A股光芯片板块在国庆假期后首个交易日遭遇重创，政策忧虑与降价传闻双重夹击，令市场情绪急剧转向。 10月8日，源杰科技、长光华芯、东山精密相继封死20%跌停，仕佳光子跌逾16%，永鼎股份跌逾7%，光芯片指数单日大跌超5%。 据券商中国，驱动本轮杀跌的，是两条在国庆假期持续发酵的消息： 一是市场对美国FCC针对中国光模块潜在监管新规的担忧；二是1.6T光芯片价格承压的市场传闻。 FCC政策猜想：报告措辞充满不确定性 据上海证券报报道，触发市场恐慌的核心信源，是摩根士丹利10月1日发布的一份研究报告。 报告判断， FCC对中国产光模块的潜在限制，最可能从3.2T代际起分阶段实施，并存在"美国含量豁免"路径 ——若物料清单中美国公司价值占比达到65%，相关产品仍可能获准进入美国市场。有分析认为，该框架若落地，国内模块厂商为满足门槛或将更多选用美系激光器与DSP，国产光芯片的替代空间与出海通道可能受压。 该报告的全部信息来源为摩根士丹利策略团队与一支华盛顿法律团队的交流，报告通篇使用"potential""likely""could"（"潜在""可能""或将"）等推演性措辞，既无FCC任何正式规则文本，也无提案讨论记录，更无官方发布。 与此同时，据券商中国报道，美国FCC将于10月13日实施新规FCC26-50，将部分受限制企业生产的核心电子组件纳入设备授权限制， 这被认为是本轮光模块板块大幅杀跌的另一导火索 。叠加9月25日美国S.5548法案及甲骨文"不可抗力"通知，市场情绪在假期积压后集中释放。 业内：影响相对可控，短期恐慌大于实质 多位业内人士对上述政策冲击持较为审慎的乐观态度。据上海证券报，业内人士分析认为，相关限制落地具有极强不确定性，影响相对可控。 从产品节奏看，潜在限制针对的是3.2T这一代产品，初期出货预计2028年才开始爬坡，目前业内正大规模交付的主流产品为800G和1.6T，均不在限制范围内。有券商分析师亦指出， 已大规模商用的800G/1.6T产品不受限制，国内头部厂商的现有业绩基本盘短期无虞。 从成本结构看，高端产品BOM中来自美国的成分——包括DSP、Driver、TIA、PIC等环节——已占相当比例，激光器成本占比相对较低，且不同产品成本构成不一，此次政策未必对激光器形成直接冲击。从行业生态看，硅光渗透率提升已是产业现实，国产产业链在北美AI算力建设中具有不可替代性，在硅光平台、激光器与模组化的全链条布局上，话语权持续提升。 分析师亦指出， 美国政策的本质并非全面禁运，而是通过"价值占比"门槛，将高价值环节（激光器、DSP）锁定在美国供应链，同时保留中国低毛利组装产能以维持全球供应链稳定，本质是产业链利润的重新分配。 针对近日摩根士丹利报告提及“FCC潜在规则可能在3.2T世代限制中国光模块”所引发的市场波动，长光华芯投资者热线工作人员表示，公司已关注到大摩的调研纪要内容。首先，大摩报告并非正式文件，信息的真实性与具体影响尚不确定；其次，该推演针对的是3.2T光模块，而3.2T本身放量预计要到2028至2029年，当前市场仍以800G和1.6T为主，短期内对国内光芯片行业没有实质性影响。 降价传闻：短期压力与结构性供需并存 除政策因素外，1.6T光芯片价格下滑的市场传闻同样加剧了恐慌情绪。 据券商中国报道，有消息指出，1.6T光芯片价格已有所下滑，原因在于市场高估了短期芯片溢价，硅光方案爬坡顺利使成本底线暴露，客户采购心态发生转变。 从机构预测看，有机构预计1.6T光芯片平均售价（ASP）将从2025年的8174元逐步下滑，2026年同比降约11%至7301元，2027年降幅或扩大至19%至5909元；高盛则预测光模块端同步降价，800G光模块均价将从约440美元降至2028年的314美元。低端产品方面，100G及以下产能过剩率已超45%，25G价格过去一年跌超30%。 不过，供给端的现实制约提供了一定支撑。据野村证券估计，1.6T芯片需求超2000万颗，但受3纳米产能与良率限制，实际出货仅1600万至1700万颗，磷化铟衬底2026年缺口超70%，价格存在不降反升的结构性支撑。这意味着当前产业结构呈现"量紧价跌"并存的复杂态势，并非需求全面崩塌。对于投资者而言，如何区分短期情绪扰动与中长期基本面变化，仍是关键所在。

AI需求持续扩张，正驱动台积电进入新一轮更大规模的资本投入周期。 高盛在最新研究报告中大幅上调台积电2027年及2028年资本开支预测，分别至850亿美元和980亿美元，较此前预测的780亿美元和820亿美元显著提升。 与此同时，高盛预计台积电在德克萨斯州的潜在新厂将于2032年后方才进入量产阶段，意味着本轮扩产周期的时间跨度远超市场此前预期。报告维持对台积电的"买入"评级，并将台股12个月目标价从新台币3100元上调至3300元，对应当前股价28%的上涨空间；美股存托凭证（ADR）目标价同步从620美元上调至660美元，上行空间约40%。 高盛分析师Evelyn Yu及James Schneider在报告中指出， AI加速器、网络芯片及服务器CPU需求的协同扩张，构成台积电未来两年业绩的核心驱动力。高盛预测台积电2026年及2027年收入增速（以美元计）分别达42.0%和36.9%， 并将2027年及2028年每股盈利预测上调6.5%和8.2%至新台币150元和195.67元。报告同时强调，Agentic AI带动服务器CPU需求提速，是过去一年最显著的需求结构性变化之一。 资本开支大幅上调，德州新厂量产延至2032年后 高盛维持台积电2026年资本开支预测不变，为640亿美元， 但将2027年及2028年预测分别从780亿美元和820亿美元上调至850亿美元和980亿美元。 高盛将此次上调归因于两方面：一是设备供应商成本通胀压力，二是德克萨斯州潜在新厂的初期支出。 然而，高盛明确指出， 德州新厂预计要到2032年之后才会进入量产阶段，短期内不会对产能形成实质贡献。 就现有规划而言，高盛维持对台积电N3及N2制程产能的预测不变：2027年底N3和N2产能分别为每月20万片和14万片，2028年底进一步扩充至每月22万片和20万片。 在先进封装方面，高盛预计CoWoS年产能将从2025年的67.5万片（晶圆）增至2027年的273万片和2028年的348万片，年均增速持续超过100%，为AI芯片大规模出货提供关键支撑。 三季度环比高增，N2爬坡带来毛利率短暂压制 高盛预计台积电三季度营收环比增长15.3%（以美元计），四季度进一步增长11.0%，全年在AI及高性能计算需求强劲支撑下保持高速扩张。 盈利能力方面，高盛预测三季度和四季度毛利率分别为67.5%和67.3%，较二季度的67.7%小幅回落，主要反映N2制程爬坡带来的短期成本稀释效应。进入2027年，随着N2良率提升、产品组合优化及持续高利用率，毛利率有望回升至67.5%，2028年进一步改善至67.8%。 高盛同步上调了2026至2028年盈利预测，2026年盈利上调幅度为1%，2027年和2028年分别上调7%和8%，主要原因是N2爬坡毛利率稀释效应低于此前预期，以及N2/N3制程受AI及高性能计算需求拉动、稼动率高于假设。 AI需求版图扩展，服务器CPU成新增长极 高盛在报告中着重强调，台积电的AI需求驱动力正从GPU加速器向更广泛领域延伸。报告援引台积电管理层在Communacopia科技大会上的表态，AI推理成本持续下降将刺激更大规模的AI应用消费，美国云服务商的持续投入也进一步巩固了需求能见度。 Agentic AI的兴起正在推动服务器CPU需求加速，高盛将其列为过去一年最重要的需求结构变化。这意味着台积电的先进制程客户群体进一步拓宽，不再局限于Nvidia等AI加速器客户，而延伸至英特尔、AMD等CPU阵营。管理层同时表示，尽管N2和N3产能持续扩张，供给仍难以满足旺盛需求。 高盛表示， 在即将于10月15日举行的三季度分析师会议上，市场将重点关注管理层对2030年前AI需求展望的最新判断、美国扩产计划的规模与时间表，以及台积电在英特尔、三星及新兴竞争对手Terafab面前的技术领先优势能否持续扩大。

继6月完成250亿美元投资级债券发行后，SpaceX又计划筹集400亿美元，为大规模采购英伟达芯片提供资金，进一步押注AI基础设施建设。 据英国《金融时报》近日报道援引知情人士， SpaceX计划通过约100亿美元银行贷款和300亿美元投资级债券筹集资金，以支付这笔巨额芯片订单。 Apollo预计将主导交易，并向广泛的机构投资者分销债务；债券巨头Pimco也在参与谈判的少数贷款方之列。交易预计于2027年完成。 这笔交易再次显示，AI数据中心和芯片基础设施建设正吞噬越来越多的资本，私募信贷等非传统融资渠道也正在成为支撑这轮AI资本开支的重要资金来源。 马斯克加码英伟达架构 SpaceX此次融资的直接目的，是为大规模采购英伟达芯片提供资金支持。马斯克在SpaceX今年8月的业绩电话会议上明确表示，公司已决定完全基于英伟达平台进行建设。马斯克表示： “我们决定完全构建于英伟达之上，因为我们认为Vera Rubin架构是最优架构。我们认为这是最好的AI计算机，我们非常重视与英伟达在多个层面的紧密合作与伙伴关系。” Vera Rubin是英伟达最新一代前沿AI计算平台。马斯克的这一表态，也进一步明确了SpaceX此次大规模芯片采购的技术路线，并强化了其与英伟达之间的合作关系。 投资级评级支撑大规模融资 SpaceX能够推进如此大规模的债务融资，与其投资级信用评级密切相关。该公司于今年6月完成860亿美元首次公开募股后不久获得BBB评级——属于投资级中的较低档次——并在上市后不到两周内完成250亿美元投资级债券发行。 投资级评级使SpaceX债券能够进入更广泛的机构投资者配置范围。 相比垃圾级债券，保险公司、养老基金等机构通常对投资级债券的配置空间更大，从而为SpaceX进行大规模债务融资提供了更广泛的潜在买家基础。 不过，SpaceX债券此前已经出现明显承压迹象。据MarketAxess数据，其2056年到期债券目前交易价格约为面值的85美分，收益率较美国国债高出约2.27个百分点，已接近垃圾债水平。据报道援引分析人士， 马斯克有限的财务信息披露，是部分投资者对SpaceX债务保持观望的重要原因。 信息披露不足曾令投资者望而却步 此次融资并非SpaceX首次尝试为芯片采购寻求外部资金，但此前的努力并不顺利。据报道援引知情人士透露， SpaceX此前向部分投资者推介这笔数十亿美元芯片采购融资时，仅提供了一份两页纸的简短交易备忘录，其中甚至包含太空图片以及一个箭头，标注公司将在“宇宙某处”建设数据中心。 报道援引一位知情人士表示： “我们怎么拿这个去过投资委员会？” 此次引入Apollo主导交易，在一定程度上正是为了弥补上述不足。借助Apollo在机构投资者中的信誉和分销网络，SpaceX有望更顺利地推动这笔规模庞大的融资落地。 Apollo深度布局AI芯片融资市场 对Apollo而言，此次交易是其持续拓展投资级企业贷款业务的最新动作。Apollo旗下信贷业务管理资产规模达8000亿美元，已将高评级企业融资列为核心业务，此前曾主导英特尔、拜耳等大型企业的多笔数十亿美元融资交易。其旗下人寿保险及年金附属机构Athene通常会认购此类发行的大部分份额。 今年6月，Apollo还主导了一笔350亿美元的芯片融资交易，用于采购英伟达竞争对手博通的处理器，并创下当时私募信贷市场最大单笔交易纪录。 在更宏观的层面，英伟达今年8月宣布与华尔街多家顶级机构合作，共同搭建规模达5000亿美元的融资平台。签署合作备忘录的机构包括Apollo、贝莱德、黑石、Brookfield、高盛和KKR。该联合体旨在汇聚第三方资本，以更低的融资成本帮助英伟达中小客户采购芯片、建设AI基础设施，英伟达本身可能为最高25%的芯片价值提供背书。 SpaceX此次融资，正是这一轮AI基础设施融资浪潮的又一笔大额交易。

美国AI基础设施的瓶颈，正从“缺芯片”转向“缺电”，而电力不足首先威胁的可能不是英伟达，而是ASIC、存储、光模块和电源管理等供应链尾部。 摩根士丹利最新报告称，美国数据中心2026年至2028年预计面临约34%的净电力缺口，相当于32GW。报告认为， 英伟达和博通的2027年业绩预测暂不受实质影响，但电力短缺可能导致芯片无法按计划部署，进而给下游组件带来订单推迟、取消和库存调整风险。 核心区别在于，英伟达GPU单位电力产出更高，且头部芯片厂商对最终部署地点具有较高可见性；相比之下，ASIC对电力资源更敏感，而存储、光学和电源管理等产品更容易受到客户备货和项目延期的影响。 据华尔街见闻此前文章，甲骨文威斯康星州1.3GW的“Project Lighthouse”正是这一风险的现实映射：输电审批重启后，项目全功率供电最早可能推迟至2028年10月，悲观情景甚至延至2029年春季。 AI服务器即使已经装上机架，没有电，也无法转化为实际算力和收入。 英伟达和博通：需求可见性更高，ASIC承压更大 摩根士丹利认为，英伟达和博通的管理层已经将土地、电力和机房（LPS）约束纳入指引，同时两家公司对芯片最终部署地点具有较高可见性，全球化布局也降低了对美国单一市场的依赖。 产品效率同样重要。英伟达GPU每吉瓦能够产生更多token，在电力有限的情况下更具部署优势。 相比之下，ASIC单位电力产出较低，需要争夺更多LPS资源，因此更容易受到电力瓶颈影响。 英伟达CEO黄仁勋和博通CEO Hock Tan近期均强调，电力资源已经成为AI基础设施部署中比芯片和存储更难协调的约束。 存储、光模块和电源管理：订单风险向尾部集中 报告认为，存储、光学元件、电源管理和模拟芯片更容易受到项目延期的冲击。 这些品类此前受益于AI基础设施扩张和供需偏紧，一旦终端项目推迟，客户可能先消化库存，再削减后续订单。 ASIC同样面临部署效率问题。电力紧张时，客户会更加重视单位电力对应的算力产出，低效率的ASIC项目因此更容易被推迟。 博通的指引变化也显示出市场预期正在收敛：公司3月预计FY27 AI营收将远超1000亿美元，9月最新指引为1150亿美元，绝对规模仍高，但进一步上修的空间已经受到限制。 自备电和海外扩张：仍难填平电力缺口 报告预计，2026年至2028年表后燃气轮机和发动机新增容量基准情景约19GW，Bloom Energy燃料电池预计贡献约6GW， 核电和加密矿场改造也可提供补充，但整体仍不足以消化缺口。 海外扩张同样只能缓解部分压力。摩根士丹利已将美国占全球算力的份额预测从60%下调至55%，但欧洲审批缓慢、中东地缘政治风险等因素限制了需求转移。 与此同时，美国还面临熟练技工短缺和地方阻力。CSIS估计，到2030年美国需要新增超过14万名熟练技工，现有劳动力每年仅能支撑约10至20GW天然气新增装机。 对AI产业而言，芯片能否生产出来已经不是唯一约束，能否获得足够电力并真正投入运行，正在成为决定订单兑现速度和供应链盈利的下一道门槛。

华为正加速构建从芯片到操作系统的自主技术体系，但内存成本暴涨正在侵蚀利润，余承东直言，华为未来不得不涨价。 10月5日，华为发布9月29日国际媒体圆桌会议摘要。华为常务董事、产品投资评审委员会主任、终端BG董事长余承东会上表示，自2019年以来，华为持续推进芯片、操作系统和基础软件自主研发，并与国内供应链合作制造先进芯片。2023年，华为重新开始在国内生产智能手机所使用的芯片。余承东表示， 如今，依靠芯片、HarmonyOS以及中国本土供应链、材料和工艺节点，华为已经基本摆脱对美国技术的依赖。 在芯片方面，华为最新发布的Mate 90系列搭载麒麟9050 Pro，整机性能较上一代提升31%；HarmonyOS 6和HarmonyOS 7目前已运行在超过9000万台设备上，预计年底突破1亿台。与此同时，华为正在继续扩大LogicFolding芯片的应用，并逐步推进HarmonyOS全球化。 不过，技术自主能力提升并未消除成本压力。余承东表示，内存价格大幅上涨已使每部手机新增成本超过200美元，华为此前通过自行吸收部分成本、放缓涨价来减轻消费者压力，但整体利润率已经“急剧下降”。 他直言，未来华为也“不得不提价”。 从芯片到鸿蒙，华为持续扩张自主技术与生态版图 最新发布的Mate 90系列搭载麒麟9050 Pro。余承东表示， 该芯片的基带、ISP、移动安全处理器、CPU、GPU以及采用达芬奇架构的NPU均由华为自主设计。与此同时，华为通过系统级优化进一步提升芯片能效和整机性能。 华为也在将LogicFolding技术应用于更多手机。该技术基于“韬定律”，通过垂直堆叠逻辑层、加强层间高密度互连重构电路布局，从而缩短关键路径、降低延迟，目前已应用于麒麟9050 Pro。余承东表示，未来将有更多华为手机采用搭载LogicFolding技术的芯片。 在软件生态方面，HarmonyOS已成为华为自主技术体系的重要组成部分。余承东表示，目前运行HarmonyOS 6和HarmonyOS 7的设备已超过9000万台，预计今年年底突破1亿台。鸿蒙生态的应用和服务数量已超过45万个，全球注册开发者达到1100万人，应用创新合作伙伴超过2.3万家。 余承东坦言，构建一个全新的操作系统生态“极其困难”。经过多年投入，华为已逐步建立起自己的应用和开发者生态。 对于海外市场，华为目前仍采取循序渐进的策略。余承东表示，公司正在考虑逐步将HarmonyOS推向全球，但目前仍处于初步计划阶段，未来将“慢慢推进、一步一步”。 内存涨价令单机成本增加超200美元，华为利润率大幅下滑 真正让华为面临压力的，是内存成本大涨。余承东表示，内存价格大幅上涨后，每部手机新增成本超过200美元。由于华为手机采用的内存规格较高，受到的成本冲击也更明显。 面对成本上涨，华为此前选择自行吸收部分成本，没有快速将压力完全转嫁给消费者，并以较慢速度提高售价。但余承东坦言，这已经导致华为整体利润率“急剧下降”。 “未来我们也不得不提价。”余承东表示，如果持续亏损，业务将无法维持，公司首先需要“生存下去”。 他认为，手机价格普遍上涨后，低端市场将承受更大压力，厂商会进一步向中端和高端市场集中。对于华为而言，高端市场本身就是其优势所在。

三星电子三季度营业利润创下历史新高，AI基础设施投资热潮推动存储芯片需求持续爆发，令这家全球最大存储芯片制造商坐收丰厚红利。 周四，三星发布初步业绩指引， 2026年第三季度（7月至9月）合并营业利润约为107.4万亿韩元（约合801亿美元），较去年同期的12.17万亿韩元暴增近九倍，创下公司史上首次单季营业利润突破百万亿韩元的历史纪录。 这一数字超越LSEG综合预估的106.1万亿韩元，但略低于彭博分析师均值预期的108.7万亿韩元。 三季度营收约为195万亿韩元，同比增长127%，亦低于市场预期。 这是三星连续第四个季度刷新营业利润纪录。 此番业绩的驱动力集中于内存芯片业务，传统DRAM及NAND芯片供应偏紧、高带宽内存（HBM）需求强劲共同推高价格，令芯片部门盈利大幅扩张。 分析人士预计，供需失衡格局有望延续至2027年，届时AI相关需求将消化全球内存产能中日益增大的份额。 三星将于本月29日发布含各业务分部拆分的完整财报。 AI需求爆发，供需缺口撑起芯片涨价 AI数据中心建设加速是本轮内存超级周期的核心驱动力。数据中心开发商为抢购AI服务器所需内存芯片而竞相下单，令供应端压力持续攀升。 传统DRAM与NAND芯片供应受限，叠加用于AI大规模数据处理的高带宽内存（HBM）需求持续扩张，推动整体内存价格大幅上行。 研究机构Counterpoint Research已将三季度DRAM价格涨幅预测从此前的环比5%至10%上调至10%至20%，理由是客户普遍提前下单，供应商定价权明显增强。 分析师普遍预计，供应增速将持续落后于需求，这一缺口在2027年或将进一步扩大，届时AI相关需求将吸纳全球存储产能中越来越大的份额。 HBM份额提升，三星追赶SK海力士 在HBM这一AI加速器核心配套芯片市场上，三星正逐步缩小与竞争对手SK海力士之间的差距。 分析师指出，传统DRAM出货量受库存水位限制，预计环比基本持平；但受HBM4强劲需求带动，HBM出货量有望较上季度大幅提升。 Douglas Research Advisory的Douglas Kim估计，三星三季度HBM位出货量环比增幅接近50%。 与此同时，三星和SK海力士正双管齐下，一方面扩大产能，另一方面加大对AI领域企业的战略投资，以期进一步催生对自身产品的需求。 不过，韩元升值构成一定拖累。海外以美元计价的销售额折算成本币后，实际收入有所缩水，部分抵消了出货量增长带来的收益。 分析师预计，三星芯片部门单季营业利润可达110万亿韩元，成为整体业绩的绝对支柱；而其消费电子部门则预计录得亏损。 存储芯片价格上涨在提振半导体业务利润的同时，也推高了三星智能手机及其他电子消费品的零部件成本，令相关部门利润率承压。

三星电子高管预计，高带宽内存（HBM）在全球DRAM晶圆产能中的占比将持续攀升，对传统内存供应形成挤压，并推动整体内存价格进一步上行。 据路透社报道，三星电子执行副总裁Kim Taewoo表示 ，HBM预计将在明年（2027年）占据全球DRAM行业晶圆总产能的近30%，高于目前约20%的水平。 Kim Taewoo同时指出， HBM与传统DRAM共用同一晶圆产能，HBM的持续扩张将进一步压缩传统DRAM的供应空间。 市场研究机构TrendForce预计，受AI服务器需求持续增长驱动，HBM与传统DRAM对先进制程及晶圆产能的竞争将延续，叠加次世代产品良率与产出爬坡需要时间，2027年内存市场供应料将维持偏紧态势。TrendForce已上调2027年HBM价格展望，预计混合平均售价（Blended ASP）将同比大幅跳升121%。 三星HBM产能扩张提速，HBM4系列主导出货 在公司层面，三星的HBM产能扩张力度同样不容小觑。据首尔经济日报援引业界估算，三星HBM晶圆月均投片量有望从今年约18万片提升至2027年的约25万片，增幅接近40%。 产品结构方面，随着HBM4E量产规模逐步扩大，HBM4系列产品预计将占三星明年HBM出货量的约80%，较今年约40%的占比大幅提升。这一结构性转变意味着更高单价产品在出货组合中的权重显著增加，将进一步支撑整体售价中枢上移。 HBM晶圆消耗效率是传统DRAM三倍，供应挤压效应被放大 HBM对传统DRAM供应的冲击，因其更高的晶圆消耗特性而被进一步放大。据集微网（ijiwei）数据，HBM消耗的晶圆面积约为传统DRAM的三倍——单颗HBM芯片所占用的晶圆面积，大致相当于生产3GB DDR5所需的面积。 这意味着，当HBM在DRAM产能中的占比从20%提升至30%时，传统DRAM供应实际受到的排挤幅度，可能达到该比例变化的两到三倍。对于依赖传统DRAM的消费电子、PC及服务器等下游市场而言，供应收紧的压力或将比表面数字所呈现的更为显著。 供应持续偏紧，2027年HBM价格展望大幅上调 产能结构性转移与需求持续旺盛，共同构成内存市场价格上行的核心驱动力。TrendForce指出，供应约束的持续性、HBM4等高价产品占比的提升，以及HBM4E在2027年下半年的逐步量产，均是推动价格预期上调的关键因素。 TrendForce已据此上调2027年HBM混合平均售价预测，预计同比涨幅达121%。在供应商层面，TrendForce亦注意到，各大内存厂商在2027年HBM定价谈判中普遍采取了更为强硬的立场，进一步印证了市场对供应偏紧局面的预期。

三星电子代工事业部正加速推进2纳米制程良率提升，并将特斯拉订单作为打入大型科技客户的战略跳板。 9月28日，据韩国媒体ChosunBiz援引业内人士透露， 三星电子2纳米制程良率已从此前市场普遍认知的55%左右进一步改善，目前已接近60%水平。 在良率趋于稳定的背景下，三星正将工程资源集中投入到功耗与散热性能的优化工作，以期在与潜在大客户的技术谈判中建立信任基础。 与此同时，用于弥补现有制程性能短板的第二代2纳米工艺SF2P也在加速推进，目标今年内实现量产。 分析认为此举具有明确的战略指向： 以明年向特斯拉供应2纳米芯片为契机，全面打开大型科技公司订单的突破口。 良率接近60%，功耗效率成关键变量 根据报道援引业内消息，三星SF2制程良率的改善轨迹清晰： 去年年中约为30%，今年1月升至50%区间，8月前后达到55%左右，目前已逼近60%。 SF2是三星首款采用全环绕栅极（GAA）架构的2纳米量产制程，首款量产产品为自研移动应用处理器Exynos 2600，已搭载于年初推出的Galaxy S26系列部分机型，在京畿道华城S3产线生产。 三星在该芯片封装上采用了铜散热模块，使热阻降低30%。 然而，Exynos 2600上市后在部分海外测试中显示，执行相同任务时功耗高于高通骁龙最新产品，引发外界对制程能效的质疑，部分观点认为这反映出SF2制程本身的局限性。 针对上述问题，三星已在准备第二代2纳米制程SF2P，目标今年内量产。据悉，SF2P相较SF2性能提升12%，功耗降低25%，芯片面积缩小8%。 三星目前的工程重心，在于确保量产阶段产品性能的一致性。具体而言，是要将芯片装入客户产品后的散热与功耗偏差控制在可接受范围内。这一能力将成为三星与大型芯片设计公司（Fabless）谈判时的核心技术背书。 台积电霸占龙头，三星与英特尔争夺第二 目前全球先进制程代工市场呈现明显的"一超两强"格局。 台积电凭借苹果、AMD、英伟达等核心客户，在今年第二季度录得72.5%的市场份额，而三星代工的份额仅为5.9%，两者差距进一步扩大。 台积电2纳米晶圆价格已稳定在约3万美元，较3纳米（约2万美元）高出50%，且对大客户亦维持"不折扣"原则。业内人士普遍认为，台积电2纳米产能已预订至2028年。 英特尔方面 ，其2纳米级制程18A已在美国亚利桑那州Fab 52量产，所生产的Panther Lake处理器帮助英特尔在AI PC市场占据56%份额，在自有产品线上取得一定成果。 但18A在外部客户招募方面尚无明显进展，据悉英特尔内部倾向于将外部客户突破的希望寄托于计划于2027年后量产的下一代14A制程。 在此背景下，业内普遍预期市场格局将呈现台积电主导、三星与英特尔争夺第二梯队的竞争态势。对于三星代工业务的盈亏平衡节点，市场主流观点认为须与德克萨斯州Taylor晶圆厂的产能利用率联动观察。 一位半导体行业人士表示： 良率接近60%，以及功耗优化工作的启动，是有意义的反弹信号。 但同时指出： 与台积电的市场份额差距过大，要实现真正的市场格局转变，仍需要更多时间。

AI芯片军备竞赛正在重塑全球最先进晶圆产能的扩张节奏。 据中国台湾媒体《经济日报》9月28日消息，苹果、英伟达、AMD、高通、联发科等科技巨头近期集体追加台积电2纳米家族产能预订，增幅达 10%至20% 。受此驱动，台积电大幅提速2纳米扩产计划， 今年底月产能目标直指12万片 ，较市场此前预估的9万至10万片大幅超出，且相当于将原定2027年的产能目标提前两年实现。这一扩张速度已被台积电官方确认为史上最快。 台积电资深副总暨副共同营运长侯永清在今年台积电北美技术论坛披露，为应对AI等强劲需求， 今年将首度同时有五座2纳米厂同步放量 ，涵盖新竹两座、高雄三座。他同时指出，2纳米第一年晶圆产出将较2023年3纳米第一年产出增加 45% ，2026年至2028年2纳米产能年复合成长率将高达 70% 。 与此同时， 台积电3纳米产能扩张亦在同步推进。 南科3纳米今年第四季月产能将接近18万片，并在中国台湾、美国亚利桑那州及日本新增三座3纳米晶圆厂，全面布局全球先进制程供应链。 客户追单踊跃，2纳米扩产进度大幅超前 市场原本预估，台积电2纳米家族今年底月产能约为9万至10万片，2027年在持续双位数成长下方可达到11万至14万片区间。然而，据报道，业界消息人士透露，由于苹果与非苹客户群需求强劲， 台积电2纳米家族新产能开出速度与规模均创历史纪录，远超3纳米家族第一年的产能爬升速度 。 此番追单的客户阵容涵盖AI芯片与高速运算（HPC）领域的核心玩家——苹果、英伟达、AMD、高通及联发科，追加预订幅度介于10%至20%之间。报道称，台积电一贯不评论客户信息与市场传闻，但侯永清在北美技术论坛的公开表态已从官方层面印证了这一扩产加速的事实。 据报道，业界分析指出，台积电大举扩充2纳米家族产能，对于上述需要大规模且稳定先进制程晶圆制造支援的客户而言至关重要，有助于锁定供应链安全并支撑各自的AI产品路线图。 五厂同步放量，2纳米爬坡速度史上最快 据报道，侯永清在北美技术论坛的表态是迄今最为明确的官方扩产信号。 今年同时有五座2纳米厂放量 ，在台积电历史上尚属首次，这一部署规模本身即反映出需求端的紧迫程度。 从量化指标来看，2纳米第一年晶圆产出较2023年3纳米第一年产出增加45%，意味着台积电在更先进制程节点上实现了更陡峭的产能爬坡曲线。 2026年至2028年，2纳米产能年复合成长率预计达70% ，这一增速在半导体行业属于极为罕见的高强度扩张。 相比之下，台积电3纳米产能的扩张节奏相对平稳——2022年至2027年年复合成长率预计约为25%。两者增速的显著差距，折射出市场对更先进制程需求的快速向前迁移。 3纳米全球布局同步推进，美国新厂2027年量产 在2纳米加速扩产的同时，台积电3纳米产能扩张亦未放缓。 南科3纳米今年第四季月产能将接近18万片 ，乐观预期2027年逼近20万至21万片，年增约16%。 在全球产能布局层面，台积电正新增三座3纳米晶圆厂，分别位于中国台湾、美国亚利桑那州以及日本，以支应未来3纳米制程的持续需求。此外，台积电在中国台湾持续将5纳米设备转换以支援3纳米产能，进一步提升现有厂区的利用效率。 美国新厂第二座晶圆厂将采用3纳米制程技术，目前已完成兴建，计划于2027年下半年开始量产 ，这将是台积电在美国本土落地的最先进制程节点，对于满足美国本地客户的供应链需求具有重要战略意义。 分析人士认为，台积电此轮2纳米扩产提速，对市场的直接影响体现在多个层面。 对客户而言 ，产能提前释放意味着苹果、英伟达等大客户能够更早获得充足的先进制程晶圆供给，有助于加快AI芯片及终端产品的量产节奏，降低供应链瓶颈风险。 对台积电自身而言 ，2纳米产能的超预期扩张将显著增厚先进制程营收贡献，叠加3纳米全球多点布局，整体营运动能有望持续强化。 对整体半导体产业而言 ，台积电在最先进制程节点上的快速扩产，进一步巩固其在全球晶圆代工市场的主导地位，同时也意味着AI基础设施投资热潮正在从芯片设计端向制造端加速传导。

马斯克旗下人工智能公司xAI正在加速扩充AI算力。 当地时间9月25日，马斯克在社交平台X上表示，其AI计算集群Colossus 2目前已部署 11万颗英伟达GB200和44万颗GB300，共计55万颗芯片 ，年底前芯片数量可能超过目前水平的两倍。 马斯克透露，Colossus 2还将迎来密集扩容： 22万颗GB300预计下周正式投入运行，另外22万颗将于11月上线；如果进展顺利，12月底前还可能再上线22万颗GB300。 按照这一扩容计划，Colossus 2到年底最多可能新增66万颗GB300，芯片总数将达到 121万颗左右 ，较目前的55万颗增加约120%。 这也意味着，Colossus 2将在未来几个月迎来大规模算力扩张，新增芯片几乎全部来自英伟达GB300。 马斯克同时披露，Colossus 1目前拥有 15万颗H100、5万颗H200和3万颗GB200 。此前，xAI曾表示，计划到2026年让其位于美国孟菲斯的数据中心配备 100万颗GPU 。 此次马斯克进一步公布Colossus 2的扩容时间表，显示xAI仍在快速扩大AI基础设施规模。随着GB300芯片持续上线，xAI的数据中心算力将在今年年底前进一步提升，以支撑其AI模型训练和推理需求。