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  • 利扬芯片:逆周期布局测试产能致折旧费用增加 可预见四季度部分产品订单充足

    “在经历2022年至今的去泡沫、去库存等阶段,公司提前逆周期布局测试产能投入,有望迎接即将到来的回升周期,也使得折旧、摊销、人力、电力、厂房费用等固定费用及财务费用,较上年同期大幅增加。”在利扬芯片今日的业绩会上,公司董事、财务总监辜诗涛回答《科创板日报》记者提问如是称。 据利扬芯片发布的三季度财报,公司前三季度业绩总体保持增长,其中营收实现3.757亿元,同比增长11.53%,归母净利润为2901万元,同比增长13.06%。不过单季度来看,第三季度营收为1.315亿元,同比增长18.85%,环比下降5.31%;归母净利润为780.3万,同比下降35.31%,环比下降47.66%。 利扬芯片方面表示,芯片国产化趋势不断推进,芯片复杂性及集成度越来越高,为满足未来国内中高端测试市场需求,公司提前布局测试产能。 今年上半年,该公司通过商业银行贷款及融资租赁等融资方式扩充测试产能。而公司今年的可转债发审目前已收到审核中心意见落实函。 其中,上交所要求公司结合下游需求、产能扩张、在手订单,进一步说明今年以来的业绩情况,以及结合折旧说明是否会对可转债发行上市条件构成影响。 据了解,科创板可转债发行较主板更为宽松,比如对企业盈利能力、净资产收益率、可转债规模等没有明确要求。不过对于利润的规定仍有一定门槛,要求最近三年平均可分配利润足以支付公司债券一年的利息。 利扬芯片今日表示,目前可预见第四季度部分产品订单充足,不过第四季度业绩由多种因素影响。 今年三季度以来,华为旗舰新品发布,引爆市场对供应链及相关环节企业关注。据了解,利扬芯片具备手机卫星通信所需的基带芯片量产测试能力。公司今年9月曾表示,已为2家客户的基带芯片、射频芯片提供独家测试服务。不过华为并非其直接客户,相关客户也并未告知测试芯片是否用于华为Mate60系列。 关于卫星通信所需芯片测试业务的订单量,以及相关营收规模分别占总体的比例,今日的业绩会上,利扬芯片董事长黄江并未作出进一步回应。他表示,未来该项业务增长,将取决于终端市场普及推广速度。 近期公告显示,利扬芯片超过7000万股将会于11月13日解禁,合计占公司总股本的35.03%,持股的5名股东为公司实际控制人、董事长黄江,以及兄弟、妻子等一致行动人。 不过公司在日前发布的公告中,分别就上述限售股上市流通作出多项承诺,包括股票上市之日起三十六个月内不得转让、减持、回购等,对减持价格、数量等作出约定。

  • 适用于微芯片传感器等多领域!新材料强度高且易于大规模生产……

    荷兰代尔夫特理工大学的研究人员最近公布了一种非凡的新材料:非晶碳化硅(a-SiC),它有可能影响材料科学的世界。 据称,除了其卓越的强度,这种材料展示了在微芯片上隔离振动至关重要的机械性能。因此,非晶碳化硅特别适合制造超灵敏的微芯片传感器。最新研究成果已于近期发表在了《先进材料》(Advanced Materials)杂志上。 研究人员表示,潜在的应用范围是巨大的。从超灵敏的微芯片传感器和先进的太阳能电池,到开创性的太空探索和DNA测序技术。这种材料在强度和可扩展性方面的优势使它非常有前途。 项目牵头人、助理教授Richard Norte解释说:“可以把大多数材料想象成由排列成规则模式的原子组成,就像一个复杂的乐高塔。这些被称为‘晶体’材料,比如钻石。它有完美排列的碳原子,这就是它著名的硬度。” 而无定形材料类似于一组随机堆积的乐高积木,其中原子缺乏一致的排列。但与预期相反,这种随机性并不会导致脆弱性。事实上,非晶碳化硅就是从这种随机性中产生超常规强度的证明。 据悉,这种新材料的抗拉强度为10千兆帕斯卡(GPa)。为了理解这句话的意思,想象一下试图拉伸一段管道胶带,直到它断裂。Norte解释称,如果你想模拟相当于GPa的拉伸应力,你需要将大约10辆中型汽车端对端挂在这条胶带上才能拉断。 研究人员采用了一种创新的方法来测试这种材料的抗拉强度。传统的方法可能会由于材料的固定方式而导致不准确,他们转而采用微芯片技术。通过在硅衬底上生长非晶碳化硅薄膜并将其悬浮,他们利用纳米弦的几何形状来产生高张力。 通过制造许多这样的结构,增加拉伸力,研究人员仔细观察断裂点。这种基于微芯片的方法不仅确保了前所未有的精度,而且为未来的材料测试铺平了道路。 不过最终,使这种材料与众不同的是它的可扩展性。石墨烯是一种单层碳原子,以其令人印象深刻的强度而闻名,但大批量生产具有挑战性。钻石虽然非常坚硬,但不是在自然界中很罕见,就是合成成本很高。 但非晶碳化硅可以在晶片规模上生产。Norte总结道,“随着非晶碳化硅的出现,我们有望越过微芯片研究的门槛。”

  • 芯片过剩迎来尽头!格芯预计四季度利润好于预期 这几大市场需求尤其强劲

    在韩国三星电子和SK海力士两大存储芯片巨头相继释放市场回暖信号之后,美国最大的晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries Inc.)也带来了好消息:全球芯片行业过剩情况正在缓解,公司第四季度利润预计好于公司预期。 美东时间周二,格芯发布第三季度财报。财报显示,公司在今年第三季度净收入下降11%至18.5亿美元,但基本符合预期。同时,调整后的每股收益为55美分,超过了49美分的预期。 与此同时,更加振奋人心的是,公司还预计第四季度调整后每股利润将在53美分至64美分之间,高于分析师预期的52美分。 格芯首席执行官托马斯·考尔菲尔德(Thomas Caulfield)在声明中表示:“尽管全球经济和地缘政治格局仍然不确定,但我们正在与客户密切合作,支持他们降低库存水平的努力。” 他表示,这导致工厂目前的开工率不足,但这应该有助于缩短行业整体的衰退期。 格芯方面还强调,汽车、工业物联网、航空航天和国防等关键市场的芯片需求具有韧性。 出于对市场需求前景的信心,上个月,格芯刚刚宣布从美国政府获得3500万美元的资金,用于佛蒙特州的半导体制造工厂。该工厂将致力于大规模生产氮化镓芯片,用于航空航天和国防,蜂窝通信,工业物联网和汽车。 在这一财报的提振下,格芯公司股价周二收盘大涨超5%,创下近九个月来的最大涨幅。截至发稿,格芯盘后继续上涨超2.6%。同时,由于这一市场回暖信号,恩智浦半导体、AMD、博通和英特尔等其他半导体股票的股价也跟随格芯一起上涨。 事实上,格芯并非行业内第一家释放回暖市场回暖信号的公司。 近日,三星电子和SK海力士均在财报会上证实,公司第三季度利润回暖。此前,英特尔和AMD也均表示,个人电脑市场正在复苏,而个人电脑市场是半导体制造商的主要收入来源。 行业分析师认为,这一信号表明存储行业已经如预期的那样触底反弹。

  • 存储芯片行业已达拐点!行业人士:明年厂商料继续压制产量 有望提振价格

    全球最大的两家内存芯片制造商近期的业绩电话会议似乎传达了一个信号,该行业的疲软需求可能终于触底。 三星电子第三季的营业利润比第二季度增长了262.6%。在此之前,一季度的营业利润比前一季度下降了85.15%,二季度的营业利润比一季度小幅提高了4.68%。 SK海力士在季度报告中表示,动态随机存储器(DRAM)部门在今年前两个季度出现亏损后,第三季度恢复了盈利。 这两家韩国公司是全球最大的两家DRAM芯片制造商,美国的美光公司位列第三。DRAM这种内存芯片主要用于笔记本电脑和智能手机等消费设备中。 道尔顿投资公司(Dalton Investments)的高级研究分析师James Lim对此表示,“ 内存芯片价格回升的一大推动力是全行业的供应减少 ,从而导致库存下降。” Lim还指出,“ 个人电脑和移动客户的库存似乎已经大幅下降 ,极低的内存价格往往会促使下游企业补充库存、或者为每台设备增加内存容量。” 市场复苏 疫情结束以来,芯片制造商一直在通过减产来减少过剩的库存,也压低了内存芯片的价格。三星在上周的报告中表示,“随着全行业减产,越来越多的人意识到行业已经触底,我们收到了许多采购意向。” 金融服务公司晨星(Morningstar)的研究主管Kazunori Ito表示,“财报电话会议证实, 存储行业已经如预期的那样触底反弹 。” Ito在一份报告中指出,“三星的DRAM平均销售价格已上涨了个位数,这是三星八个季度以来首次涨价,而SK海力士的平均销售价格上涨了10%。” 晨星公司补充道,三星的股票“被低估了”,SK海力士的股票则“比我们的公允价值估计高出18%-20%”,并且晨星公司预计其他芯片制造商也前景强劲。 此前,全球最大的代工芯片制造商台积电的业绩超出了分析师的预期,并预测芯片行业最糟糕的时期可能很快就会过去。 总部位于美国的高通公司也对当前季度给出了强劲的预测,指出芯片市场将复苏。 继续维持产能 晨星公司的Ito也补充道,“ 尽管库存水平在2023年年中见顶,但目前仍处于高位 ,尤其是NAND闪存芯片。” NAND是另一种重要的存储芯片,通常与个人电脑、服务器和智能手机中的DRAM一起使用。 他认为,“ 内存供应商预计将继续维持较低的产能利用率,并对明年增加产能持谨慎态度 ,由于供应仍有限, 这应有利于内存价格 。" TrendForce公司则表示,预计内存供应商将继续“在2024年缩减DRAM和NAND闪存的产量”。同时,该公司还预测,到2024年,DRAM和NAND闪存的需求将分别增长13%和16%。

  • 先进封装瓶颈在设备?交期超8个月 台积电无奈改造设备扩产CoWoS

    据台湾经济日报援引研究报告称, 由于CoWoS设备交期依旧长达8个月,台积电本月开始改装设备,启动整合扇出型封装(InFO)改机 ,预计此举可将CoWoS月产能提升至1.5万片,优于市场共识的1.2万片。 展望明年CoWoS产能状况,届时台积电CoWoS年产能有望倍增,其中英伟达在其CoWoS总产能中占比约40%,AMD占比约8%。与此同时,英伟达也同步增加布局非台积电供应链(联电、日月光、Amkor等)的CoWoS产能,今年四季度放量。分析师预计,明年台积电以外的CoWoS供应链有望增加20%产能。 英伟达将于明年上半年推出H200架构,明年下半年推出B100架构。 分析师预期, 从B100架构开始,英伟达将采用Chiplet技术,对台积电先进封装将采用CoWoS-L技术 。且不止一家机构评估显示,B100架构可能采用台积电4nm制程,或将采用结合2颗GPU晶粒(Die)和8颗HBM。此外,CoWoS-L封装在硅中介层加进主动元件LSI层,提升芯片设计及封装弹性,可支援更多颗HBM堆叠。 此前台积电总裁魏哲家曾指出,因为客户需求紧急,到2024年台积电CoWoS产能开出规模有望翻倍,预估到2025年,台积电会持续扩充CoWoS封装产能。 魏哲家还补充称, 客户要求增加先进封装产能,并非因为半导体先进制程价格(高)的问题,而是客户更有提升系统性能的需求,包括传输速度、降低功耗等因素 。 总体而言,先进封装的出现,让业界看到了通过封装技术推动芯片高密度集成、性能提升、 体积微型化和成本下降的巨大潜力,先进封装技术正成为集成电路产业发展的新引擎。 根据Yole预测,2014年先进封装占全球封装市场的份额约为39%,2022年占比达到47%,预计2025年占比将接近于50%。在先进封装市场中,2.5D/3D封装增速最快,2021-2027年CAGR达14.34%,增量主要由AI、HPC、HBM等应用驱动。 落实到具体产业链环节上,开源证券强调,先进封装设备投资额约占产线总投资的87%。 相较传统封装,先进封装对固晶机、研磨设备精度要求更高,对测试机的需求量增多,同时因为多了凸点制造、RDL、TSV等工艺,产生包括光刻设备、刻蚀设备、深孔金属化电镀设备、薄膜沉积设备、回流焊设备等在内的新需求 。 A股中,先进封装产业链厂商包括: (1)封装测试 :长电科技、 通富微电、甬矽电子、晶方科技,伟测科技; (2)先进封装材料 :方邦股份、华正新材、兴森科技、强力新材、飞凯材料、德邦科技、南亚新材、沃格光电; (3)封装测试设备 :长川科技、华峰测控、金海通、文一科技、芯碁微装、新益昌等。

  • 龙芯中科:四季度政策性市场部分回暖 董事长直面“销售不力”质疑

    “华为是整机企业可以比作IBM,海光与曙光也形成了事实上的IBM模式。龙芯与之商业模式不同,龙芯可以比作Intel。”在今日的龙芯中科业绩会上,公司董事长胡伟武对公司业务模式介绍称,龙芯主要做生态,而“他们做产品,这是主要不同”。 受过去一段时期政策性市场停滞,龙芯中科三季度业绩表现差强人意。三季报显示,今年前三季度实现营业收入3.943亿元,同比减少18.49%;归母净利润为-2.069亿元,同比下降383.24%。单季度来看,龙芯第三季度营收为8642万元,较今年二季度环比下降54.47%;归母净利润为-1.031亿,环比降幅为226.24%。 “感觉2023四季度政务类政策性市场部分回暖。我自己对2024/2025年预期不变。”胡伟武如是称。他还表示,“龙芯把信创作为走向开放市场路上的驿站和试错场景,最终将面向开放市场和海外市场”。 在业绩会上,龙芯新产品发布进展和节奏受到投资者最多关注。据了解,龙芯中科将会在11月28日国家会议中心,发布基于国产自主指令集龙架构研发的龙芯3A6000 CPU芯片及龙芯2P0500打印机专用芯片,届时十几家整机/ODM企业将发布其整机产品。 在先进工艺研发方面,龙芯称已经开展对新工艺的评估, 2024年将研制相关IP并开展测试片研制 。胡伟武表示, 7nm先进工艺对未来3A7000 CPU产品提升,目前看还应该可以提高20%-30%性能 。 据介绍,7nm流片费用较高,一次需花费上亿元,不能用该工艺试错,用已有工艺完成结构试错后再改到更先进工艺。在新工艺上,还需研制DDR5 PHY、PCIE PHY、各类寄存器堆、锁相环等IP。 龙芯服务器类芯片过去并未在算力市场发展中,有效撑起公司业绩成长。胡伟武在业绩会上称,由于过去龙芯只有4核,几乎没有服务器市场。 不过随着3C5000和3D5000的推出,今年龙芯服务器有很大进步,胡伟武表示,相信6000系列出来后,会有更大进步——3D6000、3E6000和3C6000推出时间(间隔)不会超过半年 。 据介绍, 龙芯服务器类应用芯片16核3C6000已经基本完成设计,将于近期交付流片 ;32核3D6000和64核3E6000分别用Chiplet技术封装两个和四个3C6000硅片形成。“3C6000比3C5000通用处理性能、IO性能、片间互联性能均大幅提高,成本有所降低,目前应该在特定的开放市场有一定竞争力。” 此外,胡伟武透露, 龙芯显卡产品9A1000对标AMD RX550,同时支持科学计算加速和AI加速,计划在2024年Q3流片 。 龙芯中科称将会在11月底发布会上,正式对外进行龙架构授权及龙芯IP授权,并会与使用龙芯IP及架构的开放授权客户签约。 此前在龙芯架构是否会考虑开源的问题上,胡伟武称,开源是松耦合的结构,不容易形成合力,效率比较低。“基于这个考虑,我们会做架构授权加上IP授权。”据介绍,现在其已经有不少客户在用龙芯架构的IP做芯片。 “开源与兼容是一个矛盾,Linux没打败Windows、OpenCL在Cuda面前输得一塌糊涂,主要是参与者没有形成合力。”胡伟武在业绩会上进一步表示:“我们正在找到一条既开源又兼容的路径,使得大量基于龙架构做芯片的人软件是兼容的。” 在今日业绩会上,多名投资者质疑龙芯中科相关销售人员工作不力,称对自家产品不熟,有的地区销售甚至已经消失了很长时间。 胡伟武对此并没有“护短”,回应称“龙芯的销售需要改进的地方挺多的,正在改进中。但我要求销售要有底线”。 同时他也对公司面临的一些行业共性问题称,理论上,龙芯主要面向整机企业,在整机企业积极性不足的情况下直接推动一些用户单位。过去确实存在对计算机产业链不熟悉的情况,过去一年多已经有较大进步,从整机、渠道、应用单位三个环节完善产业链。龙芯发展的主要矛盾还是产品能否满足市场需求的矛盾,主要体现在系统性价比和软件生态。

  • 又便宜又省电 佳能新纳米压印技术能否打破ASML垄断格局?

    日本佳能公司在纳米压印技术上的突破,有望成为芯片光刻机老大荷兰ASML的挑战者,这对小型半导体制造商来说尤其值得期待。 佳能首席执行官Fujio Mitarai最近表示,该公司的纳米压印设备价格将比ASML的光刻机少一位数,但目前还未决定其最终定价。与此同时,佳能机器所需要的功耗仅为光刻机的十分之一。 据此前消息,ASML的新旗舰光刻机价值约4亿美元,近人民币27亿元。其功耗则可能飙升至两百万瓦,比当前光刻机的额定耗电量还要高出一倍。 在拥有全球最多光刻机的台积电,80台功耗一百万瓦的光刻机已让台积电能源消耗占到全台湾地区的12.5%,若其引入更新的下一代光刻机,台积电的耗电量将更加恐怖。 佳能新设备的上市无疑能够打破由少数现金充裕的头部公司垄断芯片制造的局面,小公司或许不再需要通过代工厂商来进行芯片生产,这对促进芯片竞争有着极为关键的作用。 无法取代,另辟战场 88岁的Mitarai指出,纳米压印技术不太可能超越ASML的光刻机,但其将创造新的机会和需求,已经有很多客户提出采购意向。 纳米压印是一种微纳加工技术,它采用传统机械模具微复型原理,能够代替传统且复杂的光学光刻技术。简单而言,像盖章一样造芯片,把栅极长度只有几纳米的电路刻在印章上,再将印章盖在橡皮泥上,得到与印章相反的图案,经过脱模就能够得到一颗芯片,这里的橡皮泥是指纳米压印胶,印章即模板。 近十年来,佳能一直与大日本印刷公司和存储芯片制造商Kioxia Holdings合作开发纳米压印技术。与通过反射光工作的极紫外光刻(EUV)技术不同,纳米压印技术将电路图直接压印到晶圆上,且因其不使用镜头,可以用比现有曝光工艺更低的成本实现精细化生产芯片。 不过,纳米压印虽然仍能衔接先进的生产工艺要求,但在速度上较光刻机逊色不少。因此,ASML光刻机仍是当今世界先进的芯片制造机器,也是批量生产快速、节能芯片的首选设备。 佳能机器更像是为小型芯片生产商提供的选择,同时也能让台积电和三星电子等大型代工商更容易生产小批量芯片,从而节约成本。 据悉,佳能正在建设自己的第一家纳米压印设备工厂,预计将在2025年上线。自今年年初以来,佳能股价已经累计上涨了27%,而另一家竞争对手尼康股价也上涨了24%,但该公司的光刻机设备竞争力远不及ASML。

  • 由英特尔主导的x86架构个人笔记本电脑(PC)市场正迎来一批强劲竞争对手。10月31日的苹果发布会上,采用ARM架构芯片的苹果M3系列炸场,三款新品(M3、M3 Pro和M3 Max)均采用3纳米工艺技术,使用全新的GPU架构,被称为“苹果个人电脑芯片的新王者”。苹果表示,所有M3系列芯片均可为笔记本电脑提供长达22小时的电池续航时间。 苹果新品有望推动PC买气回温的同时,英特尔、联想集团和爱奇艺于同一日在北京召开发布会共同签署合作备忘录,宣布在AI PC领域展开深度合作。此前联想创新科技大会上,联想集团董事长兼CEO杨元庆表示,AI PC将在明年9月份左右正式上市销售,初期定位是高端市场,量不会很大,占比不会超过行业总销量的10%。他同时强调,目前PC去库存管理已经基本结束,今年第四季度开始PC市场将会实现增长,明年全年都有望保持个位数的增长。 纵观PC领域,不光是苹果在M系列上精进,美国芯片公司高通10月25日发布基于ARM架构的PC芯片“骁龙XElite”,外界认为,高通此举将对凭借x86架构垄断PC处理器市场三十余年的英特尔造成冲击。值得一提的是,高通CEO安蒙曾在去年三季报的电话会上表示过,预计2024年骁龙Windows PC将出现拐点。 事实上,微软早在2016年就与高通签订独家协议,让Windows操作系统能在ARM架构的处理器上运行,业内称之为“Windows on ARM”,此外微软于10月17日宣布一项名为“ARM 咨询服务”的计划,以帮助开发者开发基于 ARM 的应用程序。有消息人士表示,微软之所以借助高通以对抗苹果,是微软高管已经观察到苹果基于ARM的芯片(包括人工智能处理)的效率,并希望获得类似的性能;高通需要微软则是希望在手机芯片外发展出更有增长空间的新业务,两者各取所需。 但不同于微软与英特尔在过去有“Wintel”之称的联盟,业内人士分析,微软不想再依赖英特尔,也不想依赖任何单一供应商,如果未来ARM在PC芯片领域起飞,微软也不会让高通成为唯一供应商。微软与高通的独家协议将于2024年到期,届时微软会鼓励其他芯片厂商加入,当中就包括已在筹备的英伟达和AMD。 眼下ARM力量的不断崛起可能会撼动英特尔长期主导的个人电脑行业,不过ARM架构能在多大程度上挑战x86架构的统治地位,业内坦言这绝非一日之功。Counterpoint预计到2027年,Arm架构芯片在PC市场的份额将为25.3%,较2022年增长近一倍;x86架构的总体份额将下滑至74.4%,其中英特尔的份额下滑至60%,但依然将保持大比例领先。 ▌国产ARM芯片困在ARM划的圈子里:一边被RISC-V蚕食市场份额 一边遭龙芯、x86架构“围追堵截” 近年来ARM架构快速发展,业内认为一方面是凭借低功耗优势搭上了智能手机的发展快车道,另一方面是低门槛属性吸引了国产厂商的蜂拥入场。据财联社不完全统计,在ARM架构领域有所布局的A股上市公司包括全志科技、蜂助手、润和软件、华勤技术、中化岩土和亿道信息等,具体如下: 国产ARM市场的竞争日益白热化,但业内分析,大部分厂商的产品方案都是基于ARM核来展开的,这也让国产ARM厂商不可阻挡地被迫卷入同质化的巨坑。以MCU领域为例,采用ARM的Cortex-M系列内核的国内厂商达90%以上。虽然有些厂商也开始自研一些核心技术,但无法完全摆脱对ARM的依赖,如苹果、高通、华为、联发科等知名厂商的移动芯片多数采用ARM的架构,仅在某些方面进行了定制和优化。 除了深陷同质化内卷“漩涡”,目前ARM发展最大的不确定性是“去ARM化”趋势的发展。在X86和ARM传统垄断架构存在不授权或不供应等风险的大背景下,作为精简指令集代表的RISC-V,凭借免费开源且更加独立的优势,备受企业追捧,多家海外大厂包括高通、苹果、英特尔等持续布局RISC-V架构。业内分析在未来不再是ARM和X86架构的市场份额平分局面,相反RISC-V架构会进来三分天下,并且会在未来侵占更多的ARM市场份额。 在异军突起的RISC-V架构逐步蚕食ARM市场之际,龙芯架构、x86架构也在围追堵截ARM,其中X86架构不断向移动领域扩展,试图抢占ARM架构的市场份额。ARM尚未攻下X86护城河,身后伏兵却已至。 编辑:若宇

  • 存储芯片涨价“来势汹汹”。本周另有内存供应链消息人士透露,存储业界排队采购热度不减,DRAM和NAND现货价格仍在上涨。 二级市场方面,存储芯片概念股本周反复活跃。国内最大的独立DRAM内存芯片封测企业深科技周二一字涨停,拥有存储器件测试设备产品的精智达当日盘中20CM涨停,江波龙高开超7%。拥有存储芯片产品的盈方微和拥有嵌入式存储等产品的大为股份周三和周四盘中均录得涨停,专业研发生产闪存应用及移动存储产品的朗科科技周五收盘20cm涨停。 当前市场普遍预期“存储芯片拐点已至”。全球存储芯片巨头三星三季报净利润超预期,存储业务亏损持续缩窄,同时预计存储市场有望复苏,预计2024年DRAM需求将增加。另一龙头SK海力士在第三季度的亏损也比上一季度大幅缩小,DRAM部门重新恢复了盈利。市场调研机构Yole Intelligence更新后的存储芯片市场的监测数据报告,存储芯片市场乐观估计将从今年第四季度开始回暖。 A股存储芯片概念股众生相:龙头不惧业绩利空股价不跌反涨 行业复苏前景仍存分歧 招商证券周铮等人在10月23日研报中表示,国内存储芯片企业主要包括兆易创新、北京君正、澜起科技、普冉股份和聚辰股份等。存储芯片市场基本面拐点将至二级市场闻风而动,市场对相关企业的业绩表示期待。不过相较海外大厂三季度业绩已现边际好转,A股存储芯片上市公司业绩还未出现明显改善,对于四季度及明年行业预期也非一边倒看多。 行业龙头三季报乏善可陈 股价却“利空出尽变利好”? 总市值超700亿元的兆易创新10月24日披露三季报,Q3净利润9769.39万元,同比下降82.71%,环比亦下滑近五成(47.45%)。公司表示,芯片产品市场需求下降,产品价格相较去年下降,导致尽管公司产品销量有所增加,营业收入仍同比下降;DRAM产品规划将以自研产品为主,本报告期经销产品销售收入大幅减少。 值得注意的是,公告次日兆易创新盘初大幅下杀一度跌超5.5%但随后迅速拉回,股价最终仅仅收跌1.26%,且随后四个交易日内累计最大涨幅接近20%。另外,其他存储芯片头部企业中,三季度净亏损环比扩大的东芯股份在业绩公告披露次日股价盘中涨超4%;北京君正10月25日公告第三季度净利润1.46亿元,同比下降33.74%。公告次日股价低开高走迅速翻红,且随后5个交易日内累计最大涨幅超15%。 东海证券9月6日研报显示,兆易创新、北京君正、东芯股份2022年存储芯片营收分别为48.26亿元、40.55亿元和8.63亿元。前两者存储芯片业务营收占比接近七成;东芯股份NAND和DRAM营收占比合计接近七成。 本轮存储芯片行情中,受市场热捧的万润科技自8月迄今股价累计最大涨幅已翻倍,年初以来累计最大涨幅为282%。另一牛股好上好自8月迄今股价累计最大涨幅约130%。 据万润科技三季报显示,三季度净利润同比增长581.35%,环比大增1345.81%。公告显示,除Led等主业增长拉动外,报告期内公司工业级等SSD、嵌入式存储产品,部分产品已完成试产并获得一定订单,但占营业收入的比重还比较小(1-9 月实现营业收入约 2200万元),营收规模起量还需要一定时间。好上好三季度净利润3935万元,同比环比分别增长41%和192%。公司上半年芯片定制业务营收占比仅0.0091%。 上市即将满10个月存储芯片新贵佰维存储年内股价累计最大涨幅居存储芯片板块第一,但自6月高点迄今累计最大回调超过五成。根据日前公司上市后的首份三季报来看,前三季度净利巨亏约4.84亿元,同比盈转亏。刚上市就现“业绩变脸”,佰维存储称主要是受存储芯片整体行业景气度影响。数据显示,佰维存储存储产品业务营收占比约92%。 相关A股上市公司对行业未来前景并非一边倒看多 对四季度和明年存储芯片市场行情,佰维存储9月底接受机构调研时表示,当前行业正在回暖复苏中,上游原厂逐步提高晶圆及颗粒售价。另外,江波龙10月中旬在机构调研中表示,在原厂减产效应的影响下,晶圆价格上涨的趋势已经形成,产业链上下游对于本轮价格调整基本达成一致,但后续的涨价幅度与涨价频率,取决于下游终端需求能否形成持续支撑,需要持续关注宏观经济复苏情况。 不过,也有部分上市公司对于存储芯片复苏行情呈较悲观态度。据媒体报道,朗科科技证券部人士表示,存储芯片此次上涨主要是因为上游的晶圆厂在减产,暂未了解到下游的需求大幅增加这种情况。普冉股份相关人士表示,确实看到下游消费需求在持续温和复苏,出货量也在持续改善,但目前产品价格依然处于磨底阶段。 华为、苹果新机“点火”存储芯片细分产品“涨”声分化 一众A股上市公司已提前布局 存储芯片市场中DRAM和FLASH被看作最为主要的产品。据东海证券研报显示, DRAM具有较高读写速度、存储时间短等优势,但单位成本更高,主要用于PC内存(如DDR)、手机内存(如LPDDR)和服务器等设备等。FLASH可分为NOR和NAND两种,NAND数据密度大,体积小,成本较低,NAND FLASH被广泛用于SSD、eMMC等高端大容量产品,NOR FLASH则主要用于智能穿戴、汽车电子等领域。 因存储市场非常庞大且细分,当前价格上涨带来的反应处于分化之中。据研究机构TrendForce近期报告,自第四季起DRAM与NAND Flash均价开始全面上涨,预计DRAM第四季度合约价将止跌回升,涨幅为3-8%;NAND Flash第四季合约价有望全面起涨,涨幅约8-13%。 从三星、SK海力士等大厂旗下具体产品情况进一步来看,据称三星本季将NAND Flash芯片报价调涨10%至20%之后,已决定明年一季度与二季度逐季调涨报价20%,远超业界预期。芯世相10月26日公众号文章《存储涨价,苦日子真的要过去了?》就曾表示,8-9月NAND Flash价格率先开始反弹,三星eMMC和大容量在合约市场涨约30%-40%;SK海力士Q3连续亏损的NAND业务也跟随市况出现好转的迹象。与此同时,随NAND行情持续升温,9月底开始, DRAM行情也开始回暖。据悉,三星今年上半年全球DRAM市场的份额为41.9%,创下了近9年的历史新低。 叠加9月华为带着Mate系列新机归来,苹果iPhone 15系列新机发布,各大终端厂商也相继推出新品,PC、智能手机等终端电子装置搭载容量的大幅成长趋势也成为下半年以来有效去化库存的关键。根据TrendForce进一步预测,NAND Flash中手机相关零组件如eMMC四季度合约价涨幅约10~15%。DRAM产品中,据业内人士表示LPDDR(主要用于便携设备)已经涨得都拿不到货。 A股存储芯片上市公司中,江波龙的eMMC及UFS产品在全球市场占有率为6.5%,全球第六,国内第一;佰维存储的eMMC及UFS全球市占率2.4%,全球第八,国内第二。这两家公司的主要供应商都包括美光。 另外,万润科技和博敏电子10月相继在互动平台披露旗下拥有eMMC相关存储产品。前者称子公司万润半导体主要从事存储器的研发生产销售,已推出面向手机、平板等移动终端的嵌入式eMMC5.1产品MM100。博敏电子介绍,去年在江苏博敏二期建立了首条IC载板试产线,该产品线达产后产能约1万平米/月,产品主要应用于数据存储等领域,其中EMMC、MEMS、DRAM等存储类产品已配合多家封测类客户进入小批量生产阶段,SD/microSD等产品送样认证中。 LPDDR细分领域中,兆易创新、江波龙、北京君正、东芯股份、大为股份、中京电子等一众上市公司均有所布局。根据前述公司公开披露的信息显示,兆易创新DRAM芯片研发及产业化项目为研发1Xnm级工艺制程下的DRAM技术,设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。江波龙在LPDDR5相关领域已有部分产品实现量产。北京君正DDR4和LPDDR4均已量产销售,并在持续市场推广中。中京电子IC载板广泛应用于各类数字与模拟芯片封装,其中存储器占有较大市场份额,主要包括eMMC、NAND Flash、LPDDR等。东芯股份DRAM产品主要包括标准的DDR3(L)产品以及低功耗的LPDDR系列产品。大为股份DRAM业务方面已经拥有业内较为完善的DDR及LPDDR产品线。 编辑:俞琪

  • 编者按: 方正证券发布研报指出,机器学习及AI相关应用对数据处理能力提出了更高的要求,催生高带宽需求,先进封装实现超越摩尔定律,助力芯片集成度的进一步提高。先进封装市场格局呈现出明显的马太效应,Fab/IDM厂和OSAT错位竞争。先进封装技术趋势在于提高I/O数量及传输速率,以实现芯片间的高速互联。 研报摘要如下: 高带宽需求推动先进封测占领市场。 机器学习及AI相关应用对数据处理能力提出了更高的要求,催生高带宽需求,先进封装实现超越摩尔定律,助力芯片集成度的进一步提高。根据Yole,2014年先进封装占全球封装市场的份额约为39%,2022年占比达到47%,预计2025年占比将接近于50%。在先进封装市场中,2.5D/3D封装增速最快,2021-2027年CAGR达14.34%,增量主要由AI、HPC、HBM等应用驱动。 先进封装市场格局呈现出明显的马太效应,Fab/IDM厂和OSAT错位竞争。 2016年先进封装市场CR5占比48%,2021年提升至76%,强者恒强。Fab/IDM厂和OSAT厂各自发挥自身优势,Fab/IDM厂凭借前道制造优势和硅加工经验,主攻2.5D或3D封装技术,而OSAT厂商则聚焦于后道技术,倒装封装仍是其主要产品。封测技术主要指标为凸点间距(Bump Pitch),凸点间距越小,封装集成度越高,难度越大。从凸点间距来看,台积电3D Fabric技术平台下的3D SoIC、InFO、CoWoS均居于前列,其中3D SoIC的凸点间距最小可达6um,居于所有封装技术首位。 先进封装技术趋势在于提高I/O数量及传输速率,以实现芯片间的高速互联。 1)键合技术:为满足高集成度芯片封装需求,混合键合成为趋势。混合键合技术可以实现10um以内的凸点间距,而目前的倒装技术回流焊技术最小可实现40-50um左右的凸点间距。 2)RDL:RDL重布线是晶圆级封装的核心技术。RDL将芯片内部电路接点重新布局,形成面阵列排布,实现芯片之间的紧密连接。目前,封测厂主要采用电镀法来制造RDL,而大马士革法则可以满足低L/S的要求。 3)TSV:2.5D/3D封装的关键工艺。2.5D/3D封装中通过中介层连接多个芯片,TSV则是连接中介层上下表面电气信号的通道。 4)临时键合/解键合:随着圆级封装向大尺寸、三维堆叠和轻薄化的方向发展,临时键合/解键合工艺成为一种新的解决方案,用于超薄晶圆支撑与保护。 国产供应链梳理: 1)封测厂:积极布局先进封装技术,产品+客户双线推进。建议关注长电科技、通富微电、甬矽电子。 2)封测设备:国产替代走向深水区,后道设备新品进度喜人。建议关注拓荆科技、芯源微、华海清科、新益昌、中微公司、盛美上海。 3)封测材料:国产化空间巨大,技术壁垒高企,叠加长验证周期铸就优质竞争格局。建议关注兴森科技、天承科技、华海诚科。 风险提示:下游需求复苏不及预期;行业竞争加剧;中美贸易摩擦加剧。

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