周二盘中刚刚缓和的芯片股抛售潮周三再度加剧，美光科技、SK海力士等存储芯片股重新走弱，行业指标费城半导体指数（SOX）到收盘跌超4%，连续第六个交易日收跌。 媒体指出，随着利率上升、估值偏高和AI基础设施建设成本高企等担忧不断累积，SOX成分股的总市值一周来蒸发超过1万亿美元。美东时间14日周三盘中，SOX跌幅超过3%时，该指数过去六个交易日的累计跌幅已达到10%，超过一半的SOX成分股六日内跌幅至少达10%。 这轮调整正在从短期获利了结演变为对AI投资逻辑的全面检验。9月美国CPI通胀强于预期，进一步强化了市场对美联储可能继续加息的担忧；博通CEO陈福阳此前警告AI行业可能受到资金约束；而即使半导体设备龙头ASML交出强劲业绩、上调全年销售指引，也未能有效提振芯片股。 市场真正追问的，已经不只是AI需求是否旺盛，而是巨额资本开支能否转化为可持续的盈利增长，以及当前估值是否已经透支未来收益。 SOX面临六连跌，全球芯片股市值蒸发风险逼近万亿美元 周三盘中，费城半导体指数刷新日低时跌幅接近4.7%，最终收跌4.3%，连跌六个交易日，连续两日创2025年5月以来最长连跌日。 个股层面，调整已从存储芯片扩散至芯片设计和制造设备领域。彭博数据显示，过去六个交易日中，超过半数SOX成分股跌幅至少达到10%。Arm美股（ARM）同期累计下跌近20%，应用材料（AMAT）下跌约15%，英特尔（INTL）累跌约11%，GlobalFoundries（GFS）则是同期唯一累涨的成分股。 到周三收盘，Arm跌6.8%，英特尔跌近4.6%。在周二盘中跌势有所缓和后，存储芯片股再度集体走弱：SK海力士美股（SKHY）跌超6%，闪迪（SNDK）跌超5%，希捷科技（STX）跌4.5%，美光科技（MU ）和西部数据（WDC）跌超4%。 从韩国、日本到美国，存储芯片股此前已经历剧烈调整，如今跌势进一步扩展至芯片设计和设备制造商，显示投资者正在降低对整个半导体板块的风险敞口。 彭博指出，按近期跌幅推算，SOX成分股面临超过1万亿美元的市值损失风险。这并不意味着相关市值已经全部蒸发，而是意味着若跌势持续，全球半导体行业可能面临规模惊人的估值回撤。 通胀升温、加息担忧重燃，AI高估值面临压力 推动芯片股继续下跌的因素之一，是宏观利率环境再次趋紧。 美国9月通胀数据强于市场预期，消费者价格涨幅达到4月以来最高水平，燃料成本上升是重要推手。这一数据强化了市场对美联储后续可能进一步加息的预期，即使美联储在本月晚些时候的会议上暂时按兵不动，投资者对未来利率路径的判断也已发生变化。 对于估值较高、盈利预期高度依赖未来增长的科技股而言，利率上升意味着未来现金流的折现价值下降，也会提高企业融资和扩张的成本。半导体企业既受益于AI基础设施建设，又面临巨额资本投入和较长的回报周期，因此对利率变化尤其敏感。 与此同时，AI交易本身也在面临重新审视。博通CEO陈福阳本周早些时候将部分追逐AI热潮的投资者比作赌场赌徒，并警告行业可能受到资金约束。这一表态进一步加剧了市场对AI投资热潮可持续性的担忧。 过去几年，投资者愿意为算力需求快速增长支付高估值；如今，市场开始更严格地衡量企业的融资能力、资本开支规模和实际盈利兑现速度。当通胀推高利率预期、资金成本上升与估值压力同时出现时，即便行业长期需求仍然强劲，相关股票也可能经历剧烈调整。 ASML业绩强劲，为何仍然救不了芯片股？ 本周芯片股跌势加剧之际，半导体设备龙头ASML公布了强劲的季度业绩，并上调全年销售指引，客户对未来数年的设备需求也相当旺盛。然而，这份财报仍未能扭转整个芯片板块的跌势。 《巴伦周刊》分析认为，关键在于ASML处于半导体产业链的上游。其光刻设备需求旺盛，能够说明芯片制造商仍在规划产能扩张，却不能直接证明芯片制造商的下游客户会持续以同样的速度购买芯片。 ASML的客户包括台积电、英特尔等芯片制造商，而推动当前AI投资周期的关键终端客户，则是微软、谷歌、亚马逊等大型云服务商及其他超大规模数据中心运营商。对于芯片制造商而言，设备订单和长期产能规划固然重要，但更直接影响收入和利润的，是下游客户能否持续采购芯片，以及这些采购能否带来足够的回报。 ASML强劲的业绩说明AI相关设备需求仍有韧性，但这并不能完全消除市场对AI资本开支效率的担忧。换言之，设备商的订单能见度与芯片企业的盈利兑现，并不是同一回事。 此外，ASML的强劲需求还可能带来另一重影响：如果设备供应紧张推动其提高产品价格，台积电、英特尔等客户未来的设备采购成本也可能随之上升。对本就需要投入巨额资金建设先进制程产能的企业而言，这可能进一步增加资本开支压力。 因此，ASML财报未能提振整个芯片板块，并不必然意味着AI需求已经转弱，而是表明市场不再满足于看到上游订单增长，还希望确认整条产业链都能从AI投资中获得可持续的盈利。 华尔街下调预期：AI投资要从支出转向盈利 瑞银首席投资办公室的乌尔里克·霍夫曼-布尔查迪在周三的一份研究报告中指出，近期全球芯片股面临的压力不断加大。她认为，AI领域竞争加剧、融资需求上升和利率走高，都可能不时放大市场波动，但本轮调整更像是对市场预期的重新校准，而非AI投资逻辑发生根本性断裂。 这一判断反映出市场当前的分歧：一方面，AI基础设施建设仍可能持续多年；另一方面，投资者开始质疑资本开支的增长速度是否可持续，以及由此产生的收益能否满足此前过高的预期。 彭博指出，市场接下来的一个重要观察窗口，是Anthropic据称本周三在旧金山举行的投资者活动。华尔街希望从这家AI公司的披露中了解其收入运行速度，以便更准确地判断AI企业的收入增长能否支撑持续扩大的算力支出。 瑞银建议投资者重点关注AI支出究竟能否转化为可持续的盈利增长，以及AI在企业和消费者端的应用是否继续扩大。与单纯追踪资本开支规模相比，这些指标更有助于判断当前投资热潮能否形成稳定的商业回报。 如果AI企业能够持续扩大收入、提高盈利能力，并证明巨额基础设施投资具有合理回报，那么当前调整可能更多是估值和预期的重新校准。反之，如果支出增长快于收入和现金流改善，市场对高估值的容忍度就可能进一步下降。 AI行情尚未被证伪，但市场正在提高回报门槛 从连续下跌的SOX，到ASML强劲财报未能带来的板块反弹，再到通胀和利率预期重新施压，当前芯片股行情显示，投资者正从追逐AI增长转向检验AI投资的实际经济回报。 这并不意味着AI需求已经崩塌。ASML的订单和销售展望仍显示，半导体设备需求具有较强韧性。但对于芯片制造商和AI基础设施企业而言，市场开始要求更充分的证据，证明持续增加的资本开支能够带来相应的收入、利润和现金流。 在这一背景下，超过1万亿美元的潜在市值损失，不仅反映了近期抛售的规模，也凸显了市场定价逻辑的变化：AI仍可能是长期增长的重要驱动力，但相关企业已经不能仅凭增长故事获得估值溢价。 接下来，AI企业的收入运行速度、资本开支回报率，以及高利率环境下的融资能力，将成为决定芯片股能否企稳的关键变量。

英伟达首席执行官黄仁勋表示，若有客户开发不安全的AI软件，他将停止向其供应芯片，但同时强调，目前市场对AI安全风险的担忧程度超出实际情况，AI泡沫论同样言过其实。 黄仁勋是在伦敦接受彭博专访时作出上述表态的。他正在欧洲巡访，为公司即将在柏林举办的活动造势。他表示，在切断供应之前会先与相关客户沟通，并指出英伟达的技术属于通用技术，公司在评判他人使用方式时存在边界。 与此同时，英伟达宣布将在五年内向英国AI安全研究捐助2.5亿美元，以实际行动表明对该议题的承诺。 周三，英伟达与其他芯片股大跌，黄仁勋重申对AI基础设施需求的乐观判断，称供需失衡状态将持续数年。"供需最终会趋于平衡，但绝不是今天。"他在伦敦的活动上说。 有限的供应端把关 英伟达是AI加速芯片市场的主导供应商，其产品是训练和运行AI模型的核心硬件，这一地位令其在AI安全辩论中处于风口浪尖。 面对外界追问， 黄仁勋明确表示，若客户被认定在开发不负责任的AI，他愿意停止供货——"这是个假设，但答案是肯定的。" 不过，他同时划定了英伟达介入的边界。"我们不替别人管公司，我们对其他公司如何使用我们技术的判断是有限度的，我们的技术是通用技术。"他说，切断供应前会先进行对话沟通。 这一表态反映出，作为关键硬件的卖方，英伟达在面对AI安全争议时，正在寻求在行业责任与商业中立之间保持平衡。 淡化行业安全忧虑 对于部分AI高管呼吁行业整体放缓发展步伐——例如Anthropic首席执行官Dario Amodei提出的全行业减速建议——黄仁勋持不同看法。 他将当前的安全忧虑定性为快速扩张行业的"成长烦恼"，并相信AI软件可以被有效管控和安全部署。 "许多年轻公司正在经历成长的阵痛，它们成长得极为迅速，"他说，"随着公司的发展壮大，相应的责任与担当也将逐步成熟。" 他还指出，部分担忧是"自我施加的"，整个行业在向公众解释新技术的益处方面做得"很糟糕"。 以AI监控AI 在如何应对安全隐患的具体路径上，黄仁勋提出以技术应对技术的思路：AI本身可以成为监控和管控AI的工具。 "我们应该加速将这种防控技术整合到AI系统中，应该加速监控技术的发展，而AI就是这个监控者。所以，我们应该加速AI技术。"他说。 为支持这一方向，英伟达宣布捐助英国AI安全研究，资金将以使用先进计算机算力的方式提供。 英国多所学术机构将参与其中，包括牛津大学和伦敦大学学院，研究内容涵盖AI安全防护措施及AI智能体的管控方法。

9月14日，中国海关总署公布数据显示，9月进口同比增长31.0%，高于8月的28.2%，大幅超过经济学家此前预测的24.5%，进口总额达3136.5亿美元。 部分大宗商品进口出现下滑。海关数据显示，9月原油进口量同比下降21.5%，大豆进口量同比下降7.7%。 ANZ Research高级中国策略师Xing Zhaopeng表示，展望未来，油价不确定性仍是进口端的关键变量。 按照 数量 计算，中国9月集成电路、天然气及铜矿石及其精矿的进口量同比分别增长1.67%、下跌1.67%和下跌4.06%。成品油、原油、钢材的进口量同比分别下跌53.16%、21.49%和10.25%。 按照 金额 计算，中国9月集成电路、煤炭及未锻轧铜及铜材进口金额同比分别增长66.08%、38.31%和31.3%。成品油、铁矿砂及其精矿及大豆进口金额同比分别下跌29.97%，11.95%和2.22%。 出口增速创年内次高，科技产品持续驱动 9月出口同比增长36.3%，高于8月的25.0%，是今年2月出口增速达39.6%以来的最快增速，出口总额达4471.8亿美元，超出有关调查预测的25.7%增速。 海关总署副署长王军表示， 出口增长主要由芯片和电子元件等科技类产品拉动，全球对人工智能算力和电力基础设施的需求持续旺盛。 从产品看， 集成电路9月出口量同比仅增1%，但受全球AI基础设施建设推动的内存芯片短缺影响，出口价格大幅上涨，金额同比增长136%。 前三季度半导体出口金额同比增长108.1%。 ING大中华区首席经济学家Lynn Song表示，中国出口产品正向高附加值领域升级，增速最快的出口品日益集中于更高利润率的商品，而低端制造业则逐步向其他地区转移。 海关数据显示，海关总署周三公布的数据显示， 中国9月稀土出口量为4269.8吨，同比增长6.7% ，海外采购需求在夏季淡季后有所回升。9月出口量较8月的4735吨环比下降9.8%，但高于2025年同期的约4000吨。 稀土是包括电动汽车、风力涡轮机及国防技术在内的关键产业所依赖的17种矿物元素的总称，中国是全球最大的稀土生产国和出口国。

阿斯麦第三季度净销售额116.6 亿欧元，市场预期117亿欧元；第三季度净利润49.6亿欧元，市场预期 41.1 亿欧元。 阿斯麦表示正在评估在2028年将产能较此前已公布的30%增幅进一步提升的可能性。 阿斯麦：客户已表达对2029年和2030年设备下单的兴趣。目前2027年和2028年的供应规模无法完全满足市场需求。

AI驱动的存储芯片超级周期仍在延续，但存储股的投资逻辑正在发生变化。 摩根士丹利最新报告指出，尽管供需紧张、价格上涨和盈利改善仍为行业提供强劲支撑，但随着股价大幅上涨、盈利预期集中上修，存储股的乐观预期已得到充分定价，进一步上涨的空间面临考验。 核心矛盾在于，存储行业基本面越强，周期顶部的风险反而越容易被低估。 历史上，存储股往往在盈利达到峰值之前见顶，因为市场习惯将当期的高盈利水平外推至未来，导致股票在行业景气度最高时，估值看起来反而最便宜。 在此背景下，大摩认为，存储行业的高景气未必能转化为存储股的持续超额回报。随着市场对盈利增长的预期不断抬高，AI算力与网络供应链的相对投资吸引力正逐渐超过存储板块。 超级周期延续，但周期性并未消失 本轮存储行业的繁荣有坚实的需求基础。 AI数据中心建设持续推高内存需求，高带宽内存（HBM）占AI服务器芯片成本的近半。长期供货协议通过锁定采购承诺、设置价格底线等方式，提高了供应商的收入可见性。与此同时，HBM生产挤占传统DRAM产能，新一代AI模型对内存容量的需求不断提升，进一步加剧供需紧张。 大摩数据显示， 当前HBM每GB价格已达到历史峰值的近7倍，反映出本轮存储周期的强劲程度。但行业增长的结构性增强，并不意味着存储股的投资回报也会随之改善。 高利润终将吸引新增产能，随着供给追上需求，或下游进入库存消化阶段，价格和盈利就可能触顶。2000年、2016年、2019年和2022年的历史周期均体现了这一规律。 报告认为， 本轮周期的拐点可能更晚出现，但仍需警惕2027年以后供需格局的变化。 盈利预期过高，低市盈率暗藏陷阱 本轮周期自2025年9月启动以来，亚洲存储股累计上涨约9倍，总市值已迈入万亿美元级别。大摩数据显示，市场对亚洲存储公司的每股收益（EPS）一致预期平均上调了432%，反映出市场对本轮周期的盈利前景抱有极高期待。 然而，盈利持续增长不代表股价仍有同等幅度的上涨空间。 三星和SK海力士目前的远期市盈率约为3至4倍，表面上估值便宜，却也可能是周期股在盈利高峰附近出现的估值陷阱。大摩指出，若要支撑当前股价隐含的进一步上涨空间，DRAM合同价格还需在现有水平上环比上涨约70%，实现难度很大。 历史经验同样值得警惕：2008年和2012年，存储股均比盈利峰值提前约4个月见顶；2018年，这一时间差扩大至8个月。 存储股往往在盈利最强、估值看似最便宜时，率先反映市场对未来景气回落的担忧。 HBM与DRAM景气延续，供给风险渐近 短期来看，存储行业基本面仍有支撑。大摩预计，HBM价格将在2027年继续上涨，传统DRAM和NAND合同价格也有望在2026年第四季度进一步走高。AI服务器需求旺盛、传统DRAM产能向HBM转移，以及企业级固态硬盘（eSSD）需求增长，共同支撑当前的涨价行情。 但供给端的变化不容忽视。 存储厂商正大幅增加资本支出，新增产能预计从2027年下半年开始逐步释放。与此同时，消费级NAND市场可能面临价格回落压力，不同存储品类的景气表现或将出现分化。 数据中心架构演进也可能改变产业链的收益分配。大摩测算，英伟达NVL72单机架系统中存储相关内容占比约为29%，扩展至8个互联机架后降至19%，而网络设备占比则从10%升至20%。 随着AI集群规模扩大，网络硬件在系统价值中的权重提高，存储厂商未必能同比例受益于基础设施投资增长。

SK海力士正在以两项突破性技术重新定义AI基础设施的内存架构边界。在2026年OCP全球峰会上，这家韩国存储巨头发布了MARS内存加速架构与HBF高带宽闪存技术，剑指当前AI推理与训练中日益严峻的内存瓶颈问题。 SK海力士高级副总裁Hoshik Kim在峰会上披露， MARS系统可将多轮AI推理场景中的首次标记时间（TTFT）提升3至5倍，尾延迟亦大幅压缩 。这一性能跃升直接针对现有以处理器为中心的集群架构所固有的资源失衡问题，有望降低GPU过度配置带来的总拥有成本（TCO）。 与此同时， HBF技术在保持接近HBM级别带宽的前提下，将容量扩展至HBM的14倍，并计划于2028年初推出样品。 上述两项技术的发布，标志着SK海力士在HBM主赛道之外开辟了一条差异化路线。在HBM供应持续紧张、英伟达等AI芯片厂商对高带宽内存需求居高不下的背景下，这两项技术或将对现有AI存储架构形成重要补充，并对存储产业链竞争格局产生深远影响。 MARS：以内存解聚打破GPU过度配置困局 传统以处理器为中心的分布式计算集群面临结构性瓶颈。Kim在峰会上指出，现有架构存在两大核心缺陷：其一，资源失衡——某台服务器上的闲置内存无法便捷地与其他节点共享；其二，扩展僵化——增加内存容量往往意味着购置整台新服务器节点。这两大问题叠加，迫使运营商不得不对GPU进行过度配置，推高TCO并造成系统效率低下。 MARS（Memory-Centric AI Rack-Scale System）的核心逻辑在于内存解聚。Kim将其描述为"将内存从传统CPU/GPU服务器约束中解耦，构建一个专用的大规模内存池"，从而实现从"单服务器内存余量"向"池化级效率"的跨越。在架构层面，MARS将这一内存托盘级内存池的概念进一步扩展至机架规模，使计算与内存作为共享基础设施协同运作。 在实际应用场景中，MARS的价值尤为突出。Kim以多轮AI智能体推理服务为例说明，该系统能够将多轮对话中急剧膨胀的KV缓存存储于共享内存系统，而不会耗尽GPU内存与存储资源。据TrendForce现场报道，Kim援引测试数据称，与重新计算方案相比，MARS可实现TTFT提升3至5倍，尾延迟的改善尤为显著。 对于AI推理服务商而言，TTFT是衡量用户体验的关键指标，尾延迟的压缩则直接关系到大规模并发场景下的服务稳定性。MARS所针对的GPU过度配置问题，亦是当前AI数据中心运营成本居高不下的重要根源之一。 HBF：以容量换取架构弹性，2028年进入样品阶段 HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）是SK海力士在HBM之外布局的另一技术路线。Kim在峰会上明确了HBF与HBM的定位关系："HBF将HBM级别的带宽扩展至机架规模的容量……HBF的带宽约为HBM的一半，但容量约为HBM的14倍。" 这一定位揭示了HBF的核心价值主张：以适度的带宽折让换取大幅扩展的容量空间，从而在机架层面构建更具弹性的存储层级。对于大模型推理中需要承载海量参数与上下文的场景，容量瓶颈往往比带宽瓶颈更为制约系统性能，HBF的14倍容量优势因此具有实质性意义。 在技术路线图方面，SK海力士已于今年7月发布OCP HBF规范0.7版本，预计明年初推出1.0版本，HBF Cube样品则计划于2028年初提供。这一时间线意味着HBF距离大规模商业化部署仍有约两年窗口期，但规范的持续推进表明产业标准化进程正在加速。 对AI芯片与存储产业链的潜在影响 MARS与HBF的发布，折射出存储厂商在HBM供应紧张背景下寻求多元化突破的战略意图。当前，HBM产能高度集中，英伟达等AI芯片厂商对HBM的旺盛需求持续推高供应压力，这为替代或补充性内存架构提供了市场空间。 从技术逻辑看，MARS并非直接替代HBM，而是通过内存解聚在系统架构层面提升整体内存利用效率，减少对GPU内存扩容的依赖。这意味着在不增加HBM采购量的前提下，数据中心运营商有望通过部署MARS改善推理性能，对HBM需求形成一定的边际抑制效应。HBF则在存储层级上提供了HBM的容量补充，有助于缓解大模型部署中的容量约束，但其带宽折半的特性决定了其更适合作为分级存储架构中的补充层，而非HBM的直接替代。 对于存储产业链而言，SK海力士此次在OCP峰会上的集中发布，亦是向云计算厂商和AI基础设施运营商传递技术路线图的重要信号。随着HBF规范走向1.0版本并于2028年进入样品阶段，围绕新型存储架构的生态竞争或将提前展开，三星、美光等竞争对手的应对策略值得持续关注。

亚太股市周二大幅下挫，AI交易热情消退与存储芯片竞争压力双重夹击，韩国和日本科技股首当其冲，MSCI亚太指数创逾两个月新低。 中国内存芯片厂商长鑫科技在新型内存架构方面取得进展；与此同时，美国国债收益率维持高位，令市场对AI资本支出前景愈发担忧。 由于市场情绪疲软，周二 韩国综合指数 开盘下挫，随后跌幅扩大至7%，一度触发交易所Sidecar熔断机制，暂停程序化卖盘五分钟； 三星电子 与 SK海力士 双双跌逾6%，走向五连跌。 日本方面， 软银集团 跌超8%， 东京电子 、 爱德万测试 等AI产业链个股均下跌超5%。 MSCI亚太指数 跌0.9%至270.78点，逼近8月中旬以来低点。 美国股指期货在亚洲早盘交易中走低。以科技股为主的 纳斯达克100指数期货 下跌0.5%，此前该指数周一回落；美国芯片制造商指数下跌2.7%。 存储竞争威胁加剧韩国芯片商压力 行业竞争格局的变化进一步打压了韩国芯片股的估值预期。 拖累主要来自内存芯片板块。长鑫存储总裁曹堪宇周末在行业活动上宣布，公司在下一代4F²存储单元架构上取得关键进展，计划2026年底前推出基于该架构的服务器内存产品。 这种设计用专有的垂直环绕栅极晶体管抑制漏电，能在单颗芯片上塞进更多存储单元，直接指向AI服务器所用的高毛利DRAM。 受此消息及隔夜美国芯片股下跌拖累。三星电子下挫6%，SK海力士则跌近8%，走向五连跌。 韩国综合指数开盘下挫，盘中跌幅扩大至7%。韩国交易所当地时间上午9:47启动Sidecar机制，此前KOSPI 200期货指数跌幅已持续逾一分钟超过5%，触发该机制并暂停程序化卖盘五分钟。 Eugene资管首席投资官Ha SeokKeun表示： 韩国芯片制造商的估值和股价，似乎正在受到景气周期能否持续至2028年及以后的不确定性拖累。 在日本，日经225指数跌幅超过2%，东证指数则相对抗跌，小幅下滑0.2%。日本央行行长植田和男原计划于当地时间下午1:00出席国会，市场对货币政策方向保持关注。 软银集团 跳空低开，随后持续下挫，跌幅近9%。 东京电子 、 爱德万测试 等AI产业链个股下跌超5%。 利率与盈利季构成下一关键变量 市场目光正转向即将到来的宏观数据与财报季。野村资产管理首席策略师Hideyuki Ishiguro表示： 部分投资者可能担忧，较高的债券收益率将影响AI相关融资，并导致资本支出放缓。 本周四，台积电季度财报将发布，被视为AI需求前景最重要的风向标之一。与此同时，美国消费者价格指数（CPI）数据将于本周公布，此前美国国债收益率已升至数十年高位。 Glenmede投资策略与研究主管Jason Pride表示： 本周CPI报告很可能是美联储10月会议前看到的最重要数据。在通胀没有明显超预期的情况下，美联储大概率会对下一次加息保持耐心。 美国大型银行财报季亦于周二正式启动，高盛、摩根大通、花旗集团和富国银行均将发布业绩。 据彭博行业研究数据，分析师预计标普500成分股第三季度利润同比增长约25%。Ameriprise首席市场策略师Anthony Saglimbene表示，银行股（反映消费与企业健康度）、大型科技股（AI货币化进展）以及能源股（油价驱动盈利的持续性），将是本轮财报季解读的三条主要线索。 其他资产表现 美元指数小幅下挫0.1%，回吐前一日部分涨幅。 10年期美债收益率下行3.7个基点至5.209%。 大宗商品方面，WTI原油跌0.9%，布伦特原油跌0.9%至约105.80美元/桶。 现货黄金延续隔夜跌势，周二亚太时段跌0.36%，报4157美元/盎司。

微软正加码自研AI芯片，计划以吉瓦级规模部署Maia系列芯片，逐步降低对英伟达GPU的依赖，并通过提升推理效率控制AI基础设施成本。 10月12日，据彭博报道， 微软周一宣布，新一代Maia 300芯片将于明年开始在数据中心部署，专为AI推理任务设计。微软预计，Maia 300每兆瓦可处理的token数量将比主流GPU系统高出40%，意味着在相同能耗下能够承载更多AI工作负载。 与已向云端客户开放自研芯片算力的谷歌和亚马逊不同，微软目前无意将Maia芯片的算力直接出租给外部客户。这一选择反映出微软的优先级：先用自研芯片满足自身庞大的AI服务需求，再将硬件效率优势转化为业务竞争力。 吉瓦级部署，能效优势是核心逻辑 微软加码自研芯片，本质上是为了提高AI推理效率、降低运营成本。 推理是指利用训练完成的AI模型执行实际任务，例如总结会议记录、回答研究问题等，也是AI应用运行过程中重要的算力需求来源。微软表示，Maia系列针对自有数据中心的推理工作负载进行专门设计，能够更高效地运行相关任务，并减少对英伟达GPU的采购需求。后者目前仍是微软推理业务的主要算力来源。 微软数据中心硬件业务负责人Rani Borkar表示： “我们相信，我们为这些工作负载打造了最佳产品。我们将从明年起以吉瓦级规模部署Maia，以实际行动支撑这一信心。” 前代产品已在多地落地，新款明年接力 微软的自研芯片战略早已启动。今年年初，公司开始在数据中心安装上一代产品Maia 200，目前该芯片已用于驱动Copilot等AI软件及其他任务。 Borkar介绍，Maia 200能够支持OpenAI模型、微软自研AI模型以及多个开源模型系列，部署范围覆盖美国、欧洲和澳大利亚的数据中心，为Microsoft Teams、Copilot等产品提供AI能力支撑。 新一代Maia 300预计将于明年启动部署。微软希望借助其能效优势，在持续扩张的AI业务中进一步优化算力配置，降低推理成本。 自研芯片赛道，微软追赶谷歌和亚马逊 在云计算巨头纷纷开发自研AI芯片的背景下，微软的布局相对滞后。谷歌和亚马逊起步更早，已在自研芯片领域建立先发优势，并将相关算力开放给云端客户使用。 微软则选择了不同的商业路径。Borkar表示： “我们自身的AI服务业务已经足够庞大，我们希望优先服务自己。” 这意味着，微软现阶段更倾向于将Maia芯片用于内部AI业务，而非通过出租算力直接创造收入。对投资者而言，Maia的商业价值将更多取决于其能否提高AI服务的运行效率、降低推理成本，并最终改善相关业务的利润率，而不是芯片租赁业务能够带来多少直接收入。

存储板块正经历一场由多重压力叠加引发的集中抛售。美光周一收跌3.88%，闪迪跌幅更深至5.97%，两只标杆股已连续七个交易日中六个交易日下跌，美光距6月高点跌幅接近20%，濒临技术性熊市。 此轮调整的导火索来自三重冲击： 韩国市场在假日后补跌、三星与SK海力士史上最大规模回购计划提前结束，以及长鑫科技（CXMT）在上海宣布4F²新一代DRAM架构取得关键进展并计划年底推出服务器内存产品。 高盛EMEA交易主管Rich Privorotsky将这一局面概括为“存储仍是震中”，并直指市场核心忧虑： 尽管近期基本面极为亮眼，但峰值盈利的担忧正在压制估值 。 然而，市场的悖论在于，存储行业的基本面从未如此强劲，但投资者已将目光投向2027至2028年： 届时中国存储产能持续扩张与韩国新晶圆厂同步投产，供需格局或将逆转 。正如Pictet的Jon Withaar， 存储股“已成为价值股，以当前盈利衡量估值便宜”，但“散户和快钱对冲基金追逐的是成长，而非价值” 。 韩国市场补跌，回购托底消失 韩国综合股价指数（KOSPI）周一大跌3.65%，收于6384.2点，收盘价紧贴200日均线支撑位6376点。科技权重更高的KOSDAQ跌幅达4.8%，半导体指数KRXSEMI下挫5.2%。SK海力士与三星各跌约4.5%，据高盛首尔交易台描述，当日走势“从开盘起便是单边下行”。 此次补跌的直接原因是韩国市场在韩文日假期休市后，需要消化美国芯片股此前两个交易日的跌幅。外资连续第五日净卖出，科技板块单日净卖出规模达13亿美元，其中SK海力士遭抛售7.82亿美元，三星遭抛售4.15亿美元。散户逆势承接，在三星净买入7.1亿美元，但高盛指出，散户净买入规模呈下降趋势。 更深层的结构性问题是回购托底的消失。 据此前报道，三星与SK海力士合计约55万亿韩元（约400亿美元）的回购计划——韩国史上规模最大——已提前数周结束，三星回购于10月6日实际终止。自回购结束后的三个交易日，KOSPI已累计下跌约8%。KOSPI目前较6月22日历史高点下跌约30%，SK海力士跌幅更深达45%。 分析认为，韩国市场在存储上行周期中率先领涨，在下行周期中也率先破位，或再度扮演领先指标的角色。 长鑫4F²突破，供给端长期隐忧升温 周末来自上海的消息成为此轮抛售的重要催化剂。据 上证报 报道，在10月9日至10日举行的第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫科技总裁曹堪宇宣布，公司在4F²架构研发上取得关键进展，并官宣 预计年底推出融合4F²架构、混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品 ，直接面向服务器内存市场。 4F²架构的核心意义在于密度跃升。 当前DRAM行业主流为6F²架构，即每个存储单元占据6倍最小特征尺寸的平方面积。4F²意味着每个单元面积缩减约三分之一，理论上可在相同晶圆面积、相同制程节点下实现约50%的存储密度提升。长鑫4F²架构的核心创新是自研的VSG（Vertical Surrounded Gate，垂直包围栅）晶体管，通过垂直包围沟道结构增强栅控能力，同时解决漏电与短沟道效应问题，并借助晶体管竖立布局实现面积微缩。 从6F²到4F²的跨越，本质上是晶体管沟道方向从水平布局向垂直布局的根本性变革，需要整合全新工艺流程，无法沿用6F²时代的设计与制造体系。长鑫还将DRAM与CMOS工艺解耦，通过晶圆级混合键合实现高速互联，这被视为DRAM技术从二维缩放迈向三维集成的关键转折点。 据悉，长鑫自成立起便启动4F²研究与专利布局，公开专利族超300件，数量据称领先海内外同行。公司于2021年发表4F²架构相关论文，并在2023年、2025年持续披露研发进展。2025年，长鑫还在IEDM发表论文，介绍了在12英寸晶圆平台上完成DRAM与CMOS晶圆级键合实验验证的成果。 对三星和SK海力士而言，这一时间线构成直接压力。 SK海力士直至2025年才公布4F²路线图，三星据韩国媒体The Elec报道，目标是2028年实现基于该架构的10nm以下DRAM量产。若长鑫年底如期交付4F² DDR5 RDIMM产品，将在单元架构层面领先韩国两大巨头约两年。 近期基本面强劲，但市场已在定价峰值 存储行业当前的基本面数据依然亮眼，这恰恰是市场的困境所在——强劲的数字已被充分定价，投资者开始折现更远期的风险。 中国台湾的南亚科技三季度业绩被高盛台北交易台称为“又一个惊人季度”：营收达新台币1336亿元，环比增长62%，同比暴增612%；毛利率85.7%，环比提升6.2个百分点；营业利润率80%；混合平均售价环比涨幅超60%，其中逾半数涨幅来自2025年到期长期协议的合同重置。管理层预计， 2027年合同价格仍可实现两位数涨幅，毛利率维持80%以上“可期”。 然而，高盛台北交易台在点评中直言不讳： “近期缺乏足够的催化剂来推动进一步重估。” 三星三季度营业利润近九倍增长，本应重启存储行情，结果却引发抛售——这本身已说明市场预期所处的位置。 高盛Prime Book数据显示，上周美国信息技术板块从此前五周中四周净买入最多的板块，骤变为净卖出最多的板块，且是七周内卖出速度最快的一次，科技硬件、存储与外设以及半导体是卖出最集中的子板块。 存储股面临的压力并非来自基本面的恶化，而是来自市场对周期顶部的提前定价。 与此同时， 市场当前的核心叙事已从“近期基本面多强”转向“2028年供需格局会怎样”。 高盛韩国研究团队列出了10月29日三星财报电话会议的六大关注点，排在首位的是： 公司是否会像美光一样，明确表态2028年存储供应将趋于紧张。 此外，宏碁CEO Jason Chen此前曾公开表示，“供应短缺问题已经完全消失”，并预计存储价格将在2027年中前后见顶。宏碁、惠普和华硕已在其PC产品中采用长鑫芯片。ASML据报道正向韩国客户上调备件价格约10%，三星和SK海力士已接受这一涨价，将于2027年1月起生效。 本周市场还将迎来多个重要节点： 台积电将于周四公布业绩，ASML将于周三发布财报，SEMICON West也将举行 ——这些事件将为芯片板块提供新的方向性信号。

台积电将AI先进封装CoWoS的关键组件硅中介层，首次委外给美国代工厂格罗方德——一笔20亿美元、为期五年的长约，让AI芯片封装供应链中这一关键环节的产能，从台湾本地供应商延伸到了美国本土。 根据台积电日前宣布的与格罗方德的协议，台积电将委由格罗方德在美国纽约州生产CoWoS所需硅中介层，预计2028年上半年逐步放量，相关协议长达五年，总金额高达20亿美元（近新台币640亿元）。 机构认为， 这笔长约透露AI催动先进封装对硅中介层需求强劲，台积电为确保硅中介层产能无虞而扩大委外释单；签订硅中介层供应长约，等于是看好硅中介层后市，凸显AI封装关键零组件需求持续扩大。 台湾两大成熟制程代工厂联电、力积电正积极布局硅中介层并加速扩产。台积电把最大一笔委外订单交给美系代工厂，让硅中介层供应在台湾本地产能之外，新增了一条美国本土的生产来源。 一笔20亿美元长约：硅中介层走向纽约州 硅中介层是串接AI处理器与高频宽记忆体（HBM）的重要桥梁，透过高密度线路，让不同晶片在同一封装内高速传输数据。随着AI晶片整合更多记忆体与运算单元，封装面积及互连需求同步提升，带动中介层技术与产能需求。 台积电此次选择由格罗方德在纽约州生产硅中介层，是其先进封装扩产与外包策略的延续。 此前台积电CoWoS产能已连续三年翻倍，并将CoWoS中的CoW工序外包给日月光等封测厂，以应对AI芯片需求爆发带来的产能压力；如今把硅中介层这一关键环节也纳入委外，进一步将产能触角伸向美国本土。 委外动机：确保产能无虞，五年长约锁定供应 机构认为，这透露AI催动先进封装对硅中介层需求强劲，台积电为了确保硅中介层产能无虞，扩大委外释单。 市场分析人士另指出，台积电与格罗方德签订硅中介层供应长约，等于看好硅中介层后市，凸显AI封装关键零组件需求持续扩大。为期五年的协议，则为双方提供了稳定的产能与订单预期： 对格罗方德而言，是其纽约州产能切入AI先进封装材料领域的标志性订单；对台积电而言，可在自身扩产之外，为硅中介层供应增添一份长期保障。 联电与力积电：扩产正热，增量空间迎美系竞争 联电投入硅中介层多时，正积极扩产，月产能将由3000片倍增至6000片，以因应客户先进封装需求。其技术涵盖硅中介层、深沟槽电容、晶圆级混合键结及主动式中介层，其中导入深沟槽电容的2.5D封装方案已出货予主要客户，主动式中介层也与多家客户进行验证。 力积电则以"3D AI晶圆代工"为转型重点，将记忆体制造与成熟制程优势延伸至硅中介层、硅电容及晶圆堆叠，今年已展示中介层、整合型被动元件硅电容与3D WoW DRAM堆叠技术；在产能配置上，规划运用P3厂等既有资源扩大中介层布局。 两家台系厂商同步抢进硅中介层商机，正是押注AI封装需求的持续扩张。 但台积电此次把20亿美元、为期五年的订单锁定给格罗方德，意味着这一环节未来五年将有美系产能参与供应；对正处于扩产期的联电、力积电而言，硅中介层增量订单的争夺，将不再局限于台系厂商之间。 台积电10月15日将举行第三季法人说明会（即财报电话会），先进封装产能规划与委外策略的进一步细节，将成为市场关注焦点。