半导体行业新一轮提价浪潮正在加速蔓延。意法半导体（STMicroelectronics）将于8月23日宣布年内第三次涨价，覆盖多条产品线，标志着本轮半导体周期性提价进入新阶段。 据EE Times 21日报道，本次提价由意法半导体主动通知客户，公司援引多行业半导体需求强劲，以及运输、能源、原材料和制造服务成本上升作为依据，但未披露具体涨幅及受影响产品。与此同时， 部分意法半导体汽车MCU价格已较此前上涨15%至20%，功率器件交货周期普遍延伸至30周以上，部分产品甚至达到52周。 这一动态发生在该公司业绩明显回暖的背景之下，亦折射出更广泛的行业趋势——从模拟芯片到功率半导体、从MCU到射频前端，提价函正在密集落地，对下游制造商的采购成本和供应链管理构成直接压力。 意法半导体年内三度提价，产品覆盖面持续扩大 据报道，意法半导体此前已完成两轮提价。 第一轮于3月24日宣布、4月26日生效， 主要针对供应偏紧的汽车功率半导体及高端工业MCU； 第二轮于5月28日宣布、6月28日生效， 范围扩展至通用MCU、电源IC及NFC射频芯片等此前未受波及的产品。 8月23日即将落地的第三轮提价， 意味着该公司在不到五个月内完成三次价格调整。 从业绩表现来看，涨价举措得到盈利改善的支撑。据EE Times援引相关报告，意法半导体2026年第二季度净营收为34.9亿美元，同比增长26%，高于公司指引中值；毛利率同比提升1.3个百分点至34.8%；归属股东净利润达2.22亿美元，扭转上年同期9700万美元净亏损的局面。 国际大厂集体跟进，提价浪潮贯穿多品类 意法半导体并非孤例。 进入2026年下半年，提价趋势已蔓延至模拟芯片、功率半导体、MCU及射频前端等多个品类。 德州仪器（Texas Instruments）在过去12个月内累计调价五次；恩智浦（NXP）和安森美（onsemi）亦相继宣布提价；英飞凌（Infineon）年内已完成两轮调价，7月份的第二轮将AI服务器电源及汽车功率器件价格上调10%至20%。 射频芯片龙头卓胜微于8月10日发布调价函，宣布自9月1日起对全系列RF产品执行新价格；国民技术随即跟进，将部分MCU产品价格上调10%至20%；亚德诺（ADI）亦将于9月13日起执行年内第二轮价格调整。 亚洲供应商方面，经济日报报道，中国台湾功率半导体厂商正酝酿第三波价格调整，最快于10月起针对非合约产品涨价10%至15%；另据经济日报另一则报道，中国大陆芯片厂商UNT已通知客户，2026年第三季度价格上调15%至25%，为其年内第二次提价。 AI需求挤压成熟制程产能，供需矛盾持续收紧 本轮涨价的结构性驱动因素在于成熟制程产能的持续紧张。AI数据中心、新能源汽车及工业自动化的旺盛需求正对8英寸晶圆供应形成压力。商业时报补充指出，若AI相关需求持续挤压成熟制程产能，晶圆价格的上行压力可能延续至2027年。 分析认为，本轮涨价与此前周期的显著区别在于：AI算力需求爆发对成熟制程产能产生"虹吸效应"，叠加供应链成本上行、供需持续收紧与国产替代需求扩容，共同推动半导体行业进入量价齐升的上行周期。 成本端压力同样不可忽视。从晶圆代工到封装测试，能源、运输、原材料及制造服务成本的全面上涨，正推高芯片生产成本，构成企业实施涨价的另一重要支撑。

全球NAND Flash行业供需持续偏紧之际，中国最大存储芯片制造商正式叩门A股市场。 上海证券交易所上市审核信息显示， 长江存储控股股份有限公司（以下简称"长存控股"或"公司"）首次公开发行股票并在科创板上市的申请已获受理， 保荐机构为中信证券及中信建投证券。根据公司招股说明书，本次拟发行股票不低于198000万股且不超过243000万股，占发行后总股本比例不低于10%且不超过12%，募集资金拟全部投入产线技术升级与研发平台建设，合计330亿元。 招股书披露的最新财务数据显示，公司盈利能力正处于快速跃升阶段。 2026年1至3月，公司实现营业收入470.42亿元、归母净利润333.79亿元，单季盈利规模已超过2025年全年净利润142.11亿元的两倍以上。 期内净利润大幅扩张，主要受益于全球NAND Flash产品价格的强劲上涨以及公司产能利用率持续攀升。 根据TrendForce数据计算，2026年1至3月，公司在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量排名，均位列全球第三、中国第一，在全球存储市场的竞争格局中已跻身第一梯队。本次IPO若成功落地，将标志着中国存储芯片领域最大体量企业登陆资本市场，对于国内半导体产业链具有重要的标志性意义。 盈利爆发式增长，单季净利超333亿 长存控股报告期内业绩呈现明显的"V形"修复并加速攀升态势。2023年受全球存储行业下行周期冲击，公司归母净亏损逾191亿元，同期计提存货跌价损失高达约113.53亿元。 进入2024年后，随着存储市场回暖，公司扭亏为盈，全年归母净利润达67.71亿元。2025年行业景气度持续提升，公司归母净利润增至142.11亿元，营业收入达631.85亿元，同比增长约39.8%。 2026年一季度，随着全球NAND Flash供需缺口进一步扩大，产品价格大幅上涨，公司业绩呈现爆发式增长。期内实现营业收入470.42亿元，同比大幅提升；归母净利润333.79亿元，加权平均净资产收益率达28.03%，毛利率升至76.77%。 对照可比公司，2026年一季度SK海力士综合毛利率为79.27%，美光科技为74.41%，发行人NAND Flash产品毛利率78.73%已超过美光科技和铠侠，与SK海力士基本持平， 反映其在行业高景气阶段充分释放了运营杠杆。 技术路线自主迭代，专利交叉授权彰显实力 技术自主化是公司核心竞争力的基础。公司以Xtacking®架构为核心技术路线，通过晶圆键合、分段制造等原创工艺解决传统3D NAND堆叠层数提升的技术瓶颈。 2022年，公司推出Xtacking®3.0技术，成为全球首批推出200层以上3D NAND产品的企业，一度领先国际主流供应商。2024年，公司迭代推出Xtacking®4.0技术，并再度获得未来内存与存储峰会（FMS）"最具创新存储技术奖"。截至报告期末，公司已获授权发明专利5611项，并于2025年成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。 研发投入方面，报告期内（2023年至2026年一季度）公司累计研发支出约159.53亿元。截至2025年末，公司拥有研发人员4704人，占员工总数约30.7%。第六代3D NAND产品目前处于研发阶段，是公司下一代技术迭代的核心项目。 330亿募资支撑产线升级，地缘风险列为首要警示 本次发行募集资金计划用途明确： 208亿元用于长江存储量产线技术升级项目，推动现有产线向更高代次3D NAND产品演进；另122亿元投入研发相关平台建设，提升前瞻性技术开发能力。 两个募投项目均位于武汉东湖新技术开发区现有厂区，不涉及新增土地。 公司在招股书中将地缘政治摩擦风险列为重大特别风险因素之一。招股书指出，近年来国际贸易政策不稳定因素增加，若相关情况发生重大不利变化，可能对公司供应链稳定性、产品成本控制以及海外市场开拓等方面造成不利影响。与此同时，公司承认，受地缘政治因素影响，海外市场业务拓展目前面临不对称竞争壁垒，全球化经营布局仍有待提升。 此外，行业周期性波动风险同样不可忽视。招股书提示，当前全球NAND Flash市场处于高景气周期，但景气持续时间存在不确定性。一旦市场需求增速放缓，或主要存储厂商快速扩产导致供给大幅增加，产品价格可能出现回落，叠加公司庞大的固定资产折旧摊销（报告期内合计约509.49亿元），盈利水平存在明显波动风险。 股权结构分散，无控股股东亦无实际控制人 公司的股权结构较为分散。截至招股书签署日，持股比例超过10%的股东共四家：湖北长晟发展有限责任公司持股26.54%，武汉芯飞科技投资有限公司持股25.35%，大基金一期持股11.97%，大基金二期持股11.38%。上述四家股东持股比例均未超过30%，公司不存在控股股东，亦不存在实际控制人。 公司主要股东向上穿透后，出资主体分别指向湖北省国资委、武汉市国资委、东湖高新区管委会、大基金一期及大基金二期，呈现国有背景与政策性产业基金共同持股的结构。 本次发行完成后，公众股东持股比例将在10%至12%之间。募集资金扣除发行费用后，全部用于上述产线及研发项目，原股东不公开发售股份。

英伟达的部分最大客户已被告知，由于存储芯片成本飙升， 搭载英伟达人工智能芯片的服务器价格在大部分情况下将涨价超过15%。 8月22日，据彭博援引知情人士报道称， 此次涨价将从明年初出货的系统开始生效，影响范围包括搭载旗舰级Vera Rubin和Grace Blackwell芯片的系统。 给微软、谷歌和甲骨文等大厂代工服务器的工厂，已经发出了涨价通知。具体涨幅将取决于英伟达芯片的代际和存储配置。 价格上涨不仅将推高AI数据中心的建设成本，也为英伟达将于8月26日公布的第二财季业绩增添了新的市场关注焦点。 内存短缺是核心推手 此轮涨价的根本驱动力在于DRAM内存供应的结构性紧张。 英伟达的AI加速处理器性能高度依赖所搭配的动态随机存取内存（DRAM）容量，而全球DRAM产能几乎由三星、SK海力士和美光三家瓜分。 尽管三家企业持续扩产，但产能增速仍远落后于AI基础设施需求的爆发式增长，导致这一本属大宗商品属性的芯片价格大幅攀升。 据彭博新闻报道，内存芯片商借助供需失衡获得了前所未有的议价筹码。 英伟达未能守住价格或消化成本上涨，恰恰揭示出三星、SK海力士和美光在当前AI浪潮中所处的强势地位。近期苹果和高通均表示，已因芯片短缺被迫提高产品售价。 英伟达利润丰厚，仍难独力承压 英伟达是半导体行业盈利能力最强的企业之一，毛利率高达75%。 凭借台积电代工的供不应求，其AI加速芯片售价动辄数万美元。 这款最初脱胎于PC游戏显卡的产品，因持续旺盛的需求和竞争替代品的匮乏，价格一路水涨船高。英伟达近期还上调了面向游戏市场的PC显卡价格。 面对此次涨价，亚马逊、微软、谷歌和Meta等主要客户的反应至关重要。 上述企业均在推进自研芯片计划，寻求降低对英伟达的依赖，但目前数据中心建设仍高度依赖英伟达的采购。 据彭博新闻报道，这些客户能否实现更大独立性，同样取决于其能否从三星、SK海力士和美光处获得足够的内存供应。 价格上涨将进一步增加AI数据中心大规模扩张的复杂性。 项目延误、劳动力短缺、资本市场收紧以及社区阻力，已令众多建设计划受到干扰，此番成本压力上升无疑雪上加霜。 英伟达作为全球市值最高的上市公司，将于下周发布财季业绩，其最新动态历来是科技行业及大量押注AI基础设施投资者的重要参考指标。

AI驱动的存储需求正在颠覆这一行业延续数十年的繁荣与萧条周期。 据CNBC报道，美光科技（Micron）首席执行官Sanjay Mehrotra周四（8月20日）表示，人工智能已从根本上改变了存储芯片行业的需求逻辑，使其从 一个高度周期性的大宗商品市场，转变为AI基础设施不可或缺的战略性组件 。他在接受CNBC《Mad Money》节目采访时直言： "今天没有存储就没有AI。AI系统需要更多存储、更高性能的存储、更低功耗的存储。存储的价值，这个等式已经彻底改变。" 在需求端，Mehrotra透露， 数据中心客户目前的采购意愿约为美光实际可承诺供应量的150%，即需求超出供给约50%，公司产能仍无法满足市场需求 。与此同时，美光正通过长期战略协议锁定客户需求，以降低对现货市场波动的敞口——这是该行业结构性转变的又一重要信号。 AI重塑存储需求结构，周期性逻辑面临瓦解 存储芯片行业长期以来以周期性著称：需求旺盛时厂商扩产，产能过剩随即压低价格，行业随之陷入低谷。这一循环在过去数十年间反复上演。 Mehrotra认为，AI正在打破这一规律。他从业芯片行业逾40年，此前曾联合创办SanDisk，对行业周期有深刻认知。在他看来，AI带来的是一种更具持续性的结构性需求，而非短期脉冲式拉动。 "存储今天是不可或缺的，这就是为什么我称它为AI时代的战略基础设施。" 他进一步指出，AI对存储的需求不仅限于数据中心，自动驾驶汽车、机器人以及AI赋能的消费电子设备， 未来都将需要大幅增加存储容量 。这意味着需求来源更加多元，行业的需求基础比以往任何时候都更为宽广。 存储从"比价采购"转向"协同设计"，议价逻辑根本转变 AI不仅改变了存储的需求量级，也改变了客户采购存储的方式，进而影响美光的市场定位与定价能力。 Mehrotra表示，过去客户采购存储芯片的逻辑相对简单——广泛询价，选择报价最低的供应商。但随着AI系统对存储性能要求日益严苛，存储必须与处理器及整体系统协同设计，才能充分发挥性能。这使得存储从一个可替换的通用组件，演变为决定整个系统性能的关键变量。 " 我们越来越早地与客户在其开发周期的早期阶段紧密合作 ，"Mehrotra说，" 我们的客户认识到存储的价值，因为存储正是使他们能够设计出推动自身增长引擎的产品的关键所在。 " 分析认为，这一转变对美光的商业模式具有深远意义： 更深度的客户绑定、更早介入产品开发，意味着更强的定价权和更稳定的收入来源。 产能缺口显著，长期协议锁定需求能见度 尽管美光正在大规模扩产，但Mehrotra坦承，公司目前的产能仍远不足以满足市场需求。 "我们所有终端市场的所有客户，都会买走我们能生产的一切，"他说，并特别指出，数据中心客户目前希望获得的供应量，约比美光能够承诺的多出50%。 为应对这一供需缺口并增强需求端的可预测性，美光正积极推进长期战略合作协议。 在6月底最近一次财报电话会议上，美光宣布已与16家客户签署五年期战略协议。Mehrotra在本次采访中透露，此后公司又新增签署了更多协议。 "他们已承诺接收供应，"Mehrotra说，"这给了我们需求方面的保障。" 分析认为，长期协议的推进，标志着美光正在系统性地降低对现货市场价格波动的依赖——这对于一家历史上深受周期波动困扰的企业而言，是一次重要的商业模式升级。

三星电子正在加快其美国德克萨斯州Taylor晶圆厂二期项目的前期准备工作，在厂房规格尚未最终确定的情况下，已率先向多家设备供应商发出认证要求，显示出其扩大美国先进制程产能的强烈意愿。 据韩国科技媒体ZDNet Korea报道， 三星电子近期已向主要半导体设备合作商发出请求，要求其提前获得用于Taylor二期晶圆厂设备导入所需的SEMI认证。SEMI认证是评估半导体设备安全性的行业标准，也是设备出口前的必要资质。 一名半导体设备行业人士表示，"尽管Taylor二期晶圆厂的具体规格尚未确定，三星电子晶圆代工事业部的应对速度已超出预期"，并指出具体计划预计将于今年年底逐步明朗。 三星电子在上月30日举行的二季度业绩发布电话会议上正式宣布，计划于今年年底启动Taylor二期晶圆厂建设，目标于2030年实现量产，以"及时响应不断增长的客户需求"。 一期建设提速，二纳米制程锁定特斯拉 Taylor晶圆厂是三星电子专门承担最先进制程晶圆代工量产的核心设施。一期晶圆厂目前正处于设备进场与安装阶段，目标于今年年底投入运营，主力量产工艺为业界最先进的2纳米制程。 特斯拉是目前外界广泛提及的一期晶圆厂核心客户。三星电子与特斯拉于去年第三季度签署了规模达22.76万亿韩元的半导体代工合同，此后Taylor一期项目的建设进度明显加快。在此之前，该项目曾因客户拓展困难及市场环境恶化，多次推迟投资计划。 大客户能否落地，决定二期量产节奏 尽管前期准备工作已提前启动，Taylor二期晶圆厂能否按期推进，关键仍在于大型客户的确保。 业内人士指出，无论是特斯拉订单量的进一步扩大，还是新增大客户的引入，都将直接影响二期项目从洁净室建设到量产线落地的整体路线图。 据悉，三星电子旗下建设子公司三星E&A目前正在推进向Taylor项目现场派遣数十名人员的方案，以支持二期厂房建设。不过，上述行业人士强调，"三星电子若要在洁净室建成后快速推进量产线建设，必须提前锁定大型客户"。 供应链提前布局，投资意志明确 此次三星电子在二期厂房规格尚未最终确定的情况下，便已要求供应商提前完成SEMI认证，被业界解读为其对该项目投资意志的明确信号。SEMI认证是设备出口的前置条件，提前推进这一流程意味着三星电子正在为后续设备快速导入预留时间窗口。 该行业人士表示，"这表明三星电子正在积极准备投资，具体计划的轮廓将在今年年底前逐渐清晰"。对于关注三星电子晶圆代工业务进展的投资者而言，大型客户的拓展动态将是判断二期项目能否如期推进的核心观察指标。

台积电先进制程再迎关键进展。 近日，据中国台湾地区媒体电子时报援引业界消息，台积电已完成A16制程的开发与验证，并 计划于今年第四季度进入量产。 作为台积电首个采用“超级供电轨”（Super Power Rail）背面供电架构的埃米级CMOS平台， A16瞄准AI和高性能计算等对算力、能效及供电稳定性要求极高的应用。 据悉，与上一代N2P制程相比， A16在相同功耗下可实现8%至10%的性能提升，或在相同性能下将功耗降低15%至20%，晶体管密度则提升8%至10%。 其核心优势不仅在于引入晶背供电，更在于尽可能减少对正面晶体管结构和既有设计生态的改动。 晶背供电破解先进制程“布线瓶颈” 随着制程节点不断缩小，传统芯片正面需要同时承担供电和信号互连，有限的布线空间越来越难以满足高性能计算芯片的需求，线路拥塞和IR drop（电阻压降）问题也随之加剧。 晶背供电的思路，是将电源网络从芯片正面迁移至背面，从而释放正面布线空间，让信号互连获得更多资源，同时降低供电路径的电阻和压降。但这项技术并非简单地“把电源搬到背面”。晶背供电通常需要调整晶体管、标准单元乃至整个设计流程，客户也可能因此承担较高的IP重构和设计迁移成本。 台积电A16采用专用垂直背面接点（VB），将电源直接连接至晶体管的源极和漏极，使供电网络与信号网络实现分离。 更关键的是，台积电试图将对正面结构的改动控制在最低水平。 据悉，A16保留了N2P的栅极密度和NanoFlex设计弹性，在提升供电效率的同时，尽可能维持既有芯片设计生态的兼容性。 这意味着， 对于已经基于台积电先进制程进行设计的客户而言，向A16迁移可能无需对标准单元和设计架构进行大规模重构。对于设计周期长、IP复杂度高的AI加速器和高性能计算芯片而言，这一优势尤其重要。 AI算力需求推动先进制程加速演进 A16的推出，背后是AI芯片对先进制程提出的更高要求。 AI加速器和高性能计算芯片通常集成大量计算单元，对电源完整性、信号布线和能效的要求远高于传统芯片。 晶背供电能够释放正面布线资源并改善供电效率，因此被视为进一步提升AI芯片性能和能效的重要技术路径。 如果A16按照计划于今年第四季度量产，台积电将率先积累大规模晶背供电的量产经验。随着AI算力需求持续增长，A16能否凭借性能、能效与设计兼容性的组合优势获得客户青睐，也将成为台积电下一阶段先进制程竞争力的重要观察点。

美光正在把AI存储竞争进一步推向研发端。8月20日，据报道，美光科技宣布成立美光研究实验室（Micron Research Labs）， 未来十年将投入100亿美元，专注存储技术、先进计算架构、封装工艺及半导体制造等前沿领域。 研究实验室落地美光总部所在地爱达荷州博伊西，计划于2027年启动园区建设，建成后可容纳数百名研发人员。 此次布局是美光进一步强化美国本土研发能力的重要举措。值得注意的是， 100亿美元专项投资独立于公司此前宣布的逾2500亿美元美国制造与研发总承诺，意味着美光将在既有大规模本土投资之外，继续增加研发端资源投入。 除博伊西核心园区外，美光还计划资助高校合作项目、在全球设立卫星实验室，并与研究网络中的产业及学术伙伴展开合作，将本土研发能力与全球科研资源连接起来，形成开放式研发体系。 随着AI和高性能计算对存储与算力的需求持续增长，美光正将研发重点进一步延伸至存储架构、先进计算、封装及制造工艺等底层技术。此次设立研究实验室，也意味着公司试图通过长期研发投入巩固下一代存储与计算技术优势。

AI拉动存储需求持续扩张，华邦电子不得不提前布局——客户已在抢订三年后的产能。 全球利基型存储IDM龙头企业华邦电子宣布提前启动中国台湾高雄路竹厂扩产规划，将原定分期推进的二、三期工程整并为Module B工厂同步开发。据台湾工商时报报道，该厂预计2027年动工兴建无尘室，最快2029年初开始装机。 机构人士指出，代理式AI（Agentic AI）正在推动存储容量与先进封装需求持续增加，“相关成长趋势预期将延续相当长时间”，这正是华邦电子决定提前启动Module B计划的直接原因。 目前已有客户提前洽谈2029年、2030年的产能配额。 当季业绩：量价齐升，毛利率创高 华邦电子第二季合并营收598.43亿元新台币，季增56.4%，年增184.7%。 涨价是核心驱动力：DRAM价格单季上涨约100%，Flash上涨约43%。毛利率随之升至66.2%，每股税后纯益（EPS）达5.40元。 进入第三季，涨势仍在延续。中国台湾工商时报援引机构人士预计，利基型DRAM与SLC NAND均呈供不应求，价格季涨幅约50%；NOR Flash受云端服务供应商（CSP）大客户积极备货拉动，价格季涨幅约30%。 第四季涨幅预计收窄至2%至5%，但机构人士认为，受益于DRAM产能增加及出货量成长，华邦电子营收与获利仍可维持季增走势。 Module B：产品线全面对准AI 华邦电子高雄厂Module B的产品规划覆盖Standard DRAM、CUBE DRAM、Wafer-on-Wafer（WoW）及矽电容（Si-Cap），并将支持14纳米及未来12纳米DRAM制程，后续亦规划导入EUV设备。 这一布局的逻辑清晰：AI推动存储向更高密度、更先进封装演进，华邦电子需要提前锁定制程与产能，才能在客户需求兑现时不落后于市场。 设备导入将依客户需求预测（Forecast）及长期协议（LTA）分阶段推进，而非一次性满产，以控制资本支出节奏。 Si-Cap：第三条成长曲线 矽电容（Si-Cap）是此次布局中值得单独关注的一块。 机构人士将其视为华邦电子在逻辑（Logic）与存储（Memory）之外的“第三股潜在成长动能”。华邦电子已投入约40亿元新台币建置专用Si-Cap产线。 目前量产产品的电容密度约为3,300 nF/mm²，最新样品已达约5,400 nF/mm²，主要面向AI先进封装及AI电源管理应用。报道预计，最快2027年第一季底步入量产。 Si-Cap的逻辑在于：AI芯片对电源稳定性要求极高，矽电容可在封装层面提供更高密度的电源去耦，是先进封装不可或缺的配套器件。华邦电子提前布局，意在卡位这一新兴需求。

据路透社周三报道， 三星电子已对部分先进制程代工服务的新订单上调价格，最高涨幅达15%。 这一举措标志着这家韩国科技巨头长期亏损的代工业务迎来重要转折，背后的核心驱动力正是AI芯片需求的持续爆发。 报道称， 两位知情人士透露，三星于7月对其4纳米制程（SF4）芯片的代工价格实施上调，对中国大陆和美国客户的涨幅为10%至15%；5纳米SF5制程的晶圆价格同样上涨10%至15%，较旧的8纳米制程价格也上涨近10%。 此次涨价对市场的影响不容忽视。 BNK Investment & Securities首尔分析师Lee Min-hee表示， 随着台积电产能趋紧并上调价格，客户正向三星和英特尔等竞争对手转移，这为三星提供了更大的定价权。 她进一步指出，若三星持续提价，其代工业务最早明年便有望实现盈利，早于此前市场预期。 代工业务触底反弹，定价权悄然回归 三星代工业务的此次提价，是其长期承压后的一次明显反转。 根据研究机构Counterpoint的数据，2026年第一季度，三星在全球代工收入中的份额仅为7%，而台积电的占比超过70%。自2022年以来，三星代工部门持续亏损，始终未能有效缩小与台积电之间的差距。 然而， AI需求的急剧扩张正在重塑代工市场的供需格局。台积电先进制程产能已被大量预订，这使三星获得了更大的议价空间。 三星位于韩国平泽工厂的SF4生产线自去年底以来一直满负荷运转，该产线为高通等客户生产逻辑芯片，同时也为三星自身的多层高带宽内存（HBM）芯片生产基础芯片。 三星在7月曾表示，预计代工部门将在不久的将来恢复盈利，得益于工厂利用率提升、良率改善以及价格走强。 公司同时预计，受美国和中国主要客户销售增长以及HBM基础芯片需求拉动， 下半年代工收入将较上年同期实现两位数以上的百分比增长。 大客户加速入局，三星代工生态持续扩张 与此同时，三星代工业务的客户阵容正在快速壮大，进一步夯实了其提价的底气。 特斯拉和苹果去年相继与三星签署芯片制造协议；今年7月，三星宣布与博通达成AI芯片生产合作；英伟达CEO 黄仁勋则在今年3月表示，三星将为其新款AI推理处理器提供代工服务。 报道称，谷歌目前也在与三星就使用SF4制程生产芯片进行谈判。 三星预计，先进制程将占今年代工收入的逾半数，AI及高性能计算应用的占比将超过30%，高于2025年底的15%至20%。随着客户结构持续优化、产能利用率维持高位，三星代工业务的盈利前景正变得愈发清晰。

中微公司业绩大幅跃升，半导体设备国产化进程加速推进。 中微公司公告， 2026年上半年营业收入66.91亿元，同比增长34.89%。归属于上市公司股东的净利润28.25亿元，同比增长300.22%。 与此同时， 公司宣布在临港新片区追加35亿元投资，扩建产业化基地，进一步强化核心产品线产能布局。 净利润的大幅跃升部分受益于非经常性损益贡献，扣非净利润同比增长108.36%，亦显示经营层面的实质性改善。加权平均净资产收益率从去年同期的3.49%大幅提升至11.56%，公司资产规模同期增长逾四分之一。 业绩大幅增长，多项指标创新高 中微公司2026年上半年实现营业收入66.91亿元，同比增长34.89%；归属于上市公司股东的净利润28.25亿元，同比增长300.22%；利润总额28.79亿元，同比增长301.05%。 扣除非经常性损益后，归母净利润为11.23亿元，同比增长108.36%，与整体净利润增速存在明显差距，表明报告期内非经常性损益对利润贡献较为显著。 基本每股收益为4.33元，同比增长283.19%；经营活动产生的现金流量净额6.85亿元，同比增长237.39%，现金流质量同步改善。截至报告期末，公司总资产达377.37亿元，较上年末增长26.44%；归属于上市公司股东的净资产300.38亿元，较上年末增长32.36%。 研发投入保持高位，占营收近三成 在业绩高速增长的同时，中微公司维持了较高强度的研发投入。报告期内，研发投入占营业收入的比例为30.51%，较去年同期提升0.44个百分点，显示公司持续以重研发策略巩固技术壁垒。公司核心产品涵盖刻蚀设备、量检测设备及薄膜沉积设备等半导体制造关键环节，上述产品亦是此次新建产业化基地的聚焦方向。 截至报告期末，中微公司股东总数为89,848户。前十大股东中，上海创业投资有限公司持股13.64%，为第一大股东；香港中央结算有限公司持股13.23%，居第二位；巽鑫（上海）投资有限公司持股8.26%，位列第三。国家集成电路产业投资基金二期持股2.97%。 公司创始人尹志尧以个人名义持股0.63%，位列前十大股东之列。整体来看，国有资本与产业基金合计持有较高比例股份，股权结构保持稳定。 斥资35亿元扩建临港二期基地 中微公司同步公告， 全资子公司中微临港拟在临港新片区投资建设"中微临港产业化基地（二期）"项目，计划投资金额为人民币35亿元。 该项目定位为集研发、生产和销售于一体的综合性产业基地，聚焦刻蚀设备、量检测设备、薄膜沉积设备等公司优势产品线。此次扩产投资，是公司在强劲业绩背景下进一步扩大产能、提升市场供应能力的重要举措。