AI推理对昂贵DRAM的依赖正在松动。AMD宣布收购内存优化公司MEXT，将AI驱动的闪存优化技术引入数据中心。这标志着AI存储架构正在经历一场结构性迁移，而核心驱动力只有一个数字： 闪存成本仅为DRAM的1/55。 周一，AMD宣布以未披露金额完成对MEXT的收购。MEXT开发的AI驱动预测内存技术，旨在让闪存的行为更接近DRAM，在维持性能与效率的同时扩展可用内存容量。AMD表示，此次收购将扩充其AI产品组合，帮助数据中心客户提升性能、降低总拥有成本并加速工作负载部署。"对内存的需求正在企业计算的每个品类中增长，"AMD在声明中称。 收购消息刺激AMD股价周一上涨7.7%至550.75美元，市值逼近9000亿美元关口，当日S&P 500指数整体上涨1.8%。AMD今年以来累计涨幅已达323%。花旗上周五将AMD评级从中性上调至买入，目标价从460美元上调至575美元。 值得注意的是，苹果早在2024年就开始推进"LLM in a Flash"端侧方案。这一布局背后，是愈演愈烈的DRAM供给危机。据TrendForce数据，高带宽内存（HBM）已占全部DRAM晶圆产能的约四分之一，DRAM合约价格在2026年第一季度单季环比暴涨约90%。Citrini Research指出， AI存储需求已大到需要多层架构共同承接，闪存并非取代HBM，而是在容量维度承接溢出需求 ——这场架构重构正在重新定价整条AI存储产业链。 内存税危机：瓶颈从AI蔓延至全经济 据摩根士丹利分析师Shawn Kim团队本月早些时候的判断， 内存价格飙升和供应稀缺正演变为数字经济的全面风险， "从AI基础设施的瓶颈，蔓延至硬件利润率、设备可负担性、云成本、通胀乃至政策层面。"这一压力已有具体案例佐证：Xbox首席执行官Asha Sharma上周表示，内存成本在过去两年间上涨了约五倍，导致公司无法生产消费者所需数量的游戏主机。 HBM对DRAM产能的持续蚕食是这场危机的核心驱动。据TrendForce及三星、SK海力士、美光等厂商的披露数据，HBM在DRAM晶圆产能中的占比已从2020年的2%攀升至2026年预估的25%。超大规模云厂商以多年期合同预购未来晶圆产出，进一步压缩了面向手机和PC的标准芯片可用产能。 新增DRAM产能的建设同样面临结构性制约。扩产依赖EUV光刻机印制更精细线宽，每台EUV设备售价高达约2亿美元，一座新晶圆厂的投资动辄数百亿美元，建设周期在顺利情况下也需数年。这一供给刚性，正是本轮短缺具备持续性的根本原因。 55倍成本差：闪存替代的经济逻辑 据Citrini Research测算， 闪存的每比特成本约为DRAM的1/55——QLC NAND约为每GB 0.05美元，DDR5 DRAM约为2.75美元，HBM3E则高达15美元。 这一价差的可利用空间，在于AI推理中最大的单一内存消耗——KV缓存（记录模型每次生成步骤中所有先前标记的上下文，长对话中可增长至数百GB）——对读取速度的要求远低于模型权重的解码路径。对于此类顺序读取数据，DRAM的速度优势大幅收窄，而闪存的容量优势则充分体现。 闪存的扩容路径也与DRAM存在本质区别。闪存通过垂直堆叠更多单元层来增加容量，依赖现有工厂已有的沉积和刻蚀工艺，无需新的光刻节点，不占用EUV资源。闪存控制器基于成熟的6/7纳米制程生产，远离正在制约先进制程的瓶颈节点。 苹果研究人员此前发表的论文"LLM in a Flash"提供了方法论支撑：通过将大语言模型参数存储于设备闪存、按需调取至DRAM的方式，可在DRAM容量受限的设备上运行超出其容量上限的模型，并在CPU和GPU上分别实现比朴素加载方式快4至5倍和20至25倍的推理速度。 两条路径：数据中心与端侧同步演进 AMD的收购聚焦数据中心场景。通过将MEXT技术整合至AMD数据中心产品组合，AMD寻求帮助企业客户在AI工作负载部署中提升资源利用效率并压缩成本。摩根士丹利Shawn Kim团队认为，尽管内存短缺持续，AMD在云端市场竞争格局上仍具结构性优势——"代理式AI驱动的CPU需求在结构上有利于AMD在云端市场份额的扩张。"花旗对AMD的乐观预判则更多基于其GPU销售与英伟达的正面竞争态势。 苹果的路径则落子端侧。"LLM in a Flash"方案将模型推理对昂贵云端内存的依赖部分转移至设备本地闪存，在降低云端运算成本的同时，为端侧AI应用提供可行的内存架构支撑。 据Citrini Research，两大路径共同指向同一结论： AI推理的内存层级正在重构，低频KV缓存、模型权重及端侧数据，将逐步从高价的HBM/DRAM下沉至NAND Flash/SSD层，形成多层次存储架构。 这一架构转变正沿产业链形成多层次的传导效应。据Citrini Research梳理，最直接的受益层是NAND原厂，高容量NAND、企业级SSD及QLC NAND为最纯粹的方向，包括SanDisk、西部数据、美光及铠侠。 SSD控制器层被认为持续性最强——让闪存真正接近内存体验的核心在于控制器、固件与NVMe架构优化，涉及Silicon Motion、Marvell等。CXL/PCIe高速互联层亦受益。

华尔街独立投研机构Aletheia Capital对美光科技（MU）发布了一份措辞极为激进的研究报告，将目标价大幅上调至1600美元，并预测AI存储器件在AI硬件系统中的价值占比将于2027年突破70%，彻底颠覆市场对存储芯片地位的传统认知。 报告发布后，美光隔夜股价应声大涨10%，市场情绪迅速升温。 Aletheia预计美光2027财年EPS将较当前水平增长8.5倍，2028财年再扩张1.8倍，累计增幅达15倍，并预测公司在FY26至FY28三年间将累计产生3500亿至4000亿美元自由现金流。 这一预测的核心逻辑在于HBM及服务器DRAM价格的持续飙升，以及存储器件在AI硬件物料清单（BOM）中占比的结构性跃升。若预测成真，美光将成为本轮AI硬件周期最大的受益者之一。 目标价直接跳至1600美元，估值框架全面切换 Aletheia此次将美光目标价从此前的650美元一举上调至1600美元，涨幅逾140%，较目前股价还有47%上涨空间。更值得关注的是，其估值框架发生了根本性转变——从此前基于历史市净率峰值的保守定价方式， 切换至以2027财年预期市盈率10倍为锚点的盈利驱动框架。 这一切换背后的逻辑是：随着AI对存储需求的结构性拉动，美光的盈利能力已不再适合用周期性历史估值衡量，而应参照成长型科技公司的盈利倍数定价。 HBM与服务器DRAM价格预期双双上修 在价格预测层面，Aletheia的上调幅度同样超出市场预期。报告显示，该机构现预计服务器DRAM均价（ASP） 将在2026年第三季度环比再涨30%，远高于此前10%至15%的预测；2026年第四季度预计继续上涨10%至15%。 HBM方面，Aletheia预测其ASP将在2027年实现同比翻倍。这一判断建立在AI训练与推理对高带宽内存需求持续爆发的基础之上，供给端的高技术壁垒则进一步支撑了价格中枢的上移。 存储器件BOM占比将超70%，Vera CPU单架售价或达2600万美元 报告中最具冲击力的判断来自对AI硬件系统物料结构的分析。Aletheia指出，存储器件在AI硬件系统中的综合价值占比，预计将从2025年的40%中段水平跃升至2027年的70%以上，存储正在成为AI硬件系统中最关键的核心组件。 以英伟达Vera CPU为例，报告指出，仅SoCAAM一项在2026年下半年的BOM占比便已超过70%；而完整规格的Vera CPU机架，其ASP或高达2600万美元。

伊朗和平协议预期与AI地缘政治争夺战双重驱动，芯片板块单日摆脱调整区间并刷新历史收盘纪录。 周一，全球风险偏好强势回归，两大因素共同推动芯片股领涨美股市场。 美伊初步和平协议的签署提振整体市场情绪，而美国对Anthropic新模型实施出口管制，引发外界对其他国家加快自建AI基础设施的强烈预期，潜在利好全球芯片需求扩张。 费城半导体指数周一大涨5.45%，不仅脱离技术性调整区间，更创下历史收盘新高。 英伟达、博通、英特尔各涨逾2.5%，高通涨超4%，Marvell科技飙升逾10%。 存储板块同样爆发，美光科技、希捷科技分别涨逾10%和9%，西部数据更飙升逾16%，领涨标普成分指数。 （周一标普500指数成分股涨幅前十） 风险偏好回潮，为芯片股提供基础支撑 本轮行情的第一个催化剂来自中东局势的重大转机。 据新华社，美国总统特朗普14日在社交媒体上说，随着美伊协议于6月19日周五签署，霍尔木兹海峡将重新开放，以便进行排雷作业。伊朗副外长也表示，将于今晚开始宣布立即且永久停止多个战线上的军事行动，包括黎巴嫩。 美国官员证实，伊朗议会议长Ghalibaf代表伊方签署协议，此人被视为最高领袖阵营中的强硬派，其背书具有一定政治分量。备忘录细节预计将于24至48小时内公布。 受此消息刺激，避险情绪迅速消退，资金转向高贝塔风险资产。 美股纳斯达克指数大幅跑赢其他主要指数，科技、传媒及电信（TMT）板块领涨，能源及防御性板块相对落后。 Rainwater Equity ETF创始人兼基金经理Joseph Shaposhnik表示： 很明显，市场认为伊朗协议的达成降低了风险，周一行情为更大范围的风险资产反弹。 不过，分析人士提醒，和平进程存在诸多变数。 华尔街见闻提及 ，据美媒周一报道，一名美国高官表示，海峡船运量将逐步攀升，航运明显增加可能需要多达两周时间，而要恢复至美国与以色列今年2月底对伊朗发动军事行动前的水平，则需更长时间。 该官员还指出，海峡内仍有水雷需要清除，且各航运公司对通行风险的承受程度不尽相同。德银的Reid在报告中指出： 协议对市场而言是非常好的消息，但未来60天内仍需进行艰难谈判以确保和平的可持续性。 Reid还特别指出，该协议还需获得美国参议院对伊朗制裁豁免的批准。 Anthropic出口管制风波，点燃全球AI军备竞赛预期 另一条推动力线索来自AI领域的地缘博弈。 华尔街见闻提及，华尔街见闻提及，Anthropic两款顶尖AI模型Fable 5和Mythos 5被美国商务部纳入出口管制，限制境外及境内外籍人士访问，理由是存在越狱安全风险。 此举迅速引发市场对全球AI主权竞争升温的联想。 D.A. Davidson分析师Gil Luria表示， 若其他国家决定加大AI基础设施投入，"可能包括自建设备、自建数据中心，并为本土前沿模型开发提供资金"，这将为芯片企业带来可观的国际及政府端业务增量。 Box首席执行官Aaron Levie周日发文指出， 美国政府的这一决定开创了一个先例——AI模型确实可能被强制下架。 他认为，这一风险在两天前还只是从未发生过的理论假设，如今却成了现实，这很可能会促使更多国家加速独立发展自己的人工智能。 他同时警告，随着其他国家转向追求开放权重模型，而此类模型"目前普遍并非来自美国"，美国的AI领导地位或将随时间推移受到侵蚀。 不过，瑞穗分析师Jordan Klein持较为保留的态度， 认为美国政府与Anthropic之间的争议只是"噪音"，对"芯片行业的整体大局叙事"及AI支出"根本没有实质影响"。

6月15日消息，据韩媒报道，韩国全国混凝土运输工会（KNRCTWU）已自8日起暂停在首尔首都圈出货，并表示这次罢工有约8000名会员参与，要求包括提高运费等数项改革。 报道称，本次大规模罢工，令人担忧韩国半导体业两巨头三星电子和 SK 海力士的重大扩厂计划可能遭延宕。 据悉，参与罢工的工会成员11日还阻止平泽两家混凝土工厂出货，导致兴建中三星芯片厂工地混凝土灌浆作业不得不暂停。韩国Newsis通讯社也引述业界人士报导，SK海力士龙仁芯片厂因混凝土出货取消，暂停相关作业。 SK海力士声明，已调整建筑施工顺序，因此短期冲击预料有限。三星则婉拒置评。 KNRCTWU先前虽与混凝土业者达成初步协议，但工会成员投票否决提案，使罢工继续。Newsis报导，这起罢工短期影响很可能不大，因建商为预防冲击已将一些工程提前；但若罢工拖长，较长期施工进度便可能受影响。

台积电先进封装产能持续扩张，AI芯片供应链瓶颈有望逐步缓解。 据媒体援引机构投资者观点， 随着台积电及其合作伙伴积极扩建先进封装产能，CoWoS供需缺口预计将从目前约20%大幅收窄至2026年底的约10%，并有望在2027年进一步改善。 这一进展对依赖CoWoS封装技术的AI加速器供应链具有直接影响。 与此同时，台积电正推进下一代封装平台CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）的研发布局， 据悉英伟达Feynman平台有望成为首批采用该技术的客户，量产时间窗口指向2028至2029年。 产能扩张提速，供需缺口加速收窄 据集邦科技（TrendForce）报道， 台积电2026年月均CoWoS产能有望达到12万至14万片晶圆，创历史新高。 若计入外包封测（OSAT）合作伙伴新增的5万至6万片月产能，整体行业月产能合计有望接近20万片。 集邦科技预计，全球2.5D封装产能的严重短缺将于2027年开始趋于缓和，支撑因素包括订单外溢效应，以及台积电计划于2027年将CoWoS产能扩大逾60%。 据路透社报道，台积电在今年5月举办的技术研讨会上预测，CoWoS先进封装产能将在2022年至2027年间实现年均复合增长率逾80%，进一步印证了此轮扩产的规模与力度。 下一代平台CoPoS加速落地，英伟达有望率先采用 在持续扩充现有CoWoS产能的同时，台积电也在为下一代先进封装平台CoPoS铺路。随着晶圆尺寸持续扩大，CoPoS被视为突破现有技术天花板的关键路径。 台积电已于2025年在旗下子公司VisEra建立CoPoS研发产线，材料与设备认证工作最快将于2026年6月完成，中试量产目标定于2027年中。 据集邦科技报道，英伟达Feynman平台预计将成为CoPoS技术的首个商业客户， 该平台预计于2028至2029年间进入全面量产阶段 ，主要部署地点包括台积电嘉义厂区及其美国亚利桑那州晶圆厂。 市场意义：AI供应链关键瓶颈有望松动 CoWoS封装技术是当前高端AI加速器生产的核心工艺，其产能紧张程度直接影响下游AI芯片的出货节奏与交货周期。供需缺口从20%收窄至10%，意味着此前制约AI算力硬件扩产的关键环节正在松动，有助于缓解市场对AI基础设施供给的担忧情绪。 从更长周期来看，CoPoS平台的推进则为台积电在先进封装领域构建更深的技术护城河提供支撑，并将进一步巩固其在AI芯片供应链中的核心地位。

应用材料公司（Applied Materials）周一发布两款针对先进半导体制造的新系统，旨在解决高深宽比三维结构中精密加工的核心难题，进一步推动逻辑芯片与存储芯片的制程延伸。 此次推出的Centris™ Spectral™ SiN ALD与Producer™ Selectra™ Mo Etch，分别面向介电薄膜沉积与金属选择性去除两大工艺环节。据公司介绍，上述系统已被头部逻辑与存储芯片厂商用于先进节点量产。 在AI算力需求持续扩张的背景下，半导体行业加速向全环绕栅极（GAA）晶体管及高层数3D NAND等三维架构演进。新系统的推出，直接回应了制造商在器件性能、工艺稳定性与良率方面面临的瓶颈，对相关设备供应链具有重要的市场信号意义。 应用材料周一收涨3.27%，股价续创历史新高。 技术背景：3D结构深化带来工艺瓶颈 随着芯片三维架构的持续演进，器件结构愈发趋向纵深发展——特征尺寸不断缩小的同时，结构深度也在持续增加。 这种高深宽比的三维结构对传统沉积与蚀刻工艺构成严峻挑战：常规方法难以在从顶部到底部的整个纵向空间内实现材料的均匀分布，由此引发工艺变异，进而导致器件电学性能下降和制造良率损失。 应用材料公司表示，AI计算需求的激增正在加速行业向上述先进三维器件架构的整体迁移，这也使得精密材料工程的重要性愈加凸显。 新产品详解：覆盖沉积与蚀刻两端 Centris™ Spectral™ SiN ALD采用创新微波等离子体技术，可在复杂三维结构中实现氮化硅薄膜的均匀沉积，主要服务于先进逻辑制程中的介电材料工程需求。 Producer™ Selectra™ Mo Etch则专注于钼（Mo）材料的选择性去除，用于实现3D NAND的字线分离工艺，是推动存储芯片层数持续提升的关键制程手段。 应用材料半导体产品集团总裁Dr. Prabu Raja表示： "从晶体管结构到存储堆叠，芯片制造商需要在极度复杂的三维架构中，找到精确沉积与选择性去除材料的新方法。我们最新的沉积与选择性蚀刻系统，正是为帮助客户突破关键制程瓶颈、加速逻辑与存储领域下一波创新而设计的。" 市场意义：材料工程成AI芯片竞争新焦点 应用材料强调，随着行业在AI计算领域持续突破极限，最重要的机遇正越来越多地集中于材料工程环节。 这一判断折射出半导体设备竞争格局的结构性转变——在光刻以外，沉积、蚀刻等前道工艺正成为制程能力分化的关键变量。 两款新系统能够同时覆盖逻辑与存储两大应用场景，有助于应用材料在GAA逻辑制程与高层数3D NAND这两条当前半导体行业最重要的技术路线上巩固其市场地位。

日本NAND闪存芯片制造商铠侠（Kioxia）已超越丰田汽车，首次登顶日本股市市值榜首，标志着日本资本市场的权重格局正在发生历史性转变——科技与半导体正在取代传统制造业，成为市场估值的新锚点。 6月12日，据《日本经济新闻》报道，铠侠控股（Kioxia Holdings）股价周三（6月10日）在东京证券交易所大涨8%， 市值突破44万亿日元（约合4175亿元人民币），正式超越丰田汽车。 市场预测显示，铠侠截至2027年3月财年的合并营业利润（IFRS口径）预计将达约7万亿日元，是上一财年的八倍，远超丰田自身制定的3万亿日元目标。这一盈利前景的巨大落差，是铠侠估值快速追赶并最终超越丰田的核心驱动力。 从第169名到市值第一：铠侠的跃升轨迹 铠侠的崛起速度令市场瞩目。去年6月，该公司在日本股市市值排名中仅位列第169位，而在短短约一年时间内，其股价大幅飙升，一举超越被视为日本制造业象征的丰田汽车。 这一跃升背后，是AI驱动的存储芯片需求爆发所带来的盈利预期重估。随着数据中心对处理AI计算的存储芯片需求持续激增，铠侠作为全球主要NAND闪存供应商之一，被市场视为直接受益者。 铠侠副总裁Yoshihiko Kawamura在6月2日举行的投资者说明会上表示： "我们预计将进入超级周期阶段。" 这一表态进一步强化了市场对其盈利爆发的信心。 为应对AI带来的需求增长，铠侠正在加速扩张产能与研发投入。 公司计划在2025年4月至2029年3月的四年间，累计投入2.1万亿日元用于资本支出和研发，以巩固其在NAND闪存领域的竞争地位。 这一投资规模体现了铠侠对AI存储需求长期性的判断，也意味着公司正将当前的盈利周期红利转化为未来的产能与技术壁垒。 铠侠股价的上涨得到日本主要券商的背书支撑。 SMBC日兴证券在6月10日发布的报告中，将铠侠目标价从4.8万日元大幅上调至12.6万日元，涨幅逾160%。野村证券亦将目标价从7.188万日元上调至11.5万日元，理由是截至2029年3月财年的盈利扩张能见度显著改善。 值得注意的是， 铠侠的强劲表现并非孤例，而是全球存储芯片行业景气上行的缩影。 随着AI计算对数据中心存储芯片的需求持续扩张，整个行业正呈现出明显的盈利改善趋势。

据韩国News1报道，当地时间6月12日上午9时50分，SK海力士清州园区4号楼M15X二楼气体室突发火灾。火情发生后，M15与M15X两座工厂内约3600名员工立即全部撤离。 火由现场作业人员自行扑灭。截至目前，当局确认无人员伤亡，也未发现气体泄漏。相关部门正在核查确切起火原因及疏散人数。 SK海力士方面表示：“事故似乎发生在进行气体相关作业期间。”公司同时说明，由于疏散员工尚未返岗，“生产设备是否受到影响目前仍在核查中”。 6月1日，清州工厂曾因气体泄漏起火 这不是SK海力士清州工厂第一次出事。11天前，6月1日上午10时32分，同一园区M15与M15X工厂之间连接区域六楼的气体室发生火灾。据路透社援引韩联社报道，火势在喷淋系统启动后迅速得到控制，但过程中部分氟气体外泄，造成6人受伤，伤者已被送往公司医院接受治疗。 那次事故同样触发了约3600名员工的紧急疏散。 SK海力士当时的发言人表示：“我们已立即完成全员疏散，火灾已被扑灭。将配合相关部门调查原因，同时向主管机构进行申报。”公司还补充称，设备运营未出现异常，生产未受中断，安全检查完成后员工将返回工作岗位。 M15与M15X是SK海力士在清州的核心芯片制造工厂。两次事故的起火点均为气体室——这是芯片制造中用于存储和输送特种工艺气体的关键区域。

SK海力士在HBM热潮带动下创下历史最高季度利润，正着手向供应链传导红利，这在半导体设备行业尚属罕见。 据韩国科技媒体ETNews周四报道，SK海力士近期已向多家设备一级供应商要求提交"价格调整审核材料"，即证明涨价合理性的支撑文件。 部分设备厂商趁势提出3%至4%的涨价要求。 SK海力士方面表示，将依据汇率、供应稳定性等客观采购原则决定最终价格。 此举引发业界对所谓"涓滴效应"的广泛期待——即大型半导体企业的丰厚利润能够逐步惠及上游合作伙伴。 值得关注的是，业内人士指出，比较常见的是原材料和零部件供应商因成本波动较大而进行涨价谈判，但连设备厂也提出涨价则较为少见，此次动向因此受到市场高度关注。 设备涨价何以罕见 设备供应商提出涨价之所以被视为异常，根源在于设备行业独特的成本结构。 原材料和零部件供应商的采购价与化学品、气体、晶圆、铜等原材料高度挂钩，此类成本通常占供货价格的30%至70%，且可随国际大宗商品价格直接联动，涨价逻辑清晰易证。 设备厂商则截然不同——其成本构成以固定费用、研发投入和技术积累为主，难以套用"原材料涨了所以要提价"的简单逻辑。行业惯例反而是反向操作：设备初次供货时价格最高，此后每次追加采购谈判，供货价往往被压低约10%。 一名设备行业人士表示，此轮半导体景气主要源于存储器短缺推动的销售端价格上涨，相当一部分材料、零部件及设备供应商的供货单价并未随之提升，"有些供应商的盈利能力反而有所恶化"。他还补充道，伊朗局势引发油价上涨、韩元持续走弱，都进一步加剧了成本压力，使涨价诉求愈发迫切。 超级周期强化供应商议价筹码 业内人士将此次设备厂商成功推动涨价的背景，归因于半导体超级周期下供应链话语权的结构性变化。 在产能扩张节奏加快的背景下，核心设备供应商的交货周期与响应能力，对芯片制造商的生产计划影响日益显著。 这意味着设备厂商的战略地位上升，对下游大厂而言，维护关键供应商的配合意愿已成为不可忽视的成本。 一级设备供应商中的A公司近期向SK海力士供货的价格已高于上年水平。该公司此前逾五年未曾获得任何价格上调，但据了解，今年的谈判进展相对顺利。 SK海力士业绩与外部压力 SK海力士拥有充裕的财务空间消化成本上升。今年第一季度，该公司实现营收52.5万亿韩元，营业利润37.6万亿韩元，营业利润率约72%，刷新单季历史纪录。市 场普遍预期，二季度营业利润将在旺季效应推动下进一步跃升至60万亿至64万亿韩元区间。 与此同时，外部因素或也在悄然施压。部分业内观察人士认为，此次SK海力士主动推进供货价上调，与近期韩国政界对大型半导体企业"共赢合作"的舆论压力不无关联 。据报道，韩国政府正在研究将三星电子半导体工厂引入湖南地区的方案，以此向大企业施加更直接的压力。 SK海力士官方表示，随着原材料采购负担加重，供应商的涨价请求持续增多，公司将依据汇率、供应稳定性等客观采购原则做出定价决策。

台积电下一代先进封装技术CoPoS的量产时间表与技术细节正逐步清晰。 知名分析师郭明錤最新研究指出，台积电CoPoS预计于2028年下半年进入量产阶段，目标是改善超大尺寸AI芯片封装的量产经济性，适用范围针对掩模尺寸超过9.5倍以上的封装需求。郭明錤同时点名，英伟达最新一代AI芯片Feynman有望成为CoPoS的首批采用者。 量产节点明确，英伟达Feynman或为首发 根据郭明錤的研究，CoPoS的量产节点定于2028年下半年，核心驱动力在于提升超大型AI芯片封装的量产经济性。当前AI算力芯片的封装尺寸持续扩大，突破单一掩模限制的超大封装方案对良率和成本的管控提出了更高要求，CoPoS正是针对这一痛点而设计。 在潜在客户层面，郭明錤指出英伟达Feynman芯片是CoPoS的可能首批用户。Feynman为英伟达规划中的下一代AI芯片，若时间节点吻合，将与CoPoS 2028年下半年的量产窗口形成对接。 玻璃基板结构解析：三层架构，与ABF共存 郭明錤在报告中详细描述了CoPoS中玻璃核心基板的结构。该基板以玻璃为核心层，上下两侧分别覆盖ABF增层（ABF-GCP），形成三层架构。玻璃的加工环节涉及TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）制作、铜填充及金属化等关键工艺，技术难度较高。 在材料规格方面，CoPoS在两处使用玻璃：一是尺寸为310×310毫米的临时玻璃载板；二是用于测试的250×250毫米玻璃面板，以及用于量产的510×515毫米玻璃面板，后者经加工后切割为玻璃核心基板。 澄清三大误读：玻璃不是中介层，不取代ABF 郭明錤专门就业界流传的三种技术误解作出纠正。 误解一：CoPoS使用玻璃中介层（glass interposer）。 郭明錤指出，玻璃在CoPoS中并非中介层，互连功能由芯片侧的RDL（再分布层）以及玻璃核心基板侧的TGV和ABF增层分别承担，两者共同完成互连，而非由玻璃中介层统一实现。 误解二：玻璃取代ABF。 郭明錤明确，玻璃与ABF在CoPoS的基板堆叠中共存，并非替代关系，上述三层架构即为佐证。 误解三：芯片直接置于玻璃上。 郭明錤澄清，芯片实际上是附着在玻璃核心基板的ABF增层表面，而非直接接触玻璃。 郭明錤认为，CoPoS将持续巩固台积电在先进封装领域的竞争优势，这一优势预计可维持至2032年前后，为台积电在AI芯片封装市场的长期地位提供支撑。