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  • 普冉股份预计2025年Q4净利环比预增696% “存储+”系列产品市场份额提升

    普冉股份披露2025年度业绩预告。 公告显示,普冉股份预计2025年实现营收约23.2亿元,同比增长28.63%左右;归母净利润约2.05亿元,同比减少29.89%左右;扣非净利润约1.7亿元,同比减少36.87%左右。 由此计算,普冉股份2025年第四季度营业收入8.87亿元,同比增长约102.93%;归母净利润约为1.46亿元,同比增加115.69%左右,环比增长696%左右;扣非净利润约1.329亿元,同比增长217.87%左右。 均创下其历史单季度新高。 对于上述业绩变化,普冉股份在公告中表示,2025年第二季度开始, 受益于存储芯片市场供给格局的有利变化,以及AI服务器、高端手机、PC换机等终端需求的集中释放带来的结构优化,公司主要存储芯片产品的营业收入较去年同期有所上升;MCU产品以及Driver等模拟类新产品自推出后,公司“存储+”系列产品市场份额持续快速提升,基于此,公司整体收入相较于去年有所增长。 伴随着公司整体扩张,普冉股份各项管理运营费用也同步增加。业绩预告显示,该公司研发费用、管理费用及销售费用相较于去年同期增长较为明显,同比合计增长约为9000万元。 此外,普冉股份自去年上半年以来,根据市场情况和产品供需走势, 采取较为积极的供应链策略,增加了存货库存水位,使得公司库存维持在较高水平,存货周转率有所下降。其业绩预告中,该公司本报告期确认资产减值损失金额同比增加约为6300万元。 值得注意的是,为增强公司在存储器芯片领域的竞争力,进一步丰富产品线。普冉股份2025年11月通过现金收购方式,控制诺亚长天51%股权,将其全资子公司SHM纳入普冉股份合并范围。随后又于同年12月拟通过发行股份、可转换公司债券及支付现金的方式购买诺亚长天49%股权,并发行股份募集配套资金。 普冉股份在业绩预告中表示, 将SHM纳入公司合并范围对公司报告期利润产生积极影响。 具体来看,上述收购交易对普冉股份本报告期的归母净利润贡献约为3500万元,扣非净利润2700万元。同时,因诺亚长天于本报告期新纳入普冉股份非同一控制下的合并范围,分别对本报告期营业收入贡献约2.1亿元、对归母净利润贡献约2000万元、对扣非净利润贡献约2000万元。 根据Trendforce等市场调研数据,SHM为2024年全球第四大SLC NAND厂商。据了解,SHM拥有2DNAND、SLCNAND、eMMC、MCP等高性能存储产品产线,拥有韩国、日本工程中心及全球销售网络,2025年1-8月实现营收6.87亿元、净利润4749万元。 民生证券近期在研报中表示,在产品上,普冉股份主营产品与SHM的SLC NAND、eMMC、MCP等产品结合,形成完整的非易失性存储产品布局;市场方面,将从以中国市场为主扩展到覆盖全球范围;技术上,公司的集成电路产品自主研发设计能力与SHM在产品性能优化等方面的工程能力相结合,提升整体技术实力,从而提升公司在全球存储市场的综合竞争力。

  • 受碳化硅衬底价格下滑影响 天岳先进预计2025年亏损至多2.25亿元

    1月26日晚间,天岳先进发布2025年度业绩预告。 天岳先进预计2025年实现营业收入14.5亿元至15亿元,同比下降15.17%-17.99%;归母净利润亏损1.85亿元至2.25亿元,上年同期盈利1.79亿元;扣非净利润亏损2.35亿元至2.75亿元,上年同期盈利1.56亿元。 对于营收净利润“双降”,天岳先进表示,报告期内,公司衬底产品销量增加但受市场价格下降影响,整体营收规模较去年同期下降。公司产品的平均价格下降,一方面受国内市场竞争影响,另一方面主要是基于公司市场战略调整,扩大市场占有率导致公司销售收入下降。 “ 报告期内,公司为积极开拓大尺寸产品在新应用市场的应用,销售费用上升;公司为保持在行业中的技术领先优势,持续投入大尺寸及新工艺研发,带动研发费用同比增长。 ”天岳先进进一步补充。 天岳先进是国内领先的宽禁带半导体材料生产商,目前主要从事碳化硅半导体材料的研发、生产与销售,产品分为半绝缘型碳化硅衬底、导电性碳化硅衬底,可应用于微波电子、电力电子等领域。 谈及国内碳化硅衬底产业的发展现状,一位半导体领域私募基金投资人士对《科创板日报》记者表示,现阶段碳化硅赛道面临同质化竞争,过往大规模产能投放覆盖衬底、外延至器件各环节,引发市场价格持续下探,多数产业链企业面临盈利难题。 面对当前碳化硅行业面临产品价格下降趋势,如何平衡价格、市占率与渗透率的关系,成为投资者关注的重要问题。 “早在2024年以来,碳化硅市场价格波动,但价格竞争并非在所有细分市场都同样激烈。”在公司2025年半年度业绩说明会上,天岳先进董秘钟文庆对此表示,2024年以来价格竞争主要集中在技术门槛较低的工规级衬底,而车规级高端产品、8英寸及12英寸大尺寸衬底因技术壁垒高、有效产能有限,仍处于供不应求状态,价格体系保持坚挺。 “价格下行并非完全负面,而是有助于加速碳化硅对传统功率器件的替代。”彼时,钟文庆进一步表示,公司的策略是以技术驱动成本下降为基础,策略性调整价格。公司2024年全球导电型碳化硅衬底市占率稳居前三,已实现市占率与渗透率的相互促进。 从主营业务收入构成来看,现阶段天岳先进仍以8英寸产品销售收入为主,公司12英寸产品尚未形成规模化收入。 对于公司12英寸碳化硅进程以及批量订单情况,天岳先进在2025年12月5日举行的三季度业绩说明会上表示,公司12英寸技术全球领跑,8英寸产品良率与订单双优,正积极推动行业向更大尺寸、更高附加值方向发展。 在新兴应用领域,天岳先进独立董事李洪辉表示,公司碳化硅衬底在AR领域的应用已取得进展,相关产品正在客户送样验证,重点布局用于AR眼镜的大尺寸碳化硅光学衬底,且已与国内外产业链伙伴及头部科技公司合作推进技术成熟。 前述半导体领域私募基金投资人士对《科创板日报》记者分析表示,“当前,AR/AI眼镜赛道一度迎来销售热潮。但就目前来看,关于 AR/AI眼镜终端的最优产品形态,如何撬动大众消费意愿的‘非买不可’核心卖点,以及寻找到真正具备行业爆发力的发展突破口,仍是行业亟待解答的关键问题。 ” 二级市场表现方面,截至1月26日收盘,天岳先进股价报101.27元/股,下跌9.50%,公司总市值为490.8亿元。

  • EDA巨头:AI基建吞噬世界产能 存储芯片紧缺或持续到明年

    新思科技(Synopsys)首席执行官盖思新(Sassine Ghazi)表示,存储芯片价格上涨和供应紧张的情况,很可能会持续到2027年。 盖思新在接受采访时表示,本轮存储芯片的“紧张”局面将持续到2026年甚至2027年。 他指出,头部厂商生产的大部分内存芯片“几乎全部流向人工智能(AI)基础设施”,但许多其他产品同样需要存储芯片,因此其他市场目前处于“被挤压”状态,因为已经没有多余产能可以分配。 新思科技是一家总部位于美国加州的电子设计自动化(EDA)公司,专注于硅晶设计与验证等业务,是全球排名第一的芯片自动化设计解决方案提供商,全球排名第一的芯片接口IP供应商,目前其技术产品应用于智能汽车、物联网、人工智能、云计算和信息安全等新兴科技创新领域。 作为半导体行业的顶级高管,盖思新的说法进一步强化了市场先前的判断:由AI基础设施建设热潮引发的内存芯片“紧缺潮”,可能比预期持续更长时间。 两周前,美光科技全球运营执行副总裁Manish Bhatia也在接受采访时表示,由于AI基础设施对高端半导体需求激增,存储芯片的紧缺状况将持续到今年以后。 存储芯片是智能手机、笔记本电脑等消费电子产品的核心部件,同时也已成为AI数据中心及服务器的关键组件,尤其是高带宽存储器(HBM)的需求极为旺盛。 随着数百亿美元持续投入数据中心基础设施建设,存储芯片需求出现爆发式增长,推动内存价格出现前所未有的上涨,而且这一趋势预计今年仍将延续。 存储芯片价格上涨,意味着消费电子厂商可能不得不考虑上调终端产品价格。目前,三星、SK海力士和美光是全球最大的三家内存芯片厂商。 盖思新表示,尽管这些公司正在计划扩大产能,但从投资到产线真正投产,至少需要“两年时间”,这也是本轮紧缺格局可能长期持续的重要原因之一。 从历史来看,内存芯片价格通常呈现周期性波动,在短缺与过剩之间来回切换,并决定价格走势。但一些分析师已将本轮行情称为“超级周期”。 盖思新也承认,“现在对存储芯片厂商来说,是一个黄金时代。”

  • 杰富瑞提醒AI行业主角变阵:存储巨头接棒 本周集中公布财报!

    人工智能(AI)热潮“孕育”了许多赢家,尤其是“科技七巨头”受益匪浅。不过,AI领域的主角今年似乎要有变化了。美国投资银行杰富瑞(Jefferies)最新报告称,投资者的关注焦点正从超大规模平台转向关键组件供应商。 该行分析师Christopher Wood在其最新撰写的报告《贪婪与恐惧》(Greed & Fear)中指出, 人工智能支出多年来的激增已进入一个新阶段,定价权不再掌握在芯片设计商或云平台手中,而是掌握在存储器生产商手中。 事实上,自全球存储价格从2025上半年复苏上涨以来,其现货及合约价格便一路高歌猛进。SK海力士和美光等存储巨头的股价也因此大幅上涨。 而 杰富瑞这份报告发布之际,正值存储巨头即将在本周集中发布2025年第四季度财报。 存储大厂 三星、SK海力士、希捷和西部数据 等公司都将在本周公布季报,投资者可以借财报和业绩会充分了解存储行业的前景。 市场普遍预期,AI热潮推动的这场存储“超级周期”似乎将继续演绎。根据Counterpoint的分析,2026年第一季度内存价格就将进一步上涨50%。 股票表现分化 杰富瑞在上述报告中还强调了股票表现日益分化的趋势。 自去年10月下旬以来,大型超大规模数据中心和人工智能平台领导者的股价表现落后,而存储器生产商和半导体制造商的股价则大幅上涨。 杰富瑞估计,上季度存储器价格上涨了约50%,这进一步增强了相关供应商在人工智能供应链中的议价能力。 当然,这种优势也伴随着成本的上升。新建芯片制造厂如今需要数百亿美元的投资,杰富瑞表示,一些存储器生产商正在敦促客户分担这些成本,以换取供货保障。 他强调,这种担忧已在股市中有所体现。尽管芯片制造商和存储器供应商股价飙升,但几家大型云计算和互联网公司近几个月来股价却出现下跌,即便它们的资本支出计划已进一步延长至2026年。 杰富瑞预计,超大规模云服务提供商的资本支出今年将继续大幅增长,这将加大其获得回报的压力。 “人工智能行业格局依然稳固,但行业领导者正在发生变化。内存供应商有望成为短期赢家,而投资者则对那些在没有明确盈利证据的情况下就投入巨资建设人工智能基础设施的公司更加谨慎。” Wood总结道。 AI热潮何时休? 整体而言,尽管人工智能领域的投资仍在持续增长,但杰富瑞提醒道, 人工智能领域的支出周期已不再处于早期阶段。 该报告将当前环境与其他资本密集型行业进行了比较,在这些行业中,回报率往往会随着时间的推移而趋于正常化。 “关键风险在于,投资者何时开始质疑人工智能领域的支出能否产生足够的利润来支撑如此庞大的投资规模。”Wood写道。

  • 存储涨价“风暴”来袭!高盛调查:DRAM现货溢价狂飙 合同定价上涨动力强劲

    随着DRAM芯片现货价格持续狂飙,高盛预计,一场更大的存储涨价“超级风暴”即将来临。 DRAM合约价格上涨“箭在弦上”? 自新年伊始,DDR5现货价格已出现大幅上涨,而 DDR4现货价格自2024年9月开始上涨,目前仍呈上升趋势。 高盛预计,这意味着DRAM合约价格近期上涨动力强劲,原因是DDR5/DDR4 现货价格已经相较于合约价格产生了巨大溢价。 DDR4现货价格已经持续一年多,溢价不断扩大,深蓝线为现货价格,浅蓝线为合约价格 DDR5现货价格在今年初快速提升,深蓝线为现货价格,浅蓝线为合约价格 高盛的最新渠道调查显示, 与去年12月合约价相比,DDR5/DDR4现货价格分别溢价76%/172% ,推动了近期合同价格的上涨以及整个行业的乐观情绪。 高盛在报告中写道: “我们对今年1月 DRAM市场情绪的预测显示,情况呈现出较为积极的态势。值得注意的亮点包括,DDR5 和 DDR4 的现货价格均呈现强劲上涨态势,这为短期内合同价格的大幅上涨提供了很大可能性。” 在这一背景下,中国台湾地区的DRAM供应商南亚科技营收增速惊人。 南亚科技去年12月营收同比增长 445%,为连续5个月的三位数同比增长。而且,得益于强劲的 DDR4 价格增长,南亚科技这五个月的增长率还在不断加速——8月至12月期间,营收同比分别增长141%/158%/262%/365%/445%。 与此同时,韩国12月DRAM出口呈现出强劲的同比增长趋势(同比增长 72%),同样是由于DRAM价格上涨所致。 下游需求仍在加速增长 尽管DRAM价格狂飙,但硬件需求不仅没有放缓,反而因机架级AI服务器的出货量攀升而加速。这体现在各大服务器 ODM和全球最大的BMC供应商信骅科技(Aspeed)的快速增长的营收上。 去年12月,服务器 ODM(英业达、广达、纬创)的月度营收同比增长 94%,得益于机架级人工智能服务器出货量的增加,连续13个月实现了50%以上的同比增长;而信骅科技的月度营收也从较高的基数(2024年12月同比增长131%)实现了稳健的同比增长(同比增长18%)。 存储行业“超级周期”仍在加速 基于渠道的调查反馈以及与投资者的讨论,高盛对于2026年第一季度传统存储器价格增长的预期在过去几周内一直在持续上升,目前认为传统存储器价格增长水平将与去年年第四季度的涨幅相当,甚至更高。 根据高盛核查,移动市场的某些客户已经开始接受2026年第一季度的价格报价,在 DRAM 和NAND方面,其增长率明显高于2025年第四季度所商定的水平。 因此,高盛预计其他客户很可能也会同意2026年第一季度内存价格有显著的增长,并且随着现货价格的迅速上涨,市场对近期内存价格和相关内存公司的收益预期可能会有进一步的提升。 事实上,上个月,Citrini研究分析师Jukan就曾预测,今年HBM和传统DRAM芯片的需求持续超过供应。” 他特别提到, “现阶段,厂商似乎没有计划将HBM生产线改造为传统DRAM生产线,也没有计划将NAND生产线改造为DRAM生产线……因此 预计DRAM的供应短缺“至少会持续未来几个季度,甚至可能持续到 2027 年 。我们也预计这将导致未来几个季度价格环比上涨。”

  • AI基建加速 国内高速互联芯片企业韬润半导体再获数亿元融资

    近期,国内高速互联芯片企业上海韬润半导体有限公司(简称“韬润半导体”)完成了新一轮数亿元D++轮融资,迎来了新一轮资本加持。 工商信息显示,本轮融资由熙诚金睿领投,新微资本、银河源汇、众源资本、金蚂投资等多家机构参投,老股东深创投、高瓴创投、同创伟业等超额追加投资。 财联社记者从韬润半导体方面了解到,本轮融资资金计划用于高端模拟底层技术的持续迭代,以及下一代光通信DSP芯片等产品的后续研发。 值得注意的是,本轮融资中不乏国资和产业资本的身影。其中,由深创投管理的社保基金湾区科技创新基金,成为了公司的新增股东。此外,由浙江金控牵头、联合蚂蚁集团发起成立的金蚂投资也参与了韬润半导体的本轮融资。 公开信息显示,韬润半导体成立于2015年,历经十年发展,公司已经积累了高性能和低功耗ADC/DAC、SerDes、PLL等核心模拟芯片技术。目前,公司已与国内多家通信、数据中心、新能源汽车等领域客户达成合作。在资质方面,韬润半导体也已获得高新技术企业和国家级专精特新等一系列资质认定。 根据韬润半导体的公开信息,公司长期致力于实现国家数据基础设施层面的国产化创新,填补国内高端模拟芯片领域的长期产业空白。公司基于自身在模拟信号链领域的深厚积累,已系统性构建了公司的产品矩阵,对高速互联领域核心点位实现全覆盖,其中包括400G & 800G非相干DSP芯片、基站射频收发芯片等多颗高端芯片已逐步实现量产,填补国内在通信、数据中心领域的多项国产化空白。 从行业层面来看,伴随着AI基建浪潮的全面开启,带动算力、互联、存储需求全面提升,高速互联成为AI基建的核心组成部分,对集群间、机柜内部高速光通信的需求快速增长。这充分带动了光模块厂商业绩的快速增长。 然而,大公国际研报指出,当前中国厂商虽主导全球制造,产能快速爬坡,但在光模块的上游关键器件面临“卡脖子”困境,国产化率低。以光芯片为例,光芯片作为光模块的核心器件,在光模块成本中占比较高,光芯片中高端芯片目前具备量产能力的供应商主要在海外。此外,在高速互联的关键点位包括高性能交换芯片、光通信DSP芯片等,也同样存在着潜在巨大的国产切换机遇。 在AI驱动的技术迭代浪潮下,芯片行业的竞争逻辑已从过往聚焦成本压缩与交付的国产替代,转向以核心技术积累、产品性能支撑下的全球正面竞争。如何在AI基建发展浪潮中,通过自身技术实力,解决国家AI基础设施仍面临的迫切供给需求,已经成为了国内芯片行业发展和竞争的关注焦点。 据中国信通院等机构测算,到2027年,中国AI服务器出货量将占全球30%以上,带动800G光模块年需求超1000万只,国内光模块总需求将在“十五五”期间保持15%以上的复合增速。在市场需求推动与国家和产业政策的积极指导下,以韬润半导体为代表的高速互联芯片厂商,或有望在AI时代迎来全新的发展机遇。

  • HBM市场争霸升级!三星据称2月开始向英伟达供应HBM4芯片

    据媒体周一援引消息人士的话报道称, 韩国存储芯片巨头三星电子计划从2月开始生产其下一代高带宽存储芯片,即HBM4,并将向英伟达供货 。 该消息人士拒绝透露三星计划向英伟达供应芯片的具体数量等细节。 韩国经济日报周一也援引芯片行业消息人士报道称, 三星的HBM4芯片已通过英伟达和AMD的认证测试,将于下月开始向这两家公司供货 。 受上述消息影响,三星电子股价周一早盘一度上涨逾2%,而其本土竞争对手SK海力士的股价则下跌近3%。 三星HBM4通过最终质量测试,并即将向主要客户供货, 有望帮助该公司在面向人工智能(AI)的存储芯片竞争中重新夺回领先地位 。 三星曾在HBM领域长期落后于SK海力士。过去几年,该公司彻底改革了其HBM和半导体业务部门,旨在扭转局面,如今改革成果开始显现。 从市占率来看,过去数月,三星在全球HBM市场的份额稳步上升,从去年第一季度的13%增长至第三季度的超过 20%。分析人士预计,今年这一数字将超过 30%,缩小与目前市场领导者SK 海力士之间的差距。 SK海力士去年10月份表示,已与主要客户就2026年的HBM供应事宜完成了谈判。 本月早些时候,SK海力士一名高管透露,该公司计划下个月将硅晶圆投入位于韩国清州的新工厂M15X中,用于生产HBM芯片。但他未详细说明,初期生产是否会包含HBM4芯片。 三星和SK海力士均将于本周四公布2025年第四季度财报,届时两家公司预计将透露有关 HBM4订单的详细信息。 三星电子本月早些时候发布的2025年第四季度初步业绩显示,受益于AI热潮下的存储芯片涨价潮,当季公司营业利润大幅增长,且好于市场预期。 根据初步业绩,三星电子去年10月至12月期间的营业利润为20万亿韩元(约合138.2亿美元‍),较上年同期飙升208%,高于LSEG SmartEstimate预计的18万亿韩元。这将是三星有史以来最高的季度营业利润。 英伟达首席执行官黄仁勋本月初表示,公司下一代芯片——Vera Rubin平台已“全面量产”。该平台计划于2026 年下半年正式推出,并面向客户供货。该平台将与HBM4芯片搭配使用。

  • 东芯股份预计2025年亏损扩大:存储板块实现盈利 上海砺算投资亏损约1.66亿

    1月23日,东芯股份发布2025年度业绩预告,尽管该公司整体净亏损幅度有所扩大,但其存储板块业务已实现盈利,而对上海砺算的战略投资则确认亏损约1.66亿元。 公告显示,经东芯股份财务部门初步测算,该公司预计2025年实现营业收入约为9.21亿元,同比增幅43.75%左右;预计归母净利润为-2.14亿元至-1.74亿元,亏损增加4.10%至28.03%;扣非净利润预计-2.41亿元至-2.01亿元,亏损增加0.15%至20.09%。这也是东芯股份2023年起连续第三个年度亏损。 由此计算,东芯股份2025年第四季度营收约为3.49亿元,同比增长约79.90%;归母净利润约为-6782万元至-2782万元,同比变动为-84.28%至24.24%;扣非净利润为-7430万元至-3430万元,同比变动-55.24%至28.33%。 存储板块盈利成为该公司本次业绩预告的重点之一。东芯股份在公告中表示,2025年度,公司围绕“存储”核心业务,在“存、算、联”一体化领域持续进行技术布局, 其所处的中小容量存储芯片市场受益于人工智能驱动的新一轮行业上升周期,产品销售价格稳步回升。 公司产品在下游应用领域需求整体呈现复苏与结构性增长。随着产品销售价格的回升,整体毛利率较上年同期相比大幅提升,各季度毛利率均实现环比增长,存储板块业务已实现盈利。 对于业务和研发情况,东芯股份表示, 在存储板块 ,公司继续巩固SLCNAND Flash行业优势,报告期内1xnm闪存产品已实现量产,并已实现产品销售;进一步丰富NorFlash产品系列,扩展产品型号;拓展DDR3、LPDDR4 等产品线。推进车规级存储产品的研发与产业化,NandFlash和Nor Flash车规系列产品已在多款车型中实现规模量产。 对于存储业务总体表现情况,东芯股份在近日披露的投资者关系活动记录表中表示,随着市场需求逐步好转,公司涉及的利基型存储芯片的市场价格已逐步回升。公司产品受到市场供求关系的影响,海外原厂逐步向更高容量,高利润率产品转移,导致利基型存储器也日益紧缺,有助于公司产品销售价格议价能力持续上升。 在Wi-Fi板块 ,东芯股份提供本土化智能无线通信与感知芯片解决方案,推进Wi-Fi7无线通信芯片的研发,已完成原型机样片测试,其核心性能符合设计目标。 值得注意的是,东芯股份于2024年通过自有资金2亿元战略投资砺算科技(上海)有限公司(下称:“上海砺算”),并于2025年对其追加投资约2.11亿元,对此,东芯股份也在业绩预告中透露了该投资收益影响。 东芯股份表示,上海砺算主要从事多层次(可扩展)图形渲染GPU芯片的研发设计,2025年首款自研GPU芯片“7G100”首次流片成功,少量显卡已交付客户,产品量产及销售拓展等工作正在正常开展中。公司对上述投资以权益法核算, 2025年度确认的投资亏损约1.66亿元。 东吴证券在近期研报中表示,上海砺算有望持续受益海外SLC NAND产能退出。同时,砺算GPU已逐渐进入商业化合作阶段,看好后续放量进展。但由于当前存储芯片正处周期下行转上行区间,其下调该公司2025年业绩预期,预测其2025年归母净利润-1.6亿元,但上海砺算业绩预告中的亏损超出这一预期。

  • 存储“超级周期”迎试金石!两巨头财报下周将同日披露

    随着全球存储需求不断增长,韩国两大存储巨头——SK海力士、三星电子的业绩表现正成为市场焦点。就在下周四(1月29日),两家公司将在同一天公布2025年第四季度财报。 本月早些时候,三星电子初步预计2025年第四季度营业利润为20万亿韩元,同比暴增208%,营业收入则同比预增23%至93万亿韩元。这些数字不仅打破公司的历史纪录,还有望推动三星电子成为首家单季营业利润突破20万亿韩元的韩国企业。 相比之下,据韩国金融信息企业FnGuide预估,SK海力士同期营业收入预期为30.70万亿韩元,营业利润预计为16.18万亿韩元,均创下历史新高。分析指出,DRAM业务是SK海力士去年第四季度业绩增长的主要驱动力,但由于公司业务结构更侧重于HBM,在一定程度上限制了收益幅度。 除去年业绩以外, 市场普遍预计两家公司将于今年迈入“百万亿韩元营业利润俱乐部” 。Kiwoom证券预测三星电子今年的营业利润将达到120万亿韩元,并表示:“三星电子将获得大量HBM3E客户,出货量将比去年增长三倍以上。” KB证券则预测SK海力士营业利润将达到115万亿韩元,同比增长154%。 此次SK海力士、三星业绩爆发,主要归功于AI热潮推动的存储“超级周期”,自全球存储价格从2025上半年复苏上涨以来,其现货及合约价格便一路高歌猛进。机构调研显示,2026年第一季度由于DRAM原厂大规模转移先进制程、新产能至服务器、HBM应用,导致其他市场供给严重紧缩,预估整体一般型DRAM合约价将环比增长55-60%。 在存储“超级周期”持续演绎的预期下,SK海力士、三星电子或持续扩大资本开支。TrendForce预计,2026年SK海力士资本支出预计超过30万亿韩元,同比增长17%,以应对清州M15X晶圆厂的HBM4产能扩张。三星则预计投入超过29万亿韩元,同比增长11%,用于HBM的1C制程渗透及小幅增加P4L晶圆产能。 招商证券1月21日研报指出,1月末和2月初是全球存储大厂密集的财报季,SK海力士、三星、闪迪、西部数据等公司都将披露最新业绩和展望,密集利好整体即将到来。预计2026年全年全球存储供给整体维持偏紧状态,AI需求增长持续高于产能扩张速度,其他消费类存储和利基型存储受到产能挤压和下游恐慌备货等因素,价格涨幅也远超常规水平。 从投资层面来看,该机构判断存储封测涨价逐步蔓延,后续可以进一步观察和存储紧密关系的配套芯片是否会同步出现涨价现象,如有此类情况发生,在第一波封测的蔓延过后,后续存储大beta有望蔓延至更广泛的领域。

  • 未来三年存储业务有望实现持续增长 存储芯片概念股单日涨近19% 上周机构密集调研

    据Choice数据统计,截至上周日,沪深两市 本周共186家上市公司接受机构调研 。按行业划分, 机械设备、电子和汽车 行业接受机构调研频度最高。此外,基础化工、通信等行业关注度有所提升。 细分领域看, 汽车零部件、通用设备和专用设备 板块位列机构关注度前三名。此外,医疗器械、航空装备等行业机构关注度提升。 具体上市公司方面,据Choice数据统计, 天禄科技和泰和新材接受调研次数最多,均达到5次。 从机构来访接待量统计, 大金重工、耐普矿机和三七互娱排名前三,机构来访接待量分别达209家、132家和111家。 市场表现看, 存储芯片概念股本周表现活跃。 帝科股份周三发布机构调研纪要表示,公司存储业务是行业内 为数不多实现贯穿DRAM芯片应用性开发设计、晶圆测试分选、存储封装测试一体化布局且规模量产 的企业,在不同类型晶圆导入、成本品质控制以及客户需求反应方面具备明显竞争优势。未来三年基于市场需求以及公司存储业务核心竞争力, 公司存储业务有望实现持续增长 。同时,上市公司管理层明确存储业务作为第二主业,持续加大投入, 目标未来两三年发展成为国内领先的第三方DRAM存储模组企业。 二级市场上, 帝科股份周五收盘涨近19%。 佰维存储周三发布机构调研纪要表示, NAND Flash方面 ,TrendForce集邦咨询预测产品价格 在2026年第一季度持续上涨33-38% 。DRAM方面,TrendForce集邦咨询预测 一般型DRAM价格在2026年第一季度继续上涨55-60%。 在产品方面,公司 预计2026年AI眼镜等高价值AI端侧产品将持续放量 ,有助于公司稳定毛利率水平;预计2026年智能汽车产品收入有望大幅提升。此外,公司位于东莞松山湖的晶圆级先进封测制造项目整体进展顺利, 预计2026年底晶圆级先进封测制造项目月产能将达到5000片,预计2027年底月产能将达到1万片,并预计将于2026年年底开始贡献收入。 怡亚通周五发布机构调研纪要表示,在存储链条中,怡亚通的核心价值是“规模与话语权”的螺旋式上升。规模分销是基本盘和市场触角, 与三星、美光、海力士等巨头的长期合作 奠定了公司行业地位。此外,通过战略性投资,公司掌握部分关键技术话语权: 联芸科技是国际领先的数据存储管理芯片企业,星火半导体聚焦车规级存储 。在控制器、车规存储等战略制高点上,公司追求自主影响力;在通用产品和市场渠道上,公司广泛与国内外伙伴合作。最终形成“你中有我、我中有你”的共生格局。 深科技周四发布机构调研纪要表示,作为 国内高端存储芯片封测的龙头企业 ,公司拥有行业经验丰富的研发和工程团队,具备精湛的多层堆叠封装工艺能力和测试软件开发能力。 公司目前深圳、合肥封测处于满产状态,并根据客户近期需求在扩产, 公司一直密切关注客户动态,并始终基于对行业趋势与市场需求的动态研判,进行有利于公司长远发展的产能布局。 航天智装周四发布机构调研纪要表示,轩宇空间研发的微系统产品,目前在高可靠抗辐照加固设计方面具有较强优势,多款产品已经得到成功应用,在高等级抗辐照类处理器、 存储器 领域占据了一定的市场;研制的控制系统核心部组件产品,实现了轻小型化、高集成和高性能的技术特点,具备产业化大规模研制的基础,已经在商业航天等领域开始推广应用。

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