中微半导、国科微2家半导体公司相继发出涨价函，公司旗下部分芯片产品将不同程度涨价。 中微半导今日发布的涨价通知函显示，受当前全行业芯片供应紧张、成本上升等因素的影响，封装成品交付周期变长，成本较此前大幅度增加，框架、封测费用等成本也持续上涨。鉴于当前严峻的供需形势以及巨大的成本压力，经过慎重研究，决定于即日起对MCU、Norflash等产品进行价格调整，涨价幅度15%~50%。若后续成本再次发生大幅变动，价格也将跟进调整。 公开资料显示，中微半导是国内领先的智能控制解决方案供应商，以微控制器（MCU）研发与设计为核心，专注于芯片设计与销售，致力为消费电子、智能家电、工业控制及汽车电子等各类智能终端设备提供高性能、低功耗、高集成度的芯片产品及系统解决方案。 据产业链消息，另一家半导体公司国科微也对客户发出涨价函，国科微宣布自1月起对合封512Mb的KGD（已知合格芯片）产品涨价40%，对合封1Gb的KGD产品涨价60%，对合封2Gb的KGD涨价80%，对外挂DDR的产品价格另行通知。 公开资料显示，国科微长期致力于智慧超高清、智慧视觉、人工智能、车载电子等领域大规模集成电路及解决方案开发。公司已推出了直播卫星高清芯片、4K/8K超高清解码芯片、4K/8K超高清显示芯片、AI视觉处理芯片、车载AI芯片等一系列拥有核心自主知识产权的芯片。

盈新发展（000620.SZ）布局“文旅+科技”，“跨界”收购长兴半导体股权事项有了新进展。 今日晚间，盈新发展发布公告，公司近日与海南兴煜投资有限公司（更名前为“广东长兴信息管理咨询有限公司”，简称“兴煜投资”）、夏少杰及广东长兴半导体科技有限公司（简称“长兴半导体”）签署股权转让协议，拟以现金5.2亿元收购长兴半导体60%股权。交易完成后，长兴半导体将成为公司控股子公司，纳入公司合并报表范围。 兴煜投资持有长兴半导体73.6%的股权，前者股东为张治强（持股比例为70%）、李小丽（持股比例为30%）；张治强持有长兴半导体约8.2%的股权；夏少杰持有长兴半导体3.75%的股权。此次交易，兴煜投资转让56.25%，夏少杰转让3.75%。 财联社记者注意到，公司此前曾披露，“拟以支付现金方式收购长兴咨询、张治强合计持有的长兴半导体81.8091%股权”。 公告显示，截至评估基准日2025年10月31日，长兴半导体全部权益价值的账面价值约为1.49亿元，评估值约为9.27亿元，增值率520.69%；截至2025年12月末，该公司净资产为2.13亿元，相较于净资产，此次交易对价对应的长兴半导体100%股权价值8.67亿元，实际增值率为330.61%。 财务数据方面，2024-2025年，长兴半导体的营业收入分别为4.06亿元、6.46亿元；净利润分别为220.88万元、7456.79万元；经营活动产生的现金流量净额分别为-8009.76万元、-2069.85万元。 至于此次收购的目的，盈新发展表示，公司看好人工智能以及存储芯片市场的长期发展前景，收购长兴半导体将有效改善公司的业务结构与资产组合，分散公司现有主业的经营风险。交易完成后，目标公司将纳入上市公司合并财务报表范围，预计存储芯片业务将对公司营业收入增长带来贡献，将改善公司的盈利能力。 值得注意的是，此次交易，兴煜投资承诺：长兴半导体2026年度净利润不低于7500万元，2026年度和2027年度累计净利润不低于1.55亿元，2026年度、2027年度和2028年度累计净利润不低于2.4亿元。若业绩承诺期内任意一年度实际累计净利润未能达到当年承诺累计净利润的90%，将触发业绩承诺方的业绩承诺补偿义务。

SMM 1月27日讯：1月27日午后，半导体板块指数快速拉涨，盘中一度涨逾4%。个股方面，盛科通信-U、东芯股份20CM涨停，明微电子、恒烁股份、普冉股份等多股一同涨逾10%，金海通、康强电子、电科芯片等多股一同封死涨停板！ 消息面上， 当地时间周一，美光科技表示，未来十年将在新加坡额外投资240亿美元，以扩大产能，应对人工智能(AI)热潮引发的存储芯片短缺。这家存储芯片巨头表示，将在新加坡新建一座NAND工厂。 NAND是比机械硬盘速度更快的存储技术，随着人工智能基础设施建设加速，其需求不断上升。美光科技表示，这项新增投资将创造约1600个就业岗位，预计2028年下半年开始投产晶圆。 且值得一提的是，DRAM芯片的现货价格也自进入2026年以来持续上涨，据财联社方面消息，DDR4现货价格自2024年9月开始上涨，目前仍呈上升趋势。 高盛预计，这意味着DRAM合约价格近期上涨动力强劲，原因是DDR5/DDR4 现货价格已经相较于合约价格产生了巨大溢价。 高盛的最新渠道调查显示，与去年12月合约价相比，DDR5/DDR4现货价格分别溢价76%/172%，推动了近期合同价格的上涨以及整个行业的乐观情绪。 据悉，高盛在报告中写道，“我们对今年1月 DRAM市场情绪的预测显示，情况呈现出较为积极的态势。值得注意的亮点包括，DDR5 和 DDR4 的现货价格均呈现强劲上涨态势，这为短期内合同价格的大幅上涨提供了很大可能性。” 此前，Citrini研究分析师Jukan预测称，预计DRAM的供应短缺“至少会持续未来几个季度，甚至可能持续到 2027 年。我们也预计这将导致未来几个季度价格环比上涨。” 另外，EDA巨头新思科技（Synopsys）CEO Sassine Ghazi也指出，由AI基础设施热潮引发的存储供应紧张局面，短期内恐难以缓解，预计将持续到2026年甚至2027年。 而1月19日前后，美光科技全球运营执行副总裁Manish Bhatia也在接受采访时表示，由于AI基础设施对高端半导体需求激增，存储芯片的紧缺状况将持续到今年以后。 与此同时，存储芯片的火爆以及半导体行业向好的基本面表现，在半导体产业链企业2025年的业绩方面也有所体现。包括佰维存储、澜起科技、德明利、神工股份在内的产业链多个环节的企业业绩均同比出现了不同程度的上涨。其中尤以佰维存储表现最为惹眼，其预计公司2025年归属于上市公司股东的净利润同比增加 427.19%至 520.22%。 在提及业绩变动的原因时，佰维存储提到，受全球宏观经济环境影响，存储价格从 2024 年第三季度开始逐季下滑，2025年第一季度达到阶段性低点，公司一季度产品销售价格降幅较大。从 2025 年第二季度开始，随着存储价格企稳回升，公司重点项目逐步交付，公司销售收入和毛利率逐步回升，经营业绩逐步改善。（ 近期，SMM将围绕国内半导体产业链的业绩预告作专题分享，敬请关注！ ） 而今日20CM拉升涨停的东芯股份，在1月26日发布了投资者活动记录表，其中被问及公司的产品价格的相关问题，公司回应称，受到行业上行周期影响，海外存储原厂进一步将产能转至高利润产品线，对利基型存储产品带来相应的产能挤压。导致供给出现相对紧缺的情况，公司涉及的存储产品，目前均在价格上涨的通道，呈现持续向好的态势。 机构评论 招商证券认为，2026第一季度各品类存储价格环比涨幅超预期，预计2026年全年全球存储供给整体维持偏紧状态，AI需求增长持续高于产能扩张速度，其他消费类存储和利基型存储受到产能挤压和下游恐慌备货等因素，价格涨幅也远超常规水平。今年国内存储产业链多环节都将受益于缺货涨价浪潮，核心建议关注存储原厂、存储模组/芯片公司、存储封测/代工等环节。 银河证券指出，2026年1月1日至23日期间半导体行业指数涨幅达18.91%，显著跑赢沪深300指数，核心驱动来自产业链景气度提升预期强化；台积电2026年资本开支大幅上调至520-560亿美元，叠加AI算力需求不减、存储周期上行及先进封装渗透，共同提振半导体设备、材料、封测等环节需求。

存储涨价潮下，供应商话语权渐增，连苹果也扛不住了。 据韩媒ZDNet今日消息，三星电子与SK海力士已完成和苹果的谈判，将大幅上调今年第一季度供应的苹果iPhone低功耗DRAM（LPDDR）价格。其中， 三星报价较前一季度涨幅超过80%，SK海力士给出的涨幅接近100%。 不仅如此，由于今年下半年苹果将推出iPhone 18系列，届时其采购的LPDDR价格可能进一步上涨。一位半导体行业人士表示：“苹果通常会签署按年度计算的存储器长期供货协议（LTA），但考虑到近期爆发的存储器供应危机， 目前仅完成了上半年价格的谈判。随着下半年新产品的发布，价格可能会再次上调。” 在此之前，苹果一直凭着自己的市场地位以相对较低的价格采购LPDDR，随着存储短缺加剧，如今连苹果也要向涨价潮低头。尽管具体成交价严格保密，但业内普遍认为，通过此次谈判，苹果与存储器供应商之间的价格失衡状况已得到明显缓解。 LPDDR较普通DRAM（DDR）更加省电，是智能手机等电子设备的必备组件。目前，作为第七代产品的LPDDR5X应用最为广泛，而苹果正是LPDDR的核心客户之一。按去年数据估算，iPhone的年出货量约为2.5亿部。 在此之前，iPhone 17 Air、Pro和Pro Max均配备了12GB LPDDR5X内存，这是iPhone迄今为止最大的内存容量，而iPhone 15和16机型仅使用了8GB LPDDR内存。 去年12月末曾有媒体消息称，三星已获得iPhone 17系列60%至70%的LPDDR内存供应份额， 苹果还向三星订购了大量LPDDR内存，用于今年9月发布的iPhone 18系列。 国盛电子指出，在存储原厂库存水位见底的情况下，出货规模增长仅能依赖晶圆厂提升产出，加剧供不应求态势，预期第一季原厂将积极调涨服务器DRAM价格，环比增幅逾60%。手机品牌即便在淡季对存储器需求不强，但由于手机用DRAM供给紧缩情况难在短期内改善，且未来数季合约价可能再升高，品牌于第一季维持较强拉货力道。分析师预计LPDDR4X、LPDDR5X皆呈现供不应求、资源分配不均情况，价格走强。

周二，韩国存储芯片巨头SK海力士的股价再次创下历史新高，此前有报道称， 该公司是美国科技巨头微软最新人工智能（AI）芯片所用先进内存的独家供应商 。 当地时间周一，微软发布了新一代AI加速器Maia 200。该公司将Maia 200称为“所有超大规模云服务商中性能最强的自研芯片”，并透露该款芯片已在其位于爱荷华州的数据中心投入使用，未来还将部署到更多区域。 不过，微软当时没有说明哪家公司将为Maia 200提供HBM芯片。 据媒体援引业内人士的消息报道， SK海力士将独家向微软Maia 200提供HBM3E芯片，每颗Maia 200加速器都将使用六颗SK海力士的HBM3E内存 。 据悉，Maia 200搭载的HBM3E内存总容量为216GB，其配备了六个12层HBM3E内存模块，每个模块容量为36GB。 SK海力士公司发言人通过短信回应称，无法确认或披露任何与客户相关的信息。 受上述消息刺激， SK海力士股价周二大涨，再度创下历史新高，抹平了早间因美国总统特朗普最新关税威胁而出现的跌幅。截至收盘，该股涨幅高达8.7%，报80万韩元 。 目前，SK海力士的市值约为4000亿美元，其股价在过去三年内上涨了10倍，这在一定程度上得益于其与英伟达签订的早期供货协议。 争先恐后 眼下，SK海力士与其韩国本土竞争对手三星电子在专用集成电路（ASIC）领域的竞争愈发激烈。ASIC是指为特定应用场景而专门定制的芯片，谷歌、微软和亚马逊等企业均在自研相关芯片，如谷歌TPU。 本周有消息称，三星的HBM4芯片已通过英伟达和AMD的认证测试，将于下月开始向这两家公司供货。 与此同时，SK海力士正为HBM4产品的全面量产做准备，相关样品已交付给英伟达。

随着人工智能基础设施建设轰轰烈烈，人们越来越感受到，存储芯片供应紧张状况可能会比预期持续更长时间。那么，这一供应短缺情况究竟会持续多久？ 多位半导体行业资深人士作出了相似的判断：很可能还会至少持续两到三年。 内存短缺或延续至明年 近年来，随着巨额资金继续投入到数据中心基础设施建设中，市场对内存芯片的需求也达到了前所未有的水平，半导体的价格也因此出现了前所未有的上涨，这种上涨趋势今年还将持续。 全球EDA和半导体IP领域的龙头企业新思科技（ Synopsys） 的首席执行官萨西尼·加齐（Sassine Ghazi）在接受采访时表示，芯片“短缺”现象将在2026年和2027年持续下去。 加齐表示，目前，全球顶尖厂商的大部分内存芯片“直接流向了人工智能基础设施，但许多其他产品也需要内存，所以如今这些其他市场因产能不足而陷入困境。” 他指出，三星、SK 海力士和美光作为全球最大的内存公司，虽然正致力于扩大生产，但要实现扩产目标， 需要“至少”两年的时间，这也是此次短缺将持续下去的原因之一 。 “现在对于内存公司来说是一个黄金时期，”加齐说道。他还补充称，内存价格的上涨意味着消费电子公司可能不得不考虑提价，而这一趋势目前“已经在发生”。 我们正处于“超级周期” 通常来说，内存价格会经历供应短缺或供应过剩的周期，这种周期决定了这些组件的价格。然而，越来越多行业人士和分析师感受到，当前的内存正处于“超级周期”——换言之，供应短缺的情况将持续比过去更长的时间，内存的涨价潮将会比过去持续更久、范围更大。 事实上，美光科技在去年底发布2026财年第一季度业绩报告时就曾做出过这样的预测。 美光表示，持续的行业需求加上供应限制，导致存储市场供应紧张，预计这种情况将持续到2026年以后。 这意味着市场上行周期至少会持续三年，甚至可能更久。 推动这一趋势的主要因素是HBM芯片的强劲需求。美光预测，到2028年，HBM总潜在市场将以约40%的复合年增长率增长，从2025年的约350亿美元增长到2028年的约1000亿美元。 而与此同时，NAND的需求往往会跟随HBM上涨，这表明当前的存储上升周期可能会从2024年持续到2028年。 布鲁姆斯伯里情报与安全研究所（The Bloomsbury Intelligence and Security Institute）则指出： “全球内存市场正经历一场结构性危机，其原因是制造商将晶圆产能从DRAM重新分配到用于HBM芯片上。因此，DRAM价格同比上涨了171%，而DDR5现货价格自2025年9月以来已经翻了两番。” 这种情况会持续多久？存储器价格可能在2027-2028年期间保持高位，只有当新的制造设施实现量产时，价格才有可能部分恢复正常；如果随着产能的扩张，人工智能需求放缓，那么可能到2028-2029年才会出现供应过剩的情况。 行业分析公司IDC也强调了半导体“超级周期”已经到来。他们表示：“在经历了2023年的调整和2024年的复苏之后，2024年至2028年的长期半导体收入增长仍有望实现两位数的复合年增长率。” 华尔街投行做出类似预测 在华尔街，高盛和野村等投资机构也已经也做出类似判断。 高盛在近期的调查报告中指出，自新年伊始，DDR5现货价格已出现大幅上涨，而 DDR4现货价格自2024年9月开始上涨，目前仍呈上升趋势。这意味着DRAM合约价格近期上涨动力强劲，原因是DDR5/DDR4 现货价格已经相较于合约价格产生了巨大溢价。 高盛还预测，全球存储巨头三星今年的DRAM芯片平均定价将会每个季度环比增长，尤其是一季度增幅预计可达50%。 高盛：三星今年DRAM芯片定价预计持续增长 而野村在近期的报告中指出，全球存储器市场正在经历前所未有的 “三重超级周期” ，预计在2026年，DRAM、NAND和HBM的需求将同时激增。 野村还判断称，在强劲的需求增长和有限的供应扩张影响下，这一超级周期将持续到2027年。

当地时间周一，美光科技宣布， 位于新加坡现有NAND闪存制造园区内的先进晶圆制造厂正式破土动工，计划未来十年投资约240亿美元，预计2028年下半年投产 。这笔投资将创造约1600个就业岗位。 该工厂将成为新加坡首座双层晶圆制造工厂，建成后将提供约70万平方英尺的无尘室空间。 此次投资聚焦NAND闪存领域， 将有助于美光满足人工智能（AI）驱动的对NAND闪存不断增长的市场需求 。 这项新投资，预计也将巩固新加坡在先进NAND闪存制造领域的领导地位。NAND闪存是一种断电后数据仍可保存、广泛用于固态硬盘、U盘和手机存储里的非易失性存储芯片。 美光在新加坡已经拥有规模庞大的制造设施，其98%的闪存芯片都在那里生产。该公司还在新加坡投资建设了一座价值70亿美元的先进封装工厂，用于生产人工智能芯片所需的高带宽内存（HBM），该工厂预计将于2027年开始投产。 美光周一还表示，此前宣布的HBM先进封装厂预计将于2027年为美光的HBM供应做出重要贡献。 “随着HBM成为美光新加坡生产布局的一部分，公司预计NAND和DRAM生产之间将出现协同效应，”美光在新闻稿中表示，并补充称，公司将保持灵活性，根据市场需求调整新工厂产能爬坡的速度。 眼下，包括消费电子、人工智能服务提供商等多个行业正深陷各类存储芯片的严重短缺困境，而这一局面是由全球争相布局人工智能基础设施所引发的。 近日，美光科技已签署一份意向书，拟以18亿美元从力晶积成电子制造股份有限公司（力积电）收购其位于中国台湾地区的一处晶圆厂设施，以扩充其存储芯片产能。 在全球存储芯片严重短缺的背景下，不仅是美光，其主要竞争对手韩国三星电子和SK海力士均宣布了扩产计划，并将部分设施的投产时间提前。 SK海力士的一位高管近期表示，随着存储芯片需求的激增给全球供应带来压力，该公司计划将一座新工厂的投产时间提前三个月，并将于2月开始运营另一座新工厂。 不过，分析师仍然表示，存储芯片供应短缺的情况可能会持续至2027年年底。

继晶圆代工、封测报价纷纷上扬之后，芯片设计作为半导体产业链的重要一环，其报价也有望迎来上涨。 据台湾经济日报报道，IC设计大厂联发科已明确表态会适度调整价格。去年10月，该公司曾提到，看好今年持续有很好的成长机会，在产能吃紧的情况下，将策略性地调整价格，并分配各产品线的产能，以反映不断上升的制造成本。除此之外，据报道，部分电源管理IC厂表示：“正在等谁开涨价第一枪，就会跟进调价。” 对于何时及如何涨价， 业内人士预测，IC设计行业的涨价态势预计最快在春节过后就会明朗 。对于已经跟客户谈妥的订单价格或许很难变动，但如果要追加订单，那么原本因为订单量大而给的价格折扣就会缩水。 至于新推出的产品，价格也自然可以有调涨空间。 在海外，芯片设计涨价已现明确迹象。模拟芯片全球头部企业亚德诺计划自2026年2月1日起全线涨价，其中普通商用级产品涨幅普遍在10%-15%之间，工业级产品涨幅约15%。此外，德州仪器启动覆盖3300余款料号的全球性涨价计划，约9%的料号涨幅突破100%，主要集中于停产料号或极低利润产品；55%的料号涨幅则落在15%-30%区间。 从投资层面来看，中国银河证券判断，1月1日-1月23日期间，半导体板块表现较好，核心驱动是产业链景气度提升预期强化。模拟芯片设计板块虽然在半导体板块内表现相对平稳，但是依旧呈现出结束沉寂的态势。亚德诺、德州仪器等宣布提价，模拟芯片行业供需关系有望逆转，或将迎来上行周期。 数字芯片方面，上述机构强调，数字芯片设计板块热度不减。以AI算力、国产CPU为代表的先进设计领域仍旧表现强势，而部分泛消费类芯片公司则表现平淡。在科技自主的背景下，国产数字芯片的自主可控仍将是长期战略。 从投资层面来看，中国银河证券判断，1月1日-1月23日期间，半导体板块表现较好，核心驱动是产业链景气度提升预期强化。模拟芯片设计板块虽然在半导体板块内表现相对平稳，但是依旧呈现出结束沉寂的态势。亚德诺、德州仪器等宣布提价，模拟芯片行业供需关系有望逆转，或将迎来上行周期。 数字芯片方面，上述机构强调，数字芯片设计板块热度不减。以AI算力、国产CPU为代表的先进设计领域仍旧表现强势，而部分泛消费类芯片公司则表现平淡。在科技自主的背景下，国产数字芯片的自主可控仍将是长期战略。

又一AI芯片独角兽冲刺上市。 根据港交所官网显示，爱芯元智半导体股份有限公司（以下简称“爱芯元智”）已通过聆讯。据招股书，爱芯元智成立于2019年，是人工智能推理系统芯片（SoC）的供应商，专注为边缘计算与终端设备AI应用打造高性能感知与计算平台。 根据灼识咨询，按2024年度出货量计，爱芯元智是全球TOP5的视觉端侧AI推理芯片供应商，市占率6.8%，中高端产品市占率24.1%，位列该细分市场首位。 ▍累计交付超1.65亿颗SoC芯片 今年9个月营收2.69亿 根据灼识咨询的数据，爱芯元智旗下的爱芯智眸AI-ISP是全球首个实现规模化商用的AI-ISP解决方案。 截至2025年9月30日，爱芯元智累计交付量已突破1.65亿颗SoC，已独立开发五代SoC并实现其商业化，涵盖数十种类型，在视觉终端计算、智能汽车和边缘AI推理应用中实现大规模生产。 在财务数据方面，2022年至2024年，爱芯元智的收入从5020万元增长至4.73亿元，年复合增长率206.8%。今年前9个月，公司收入为2.69亿元，而去年同期2.54亿元。 爱芯元智有超8成的收入来自终端计算产品（包括视觉感知SoC、视觉感知辅助SoC和芯片）。 爱芯元智的总出货量从2022年的92.8万颗增长到2024年的786.06万颗，智能汽车及边缘AI推理产品的出货量均大幅增加。截至2025年底，公司智能汽车芯片累计出货量已接近 100 万片。 不过，2025年前9个月终端计算产品出货量同比减少，主要是因为其根据市场需求和产品更新，终止了若干非主要产品。 与多数AI芯片公司一样，爱芯元智尚未实现盈利。 数据显示，爱芯元智2022年、2023年、2024年经调整净亏损分别为4.44亿、5.42亿、6.28亿元；2025年前9个月经调整净亏损为4.62亿元。 截至2025年9月30日，爱芯元智持有的现金及现金等价物为3.4亿元。 ▍前紫光展锐CTO创办 芯片首富加持 爱芯元智成立于2019年5月，由清华大学校友、前紫光展锐CTO仇肖莘创办。其CEO孙微风曾在中国电子科技集团公司第二十四研究所、海思半导体有限公司担任研发、项目管理和销售等关键职位。 成立至今，爱芯元智已获得韦豪创芯、启明创投、沄柏资本、美团、和聚资本、腾讯、联想之星、纪源资本、元禾、冯源资本、通商控股、耀途资本、华晏资本、万物资本等知名机构以及多地地方国资的投资。IPO前，韦豪创芯和启明创投是两大持股超10%的机构投资方。 《科创板日报》记者注意到， ，美团旗下的北京酷讯科技和深圳龙珠分别持股4.18%和0.96% ，重庆政府旗下重庆两江投资和重庆产业投资母基金分别持股3.29%和3.29%， 腾讯投资持股2.98%，联想之星持股1.84%。有芯片行业首富之称的豪威集团创始人、董事长及控股股东虞仁荣持股1.12% 。 另外，仇肖莘博士、上海衿凌、嘉兴智芯、嘉兴爱芯、上海博纳斯及芯升必成平台构成爱芯元智的一组控股股东。

随着全球低轨卫星组网进入密集建设期，卫星通信产业链成为近期市场焦点。 媒体数据显示，近2个月卫星通信板块指数上涨约40%，其中多家卫星通讯相关的芯片企业涨幅显著。从市场情况来看，在低轨卫星通信芯片领域，多家企业已实现关键技术突破并进入批量出货阶段。 市场人士认为，随着卫星互联网规模化发射临近，芯片作为终端核心组件，或将率先享受需求爆发红利。 ▍卫星芯片实现批量出货 当前，在低轨卫星芯片领域，多家企业实现技术突破与规模化出货。 从芯片代工厂商来看 ，近日，立昂微在投资者互动平台披露，公司旗下子公司立昂东芯已掌握业内领先的单芯片集成工艺技术，目前基于该技术开发的、应用于低轨卫星通信的芯片已实现大批量出货。 具体来看，立昂微表示，立昂东芯拥有行业内首个将栅长0.15μm的功率管、低嗓声晶体管、PN二极管、E/D逻辑及射频开关集成于单芯片的商业化以及可量产工艺技术，该技术融合了独立优化的栅长为0.15um的Emode低噪声pHEMT与0.15um Dmode功率pHEMT，实现同芯片内业界性能领先的功率放大器和低噪声放大器。 据介绍，上述技术以及其它多种0.15、0.25um的GaAs pHEMT工艺技术和GaN HEMT工艺技术，既可应用于卫星的通信领域，也可应用于地面通信终端通信。 目前应用于低轨卫星通信芯片已实现大批量出货， 实现包括功率放大器（PA），低噪声放大器（LNA）以及射频开关（SW）等功能；应用于地面通信终端的芯片已通过客户验证。 《科创板日报》记者致电立昂微证券部获悉，其应用于低轨卫星通信的芯片主要基于pHEMT工艺开发，目前有产品线出货。该工艺于2023年完成开发，同年开始进入低轨卫星终端客户，并实现大规模出货。 从具体出货量来看，立昂微近期披露的2025年业绩预告显示，该公司2025年化合物半导体射频及光电芯片销量约4万片，同比增长约0.7%，其中pHEMT、BiHEMT芯片销量约0.23万片，同比增长约26.12%。占比较低，但增速较快。 此外，立昂东芯的氮化镓射频芯片工艺也将实现卫星领域应用作为目标。对此，立昂微证券部工作人员向《科创板日报》记者表示，目前， 该公司应用在低轨卫星通信领域的氮化镓射频芯片工艺已经开发完成，未来有订单可直接用于生产。 ▍卫星通讯芯片商业化加速 除单芯片代工技术突破外，低轨卫星芯片产业链正呈现“多点开花”态势。 《科创板日报》记者注意到，除立昂微外，已有多家芯片企业在低轨卫星芯片领域实现商业化，并于近期取得相关进展。 电科芯片专注于无线射频芯片设计开发，其称应用于低轨星座的Ka波段相控阵T/R芯片套片已实现量产，部分射频芯片产品已应用于商业航天领域，但销量较少。 对于行业现状，电科芯片近期在回答投资者提问时表示， 目前国内低轨商业卫星载荷市场仍处于发展初期，上游芯片企业尚未形成大规模批量交付。 “公司已布局多款相控阵T/R配套芯片和模组系列产品，后续会进一步加大现有产品市场推广力度，加快新产品研发进度。” 国博电子是目前国内能够批量提供有源相控阵T/R组件及系列化射频集成电路产品的企业之一。该公司近日在互动平台表示，其产品广泛应用于移动通信基站和终端、卫星领域、雷达探测等领域。 和而泰近期在接受机构调研时表示，子公司铖昌科技主营产品T/R芯片已批量应用于星载、地面、机载等相控阵雷达及卫星通信等领域。下游用户需求恢复加快，铖昌科技在手订单及项目显著增加。 臻镭科技近期在投资者互动平台表示，随着商业航天的发展，对于宇航级器件的标准不会像过往那么严苛，目前海外供货的也是商业宇航级器件。“公司的抗辐照电源低成本供电解决方案、低成本单粒子保护方案，是商业宇航级元器件的典型代表，年供货超十万颗。” 值得一提的是，臻镭科技的全资子公司浙江航芯源集成电路科技有限公司专注于宇航级及特种行业高可靠性电源芯片的研发与生产，产品涵盖低压差线性稳压器、DDR终端稳压器、固态电子开关等十余类产品线，已为国内多个重大星载项目提供配套解决方案。 德邦证券在近期研报中表示，发射场地和可回收火箭即将落地，规模化发射不远。其认为，我国发射场地以及可回收火箭的进程在逐步推进，今年下半年卫星互联网将有望实现大规模发射。 另有业内投资人在接受《科创板日报》记者采访时表示，随着星网GW星座、垣信卫星千帆星座等低轨巨星座进入密集组网期，卫星制造正从“定制化作坊”向“工业化流水线”转型，卫星通信芯片作为核心硬件，其技术指标直接决定了星座的通信容量与可靠性，这不仅驱动了国内企业在相控阵T/R芯片、基带处理芯片等需求，也迫使芯片产业必须在高性能、小型化、低功耗及抗辐射等维度实现技术突围。