三星电子正大举押注下一代高带宽内存，公司在AI存储芯片竞争中正全面转向高附加值产品。 据首尔经济日报报道，三星电子计划将HBM生产工艺中不可或缺的"玻璃载板"的外包清洗量， 从今年每月2万片提升至明年每月5万片，增幅达2.5倍。 行业人士据此判断， HBM4及HBM4E的实际产量明年将较今年至少翻倍。 与此同时，三星HBM整体月均投片量预计将从今年约18万片扩大至明年约25万片，增幅近40%。 产量扩张背后，是三星对高世代产品的战略集中。随着HBM4E量产逐步铺开，HBM4系列在整体HBM出货中的占比预计将从今年的约40%大幅提升至明年的约80%。这一结构性转变意味着三星将把更多产能资源向高利润产品倾斜。 玻璃载板需求激增，折射产能扩张逻辑 玻璃载板是HBM生产工艺中的关键耗材。在将DRAM晶圆研磨减薄并钻孔的过程中，玻璃载板贴附于晶圆背面，防止其翘曲或破裂。 由于HBM需要在有限厚度内堆叠多层DRAM芯片，随着堆叠层数不断增加，晶圆减薄技术与翘曲控制工艺的重要性随之上升。三星重点扩产的HBM4和HBM4E均以12层及以上高堆叠产品为核心，对玻璃载板的工艺要求更为严苛。 据首尔经济日报报道，三星玻璃载板月需求量从去年的1万片增至今年的2万片，明年将进一步提升至5万片。行业分析人士指出，即便考虑到玻璃载板清洗后可重复使用、且实际用量因工艺投入方式与良率而有所差异， 2.5倍的需求增幅仍高度指向HBM4系列产量翻倍以上的预期。 产品结构加速向高世代切换 在量产进程方面，三星今年2月已启动HBM4的量产出货。该产品采用10纳米级第六代（1c）DRAM及4纳米工艺制造的基底芯片。今年5月，三星又向英伟达等客户提供了HBM4E 12层版本的样品。 行业预计，随着HBM4E明年进入全面量产阶段，HBM4系列在三星HBM整体出货中的占比将从今年约40%大幅攀升至约80%。一位行业人士表示："三星在扩大HBM产量的同时，似乎将高附加值产品HBM4置于核心位置。" 这一产品结构转变，将直接提升三星HBM业务的整体盈利能力，并强化其在AI加速器存储市场的竞争地位。 高堆叠工艺需求推动供应链联动 三星此轮扩产对上游供应链形成明显拉动。玻璃载板外包清洗量将在两年内从每月1万片扩大至5万片，增幅达五倍，相关供应商的订单规模随之同步放大。 从行业趋势看，HBM堆叠层数的持续增加——从早期的8层、12层向更高层数演进——使得晶圆减薄与支撑工艺在整个制造流程中的瓶颈效应愈发凸显。玻璃载板需求的快速增长，既是三星产能扩张的直接映射，也折射出高堆叠HBM工艺复杂度提升所带来的材料消耗强度上升。

9月21日晚，vivo发布X500系列，打响了国产直板旗舰秋季大战的第一枪。 去年，vivo X300系列于10月13日发布，到了今年，X500系列的发布整整早了22天。 发布会上，vivo副总裁黄韬也主动提到，过去几年，vivo年度旗舰发布会大多都在10月中旬以后。甚至有用户调侃，十一长假旅行回来，再看一场主打旅拍的旗舰发布会，正好回味刚刚结束的假期。 今年，vivo等不及10月了。 存储价格上涨后，成本压力正在成为手机厂商共同面对的问题。与此同时，新一代旗舰又集中在短时间内登场。当涨价越来越难避免，谁先发布，就有机会更早进入消费者的换机选择，抢到有限的预算。 X500标准版涨价明显。 X500提供12GB+256GB、12GB+512GB和12GB+1TB三个版本，售价分别为5499元、5999元和6999元。 若与去年X300的相同内存版本相比，X500起售价上涨1100元。 不仅如此，X500的高配版也有所降配。上一代X300最高配为16GB+1TB，发售价5799元，但此次X500最高配的运行内存已经降低至12G。 价格向上之后，vivo开始把更多过去属于Pro的能力放进标准版。 影像是X500标准版此次升级的重点。主摄采用vivo X300 Pro同款的蓝图×索尼LYTIA-828传感器，拥有1/1.28英寸大底；长焦则首发搭载与X500 Pro同款的蓝图×索尼LYTIA-610传感器，支持6400万像素与4K 120fps电影级慢动作。 Live也成为这一代的新卖点。X500支持8K原生Live直出和4K原生电影感Live，并加入AI摄影指导等功能。性能上则搭载蓝晶×天玑9600M以及OriginOS 7。 标准版向Pro靠拢，成为vivo给这一轮涨价提供的产品解释。 再往上，X500 Pro和X500 Pro Max进一步拉开差距。两款机型搭载蓝晶×天玑9600 Pro，采用2nm制程，并升级GPU和双NPU架构；影像侧融合V3+与VS1，强化60fps追焦、长焦视频超分以及4K高帧率Log视频能力。Pro Max还搭载6.85英寸2K屏和蔡司2亿APO超级长焦。 价格也继续向上。X500 Pro Max的12GB+256GB版本售价6999元，最高达到8999元，X500系列由此覆盖从5499元到近9000元的价格带。 X500只是第一枪。随着更多国产直板旗舰在9月接连登场，今年的竞争也将更早回答一个问题：当旗舰越来越贵，谁还能让消费者愿意掏钱换机。

三星电子正大举押注下一代高带宽内存，公司在AI存储芯片竞争中正全面转向高附加值产品。 据首尔经济日报报道，三星电子计划将HBM生产工艺中不可或缺的"玻璃载板"的外包清洗量， 从今年每月2万片提升至明年每月5万片，增幅达2.5倍。 行业人士据此判断， HBM4及HBM4E的实际产量明年将较今年至少翻倍。 与此同时，三星HBM整体月均投片量预计将从今年约18万片扩大至明年约25万片，增幅近40%。 产量扩张背后，是三星对高世代产品的战略集中。随着HBM4E量产逐步铺开，HBM4系列在整体HBM出货中的占比预计将从今年的约40%大幅提升至明年的约80%。这一结构性转变意味着三星将把更多产能资源向高利润产品倾斜。 玻璃载板需求激增，折射产能扩张逻辑 玻璃载板是HBM生产工艺中的关键耗材。在将DRAM晶圆研磨减薄并钻孔的过程中，玻璃载板贴附于晶圆背面，防止其翘曲或破裂。 由于HBM需要在有限厚度内堆叠多层DRAM芯片，随着堆叠层数不断增加，晶圆减薄技术与翘曲控制工艺的重要性随之上升。三星重点扩产的HBM4和HBM4E均以12层及以上高堆叠产品为核心，对玻璃载板的工艺要求更为严苛。 据首尔经济日报报道，三星玻璃载板月需求量从去年的1万片增至今年的2万片，明年将进一步提升至5万片。行业分析人士指出，即便考虑到玻璃载板清洗后可重复使用、且实际用量因工艺投入方式与良率而有所差异， 2.5倍的需求增幅仍高度指向HBM4系列产量翻倍以上的预期。 产品结构加速向高世代切换 在量产进程方面，三星今年2月已启动HBM4的量产出货。该产品采用10纳米级第六代（1c）DRAM及4纳米工艺制造的基底芯片。今年5月，三星又向英伟达等客户提供了HBM4E 12层版本的样品。 行业预计，随着HBM4E明年进入全面量产阶段，HBM4系列在三星HBM整体出货中的占比将从今年约40%大幅攀升至约80%。一位行业人士表示："三星在扩大HBM产量的同时，似乎将高附加值产品HBM4置于核心位置。" 这一产品结构转变，将直接提升三星HBM业务的整体盈利能力，并强化其在AI加速器存储市场的竞争地位。 高堆叠工艺需求推动供应链联动 三星此轮扩产对上游供应链形成明显拉动。玻璃载板外包清洗量将在两年内从每月1万片扩大至5万片，增幅达五倍，相关供应商的订单规模随之同步放大。 从行业趋势看，HBM堆叠层数的持续增加——从早期的8层、12层向更高层数演进——使得晶圆减薄与支撑工艺在整个制造流程中的瓶颈效应愈发凸显。玻璃载板需求的快速增长，既是三星产能扩张的直接映射，也折射出高堆叠HBM工艺复杂度提升所带来的材料消耗强度上升。

内存芯片短缺仍未缓解，云厂商已抢先锁定更高价格的明年合同。 9月19日，据追风交易台消息，美银证券分析师Simon Woo发布最新内存行业研报，渠道调研证实 2026年三季度DRAM均价环比涨20-30%、NAND涨超15%，且超大规模云厂商已提前签约锁定2027年一季度更高的DRAM价格。 基于内存供应持续短缺及OEM/科技公司抢筹加剧，美银将2027-2028年DRAM均价预期 上调8-12%、NAND上调2-3% ，但仍认为2028年价格会从2027年的高位回 落约10%，属于“软着陆” 。 在更长期维度上，美银将2030年全球内存TAM（市场规模）预测从1.8万亿美元上调至2.0万亿美元，并 预测2027-2030年DRAM+NAND销售额年复合增速达21%。 三季度涨价超预期，云厂商提前锁定明年价格 渠道调研结果显示，三季度内存价格强劲。 美银报告指出：“对内存芯片制造商、现货市场分销商、OEM等的最新调研，证实三季度均价强劲： 尽管长期协议占比上升，大多数DRAM产品三季度均价仍环比上涨20-30%，NAND涨幅超过15%。 ” 四季度同样不弱。分析师称，“ 四季度均价预计至少还有个位数增长 ”。 更值得关注的是一个新动向：分析师写道，“超大规模云厂商已签订新合同， 同意在2027年一季度支付高于2026年四季度的DRAM价格 。”这意味着买方已主动接受涨价，并将这一预期锁定进了合同。 上调2027-2028年价格预期，但2028年将迎软着陆 正是基于上述供需格局，美银对此前预测进行了修正。 分析师称：“鉴于持续的内存供应短缺，以及部分OEM和大型科技公司更积极的芯片采购行为，我们对2027年上半年的判断变得更加乐观。” 具体数字： DRAM ：2027-2028年均价假设上调 8-12% ；新预测中，2027年均价约为每8Gb当量17.1美元，2028年约16.2美元 NAND ：2027-2028年均价假设上调 2-3% ；2027年约10.0美元/256Gb当量，2028年约8.7美元 与此同时，美银对2026年下半年的预测维持不变——“由于此前对下半年均价已持乐观态度，本次不作调整”。 但分析师同时指出， “预计2028年均价将（较2027年）下跌约10%（DRAM下跌5%，NAND下跌13%）”，并将此解读为“2029-2030年新一轮增长前的软着陆阶段，届时将由更先进的AI及采用高端内存的GPU/ASIC驱动”。 供应短缺是核心逻辑 为什么价格能持续上涨？供给侧的约束是关键。 数据显示， 2026年DRAM供需充足率（supply-to-demand sufficiency）仅约79%，远低于100%的平衡线，直到2027年才逐步回升至接近均衡。NAND情况类似，2026年充足率约80%，2027年才恢复至102%左右。 PC和智能手机的减产也在情理之中。报告指出，尽管内存短缺，“PC和智能手机年初至今的减产幅度并不严重，出货量同比仅下降约10%”。这意味着终端需求尚未出现大幅崩塌，供需缺口主要源于AI服务器对内存的强劲拉动。 服务器端，尤其是AI服务器对HBM（高带宽内存）的需求，已占到DRAM总出货量的50%以上。分析师预计，2026年HBM市场规模达774亿美元，同比增长124%，2027年进一步扩张至1528亿美元。 2030年市场规模目标上调至2万亿美元，长期超级周期 美银将2030年全球内存市场（DRAM+NAND）总规模（TAM）预测从1.8万亿美元上调至2.0万亿美元。 分析师指出，全球DRAM+NAND销售额此前在2018年（云热潮）达到峰值0.17万亿美元，而2025年的回升仅产生0.21万亿美元（NAND下行）。因此，投资者可能会质疑2.0万亿美元的预测，因为相比2018/25年增长了10倍。 分析师给出五个理由支撑这一预测： （1）截至2026年三季度，年化运行率已超过1.0万亿美元（2,780亿美元；四季度等效：1.1万亿美元）； （2）2026年ASP或合约价同比上涨3-4倍，而销量增长20%以上； （3）创纪录的ASP可持续，由于全球供应紧张和强劲的AI芯片需求，到2030年降价有限； （4）2026-30年年度bit增长应保持在高两位数； （5）随着先进AI解决方案（HBM、SOCAMM、eSSD等）获得份额，结构应改善。 分析师还表示，不预期新GPU/ASIC出现“降规”或更低内存含量；相反，假设进一步增加，Rubin Ultra每颗达1,000GB，新Rubin为384GB，而当前为288GB。 分析师还预测，从2027年至2030年，DRAM+NAND合计销售额将以21%的年复合增速增长。 届时DRAM+NAND销售额达1.4万亿美元，而2026年为0.9万亿美元，至2030年——明确表明长期超级周期。 这也意味着内存行业的合理市值为10万亿美元，基于13倍P/E、2.0万亿美元销售额下50%的OPM和25%的税率。 此外，美银自建的“内存景气指数”（BofA Memory Indicator）综合追踪均价、收入、现货价格及出口的同比增长动能。 分析师称，该指数“7月维持在创纪录的180，而周期中位水平为100，2017-18年的峰值仅为120”。美银预计8月至9月的数据仍将保持强劲，韩国半导体出口及中国台湾南亚科技、群联电子的月度销售额同比增幅均超过100%。 ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 以上精彩内容来自 追风交易台 。

“贝森特导师”、全球宏观投资大佬Stanley Druckenmiller正式访问韩国，计划与三星电子、SK海力士、斗山等主要企业高管会面，探讨投资机会。这是他首次公开访问韩国，被市场视为韩国企业在全球AI供应链中地位跃升的重要信号。 据韩国媒体9月20日报道，韩国业界人士透露，Druckenmiller最早将于9月22日在首尔与 斗山株式会社及斗山能源（Doosan Enerbility） 高管会面，此后还计划陆续拜访 三星电子、SK海力士、Naver及Coupang等主要AI相关企业 。Druckenmiller今年2月曾在接受摩根士丹利采访时表示，他在韩国和日本市场持有"大规模仓位"，此次亲赴首尔被认为是在审视现有投资的同时，积极寻找新的投资标的。 值得关注的是， 此次访问恰逢Druckenmiller对AI投资态度明显趋于审慎之际 。他在9月10日纽约一场投资者活动上表示，已将AI行业投资规模削减至六个月前的20%。分析人士认为，他亲赴韩国AI企业的举动，意在对AI投资进行更精准的筛选，重点考察真正掌握AI产业链瓶颈环节的企业。此次访问若促成实质性投资，可能引发更多全球重量级投资者相继赴韩，进而推动外界重新评估韩国在全球产业供应链中的地位。 首次公开访韩，聚焦AI与能源两大主线 Druckenmiller此次韩国之行围绕两条主线展开： AI基础设施与能源 。 在AI领域， 三星电子和SK海力士是高带宽内存（HBM）的核心供应商，而HBM是AI芯片不可或缺的关键组件。斗山株式会社则在AI芯片基板所需的关键材料——覆铜板（CCL，Copper Clad Laminate）领域拥有重要布局。 据报道，业界人士指出，随着AI基础设施投资持续扩张，韩国企业在内存、半导体材料、发电设备及电网等关键瓶颈领域的重要性显著提升，这被认为是Druckenmiller此行的核心驱动力之一。 在能源领域， 斗山能源的核心业务涵盖核电站主要设备及燃气轮机，与Druckenmiller近期持续加码能源投资的方向高度契合。 报道称，据悉，其旗下Duquesne Family Office今年一季度斥资逾1.27亿美元买入阿根廷油气生产商YPF股份，并新建了对墨西哥能源公司Vista Energy的投资仓位。市场人士预计，他将在与斗山高管会面后，评估是否进一步加大对韩国能源行业的投资。 AI投资降仓背景下的精准筛选 Druckenmiller此行的另一层深意在于，他正处于主动压缩AI整体敞口的阶段，却选择亲赴韩国考察AI相关企业，这一反差引发市场广泛解读。 分析人士认为，这并非对AI投资的全面撤退，而是一种更具选择性的策略调整——从广泛押注AI概念，转向聚焦真正掌握产业瓶颈的核心标的。 韩国企业恰好集中在HBM、半导体材料、数据中心电力基础设施等AI产业链的关键节点 ，符合这一筛选逻辑。 一位金融业内人士表示，"Druckenmiller访问韩国，可以视为韩国企业已成为全球AI供应链关键轴心的信号。"不过，该人士同时强调，"仍需观察此次访问是否最终转化为对韩国企业的实质性追加投资。" 管理52亿美元资产，与美国核心决策层关系密切 Druckenmiller是华尔街最具影响力的全球宏观投资者之一，以1992年做空英镑并获取巨额利润而声名大噪。目前，他执掌管理个人及家族资产的Duquesne Family Office，该机构去年6月向美国证券交易委员会（SEC）申报的美国上市证券投资组合规模达52亿美元（约合7.2万亿韩元）。 Druckenmiller与美国核心政策圈关系深厚 ，被业界广泛描述为美国财政部长贝森特（Scott Bessent）的导师，美联储主席沃什（Kevin Warsh）亦曾在Duquesne Family Office任职。报道称，一位金融业内人士表示，“Druckenmiller的判断与市场展望对全球金融投资行业具有重大影响力。” 正因如此，他的投资动向历来受到市场高度关注。业界人士表示，Druckenmiller此次韩国之行有望成为更多全球经济重量级人物相继访韩的催化剂， “如果更多全球商界领袖在访问韩国后扩大投资，将可能促使外界重新审视韩国在全球产业供应链中的地位。”

周五，约9600万美元短期看涨期权集中涌入闪迪（SanDisk）、美光（Micron）、英特尔（Intel）和Marvell四只AI芯片股。盘中，闪迪涨幅一度暴涨11%。 看着这波“爆巨量”的短期期权交易流，CNBC主持人Jim Cramer在社交平台X上发文感叹道：“看这架势，活脱脱Leopold杀回来了！” 如果你一直在关注全球AI算力和大模型赛道的投资机会，你一定不会对Leopold Aschenbrenner感到陌生。 这位曾经的OpenAI核心研究员、带着耀眼光环的AI主题对冲基金Situational Awareness创始人，曾因使用极高杠杆、疯狂买入半导体和 AI 公司的短期看涨期权而闻名。2024年，他创立的基金以约2.25亿美元起步，凭借高杠杆AI押注，一路做到约450亿美元。 今年7月，该基金遭遇“惊天爆仓”，在7月的AI板块回调中暴跌67%，并把大部分持仓抛售给了Citadel。英国《金融时报》将其列为对冲基金史上最大单笔亏损。但尽管如此，该基金当年仍录得约80%的正收益。 7月末，Aschenbrenner在致投资人信中表示将"另谋再战之日"、"汲取必要教训"，并承诺公开市场投资将"以全额支付方式管理"。 上周，CNBC报道该基金已在AMD、Bloom Energy和CoreWeave等标的上重新买入期权。这一次，标的切换到了存储和芯片——崩盘前其最大的两个重仓方向。 近亿美元看涨期权的构成 据ZeroHedge汇总的盘中交易数据，这批10月2日到期的看涨期权明细如下： 美光（MU） ：行权价1000，约1万张，权利金约4400万 闪迪（SNDK） ：行权价1600，约4200张，权利金约4100万 英特尔（INTC） ：行权价115，约2万张，权利金约730万 Marvell（MRVL） ：行权价250，约张3500，权利金约385万 闪迪当时交易在附近，已在行权价之上；美光约990，行权价几乎平值；英特尔和的行权价则分别略高于现价。美光和闪迪的周高点分别为1255和$2354，当前价位距高点仍有相当距离。 两周到期的合约，时间衰减和gamma敏感度都极高，留给方向判断的容错空间几乎为零。 Cramer指出，10月到期日落在美光第四财季财报之后——这份财报历来牵动整个存储板块。他在8月就对这一板块持乐观看法，认为AI数据中心需求和供给纪律正在重塑存储行业传统的繁荣-萧条周期。 为什么市场指向"AI股神" SEC申报文件尚未披露买家身份，但市场对Aschenbrenner的猜测有据可循。 最直接的线索是标的。Situational Awareness在6月底的监管申报中显示，闪迪持仓约57亿美元、美光约56亿美元，是其最大的两个仓位。这批近亿美元的期权权利金，恰好集中在同样的两只股票上。 交易手法也吻合。该基金此前以极高的短期杠杆押注AI动量著称，杠杆率一度高达400%。短到期、大规模看涨期权正是其标志性工具——通过大手笔买入触发做市商gamma对冲买盘，推动股价短期冲高。 时间线上同样衔接。据《金融时报》9月11日报道，Aschenbrenner已通过弹性期权（Flex Options）在AMD、英特尔、SK海力士、闪迪和CoreWeave等标的上重建头寸。野村证券策略师Charlie McElligott当时捕捉到信号：多日合计3.15亿美元期权权利金涌入AI及半导体标的，涉及Delta敞口11亿美元。他还注意到，半导体ETF未来三个月的看涨期权偏斜度已飙升至历史高位。 换了工具，逻辑未变 与7月依赖高盛等大行提供的总收益互换（TRS）获取杠杆不同，Aschenbrenner此次被认为改用了全额付款期权（fully-paid options）——最大损失限于已支付的权利金，理论上不存在追保或爆仓风险。 这一转变有现实原因。崩盘后，摩根大通终止了与该基金的借贷关系，SEC已向为其融资的银行索取信息，此前合作的经纪商也遭到美国司法部调查。据《金融时报》报道，Aschenbrenner转向专注科技板块的经纪商Clear Street重新建立合作。 但策略逻辑并未根本改变。McElligott观察到，这批交易呈现出"现货涨、波动率也涨"的联动特征——与7月崩盘前的行情模式高度相似。仍是在流动性有限的动量标的上建立大规模集中敞口，意图触发连锁式价格上涨。一旦动量反转，权利金全部归零，且无法通过调整杠杆加以缓冲。 该基金第三季度的13F报告将于11月中旬提交，届时才能从监管文件中确认这批交易的真正买家。

瑞银大幅上调人工智能资本支出预测，内存成本的急剧上涨是推动这一轮支出扩张的核心因素，其影响正深刻改变AI投资周期的结构与经济逻辑。 据瑞银最新估算， 2026年全球AI资本支出总额将达9980亿美元，较2025年的5060亿美元几乎翻倍 。 2027年这一数字将进一步升至1.447万亿美 元。这一预测的大幅上修，主要源于内存价格的快速攀升，而非基础设施投资规模的整体扩张。 内存支出的爆发式增长意味着AI投资的受益格局正在发生结构性转变。瑞银指出，若支出增长主要由价格上涨驱动，则对美国实际GDP的拉动效应相对有限，更多体现为收入和利润向亚洲内存生产商的转移，从而对相关经济体的GDP形成正向贡献。 内存支出：从配角到主角 内存正迅速成为AI资本支出增长的最主要来源。瑞银估计，全球内存支出将从2025年的710亿美元跃升至2026年的3670亿美元，并于2027年进一步扩大至9230亿美元。 与此同时，其他AI相关支出的走势则截然不同。瑞银预计，非内存类AI资本支出2026年约为6310亿美元，但到2027年将回落至5250亿美元。 从结构占比来看，内存在AI资本支出中的份额正经历根本性重塑。2025年，内存支出约占AI资本支出总额的14%；瑞银预计这一比例将在2026年升至37%，并于2027年进一步跃升至64%。 增量支出的来源拆解 瑞银的测算揭示了这轮AI投资扩张的内在逻辑。在2026年AI资本支出的同比增量中，内存成本上涨贡献约60%；而在2027年，内存支出的增量甚至超过了AI资本支出的整体净增量，因为其他组件的支出同期出现下滑。 综合来看，瑞银估算，2025年至2027年间AI资本支出近1万亿美元的增量中，约90%将来自内存支出的上升。 这一数据表明，AI投资周期的经济驱动力正在发生深层转变——从单纯的基础设施规模扩张，逐步转向支撑日益强大的计算系统所需关键组件的成本上升。 宏观经济影响：利好亚洲内存生产商 瑞银特别指出，内存支出的性质——究竟是价格驱动还是量的扩张——对宏观经济的影响存在本质差异。 若增量支出主要反映内存价格上涨，则对美国实际GDP的贡献将相当有限。在这一情景下，资金流向将更多体现为从AI基础设施投资方向内存生产商的利润转移，而全球主要内存生产商集中于亚洲，相关经济体将因此获得更为直接的GDP正向贡献。 这一判断对投资者的资产配置具有重要参考意义：随着AI投资周期深化，亚洲内存产业链的受益程度或将超出此前市场预期。

SMM 9月18日讯：今日半导体板块盘中快速走高，指数盘中涨幅一度超过5%，个股方面，东微半导、国民科技、富创精密盘中涨逾10%，诚邦股份、华天科技、博通集成等多股盘中封死涨停板，盛景微、圣邦股份等纷纷跟涨。 消息面上，美股芯片板块全线爆发，费城半导体指数走强， 英伟达CEO黄仁勋明确表示英伟达明年芯片销量将是今年的两倍， 同时他还强调，不安全产品必须被拦下，“AI安全至关重要”。受此消息影响，美东时间17周四美股盘前黄仁勋发布上述讲话后，英伟达股价进一步上涨，盘中一度拉涨2.8%，录得连续第三个交易日的上涨。 黄仁勋对于芯片需求的良好预期提振了国内芯片产业链的风险偏好，今日早间，科创50指数成分股中芯片、半导体设备、AI算力等方向集体上扬，成为指数上行的核心引擎。 此外，在AI对半导体芯片的需求持续旺盛的当下，半导体零部件设备的交货周期也开始明显延长 。据韩国科技媒体ETNEWS报道，业内人士16日透露，有半导体制造设备关键零部件的交货周期已延长了一倍以上，行业正面临供应短缺的困境。 一家半导体激光加工设备制造商从日本采购关键零部件，交货期可能长达40个月。该公司的一位负责人表示， “我们愿意支付溢价以加快交货速度，但被告知，由于零部件供应商产能有限，缩短交货周期非常困难。 除非找到替代供应链，否则很难立即开始生产设备。” 中信证券此前指出，零部件企业规模较小、固定成本占比高，涨价直接转化为利润；同时产线扩产周期长达12-18个月，因此供给弹性最差，海外供应商交期延长带来的国产化诉求与涨价逻辑值得重视。目前半导体产业链的定价权正从芯片终端向设备与零部件环节结构性上移。 而9月11日，摩根士丹利也曾指出，尽管市场预期数据中心投资将放缓，但由于先进芯片封装需求保持强劲，AI半导体供应商的增长到2028年可能持续超过更广泛的云支出增长。该行预计，2028年先进封装总产能将增长约50%，而云服务提供商的资本支出增幅较为温和，为12%。更大尺寸的AI芯片设计以及CPU和网络处理器对先进封装日益增长的使用预计将支撑需求，同时供应链调研显示台积电及其合作伙伴将继续扩张。报告还认为，在行业新合作伙伴关系和推理相关部署的推动下，AI定制芯片活动将保持强劲。 9月15日，台积电也“现身说法”， 进入第三季度下旬，台积电 3nm 、 2nm 先进制程与 CoWoS 先进封装产能持续供不应求。 供应链人士透露，英伟达、苹果等持续占有台积电先进制程与封装资源。此外，亚马逊AWS近期放大AI自研芯片投片，旗下Annapurna取得更多3nm产能。联发科除手机芯片外，也因谷歌TPU相关大单，争抢2/3nm制程与CoWoS-S/L产能。 而9月15日前后，国内政策方面对芯片方面也提出了新的规划，据工信部、国家发改委近日联合印发的《电子信息制造业发展“十五五”规划》中提出，推动集成电路全链条攻关。发展高性能处理器、高密度存储器、高可靠性模拟和数模混合芯片等高端芯片产品。 提升集成电路制造水平，做精做细成熟制程，提高先进制程能力。推动先进封装测试技术开发和应用。 推动宽禁带半导体产业提质升级，推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展。持续提升关键装备、材料和零部件供给能力，加快发展电子设计自动化工具（EDA）和知识产权核（IP核），推进三维集成等技术突破和应用。 此外，9月17日，华为在2026年全联接大会上集中披露多项重要进展：昇腾960系列芯片大幅提前发布时间表，新一代NPO形态光互联产品Hi-ONE首次亮相，昇腾960超节点正式发布、昇腾950超节点宣布进入规模商用阶段。据中国基金报，华为副董事长、轮值董事长汪涛在演讲中宣布，华为昇腾960超节点正式发布，风冷和液冷版本将分别于2027年第三季度和第四季度陆续上市。此外，昇腾960DT将于2027年第一季度发布，比原计划提前三个季度；昇腾960PR将于2027年第三季度发布，比原计划提前一个季度，两款芯片性能均“实现翻番”。 有专家表示，这标志着国产算力竞争从单纯比拼单芯片性能，转向芯片-互联-存储-整机一体化的系统级创新，也将带动光通信、液冷等上下游配套产业升级。算力行情升温时，细分环节的订单与盈利兑现可能分化。 而海外方面对芯片领域的投资也在持续加码，据彭博方面消息，此前，印度于7月宣布设立一项新的134亿美元半导体基金，加大建设本土芯片产业的力度。该基金旨在扩充此前100亿美元的补贴计划，该计划已帮助塔塔集团和美光科技等企业在印度南部设立晶圆制造和封装工厂。 而据近期消息，印度在新半导体政策推出后数月内，已获得来自全球和本地投资者高达120亿美元的投资承诺，标志着其建设芯片制造国家的努力正在加速。印度技术部长Ashwini Vaishnaw周四在新德里举行的印度顶级芯片行业活动上表示，这些承诺来自包括芯片设备、材料和化学品制造商在内的多家公司。

美国NAND存储制造布局或迎来新的扩张。SK海力士旗下NAND业务平台Solidigm正考虑在美国建设首条NAND量产线，将现有制造能力进一步延伸至美国本土。 9月18日，据报道援引知情人士称， Solidigm正考虑在美国东海岸选址，并就产品组合、量产时间表等细节展开讨论。不过，最终投资规模和建设计划仍取决于与客户长期协议（LTA）的谈判进展。 Solidigm由SK海力士于2021年收购英特尔NAND闪存业务后成立，目前主要负责相关NAND业务。 这一动向也与SK海力士近期评估美国存储制造的计划相呼应。据华尔街见闻此前文章，9月16日，有报道称SK海力士正与英特尔洽谈在美国生产存储芯片的合作，但公司随后表示，目前尚未确定具体合作对象，也没有敲定在美国生产存储芯片的具体计划。 AI数据中心需求则成为推动NAND厂商重新规划产能的重要因素。TrendForce数据显示，2026年第二季度，SK海力士及Solidigm的NAND业务营收达到142.729亿美元，环比增长89.5%。随着AI服务器部署扩大以及模型规模和数据处理量增长，数据中心对高容量SSD的需求持续上升，Solidigm也在围绕这一需求推进产能布局。 AI存储需求升温，Solidigm探索美国本土产能 Solidigm长期专注于数据中心市场的QLC NAND。相比每个存储单元存储三个比特的TLC，QLC可存储四个比特，在大容量SSD领域具有成本优势，因此更适合数据中心对高容量、低成本存储的需求。 随着AI服务器规模扩大，数据中心需要处理和保存的数据量持续增加，高容量SSD的重要性随之提升。对于Solidigm而言，在美国新增产能的核心驱动力仍是客户需求，目前具体产品和量产时间表尚未最终确定，长期供货协议的谈判进展将直接影响投资决策。 从SK海力士整体布局看，公司此前已在美国推进先进封装设施建设，并持续评估扩大当地制造能力的可能性。SK集团董事长崔泰源今年7月在纽约出席SK海力士ADR上市活动时表示， 除印第安纳州先进封装设施外，公司正在评估进一步投资的可能性；如果电力、水源、劳动力和供应链等条件具备，在美国建设内存生产工厂也是可行选项。 目前，SK海力士尚未敲定美国存储芯片生产计划，而Solidigm此次被曝考虑自建NAND产线，意味着其美国制造布局正在从讨论进一步走向具体评估。此外，Solidigm正在筹备纳斯达克IPO，如果美国本土产能最终落地，也可能成为其未来扩张的重要组成部分。

人工智能驱动的半导体需求热潮正在向产业链上游传导，并在关键零部件环节形成严峻瓶颈。 韩国业界消息显示，半导体制造设备所需核心零部件的交货周期已普遍延长一倍以上，部分日本制造的关键零部件等待时间甚至长达40个月。供应链的滞后不仅威胁设备制造商的正常生产节奏，更可能波及三星电子、SK海力士等全球主要芯片厂商的资本支出计划。 据韩国《电子新闻》9月16日援引业界人士消息，韩国国内多家半导体设备企业均反映零部件采购困难加剧。沉积设备制造商A公司一名高管表示，相关零部件的交货周期已从此前的四个月延长至十个月；激光工艺设备制造商B公司则面临更为极端的情况，其所需日本制造关键零部件的等待时间已延伸至40个月，即便愿意支付溢价也无法加快交付。 业界人士警告， 零部件短缺与设备交货延迟的双重叠加，将显著提升全球半导体生产基础设施投资出现推迟的可能性 ，三星电子平泽及SK海力士龙仁的在建项目均面临潜在影响。 需求激增令供应链不堪重负 此轮零部件短缺的直接导火索是AI浪潮引发的需求爆发。随着AI半导体及存储芯片出货量大幅攀升，对半导体制造设备的需求随之急剧扩张，而设备生产所依赖的模块等核心零部件供应商未能提前扩充产能，由此形成供需缺口。 一名业界人士直言："即便零部件厂商现在着手扩产，也已无法满足当前需求。"他同时指出，由于AI驱动的半导体超级周期何时终结存在不确定性，零部件厂商对大规模扩产投资普遍持观望态度。 以日本零部件产业为甚——作为半导体设备制造的重要支柱，日本供应商在产能投资方面历来态度保守 ，这一特性在当前供应紧张局面下尤为凸显。 封装设备制造商C公司虽已建立国内零部件供应链，但同样未能幸免。该公司一名高管表示，国内采购情况优于海外，但交货时间仍比正常水平延长约50%——原本四个月可到货的封装设备零部件，目前需要六个月以上。 设备交货延迟向下游传导 零部件短缺的压力已沿产业链向下传导至设备交付环节。据悉，半导体制造商目前收到设备所需的时间已较正常水平延长一倍，正处于大规模资本支出周期中的全球主要芯片厂商受到的冲击尤为明显。 一名半导体设备行业人士预测， "设备交货延迟与零部件供应短缺相互叠加，全球半导体生产基础设施投资推迟的可能性已显著上升" ，并特别点名三星电子平泽项目及SK海力士龙仁项目将受到波及。 这意味着，原本被视为AI基础设施投资主线之一的韩国本土扩产计划，正面临来自供应链层面的实质性阻力。