三星电子内部围绕薪酬分配的争议以一纸法院裁定暂告一段落，但这场旷日持久的劳资博弈所揭示的分配鸿沟，仍在这家全球最大存储芯片制造商内部持续发酵。 5月26日，据韩联社报道， 韩国水原地方法院周三驳回了三星电子DX（数字体验）部门员工提出的禁令申请 ，为针对约40万亿韩元（约266亿美元）半导体部门奖金方案的投票扫清了法律障碍。 与此同时，截至周一晚间，87%的有资格投票成员已完成投票，最终结果预计于周三出炉，分析人士普遍预期该协议将获通过。这一结果意味着， 三星半导体（DS）部门约7.8万名员工有望按计划分享这笔巨额奖金——据彭博基于协议条款及2026年营业利润预测的估算，每名员工平均可获约5.13亿韩元（约34万美元）。 相比之下，DX部门员工的奖金预计仅为600万韩元，两者差距超过80倍。三星员工2025年平均薪酬为1.58亿韩元。 谈判程序未有根本性缺陷 据韩联社报道，水原地方法院第31民事庭（主审法官Shin Woo-jeong）于26日就此案作出裁定， 驳回了由五名三星DX部门工会成员组成的"三星电子员工权益恢复法律应对联盟"提出的"暂停2026年薪资及集体谈判"禁令申请。 法院在驳回理由中表示，"无法认定谈判方案本身在内容上存在重大缺陷"，并指出最大工会在准备谈判方案时进行了调查，"从其过程来看，难以认定未遵循确认附属工会成员意志的程序"。 法院还补充称，鉴于初步协议已经达成，"亦有理由认为集体谈判已告结束"。 DX部门员工此前对最大工会的决策程序提出质疑，认为该工会在未经全体大会决议的情况下，径以去年11月7日至13日为期一周的"Naver表单调查"结果替代谈判诉求，直接违反了工会章程。 薪酬裂痕：芯片部门利润主导地位引发内部张力 此次纷争的根源，在于三星内部不同业务部门之间日益扩大的薪酬差距。 三星半导体业务是全球人工智能基础设施建设热潮的核心受益者，其生产的存储芯片被广泛应用于智能手机、电动汽车及驱动ChatGPT、Claude等服务的AI数据中心服务器。 随着三星有望在今年底跻身全球最盈利企业之列，芯片部门对整体利润的压倒性贡献，使得薪酬分配向DS部门倾斜具有一定的商业逻辑支撑。 DX部门负责管理智能手机、家用电器及电视等消费电子终端产品，其员工认为自身利益在集体谈判中遭到忽视。 三星电子共有三个工会，最小工会的成员主要来自DX部门。 此前，最小工会曾与另外两个工会共同组建集体谈判委员会，与管理层协商。但此后以DX员工利益未获充分体现为由，宣布退出联合谈判架构。最大工会随即宣布，最小工会成员不再享有此次协议的投票权。 尽管法院驳回了禁令申请，DX部门工会的动员效应仍不容忽视。 最小工会成员人数已从初步协议达成前的约3,000人，急速攀升至周二上午的近13000人，涨幅逾三倍。 此次劳资对立折射出三星在高速扩张周期中面临的内部治理挑战：如何在利润高度集中于单一部门的商业模式下，维系企业内部的薪酬公平感与员工凝聚力。 协议一旦正式通过，三星管理层将面临来自非芯片部门的持续压力，如何平衡不同业务条线的激励机制，或将成为下一轮谈判的核心议题。

芯片市场的江湖，可能又要一夜变天了。 2026年5月25日，华为半导体业务部总裁何庭波抛出新概念“韬（τ)定律”，一时激起千层。当摩尔定律走向极限，华为似乎摸索到了“曲线救国”的方案。 过去60年，全球半导体产业都在摩尔定律的指引下卷制程，晶体管越来越小，性能越来越强，成本越来越低。它推动了PC、智能手机和互联网，更重要的是，它给整个产业建立了一种稳定的预期。芯片公司知道下一代性能会提升多少，设备厂商知道下一代工艺会往哪里走。 某种意义上，摩尔定律更像半导体世界里的“时间秩序”。但过去几年，这套秩序开始出现裂缝。7nm之后，先进制程的推进速度明显放缓。EUV光刻机价格不断上涨，掩膜成本越来越高，设计复杂度开始指数级膨胀。 一颗2nm芯片的设计预算已经突破10亿美元，先进节点的单位晶体管成本甚至开始反向上涨。行业默认的“更先进制程意味着更低成本”，在逐渐失效。 华为的解法是换一个赛道。何庭波说，以前大家拼的是“路修得多窄“——让车道一缩再缩，挤进更多车。但当车道窄到和车身一样宽，车就开始“漏“出去了。 韬定律不再卷车道宽度，而是去卷“信号跑得有多快、多顺“。新的定律是把平房改建成摩天大楼，原本要横穿几公里的信号，现在坐电梯就到了。华为给这套垂直堆叠的核心技术取了个名字，叫“逻辑折叠“。 业内好奇，一个新的颠覆故事讲出来，一旦被产业接受谁会重新洗牌、谁又会站上风口？ “配角”步入聚光灯下 过去三十年，半导体产业的利润分配，是条清晰的食物链：谁掌握最先进制程的光刻机和晶圆厂，谁就拿走最厚那一块蛋糕。 台积电拿走最厚的一片利润，ASML凭一台EUV光刻机拿捏全球，三星和英特尔在追赶的路上烧掉天文数字。封装、互联、衬底材料、EDA这些环节，长期被视作“配套“，估值和话语权都低一个档次。 韬定律的潜台词是，这个排序要改了。如果性能不再单纯取决于几纳米的制程，而是取决于信号在芯片内部跑得多顺、堆叠多紧、互联多快，那决定一颗芯片性能的，就从光刻机的精度，迁移到了怎么把芯片叠起来。如此一来，封装环节的价值有可能就将被重估。 最直接受益的是先进封装。 台积电的CoWoS、SoIC，三星的X-Cube，英特尔的Foveros，这些原本被归类为“封装技术”的能力，正快速接近制程本身的战略地位。台积电CoWoS产能从2024年到2026年持续扩张仍供不应求，把英伟达逼到要绑定多家封装厂，这就是产业用脚投票的信号。 国内一侧，原本在全球封测产业链里只能赚加工费的厂商，也能摸到高附加值环节。Chiplet（小芯片)和2.5D/3D堆叠的需求一旦放量，封装企业的资本开支和盈利模型可能要整体上修。 紧跟着站上C位的是互联和带宽。何庭波反复提到“灵衢总线“和光互联，核心其实是芯片内部和芯片之间的“高速公路网”。 当算力堆叠到一定程度，数据搬运的延迟和能耗就成了瓶颈——AI大模型训练里超过一半的能耗其实花在了数据搬运上，而不是计算本身。 这就是为什么HBM高带宽内存这两年成了SK海力士、三星、美光的印钞机；为什么英伟达的NVLink、NVSwitch比单卡算力本身还重要。 在韬定律的指引下，未来芯片的竞争力，至少一半在“路“，而不只是“车“。 材料端则更深一层。何庭波在论文里提到“在材料学上有突破，换介电系数更好的材料，那么就有提升空间”。 换而言之，低介电常数介质、二维半导体、钴、钌甚至石墨烯等新型互连金属，这些在传统摩尔定律下属于”边缘创新”的方向会被重新估值。 国内做光刻胶、湿电子化学品、靶材的厂商，如果能在低κ介质或新型互连材料上突破，从跟跑替代切换到与全球同步研发的赛道。 卸下包袱的机会 但这一切都建立在一个前提上，韬定律真的能走向“普适的经济学”。 摩尔定律的影响力，在于过去60年里始终伴随着经济上的可扩展性——单位晶体管的成本一直在下降。韬定律目前还没有经过这一关的全面检验。 并非所有产业链企业都对这套叙事买单。 一位半导体上游设备相关负责人指出：“目前该理论短期内产业影响有限，但若后续技术路径推进至1纳米以下制程，行业将迎来挑战。” 在他看来，华为这套技术方案，是在顶尖光刻机缺位的前提下，依托架构、算法等软性技术实现性能等效对标，但该模式无法替代硬件层面的技术攻坚。 一个核心问题也顺势浮出水面，三维堆叠和逻辑折叠在工程上能跑通，但当大规模量产数百万、数千万片芯片，τ缩微的经济账能不能算得过来？这都是产业化必须要回答的问题。 何庭波自己也清楚这一点，她直言“未来十年技术发展框架已然清晰，仍存在诸多待解难题，仅凭单一企业无法攻克。工具链、行业标准、性能基准、器件物理、商业模型等领域，都需要全行业协同。” 华为表态愿意开放韬定律核心技术框架、逻辑折叠IP和灵衢总线协议，呼吁组建韬定律产业联盟。 换而言之，如果国内的封装厂、材料厂、EDA厂、互连厂、晶圆厂愿意一起押注这条路径，那么韬定律就有机会从“华为的技术叙事”变成中国半导体产业的生态级机会。 但何庭波给资本市场留下了一句判断：下一笔投资应跟随τ而非节点，产品竞争力不再完全依赖顶尖光刻工艺，芯片封装、内存带宽、互联架构的战略地位，已比肩昔日先进逻辑制程。 对投资者而言，这意味着估值框架的迁移，过去给晶圆代工厂打高估值的逻辑，未来可能要分一部分给封装厂、互连厂、材料厂。 某种意义上，韬定律不是来杀死摩尔的，它更像是给一个走到瓶颈的产业递上的第二把标尺。 至于这把新尺子最终会成为半导体史上的第二根支柱，还是会被证伪只是一次微观物理受限下的体面表达，可能要等2026年秋天那颗采用逻辑折叠技术的麒麟芯片真正上市，市场用销量和性能给出答案。 游戏规则在变，牌桌上的座次也会跟着变。一个后摩尔时代的新故事，才刚刚开始。

华为提出“韬（τ）定律”后，半导体投资叙事正从单纯追逐几何制程微缩，转向“时间缩放”和系统级协同优化。国盛证券、华泰证券和中信证券的最新观点共同指向一个判断， 先进制程、先进封装、设备、EDA、CPO以及成熟制程，可能同时进入更高景气度的观察窗口。 据人民日报报道，华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波于2026年5月25日在IEEE ISCAS 2026上发表“半导体新路径探索与实践”主旨演讲，提出指导半导体产业发展的新原则——韬（τ）定律。该定律的核心，是通过晶体管、电路、芯片和系统四个层面的优化，持续降低时间常数τ。 三家券商均认为，这一路线的关键不在于替代所有先进制程，而是在摩尔定律放缓、几何微缩成本上升的背景下，为芯片性能提升提供另一条路径。华泰证券将其理解为系统技术协同优化，STCO，方法论的演进；中信证券强调其以系统拓扑结构优化弥补短期制程节点差距；国盛证券则更强调其对中国半导体产业周期和国产替代的带动。 对市场而言，直接影响可能首先体现在两条主线：一是先进封装、3D集成、设备和EDA等技术复杂度提升带来的增量需求；二是AI服务器拉动电源管理、模拟、网通等配套芯片需求，同时海外部分成熟产能收缩，推动成熟制程供需趋紧。券商的共识是， 半导体行情的关注点正在从单一先进节点，扩展到“先进制程与成熟制程共振”。 共识：从“几何微缩”转向“时间缩放” 三家券商对“韬定律”的理解有一个共同起点，传统摩尔定律依赖的几何微缩正在面临成本和物理约束。 国盛证券指出，随着制程逼近原子级，晶体管缩小难度陡增，工艺成本指数级上升，几何缩微红利逐渐消退。而AI、高性能计算等领域对算力需求快速增长，传统工艺难以完全匹配产业需求。 中信证券的表述更偏底层逻辑。其认为，器件微缩的本质是缩短信号传输路径，根本目标是缩短系统时间。因此，华为提出以时间常数τ为衡量指标，在晶体管、电路、芯片、系统四个维度降低延迟。 华泰证券则把“韬定律”放在全球半导体技术演进中理解。其认为，该定律本质是STCO方法论的进一步演进， 即通过器件、电路、芯片和系统协同设计，让系统全局性能最优。 这与全球主流芯片企业在系统级协同设计上的探索方向一致。 分歧：国盛看周期，华泰看协同，中信看工艺 三家券商的侧重点并不相同。 国盛证券最强调产业周期。其认为，“韬定律”的发布有望加速国内先进制程与先进封装产业技术发展，并与成熟制程供需反转形成共振。国盛维持半导体行业“增持”评级，看好国产制造端和设备端受益于技术突破与产能扩张。 华泰证券更强调技术路线的边界。其认为， “韬定律”与GAA、背面供电BS-PDN、先进封装、CPO等全球主流趋势高度契合 ，但与ASML推动的High-NA EUV并非互相替代关系，而是从不同维度提升半导体性能。换言之，华泰并未将其理解为对先进光刻路线的简单替代，而是视为系统级优化的补充和延伸。 中信证券则给出了最细的工艺拆解。其将“韬定律”分为四层：晶体管层面关注迁移率增强、应变工程、高κ金属栅和GAA架构；电路层面关注低电阻导体、低κ介电质、垂直集成和逻辑折叠；芯片层面关注3D堆叠和HBM；系统层面关注灵衢总线Unified Bus、近封装光引擎Hi-ONE以及互连架构设计。 技术主线：逻辑折叠把先进封装推到前台 “逻辑折叠”是三篇观点中反复出现的关键词。 国盛证券称，华为提出“逻辑折叠”等核心技术，构建贯穿器件、电路、芯片到系统层面的多层级协同优化体系，通过压缩信号传播时延，在不依赖极致物理制程的前提下提升晶体管密度与系统性能。国盛还称，华为在过去六年基于韬（τ）定律设计并量产381款芯片，覆盖多行业需求。 中信证券进一步指出，华为将在2026年秋季推出采用逻辑折叠工艺的移动SoC芯片，在固定工艺节点上实现55%的等效晶体管密度提升和41%的能效提升。其认为，实现三维空间拓扑重组，需要依靠混合键合和TSV工艺。 华泰证券也认为，逻辑折叠和3D堆叠将显著推升工艺复杂度，推动行业技术重心向“超越摩尔”框架迁移。这 意味着，先进封装不再只是后道环节的补充，而可能成为性能提升的重要来源。 产业链影响：代工、设备、EDA、CPO成为主要受益方向 从投资映射看，三家券商均将本土代工龙头放在较高优先级。 华泰证券建议关注中芯国际、华虹半导体等本土代工龙头，认为其基于DUV的先进工艺产线，有望在华为向等效1.4nm演进过程中发挥作用。 国盛证券列出的受益方向更宽，包括半导体制造、前道设备、后道设备、材料和封测。其相关标的包括中芯国际、华虹公司、晶合集成、芯联集成；前道设备中的中微公司、北方华创、拓荆科技、华海清科、中科飞测；封测中的盛合晶微、长电科技、通富微电、晶方科技、甬矽电子等。 华泰证券还提到，工艺复杂度提升可能拉动先进封装板块，催化刻蚀、薄膜、键合、CMP等设备需求，并带动EDA环节的3DIC全流程工具放量。其提及的方向包括华大九天、概伦电子、芯原股份，以及CPO等高带宽光互联技术。 成熟制程：AI电源需求与产能收缩形成第二条主线 国盛证券的一个重要判断是，成熟制程也可能进入供需反转。 其指出，新一代AI服务器单柜功率从普通服务器的3至5kW上升至15至20kW，核心芯片功耗突破1400W，所需电源管理芯片数量是普通服务器的数倍。据TrendForce，AI服务器对电源密度需求远高于通用型服务器，8英寸晶圆BCD制程因此大幅偏向AI PMIC。 供给端也在收缩。国盛称，台积电自2025年起逐步削减8英寸产能，计划2027年实现部分厂区全面停产，将资源集中投向先进制程及高阶封装；三星晶圆代工则在2025年下半年启动8英寸产线收缩，将产能和资本开支向12英寸先进制程倾斜。 华泰证券在对中芯国际和华虹半导体的观点中也强调， AI需求正在推动电源管理、模拟、网通等配套芯片需求增长，部分海外代工企业转产导致成熟工艺代工产能收缩，两者叠加可能推动代工服务ASP进入结构性上行周期。 投资者需要区分三条时间线 综合三家观点，投资者需要区分短期、中期和长期逻辑。 短期看，市场可能首先交易政策和技术叙事，以及成熟制程供需趋紧带来的代工和封测链条重估。 中期看，逻辑折叠、混合键合、TSV、3D堆叠、CPO等技术若进入更大规模应用，设备、材料、先进封装和EDA环节的订单弹性更值得跟踪。 长期看，关键仍在技术兑现。国盛证券提到，基于韬（τ）定律的高端芯片晶体管密度预计到2031年达到1.4纳米制程同等水平；华泰证券则表述为，华为目标在无EUV情况下到2031年芯片效能达到等效1.4nm。中信证券还提到，在AI系统上，相关封装拓扑重组技术预计到2035年可较2026年实现超过100倍的硬件集成度增长。

英特尔正加速推进玻璃基板商业化进程，与此同时，韩国、中国等多方势力同步发力，一场争夺全球首个玻璃基板量产席位的竞赛正式打响。 5月26日，据科技媒体TrendForce援引福布斯报道称，英特尔位于新墨西哥州里奥兰乔（Rio Rancho）的工厂有望成为其 首个玻璃基板量产基地， 并可能由此摘得 全球首个量产设施的桂冠 。目前，英特尔的玻璃基板仅通过位于钱德勒（Chandler）的试验线供应， 里奥兰乔的量产落地将标志着这一技术从实验室走向规模化生产的关键跨越。 与此同时，英特尔已开始在里奥兰乔向外部晶圆代工客户提供硅光子制造服务，并披露了首批搭载共封装光学（CPO）技术的玻璃基板原型， 商业化目标定于2030年。 据报道， 玻璃基板的战略价值正随AI算力需求的爆发而急剧凸显。 传统有机核心基板在大尺寸封装中面临翘曲加剧、集成良率下降等瓶颈，而玻璃凭借其平坦表面及更接近硅材料的热膨胀系数，正成为先进封装领域的重要替代方案。 对于押注AI基础设施的投资者而言，谁率先实现量产，谁就将在下一代高端封装供应链中占据先机。 里奥兰乔：英特尔的量产赌注 英特尔的玻璃基板商业化路径正逐渐清晰。 据福布斯报道，里奥兰乔工厂被视为英特尔首个玻璃基板量产候选地，该工厂此前已承担英特尔EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）先进封装及Foveros 3D芯片堆叠的主要生产任务。 在硅光子领域，英特尔已迈出对外开放的实质性步骤，开始向外部代工客户提供里奥兰乔的硅光子制造服务。 据Wccftech报道，英特尔首批搭载CPO技术的玻璃基板原型近期已公开亮相，商业化时间表指向2030年。 这一布局与英特尔整体代工战略高度契合。据福布斯援引渠道消息人士称， AWS和思科（Cisco）已是英特尔代工先进封装服务的现有客户，苹果、谷歌、微软、英伟达和特斯拉则据报正就潜在合作展开洽谈。 此外，英特尔代工部门已与SK海力士在HBM内存领域建立战略合作，并与Amkor Technology达成合作协议——后者正在亚利桑那州扩充产能，预计将为英特尔和台积电的本地新晶圆厂提供配套支持。 技术驱动力：为何玻璃基板正当其时 AI超级周期带来的封装需求激增，正在重塑整个基板供应链的格局。 据TrendForce分析，传统ABF有机基板通过树脂、玻璃纤维布与铜箔层压制成，在回流焊加热过程中容易产生翘曲，进而拉低大尺寸封装的集成良率。 玻璃基板的优势在于两点： 其一，表面平坦度更高，有利于精细线路的加工；其二，热膨胀系数更接近硅材料，可有效缓解封装过程中的热应力问题。 这使得玻璃成为高密度互连转接板或基板的理想候选材料，尤其契合AI加速芯片对大尺寸、高集成度封装的需求。 供给侧的压力同样在加速行业转型。据Wccftech报道，AI需求驱动的基板短缺已促使行业最大供应商之一Ajinomoto上调ABF基板价格，供应紧张局面进一步推动业界寻求新一代封装解决方案。 全球竞速：韩国、中国相继入局 英特尔并非孤军奋战。围绕玻璃基板量产的全球竞赛正在多条战线同步展开。 韩国方面，据Business Post报道，SKC旗下子公司Absolics预计将于今年年底启动玻璃基板商业化生产，有望成为全球首家实现商业量产的企业。 三星电机（Samsung Electro-Mechanics）则据The Elec报道，正在忠清南道世宗工厂运营玻璃基板试验线，目标是在2027年后实现量产。 中国企业亦在加速布局。据ETNews报道， 中国显示面板巨头京东方（BOE）正与美国康宁（Corning）合作，共同推进包括玻璃基板、光通信及钙钛矿在内的未来增长业务。 从竞争格局来看，Absolics在时间节点上具备先发优势，而英特尔的差异化在于将玻璃基板与CPO技术深度整合，并依托其代工生态系统形成协同效应。三星电机的量产时间表则相对靠后，中国企业目前仍处于早期合作布局阶段。 对于市场参与者而言，玻璃基板赛道的核心看点在于： 量产时间表的兑现能力，以及技术路线与客户需求的匹配程度。 分析指出，英特尔将2030年定为CPO玻璃基板商业化节点，时间跨度相对较长，但其在先进封装领域积累的客户资源——尤其是与AWS、思科的现有合作及与多家科技巨头的潜在合作——为其商业化路径提供了较为清晰的需求支撑。Absolics若能如期于今年底实现量产，将率先验证玻璃基板的规模化可行性，对整个行业具有重要的信号意义。

三星电子(005930.KS)围绕2026年薪资协议的内部矛盾仍在升级。 代表消费电子业务员工的东行工会5月26日向韩国水原地方法院申请临时禁令， 要求暂停当前薪资协议的工会投票程序，并禁止排除其成员投票资格。 这份协议由政府调解，于上周达成，避免了涉及近5万名员工、原计划持续18天的大规模罢工。由于AI热潮推动半导体业务利润大增，协议中针对芯片部门员工的大额奖金安排成为争议核心。 东行工会成员主要来自三星DX部门，也就是智能手机、电视与家电等非半导体业务板块，成员规模约1.3万人。 工会称，其最初曾被告知可以参与投票，但随后又被通知不具备投票资格，因此决定采取法律行动。 工会在法院外举行记者会时表示，产业工会起初曾要求他们参与暂定协议投票，随后却突然通知没有投票权。工会认为，此举侵犯了少数工会的平等权与投票权。 东行工会还表示，虽然其此前退出了联合谈判委员会，但根据《工会及劳动关系调整法》，不能仅以退出谈判为由剥夺其投票资格，“这构成了裁量权的滥用与越权，也违反了公平代表义务。” 工会进一步称，目前超过5万名DX部门员工及高管的声音“正被彻底封锁”。如果现有投票程序继续推进， 后续还将考虑申请暂停协议效力，并提起确认投票无效的诉讼。 AI红利分配引发内部裂痕 此次薪资谈判由三星电子劳动组合（SELU）主导。SELU周二表示，在57290名具备投票资格的成员中，已有超过90%完成投票，但未披露具体结果。 按照规则，协议需满足两项条件才能正式通过：一是超过半数有资格成员参与投票；二是参与者中多数投赞成票。 如果未达标准，谈判将重新开始。 全国三星电子工会（NSEU）同样对协议表达不满，并宣布抵制投票。韩联社报道称，该工会同时代表芯片与非芯片业务员工，成员规模约2万人。 争议焦点集中在不同业务部门奖金差距。根据协议，DS半导体部门员工被纳入大规模绩效奖金发放对象，部分存储芯片员工今年预计将获得总额约41.6万美元的奖金。 相比之下，晶圆代工与逻辑芯片设计部门员工获得的奖金明显更少，但仍高于DX部门。智能手机、家电等非芯片业务员工则认为自身获得的补偿远低于半导体部门。 东行工会此前正是因为认为DX部门员工意见未得到充分反映，才退出联合谈判委员会。 股价上涨背后仍存压力 尽管内部争议持续，协议达成后，市场整体情绪一度缓和。三星电子约占韩国出口总额的四分之一，因此罢工风险解除在韩国国内引发广泛“松一口气”的反应。 三星电子股价周二早盘一度上涨2.7%。自上周协议达成以来，公司股价累计上涨近9%，但同期仍落后于竞争对手SK海力士(000660.KS)约19%的涨幅。 除工会矛盾外，还有部分个人股东表示，如果该协议最终获得批准，他们将提起诉讼，理由是协议部分内容未经股东批准即实施，可能违反相关法律。 目前三星电子工会成员投票时间为5月23日至27日。据业内消息，整体投票率已接近90%。

华为提出“韬(τ)定律”，以“时间缩放”原则指导半导体产业发展方向，将带来晶体管、电路、芯片、系统四个层面的深刻变化。通过发挥国内在3D集成、先进封装、芯片设计制造协同优化、光通信等领域的技术能力，以系统拓扑结构的优化和迭代弥补短期制程节点的差距，中国半导体产业有望迎来换道加速发展机会。 根据人民日报报道，华为公司董事、半导体业务部总裁何庭波女士于2026 年5月25日在电气电子工程师学会（IEEE）举办的国际电路系统研讨会ISCAS 2026上发表题为“半导体新路径探索与实践”的主旨演讲，发表了指导半导体产业发展的新原则——韬(τ)定律。 摩尔定律的“几何缩放”面临停滞及约束，“韬定律”的“时间缩放”则是回归本源的真正目标。 摩尔定律提出六十年来，半导体行业以纳米衡量进步，目标是让晶体管变得更小。但在2005年后，器件“几何缩放”带来的功耗缩放首先失效，7nm以后，每晶体管成本趋于平坦甚至上升。此外，国内还面临高端EUV光刻机卡脖子的现实约束，单纯缩进几何尺寸面临停滞。 但追其本源，器件的微缩缩短了信号传输的路径，本质上是时间的缩减，所以根本的目标是缩短系统的时间。因此华为归纳了一个新的指导原则，以时间常数τ加以衡量比较，在晶体管、电路、芯片、系统四个维度缩小时间常数τ，并在手机移动处理器和AI数据中心进行了量产验证。 所以“韬定律”背后是华为总结出的一套方法论，转换思维范式，用系统性的思维解决问题。 在晶体管、电路、芯片、系统每一层都有不同机制用于缩减时间常数τ，也将相应带来对应的产业变化： 1）晶体管层面 ：目标为缩小本征开关延迟（即晶体管开关状态切换的时间），通过迁移率增强、应变工程、高κ/金属栅极和GAA架构来解决—— 其中建议重点关注GAA架构未来发展，将会带来刻蚀等工艺设备增量变化 ，详见我们的报告《电子行业半导体晶圆制造行业系列专题之（二）—工艺分析：刻蚀设备重要性提升的三重逻辑》（2025-09-19）。 2）电路 ：缩小信号路径上的RC传播延迟，通过更低电阻率的导体、低κ介电质来解决，以及最为关键是通过垂直集成缩短线长来解决—— 华为采用了逻辑折叠（LogicFolding）的方法进行垂直集成，核心工艺是超细间距混合键合和TSV。 3）芯片 ：缩小计算和存储器访问延迟，通过架构选择、流水线深度、存储层次和片上互联来解决—— 关注3D堆叠（微凸块及标准间距混合键合工艺）和HBM。 4）系统 ：缩小端到端消息和同步时间，通过互连拓扑、协议栈和互联架构设计来解决——如 超节点、灵衢总线Unified Bus、近封装光引擎Hi-ONE（关注相关封装环节）等。 在手机移动处理器方面，通过“逻辑折叠”方法论+混合键合及TSV工艺，实现等效晶体管密度跃升。 华为将在2026年秋季推出采用了逻辑折叠工艺的移动SoC芯片，在固定工艺节点上实现55%的等效晶体管密度提升和41%的能效提升。我们发现华为已细化到从3D空间选择最优门电路位置，以最优布线长度降低硬延迟，在器件以及电路设计层面以立体空间思考最优解。 实现这一三维空间的拓扑重组，底层技术需依靠 混合键合工艺+TSV工艺 。在未来十年，“逻辑折叠”预计将演进至更多层芯片堆叠——每个封装三层、四层甚至更多有源层，从而也将带动 前道晶圆的用量成倍提升。 在AI系统上，从多芯片和系统层面缩短时延，超节点本身就是“韬定律”的实践之一。 华为重点提到灵衢总线（Unified Bus）、近封装光引擎Hi-ONE以及3D折叠（3D Folding）的封装拓扑重组技术，其预计到2035年可相较2026年实现超过100倍的硬件集成度增长。 我们认为，华为通过“韬定律”的指导原则，充分发挥了国内在3D集成、先进封装、芯片设计制造协同优化、光通信等领域的技术能力，以系统拓扑结构的优化和迭代弥补短期制程节点的差距，中国半导体产业有望迎来换道加速发展机会。 投资策略 从“韬定律”的指导原则延伸开来，未来五年左右半导体产业重要的变化可能包括以下几方面： 1）超细间距混合键合工艺和TSV工艺成为实现3D方向上“逻辑折叠”的底层技术基础 ，重点关注布局相关领域的半导体制造企业； 2）多层逻辑堆叠将带来晶圆需求的成倍提升 ，关注国内晶圆厂； 3）混合键合和先进封装产线扩产 ，带动键合、电镀、清洗、CMP、刻蚀、薄膜沉积等设备需求； 4）近封装光学引擎和基于微凸块及标准间距混合键合工艺的3D堆叠 ，关注国内先进封装企业。

全球AI芯片三巨头在ComputeX 2026开幕前夕密集赴台，折射出AI基础设施建设正从GPU竞赛向CPU、ASIC、先进封装等全链条扩张。 据DIGITIMES周二报道，业界消息显示，英伟达执行长黄仁勋于5月23日率先抵台，预计在台停留超过10天，行程涵盖拜访台积电创始人张忠谋、执行长魏哲家及广达董事长林百里。AMD执行长苏姿丰随后访台。英特尔执行长陈立武亦将于本周末抵台，除内部会议及与台积电高层的会面安排外，另有三场与台湾供应链的密会计划，并将于6月2日发表ComputeX主题演讲。 三大厂执行长密集来台，被业界解读为提前锁定未来三至五年AI基础建设产能的关键布局。 CPU需求意外爆发，AI基建进入全链条扩张 六个月乃至一年前，市场几乎无人讨论CPU短缺，但这一局面已悄然逆转。随着AI推理自2025年下半年起真正起飞，CPU需求快速爆发，远超市场原先预期。AMD预估，未来五年CPU市场年复合成长率（CAGR）将超过35%。 黄仁勋指出，AI市场已从模型训练快速延伸至AI Agent、推论与AI Factory时代。当AI开始自主调用各种工具后，需要大量CPU进行数据调度、系统控制与内存管理。 英伟达已正式切入CPU市场，Vera CPU已开始独立销售，并看好未来AI数据中心CPU市场规模上看2000亿美元。 黄仁勋同时强调，GPU仍将是绝大部分AI运算的核心主力。 英特尔方面则披露，过去AI训练阶段GPU与CPU的配置比例约为8比1，目前已降至4比1，未来可能趋近1比1甚至出现反转。英特尔预估，2026年全球服务器CPU市场与自身出货量均将维持双位数百分比成长，动能延续至2027年，需求远大于供给。 苏姿丰对AI产业前景的判断与上述方向一致。她以棒球赛事作比，强调AI产业目前仍处于非常初期阶段——"如果把AI比喻成9局棒球比赛，现在大概才打到第3局。" 英特尔制程进展成市场重估关键 陈立武此次访台， 外界预期他将展示"全面重整改造后、焕然一新的英特尔"，并与核心供应链进行一对一交流，直接听取合作伙伴的意见与建议。 在制程技术层面，陈立武近期接受CNBC专访时坦言，接任之初18A制程状况并不理想，但目前良率改善速度已超出预期。更受市场关注的是14A制程——其目前的成熟度、良率与效能表现，优于18A在相同开发阶段时的进度，预计2026年下半至2027年上半将出现设计导入与客户承诺。 与此同时，英特尔正同步提升产能与资本支出，聚焦EUV设备导入与先进制程扩产，产能将逐季提升。 除技术进展外，英特尔晶圆代工业务的外部客户动向同样备受关注。陈立武透露，已有更多潜在客户主动接触，讨论采用英特尔晶圆代工服务，下半年将有多家外部客户正式投片。 6月1日，英特尔计划在台举办供应链鸡尾酒会，邀请在台上下游长期合作伙伴出席；6月2日晚间，则预计与“电子五哥”、华硕、研华等高层进行闭门交流，议题涵盖AI服务器、PC及美国制造布局与展望。

作为电子电路核心被动元件，多层片式陶瓷电容器（MLCC）正站在新一轮超级周期的起点。 中信建投证券最新发布的行业深度报告指出，MLCC需求、价格与库存波动与半导体、电子行业周期深度绑定，伴随电子与半导体超级周期全面启动，MLCC行业迎来"爆发时刻"。 自动驾驶与人工智能的加速渗透，正从需求端重塑MLCC的成长逻辑。报告显示，纯电动汽车单车MLCC用量约为传统燃油车的6倍，AI服务器MLCC用量则约为传统服务器的两倍；与此同时，AI手机和AI PC的普及将分别推动单机MLCC用量提升约20%和40%至60%。多元需求共振之下，高端MLCC供不应求格局已然确立，村田、三星电机等一线龙头2026年一季度产能利用率已突破90%的价格上行阈值。 这一结构性景气正向上游原材料传导。报告预计，在新能源与AI产业双重驱动下，高端MLCC专用纳米镍粉需求将从2023年不足千吨大幅攀升至2030年逾六千吨。 周期共振：MLCC与电子行业深度绑定，当前正处超级周期 MLCC素有"工业大米"之称，其需求与电子行业周期始终保持高度同步。 报告通过历史复盘梳理出四个核心阶段： 2007年iPhone诞生开启智能机替代浪潮，单机MLCC用量从功能机时代的20至50颗跃升至200颗以上； 2012年至2016年智能手机爆发期，旗舰机型单机用量突破400颗，供需失衡引发价格暴涨； 2017年至2020年智能手机饱和叠加扩产过剩，行业进入调整期； 2021年至今，AI服务器与车规双轮驱动开启新一轮结构性上行。 从微观指标来看，高端MLCC供不应求格局已获多重数据印证。 根据Trendforce数据，2026年一季度MLCC行业平均产能利用率已达87%至88%，村田、三星电机等一线龙头产能利用率高于90%——这一数值被视为行业进入价格上行通道的关键阈值。 订单出货比（BB Ratio）方面，主营高端MLCC的村田和三星电机均呈现出明显的"淡季不淡"特征。截至2025年12月，部分厂商MLCC库存已降至30天以内，短缺信号明确。 从更长周期维度观察，村田制作所的经营数据呈现出约15年为周期的成长波动特征，分别对应1980年代消费电子普及、2000年代通信设备升级、2010年代智能手机红利三轮景气浪潮。 报告认为，当前AI服务器与新能源车需求爆发，正开启新一轮成长周期，预计2030年前将进入新一轮盈利扩张通道，且人工智能革命有望进一步扩大本轮周期振幅。 车规需求：2030年用量有望突破万亿颗，三星电机持续扩份额 汽车被业界称为"MLCC的集合体"，电动化与智能化趋势正推动车规级MLCC需求进入爆发通道。 据村田预测，传统燃油车单车MLCC用量约3000颗，混合动力汽车约1.2万颗，纯电动汽车则高达1.8万颗，部分高端车型用量甚至达到3万颗。 自动驾驶等级的提升是推动需求增长的核心结构性因素。 德国汽车行业预测，到2035年，ADAS及自动驾驶渗透率将由2025年的65%提升至94%，其中L3及以上自动驾驶占比达24%。L2级及以上车型中，高密度计算与电源模块的普及已使MLCC单车用量显著跃升，且对小型化（0201、0402尺寸）、高容值、低等效串联电感产品的需求同步激增。 从市场规模来看，据集微咨询预计，全球车规级MLCC用量将于2025年增长至约6500亿颗，2030年有望超过万亿颗，年均复合增速超过10%，其中超八成来自新能源车。 竞争格局方面，村田市占率达44%，三星电机市占率自2022年起持续提升，目前已达22%，且凭借博迁新材120nm、80nm、60nm等优质材料供应，三星电机在AI服务器领域MLCC全球份额已达45%以上，并在菲律宾等地持续扩充产能。 AI驱动：服务器用量翻倍，高端MLCC结构性紧缺加剧 AI算力需求的爆发式增长，正在重塑MLCC的需求结构与价值量。 以英伟达GB200服务器为例，系统主板MLCC总用量高达三四千颗，较通用服务器增加一倍，其中1μF以上用量占60%，耐高温用量高达85%，系统主板MLCC总价也增加一倍。 根据村田公告，AI服务器在2027年相比2025年有望翻倍；2025年AI服务器按颗数仅占全球1.1%，却占用7.5%产能，结构性紧缺格局已然确立。 从技术需求来看，高算力GPU/CPU对MLCC提出了四方面更高要求：更小体积实现更大容值、更高耐温性、更低等效串联电阻（ESR）以及更低等效串联电感（ESL）和更高自谐振频率（SRF）。 这些技术挑战直接向上游传导，要求更细、耐高温的陶瓷粉料以满足小体积大容量的需求。 AI服务器MLCC市场高度集中，仅村田、三星电机、太阳诱电三家可批量交付高规格产品。 微软、亚马逊AWS、谷歌与Meta Platforms等北美云服务商持续扩大ASIC与CoWoS先进封装订单，促使日韩MLCC厂商将更多高端产能转向AI应用，进一步压缩消费规格MLCC供给，议价权向供应商集中，高端品种涨幅已达15%至35%。 消费电子：AI手机与AI PC全面普及，结构性增量可期 AI终端的加速渗透为消费电子领域MLCC带来结构性增量。 根据DIGITIMES预测，2026年全球智能手机出货量有望提升至12.554亿台；更关键的变量在于AI手机渗透率的快速攀升——2026年全球AI手机出货量预计接近6亿台，渗透率达47.8%。 AI手机单机MLCC用量约为普通智能手机的1.3倍，达1300至1500颗；报告预计2030年AI手机用MLCC将超过1.6万亿颗，年均复合增速超30%。 AI PC方面，Gartner数据显示，2026年AI PC渗透率将突破50%，首次成为全球PC市场主流。一台传统笔记本电脑约需1000颗MLCC，而AI PC因新增神经处理单元（NPU）等功能模块，单机用量提升40%至60%，达1400至1600颗，其中高容值MLCC占比高达八成。报告预计2030年全球AI PC用MLCC约4000亿颗，年均增速超30%。 上游材料：粉体壁垒高筑，中国企业具备全球竞争力 材料决定器件性能，MLCC超级周期同步带动上游原材料行业迎来发展良机。 MLCC成本中，陶瓷粉料在高容MLCC中占比35%至45%，内外电极金属材料各占5%至10%，上游粉体材料是MLCC制造的主要成本构成。 纳米镍粉领域，全球范围内能工业化量产MLCC用镍粉的企业极为稀缺，除博迁新材外其余均为日本企业。 博迁新材规模量产的80nm级别镍粉已达全球顶尖水平，其纳米镍粉约50%份额供给三星电机，前五大客户营收占比达76%。公司独创常压物理气相冷凝法（PVD）量产超细金属粉体，并主导编制国内首部电容器电极用镍粉行业标准。 报告预计，高端MLCC专用纳米镍粉需求将从2023年约720吨增至2030年逾6329吨，成长空间十分广阔。 陶瓷粉料领域，国瓷材料位居全球MLCC介质粉体行业第一梯队，拥有全球仅4家厂商可批量供应的碳酸钡粉末。 公司重点聚焦AI服务器、车规级MLCC两大高端赛道，多款新品已在核心客户实现导入，同时MLCC电子浆料业务快速扩容，已配套客户成功研发高容、车规级、射频专用等多款新型浆料。 国产替代：日韩主导格局下，中国企业加速追赶 全球MLCC行业竞争格局高度集中，日本村田以33%市占率居首，三星电机以23%位列第二，太阳诱电、京瓷、TDK等日韩企业合计占据全球大部分份额。 国内厂商风华高科、三环集团、火炬电子、鸿远电子等正加速布局，引领国产替代进程，但与日韩龙头仍存在明显差距。 中商产业研究院预测，2026年全球MLCC市场规模将达240至260亿美元，其中中国市场约650亿元人民币，中国已成为全球最大的MLCC市场。 在高端产品国产化方面，国内企业在材料端的突破相对领先——博迁新材在纳米镍粉领域已具备全球竞争力，国瓷材料在陶瓷粉体领域亦跻身全球第一梯队；器件端三环集团、风华高科等正持续缩小与日韩企业的差距。

三星电子在NAND闪存堆叠技术领域取得重大突破，有望重新确立其在全球存储芯片市场的技术主导地位。 据韩国电子新闻报道， 三星电子近期成功实现全球首个900层级V-NAND原型系统，并验证了正常的单元运作特性。 这一成果意味着三星在研发阶段一举跨越至900层高地，而当前量产市场的最高纪录仍停留在321层。消息公布后， 业界普遍认为三星已在下一代NAND技术竞争中抢占有利位置，同时为应对中国厂商的价格与产能攻势构筑起更高的技术壁垒。 三星不仅在量产端推进第十代V-NAND（V10，400层以上）的准备工作，同时在研发端实现跨代式领先，双线并进的布局有助于巩固其在AI服务器及端侧AI存储市场的长期竞争力。 双片键合突破物理极限 三星此次900层V-NAND的实现，依托的是"单元多重键合"（Cell Multi Bonding，CMB）技术——将两片各450层的单元晶圆接合为一体，从而在单一芯片尺寸内实现容量的大幅跃升。 NAND闪存的核心逻辑在于垂直堆叠：层数越高，单位面积内可存储的数据量越大，功耗效率也随之提升。这一特性使高层数NAND成为AI服务器、数据中心SSD及智能手机等高容量、高效率应用场景的关键部件。 然而，堆叠层数的提升并非没有代价。随着层数增加，晶圆翘曲（Warpage）和对准偏差（Misalignment）成为制约良率的核心难题。三星通过引入高精度上部卡盘（Upper Chuck）设计解决了翘曲问题，并开发出独有的"新覆盖校正"（Overlay Correction）技术克服对准误差。此外，新型位线（BL）及字线（WL）结构的引入，使芯片在降低功耗的同时实现了尺寸的进一步缩减。 三星方面表示，已对该原型"验证了正常的单元运作特性"，强调这一成果超越了理论层面的堆叠演示，达到了实际可运行的技术水准。 SK海力士领跑量产 在当前量产市场，SK海力士以321层4D NAND保持最高层数纪录，领先于三星的现有量产产品。三星正加速推进V10代产品的量产准备，以期在商业化层面缩小差距。 面对竞争对手的威胁，三星900层原型的战略价值不仅在于技术本身，更在于其释放的市场信号。 有业界人士指出，"900层NAND技术并非简单的300层三倍叠加，而是对堆叠工艺范式的根本性变革。这向全球客户传递出三星仍是技术领导者的明确信息，同时将对中国企业的产能与价格攻势形成制约效应。" 从3D商用化到堆叠范式演进 三星于2013年率先实现3D V-NAND商业化，此后持续推动工艺迭代以突破堆叠极限。 早期采用的"单一堆叠"方式通过一次性蚀刻微孔完成堆叠，但随着层数提升，晶圆变形与对准困难等物理瓶颈日益凸显。CMB技术的引入，标志着三星在工艺路线上完成了从单一堆叠向多片键合的范式转变，为迈向1000层NAND时代奠定了技术基础。

AI算力军备竞赛正将全球存储芯片市场推向多年期的供应紧缺状态。 美光科技（Micron Technology）管理层在摩根大通年度科技峰会上表示， HBM、DRAM及NAND存储芯片的供应紧张局面预计将远远超出2026年，核心驱动力源自人工智能应用对高性能存储的强劲需求，而供应端受制于技术瓶颈难以快速扩产。 摩根大通在随后发布的投资报告中援引上述观点，并表示该行在听取美光管理层陈述后，对AI存储市场的多年牛市逻辑更具信心。供需缺口短期内难以逆转，这对存储行业投资者构成了明确信号。 供应扩张面临结构性制约 据摩根大通报告， 美光指出存储市场供应紧张的成因具有结构性特征，并非单纯的产能周期问题。 具体而言，供给增长受限主要来自两方面：一方面，新一代存储芯片的性能提升幅度正逐步收窄，意味着仅靠技术迭代来扩大有效供给的空间已明显压缩。 另一方面，新一代HBM芯片的晶粒尺寸持续增大，导致单位晶圆产出的芯片数量下降，进一步削弱了供给弹性。此外，极紫外（EUV）光刻技术的引入虽有助于提升先进制程DRAM的制造精度，但同时也在产能爬坡速度与成本方面形成了新的约束。 上述因素叠加之下， 即便存储厂商积极扩产，短期内仍难以快速填补AI需求所催生的供给缺口。 HBM4量产提速，1-gamma节点成历史最高产量节点 在产品进展方面，美光披露了若干关键信息。 美光管理层表示，受AI应用需求强劲拉动， 公司1-gamma制程节点预计将成为其有史以来单位晶圆产出量最高的DRAM节点 。HBM存储芯片通过将多层DRAM模块垂直堆叠封装而成，广泛应用于AI GPU，美光正持续将EUV光刻工艺整合至1-gamma节点的量产流程中。 在HBM产品迭代节奏上， 美光透露HBM4的量产爬坡速度是HBM3的两倍。下一代HBM4E产品的量产爬坡预计于2027年启动 ，首批样品将采用基于1-gamma节点生产的DRAM模块。 AI推理需求扩张，带动SSD市场份额提升 除HBM与DRAM外，美光还指出AI工作负载的演变正在为其固态硬盘（SSD）业务创造新的增长机遇。 美光管理层表示， AI上下文窗口的持续扩大以及推理工作负载的快速增长，推动了对大容量、高性能存储的需求，公司借此在SSD市场实现了份额提升。 值得注意的是，美光强调其策略并非提供标准化现货产品，而是与客户深度协作，针对具体应用场景定制开发存储解决方案，这一模式有助于巩固客户粘性并提升产品溢价空间。