与NAND价格持续上涨背景下,本季财报验证存储行业仍处加速上行周期。市场后续关注焦点将集中于管理层对16项战略客户协议进展、FY2027资本开支规划,以及传统存储需求结构变化的进一步指引。 业绩全面超预期,NAND表现最为突出 截至2026年5月的第三财季,美光三大核心指标全面显著优于市场预期。 公司实现营收414.56亿美元,同比大幅增长,较华尔街一致预期高出约14%。分业务看,DRAM营收313.28亿美元,整体高于市场预期约11%; NAND营收99.43亿美元,较预期高出约27.9%,成为本季最大超预期来源。 价格与出货双轮驱动下,DA Davidson指出,NAND比特出货量环比中个位数增长,而平均售价环比涨幅进入“低80%区间”;DRAM平均售价环比涨幅同样达到“低60%区间”,显示存储价格上行趋势显著强化。 盈利端同样大幅超预期。非GAAP每股收益25.11美元,较市场预期高出约19%;毛利率达84.9%,较共识水平高出约240个基点。花旗援引FactSet数据指出(含股权激励口径), 营收、毛利率与EPS同样全面显著领先市场一致预期 。 下季度指引再度上修,需求与定价同步走强 美光对第四财季给出的指引进一步强化行业上行趋势。 公司预计营收区间490亿至510亿美元,中值500亿美元,较市场共识高出约14%,对应环比增长约20%。毛利率指引升至86%,继续高于市场预期约100个基点以上。非GAAP EPS指引30至32美元,中值31美元,同样显著高于市场一致预期约两成。 花旗数据显示,该指引明显高于其自身预估(营收420亿美元、毛利率82%、EPS 24.27美元),也显著领先FactSet一致预期。 高盛指出,更关键的是,本次指引未显示超预期幅度收敛,意味着存储价格上行周期仍在延续。 战略客户协议锁定长期需求,资本开支同步加速 需求侧,美光本季度与数据中心、消费电子及汽车领域客户签署16项战略长期协议,平均期限约五年,覆盖约20%的DRAM出货量及三分之一的NAND出货量。 其中多数协议采用“照付不议”(take-or-pay)结构,在现行市场价格基础上设置价格上下限机制。公司披露,相关协议最低价格条款合计对应约1000亿美元潜在收入,并预计将获得约220亿美元现金预付款,用于支持供应链扩张。 与此同时, 公司预计第四财季资本开支将达到100亿美元,用于新增产能建设,并强调存储供需偏紧格局至少将延续至2027年。

  • Cerebras两日一度暴跌30%!AI芯片“高预期”反噬 业绩指引难填估值鸿沟

    Cerebras业绩指引不及预期,股价两日暴跌超25%。 人工智能芯片公司Cerebras Systems股价周四继续大幅下挫,盘中一度下跌12%,跌至自5月上市以来的最低水平,最终收跌7.6%。 此前一个交易日,Cerebras股价首次跌破首次公开募股(IPO)发行价,当天更创下20%的单日最大跌幅纪录。 公司预计二季度核心毛利率将从一季度的46.5%大幅收窄至36%-38%,全年核心经营利润率区间为负28%至负32%,投资者对该公司公布的全年前景感到失望,引发抛售。 此次连续下跌使公司股价较上市首日创下的311美元历史最高收盘价累计回落近50%,市值已蒸发近300亿美元。Cerebras今年上市时曾是2026年以来规模最大的IPO,后被SpaceX超越。 总部位于加州桑尼维尔(Sunnyvale)的Cerebras,主要设计人工智能芯片并运营AI数据中心,旨在与英伟达展开竞争。随着AI热潮持续升温,投资者对公司寄予厚望,也习惯了这一行业频繁交出“超预期”的业绩答卷。 虽然Cerebras预计,2026财年营收将在8.55亿至8.65亿美元之间,高于分析师普遍预期的约8.25亿美元,但市场原本期待公司能够在快速增长的AI数据中心市场中抢占更大的市场份额,因此这一业绩展望仍未能满足投资者的高预期。 Cerebras于周二盘后发布财报,而此前整个芯片板块已因市场担忧未来需求放缓,在经历快速上涨后出现广泛抛售。 周四,美股半导体板块走势剧烈震荡。美光发布强劲财报一度提振市场情绪;但随后,DeepSeek宣布将在所有部门大幅扩招,引发美股再度波动。

微信二维码今日有色
微信二维码

微信扫一扫关注

下载app掌上有色
掌上有色

掌上有色下载

返回顶部返回顶部
publicize