随着集成电路芯片的晶体管密度越来越接近物理极限，单纯依靠改进制程来改善性能已经变得越来越困难，如何发展“后摩尔时代”的集成电路产业，全球都在积极寻找新技术、新方法、新路径和新思路。以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料具有高击穿电场、高电子迁移率、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造高性能的功率半导体器件，成为功率半导体产业的热点。 派恩杰半导体是国内第三代半导体功率器件的领先品牌，拥有深厚的技术底蕴和供应链优势，创始人黄兴博士师承IGBT发明人Dr. B.Jayant Baliga与ETO晶闸管发明人Dr.Alex Q.Huang，并于2009年起深耕碳化硅和氮化镓功率器件的设计和研发，对产业有着深入洞察。派恩杰半导体拥有国内最全的碳化硅功率器件产品目录，可以满足用户各种应用场景的需求。近日，爱集微采访了黄兴博士，讨论第三代半导体的产业趋势和企业运营思路，探寻做强中国第三代半导体产业的发展路径。 信心：十年后碳化硅将替代IGBT 在经历了上一轮“缺芯潮”之后，全球半导体产业进入一个相对漫长的下行周期，大多数半导体公司遭受市场压力。第三代半导体则是其中难得的一抹亮色。从2021年-2022年起，碳化硅等器件便进入供应短缺状态，至今依然没有得到完全缓解。发展碳化硅等第三代半导体受到越来越多人们的重视。 黄兴在接受采访时表示，当前需求疲弱的市场状况可能会延续到2024年上半年。但即便如此，黄兴也坚定看好第三代半导体市场。“尽管储能、光伏、消费的需求有所减缓，但是汽车应用对碳化硅器件的需求依然强劲。随着衬底原材料价格的下行，以及碳化硅技术性能的不断提升，车厂反而会在更多项目中采用碳化硅器件。这种趋势在派恩杰与欧洲车厂、亚洲海外车厂进行的一些预研型项目开发中感受十分明显。” 就规模来看，目前碳化硅功率器件的最主要应用仍然是车载应用，派恩杰自2021年底就一直在向国内的车企批量供应碳化硅功率器件，产品性能与质量得到广泛认可。光伏、储能等领域的市场规模相对较小，派恩杰在这些应用领域也有相当规模的客户订单。因此，只要车用市场稳定增长，其他市场即使有所下滑，也尚不至于影响大局。当前阻碍碳化硅等器件进一步普及的主要问题就是良率和成本。 分析整个产业链生产可以发现，碳化硅的原材料是高纯硅粉加高纯碳粉，来源十分大众，价格低廉。但从硅粉碳粉到单晶，良率估算只有30%左右；从单晶的切磨抛、长外延，再经过十几道光刻，最后加工成器件，整个过程的良率也很低；最终筛选出来能合格上车的，又只有50%。综合计算，整个产业链良率只有10%-20%。这是导致当前碳化硅等第三代半导体器件价格高昂、产能瓶颈的主要原因。 如果人们能够通过技术迭代、工艺精进，把良率提升上来，碳化硅就有着充分的降本空间，即使加上大量工艺程序的成本加成，整个流片成本也不会比IGBT更高。值得注意的是，碳化硅器件的功率密度更高，载流能力更强，且芯片面积要远小于同规格的IGBT。再加上碳化硅的鲁棒性更好，使用起来更加简单，相信未来碳化硅器件一定会逐步替代IGBT。 黄兴预计大约10年以后，IGBT的大部分市场份额会被碳化硅器件替代。黄兴同样看好氮化镓的市场前景，氮化镓无论是被做成LED器件，应用于照明领域，还是被用作射频功放器件，应用于射频雷达、5G通信等，都有广大的市场空间。研究机构的数据也支持了黄兴的判断。根据Yole Intelligence发布的2023年版《功率碳化硅报告》，碳化硅行业近年实现了创纪录的增长，预计到2028年全球功率碳化硅器件市场将增长至近90亿美元。正是由于看到市场前景广阔，黄兴才决心投身于第三代半导体产业当中，做出一番事业。 当然，如果进一步观察黄兴的成长历程又会发现，那些求学经历、从业经历，都让黄兴与碳化硅、氮化镓结下了不解之缘。它们也是推动着黄兴投身碳化硅与氮化镓的创新研发与产业化发展的主要动力。 求学：既重视学术也重视应用 黄兴博士本科就读于成都电子科技大学。当时的成都电子科技大学在功率器件科研方面已经有了深厚积累。陈星弼院士领衔的电子薄膜与集成器件国家重点实验室就归属于成都电子科技大学微电子与固体电子学院。陈星弼院士开发的超结结构(Super Junction)打破了传统“硅极限”。这项发明专利的成功转让也是我国第一例在国际知识产权诉讼中获得胜利的案例。入读成都电子科技大学为黄兴的碳化硅探索之路打开了一扇大门。 2007年-2008年，黄兴被推荐到陈星弼院士一位早年的学生，同时也是ETO晶闸管发明人，美国北卡州立大学Dr.Alex Q.Huang教授那里深造。 Alex Q.Huang承担了美国自然科学基金（NSF）支持的一个与智能电网相关的科研项目，愿景是把新能源和传统能源所发的电力统一集成到一张电网上面，组成一张能源网络，并以此为基础为每家每户提供灵活的电网服务。黄兴来到北卡州立大学之后，便加入这个项目当中。 碳化硅器件的研究是这个智能电网项目下的一个子课题。因为智能电网的母线电压比较高，美国的标准为7.6千伏，课题的目标是开发出可以承受这一高电压的碳化硅晶闸管，对电网实施双向保护。该课题是由Alex Q.Huang与IGBT发明者Dr.B.Jayant Baliga合作申请研究，因此黄兴可以同时师从两位功率半导体学界大咖，也为其打下了坚实的学术基础。 在北卡州立大学的学习研究，还让黄兴获得了许多与当时美国碳化硅产业界接触的机会。CREE、ABB等公司都是北卡州立大学的校友企业，给予了项目很多支持。在与CREE等公司员工的交流过程中，黄兴明显感受到，碳化硅技术正处在一个从实验室到产业化的关键节点上。当时，美国政府对碳化硅产业化的支持也很多。美国能源部曾启动一个1.4亿美元的项目，希望将碳化硅、氮化镓器件的总体成本降下来，促进产业化落地。黄兴两位导师申请的项目便被纳入这个大项目当中。在这些项目的共同推动下，第三代半导体产业取得了快速发展。 这些经历都使黄兴清晰意识到，应用对推动一项新兴技术产业化的作用是多么关键。要想把一项新技术发展起来，不能仅埋头在实验室里做学问，在重视技术开发创新的同时，也要重视应用。“虽然当时我是做半导体器件开发的，但是我一直非常关注应用。因为我发现一项新技术，理论上的性能、效益很高，但真正被用户接受并不是一件容易的事情。想要真正用好碳化硅，充分发挥碳化硅的性能优势，不但要细致研究驱动电路、EMC、热管理等问题，还要研究如何通过碳化硅器件的性能优势对变换器整体进行优化设计，这些都是与应用相关的知识。我觉得从B.Jayant Baliga和Alex Q.Huang两位导师身上学到的最重要的东西，就是重视下游应用。我们做半导体的不仅要懂材料、懂工艺、懂设计，更重要的是还要懂应用。”黄兴说。 创业：要做好“从0到1”的事情 从进入北卡州立大学学习研究，到进入企业进行产品开发，黄兴在碳化硅产业化的很多关键节点上，都是一个亲历者。黄兴在领略碳化硅等第三代半导体魅力的同时，也逐渐树立起要把它们当成一项事业去做的信念。 2017年，一则消息在碳化硅行业内流传，且影响深远——ST和特斯拉合作，把碳化硅器件应用到了汽车之上。“当时看到这个消息，我一下就觉得终于找到应用了。虽然当时碳化硅器件的售价还是很高，但这却属于刚需，因为采用碳化硅节省掉的电池成本远远比花在碳化硅上的钱要多得多。这也意味着碳化硅器件有了落地的基础。一个商业上的闭环得以确立。”黄兴指出。在这些契机的作用下，黄兴萌生了回国创业的念头，希望通过自身的努力填补国内碳化硅等第三代半导体领域的空白。由此又开启了另一段人生。 回国创业，黄兴发现中国市场的机会甚至要比美国还多。当时美国的碳化硅领域已经形成几家大型公司，比如CREE、安森美等。相反2017年-2018年国内还没有形成一家碳化硅龙头企业，却又有着数量众多的智能电动车潜在用户。 “我看过一本书，大意是说如果你做的不是一件‘从0到1’的事情，那么这件事从本质上讲就没有创业的意义。”而在黄兴眼中，在中国推进碳化硅等第三代半导体产业显然是一件从“0”做起的、具有重要意义的工作。基于这样的理念，黄兴希望将派恩杰打造成为一家立足中国市场，可以为全球范围内终端用户提供最好碳化硅产品的公司，最终实现中国第三代半导体产业的自主可控。 虽然这个目标带有一定的“本地化”色彩，但是黄兴打造的技术与供应链系统却是非常国际化的。在碳化硅器件品质与性能方面，派恩杰受到用户的高度认可，这不仅是在中国市场，在海外市场上同样如此。分析派恩杰的订单构成就会发现，其中有许多是来自海外的充电桩项目、激光电源项目，以及车厂订单等。黄兴希望将国际领先的技术与全球化的供应链系统落地到中国市场，进而推动中国第三代半导体产业的成长。 黄兴的海外学术经历与工作经验使其在运营公司时更加得心应手，高屋建瓴。黄兴很早就认识到，功率器件领域其实也有着类似的摩尔定律，只不过功率器件是在微米尺度上进行工艺的微缩。伴随工艺微缩的是产品性能不断提高，成本不断降低。比如CREE的第一代产品工艺约为十几微米，第二代已演进到8-9微米，第三代6微米，3.5代是5.5微米，今后还将继续向下不断演进。 在行业发展初期，国内企业对这一产业规律的认识还比较薄弱，对器件的工艺技术开发重视程度不够。派恩杰却早早就在先进工艺上进行布局。2019年推出的第一款量产碳化硅场效应管达到4.8微米，并于2020年通过车规认证。这也是全球首款5微米以下的平面栅功率器件，其性能在多个应用场景下比国际大厂的产品表现更好。而根据派恩杰的技术路线图，下一代产品工艺将推进到3.x微米，再下一代为2.x微米。 “在推动碳化硅技术进步时，在一定程度上我们完全可以借鉴硅基集成电路的发展历史。只不过功率器件的产品迭代可能没有那么快，不是每18个月演进一个节点，目前大约为4-5年迭代一次，因为它的应用场景以工业制造为主，更新迭代的速度不像消费类产品那么快。”黄兴表示。 在推动技术开发的同时，黄兴也不忘应用的发展。据了解，派恩杰的产品在国产领域第一批实现上车。目前已经向车厂稳定供货超过两年，累计订单已达上亿元。这使得派恩杰在国际大厂中也有了存在感。“我们在给韩国某大客户供货，本来他们是将我们排在第三供的位置上，结果前两家都交不上货，我们被迫成了第一位。”黄兴笑着说道。 在氮化镓产品线方面，派恩杰的进展也很快，目前公司的策略是聚焦于氮化镓系统性解决方案的打造。公司与IC厂商合作，集成控制IC、功率模块等，同时考虑安规、极端工况等问题，最终形成一个相对完整的解决方案，再交给用户。这使采购门槛降到最低，也受到用户的欢迎。 黄兴认为，技术创新和对供应链及品质的把控是派恩杰的核心竞争力，因为供应链与品质是汽车和工业级客户最看重的两个方面。一直以来，派恩杰的供应链战略都是选择成熟的车规级供应商，并且严格管控供应商的质量体系。基于这样的供应链战略，派恩杰的碳化硅产品的供应能力与质量均得到海内外客户的广泛认可。 未来：为国内产业发展蹚一条路 “几乎所有新兴产业都是从高端市场向大众应用一步一步普及的。当它在高端市场获得充分验证后，才会产生足够动力向更广泛的领域扩展延伸。碳化硅正是这样，在经历了航空航天、大型电网应用之后，正在向车用市场普及，下一步将是工业领域，再下一步可能就是消费市场。这几乎是一个必然的发展趋势。我们要做的就是通过技术迭代与工艺精进，把良率做上去，通过扩大规模把产量提高，这样才有可能大幅降低成本，进而扩大应用范围。”海外留学、工作，并且师从国际顶尖学者的种种经历，使黄兴有了更广阔的国际视野。这些先进经验不仅对派恩杰公司的运营有很强的指导价值，对于国内第三代半导体行业的发展也有指导意义。 下一步，黄兴计划在公司运营上进行一次重大调整，建设一座本地化的生产基地。“因为代工厂的产能已经逐渐满足不了公司的需求。而建设一座本地化的生产基地不仅可以获得更加稳定的产能，还可以把成本降低下来。”黄兴告诉记者。 IDM仍是当前国际碳化硅和氮化镓大厂的主要经营模式。但是这种重资产的运营在国内却有更多挑战。一方面，IDM公司的产品和产能更稳定，但是它对现金流的要求也更高，一旦现金流断裂，公司很容易就会垮掉。另外，如果生产良率无法保证，采取IDM模式也是没有意义的。因此，这就要求选择IDM模式的企业，技术一定要过硬，整个团队有相当的运营经验，同时确保资金链不能出现问题。 这些挑战黄兴十分了解。但同时他也清楚，IDM是当前行业发展的主流模式，是解决碳化硅低良率、高成本问题的发展方向。黄兴希望在这方面为国内产业蹚出一条道路来。 在谈到行业面临最大挑战时，黄兴认为资本的无序投资是一个较为严重问题。当一个赛道比较火热的时候，往往吸引资本一窝蜂地投过去。热钱的进入固然能推高行业热度，却也会给正常发展带来影响，扶持低端产能，导致价格战，扰乱用户判断等。另外，热钱的涌入也会导致人才流动的混乱。在非专业资本的加持下，不同公司相互挖角，往往造成新的团队组织不起来，老的团队又被挖散架。典型的“新树不开花，老树不结果”。 尽管挑战很多，黄兴却对中国第三代半导体产业的未来带有极大信心。因为中国有着得天独厚的产业环境，无论快速增长的电动汽车工业，还是广阔的下游需求市场，都是助推产业腾飞的基础。“我觉得整个行业正在进入下半场阶段。企业最关键的就是扩大规模和持续进行技术的更新迭代。突破良率瓶颈，真正将器件成本降下来，实现弯道超车并不是一句空话。” 同时，黄兴也强调，从政府到产业界，再到投资界都应当冷静对待当前的发展机遇，要真正地去研究这个行业、了解这个行业，不要让那些无序的行为扰乱正常的发展。半导体是真正属于国之重器的一个产业，国家既要扶持，更要建立一个有序的竞争环境，让企业在一个健康的环境中成长。扶持的重点，不是已经进入成熟期的大型企业，恰恰是那些创新型的中小企业。对于一个新兴行业来说，创新才是最重要的，而中小企业往往最具有创新精神。国家应当鼓励创新，营造一个比拼创新的产业环境，而不是单纯地比拼价格，看谁最终能把谁卷死。 采访最后谈到社会责任。黄兴表示：“企业家的社会责任是多方面的，一方面开发的产品要能给社会带来价值，另一方面还应具备文化上的输出，要让整个社会更清晰地理解怎么样才算是做好一个高科技产业。”当半导体行业进入“后摩尔时代”，发展第三代半导体产业已是大势所趋，也是中国实现弯道超车的最佳时机。作为投身于这一领域的企业家就应当有决心担负起社会责任，为振兴中国第三代半导体产业探索出一条可行的道路。

过去几年里，全球半导体产业经历了一段漫长的下行周期。尽管半导体市场表现低迷，但作为长周期内极具成长性的赛道，半导体行业的投资热情并未消失，半导体企业间的并购也从未停止。 据集微咨询统计，2024年1月，全球共发生超218起半导体企业并购事件（包括传闻和撤回），环比增加11起（5.3%），同比增加115起（111.7%）。近十二个月并购事件数量逐步增长。 按所处国家或地区划分，中国大陆有71起，为数最多，日韩地区28起，中国台湾10起，亚洲其他地区共30起，美国29起，欧洲地区32起，其他地区有18起。 按所处交易阶段划分，宣布阶段46起，完成阶段85起，假设完成阶段49起，待定阶段17起，传闻阶段16起，撤回了5起。 2024年1月，有123起并购事件披露了交易金额，总额超284亿美元，平均交易金额2.31亿美元。其中，超过10亿美元的有4起，1~10亿美元有15起，千万~1亿美元有50起，低于千万美元的有54起。近十二个月平均交易金额2.16亿美元(中位数)。

见证两次国内芯片产业自主可控浪潮的胡颖平坚信， 做时代需要你做的事情：对创业者而言，是需要“选择对的产品”，对投资者而言，是需要“发掘新的领域”。 随着国内半导体产业发展进入新阶段，他认为以往 “从老东家拉一个团队出来做同质化70/80分的产品”的创业模式应该摒弃了，无论是创业者还是投资者，是时候面对产业下一阶段高纬度的成长， 需要具备“合伙创业”的能力和心态，推动中国半导体产业自主创新创造往前走。 展讯中国首批员工，见证TD十年磨砺 1999年胡颖平从北京理工大学计算机专业毕业后回到了家乡广东，“爱折腾、想拼搏”的他在改革开放前沿——深圳辗转，最终进入了一家名不见经传的手机芯片创业公司，希望通过自己敲出的代码能对社会创造有价值的产品。做好的产品、为社会创造价值也成为他职业理想和信念。 千禧年伊始，我国已经是全球手机用户最多的国家，但是所有的手机核心芯片都要从美欧进口。预见到即将到来的移动通信大潮，陈大同、武平等在2001年成立展讯通讯，专攻手机核心芯片。最初展讯在硅谷建了一个十多人的集成电路设计团队(几年后又移回了国内)，同时在上海招了50~60个工程师，组成了软件团队。 胡颖平正是2001年上海展讯第一批软件团队的员工。而在展讯国内第一年20多人的团队成员里，后来大多都成为独当一面的技术领导者，虽然以前全部都没做过在展讯要做的事情，但队伍的成长之快，出人意料。展讯创始人之一武平在回忆文章中生动地形容， “在2001年还是一个毛孩子，在公司射击游戏中还钻到我背后，射我一梭子的胡颖平，几年后已成为TD-SCDMA 3G的带头人。” 进入展讯后，胡颖平从一个刚毕业两年的新人，专业能力迅速提升，一路升至产品经理、总监，在这期间，见证了展讯首款手机处理器的诞生、大卖，以及2007年展讯在纳斯达克上市。 而他人生的首个转折点，则要从2003年展讯转向TD-SCDMA说起。 2000年我国提交的TD-SCDMA标准，继欧洲的WCDMA、美国的CDMA2000之后被国际电信联盟正式确定为3G国际标准之一，成为我国移动通信领域的重大突破，然而随后的两年里我国移动通信产业各领域几仍然乎一片空白。在此背景下，出于希望企业能够转型支持国家的规划，也为企业创造新的增长空间的考量，展讯毅然放弃跟踪开发国际上相对成熟的WCDMA芯片，投入了中国标准TD-SCDMA芯片研发中。胡颖平意识到这是一个巨大的挑战，同时也是一个巨大的机会，于是主动申请转到这个全新的领域，和小伙伴们一起重新建设团队，几年磨炼后成为TD-SCDMA事业部总经理，带领团队开辟新产品航线。“从2003年开始研发芯片，到2009年3G牌照发放，中国移动运营TD-SCDMA，再到2013年TD芯片规模量产，可以说是十年磨一剑。”胡颖平表示。 胡颖平回忆，2008年4月1日起，中国移动面向北京、上海、天津、沈阳、广州、深圳、厦门、秦皇岛、青岛和保定十城市用户开展TD-SCDMA放号，TD-SCDMA正式进入试商用阶段，准备好服务奥运会； 回忆TD十年磨砺，2008年北京奥运会召开前产业链网络和终端各厂家联合进行了大规模网络商用试验，至今令他记忆犹新，也是最艰难的时刻，用他的话来形容，就是成败在此一举。 “团队出发去北京的时候，某种程度上抱着‘不破楼兰终不还’的决心去的。对我们创业者来说，不到最后都不知道TD是否能成功商用，只能连续三四个月每天通宵达旦地测试，问题一个又一个地解决，一个城市试验完又赶赴下一个城市，被推着不断往前走。”他表示，“尽管艰难，但是团队都充满了革命乐观主义精神，比如在青岛的时候，每天测试到晚上十点，街边和小伙伴们吃上一碗海鲜粥，特别的美味；又或者在凌晨青岛的街头，在一遍又一遍的测试中，我们的工程师把电脑接上功放，循环播放‘死了都要爱’，挥洒青春的激情和热爱；为了不耽误事，困了就抓一把咖啡粉生吞。” 最终2008年8月TD-SCDMA成功服务于北京奥运会，不仅兑现了我国政府向国际奥委会的承诺，成为科技奥运的代表，也向世人展示了我国通信产业的整体创新实力。随后在2009年初，TD的运营牌照发给了中国移动，从此开始了商业化的进程。 截至2013年底，我国已形成了成熟完善的TD-SCDMA端到端产业链，系统设备企业6家，芯片企业4家，仪表企业9家。国内TD-SCDMA终端产业链企业达427家，而国内终端产业链厂家总数大约600家，TD-SCDMA企业数占比71%。胡颖平表示， 正是得益于TD-SCDMA技术专利的雄厚积累和TD-SCDMA知识产权处置方式，当时在中国三种技术制式竞争的3G市场上，TD-SCDMA是唯一一个不需要向海外公司缴纳高额专利费的技术，大大促进了我国终端企业的发展。 不过TD-SCDMA产业成熟较晚，错过了全球大多数国家3G大规模发展的阶段，从2013年12月中国发放4G TD-LTE牌照后，TD-SCDMA的3G时代逐渐落幕。 自主创新，从博弈筹码到背水一战 尽管中国发展自主TD标准一直存在诸多争论，但是胡颖平认为， 从2003年到2013年的十年磨砺，TD-SCDMA从标准、代码、芯片、设备到市场都是完全创新的， 映照出了一个国家十年中不同阶段对自主创新的市场环境以及决策能力、研发能力， 为接下来的4G乃至5G时代中国通信产业站上世界之巅奠定了坚实的基础，更重要的是为中国通信产业培育了一个相当庞大的人才群体。 “中国拥有足够大的市场，如果全产业链都是自主的，将有巨大的能量来孵化创新，为下一个创新周期蓄力。” 经历中国TD产业十年蝶变的胡颖平如此体悟，“自主创新的意义是无可比拟的。” 2014年国家颁布《集成电路产业发展推进纲要》，大基金的成立带动了国内半导体产业广泛的创业及投资热潮。胡颖平带领的TD团队取得成功并成熟之际，开始思考新的在产业中成长的方式，创业还是转做投资人？在帮一位创业的朋友搭建团队的过程中，他认识到， 创业不是单打独斗，也不是“会做什么就做什么”，选择时代和产业需要的方向（对的事情）更重要。 在展讯带过几百人团队，经历过产品从零到一的过程，也经历过产品市场份额从零到国内第一的过程，他理解投资创业者也是另一种意义上的个人与时代共同成长，因此在经过深思熟虑之后，2016年胡颖平选择进入元禾璞华，成为一名半导体投资人。 彼时，他在心中询问自己：如果做投资，是否愿意站在企业家背后，协助他、成就他，这样是否会让自己觉得快乐并获得成就感？如果长期做投资，是否能持续保持旺盛的好奇心，保持高强度的快速学习能力？在转型的最初胡颖平的内心尚未得到确定的答案，直到2018年后美国制裁中兴、华为事件先后爆发，他深受触动，认为半导体国产自主、国产创新是必须要走的路了。 胡颖平指出， 与当年国内决定发展自主TD标准不同的是，上一次的自主创新，更多是出于能够在产业中握有能够博弈的筹码，而2018年之后的自主创新，则是被限制到绝境的背水一战。 参与过第一代国产自主科技创新的他有情怀，也自认有责任去协助企业家进行新一阶段的半导体自主创新。“在以往扁平化、全球化的半导体产业中，国内创业公司的机会很渺小，下游客户也大多没有意愿使用国产产品。直到2019年之后，我们才发现已经被逼到绝境，不得不培养国内的供应商，这也意味着创业者的美妙时刻开始来临。”他表示，“随后科创板开板，股权投资时代来临，对科技创新张开怀抱，这不仅为一级市场投资者提供了退出通道，投资的企业价值被认可，我们也觉得高兴和幸运。” 自此，他终于坚定投身半导体投资的信念，几年来投资成绩斐然， 主导投资以及主要参与的项目达80余个，累计投资金额超过30亿元。其中已上市项目9个，企业总市值超1800亿元，退出项目平均回报倍数近4倍。 代表投资项目有芯朋微（688508）、天准科技（688003）、安凯微（688620）、思立微（兆易创新603986）、思瑞浦（688536）、普冉股份（688766）、翱捷科技（688220）、江波龙（301308）、慧智微(688512), 华太电子、川土微、登临科技等。 与他的理念不谋而合的是，元禾璞华一直聚焦于萌芽的国内芯片产业，“国产自主创新”是元禾璞华一直遵循的基本原则。胡颖平表示， 元禾璞华以两个维度来挑选企业：一是“无人区”的国产自主创新，如工业和汽车领域；二是新产业周期，如人工智能、物联网、智能汽车等对半导体产业拉动很大的新兴应用。 实际上，近两年上市或成长很快的企业都不是来自于消费电子赛道，而是聚焦于工业和汽车电子领域，从而也证实了元禾璞华及他对产业动向的精准把握。 国产创新步入新周期，合伙创业助力高维度成长 截至目前，元禾璞华投资的许多企业已成功上市，包括这些企业在内的所有上市半导体企业都面临下一阶段的发展问题；随着后疫情时代全球半导体产业进入下行周期，国产替代进程加速，未上市的企业也要面临如何摆脱低质量竞争的发展模式；同时投资者也要面临市场泡沫破灭来寻找新的投资逻辑的挑战。 胡颖平指出，所有这些变化都代表着 半导体的国产创新需要步入新周期， 在行业低谷更应该去做正确的事，“俗话说冬练三九，冬天正是修炼内功的好时机”。 当前的回调周期令不少人感到恐慌，但胡颖平依然希望能够保持平常心，并且要一如既往地充满革命乐观主义精神。这种乐观从何而来？他解释，在艰难的产业环境下，行业中各细分领域的龙头公司依然实现了成长，这意味着他们的行业地位、产品、技术在进一步升级。 在他看来， 对企业而言，冬天的时候练好内功，是潜心做好研发，产品优化，市场拓展；对投资机构而言，应该避免过度拥挤和同质化的赛道，更应该去开拓国产自主时代更多空白的“无人区”， 例如还没有被关注的耗材，高端制造装备、先进制造装备，上游的材料，EDA等等。 “自主化供应的时代来临的时候，我们需要在更多领域放弃幻想，把空白填补上，都需要有人去开拓这些新的领域，不应该再在同质化的赛道投资。”胡颖平表示，“这需要投资人覆盖更大的产业范围，例如 元禾璞华一直在根据国产替代进程适时调整、深化产业布局，优化投资结构，在产业链‘卡脖子’的环节，如材料、设备、零部件等赛道加大投入。在元禾璞华的二期和三期基金中，对这些赛道的投资比例已经大幅提升。 这样的调整需要整个投资团队在方法论基础上积累更多领域的行业认知，同时‘投早’也意味着对风险把控能力以及对创始团队的协助所需的能力也大大提升。” 随着国产创新步入新周期，半导体行业的估值回归理性，元禾璞华也看到产业的并购、整合时代即将来临。国内半导体公司普遍规模不大，集中度低于世界水平，未来有希望出现市值更大的公司。但是，需要形成产业共识，将资源集中到真正有优势的企业。 胡颖平将其总结为“高维度成长”。 一方面，对于企业从0到1，从1到10，从10到100，各个阶段需要的工具包、能量包都不一样，随着半导体各领域国产化率的提升，如果要实现更大的规模提升，需要通过并购形成平台公司，实现下一阶段的高维度成长；另一方面，这样的平台型企业，需要具有更高维度能量的企业家来组织并购，原先单打独斗的企业在平台中要形成有机的整体，更需要企业家具备强强联合的能力，胡颖平称之为 “合伙创业”，是实现高维度成长的必经之路和必备能力。 作为投资人，要能在新周期帮助企业和创业者实现这样的高维度成长，也需要思考是不是具备了为他们提供价值创造的能量，这种能量包括资金、资源，包括投资人个人的能力等。 “好的平台型企业家非常宝贵，他们才是创业赛场上的主人，是他们带领产业不断成长，我们希望舞台是他们的。作为投资机构，我们需要更好理解企业的创新价值，并陪伴、培育企业成长壮大，从中创造成长价值的同时收获其带来的回报。” 胡颖平强调，“元禾璞华下一阶段，将更注重发掘这样优秀的平台型企业家，围绕着他们进行价值创造，以陪伴式服务做企业‘守望者’。” 面对当前的行业低谷和投资寒冬，不少企业家和投资人都陷入焦虑，胡颖平言谈中仍保持着一如当年奋战TD时的乐观和平和。对此他表示，企业家很知道冬天应该干什么，因此给投资人自勉道， 要接受半导体行业的周期性，一代又一代新需求拉动了半导体领域的发展，市场不用过分担心上一个周期的回调，投资人如果没有做好这个心理准备，会过度焦虑。 “科创板开板以来成就了很多企业、创业者和投资人，那么现在就是要与企业一起合伙创业，过苦日子、共患难的时候。 要实现一个新的自主创新产品，证实和证伪都至少需要三年时间，甚至更久。 证实证明这款产品能做好，需要三年；证伪这款产品做不好，也要三年。”胡颖平强调，半导体投资是比较长周期的，我们期待和同行伙伴一起坚守，陪伴和推动自主创新下一个周期的成长。 “创业和投资创业，当你按照产业的方向做长期正确的事情，自然会过滤掉短期的一些干扰因素。像跑马拉松， 如果目标是全程42公里，前5公里的拥挤就不会太‘在意’， 找到自己的节奏往前跑就是。”他呼吁， “身处急剧变革的时代，快速学习和长期主义是抵御风险和未知的关键‘变量’，也是保持平衡心态往前跑的秘诀。”

英伟达最新一代GPU芯片B100即将亮相，除了多项核心性能升级，其散热技术将从“风冷”转为“水冷”方案已成为行业焦点。这不仅是风冷转向液冷散热技术的一个重要里程碑，也将带动整个散热市场迎来全面革新，进而突破算力被散热“卡脖子”的情况。 随着AI算力和功耗不断迅速提升，业界主流观点认为，当单颗高算力芯片功率达到1000W（瓦）时，现有散热技术将会被革命，而液冷方案几乎成为必选项。这主要是因为液冷散热技术凭借其低能耗、高散热、低噪声等优势，成为兼具性价比和高效的温控手段。 显而易见，散热技术行业的高景气度，也传导至国内A股市场相关上市公司的股市及业绩表现上。近日，国内液冷概念股不仅表现强势，获国内多家机构密集调研，而且对未来预期增长信心十足。同时，国产超大规模算力液冷集群呼之欲出，将促使液冷服务器加速渗透。 转向液冷技术是里程碑 作为AI芯片行业的年度盛会，英伟达GTC 2024即将于3月18日至21日在美国圣何塞会议中心举办。据报道，黄仁勋将在会上现身公布采用Blackwell架构的最新芯片B100 GPU。B100相较采用Hopper 架构的H系列产品，整体效能均进行大幅提升，其HBM内存容量比H200芯片高出约40%，AI效能为H200 GPU两倍以上、H100的四倍以上。 除了性能“例行”升级，B100芯片的散热解决方案也成为焦点。 据悉，英伟达B100芯片的散热技术将从此前的“风冷”升级为“水冷”方案，而且未来所有GPU产品的散热技术都将转为“液冷”。英伟达CEO黄仁勋曾表示，坚信浸没式液冷技术是未来方向，并将带动整片散热市场迎来全面革新。 对于英伟达此举动机，国内散热技术厂商广州力及热管理科技（NeoGene Tech）创始人陈振贤对集微网表示，B100的功率达1000W（瓦）时需要改为液冷方案，因为既有H100（700W）的3DVC风冷散热器已不堪负荷。“这其中主要是热阻值问题。目前，风冷的热阻值约为0.05C/W，而由H100的700W增加到B100的1000W，温升就会增加15度。只有降低热阻值，才能控制芯片温度在可接受的范围。” 陈振贤称，现在业界主要几家散热大厂都在开发采用风冷方案的3D VC散热模组，加上风扇散热能力可以达到六七百瓦，但弊端是体积太过庞大。比如目前英伟达DGX H100服务器搭载了8颗H100 GPU，采用3D VC散热模组，服务器为4U尺寸。因此，对数据中心、高端运算而言，风冷3D VC散热模组将只是一个过渡性产品。 另外，散热模组厂双鸿董事长林育申曾指出，以往英特尔、AMD等厂商会将芯片的散热需求压在250-300瓦。但ChatGPT带动英伟达芯片需求暴增，散热天花板打开。H100最大散热设计功率（TDP）达700瓦，预计2024Q1量产的AMD MI300，其TDP也达到600瓦。而英伟达的新一代GPU B100，据传TDP将高达1000瓦。 显然，AI芯片的算力和功耗正在不断突破极值。在多位行业人士看来，当单颗高算力芯片功率达到1000W时，现有散热技术将会被革命。陈振贤进一步指出，当高算力芯片跟功率挂钩时，芯片功耗瓦数越来越高会使温差越来越大，进而超过芯片外壳定义的温度（通常不超过85度），这就是当前的散热瓶颈所在，因而需要设计并制作出热阻值更低的散热器。 他还称，黄仁勋所提及的浸没式液冷技术，应该是指具有水冷板的“自我漫冷式液冷服务器型式”，而非一般的浸没式液冷。“水冷板可以先将GPU的热循环带走，其余的热再藉由介电冷却液循环带走，这样整个服务器的热皆可带离数据中心，而不用开冷气。” 据了解，英伟达B100的液冷项目由代工厂英业达供应。英业达表示，今年AI服务器市场仍以英伟达产品为主流，旗下B100产品将于第四季启动量产。就服务器方面，英业达预估，自今年至未来二、三年内，都将有望每年保持双位数百分比的增长，整体表现乐观。 值得注意的是，也有业内人士指出，英伟达届时也会先推出风冷版B100，与现在的H100一样功率是700W，主要原因是为了尽快将B100推向市场参与竞争。 无论如何，在高散热需求下，液冷成为服务器温控产业的未来发展方向。华尔街分析师Hans Mosesmann直言：“液冷技术对于克服AI云端运算挑战非常关键，能为超大规模云端服务铺路。”陈振贤认为，从今年下半年开始，风冷转向液冷散热技术将是一个重要里程碑，芯片功率超过700W后就会加速液冷的发展步伐。 此外，还有行业分析称，英伟达B100芯片的散热技术升级，对整个AI服务器市场将是一场划时代的技术革新，并将推动相关产业链的迭代发展。 未来，在芯片制程难以提升的情况下，效能功耗比难以进步，单卡功率将只增不减。引领AI芯片的英伟达尚且如此，其他在自研AI芯片的谷歌、微软以及国内厂商，想追赶英伟达需要比现在更强的功率以及更优的散热，这会极大加剧市场对数据中心液冷的需求。 国内产业链获强力拉升 多重迹象显示，液冷散热技术正在AI算力井喷之下正迎来重要发展契机，这主要是因其低能耗、高散热、低噪声等优势，成为兼具性价比和高效的温控手段。 业内分析指出，早在2022年，英伟达曾推出过一个液冷版A100，功率与非液冷版一致，当时的考虑主要是绿色低碳。“在单独的测试中，Equinix（美国数据中心运营商）和英伟达均发现：采用液冷技术的数据中心工作负载可与风冷设施持平，同时消耗的能源减少了约 30%。英伟达估计，液冷数据中心的PUE可能达到1.15，远低于风冷的PUE 1.6。 “在空间相同的条件下，液冷数据中心可以实现双倍的计算量。这是由于A100 GPU仅使用一个PCIe插槽，而风冷A100 GPU需使用两个PCIe插槽。” 多年来，产业界一致在探索散热技术性能以及兼顾成本等的平衡点。财信证券表示，在数据中心发展的大型化、集约化的趋势下，且液冷方案仍存在每年降本5-10%的空间，再考虑到液冷方案能够有效延长服务器使用寿命，未来液冷数据中心总成本的优势将更加明显。 目前，作为全球数据中心的重要阵地，中国正在大力推进散热技术发展变革。IDC预计，2022-2027年，中国液冷服务器市场年复合增长率将达到54.7%，2027年市场规模将达到89亿美元。而行业的高景气度，正在传导到A股市场相关上市公司的股市及业绩表现上。 例如近日国内液冷概念股表现强势。3月4日，液冷服务器概念股集体爆发，英维克、佳力图、科华数据、日海智能、英特科技等近10股涨停，欧陆通、强瑞技术、曙光华创、精研科技等跟涨。同时，近期机构密集调研液冷概念股，精研科技、润泽科技三天内机构来访接待量达80家以上。 另据数据统计，目前液冷服务器概念总计有21家公司公布了2023年业绩预告，其中有15家年报净利润预增长上限超50%。其中，飞龙股份2023年净利润预增长上限233%，网宿科技预增上限231%，暂居前两位。双杰电气、精研科技、爱科赛博、欧陆通等7股2023年净利润预增上限均超过100%，均显示出较为较劲的增长势头。 与此同时，国产超大规模算力液冷集群呼之欲出，液冷服务器将迎加速渗透。 据悉，中国电信已在上海规划建设可支持万亿参数大模型训练的智算中集群心。其中，单池新建国产算力达10000卡，是首个支持单池万卡的国产超大规模算力液冷集群。同时，中国移动、中国联通以及产业链企业也动作频频，促使液冷已成为产业发展大趋势。 民生证券表示，AI产业快速发展，驱动液冷服务器渗透率逐步抬升。以往受限于数据中心建设面积及环保要求，传统风冷难以满足散热需求，需要液冷技术提升服务器使用效率及稳定性。从发展趋势来看，预计到2025年液冷服务器渗透率大约保持在20%-30%的水平。 在散热技术产业链格局方面，陈振贤表示，目前全世界90%以上的散热模组厂都集中在国内，包括热导管、均温板、3D VC散熱模组等等，其中很多是中国台湾地区的上市公司，但工厂基本都分布在大陆，可以说传统的散热模组产业已经比较成熟。 他还称，在高算力芯片的影响下，散热行业从风冷转向水冷的过程中会对原有格局造成一些冲击。这是因为之前大大小小的散热模组厂太多，受到冲击再所难免。 无论如何，液冷技术的已逐渐显露为景气行业。东方财富证券指出，未来几年将进入液冷时代。从散热性能角度来说，AI的大规模发展带动算力需求提升，芯片和服务器功率逐步升级，超出风冷散热能力范畴，液冷将成为智能数据中心的唯一解决方案。 但液冷也有多种业态，浙商证券的研报进一步称，风冷散热已趋于能力天花板，机柜功率超过15kW是风冷能力天花板，液体导热性能是空气的15-25倍，升级液冷需求迫切。同时，散热越来越贴近核心发热源，预计将从房间级、机柜级、服务器级向芯片级演进。

美国半导体行业协会（SIA）3月4日宣布，2024年1月全球半导体行业销售额总计476亿美元，较2023年1月的413亿美元增长15.2%，但较2023年12月的487亿美元环比下降2.1%。 从地区来看， 中国销售额同比增长26.6% ， 美洲地区增长20.3% ，除中国及日本以外的亚太其他地区增长12.8%，但日本（-6.4%）和欧洲（-1.4%）的销售额同比下降。从环比来看，所有市场的月度销售额均下降：除中国及日本以外的亚太其他地区（-1.4%）、美洲（-1.5%）、中国（-2.5%）、欧洲（-2.8%）和日本（-3.9%）。 SIA总裁兼CEO John Neuffer表示：“全球半导体市场在新年伊始表现强劲，全球销售额同比增长幅度达到2022年5月以来的最高水平。市场预计将在今年剩余时间内持续增长，2024年的年销售额预计将比2023年实现两位数增长。” SIA此前预测，人工智能（AI）需求的激增和汽车芯片的稳步增长，将有助于推动今年全球芯片销售的反弹，2024年全球芯片销售额将增长13.1%，达到5953亿美元，而2023年销售额估计下降约8%。 John Neuffer表示，AI是一个超级强大的市场，纵观全局，有很多积极的事情值得关注。 相关阅读： 》SIA预计2024年全球半导体产业销售额增13.1% 业内看好后市

芯片封测龙头长电科技（600584.SH）计划通过收购，拓展公司在存储领域的布局。今日晚间，长电科技公告，将斥资6.24亿美元（当日汇率换算为44.92亿元人民币），收购晟碟半导体（上海）有限公司（以下简称“晟碟半导体”）80%的股权。长电科技表示，这将扩大公司在存储及运算电子领域的市场份额。 根据交易合同的履约安排，此次交易的支付方式为现金支付，资金来源为自筹资金等，不过长电科技将可以分期付款，所有价款将在交割后5年内支付完毕。 据悉，晟碟半导体成立于2006年，位于上海市闵行区，主要从事先进闪存存储产品的封装和测试，产品类型包括iNAND闪存模块、SD、MicroSD存储器等，广泛应用于移动通信、工业与物联网、汽车、智能家居及消费终端等领域。公告中提及，其工厂高度自动化，生产效率高，是一家在质量、运营、可持续发展等方面屡获大奖的“灯塔工厂”。 值得关注的是，出售方母公司Western Digital Corporation （“西部数据”）是全球领先的存储器厂商。根据机构 TrendForce 的调查报告， 2023 年第三季度，西部数据在 NAND 闪存市场占有率达 16.9%，占据全球第二的位置。而西部数据自2003年起便与长电科技建立起了长期合作关系，是长电科技的重要客户之一。 长电科技认为，本次交易完成之后，标的公司将成为公司与西部数据分别持股80%和20%的合资公司，交易将有助于公司与西部数据建立起更紧密的战略合作关系，增强客户黏性。 另外，出售方及其关联方在一段时间内，将持续作为标的公司的主要或者唯一的客户，因此，长电科技称，标的公司的经营业绩将获得一定的保证。公司将间接控制标的公司并对其财务进行并表。这将有助于提升公司的长期盈利能力，并提升股东回报。 此前，受全球半导体市场下行周期所带来的的终端市场疲软和客户订单下降影响，长电科技的收入及净利润均承受下行压力。根据公司2023年度业绩预告，预计2023年归母净利润13.22亿元-16.16亿元，同比下降49.99%-59.08%。 长电科技在业绩预告中亦提出，为积极有效应对市场变化，长电科技在面向高性能、先进封装技术和需求持续增长的汽车电子、工业电子及高性能计算等领域不断投入，为新一轮应用需求增长做好准备。 而根据WSTS（世界半导体贸易统计组织）统计，存储芯片已成为半导体第二大细分市场，占比28%左右，2024年预计存储芯片市场规模将达到1300亿美元。在全球存储市场中，NAND闪存芯片规模约占40%左右，2021年到2027年的复合增长率为8%。 公开资料显示，长电科技在存储领域已有布局，但主要仍集中在面向存储的封测领域。业内人士向记者表示，随着全球存储市场的持续增长和NAND闪存芯片规模的扩大，长电科技有望通过此次收购进一步巩固其在半导体封测领域的地位，并拓展公司在芯片领域的产品范围和市场机会。

由于AI需求强劲，HBM和DDR5的订单有望增加，三星电子和SK海力士加强对高价值DRAM产品的关注，正在考虑增加工厂的半导体晶圆投入量，以加快向10纳米第四代（1a）和第五代（1b）版本的过渡，生产HBM、DDR5和LP-DDR5等高价值产品。 2月23日，SK海力士副总裁KimKi-tae表示，2024年海力士旗下HBM产能已售罄。此前美光在业绩会中也表示得益于生成式AI需求增长，美光2024年的HBM产能预计已全部售罄。天风证券预计，2024年或将是HBM扩产大年，HBM及先进封装材料的需求有望持续增长，产业链机遇值得关注。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 雅克科技 为全球领先前驱体供应商，公司产品应用于AI服务器HBM3中堆叠的8或12个DRAM裸片。 联瑞新材 不断推出多种规格低CUT点Low α微米/亚微米球形硅微粉、球形氧化铝粉等功能性粉体材料。公司配套供应HBM所用球硅和Low α球铝。

英伟达势如破竹的涨势，眼下正吸引着越来越多的股市参与者，并推动标普500指数不断创下新高。而这一幕，不免也会让人联想起另一个昔日的市场宠儿——它曾同样因技术变革的梦想而飙升，而当这些希望变成失望时，坠落的速度却也同样惊人！ 这只股票就是特斯拉。 彼时，这家马斯克旗下电动汽车巨头的市值，远远超过了通用汽车和福特汽车等美国老牌汽车制造商的总和，成为了全球市值最高的汽车制造商，并掀起了美股市场上现象级的买入狂潮。众多分析师甚至将对特斯拉的“寄语”，投向了汽车行业之外，称其有望成为“下一个苹果公司”。 然而如今，特斯拉的股价与2021年的峰值相比下跌了逾50%，其他在昔日与之同步走高的电动汽车新贵，当前也已跌得面目全非。 这一切，或许都值得让那些把英伟达，看作是对人工智能未来无限押注的投资者有所警醒——英伟达股价在2023年上涨逾两倍之后，今年又再度领涨美股，累计上涨了66%。 这并非说眼下的AI浪潮，和在其扮演关键“卖铲人”角色的英伟达股价，就一定是泡沫。但在某些时候，市场的狂热是存在非理性的。 正如50 Park Investments创始人兼首席执行官Adam Sarhan在近期接受采访时所说的，“我们一次又一次地看到，当投资者爱上当下某项技术创新的理念时，逻辑就会退居其次。而当情感占据上风时，人们会认为天空才是极限。” 英伟达与特斯拉 毫无疑问，从公司本身的业务，到管理这两家公司的掌舵人的性格而言，英伟达和特斯拉之间有很多的不同之处。但在金融市场上，两者之间的相似之处也非常明显。 英伟达从一家最初平平无奇的利基芯片制造商，崛起成为全球市值最大的企业之一，其前提是其过去一年惊人的销售增长所具有的持久力。而特斯拉在2020年也曾实现过大爆发，其巅峰时估值一度超过1.2万亿美元，当时人们纷纷坚信电动汽车将迅速得到广泛普及——这家马斯克掌舵的公司将成为主导该市场的巨无霸。 但现实，在很大程度上已打断了这一假设。 电动汽车的需求正在放缓，因为第一批充满热情的消费者已经购买了电动汽车，而那些更多注重价格、厌恶变化的消费者，转换新技术所需的时间也比预期的要长。因此，特斯拉股价从去年7月的近期高点已一路下跌了31%，并成为了今年纳斯达克100指数中跌幅最大的公司之一。 “无人驾驶汽车、Cybertruck当前都具有无穷的潜力，但股价却受到了打击。为什么？它们正在失去市场份额和利润率。”Value Point Capital的负责人Sameer Bhasin表示，“在科技界，这是死亡之吻。” 对英伟达来说，虽然如今股价已经持续上涨了一年多，但现在其实还只能算是处于AI炒作周期的早期，人们还看不到任何放缓的迹象。 这家总部位于硅谷的公司已经连续四个季度交出了亮眼的成绩单，其用于训练大型语言模型的芯片似乎受到了无穷无尽的需求的推动，而这些模型为OpenAI的ChatGPT等AIGC应用提供了动力。 继去年股价上涨两倍多之后，2024年英伟达再次成为了标普500指数中表现最好的成分股——涨幅达66%。英伟达的市值在上月已超过了2万亿美元，在其上方的仅剩下两家美国公司——微软和苹果。这家芯片制造商在2月21日公布了井喷式的第四季度业绩后，在两个交易日内市值就增加了近2800亿美元。同时，英伟达的市值仅用了180个交易日就从1万亿美元上升到2万亿美元，而苹果和微软都花了超过500个交易日才摸到这一里程碑。 在这个过程中，英伟达已经成为日内投资者受欢迎的股票之一。根据FactSet的数据，在对该股票进行评级的59位华尔街分析师中，有多达54位分析师将该股评级定为买入或超配。 这一在市场上如日中天的受欢迎程度，三年前的特斯拉也曾取得过。而眼下的真正悬念无疑在于——英伟达会步特斯拉的后尘吗？ 英伟达的未来命运 事实上，抛开英伟达与特斯拉的相似性不谈，关于人工智能在各行各业广泛应用的讨论，也不免会让人联想起世纪之交互联网泡沫前几年的热闹景象。 但与那个时代不同的是，当时的互联网公司是以“点击量”等新指标来估价的，同时还在不断亏损。但根据业内汇编的数据，英伟达去年的净收入增长了500%以上，达到近300亿美元，预计今年还将翻一番。 这些巨额利润和销售额，加上该公司持续超出预期的能力，其实在一定程度上抑制了估值指标。但即便如此，英伟达的市销率在标普500指数成分股中仍是最高的——达到18倍。 目前，这家半导体制造商在擅长处理AI模型中算力的GPU领域拥有相当大的领先优势。但它的竞争对手也正急于在这一市场上分一杯羹。AMD最近已发布了一系列竞争产品，就连微软等英伟达的客户也在竞相开发芯片。 一些业内人士已经开始担心，未来几年大型科技公司对芯片的需求可能无法保持。其他人则忧虑于其他芯片制造商的加入将产生新的竞争，导致英伟达销量减少或利润率下降。 “我认为人们正在忘记，这(英伟达)在历史上其实也是一家经历过多次兴衰交替的公司，”行业刊物High-Tech Strategist的编辑Fred Hickey表示。 他指出，他正在通过上个月财报会议后买入的长期看跌期权做空英伟达。 根据道琼斯市场的数据显示，自1999年上市以来，英伟达股价有过14次，在不同的情况下下跌50%或以上的经历。最近两次分别是在2018年的两个月里急跌了56%，以及在截至2022年的八个月里再次经历腰斩。 Value Point Capital的负责人Sameer Bhasin表示，“如果你真的相信这股人工智能狂潮，你可能得想象10年后的未来，人工智能将被嵌入到很多地方，而为这些AI系统提供算力的芯片只由英伟达提供——即使只有一点订单暂停的感觉，英伟达的股价也会受到冲击。” 这并不是要直接否定，电动汽车或人工智能的颠覆性力量。但这确实提出了一个问题——投资者当前是否在为可能永远不会到来的未来增长买单？ 以互联网时代的市场宠儿思科系统为例：它仍然是一家成功的公司，但在高峰期买入并持有该股的投资者，24年后仍未“解套”。 Longboard Asset Management首席执行官兼投资组合经理Cole Wilcox表示：“泡沫之所以存在，是因为其背后的逻辑理念是真实的。但仅仅因为宏观浪潮是真实的，并不意味着所有这些企业都会成为好的投资项目。你必须有能力把赢家和输家区分开来。”

发布超预期的财报后，美股AXTInc 三个交易日累计涨幅超过135% 。公司首席执行官MorrisYoung表示，“我们看到AI等领域的 磷化铟订单在增加 。AI是磷化铟的一个新兴应用， 未来几年将会有令人振奋的发展 。目前，AI相关应用主要使用砷化镓VCSEL，所需的基底材料相对较少。但是，随着行业发展到800G和1.6T的速度， 我们预计有必要过渡到磷化铟 。AI推升带宽增加、低衰减和低失真的大规模数据传输需求。我们相信， 铟磷化物作为快速数据传输的最佳平台，需求有望随之增长 。” A股市场方面，致力于磷化铟等半导体新材料与器件研发、生产与应用的 三安光电周五收盘涨停 。 据悉，磷化铟属于第二代III-V族化合物半导体，是 仅次于硅之外最成熟的半导体材料之一 。当下，5G通信、数据中心等产业快速发展，驱动磷化铟下游光模块器件、高端射频器件等需求迅增， 为磷化铟需求扩增提供了支撑 。光大证券分析师王招华等人1月21日报告数据显示，2022-2025年铟在半导体市场（用作磷化铟衬底） 用量的增幅接近50% 。 民生证券分析师邱祖学、李挺10月24日研报指出， 磷化铟系光通信领域关键材料 。20世纪80年代，磷化铟首次被用于晶体管中，20世纪90年代，磷化铟被用于电信用电吸收调制激光器中。因其具有饱和电子漂移速度高、发光损耗低的特点，在光电芯片衬底材料中拥有特殊的优势， 磷化铟开始在光通信市场实现商业化应用，成为光模块半导体激光器和接收器的关键材料 。 根据Yole预测，2019年全球磷化铟衬底市场规模为0.89亿美元，2026年全球磷化铟衬底市场规模为2.02亿美元， 2019-2026年复合增长率为12.42% 。 从市场格局来看， 磷化铟衬底材料市场头部企业集中度很高 ，主要供应商包括日本住友、北京通美、日本JX等。据Yole数据显示，2020年全球前三大厂商占据磷化铟衬底市场90%以上市场份额。 天风证券分析师刘奕町1月28日报告指出，AI算力提升浪潮下，金属材料产业链迎来发展新机遇。其中，在数据传输层面，磷化铟衬底可被广泛应用于制造光模块器件，在5G通信、数据中心等产业迅速发展及 AI算力提升的拉动下，有望蓬勃发展 。 据不完全统计，涉及磷化铟相关业务的上市公司有 三安光电、云南锗业、海特高新、九联科技、跃岭股份 等，具体情况如下：