随着存储涨价潮持续发酵，手机厂商之后，PC和笔电厂商也开始感受到压力。综合多家媒体消息，联想、戴尔、惠普等都计划涨价，涨幅最高达到20%。 其中，联想已开始通知客户即将进行涨价调整。 当前所有的服务器和电脑的报价将于2026年1月1日到期，届时新的报价将会大幅涨价 。 联想表示，一方面，全球供应链压力推高内存成本，连带推动整体硬件价格上涨；另一方面，企业竞相部署AI应用，高性能系统需求激增，进一步加剧供应紧张，推动价格继续走高。因此，联想建议客户尽早下单，以当前价格锁定采购，避免因未来价格调整而增加额外成本。 戴尔同样向客户发出了涨价预警。业内人士表示， 戴尔正考虑对PC和服务器产品涨价，预计涨幅至少15%–20%，涨价最快可能在12月中旬生效 。此前戴尔首席运营官Jeff Clarke曾警告，他“从未见过内存芯片成本涨得这么快”，各产品线的开支都在攀升。 惠普CEO Enrique Lores则警告称， 2026年下半年“可能尤其艰难”，必要时将上调价格。 他指出，内存芯片约占一台PC成本的15%–18%。 据悉，由于内存价格上涨，PC 厂商正面临不断上升的利润压力。 联想、惠普、戴尔、三星电子与LG电子等正重新评估2026年产品规划，包括AI PC与平板电脑。 值得一提的是，几天前美光宣布终止运营消费品牌Crucial，专注于满足来自于数据中心相关客户需求，因为这类客户的利润率明显更高。 TrendForce最新报告指出，内存价格上涨已显著推升消费电子产品的物料成本（BOM），迫使品牌提高零售价格，从而抑制市场需求。受此影响， TrendForce将2026年笔电出货量预测从原先同比增长1.7%下调至同比下降2.4%。 “存储芯片短缺已经从组件级问题升级为宏观经济风险。” 科技咨询公司Greyhound Research CEO Sanchit Vir Gogia警告，AI基础设施建设“正在与无法满足其实际需求的供应链发生碰撞”。许多经济学家和企业高管警告称，长期的存储短缺可能拖累基于AI的生产力增长，并推迟数千亿美元的数字基础设施建设。这也可能在各国努力遏制通胀、应对美国关税的背景下带来新的通胀压力。 华泰证券预计，存储持续涨价会使安卓手机/PC等消费终端产业承压。一方面，安卓手机等产业链出货量或出现同比下滑，同时品牌商竞争格局可能发生变化，手机厂商如苹果、三星受到存储涨价影响或更小，而 部分厂商或需要在硬件利润与市占率间做权衡 ；另一方面，产业链零部件环节利润率或受挤压， 建议关注生产稼动率下降幅度和个别行业是否可能发生价格战。

DRAM颗粒年内涨幅超4倍、Flash价格翻了近3倍……存储芯片正在经历一轮罕见的“超级涨价周期”。 酷赛智能相关负责人向财联社记者透露，以4GB DDR4x为例，颗粒现货市场价格已从年初的最低7美金涨至11月中旬的30美金以上，涨幅达到4至5倍，Flash产品方面，以64GB eMMC为例，价格也从年初的3.2美金上涨至近期的8美金以上。 时创意董事长倪黄忠向记者感叹：“11月初的时候，闪迪再次宣布涨价50%，紧接着三星跟进部分产品，涨价超过60%，这么短的时间这么大的涨幅，是让我很震惊的。” 在现货价格狂飙的同时，全球存储巨头美光科技还于当地时间本周三正式发布公告，宣布将终止旗下消费级品牌Crucial（英睿达）的内存与SSD业务。 美光执行副总裁苏米特・萨达纳（Sumit Sadana）在声明中解释称，数据中心受AI驱动带来的内存与存储需求激增，促使公司做出了退出消费级业务的决定， 以便将资源聚焦于支持高增长领域的大型战略客户。 这一巨头的战略收缩，成为当前存储产业“弃卒保帅”的缩影。 面对上游产能收缩与价格飙升，近期市场传闻下游模组厂及终端厂商开启“疯狂囤货”模式，甚至有声音称手机厂因价格过高而“暂停采购”。 对此，财联社记者多方采访产业链上下游发现，模组厂和渠道商仍在积极囤货，而作为制造业实体的手机等终端厂商，目前库存水位处于历史低位，并非主动囤货，而是面临供应链紧张下的被动补库。 渠道“赌行情”与终端“低库存” 进入12月，存储的供应紧张局面仍未缓解。 有接近国内某头部模组厂人士向财联社记者透露“目前货还是不够，还在囤。” 渠道商方面，财联社记者从多位存储销售商处了解到，近期DDR4内存条、SSD固态硬盘等产品报价频率加快，部分代理商及贸易商手中持有大量DDR4及大容量HDD（机械硬盘）库存，出现“惜售”心态。 在部分商户口中，存储产品甚至成为金融属性极强的投资品，囤货待涨。 然而，与现货市场的热闹喧嚣形成鲜明对比的是，处于产业链下游的终端制造厂商正面临“无米下锅”的尴尬局面。 “现在的智能手机厂商库存普遍偏低。”集邦咨询资深研究副总经理吴雅婷日前接受财联社记者采访时表示，智能手机厂商健康的存储库存水位通常应在8至10周，但目前普遍在4周以下。 吴雅婷指出，造成这一现象的原因，并非厂商主动去库存，而是今年手机厂商对未来需求展望不够强劲，一直采取较为保守的买货策略。厂商未曾预料到第四季度价格涨幅如此之大，导致库存未能及时回补。 针对市场关于“手机厂因涨价太猛而暂停采购”的传闻，吴雅婷向财联社记者分析，这并非厂商的主动博弈手段，而是客观上的无奈。 她认为，在库存水位极低的情况下，厂商即便面对高价也必须接受，否则无法维持生产线运转。“低价库存可能只能用到明年第一季度，之后必须接受新的价格涨幅来补进库存。” 这一说法得到了终端厂商的证实。 酷赛智能相关负责人告诉财联社记者，面对存储成本上涨，公司主要通过提前备货以及与存储厂商签订供货协议、支付定金锁定货源的方式予以保障。但在全行业缺货的背景下，即便签订了长协，价格也会随着市场进行调整，呈现“保量不保价”的状态。 一家国产VR/AR设备制造商市场负责人在接受财联社记者采访时则表示，公司此前虽然有一定备货，目前库存“暂时够用”，但并未如外界传闻般进行疯狂囤货。他坦言，往年囤货量甚至会更多，目前的库存仅能满足一到两代产品的迭代需求。对于涨价带来的成本压力，他表示“涨出来的部分会看情况向下游传导”。 “怎么可能不囤？现在的问题是缺货。”一位供应链人士向财联社记者直言，目前上游原厂产能极其紧张，尤其是DDR4等成熟制程产品，产能被排挤严重。对于下游而言，现在不是“想不想囤”的问题，而是“能不能买到货”的问题。 上述人士透露，目前部分手机品牌厂商虽然签了长协，但实际交付周期和报价都在动态变化。市场所谓的“暂停采购”，更多是因为市场上拿不到货，或者现货价格已经高到无法覆盖成本，导致企业不得不暂时观望。 AI挤占产能 消费电子被迫“减配” 本轮存储涨价的猛烈程度远超行业预期，多位受访者一致认为，AI服务器需求的爆发式增长，是导致消费级存储产能被挤占、价格失控的核心原因。 美光科技在宣布关停Crucial业务的声明中直言，数据中心受AI驱动带来的内存与存储需求激增，促使公司做出这一决定，以便更有效地向高增长领域的大型战略客户提供供应。 这一逻辑在产业端得到了数据支撑。 吴雅婷向财联社记者分析，目前AI服务器（CSP）需求强劲，其所需的HBM（高带宽内存）和DDR5企业级内存，正在大量消耗原厂的晶圆产能。 她进一步解释称，目前所有的存储产品产能都极度紧缺，在晶圆厂总产能短期无法大幅扩充的情况下，原厂为了追求利润最大化，自然会将产能优先分配给高利润的HBM等产品，从而对其他产品造成排挤。 这种产能倾斜直接导致了消费级产品的供给收缩。 集邦咨询资深分析师许家元向财联社记者指出，随着原厂产能转向AI，DDR4、LPDDR4等成熟制程产品的供应量正在收敛。这对仍大量依赖此类存储的中低端手机、PC以及汽车电子市场造成了直接冲击。 酷赛智能相关负责人向财联社记者确认，目前中低端手机主芯片（如部分4G和5G芯片）仍主要支持DDR4x及以下存储，不支持DDR5。在未来3年内，DDR4在中低端市场仍是主流。然而，随着原厂产能的撤出，这类产品的供需矛盾最为尖锐，涨价幅度也最大。 倪黄忠也告诉记者，存储涨价对明年低端手机的冲击将非常严重，购机需求可能会因此流向二手手机。 他进一步表示，目前时创意也在调整产品结构，尽量往具有AI功能的手机等高端产品上做。 为了平衡飙升的存储成本，下游厂商被迫开始“减配”。 酷赛智能方面表示，公司正在调整存储配置，以保障手机核心体验为主要原则。例如，原以12GB+512GB为主流的配置，未来可能会主推更具成本优势的8GB+256GB版本。这意味着，过去几年智能手机存储容量持续翻倍的趋势，可能在明年发生逆转。 除了“减配”，涨价也是不可避免的选项。 “我跟客户说如果要买智能终端产品就赶紧买，未来会涨疯，会突然之间变得很贵，这是存储史诗级涨价导致的。”倪黄忠说。 小米集团总裁卢伟冰此前在业绩电话会上曾公开表示，内存成本的飙升已经到了“提高手机价格无法完全抵消”的地步，预计明年产品零售价格可能会有较大幅度上涨。 联想集团董事长杨元庆近期也表达了类似观点，认为存储相关的零部件短缺和价格上涨将维持至2026年。 对于未来的价格走势，集邦咨询预测，在今年第四季度已经涨价50%的基础上，明年第一季度存储价格预计将再涨20%至30%。 吴雅婷向财联社记者表示，由于原厂2026年的产能扩充空间有限，且AI投资力度不减，业界普遍认为2026年存储市场的整体紧张局势不会有太多缓解。 “现在的买方已经不是过去的消费电子厂商，而是口袋极深的大型云服务商（CSP）。”吴雅婷指出，这一轮涨价周期的驱动力发生了根本变化。在这个“卖方市场”中，消费电子厂商议价能力被大幅削弱，只能被动接受成本上涨。 一位手机ODM厂的市场负责人也向财联社记者坦言，当市场普遍的低价库存消耗殆尽后，全行业将面临更大的调价压力。 值得注意的是，在国际原厂退出消费级市场的空窗期，国产存储厂商正在成为供应链的重要补充。 上述负责人也表示，目前ODM厂商仍以保障供应为核心，国产存储芯片技术与产能正在提升，公司也会积极探索与国产存储芯片的合作。 但从整体供需盘面来看，缺口依然巨大。 随着美光等巨头彻底转身拥抱AI，留给消费电子市场的“余粮”已然不多，对于消费者而言，明年购买手机、电脑等电子产品时，或许要面对“价格更高、容量更小”的现实。

100万个指甲盖大小的“黑盒子”，装入一座容量1吉瓦（10亿瓦）的超大型AI算力中心机柜里，一年可省近3亿度电，约合2.4亿元电费。这是九峰山实验室新发布的科技成果——氮化镓电源模块。团队负责人李思超博士说，该成果目前已完成概念验证，即将开始中试验证，预计3-5年内量产，届时可满足千亿级市场需求。 氮化镓是第三代半导体材料。若把硅基氮化镓芯片装入电源模块中，替代传统电源模块芯片使用的硅材料，可实现用电损耗降低30%，还能使模块体积缩小30%，成本也降至硅的一半。华创证券表示，传统硅基材料已接近工艺极限，高效能需求驱动氮化镓等第三代半导体高速增长。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 海特高新 参股公司华芯科技已建成由国家发改委立项建设的国内首条6吋化合物半导体生产线，芯片制程涵盖砷化镓、氮化镓、碳化硅等第二、三代化合物半导体。 欣锐科技 在第三代宽禁带半导体碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）方向已积累了深厚的开发经验，全面将碳化硅（SiC）模组应用于车载电源产品。

近日，射频滤波器芯片研发商浙江星曜半导体有限公司（下称：“星曜半导体”）完成超亿元C轮融资，本轮投资方为温创投基金、恒远煜基金。 值得一提的是，“温创投基金”全称为“温州市国资创新投资基金”，是温州市政府所属九家市属国企联合发起的市场化基金，是温州市政府三支市级产业高质量发展引导基金之一，目标规模200亿元。 再看星曜半导体，该公司此次融资是其继今年5月完成B+轮融资后，在年内获得的第二笔融资。星曜半导体表示， 本轮所融资金将主要用于深化射频前端产品线的技术研发、扩大生产规模以提升交付能力，并进一步加强市场拓展与生态合作。 ▍专注射频滤波器等芯片研发 布局5G、Wi-Fi 7赛道 公开信息显示，星曜半导体成立于2020年，由国家“海外引才计划”、浙江省“鲲鹏行动”计划专家领衔创办，是一家从事射频滤波器芯片和射频前端模组研发、生产和销售的企业，总部位于浙江省温州市，并在上海、深圳、成都等地设有研发和销售中心。 星曜半导体创始人为高安明，其博士毕业于美国伊利诺伊大学香槟分校电子与计算机工程专业，长期深耕射频滤波器芯片研究，曾任职美国Skyworks公司高级芯片研发专家，主导SAW、FBAR谐振器与滤波器产品研发，相关技术应用于苹果、三星等旗舰机型，2020年归国创办星曜半导体，现担任该公司董事长。其曾主导完成公司10亿元B融资并建成温州首家滤波器晶圆厂，形成“研发—制造—封测”全产业链闭环。 资料显示，星曜半导体现有员工550余人，研发团队规模超过160人，其中核心研发人员具备国内外高校背景且拥有国外头部射频滤波器或射频芯片公司（Qualcomm、Apple、Qorvo、Skyworks、TDK等）多年工作经验。该公司坚持自主研发路线，已经申请专利150余项。 公开信息显示，星曜半导体基于SAW、TC-SAW、BAW技术已量产120余款滤波器产品和30余款模组产品。其中射频滤波器产品覆盖接收滤波器、发射滤波器、双工器、三工器、四工器等全系列滤波器产品，射频模组产品覆盖射频接收模组、射频发射模组、射频PA产品等。 据了解， 星曜半导体的射频滤波器芯片和射频前端模组主要用于消费电子领域， 包括手机、平板、无线耳机、智能家居、基站路由等。其中TF-SAW高端滤波器/双工器/四工器为国内首创，DiFEM、L-DiFEM、L-PAMiF模组产品均为全自研产品，公司产品应用于三星、荣耀、华为、OPPO、vivo等品牌终端。 值得注意的是，今年以来，星曜半导体先后发布了针对5G网络的射频模组芯片和Wi-Fi 7无线通信技术的滤波器芯片。 今年6月，该公司发布主研发的基于Phase8L方案的All-in-one L-PAMiD全集成射频模组芯片STR51230-11。将P7LE LB+MHB L-PAMiD两颗芯片方案整合为单颗模组芯片，缩减了PCBA的占用面积，成本仅为P7LE方案的70%左右。今年11月，星曜半导体发布两款Wi-Fi 7 BAW滤波器，分别为低频SFF525014A1 BAW滤波器芯片、高频SFF566314A1 BAW滤波器芯片。 Counterpoint研究数据显示，2025年全球Wi-Fi芯片市场规模将同比增长12%，其中Wi-Fi 6/6E/7设备占比将达43%，Wi-Fi 7被视为增长核心动力。Wi-Fi联盟和IDC预计，到2028年，Wi-Fi 7设备出货量将达21亿台，超越Wi-Fi 6成为市场主流，市场规模有望达到1200亿美元。 产能方面，星曜半导体四工器、三工器、双工器、模组等核心产品出货量超20亿颗。该公司2024年总投资7.5亿元的5G射频滤波器晶圆产线（温州湾新区）已正式投产， 截至2025年11月已实现月产7000片晶圆，良率稳定在98%以上。此外，该公司于今年5月收购韩国威盛（Wisol）天津封测工厂，封测产能达250kk pcs/月(按照双工器计算)。 ▍曾创下国内射频前端赛道最大单轮融资记录 据星曜半导体介绍，该公司获得了全球排名前五的手机生产厂商华勤技术、龙旗科技、天珑移动的战略投资，并与其建立深度业务合作关系。 在其此前融资中，星曜半导体还获得了国际知名半导体风险投资机构华登国际、安芯投资及央企大唐电信、浙江省产业基金的投资支持。 《科创板日报》记者注意到，工商信息显示，在本轮融资完成前，星曜半导体已历经6轮融资。据统计，除该公司最早的天使轮融资未披露融资金额外，该公司其余融资轮次的融资金额均超亿元，总融资金额约超15亿元。 其中， 2024年7月，星曜半导体完成由中国移动产业链发展基金领投的10亿元B轮融资，创下国内近年来射频前端赛道最大单轮融资纪录。 该公司表示，本次中国移动通过旗下北京中移数字新经济产业基金、上海中移数字转型产业基金共同对公司投资，星曜半导体正式成为中国移动体系重注的首家滤波器企业，也正式成为浙江省、温州市国资平台共同布局支持的滤波器企业。 星曜半导体的上一轮融资为今年5月宣布完成的B+轮过亿元融资，由新微资本与沪硅产业等上市公司合作发起的产业基金投资。该轮融资是继去年中国移动通信链长基金重仓加持后，星曜半导体再次获得的上下游产业方投资支持。 从股权结构方面来看，工商信息显示，星曜半导体前五大股东多为国有资本和产业私募基金，包括温州宁宸科技有限公司、温州科隆开发建设有限公司、广州华芯盛景创业投资中心（有限合伙）、北京中移数字新经济产业基金合伙企业（有限合伙）、上海中移数字转型产业私募基金合伙企业（有限合伙），持股比例分别为22.3863%、13.8416%、9.6461%、9.4872%、6.3248%。

富国银行（Wells Fargo）援引美国半导体行业协会（SIASIA）的最新数据称，10月份全球半导体销售额同比激增33%，总额达713亿美元。 其中，全球DRAM（动态随机存取存储器）的销售额同比飙升90%，达到128.2亿美元，是此次增长的最大驱动力。 DRAM主要生产商包括美光科技、三星电子和SK海力士。另外，NAND闪存销售额同比增长13%，总额为51.3亿美元。 以Aaron Rakers为首的富国银行分析师在一份行业报告中表示：“我们注意到，SIA对9月NAND闪存出货量的预估进行了大幅修正——这可能意味着每GB价格会下降。鉴于当前的市场动态，我们认为这一判断值得商榷。” 其他数据还显示： 10月微处理器（MPU）销售额达59.8亿美元，同比增长16%。然而，尽管销售额有所增长，但MPU的总出货量同比下降了4%； 模拟芯片表现更为强劲，销售额同比增长18%至79.3亿美元，出货量同比增长11%； 微控制器（MCU）销售额同比增长18%，达到18.8亿美元，出货量同比增长21%; MOSFET功率器件销售额同比增长19%，达到10.2亿美元。 而这些数据背后的最大助推力则是：人工智能（AI）推动需求激增，但产能却跟不上。 分析人士指出，当前大量行业产能正转向用于AI加速器的高带宽内存（HBM），导致用于标准DRAM和3D NAND的晶圆产出减少。由于建设新产能需要数年时间，在2027年底或2028年前不太可能出现实质性缓解。 需要知道的是，DRAM是目前全球应用最广泛的易失性半导体存储芯片。作为电子设备的核心运行内存，DRAM能实现数据随机高速存取，广泛应用于服务器、手机、PC等各类需要高速数据处理的场景。 而HBM是一种基于3D堆叠技术的高性能DRAM，是人工智能应用的核心部件，随着AI产业爆发，其需求也迅猛增长。 在此背景下，存储芯片制造商美光科技日前甚至宣布关闭零售渠道业务，而现有的库存将销售到本财年第二季度（2026年2月）末。该公司将专注于AI时代的先进存储芯片竞争。 美光科技执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示：“数据中心AI驱动的增长导致对内存和存储的需求激增。我们做出了退出英睿达消费业务的艰难决定，以便为增长更快的领域的大型战略客户改善供应和支持。”

随着AI繁荣带来的高景气度被持续验证，今日港股半导体板块再度集体走高。 截至发稿，英诺赛科(02577.HK)、宏观半导体(01347.HK)均涨超4%，中芯国际(00981.HK)等多家公司跟涨幅度也在2%以上。 消息面上，世界半导体贸易统计组织(WSTS)发布了2025年秋季展望，将对2025全球半导体市场规模的估计上调约450亿美元至7720亿美元，同比增幅扩大至22%。该机构进一步预测，2026年的半导体市场规模将来到9750亿美元，实现25+%同比增长，逼近1万亿美元大关。 国金证券指出，当前全球半导体步入强劲复苏周期，设备市场维持高景气，产业整体已结束去库。随着行业供需关系改善，在AI算力与先进制程扩产的驱动下。国内作为全球最大单一市场，国产化加速及结构性扩产持续，有望迎来确定性改善。 更为值得关注的是，据中国贸易报，12月3日，中国贸促会会长任鸿斌率中国企业家代表团出席美国半导体行业协会及会员企业座谈会，与美国半导体行业协会总裁兼首席执行官诺伊弗就推动中美半导体领域合作、深化多边领域合作、维护全球产业链供应链稳定畅通等议题深入交流。 其中，包括高通公司、格芯公司、安森美半导体公司、诺基亚公司、新思科技公司、艾默生公司等多家全球半导体产业链的知名公司均参加了座谈。 上述消息不仅对全球半导体供应链稳定有着积极意义，在由AI需求驱动的周期上行阶段，也或引发市场对更多潜在合作的预期。 尤其是，近期谷歌、亚马逊等海外科技巨头纷纷推出自研AI芯片，有望成为打破英伟达在业内垄断地位的突破口，也为半导体行业注入了新看点。 此前，大摩亚洲半导体团队将谷歌2027年TPU产量预测从原先的约300万块上调至500万块，上调幅度达67%。亚马逊云部门本周公布的最新人工智能芯片Trainium3也是直指英伟达核心GPU产品，据称能够以更低成本、更高效率为人工智能模型背后的密集计算提供算力支持。 综合来看，由AI支撑的半导体长期发展逻辑并未改变，在全球AI需求爆炸式增长、先进技术以及国内自主可控加速的多重驱动下，板块热度也或持续提升。

12月4日，拓荆科技举行2025年第三季度业绩说明会。 在后摩尔时代半导体技术迭代加速、存储市场行情回暖的双重催化下，拓荆科技三季度业绩保持高速增长，且目前在手订单饱满。 拓荆科技董事长吕光泉于会上就存储涨价对公司的影响及半导体设备技术演进趋势向《科创板日报》记者分享看法。 财报显示，拓荆科技今年第三季度实现营收22.66亿元，同比增长124.15%；归母净利润4.62亿元，同比增长225.07%。“公司营收高增长原因主要是公司面向先进制程领域推出的新产品、新工艺设备已进入规模化量产阶段，净利润高增长原因主要是公司营收规模持续扩大，期间费用率下降，规模效应显现。”吕光泉在业绩会上表示。 截至今年第三季度末，拓荆科技多款基于新型设备平台（PF-300TPlus和PF-300M）和新型反应腔（pX和Supra-D）的多款先进制程的验证机台顺利通过客户认证，进入规模化量产阶段。包括PECVD Stack（ONO叠层）、ACHM以及PECVD Bianca、ALD SiCO等。 对于半导体设备推陈出新的速率进一步加快这一现象，吕光泉在业绩会上表示，半导体芯片制程和技术迭代速度持续加快，行业已逐步迈入后摩尔时代，半导体领域的新结构、新材料不断涌现。 在制程层面， 随着尖端芯片技术节点逐步逼近摩尔定律极限的大背景下，全环绕栅极（GAA）、背面供电等核心技术应运而生，高K（High-K）金属栅等特殊材料的应用愈发重要。 在结构层面，数据量爆发式增长快速驱动高带宽存储器（HBM）向三维集成等方向演进，3D NAND FlASH芯片堆叠层数不断提高， 这些技术发展趋势将同时拉动下游客户对半导体设备的技术和需求量的提升，公司将持续在薄膜沉积设备和三维集成设备的领域深耕。 ” 据公开报道，今年四季度以来，存储现货行情整体维持强势上涨的态势，新的需求不断接受新的报价，为存储厂商提供了更强的涨价信心，进而推动相关成品价格不断突破前高。 对此，吕光泉认为， 存储价格上升反映出存储芯片市场仍有较大的需求量，从中长期来看，这可能拉动存储芯片制造厂持续扩大产能。 随着存储芯片制程的推进及结构趋于复杂化，对先进硬掩模和关键介质薄膜的性能要求越来越高，同时，驱动了高带宽存储器（HBM）向三维集成等方向演进，3D NAND FlASH芯片堆叠层数不断提高，这些技术发展趋势都将大幅拉动薄膜设备的需求量。 从订单情况和市场推广方面来看，吕光泉在业绩会上向《科创板日报》记者表示， 拓荆科技目前PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备系列产品及先进键合系列产品在存储芯片制造领域已实现产业化应用，目前在手订单饱满，如果后续下游客户进一步扩产，预计将持续拉动对该等产品的需求量。 吕光泉进一步表示， 在键合设备方面，公司晶圆对晶圆混合键合设备获得重复订单， 研发的新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发货至客户端验证，芯片对晶圆混合键合设备验证进展顺利，此外，公司已开发完成永久键合后晶圆激光剥离产品。 产能方面， “公司目前主要在沈阳、上海临港设有产业化基地， 总体可以支撑超过700台套/年产能 ，公司正在建设沈阳二厂，将进一步扩大未来公司产能支撑能力。”吕光泉如是说。

12月4日,龙磁科技股价出现下跌，截至4日收盘，龙磁科技跌1.72%，报59.46元/股。 消息面上，龙磁科技公告的投资者关系管理信息20251203显示： 1.芯片电感业务开展情况 龙磁科技回应：公司依托长期以来对于基础材料、技术平台的研发，围绕芯片电感产品高功率密度、高频化、集成化及定制化需求储备了大量的研发成果。芯片电感是AI服务器、数据中心、智能驾驶等大算力场景的核心供电元件，下游需求旺盛。作为重要的产品战略方向，今年以来，公司集中资源在芯片电感产品研发和客户拓展方面进行攻关，新产品开发能力得到客户认可，目前有多款产品在客户端测试验证。预计明年一季度部分产品将逐步开始批量交付，芯片电感的放量节奏取决于下游客户项目的生命周期和迭代进程，随着市场需求的增长以及公司产品的不断优化，预计明年将陆续有更多新项目落地并实现产品交付。我们将积极配合客户的开发需求，不断优化产品性能和服务质量，全力推进项目进度并寻求更多的合作机会。 2.TLVR电感的认证情况 龙磁科技回应：TLVR电感是一种专为低电压、大电流环境设计的高性能磁性元件。传统多相电路需大量电容抑制纹波，而TLVR通过优化瞬态性能可减少电容数量，降低系统成本和体积，未来在AI算力、新能源汽车等领域将迎来更广泛应用。主流半导体厂商都加大了搭载TLVR电感的电源模块开发力度，提出了更多TLVR电感的开发需求。公司多款TLVR电感已通过客户的性能测试，有部分TLVR电感产品已收到客户的小批量订单。 3.公司磁材业务的毛利率水平及趋势展望 龙磁科技回应：公司磁性材料产品毛利率处于行业内较好水平，主要原因：（1）技术优势：公司具有多年磁性材料技术积累，不断推动技术进步，在模具制造、液压成型、原料制备等关键环节位于行业领先水平，生产效率及成品率处于行业前列。（2）成本控制：主要生产基地位于安徽及越南等地，劳动力与能源成本优势显著；（3）市场策略与客户结构：聚焦高端客户，服务Bosch、Brose、Valeo、Nidec等全球头部客户，订单规模效应突出。未来公司将持续通过产品结构优化（拓展新兴领域）、成本控制（规模化生产与技术升级）及客户升级（绑定高端客户），保持毛利率稳定或持续提升。 4.永磁产能、海外布局情况及业绩展望 龙磁科技回应： 公司当前的目标是继续打造6万吨永磁铁氧体产能，除新建产能外，我们正积极推进产能布局整合、现有产能挖潜和效率提升， 力求以低成本扩张方式增加产能。自2016年开始建设海外第一条生产线以来，海外生产基地平稳运行，运营成果显著，成为公司重要的业绩增长点。公司将进一步强化“高端制造+全球化供应”双轮驱动模式，计划在现有基础上再新增1万吨永磁产品产能并实现原料本地化供应。待越南基地扩产完成后，公司海内外永磁总产能将达到6万吨，并进一步整合供应链，释放规模效应和成本优势。 5.铁氧体永磁材料的技术进展和下游拓展情况 龙磁科技回应：公司在永磁材料研发、工艺创新、智能制造及产业化应用方面持续进步，推动产业向价值链高端升级。铁氧体永磁材料具有成本优势显著，高频性能优异，化学稳定性与耐腐蚀性好，宽温域性能可靠等优势，在汽车、工业、电子等领域占据重要地位。凭借其不可替代的成本与性能优势，持续在高端制造和绿色能源领域开发出新的应用场景，例如在新能源汽车的驱动电机方面，低端车型已有铁氧体磁材应用，公司也与海外客户合作开发了用于机械叉车驱动电机的磁材。公司将聚焦高性价比市场渗透与技术迭代升级，重点布局新能源汽车、工业电机、绿色能源等增量领域，同时通过技术、工艺创新突破性能瓶颈，把握全球供应链重构机遇。 有投资者在投资者互动平台提问：请问公司电源产品在算力基础设施配套方面优势怎么样？龙磁科技11月25日在投资者互动平台表示，从送样及交付结果来看，公司产品在材料特性（如磁芯高频损耗控制）、环境适应性（宽温域循环）、电磁兼容性（EMC/EMI）等验证环节表现突出。公司将继续聚焦算力场景需求，进一步提升磁性元件的效率与功率密度，为算力基础设施的升级提供更强劲的支撑。 有投资者在投资者互动平台提问：铁氧体掺杂重稀土可以提升磁材性能，作为稀土永磁的中高端替代，应该会有很大市场机会，公司是否在开发相关产品？龙磁科技11月5日在投资者互动平台表示， 目前公司永磁铁氧体产品有少量添加轻稀土镧，未掺杂重稀土。公司将加大新能源汽车驱动电机、工业伺服电机等高端应用场景的研发力度，不断提高产品的性能水平，提升中高端市场份额。 龙磁科技11月25日在互动平台回答投资者提问时表示，公司软磁及电感产品凭借高效的开发能力与强劲的技术实力陆续获得客户认可。未来将持续推动深化合作，有效促进订单转化落地。 龙磁科技10月29日公告的公司回答调研者提问时表示，公司继续加大越南永磁基地投入，拟在现有基础上新增1万吨永磁产能。永磁海外产能相对稀缺，供应趋紧，多个客户要求提升越南基地份额，越南基地产品呈供不应求态势。越南基地将继续成为公司业绩增长的重要支撑点。 龙磁科技发布2025年三季报显示，公司第三季度营业收入3.46亿元，同比增长21.30%；净利润4806.18万元，同比增长38.33%。2025年前三季度营业收入9.37亿元，同比增长11.43%；净利润1.33亿元，同比增长34.10%。 对于报告期公司主营业务、产品及用途，龙磁科技在其半年报中介绍介绍： 公司专注于高性能磁性材料与电子元件的研发、生产和销售，已构建 “永磁+软磁+电感”三大核心业务协同发展的产业格局。 永磁铁氧体磁瓦是永磁微特电机核心部件，主要应用于汽车、变频家电、电动工具等各类电机。作为永磁材料的专业制造商 ，我们与全球头部电机厂商共同推进 高能效磁性元器件 的研发。目前在安徽庐江、金寨和越南胡志明共形成了 5 万吨永磁产能，技术水平处于行业前列，客户大多为全球知名汽车电机制造商。 软磁材料与磁芯主要应用于光伏储能（逆变器、功率模块）、新能源汽车及充电桩（车载OBC、DC-DC转换器）、消费类电子等领域。 公司在安徽金寨、泰国大城府布局了超 2 万吨软磁粉芯产能，在依托永磁材料技术的基础上，引进了高水平软磁技术及管理团队，软磁产品已进入头部车企供应链。 公司重点开发车载电感与芯片电感等高端一体成型电感产品。 车载一体电感主要用于汽车LED 车灯驱动、多媒体影音系统、ADAS、导航与通讯等模块。芯片电感广泛应用于各类集成电路中，起到为 GPU、CPU、ASIC、FPGA等半导体芯片前端供电的作用。公司已完成芯片电感高端市场、高端产品的重大突破，中标知名国际半导体客户新项目，其他客户的认证和导入也已初见成效。 提及原材料价格波动风险，龙磁科技在其半年报中表示：原材料价格的大幅波动，可能会对公司的销售和利润产生不利影响。公司将充分发挥规模优势及集采优势，最大程度对冲采购成本上升的影响，同时根据成本波动程度适时调整产品销售价格，强化对采购、计划、生产、库存、交付进行全过程控制，加强精益生产和标准量化管理，做好制造成本控制，采用组合手段积极应对原材料价格波动风险。 国金证券5月6日研报曾指出：家电、燃油车、消费电子等领域处于存量竞争态势，但新能源汽车、光伏、AI 服务器、人型机器人等领域的磁材应用持续保持了增长态 势，行业协会预计未来几年永磁铁氧体、软磁铁氧体出货量将分别保持年约 3%和 8%的增长。

在近几个月内存条疯狂涨价的背景下， 存储芯片制造商美光科技突然宣布关闭零售渠道业务，专注于AI时代的先进存储芯片竞争。 在周三发布的公告中，美光宣布退出Crucial（国内译为英睿达）消费业务，现有的库存将销售到本财年第二季度（2026年2月）末。公司将继续向全球商业渠道客户供应美光品牌的企业产品，同时现有产品的保修不受影响。 （来源：公司官网） 对于这一决定，美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana表示：“ 由AI驱动的数据中心增长，带来了对内存和存储的强劲需求。美光已经做出了一个艰难的决定，即退出Crucial消费级业务，以便在增长更快的板块，更好地为我们规模更大的战略性客户提供供应和支持。 ” 美光退出消费市场的时机，恰逢存储产品价格翻倍上涨之际，进一步印证企业用户加价抢购存储芯片的势头有多么凶猛。 京东价格数据显示， 英睿达经典款16GB DDR5台式机内存条今年9月售价为329元，目前已经涨到999元 。同规格的三星内存条也从500多元涨至近1300元。 退出消费市场后，美光将把更多资源用于HBM赛道，世界三大存储巨头美光、三星和SK海力士正在这一领域激烈厮杀。HBM芯片是人工智能数据中心不可或缺的重要组成部分，售价也比消费级内存更加昂贵，利润率也更可观。 在9月电话会议上，美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，上一财季美光的HBM产品收入增长至近20亿美元，相当于年化80亿美元的收入。