SMM 9月24日讯：9月24日早间，半导体板块震荡走高，其指数盘中一度涨近4%，盘中最高冲至2010.41的高位，刷新其上市以来的历史新高。个股方面，神工股份、江丰电子等多股盘中20CM涨停，微导纳米、盛美上海等多股涨逾10%。 消息面上，近期，半导体行业利好持续发酵，国内政策支持、AI浪潮带来的强劲需求以及存储芯片掀起一波接一波的涨价潮等因素的推动下，半导体板块近期延续涨势。 具体来看，政策面，此前，国家发改委表示，围绕《关于深入实施“人工智能+”行动的意见》，相关部门将制定出台一系列配套文件。其中围绕《意见》提出的6大行动若干重点行业领域，将分别制定“人工智能+”具体实施方案，进一步细化各行业目标任务、重点方向和工作举措；分层、分行业加快标准制订，促进行业内、领域间语料数据、模型和智能体协议等标准化发展。 此外，相关机构也对2025年全球半导体市场的情况作出乐观预测，国际数据公司(IDC)发布《全球半导体技术与供应链情报》报告，预计2025年全球半导体收入将达到8000亿美元，较2024年的6800亿美元增长17.6%。其中AI基础设施投资与应用是推动增长的关键因素，促使IDC将年初15.5%的增长率预测上调至当前的17.6%。IDC预测，2025年半导体市场计算领域将增长36%，达到3490亿美元，到2030年的五年复合年增长率为12%。 AI 持续发力 存储芯片行业“涨声四起” 且在AI浪潮的推动下，近期存储芯片行业涨价情况频出，9月初，海外存储芯片巨头Sandisk（闪迪）宣布面向所有渠道和消费者客户的产品价格调涨超10%，主因闪存产品市场需求强劲，由于人工智能应用以及数据中心、客户端和移动领域日益增长的存储需求驱动。 随后，9月中旬，又有消息称，美光已通知客户，DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价，报价暂停时间一周，且相关产品价格或将调涨20%-30%。对于美光涨价的原因，有消息称，是因美光高层看到针对客户的预测需求有重大的供应短缺，而紧急暂停了所有产品的报价，将重新调整后续的价格。 而这还不是结束，9月22日消息，因供应紧张，三星对其DRAM和NAND闪存产品进行了大幅提价，部分产品提价幅度高至30%。该消息称，三星DRAM产品的涨价幅度高达30%，NAND闪存产品的涨价幅度在5%-10%。受影响的DRAM产品包括LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X内存产品，NAND闪存产品包括eMMC和UFC产品。而产品供应紧张的原因则是因为老款产品产量减少以及大型云企业需求增加导致。 财联社方面表示，三星的本轮涨价反映出存储芯片行业正经历结构性转变。在AI热潮下，三星等存储大厂纷纷将重心转向AI PC和下一代智能手机等新兴市场，以及HBM等高利润产品领域，导致传统产品供应收缩。摩根士丹利预计，随着HBM市场竞争加剧，传统DRAM和NAND产品有望在2026年迎来更可持续增长。 此外，据财联社方面消息，近期有消息称，台积电正在计划对其3纳米制程和2纳米制程的工艺节点进行涨价。据悉，台积电向联发科收取的高端3纳米的N3P制程费用较上一代涨价24%，高通的骁龙8 Elite Gen 5芯片则面临16%的涨价。此外，其还表示，因研发成本高昂加上良率较竞争对手更高，台积电还计划将2纳米节点的费用至少上调50%。而这将直接影响明年各大品牌手机SoC的价格，预计单颗芯片的成本将高达280美元。不过目前该涨价传闻暂未得到台积电方面的证实，不过市场已经在为消费电子产品集体涨价的时代提前做准备。 而在AI浪潮的推动下，全球存储芯片大厂美光科技公布了好于预期的2025年第四财季（截至8月28日的三个月）营收和利润，并对当前季度业绩给出了强劲的指引。据悉，美光科技第四季度经调整营收为113.2亿美元，同比增长46%，预估为111.5亿美元；调整后每股收益为3.03美元，上年同期为1.18美元，预估为2.84美元。 而对于2026财年，美光科技依旧充满期待，其预计后续随着AI竞赛愈演愈烈，其高带宽存储芯片（HBM）需求旺盛。美光科技预计2026财年第一财季营收为122亿至128亿美元，高于LSEG分析师平均预估的119.4亿美元；预计第一财季调整后毛利率为50.5%-52.5%，远高于预期的45.9%。 公开资料显示，HBM是一种动态随机存取存储器，涉及将芯片垂直堆叠以降低功耗，有助于处理大量数据，在人工智能开发中极具价值。譬如英伟达制造的高端人工智能芯片，便对HBM——高带宽内存这一类高科技存储芯片需求旺盛。 有业内人士表示，打破内存墙瓶颈，HBM已成为DRAM市场增长主要驱动力。HBM解决带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制等问题，已成为当下人工智能芯片的主流选择。Yole预计全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元，复合年增长率达33%。 机构评论 东方证券研报指出，AI带动的需求持续性一直是本轮DRAM涨价行情的关键支撑，叠加供应端原厂产能切换的不可逆趋势，本轮DRAM涨价行情具有较强持续性。HBM4时代，三星有望与SK海力士、美光实现 “同步布局”，原厂竞争或进一步加剧。随着原厂加大投入到HBM竞争并减少利基DRAM产能，国内利基DRAM 供应商有望获得更大市场空间。 银河证券表示，半导体领域需求周期向上，AI 成为核心增长动力，模拟芯片周期触底、数字芯片 AioT 需求爆发、功率半导体盈利改善、制造稼动率回升、设备业绩强劲、材料内部分化、封测先进封装亮眼；DeepSeek 等开源模型降低部署门槛，推动 SoC 芯片需求。TWS 耳机、智能手表算力需求提升。DDR4 短期紧缺（Q2 价格季增 18-23%），AI 驱动 HBM、DDR5 需求增长。 东吴证券也表示，国内先进制程积极扩产，加之算力芯片要求先进封装，均利好设备商，该机构认为国产算力有望均向盛合晶微等国产先进封装供应链倾斜，减薄机/划片机/键合机等设备商有望受益。 光大证券指出，AI需求的快速增长驱动全球半导体行业景气延续，半导体材料市场规模稳步扩张，光刻胶、湿电子化学品、电子特气等细分行业均保持增长态势。2025H1上市公司整体营收与利润实现双增长，Q2单季度利润实现同环比增长。综合来看，其认为半导体材料板块正处于基本面改善与长期成长逻辑共振阶段，建议关注在光刻胶、湿电子化学品、电子特气、CMP等核心材料领域具备技术优势与客户验证优势的龙头企业。

湖北省人民政府办公厅印发《湖北省加快算网存用协同发展的若干措施》。 其中提到，释放用算需求。支持武汉市建设数据流通利用建设试点示范城市；襄阳、十堰发展自动驾驶、智能座舱、“车路云一体化”，建设智能网联汽车示范区；宜昌发挥三峡绿电优势，坚持“以电育算、以算育数、以数育产”发展，打造全国一体化算力“中继站”；鄂州市依托花湖国际机场，特色化布局智慧物流等创新应用。争取国家产品主数据标准（CPMS）试点示范，鼓励企业参加国家算力强基揭榜行动，支持人工智能和智能制造中试服务平台建设，对单个重点平台按投资额的10%给予最高500万元补助。推动各市州在制造、农业、商贸、能源、交通、广电、医疗、教育、文旅、政务等重点领域的算力应用。省级财政2025年发放5000万元“算力券”，按照算力使用资源的10%予以奖励，最高100万元。 其中提出，发挥我省光电子信息“独树一帜”优势，面向骨干网络传输、算力集群高速互联、6G前传与边缘计算、金融高频交易、自动驾驶等规模化应用场景，对接国家研发专项，推动光通信技术先行先试。推动100T超低延时“空芯光纤”、145GHz光电调制器、8英寸芯片晶圆、2Tb/s硅光互连芯粒、GPU芯片、车规级AI芯片、智能座舱芯片、下一代闪存、向量数据库等一批全国“首发”光通信技术和产品规模化应用，拓展我省光电子产业发展空间，打造具有全国影响力的自主计算产业集群。 湖北省加快算网存用协同发展的若干措施 为深入贯彻党的二十大和二十届二中、三中全会精神及习近平总书记考察湖北重要讲话精神，落实省委、省政府工作要求，推进算力、运力、存力和应用协同发展，制定本措施。到2027年，全省算力总规模达到25EFLOPS，其中 新建算力设施智算和超算占比不低于90%， 建成省内算力互联互通平台体系，实现算力互联互通跨域调度，各市州算力互联网间5毫秒超短时延，深度融入国家“东数西算”工程及全国一体化算力网，全省算力质效进一步提升，算力供需高效匹配，基本形成布局合理、连算成网、建用互促、绿色低碳的算网存用协同发展格局。 一、提升算力供给水平 （一）优化全省算力布局。按照国家算力布局要求，结合我省算力供需情况，科学布局“武宜襄·十”三大算力圈，建设中部先进算力集群，打造国家“东数西算”中继站、国家算力网络枢纽节点。鼓励武汉建设有全国影响力的先进算力中心，宜昌打造“算力之都”，襄阳、十堰打造区域算力高地。鼓励黄石、荆门、鄂州、孝感等市州拓展算力应用场景，引导算力赋能新兴产业发展。依托武汉国家航天产业基地，探索空天信息技术与算力基础设施融合，前瞻布局天基算力网及太空算力中心，提供太空边缘计算服务。到2027年，全省形成布局科学、功能完善、互联互通、辐射全国的多层次算力基础设施体系。（责任单位：省数据局、省委军民融合办、省发改委、省经信厅、省通信管理局，湖北大数据集团，各市州人民政府） （二）打造多元算力供给体系。以武汉市及光谷科技创新大走廊等人工智能创新应用集聚地区为重点，鼓励社会资本结合市场需求，合规建设智算中心，提供低延迟、高可靠的智能计算服务。鼓励宜昌、孝感等市州优化升级超算系统，拓展高精度科学计算市场，推动“超算+智算”融合发展。鼓励各市州结合本地产业特色，灵活部署边缘计算中心。 形成全省“通用+智算+超算+边缘”多元算力供给体系。 对符合国家监管要求的新型数据中心、人工智能计算中心、高性能计算等领域，新建且投入超过2亿元的创新基础设施，按照建设费用或对外有效服务费用的10%给予补贴，每个最高不超过500万元。（责任单位：省经信厅、省数据局、省发改委、省科技厅、省财政厅、省通信管理局，湖北大数据集团，各市州人民政府） （三）推进异构算力适配。鼓励华中科技大学、武汉大学等高校联合科研院所，开展DPU、GPU、ASIC等异构芯片算卡之间的通信适配工程化研究。鼓励重点企业、科研院所、高校联合组建创新体，开展不同算力芯片混合调用。鼓励智算中心联合人工智能企业共同建设训推一体化异构智算平台，推进训推算力一体机的研发和产业化，推进国产算力能力提升和应用场景普及。（责任单位：省经信厅、省科技厅、省数据局，有关市州人民政府） 二、推动算力高效调度 （四）建设算力互联互通平台。依托重点企业联合算力建设单位，建设湖北省算力互联互通平台，提升武汉算力公共服务平台服务能力，统一算力标识，推动不同算力服务主体间使用统一调用接口和通信协议，增强算力资源可调用能力，提高算力利用率。积极对接国家算力互联网服务平台，实现互联互通，融入全国一体化算力网。到2027年，形成全省“1+3+N”的平台体系（即1个省级、3个“金三角”区域分平台、N个行业平台）。（责任单位：省通信管理局、省数据局、省经信厅、省政府国资委，湖北大数据集团，有关市州人民政府） （五）推进全光网络升级。推进“双千兆”网络向“双万兆”网络演进升级，构建市级高速低延时运力底座，部署干线400G和城域800G高速光传输系统，推动大带宽、低时延的OTN全光接入网络覆盖全省17个市州。统筹建设算力中心直连网络，推进区域数据中心与国家枢纽节点间确定性、高通量网络建设，降低数据绕转时延，建设我省跨区域、多层次算力高速直联网络。力争实现我省“算力圈”城市内1毫秒、市间3毫秒及各市州算力互联网间5毫秒超短时延。按需建设武汉、宜昌、十堰等市州数据中心集群与京津冀、长三角、粤港澳大湾区等地区主要城市的直联专线网络，提升算力跨省服务能力。到2027年，算力灵活调度（SRv6）节点占比达到90%，算力全光调度节点占比100%。（责任单位：省通信管理局、省经信厅、省数据局，各市州人民政府） （六）强化智算产业支撑。发挥我省光电子信息“独树一帜”优势，面向骨干网络传输、算力集群高速互联、6G前传与边缘计算、金融高频交易、自动驾驶等规模化应用场景，对接国家研发专项，推动光通信技术先行先试。 推动100T超低延时“空芯光纤”、145GHz光电调制器、8英寸芯片晶圆、2Tb/s硅光互连芯粒、GPU芯片、车规级AI芯片、智能座舱芯片、下一代闪存、向量数据库等一批全国“首发”光通信技术和产品规模化应用， 拓展我省光电子产业发展空间，打造具有全国影响力的自主计算产业集群。（责任单位：省经信厅、省数据局，各市州人民政府） 三、促进存算均衡协同 （七）推动存算协同互联。推动存储和计算协同发展，引导合理配置存算比例。对武汉、襄阳、宜昌、十堰等地重点数据中心和算力中心，探索开展数据运行质量分析和优化提升评估，推动数据在数据中心和算力中心之间的高效流动。对新建数据中心项目，严格按国家有关规定进行审批监管，市域内已有建成投用1年以上数据中心，且整体上架率低于50%的，原则上不再规划建设新的数据中心项目。（责任单位：省数据局、省发改委、省经信厅、省通信管理局，各市州人民政府） （八）推动数据中心绿色化智能化升级。鼓励数据中心建设主体加大先进存储技术的部署应用，实现存储闪存化升级。鼓励市场化专业力量积极创建国家绿色数据中心，对符合条件的数据中心项目纳入我省绿色产业项目库予以支持。鼓励全国碳排放权注册登记结算系统（中碳登）和湖北碳交中心联合科研院所，探索开展数据中心碳效模型研究，将符合条件的数据中心纳入湖北试点碳市场管理，以市场化机制推动数据中心绿色发展。到2027年，全省先进存储占比达到40%以上，新建数据中心绿电占比超过80%。（责任单位：省经信厅、省发改委、省生态环境厅、省数据局，各市州人民政府） 四、深化算力赋能行业应用 （九）支持人工智能大模型研发应用。依托工信部人工智能大模型公共服务平台武汉分平台，建设大模型开源社区系统，推进模型、系统、数据、场景等核心环节开源开放。聚焦“51020”先进制造业集群，培育一批轻量化的行业模型，推动大模型向智能体演进。每年评选若干个工业领域专用模型，按照研发费用的8%给予牵头研发单位最高500万元补助。支持各市州在工业、医疗、教育、交通、文旅、城市治理、水源保护等领域率先打造一批通用大模型、垂直行业应用大模型。（责任单位：省经信厅、省财政厅、省发改委、省科技厅、省数据局，各市州人民政府） （十）释放用算需求。支持武汉市建设数据流通利用建设试点示范城市；襄阳、十堰发展自动驾驶、智能座舱、“车路云一体化”，建设智能网联汽车示范区；宜昌发挥三峡绿电优势，坚持“以电育算、以算育数、以数育产”发展，打造全国一体化算力“中继站”；鄂州市依托花湖国际机场，特色化布局智慧物流等创新应用。争取国家产品主数据标准（CPMS）试点示范，鼓励企业参加国家算力强基揭榜行动，支持人工智能和智能制造中试服务平台建设，对单个重点平台按投资额的10%给予最高500万元补助。推动各市州在制造、农业、商贸、能源、交通、广电、医疗、教育、文旅、政务等重点领域的算力应用。省级财政2025年发放5000万元“算力券”，按照算力使用资源的10%予以奖励，最高100万元。（责任单位：省数据局、省发改委、省经信厅、省教育厅、省财政厅、省交通运输厅、省农业农村厅、省商务厅、省文旅厅、省卫健委、省广电局，湖北大数据集团，各市州人民政府） 五、优化算力发展生态 （十一）加大金融支持。充分发挥数据增信和财政增信作用，全面深化中小企业商业价值、科技型企业知识价值信用贷款改革，为企业提供“轻资产、宽信用、便利化”融资支持。鼓励金融机构开发算力专属产品和服务。（责任单位：省地方金融管理局、省经信厅、省财政厅，人行湖北省分行，各市州人民政府） （十二）强化安全保障能力。依托国家网络安全人才与创新基地，开展算力设施和服务运行、安全、性能和质量等监测，增强算力互联互通运行安全能力，提供网络数据安全人才培训、网络安全攻防实战演练等服务。落实国家网络安全、数据安全等法律法规，督促重要算力及数据中心网络设施采取双节点、双路由配置，对重要系统和数据建立热备双活机制。（责任单位：省委网信办、省数据局、省通信管理局，各市州人民政府） （十三）提升电力碳效利用水平。按照国家算力布局要求，支持宜昌、十堰等市州率先打造绿色低碳算力中心，鼓励各市州推动算力（数据）中心与新能源企业协同开展“源网荷储”电力保障，建立互利共赢的协同发展机制，形成“算电一体”的新型供能体系。鼓励企业加强绿色设计，加快高能效、低碳排的算网存设备部署，降低算力（数据）中心用电能耗比（PUE）。（责任单位：省发改委、省数据局，各市州人民政府） 以上政策措施自公布之日起实施，有效期三年。涉及具体政策的实施细则按项目申报指南执行。各支持项目可根据每年财政预算进行调整。

周二美股盘后，在AI热潮的推动下，全球存储芯片大厂美光科技公布了好于预期的2025年第四财季（截至8月28日的三个月）营收和利润，并对当前季度（26财年第一财季）业绩给出了强劲的指引。 美光在财报会上特别强调，当前半导体芯片（尤其是HBM芯片）的供需不平衡预计将加剧。 美光科技第四季度经调整营收为113.2亿美元，同比增长46%，预估为111.5亿美元；调整后每股收益为3.03美元，上年同期为1.18美元，预估为2.84美元。 前景展望方面，美光预计2026财年第一财季营收为122亿至128亿美元，高于LSEG分析师平均预估的119.4亿美元；预计第一财季调整后毛利率为50.5%-52.5%，远高于预期的45.9%。 美光CEO Sanjay Mehrotra提到，当前半导体存储领域，DRAM库存已低于目标水平，NAND库存持续下降，此外，HBM的产能已经被锁定，需求增长显著，预计2026年HBM出货量增速将超过整体DRAM，成为半导体存储板块核心增长驱动力。 Sanjay Mehrotra强调了公司在 AI 内存市场的战略定位，他表示：" 未来几年，我们预计将有数万亿美元投资于AI，其中很大一部分将用于内存领域。" 美光科技 2025 年第四季度财报电话会议Q&A实录 参会人员： 美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra 美光科技首席财务官 Mark Murphy 美光科技投资者关系部负责人 Satya Kumar 会议主持人： 我们的第一个问题来自瑞银（UBS）的 Timothy Arcuri。请发言，Timothy。 Timothy Arcuri： 非常感谢。Mark，我想请你在指引方面提供一些帮助。我知道你不想涉及太多细节，但对于这12亿美元的环比收入增长，你能否帮助我们了解这部分增长在DRAM和NAND之间是如何分配的？另外，如果能提供一些关于毛利率的利好和不利因素分析，也会非常有帮助。 美光科技首席财务官 Mark Murphy： 是的，Tim，你最后面的部分有点断断续续，但我想我明白了。 在第一财季，我们的增长将主要来自 DRAM，其产品结构占比将高于 NAND。 正如你所提到的，我们不会具体披露位元出货量（bits）和平均售价（ASP），但我们确实在指引中提到，毛利率将环比提升580个基点。这一提升将来自于产品结构优化、价格上涨，以及我们在成本削减方面的强劲执行力。 我们正处于一个非常有利的定价环境中。DRAM 供应紧张，而 NAND 的状况也在显著改善。 正如你在我们今天的准备发言中听到的那样，我们确实正受到强劲的需求和供应两方面因素的共同推动。 在需求端，数据中心的支出依然强劲，并预计将持续增长。传统服务器的支出正在改善，并且预计也将增长。来自设备更新和推理工作负载的需求是主要驱动力。同时，PC、智能手机和汽车领域的存储容量需求也都在增长，这一点正变得越来越清晰。 在供应端，我们会在接下来的问答环节中深入讨论，但由于一些结构性因素，供应同样也处于紧张状态。我们正专注于自身的执行。再次强调，预计本季度的价格、产品结构和强劲的执行力，将共同推动 580个基点的毛利率增长。 Timothy Arcuri：非常感谢，Mark。Sanjay，我记得你之前曾指引我们，到 2028 年 HBM 的市场总规模（TAM）将达到 1000 亿美元。 但自从你给出这个数字后，市场上出现了一些非常夸张的传闻，包括英伟达提到的一些TAM数字，以及 OpenAI 等公司正在进行的一些投资。很明显，计算领域的整体规模比你当时可能假设的要大得多。你是否有这个数字的最新更新？我想它可能会比那个数字更大。也许你可以评论一下你对明年的看法？ 我知道今年你看到的是 30% 多一点的增长。我在想，你是否能给我们一些关于从明年开始的、哪怕是些微的乐观预期，以及对 2028 年达到 1000 亿美元这个目标的最新看法。 美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra： Tim，你的信号不太好，有很多地方断断续续，但我想我明白了你问题的要点。 关于我们之前提到的 HBM 长期市场总规模（TAM），我们曾表示，到 2030 年，我们预计 HBM 的 TAM 将达到 1000 亿美元。我们还曾说过，HBM 的位元（bit）复合年增长率（CAGR）将超过整体 DRAM 的位元复合年增长率。 我们认为， 在 2026 年，HBM 的出货量增长也将超过整体 DRAM 的出货量增长。 当然，展望未来，HBM 的价值主张持续提升。正如我们所讨论的， HBM 在 2026 年正从 HBM3E 向 HBM4 过渡。美光当然处于非常有利的位置。 市场开始要求更高的性能，而我们今天也指出，美光的 HBM4 产品将拥有最高的性能，引脚速度超过每秒 11 吉比特（Gbps），当然，也具备最高的能效。 HBM 的规格要求正变得越来越苛刻，这对我们来说非常令人振奋，因为我们在这些产品上的定位非常有利。这意味着 HBM 的价值主张将持续增长。 我们无疑将继续看到强劲的长期增长，并对所有这些关于大规模数据中心基础设施支出的各种公告感到非常兴奋。我们已经讨论过，未来几年将有上万亿美元的支出，而存储正是这场 AI 革命的核心所在。 这为整个存储行业，也为 HBM 带来了巨大的机遇。我们对HBM 的长期机遇感到非常乐观，对2026 年的 HBM 机遇也感到乐观，并且对美光凭借其强大的产品组合、强劲的执行记录，以及我们在满足客户质量和产能需求方面与客户建立的信任而所处的有利位置，感到非常乐观。 未来充满机遇，我们当然也会继续与客户保持密切合作。 会议主持人： 谢谢。我们的下一个问题来自美国银行的 Vivek Arya。请发言，Vivek。 Vivek Arya：谢谢你们接受我的提问。我很好奇，你们如何看待从 HBM3E 到 HBM4 的过渡？你们预计明年什么时候会出现（市场份额的）交叉点？ 我想，作为其中的一部分，你们提到 HBM3E 在 2026 年的定价已经确定。我很好奇，与你们现在获得的价格相比，这一定价的方向是什么？是更高还是更低？你们预计你们的 HBM3E 市场份额在明年会保持不变还是会有所变化？ 美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra： 关于 HBM4，我们当然会处于这次产能爬坡的最前沿，与客户的时间表保持高度一致。正如我们所提到的，我们拥有业内最好的产品，其性能最高（超过每秒11吉比特），功耗也更低。这是一款行业领先的产品。 我们将根据客户需求进行产能爬坡， 首批量产产品预计将在2026 年第二季度出货，生产将在 2026 年全年（包括下半年）持续爬坡，这一切都将与客户需求保持同步。 总体而言，与 2025 年相比，我们预计在2026年的市场份额将会增长，我们的产品定位非常有利。 我们不对 HBM3E 的定价发表评论。我们已经告知大家，关于 HBM3E，我们已与几乎所有客户就我们 2026 年绝大部分的 HBM3E 产能达成了定价协议。 我们正在与客户就 HBM4 进行讨论。我可以告诉大家的是，供应非常紧张。 我们预计，2026年整体 DRAM的供需环境将保持健康，这对于 DRAM 的盈利能力、HBM 的盈利能力，当然还有同样面临供应紧张的非 HBM 业务的盈利能力，都是好兆头。 Vivek Arya（跟进提问）：明白了。作为我的跟进问题，也许可以请 Mark 谈一下毛利率方面。从概念上讲，这是一个怎样的水平？在今年剩余的时间里，你如何看待毛利率的推动因素和阻力，以及这个 51.5% 的水平？这算是一个基准线吗？只要销售额增长，你们是否就能在这个水平上继续扩张？ 与此相关的是，当我查看你们云数据中心业务时，其毛利率为 59%，运营利润率为 48%。请问，从这些已经非常强劲的水平上，未来还有多少进一步扩张的空间？谢谢。 美光科技首席财务官 Mark Murphy： 是的，Vivek，我们不会提供季度之外的财务指引，但我们可以说的是，我们相信并预计毛利率将从第一财季到第二财季实现环比改善。 这基于以下几点：DRAM 供应紧张及其带来的相关定价优势。NAND 业务的持续改善。产品结构优化，我们继续将产能导向高价值市场。我们的成本控制表现持续良好。 正如我在准备好的发言中提到的，我们认为这些供需因素在需求端是可持续的。数据中心支出持续增长。我之前也提到了传统服务器支出，以及边缘计算和汽车领域的存储容量需求增加。 在供应端，客户库存水平健康。我们自身的供应也保持精简。我们的 DRAM 库存低于目标。NAND 的状况也在持续改善。 我们正致力于以最高效的方式来响应市场供应需求。我们正在进行技术节点的迁移，但由于行业延长了对 DDR4 的支持，这在一定程度上限制了节点迁移的速度。最后，新增洁净室空间需要很长时间且成本高昂。我们都知道HBM的硅片制造强度，这使得其产能需求尤为迫切。 这为我们进入2026年奠定了良好的基础。我们为第一季度提供了强劲的毛利率指引，并且我们预计第二季度的毛利率将继续上升。 我还想重申 Sanjay 提到的一点： 我们预计在 2026 年，无论是 HBM 还是非 HBM 业务，都将实现健康的利润率。 关于季度外的指引，我就说这些。 会议主持人 ：谢谢。下一个问题来自 Cantor Fitzgerald 的 CJ Muse。请发言，CJ。 CJ Muse： 下午好。感谢你们接受我的提问。 我的第一个问题是，在过去的一两个月里，感觉由进行推理工作的超大规模客户引领，DRAM 需求出现了一个拐点。我很好奇，您能否谈谈您所观察到的情况，包括需求的广度，以及这种需求的可持续性？我很想听听您的看法。 您之前提到，预计到2026财年，供应都会保持紧张。我想了解的是，考虑到通常在2月份所在的季度（译注：指美光的第二财季）是季节性需求放缓的时期，您对此有何看法？我们应该会看到正常的季节性放缓，还是说供应端的限制如此之严，以至于市场状况会比正常的季节性表现要好得多？ 美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra： 当然，我们目前不会提供第二财季的指引，但可以肯定的是， AI 趋势非常强劲。 正如你所指出的，这不仅体现在训练端，在推理端也是如此。随着 AI 应用的不断拓宽、创新的不断增加，以及各种不同架构的发展，所有这些都在持续扩大数据中心以及智能手机等边缘设备对 AI 的需求。 在数据中心，AI 服务器已经驱动了强劲的需求，这一点众所周知。 特别是对各种 DRAM 的需求都在增长，不仅仅是 HBM，还包括 LPDRAM 和高密度 DRAM 模组。 正如我们在发言中提到的，我们也看到传统服务器的需求同样在增长。这确实在推动整个行业形成一个强劲的增长趋势。 需求向量正在拓宽，特别是在智能手机领域。你已经看到，一些支持 AI 的智能手机已经发布并开始出货，与上一代手机相比，它们内置了更高容量的 DRAM。 PC 是另一个推动力，包括 AI PC 的兴起以及 Windows 10 的生命周期结束。 AI PC 同样会推动 DRAM 容量需求的增长。 总的来说，AI 趋势非常强劲，并且跨越了数据中心、AI 智能手机和 AI PC 等多个领域。这正是我们预计在2026年全年都将看到强劲需求的原因。 我们也谈到了供应紧张的问题。Mark 刚刚阐述了导致供应紧张的因素，这些我们在准备发言中也有讨论。总体而言，我们对2026年的健康供需环境充满期待。客户库存，无论是客户还是供应商的库存，都处于良好状态。实际上， 供应商的库存运行得非常精简。美光的DRAM供应非常紧张。 CJ Muse（跟进提问）： 谢谢。作为一个快速的跟进问题，关于资本支出（CapEx），Mark，这似乎意味着净资本支出将达到180亿美元，而去年为138亿美元。我记得你谈到了前端设备、洁净室空间以及 DRAM。有没有办法将其分解，说明一下设备和洁净室分别占多少？你能否与我们分享一下 2026 财年的总资本支出（gross CapEx）是多少？非常感谢。 美光科技首席财务官 Mark Murphy： 是的，我们没有详细列出具体的数字。只是我们在 2026 年的支出，绝大部分都将用于 DRAM。其中包括与之相关的厂房建设和设施投入，以及一些用于技术节点迁移的设备，并且我们也开始为新的绿地项目（greenfield，指新建工厂）安装设备。 关于你提到的资本支出框架，你说得对，我们确实给出了一个大约 180 亿美元的指引。我们通常会在 “净资本支出”（net CapEx）的语境下讨论资本支出，即总资本支出（gross CapEx）减去来自政府激励的资金。 我们不会具体讨论 2026 年的总资本支出和净资本支出，但你可以从我们的公开文件中看到相关的构成部分，从而推算出来。你可以查看我们在 2025 年的总支出，以及政府激励的金额。 我们在 2025 年的净资本支出最终为 138 亿美元，其中总资本支出为 158 亿美元，获得了 20 亿美元的政府激励。 你未来也会看到类似的情况。 2025 年的政府激励主要来自美国、新加坡和日本。 我们未来可以就这些激励措施进行更多讨论。谢谢。 会议主持人： 谢谢。下一个问题来自摩根大通的 Harlan Sur。请发言，Harlan。 Harlan Sur： 下午好。感谢你们接受我的提问。库存天数现在已经达到了你们此前预期的目标水平，并且其中 DRAM 的库存实际上低于你们的目标，对吗？ 考虑到强劲的 HBM3E 和 12-high 产品，以及对非 AI DRAM 持续强劲的需求拉动，你们如何看待本季度结束时的总体库存和 DRAM 库存状况？库存天数会继续下降吗？考虑到整体供应紧张，你们的交货周期是否在延长，客户是否在更早地下订单？这是否意味着更好的可见性？是什么给了你们团队信心，认为供应紧张的局面会持续到 2026 年？ 美光科技首席财务官 Mark Murphy： 是的，Harlan，我来回答这个问题。 我们确实预计库存天数（DIO）将保持在第四季度的水平，甚至更好。 正如我们全年所讨论的那样， DRAM 供应将持续非常紧张，所以我们预计库存将继续低于目标。 对于 NAND，我们采取非常有纪律的管理方式，而该市场也在持续改善，因此我们预计NAND 的库存天数也将下降。 美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra ：我们与客户保持密切合作，客户也充分理解当前需求环境强劲、供应非常紧张的状况，以及 DRAM 及其供应前景的紧张态势。 我们与客户紧密合作。我想指出的是，展望未来供应，我们正计划通过 1-gamma 技术的产能爬坡来支持非 HBM 产品的需求。 对于 HBM 产品，我们将通过 1-beta 技术来支持。我们将继续专注于实现最高的生产效率，并充分利用现有的洁净室空间来实施技术迁移，同时推动实现最高的生产效率。 Harlan Sur： Sanjay，随着你们的客户不断地在其 GPU 和 XPU 平台上进行差异化，内存似乎正成为他们差异化的一个关键焦点领域。正如你所提到的，你们的一些 HBM4 客户正在寻求比普通的 JEDEC 标准高出多达 25% 的带宽。看起来美光团队交付的解决方案比 JEDEC 规格高出了 40% 的性能，对吗？这远远超出了你们客户的要求。 为了实现这些令人印象深刻的成果，团队是否必须重新设计基础逻辑芯片（base die）？我只是想知道，这种更高性能的 HBM4 SKU 是否可能推迟了客户的电话会议，或者说，会议日程是否仍然按照你们最初的计划保持在正轨上？更重要的是，即使在更高的速度下，你们的功耗是否仍然优于你们的竞争解决方案？ 美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra： 非常好的问题，Harlan，感谢你提出这些问题。 我们对团队的执行力感到非常自豪，对我们团队在 DRAM 芯片和其中所使用的先进 CMOS 技术方面的设计感到自豪，同时也对我们的基础芯片（base die）感到自豪，它同样采用了先进的 CMOS 技术。 所有这些因素的结合 —— 我们的创新设计、我们的内存架构、我们在 DRAM 中使用的先进 CMOS 技术，以及在基础芯片中使用的先进 CMOS 技术 —— 当然，这种先进的 CMOS 基础芯片是由美光公司内部制造的，这为我们提供了竞争优势。 所有这些实际上使我们能够满足客户日益提高的要求，实现每秒2.8千兆字节（GB/s）的带宽，以及每秒超过11吉比特（Gbps）的速度。 这确实使我们处于非常有利的位置，为我们以这些规格进行 HBM4 产品的量产爬坡做好了准备。 正如我所说，凭借这些规格，我们将处于 HBM 出货量爬坡的最前沿，并使其与客户需求保持一致。谢谢。 我只是想澄清一下，我想我说的带宽是每秒 2.8 太字节（TB/s）。我希望这一点能表达清楚。带宽是每秒2.8太字节，速度是每秒11吉比特。 会议主持人： 谢谢。下一个问题来自 TD Cowen 的 Krish Sankar。请发言，Krish。 Krish Sankar： 嗨，感谢你们接受我的提问。 Sanjay，你之前提到，HBM的供应希望能在未来几个月内售罄。如果假设你们在 2026 年全年都能售罄，有没有办法量化一下这一年的供应机会？如果 HBM 的需求比预期更好，而你们又在未来几个月内售罄，那么在 2026 年你们还能增加供应吗？我还有一个简短的跟进问题。 美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra： 是的，我们不会分解具体的供应数量等细节。 是的，关于 HBM3E，正如我们所提到的，我们已经与绝大多数客户就我们绝大部分的 HBM3E 供应达成了定价协议。对于 HBM3E 的供货量，我们与大多数客户也已经确定。 随着我们的客户敲定他们的 HBM4 计划，特别是针对更高规格的计划以及他们在下一代平台上的部署， 我们预计将在未来几个月内，也就是在2026 年，完成我们关于 HBM4 供应以及 2026 年全年 HBM 供应的协议。 我们对我们行业领先的 HBM4 产品规格感到非常满意，其性能绝对优于其他所有产品。我们在这方面处于非常有利的位置。 关于你的问题，我们当然会管理我们的产品组合结构。我们已经在第三季度（CQ3）实现了我们的 HBM 市场份额，使其与我们在整体行业 DRAM 中的份额保持一致。 我们会进行管理，并且考虑到非 HBM 业务也拥有健康的利润率，我们现在会管理我们的产品组合结构，当然，这会同时考虑我们整个产品组合的投资回报率（ROI），并在总投资方面保持纪律性。 你们可以理解，我们在 HBM 的市场份额方面当然有灵活性，可以把握机会进行管理。因为在前端制造环节，HBM 使用的 1-beta 晶圆与我们其他一些产品是相同的。这为我们在前端的供应管理以及封装测试环节提供了一定的可替代性和灵活性。 凭借我们在过去几个季度所做的投资，我们在封装测试产能方面也处于非常有利的位置。 我们的投资以及我们团队在产能爬坡方面的强劲执行力，给了我们充分的信心，也让我们现在有了灵活性，可以在考虑投资回报率的前提下，管理整个 HBM 和非 HBM 产品组合的结构，并在投资方面保持纪律性。 Krish Sankar： 明白了。谢谢，Sanjay。关于 HBM4 我还有一个简短的问题。很高兴看到每秒 11 吉比特的引脚速度。你们还提到，你们既提供自研的基础逻辑芯片（base die），也提供定制化的台积电（TSMC）逻辑芯片。有没有办法了解你们预期这两种产品的占比会是多少？你们预计会有更多客户选择自研芯片还是台积电的芯片？从美光的角度来看，根据客户需求在这两者之间切换的难易程度如何？ 美光科技董事长、总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra： HBM4 产品采用的是我们自研的基础逻辑芯片（base die）。而对于 HBM4E，正如我们在发言中提到的，我们将同时提供标准产品和定制化产品。HBM4E 是我们与台积电（TSMC）合作的项目。 HBM4E 目前业界尚未推出，它不是一个 2026 年的产品，而将是一个面向 2027 年的产品。我们将在未来分享更多细节，届时我们将在 HBM4E 产品线中同时提供标准和定制化产品。 在业界，HBM4 采用的是我们自己的基础逻辑芯片。HBM4 将是我们正在进行量产爬坡的产品。 正如你所提到的，HBM 的价值主张持续提升，而 HBM4E 的价值主张将进一步增强。我们当然期望定制化产品能带来更高的毛利率，这一点我在准备好的发言中也有提及。 我想再次强调，我们的 HBM 使用的是我们自己的逻辑芯片。这意味着采用的是美光自研的 CMOS 技术，这为我们提供了独特的优势，并且当然，这与我们的 DRAM 设计、DRAM 架构，以及嵌入在 DRAM 内部的 CMOS 技术一起，都是我们实现行业领先性能的关键因素。所有这些都为我们带来了独特的优势。 会议主持人： 谢谢。由于今天的问答环节时间已到，本次会议的问答部分以及今天的电话会议到此结束。感谢大家的参与。现在您可以挂断电话了。 （以上会议记录内容使用AI协助）

周三公布的最新数据显示，三星电子第二季度在全球高带宽内存（HBM）芯片市场的份额下滑至第三位，而美光科技升至第二位。 根据行业追踪机构Counterpoint Research编制的数据， 三星电子在4月至6月期间占据了全球HBM芯片市场17%的份额，低于美光科技的21% 。 而SK海力士以62%的市场占有率稳居第一 。 HBM是人工智能 (AI) 应用的核心部件，随着这种内存芯片显著提升数据中心的数据处理速度，其需求也迅猛增长。 尽管眼下三星电子的市场份额落后于SK海力士和美光科技，但分析师预测，随着其下一代产品HBM4全面进入英伟达供应链，其销量将会增长。Counterpoint 预计， 三星电子明年在HBM市场的份额将超过30% 。 上周有消息称，三星的第五代12层HBM3E近期刚通过英伟达的资格测试。这也使得三星成为继SK海力士和美光科技之后，第三家获得英伟达HBM3E认证的供应商。 据悉，三星电子开发的HBM4通过提高单元集成密度，与上一代产品相比，其能效提高了40%，数据处理速度据称可达11Gbps。上周有消息称，三星计划本月向英伟达大量出货HBM4样品，希望尽早获得认证。 HBM领域的领导者SK海力士已完成HBM4的开发，并于近期建立了量产体系。如果通过质量测试，预计将被纳入英伟达下一代人工智能 (AI) 图形处理器 (GPU) Rubin，后者计划于明年年底实现量产。 SK海力士和三星电子的市场占有率合计接近80%，这表明韩国企业在HBM市场占据了主导地位。 Counterpoint Research表示，随着今年晚些时候推出先进的第六代HBM4芯片，韩国厂商将进一步巩固其在全球市场的地位。 “从长远来看，SK海力士和三星将继续主导HBM市场，但也需要准备好应对美光和中国竞争对手大举增加供应的局面。”该研究机构表示。

周二美股盘后，在AI热潮的推动下， 全球存储芯片大厂美光科技公布了好于预期的2025年第四财季（截至8月28日的三个月）营收和利润，并对当前季度业绩给出了强劲的指引 。 这对人工智能（AI）交易和期望美光股票能够维持近期上涨势头的投资者来说是一个积极信号。 财报公布后，美光科技股价在盘后交易中一度上涨2%，达到171.50美元，高于上周创下的历史盘中高点，但随后回吐涨幅。自今年年初以来，美光股价几乎已经翻了一番。 美光科技第四季度经调整营收为113.2亿美元，同比增长46%，预估为111.5亿美元；调整后每股收益为3.03美元，上年同期为1.18美元，预估为2.84美元。 按部门划分， 美光最大的部门——云内存业务部门——第四财季销售额为45.4亿美元，同比增长两倍多 。 不过，该公司核心的数据中心业务部门销售额同比下降22%，至15.7亿美元。 其它部门中，移动与客户端事业部营收为37.6亿美元，而汽车与嵌入式事业部营收规模相对较小。 而按照业务类型划分，美光第四财季DRAM（内存）营收为90亿美元，环比增长27%，约占总营收的79%；NAND（闪存）营收23亿美元，环比增长5%，约占总营收的20%。 给出强劲业绩指引 前景展望方面， 美光预计2026财年第一财季营收为122亿至128亿美元，高于LSEG分析师平均预估的119.4亿美元；预计第一财季调整后毛利率为50.5%-52.5%，远高于预期的45.9%。 该公司押注， 随着AI竞赛愈演愈烈，其高带宽存储芯片（HBM）需求旺盛 。 美光科技是全球三大内存芯片制造商之一，其竞争对手是韩国的SK海力士和三星电子。 该公司一直是人工智能热潮的赢家之一。这是因为像英伟达制造的那些高端人工智能芯片，需要越来越多被称为高带宽内存（HBM）的高科技存储芯片，而美光正是生产这种芯片的厂家之一。 HBM是一种动态随机存取存储器，涉及将芯片垂直堆叠以降低功耗，有助于处理大量数据，这使其在人工智能开发中极具价值。 美光首席执行官Sanjay Mehrotra在财报发布后的电话会议上表示，第四季度美光的HBM收入增长至近20亿美元，这意味着该产品的年化营收接近80亿美元。 “未来几年，我们预计将在人工智能领域投入数万亿美元，其中很大一部分将用于内存，” Mehrotra表示。“作为唯一一家总部位于美国的内存制造商，美光在抓住未来的人工智能机遇方面处于独特的地位。” Mehrotra还表示， 美光预计将在未来几个月敲定出售2026年所有HBM芯片的交易 ，其中HBM3E芯片的定价协议已基本敲定，而涉及更先进的HBM4芯片的交易仍在讨论中。

今日上午，小米集团董事长兼CEO雷军在微博发文称， 造车和重启造芯几乎是同时做的决策，把小米前十年攒下的家底全押上了。 雷军表示，“同时供家里两个孩子上大学”，压力巨大。现在想想都会感慨，当时哪来这么大的勇气。 雷军还不忘为年度演讲造势，在三小时内连续发了3条微博。他透露，今年演讲将聊聊“改变”的故事。据悉，小米将于9月25日晚7点举办雷军年度演讲，主题为《改变》，届时将揭秘小米玄戒芯片和小米汽车背后的故事。

今日早盘，半导体设备、材料板块走强。长川科技20cm两连板，微导纳米20cm涨停，京仪装备接近20cm涨停，张江高科两连板，华海清科、矽电股份、上海新阳、盛美上海、拓荆科技等均涨超10%，宣布进军半导体材料的向日葵收获20cm三连板，本周累计涨超70%。其中，长川科技、盛美上海、拓荆科技、中科飞测、张江高科、华海清科、矽电股份创历史新高。 在相关权重股的带领下，科创50指数也大涨近5%。 另外，多只半导体设备ETF涨停。截至午间收盘，国泰中证半导体材料设备ETF（159516）、万家中证半导体设备ETF（159327）、半导体设备ETF易方达（159558）、半导体材料ETF（562590）均封涨停，科创半导体ETF鹏华（589020）、华泰柏瑞科创半导体设备ETF（588710）等涨超10%。 今年以来，A股半导体设备、材料公司不断在产品交付上取得进展。 9月份，盛美上海的首款KrF工艺前道涂胶显影设备Ultra Lith KrF的首台设备系统已交付中国头部逻辑晶圆厂客户；同月17日，先为科技自主研发的EliteMO系列常压型GaN MOCVD设备正式交付国内某头部化合物半导体晶圆厂，适用于GaN LD、绿光到紫外LED、GaN电子器件等外延生长，此前6月先为科技已交付BrillMO系列GaN MOCVD设备； 7月15日，迈为股份宣布自主研发的全自动晶圆级混合键合设备成功交付国内新客户； 5月28日，北方华创举办“PVD整机1000台交付庆典”。公司称，这是继刻蚀设备、立式炉设备之后，其第三个达成单产品出货量突破1000台的品类里程碑。 同时，国家大基金正加码设备板块，大基金三期首次公开出手便瞄准国产半导体设备公司。 9月12日，拓荆科技宣布，拟与多家外部投资者对控股子公司拓荆键科增资。其中，由大基金三期持股99.9%的国投集新（北京）股权投资基金（有限合伙）（以下简称国投集新）也出现在增资方名单中，并将在增资完成后成为拓荆键科第二大股东。 据天眼查，此前，国投集新尚无对外投资，大基金三期持股的三家公司也均为投资平台，拓荆键科或将成为大基金三期投向的首个半导体产业项目。 另据《科创板日报》不完全统计，瞄准细分关键技术，国内半导体设备、材料领域屡次传来并购、收购消息。聚和材料拟3.5亿收购韩国SKE空白掩模业务；向日葵拟通过发行股份及支付现金方式切入高端半导体材料领域，标的公司产品包括高纯电子特气、前驱体等关键材料…… 华泰证券预计，2026年全球半导体设备收入同比增长8%至1530亿美元，其中中国市场规模490亿美元，同比接近持平。展望2026年，该机构认为： 1）海外方面，AI相关先进逻辑和存储仍然是资本支出的主要驱动力。据媒体预期，台积电/三星/海力士2026E资本开支增速预测达到8%/6%/9%。英特尔和三星或成为关键变量，关注英特尔在获得芯片法案资金支持后，其14A节点能否加速投资，以及三星获得特斯拉AI芯片订单后，能否获得更多客户信任； 2）中芯国际、华虹近期募集资金，长鑫启动上市辅导，看好2026年中国先进逻辑和存储投资持续，看好设备国产进展，2026E中国本土设备企业在中国市场规模中占比（国产化率）或同比+6pct至29%。 东吴证券也表示，国内先进制程积极扩产，加之算力芯片要求先进封装，均利好设备商，该机构认为国产算力有望均向盛合晶微等国产先进封装供应链倾斜，减薄机/划片机/键合机等设备商有望受益。 光大证券指出，AI需求的快速增长驱动全球半导体行业景气延续，半导体材料市场规模稳步扩张，光刻胶、湿电子化学品、电子特气等细分行业均保持增长态势。2025H1上市公司整体营收与利润实现双增长，Q2单季度利润实现同环比增长。综合来看，其认为半导体材料板块正处于基本面改善与长期成长逻辑共振阶段，建议关注在光刻胶、湿电子化学品、电子特气、CMP等核心材料领域具备技术优势与客户验证优势的龙头企业。

继长安汽车董事长朱华荣、广汽集团董事长冯兴亚，及小鹏汽车董事长何小鹏之后，又一位车企“大佬”造访华为，并将进一步深化与后者的战略合作。 9月22日，东风汽车董事长、党委书记杨青赴深圳，与华为公司创始人任正非及华为公司徐直军会谈，双方围绕强化战略互信、深化战略合作、推进企业治理与运营机制创新等议题进行了深入交流。未来，东风汽车与华为将在产品定义、智能化技术、营销等领域探索央企市场化运营新路径，为下一阶段全面协同与创新合作奠定坚实基础。 受此消息影响，A股东风股份、东风科技，及港股东风集团股份股价均异动拉升。至午间收盘，东风股份速涨6.28%、东风科技涨2.23%。 值得注意的是，此次与杨青同赴深圳华为总部的，是刚刚履新的东风旗下猛士汽车科技新任总经理（CEO）万良渝。在业界看来，此次东风汽车的深圳之行，或将将双方达成的深化战略合作率先落地于猛士科技，以助其进一步巩固并扩大在智能越野领域的优势。 作为东风旗下的智能越野品牌，猛士汽车科技于2024年2月与华为签署战略合作协议，双方在产品研发、技术创新、市场营销、品牌建设等方面开展全方位合作。一年多后的2025年4月，双方联合推出的“豪华智能越野SUV”猛士M817迎来全球首秀，并于当年7月开启预售，一小时获订单近万辆。 据悉，华为将向东风全面开放自身流程与体系能力，东风汽车则将引入华为的先进管理方法，促进与东风现有流程体系的协同与创新。双方将从项目初始阶段即展开紧密协作，应用行业领先的产品开发与营销与服务管理体系，进一步打造猛士智能越野品牌。 猛士汽车科技只是东风与华为全面战略合作的一个缩影。在9月22日造访华为的前三天，作为双方于今年5月达成的战略合作协议的延续，东风汽车与华为联合创新实验室于2025年华为全联接大会制造与大企业全球峰会汽车行业分论坛上正式揭牌。 根据这一实验室的规划，双方将重点围绕车载软件研发平台、辅助智能驾驶、AI泛场景应用、具身智能等方面加强合作，加快推动技术创新与产业融合。东风方面曝光的一幅具身智能-人形机器人渲染图片显示，其智慧大脑部分包括高阶智驾及智慧座舱，敏捷神经系统则包括天元架构等。 去年4月，东风集团曾披露，东风公司研发总院正通过脱敏后的视频、图片、文本及车辆运行数据进行多模态大模型与大语音模型研发，以构建针对具体应用场景的汽车具身智能体。按照计划，今年年底，基于具身智能技术，东风将打造一款带有专属角色的车型；预计到2026年底，将实现可执行驾驶任务和非驾驶任务中的具身智能体应用。 华为智能汽车解决方案BU CEO靳玉志今年8月表示，自动驾驶系统具有平台能力，基于算力算法、软件、硬件等平台能力，将赋能具身智能、Robotaxi、干线物流、停车场等新业态，实现跨域协同。这是华为方面首次对外正式披露自动驾驶平台能力的发展方向。 随着智能化转型的深入，产业间的壁垒不断被打破，正呈现出加速融合的趋势。据财联社记者观察，在此次东风造访华为之前，已至少有四位车企“一把手”亲赴深圳拜访任正非。其中，今年8月8日，履新中国长安汽车集团董事长仅11天后，朱华荣即率队拜访任正非，重点围绕智能化技术竞争、阿维塔品牌合作升级等议题展开交流。稍早前的7月，广汽集团董事长冯兴亚在社交媒体上透露，此次专程赴深圳拜访华为，就汽车产业趋势、营销创新、客户洞察、公司改革治理及合作项目推进等进行了深入学习交流。此外，小鹏汽车董事长何小鹏曾于今年2月与任正非进行了长达3小时的闭门交流，涵盖科技、企业治理及竞争策略。 “虽然东风、长安、广汽及小鹏与华为的合作模式各异，但车企高管频繁拜访任正非，反映出华为在智能汽车领域的技术影响力及行业’不造车但赋能‘的独特定位，正吸引更多传统车企寻求合作或战略参考。”有行业人士分析表示。

长川科技发布A股半导体领域首个2025年前三季度业绩预告，预计归属于上市公司股东的净利润为8.27亿元-8.77亿元，比上年同期增长131.39%至145.38%，或创单季度业绩新高。 受此消息影响，今日长川科技收获20CM涨停，股价刷新历史纪录，总市值达506.1亿元，并带动半导体设备ETF及相关个股走强。截至收盘，半导体设备ETF（159516）收涨5.37%，中微公司、盛美上海分别涨9.12%、5.16%。 关于业绩变动原因，长川科技表示，报告期内，半导体行业市场需求持续增长，公司客户需求旺盛，产品订单充裕，销售收入同比大幅增长，带动利润显著提升。 根据此前财务数据，截至2025年二季度末，长川科技存货为30.02亿元，同比增长134.62%；合同负债达6314万元，同比增长243.78%。国泰海通证券研报指出，2025年公司CIS测试机、存储测试机陆续进入放量周期，随着公司的中高端产品不断放量，预计2025年全年长川科技的归母净利润将超市场预期。 不过就目前来看，国产半导体设备领域尚未迎来全面爆发。尽管部分高端刻蚀设备厂商如中微公司在今年上半年实现销售收入与合同负债的双重增长，但以北方华创为代表的部分成熟制程设备企业却面临业绩和合同负债下滑。 对此，华泰证券指出，今年第二季度，本土半导体设备龙头业绩有所分化。短期内， 存储的资本开支节奏和先进逻辑的良率是影响本土设备拉货节奏和业绩的主要原因 。 然而另一方面，浙商证券认为，全球成熟工艺产能的供过于求状态仅仅是阶段性的，当前传统消费电子类产品处于缓慢复苏周期，并未进入创新拉动带来的放量成长阶段，若传统消费电子、AI终端放量成长，供需情况有望反转。华泰证券也表示，随着先进逻辑及存储的持续投入和晶圆厂的技术突破，长期看好设备国产化率提升。 从投资层面来看，东吴证券指出，AI芯片快速发展将带来封测设备新需求。测试设备方面，国产AI芯片制造采用更大的引脚和电流，测试难度显著提升，建议关注国产算力带来的国产测试机突破；封装设备方面，国产AI芯片采用CoWoS先进封装，中国在封测环节具备较强全球竞争力，国内先进封装有望进入起量元年，建议关注国产封装设备新机遇。

机构指出，打破内存墙瓶颈，HBM已成为DRAM市场增长主要驱动力。HBM解决带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制等问题，已成为当下AI芯片的主流选择。Yole预计全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元，CAGR达33%。 SK海力士指出，HBM的引入不仅能显著提升AI的性能和质量，其增长速度甚至超越了传统内存性能，有效打破了内存墙瓶颈。民生证券认为，从产业链来看，HBM产业上游主要包括电镀液、前驱体、IC载板等半导体原材料及TSV设备、检测设备等半导体设备供应商；中游为HBM生产，下游应用领域包括人工智能、数据中心以及高性能计算等。在HBM制造中，TSV工序是主要难点，其涉及光刻、涂胶、刻蚀等复杂工艺，是价值量最高的环节。国产HBM量产势在必行，当前国产HBM或处于发展早期，上游设备材料或迎来扩产机遇。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 赛腾股份 表示，公司HBM检测设备已得到海外大客户的认可并已批量出货，国内市场正在积极开拓中。 中微公司 在先进封装领域（包含高宽带存储器HBM工艺）全面布局，包含刻蚀、CVD、PVD、晶圆量检测设备等，且已经发布CCP刻蚀及TSV深硅通孔设备。