台积电下一代先进封装技术CoPoS的量产时间表与技术细节正逐步清晰。 知名分析师郭明錤最新研究指出，台积电CoPoS预计于2028年下半年进入量产阶段，目标是改善超大尺寸AI芯片封装的量产经济性，适用范围针对掩模尺寸超过9.5倍以上的封装需求。郭明錤同时点名，英伟达最新一代AI芯片Feynman有望成为CoPoS的首批采用者。 量产节点明确，英伟达Feynman或为首发 根据郭明錤的研究，CoPoS的量产节点定于2028年下半年，核心驱动力在于提升超大型AI芯片封装的量产经济性。当前AI算力芯片的封装尺寸持续扩大，突破单一掩模限制的超大封装方案对良率和成本的管控提出了更高要求，CoPoS正是针对这一痛点而设计。 在潜在客户层面，郭明錤指出英伟达Feynman芯片是CoPoS的可能首批用户。Feynman为英伟达规划中的下一代AI芯片，若时间节点吻合，将与CoPoS 2028年下半年的量产窗口形成对接。 玻璃基板结构解析：三层架构，与ABF共存 郭明錤在报告中详细描述了CoPoS中玻璃核心基板的结构。该基板以玻璃为核心层，上下两侧分别覆盖ABF增层（ABF-GCP），形成三层架构。玻璃的加工环节涉及TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）制作、铜填充及金属化等关键工艺，技术难度较高。 在材料规格方面，CoPoS在两处使用玻璃：一是尺寸为310×310毫米的临时玻璃载板；二是用于测试的250×250毫米玻璃面板，以及用于量产的510×515毫米玻璃面板，后者经加工后切割为玻璃核心基板。 澄清三大误读：玻璃不是中介层，不取代ABF 郭明錤专门就业界流传的三种技术误解作出纠正。 误解一：CoPoS使用玻璃中介层（glass interposer）。 郭明錤指出，玻璃在CoPoS中并非中介层，互连功能由芯片侧的RDL（再分布层）以及玻璃核心基板侧的TGV和ABF增层分别承担，两者共同完成互连，而非由玻璃中介层统一实现。 误解二：玻璃取代ABF。 郭明錤明确，玻璃与ABF在CoPoS的基板堆叠中共存，并非替代关系，上述三层架构即为佐证。 误解三：芯片直接置于玻璃上。 郭明錤澄清，芯片实际上是附着在玻璃核心基板的ABF增层表面，而非直接接触玻璃。 郭明錤认为，CoPoS将持续巩固台积电在先进封装领域的竞争优势，这一优势预计可维持至2032年前后，为台积电在AI芯片封装市场的长期地位提供支撑。

人工智能建设热潮正从科技行业向更广泛的经济领域蔓延，并以一种出人意料的方式推高美国通胀压力。 美国5月整体通胀率重返4%以上，为2023年春季以来首次。 除油价飙升外，AI驱动的内存芯片需求激增正成为不可忽视的推手——软件及电脑配件价格同比上涨14.5%，创下历史纪录。 Wolfe Research首席经济学家Stephanie Roth表示：“AI热潮正在以显著方式推高整体通胀压力，去通胀的生产率红利仍遥遥无期。” 内存芯片是这一轮涨价的典型缩影。 随着AI数据中心大规模建设，对RAM芯片的需求急剧攀升，价格在六个月内从100美元飙升至300美元，涨幅高达200%。 由于内存芯片广泛嵌入手机、电脑、汽车等各类消费品，价格压力正从数据中心向普通消费者传导。 这一局面令美联储新任主席沃什陷入两难。沃什此前曾主张AI终将提升生产率、缓解价格压力。但Apollo Global Management首席经济学家Torsten Slok指出，AI热潮短期内“肯定具有通胀效应”，并将成为阻碍沃什快速降息的关键因素。 内存芯片价格暴涨，冲击蔓延至消费者 AI数据中心建设热潮对内存芯片的需求激增，是本轮价格冲击的核心驱动力。 在美国巴尔的摩经营IT服务公司“Cheaper Than a Geek”的Chris Barber从事计算机行业已逾25年。他表示，六个月前售价100美元的RAM芯片如今已涨至“离谱”的300美元，涨幅高达200%。“零部件价格完全失控，这是我见过的最严重的一次涨价。” 彭博经济研究对RAM价格走势的分析显示，同比平均涨幅高达237%， 预计此轮冲击将于明年2月前后达到峰值，并持续推高核心通胀至2027年。 由于内存芯片嵌入手机、电脑、汽车等各类消费品，价格压力正从专业采购端向终端消费者传导。 Oxford Economics的Michael Pearce表示：“我们认为这将是今年维持核心通胀高位的重要因素。”他同时指出，尚不明朗的是，“这究竟是另一次暂时性冲击，还是内存价格的新一轮超级周期”——芯片周期历来波动剧烈，一旦供给调整到位，价格可能迅速回落。 数据中心建设推高用工需求，工资与通胀同步升温 内存芯片之外，AI数据中心建设热潮还通过劳动力市场和能源需求两条渠道向通胀传导 。数据中心的大规模建设吸纳了大量建筑工人、电工及暖通空调技术人员，在部分行业和地区形成明显的工资上行压力。 俄克拉荷马州塔尔萨市McElroy Manufacturing Inc.总裁Chip McElroy表示，公司业务蓬勃发展，AI建设热潮贡献了约一半的增长。员工人数已创历史新高，超过600人，但焊工、机械师、装配技术员等岗位仍有多达60个空缺。“我们所需劳动力的市场确实非常火热，起薪比一年前明显上涨。” 与此同时， 数据中心对电力的巨大需求也在推高电价。 美联储理事Lisa Cook及圣路易斯联储行长Alberto Musalem近期均公开指出，AI热潮正通过芯片和电力等多个渠道推升价格水平。 通胀高企加剧政策压力，降息路径面临制约 持续的通胀压力正在多个层面形成连锁反应。对于仍未从疫情后通胀冲击中完全复原的美国家庭而言，新一轮价格上涨进一步侵蚀实际购买力。 货币政策层面，Slok明确指出， 半导体价格、能源价格及劳动力成本的同步上行，将制约美联储的降息空间 。沃什此前曾暗示具备较快降息的条件，但当前的通胀图景正使这一预期面临挑战。 Barber对价格何时见顶并不乐观。“我看不到任何见顶的迹象，”他说，“这些情况有点令人担忧。”

AI芯片供应链格局正在悄然重构。谷歌正与三星就下一代张量处理单元（TPU）部分组件的代工生产展开洽谈，成为芯片企业在台积电产能持续告急背景下加速寻求供应多元化的最新案例。 据科技媒体The Information，两位直接知情人士透露称，谷歌正与三星商议，由后者以2纳米制程生产代号"Icefish"的第十代TPU中的内存输入输出（I/O）芯片——这一独立硅片负责连接主处理器与内存，对AI芯片持续高效运转至关重要。谷歌与三星均拒绝置评。 按照目前规划，该芯片的核心计算引擎仍将交由台积电以1.4纳米工艺生产，由台积电承接制程要求最为严苛的部分。值得关注的是，谷歌历来将TPU全部委托台积电制造，但随着英伟达AI芯片订单激增，台积电先进产能已大幅承压，促使谷歌转而物色补充制造资源。 若合作落地，三星将在全球最受关注的半导体赛道之一获得实战检验的机会，同时也将进一步强化韩国在AI芯片供应链中日益凸显的战略地位。 双轨生产：台积电主导，三星补位 内存I/O芯片在AI处理器架构中扮演关键角色。AI芯片需要持续不断的数据流以维持计算核心满负荷运转，该芯片正是主处理器与内存之间的高速通道。谷歌的安排，是让台积电负责最先进的1.4纳米计算引擎制造，而将这一相对独立但同样关键的组件交予三星以2纳米工艺生产。 在芯片制造领域，制程节点数字越小，通常代表更新一代的制造技术，意味着更高的晶体管密度及更优的性能或能效，尽管这一数字已不再是晶体管尺寸的字面量度。 谷歌此举的背景，不仅在于台积电产能的结构性短缺，还在于其芯片业务的外延扩张——随着TPU开始吸引更多外部客户，谷歌对量产能力的需求随之上升。据科技媒体The Information周一报道，产能紧张已促使多家芯片设计商开始寻求台积电之外的先进封装资源，而先进封装技术负责将计算芯片与高带宽内存整合于AI处理器之中。 Icefish目前仍处于设计阶段，谷歌正与联发科合作推进——谷歌去年引入联发科参与部分AI芯片设计，此前多数TPU的设计合作方为Broadcom。据知情人士透露，该芯片最早可能于2028年进入量产，但计划仍存在调整空间。 三星：代工突围的关键一役 对三星而言，谷歌订单具有重要的战略意义。三星于2005年起步布局代工业务，并于2017年成立独立晶圆代工事业部，但在先进制程领域缩小与台积电差距的努力始终进展迟缓，客户对成本、生产稳定性及产能爬坡能力的高要求令其持续承压。 近期，三星在争取高端AI芯片订单方面已陆续取得进展。电动汽车制造商特斯拉去年委托三星生产下一代AI6芯片；英伟达即将推出的Vera Rubin平台中，三星也承接了旨在提升推理性能与效率的语言处理单元（LPU）生产。谷歌的Icefish项目若能推进，将进一步为三星先进制程代工能力提供市场背书，也将在行业最受瞩目的领域对其2纳米工艺进行全面压测。 韩国半导体：AI供应链的战略新支点 AI芯片供应链从加速器到内存芯片的全面紧缺，正推动整个行业将目光转向韩国。作为全球三大存储芯片厂商中两家的所在地，韩国通过三星和SK海力士对关键内存组件的供应与成本拥有举足轻重的话语权。 这一趋势在本周得到进一步印证。英伟达首席执行官 Jensen Huang 于周一结束为期五天的韩国访问行程，这是他七个月内的第二次赴韩。访问期间，英伟达宣布与SK海力士达成"多年期技术合作"协议，并与多家韩国企业签署合作协议。 随着头部科技企业加快布局多元供应商战略，韩国半导体产业在全球AI基础设施竞赛中的角色正变得愈发不可或缺。 更新中.......

台积电正面临先进制程产能持续吃紧的局面，供应链消息显示其下半年代工价格或将上调，3纳米制程涨幅预计达15%。 据媒体报道，供应链消息人士透露， 台积电计划在下半年对先进制程代工价格进行适度调整，以因应上游成本上涨压力，其中需求最为紧俏的3纳米制程涨幅预计约为15%。 台积电首席财务官黄仁昭（Wendell Huang）6月9日接受媒体采访时表示，通货膨胀确实推高了公司运营成本，不排除未来调整价格，但 明确否认会出现"四五倍"式的暴涨。 与此同时，台积电5月合并营收达4169.75亿元新台币，年增30.1%，连续三个月站稳4000亿元关口并再创单月新高，显示AI芯片及高效能运算需求仍供不应求。法人认为，第二季营运挑战财测高标的概率大幅提升，AI驱动的结构性成长动能有望延续至下半年。 管理层明确释出涨价信号 台积电管理层近期就价格问题的表态愈发清晰。董事长兼首席执行官魏哲家（CC Wei）在股东大会上表示，他"希望"能够提价，理由是竞争对手已率先行动，这是台积电管理层迄今最为明确的涨价表态。 CFO黄仁昭随后进一步确认，通胀压力已实质推高公司运营成本，未来价格调整并非没有可能，但同时强调不会出现大幅暴涨。 市场人士解读，从魏哲家到黄仁昭的近期表态均指向同一方向：台积电正在为涨价铺垫，且此举有充分的需求基本面支撑。 5月营收再创新高，二季度有望超越财测高标 台积电5月单月合并营收4169.75亿元新台币，年增30.1%，为连续第三个月维持在4000亿元以上。 累计前五个月合并营收达1.96兆元新台币，年增30%，距2兆元大关仅一步之遥。 按台积电第二季财测，美元合并营收区间为390亿至402亿美元，中位数396亿美元，对应季增约10%、年增约32%。 法人分析，4月与5月合计营收已达8277亿元新台币，只要6月维持高位，第二季新台币营收有望达成财测高标，甚至续创单季新高。 产能扩张仍追不上需求增速 尽管台积电持续提升晶圆产能，第二季月产能预计将达16万至17.5万片水准，但芯片业者指出， 客户排队状况并未明显缓解，AI需求的成长速度仍远超市场预期。 供应链消息人士表示，先进制程涨价对台积电大客户而言反而是利好消息——更高的价格门槛将进一步抬升AI芯片的市场准入壁垒，有助于头部客户锁定更多产能、抢占市场先机。 AI需求从数据中心向多元场景扩散 法人分析，AI运算需求正由数据中心向主权AI、企业AI及边缘AI应用扩散，带动先进制程与先进封装需求同步升温。 台积电不仅掌握3纳米、5纳米等关键先进制程产能，还凭借CoWoS、SoIC等先进封装技术，成为全球AI算力竞赛中的核心制造平台。 魏哲家在股东大会上强调，AI需求仍相当强劲，台积电将努力避免成为半导体供应链的瓶颈。随主要客户新平台陆续进入量产放量期，台积电下半年营运动能仍具高度支撑，此轮AI驱动的成长被市场普遍视为结构性而非短线拉货。

随着英伟达下一代AI加速器Vera Rubin进入放量阶段，全球存储市场正面临一场持续深化的供应危机。供应链消息人士透露， 主要云服务商已锁定2027年全部长期协议产能，并提前布局2028年供货，存储短缺压力预计将从2026年下半年起持续加剧。 据Digitimes Asia周三援引供应链消息人士，云服务商（CSP）龙头企业已将2027年可用长期协议（LTA）产能悉数预订，目前正积极推进2028年供应谈判。 与此同时，多家存储模组厂商近期收到原始设备制造商（OEM）通知，被告知无法在此前承诺供货量之外提供任何额外供应，上游产能已被大规模转向英伟达相关AI服务器及CSP需求。 这一供应格局正在向整个产业链传导。DRAM与NAND市场的短缺预计将于2026年下半年起进一步扩大，行业普遍预期2027年的短缺程度将超过2026年。对于投资者而言，存储价格有望在未来两至三年内维持强势，存储厂商的合同价格上涨空间仍被市场广泛看好。 云大厂抢锁产能，2027年长协已告罄 据供应链消息人士，随着英伟达Vera Rubin定于2026年下半年开始出货、HBM4进入量产阶段，各大云服务商正持续加码AI数据中心扩建投资，对存储产能的争夺已进入白热化阶段。 上游产能已被大规模导向英伟达AI服务器及CSP需求，2027年几乎全部产能均已承诺给CSP客户。 多家存储模组厂商近期收到OEM通知，被明确告知无法在此前承诺量之外提供额外供货，市场可用余量极为有限。 与此同时，供应链消息人士指出，苹果公司已持续锁定第三季度存储产能用于新品发布，其他品牌客户则在供应紧张的压力下被迫提前推进生产计划，进一步压缩了市场上的可用产能空间。 2028年供应谈判提前启动，价格预期持续强势 在锁定2027年产能之后，CSP龙头企业已提前启动2028年LTA供应谈判。据行业消息人士，上游供应商此前不愿在2026年5月前释放2028年产能，但近期已开始接受讨论2028年第一季度订单，部分HBM及服务器产能已完成初步分配。 行业消息人士指出，LTA结构因供应商而异，仅少数要求预付定金，多数模式为客户先承诺预期采购量，供应商据此调整扩产时间表，最终售价仍在实际出货前才予以确认。这一安排表明， 存储厂商对未来两至三年合同价格的上涨空间保持充分信心。 此前曾有传言称CSP企业有意资助存储厂商建设专属产线并补贴设备采购，但行业内部人士表示，上游供应商目前盈利能力已相当强劲，新晶圆厂及设备预算均已自主规划，无需依附单一客户建线。尽管如此，CSP仍在积极争取长期存储合同，以规避2025年至2026年下半年供应紧缺局面的重演。 产能挤占效应蔓延，AI服务器配置出现降级 供应链消息人士指出， 服务器内存与标准内存在设计架构上高度相似，与嵌入式内存不同，因此供应商的产能分配主要挤压的是标准内存与PC内存——两者合计约占整体DRAM市场的60%至70%。 受此影响，PC内存在DRAM总量中的占比已从此前的11%至12%降至约9%。 部分存储模组厂商亦采用预付款模式，提前以较低的约定价格向供应商付款，待原厂按市场价出货时再补足差额。这一做法虽增加了短期资金压力，但有助于提前锁定关键产能。 在需求端，高价格与供应紧张正推动AI服务器出现配置降级迹象。据行业消息人士，128GB此前为主流规格，但部分客户已转向64GB或96GB配置以控制成本。尽管这一变化对整体存储用量影响有限，但凸显出存储成本高企正在拖慢AI服务器的升级节奏。 英伟达CEO确认三大存储厂商全面支持Vera Rubin 英伟达CEO黄仁勋近期公开确认，SK海力士、三星电子及美光科技均已完成HBM4认证，已启动生产并全面支持Vera Rubin平台。 针对外界有关存储用量将大幅削减的传言，黄仁勋表示，未来系统仍将大量使用高速存储，但短缺问题需要在各系统间理性统筹管理，并进一步扩大供应。 存储厂商目前面临的挑战在于，需在支持Vera Rubin大规模出货的同时，兼顾终端设备及边缘AI不断攀升的需求。 行业共识正日益向"2027年短缺将比2026年更为严峻"这一判断收拢，存储供应紧张的周期有望延续至2028年。

韩国出口势头强劲，6月上旬数据刷新历史纪录，半导体需求爆发式增长成为最核心驱动力。 据韩国关税厅6月11日发布的数据， 6月1日至10日，韩国出口总额达286.35亿美元，同比增长85.9%，创下任意月份前10天出口额的历史最高纪录 ，超越今年4月创下的252亿美元前高。与此同时，贸易顺差录得52.82亿美元，进出口双双扩张。 半导体是本轮出口得以爆发的绝对主角。 同期半导体出口额达110.68亿美元， 同比激增205.8%，占总出口比重升至38.7%，较去年同期提升15.1个百分点 ，单项出口额亦创同期历史新高。 半导体领涨，多品类出口全面开花 半导体之外，多个出口品类同样录得强劲增长。 计算机周边设备出口同比大涨259.4%，增速居各品类之首；石油产品出口增长68.7%；船舶出口增长52.0%。 上述数据显示，本轮出口扩张并非单一品类驱动，而是呈现出较为广泛的结构性增长态势。 半导体出口占总出口比重接近四成，凸显韩国出口结构对芯片产业的高度依赖。 在全球人工智能基础设施投资持续扩张的背景下，高带宽存储芯片等高端半导体需求旺盛，为韩国相关企业提供了有力支撑。 从出口目的地来看， 韩国对主要贸易伙伴的出口均实现同比增长。 其中，对中国出口增长101.4%，对越南出口增长102.9%，对美国出口增长54.4%，对欧盟出口增长46.0%。中国、美国、越南三大目的地合计出口份额达47.3%。 值得关注的是， 对中国出口实现翻倍增长，在一定程度上反映出中国市场对韩国半导体及中间品需求的回升。 对美出口增幅亦超过五成，显示出在贸易政策不确定性背景下，韩国对美出口仍保持较强韧性。 进口同步扩张，半导体设备采购提速 6月前10天，韩国进口总额为233.52亿美元，同比增长35.6%。 其中，半导体进口增长71.3%，半导体制造设备进口增长52.2%，原油进口增长42.9%，机械进口增长21.2%。包括原油、天然气和煤炭在内的能源进口整体增长39.9%。 半导体及相关制造设备进口的大幅攀升，表明韩国芯片企业正在加快扩产投资步伐，这与全球半导体需求上行周期相互印证。 分析指出，进口扩张的同时，贸易顺差仍维持在52.82亿美元，显示出口增速显著快于进口，整体贸易结构保持健康。

随着全球人工智能投资热潮持续升温，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快赴美上市步伐。 6月10日，据路透，该公司计划最早于今年8月在美国挂牌交易，此举旨在扩大投资者基础，进一步抓住AI芯片需求爆发带来的增长机遇。报道援引两位知情人士透露， 美国证券交易委员会（SEC）很可能在6月22日当周批准SK海力士的美国存托凭证（ADR）上市申请 。其中一位消息人士表示， 公司计划最早于8月完成上市。 SK海力士在回应中表示：“公司计划在2026年内发行ADR，但发行规模和具体时间等细节尚未确定。”今年3月，该公司已秘密提交赴美上市申请。当时有消息人士称， 此次发行可能筹集高达140亿美元资金。 作为全球第二大存储芯片制造商和英伟达的主要供应商，SK海力士凭借其在AI服务器用高带宽内存（HBM）芯片领域的主导地位，成为此轮AI热潮的最大受益者之一。今年以来，SK海力士股价已累计上涨202%。自5月起，公司市值突破1万亿美元，成为继台积电和三星电子之后，亚洲第三家达到这一里程碑的企业。 路透上周报道称，基于强劲的AI需求及SK海力士在存储芯片市场的竞争优势， 其上市计划已获得“非常积极的”市场反馈 。分析人士指出，若于8月完成上市，该公司将为美国下半年本就活跃的资本市场再添一家重量级企业。目前，市场正密切关注OpenAI、Anthropic以及SpaceX的大规模IPO等一系列与AI相关的上市计划。

全球最大晶圆代工厂台积电（TSMC）正式向市场发出涨价信号，但同时为预期管理划定了边界。 6月9日，台积电首席财务官黄仁昭（Wendell Huang）接受媒体采访时表示，通货膨胀确实推高了公司的运营成本， 不排除未来调整价格，但明确否认会出现"四五倍"式的暴涨。 日前，台积电董事长兼首席执行官魏哲家（CC Wei）在股东大会上表示，他"希望"能够提价，理由是竞争对手已率先行动。 这是台积电管理层迄今最为明确的涨价表态。 台积电的表态牵动整个科技产业链。 作为英伟达、AMD、苹果等公司最先进芯片的代工方，台积电一旦调价，影响将从AI基础设施建设成本向下传导，最终可能波及消费者购买电子设备的终端价格。 与此同时，这一表态也是AI驱动的全球芯片供应链新一轮涨价潮的最新注脚—— 此前，存储芯片和功率半导体已相继出现明显涨价。 涨价有据：成本上升是核心逻辑 据报道，黄仁昭在新竹科学园区接受媒体采访时坦承，通胀已切实推高台积电的经营成本。"通货膨胀确实导致我们的成本上升，"他说。 他同时强调，台积电的定价策略将体现公司的内在价值，依托其"技术领先性"与"卓越制造能力"，而非采取激进的价格跳涨。"我们反映的是我们的价值，"Huang说，并 明确表示不会推出突然的"四倍、五倍"涨价。 魏哲家在股东大会上的表态则更为直接。他指出， 台积电的竞争对手已经提价，公司同样"希望"跟进。 这是台积电管理层在公开场合对涨价意愿最为清晰的一次表述。 AI需求：台积电管理层坚信非泡沫 面对市场对AI投资能否持续的质疑，黄仁昭态度明确。 "我们对AI这一大趋势的信念非常坚定，" 他说。他指出，台积电与客户及客户的客户——主要是超大规模云计算厂商——保持密切沟通，这些公司财务实力雄厚，具备持续投入的能力。 台积电股价过去一年随AI芯片需求加速而大幅上涨。黄仁昭描述了一家正全力追赶需求的公司： "客户要求我们增长如此之多，但我们所能做的就是尽可能快速地增长。到目前为止，仍在努力。" 不过，市场情绪并非一帆风顺。本周亚洲科技股跟随美股出现明显回调，投资者对AI基础设施支出能否持续的担忧有所升温，此前全球芯片及AI相关股票已经历一段非凡的涨势。 在产能布局问题上，黄仁昭明确表示，台积电在美国、德国、日本的扩张，是基于客户需求。 供应链背景：涨价潮已在多个芯片品类蔓延 台积电的涨价信号，是AI驱动的全球芯片供应链价格上行周期的组成部分。 高盛研报显示， 市场正面临15年来最严重的存储芯片供应短缺，机构预计存储芯片今年二季度价格将持续大幅上涨。 AI算力需求被认为是本轮短缺的关键驱动力——从模型训练到推理部署，对高带宽存储（HBM）、服务器DRAM的需求急剧膨胀，而供给侧受制于晶圆厂建设周期和设备交付，扩产弹性有限，供需缺口持续扩大。 功率半导体领域同样掀起新一轮涨价潮。 英飞凌、意法半导体、德州仪器等国际头部厂商今年以来已多次发布涨价函，最新一轮调价约从5月开始生效。 据第三方机构TrendForce集邦咨询统计，2026年全球前十大晶圆代工厂商的平均八英寸产能利用率已回升至近90%，相关代工厂均已成功向客户传导涨价压力。

三星电子正加速布局先进封装产能，计划在韩国光州新建封装厂，这将是该公司35年来首次建设新的封装基地，也是继平泽园区启动后11年来首次新建重大半导体生产设施。 据韩国媒体报道，三星最快将于本月底，在韩国总统李在明主持召开的大企业集团领导人会议上正式宣布上述投资计划，SK集团会长崔泰源及其他财界领袖预计出席该会议。 光州新厂将把三星封装业务的地理覆盖从传统忠清道重镇——牙山温阳和天安——向南延伸至韩国湖南地区，标志着其半导体制造版图的重要扩张节点。 与此同时，三星还在大幅提升HBM后端处理产能，并在越南加快建设半导体测试基地，先进封装领域的多线并进折射出行业竞争格局的加速演变。 HBM产能加速扩充：天安基地升级，2029年切换至HCB技术 据报道，三星将光州确定为新封装基地选址，部分源于对首都圈电力和供水资源趋近极限的顾虑，光州凭借基础设施容量优势脱颖而出。 新厂的建设将在现有忠清道封装体系之外形成湖南地区新的产能支撑点，进一步分散三星的封装网络地理布局，以应对日益增长的先进封装需求。 在技术投资层面，三星正扩充天安设施的HBM后端处理产能，目标于2026年底前将热压键合（TCB）月产能提升至23.1万颗，混合铜键合（HCB）月产能提升至1.95万颗。 报道同时指出，三星计划于2029年将HBM堆叠工艺路线从TCB全面切换至HCB，凸显其对下一代先进封装技术的持续押注。 在海外布局方面，一份提案文件显示，三星电子计划向越南投资39万亿越南盾（约合15亿美元），在河内以北约60公里处的工业园区建设半导体测试设施。该项目已开工建设，预计于2027年11月正式投入运营。

工信部印发《“人工智能+信息通信”创新发展实施意见（2026—2028年）》的通知。到2028年，人工智能与信息通信初步构建融合互促的创新发展格局。信息通信智能运营和服务能力达到国际先进水平，信息通信网络初步实现高等级自智，形成30个以上高价值典型场景，打造一批典型应用和特色智能体。网络、算力等信息基础设施支撑人工智能能力进一步提升，城域算力1毫秒时延圈覆盖率不低于75%。到2030年，人工智能与信息通信网络融合关键核心技术取得显著突破，通感算智一体化服务能力大幅提升，形成完备的协同创新和产业生态体系，“人工智能+信息通信”步入技术引领、产业繁荣、安全可靠、智能普惠的发展新阶段。 通知指出： 加强高端光电芯片和器件研发：加强高速光电芯片、高速转发/交换芯片、全光交换器件、光电共封装器件等技术和产品研发验证，开展光电混合组网技术试验，加速技术方案成熟。加强智算超节点光电互联技术攻关，开展智算网络技术与产品验证。加强广域智算网络传输技术研究试验：加大广域无损网络、任务式调度、算网运维智能体等技术验证和落地，提升算间网络调度能力和传输效率，降低比特带宽成本。 原文如下： 工业和信息化部关于印发《“人工智能+信息通信”创新发展实施意见（2026—2028年）》的通知 工信部通信〔2026〕121号 各省、自治区、直辖市及新疆生产建设兵团工业和信息化主管部门，各省、自治区、直辖市通信管理局，各有关单位： 现将《“人工智能+信息通信”创新发展实施意见（2026—2028年）》印发给你们，请结合实际认真抓好落实。 工业和信息化部 2026年6月3日 点击查看通知详情： 》工业和信息化部关于印发《“人工智能+信息通信”创新发展实施意见（2026—2028年）》的通知