SK海力士正寻求分散高带宽内存关键组件的供应链，将英特尔纳入代工体系，以降低成本并提升议价能力。 据韩国《先驱经济》报道，SK海力士计划最早从第七代高带宽内存HBM4E起，将此前全部委托台积电生产的基础芯片（Base Die）部分转交英特尔代工，构建多供应商体系。此举旨在打破对台积电的单一依赖，同时在长期供应合同框架下缓解持续攀升的原材料成本压力。 这一调整对HBM供应链格局具有直接影响。基础芯片是HBM结构中位于最底层的控制器芯片，负责连接GPU、CPU等外部处理器与HBM之间的高速数据接口，其技术规格与成本直接影响整体产品竞争力。若英特尔正式进入该供应链，将打破台积电在这一关键环节的垄断地位。 英特尔美股盘前上涨1.7%。 成本压力是核心驱动力 基础芯片的原材料成本是SK海力士推动供应商多元化的直接诱因。据业内人士透露，在现已量产的HBM4中，台积电采用12纳米级工艺生产的基础芯片，成本比SK海力士自身以1b（10纳米级第五代）工艺制造的核心芯片（Core Die）高出3至4倍。 进入HBM4E世代后，基础芯片的成本负担预计将进一步加重。由于HBM产品中长期供应合同（LTA）占比较高，代工成本的上涨难以即时转嫁至终端产品售价，这使得SK海力士在成本管控上面临较大压力。引入英特尔作为第二供应商，有助于通过竞争机制压低采购价格，并增强供应稳定性。 战略布局：从单一依赖走向多元生态 此次供应链调整背后，亦有更深层的战略考量。随着HBM4世代起"定制化HBM"需求日益凸显——即根据不同客户AI加速器的架构与性能需求，对基础芯片进行差异化设计——SK海力士需要具备与更广泛AI芯片厂商合作的灵活性。 若过度依赖单一代工厂，将在一定程度上制约其服务多元客户的能力。通过构建多供应商体系，SK海力士可在不同客户需求与不同代工工艺之间灵活调配，从而在竞争日趋激烈的AI芯片供应链中占据更主动的位置。 合作范围或延伸至先进封装领域 据报道，SK海力士与英特尔的潜在合作范围可能不止于基础芯片生产，还涉及先进封装技术。SK海力士美洲封装工程副总裁이재식在美国硅谷举办的高性能半导体与计算架构会议"Hot Chips"上表示，公司正在对台积电的CoWoS-S、CoWoS-L以及英特尔的EMIB等主流先进封装方案进行比较分析与测试。 这意味着，英特尔的EMIB封装技术已进入SK海力士的技术评估视野，双方合作的边界或将随技术路线图的推进而进一步拓展。 对此，SK海力士方面回应称，"有关公司技术路线图的相关内容难以确认"，并表示"部分内容与事实不符"，未予正面证实。

韩日半导体产业合作正在升温，SK海力士加码全球扩产，日本或成新布局落点。 8月31日，据彭博， SK集团会长崔泰源表示，SK海力士正在评估多个合作建厂地点，日本是其中一个选项。 公司目前正“全面考察日本各地”，寻找电力和水资源条件良好的地区，但尚未确定具体选址，也未透露潜在合作伙伴及拟生产产品。 此次布局正值AI带动存储芯片需求持续增长之际。SK海力士已在韩国规划约54万亿韩元的产能投资，并于上周在美国印第安纳州为先进存储封装设施举行奠基仪式。若日本项目落地，将进一步完善其全球产能网络。 合作模式未定，合资建厂只是选项之一 目前，SK海力士在日本的具体投资形式仍未确定。 据报道援引知情人士透露， 公司正在评估共同投资、成立合资企业等多种方案，也不排除收购一家日本公司的可能性。 最终选择将取决于合作伙伴以及拟生产的产品类型。 日本对于SK海力士的吸引力，不仅在于电力、水资源等建厂条件，也在于当地较为成熟的半导体产业链。 SK海力士在日本拥有包括东京电子、Namics在内的供应商，客户则涵盖索尼等企业。 此外，SK海力士与日本存储产业早有联系。公司目前通过间接方式持有铠侠股份，SK海力士CEO郭鲁正上周也表示，公司正在“审慎研究如何与客户和供应商共同开发NAND闪存市场”。 这意味着，若日本建厂计划推进，SK海力士不仅可以获得新增产能，也有望进一步加强与日本客户及供应商的合作。 AI需求爆发，SK海力士加速全球扩产 AI热潮正推动HBM和NAND闪存需求持续增长。SK海力士的HBM产品被英伟达等AI芯片厂商广泛采用，其NAND业务也受益于大型科技公司持续扩建数据中心。 在韩国、美国之外探索新的生产基地，也有助于SK海力士分散供应链风险、贴近海外客户。与此同时，日本正积极吸引国际半导体企业投资扩产，为SK海力士赴日布局提供了政策和产业链基础。 崔泰源表示，韩国和日本正携手构建“经济共同体”，两国“不仅可以合作，更可以相互补充”。

8月28日，源杰科技交出了一份颇为亮眼的半年报。 2026年上半年，公司实现营业收入9.25亿元，同比增长351.40%；归属于上市公司股东的净利润6.07亿元，同比增长1212.20%；扣除非经常性损益后的归母净利润5.14亿元，同比增长1033.70%。 营收、利润均实现数倍增长，盈利弹性尤为突出。 业绩爆发的核心并非传统电信业务，而是数据中心业务的快速放量。 报告期内，公司数据中心业务收入达到7.74亿元，同比增长640.29%，占总收入已超过八成；同期电信市场收入1.48亿元，同比增长48.63%。 随着AI算力基础设施持续扩张，800G光模块规模出货、1.6T光模块开始大规模放量，源杰科技的CW大功率激光器芯片和EML产品迎来需求跃升。 更值得关注的是，收入高速增长的同时，公司盈利能力也出现明显跃升。上半年营业成本仅同比增长72.58%，远低于收入351.40%的增速，推动整体毛利率显著提升。按公司披露的产品收入及成本分解计算，数据中心类产品毛利率约83.7%，明显高于电信市场类产品约62.2%，而数据中心收入占比的快速提升，正成为利润率改善的关键。 现金流同样出现明显改善。 上半年公司经营活动产生的现金流量净额达到4.88亿元，同比增长729.67% ；销售商品、提供劳务收到的现金达到7.90亿元。与此同时，公司还出现1.54亿元合同负债，较年初大幅增加，显示部分客户预付款结算对现金流形成支撑。不过，应收账款也升至5.78亿元，且前五大客户占应收账款及合同资产的71.47%，随着业务规模快速扩张，回款和客户集中度仍值得关注。 数据中心收入暴增640%，AI成为最大增长引擎 从业务结构看，源杰科技正在发生一次明显的收入重心切换。 2026年上半年，公司电信市场业务收入1.48亿元，同比增长48.63%；数据中心业务收入7.74亿元，同比增长640.29%。 以此计算，数据中心业务已经贡献公司约83.7%的收入，成为绝对的第一大收入来源。 这背后的产业逻辑相当清晰： AI算力需求持续增长，云厂商和AI企业不断增加基础设施资本开支，高速光模块需求随之上升，并进一步传导至上游激光器芯片。 公司在半年报中指出，2026年上半年800G光模块持续大规模出货，1.6T光模块开始大规模放量；与此同时，硅光方案在1.6T高速光模块中的渗透率持续提升，明显拉动CW激光器芯片需求，CPO、NPO等共封装光互联技术也在持续推进。 产品端，源杰科技的放量主要集中在大功率CW和EML两条产品线上。 其中，CW 70mW、100mW激光器芯片已经实现批量出货，是当前数据中心业务的主要产品；100G EML也开始批量出货。公司表示，随着客户拓展推进，相关产品未来仍将逐步提升出货规模。 这意味着，源杰科技正在从过去以电信市场为主，进一步转向“电信+数通”双轮驱动，而AI数据中心正在成为业绩增长的核心抓手。 电信业务稳中有升，25G/50G PON打开新空间 与数据中心业务的爆发式增长相比，传统电信业务表现更加平稳，但产品结构正在改善。 报告期内，公司在2.5G、10G DFB产品基础上进一步推广10G EML，同时面向下一代25G/50G PON网络的激光器芯片已经实现批量交付并形成规模收入。公司称，相关产品技术指标对标国际厂商，EML已经成为电信市场的重要收入组成部分。 从行业趋势看，10G PON和5G建设逐步进入成熟阶段，传统电信市场需求增速有所放缓。公司因此提前布局25G/50G PON，并与海内外设备商共同推进产品开发，目前已经实现批量发货。 尤其是50G PON正在从标准制定阶段走向商用部署，国内运营商陆续启动相关设备集采，产业链国产化程度也在提升。对于源杰科技而言，这意味着传统电信业务虽然不再承担主要增长任务，但仍有望通过产品升级维持稳定增长，并为公司提供第二增长曲线。 收入暴增背后，毛利率成为利润弹性关键 源杰科技这份半年报最值得拆解的地方，并不只是收入增长了3.5倍，而是 收入增长与毛利率提升同时发生 。 上半年公司营业收入9.25亿元，同比增长351.40%；营业成本仅增长72.58%至1.81亿元。由此计算，公司整体毛利率约为80.4%，较上年同期约48.8%提升超过31个百分点。 从产品结构来看，数据中心业务的高毛利特征尤为突出。公司披露的产品收入及成本数据显示，电信市场类产品收入14.84亿元、成本5.61亿元；数据中心类产品收入75.94亿元、成本12.38亿元。按该口径计算，前者毛利率约62%，后者约84%。 因此， 利润的爆发并不是单纯依赖“卖得更多”，而是来自高毛利数据中心产品占比快速提升+规模效应释放。 公司也明确表示，随着数据中心业务收入占比提升，公司毛利率同比大幅提高，同时经营规模扩大导致期间费用率下降，共同推动整体利润水平显著提升。 费用端同样体现出规模效应：上半年销售费用2.82亿元，同比增长158.75%；管理费用4.06亿元，同比增长178.28%；研发费用4.26亿元，同比增长59.28%。虽然销售、管理费用增速不低，但明显低于收入增速。 最终，公司上半年归母净利润达到6.07亿元，净利率超过65%，基本每股收益4.89元，加权平均净资产收益率22.10%，较上年同期提升19.90个百分点。 扣非净利仍增逾10倍，投资收益影响有限但需拆开看 值得注意的是，这份业绩并非主要靠投资收益“撑起来”。 上半年公司投资收益达到9222.11万元，占利润总额的13.27%，主要来自通过私募基金间接参与股权投资后，被投企业估值提升形成的收益。该部分被公司计入非经常性损益。 报告期内，公司非经常性损益合计9262.91万元；扣除这部分影响后，归母净利润仍达到5.14亿元，同比增长1033.70%。 换言之，即使剔除投资收益等因素，主营业务本身仍然实现了极高的利润增长。 这也是此次业绩质量较为突出的地方：投资收益确实贡献了一部分利润增量，但真正决定业绩弹性的，仍然是数据中心业务的收入增长和高毛利产品放量。 经营现金流增逾7倍，但应收账款同步攀升 现金流方面，公司上半年经营活动现金流净额达到4.88亿元，同比增长729.67%，增幅甚至高于净利润增速。 销售商品、提供劳务收到的现金为7.90亿元，同比增长超过4倍，公司表示主要受业务规模快速增长、客户回款顺畅以及客户预付款结算金额提升等因素推动。 合同负债的变化也值得关注。截至6月底，公司合同负债达到1.54亿元，而年初仅186.17万元，半年增加约1.52亿元，公司解释为预收合同款项增加。 不过，随着收入规模快速膨胀，应收账款也明显增加。截至6月底，公司应收账款账面余额5.78亿元，较年初2.81亿元增长约106%。其中一年以内应收账款达到5.71亿元，占绝大部分。 与此同时，前五大客户应收账款及合同资产合计4.13亿元，占相关余额的71.47%，其中最大客户占比30.75%。 业务快速增长带来应收账款同步增加并不意外，但客户集中度较高意味着后续仍需要观察大客户订单、回款节奏以及信用风险变化。

受益于AI基础设施投资持续扩张，澜起科技2026年上半年盈利大幅增长，多项核心财务指标刷新历史纪录，并推出半年度现金分红方案。 澜起科技披露的2026年半年度报告显示， 公司上半年实现营业收入33.35亿元，同比增长26.7%；归属于上市公司股东的净利润19.97亿元，同比增长72.3%。扣除非经常性损益后净利润为13.22亿元，同比增长21.2%。 就单季度而言， 2026年第二季度营业收入18.75亿元，环比增长28.3%，归母净利润11.50亿元，环比增长35.7%，营收与净利润均创单季度历史新高。 净利润增速远超营收增速，主要源于三重驱动：产品结构升级推动互连类芯片毛利率同比提升约5个百分点至69.3%；投资收益及公允价值变动收益合计6.82亿元，同比大幅增长；以及期内完成出售XConn公司股权所带来的4.56亿元相关收益。值得注意的是，人民币对美元升值导致汇兑损失达1.74亿元，对报告期利润形成一定拖累。公司拟每10股派发现金红利2元（含税），合计拟派发现金红利约2.42亿元。 内存互连业务稳固龙头，DDR5迭代领跑行业 内存互连芯片是澜起科技的核心业务支柱。公司凭借全球市场份额约36.8%（据弗若斯特沙利文2024年数据）的领先地位，持续巩固在DDR5世代的竞争优势。 报告期内，公司DDR5 RCD芯片的第三、第四子代产品合计出货占比突破50%，第五子代开始规模出货，产品迭代进度在业界保持领先。2026年6月，公司成功向客户送样支持数据速率高达9200MT/s的DDR5第六子代RCD芯片，技术积累进一步凸显。 高带宽内存方面，公司作为全球仅有的两家DDR5第一子代MRCD/MDB芯片供应商之一，第二子代产品（支持速率12800MT/s）已于报告期内规模试用。此外，适用于PC端高速内存模组的CKD芯片持续出货，新一代支持9200MT/s速率的产品已于2025年推出，AI PC渗透率提升有望进一步拉动该产品需求。 PCIe/CXL互连产品矩阵持续扩张，AI服务器需求拉动出货增长 PCIeRetimer芯片是公司增长最快的新兴业务之一。 报告期内该芯片出货量显著增长，公司已是全球主要供货PCIe5.0 Retimer芯片的两家厂商之一，全球市场份额约10.9%（2024年）。典型8卡GPU AI服务器的PCIe Retimer用量约为8至24颗，AI服务器出货量持续攀升直接驱动该产品需求上行。 2026年1月，公司发布PCIe 6.x/CXL 3.x Retimer芯片及AEC解决方案；PCIe7.0 Retimer芯片的工程样片流片预计于今年内完成；PCIe Switch芯片研发同步推进，工程样片流片亦计划于年内完成，落地后将与PCIe Retimer芯片形成产品协同。 在CXL互连领域，公司已于2026年7月率先试产CXL3.2 MXC芯片，并成功导入三星电子、SK海力士等主要内存模组厂商的下一代CXL产品。目前主流云服务提供商正陆续推出搭载CXL内存池化方案的测试样机，商业化落地进程加速。 研发持续加码，H股上市拓宽资本版图 公司持续加大研发投入。报告期内研发费用4.53亿元，同比增长26.9%，占营收比例维持在13.6%。截至2026年6月末，研发人员604人，占总人数约74%，其中硕士及以上学历占比约65%。 报告期内主要研发成果包括：成功送样DDR5第六子代RCD芯片，完成第三子代MRCD/MDB芯片工程样片流片，启动DDR6第一子代内存互连产品预研；完成PCIe 6.x/CXL 3.x Retimer及CXL 3.x MXC芯片量产版本流片。高速以太网PHY Retimer芯片的工程样片流片亦被列为下半年重点研发计划。 资本层面，公司于2026年2月完成H股在香港联合交易所主板上市，股票代码6809.HK，募集资金显著增厚了公司资产规模——期末总资产达231.8亿元，较上年末增长68.6%；货币资金余额151.1亿元，资产负债率仅为7.5%，财务结构稳健。公司同期首度入选富时A50指数成分股，国际资本关注度提升。

存储芯片龙头长鑫科技上半年业绩实现大幅跃升。财报显示， 2026年上半年，公司实现营业收入1503.10亿元，较上年同期的154.38亿元增长873.64%；归属于上市公司股东的净利润达到776.05亿元，而上年同期为亏损23.32亿元，公司业绩实现大幅扭亏。 盈利质量同样值得关注。报告期内，公司扣除非经常性损益后的净利润为787.93亿元，高于归母净利润，显示利润主要来自主营业务。加权平均净资产收益率达到81.06%，较上年同期的负值实现显著改善，盈利能力快速提升。 现金流表现也较为强劲。 上半年，公司经营活动产生的现金流量净额达到1311.56亿元，同比大幅增长 ，与净利润规模基本匹配。基本每股收益为1.2893元，上年同期为亏损0.0412元，随着业绩扭亏，公司每股盈利能力同步改善。 资产规模快速扩张，净资产半年翻倍 截至2026年6月末，长鑫科技总资产达到4680.78亿元，较上年末的3367.85亿元增长38.98%，半年增加逾1300亿元。 与此同时，公司归属于上市公司股东的净资产从上年末的567.54亿元增至1347.22亿元，增长137.38%，半年内实现翻倍。 净资产的大幅增长，一方面来自报告期内利润的快速积累，另一方面也与公司资本运作及融资扩股等因素有关。 资产和权益规模同步扩张，也为公司后续产能建设和研发投入提供了更大的资金空间。 股东结构较为集中，产业资本持续参与 从股东结构来看，长鑫科技股权集中度较高。截至报告期末，公司共有60名股东，前十大股东合计持股超过70%。 其中，合肥清辉集电持股21.67%，为第一大股东；合肥长鑫集成电路持股11.71%，位列第二；国家集成电路产业投资基金二期持股8.73%；安徽省投资集团控股持股7.91%。 与此同时，产业资本也出现在公司前十大股东名单中。浙江阿里巴巴云计算有限公司持股3.85%，位列第六大股东；兆易创新持股1.80%。 产业资本与金融资本的参与，体现出长鑫科技在国内存储产业链中的重要地位。 从亏损到盈利，业绩大幅改善背后的三重驱动 长鑫科技上半年业绩实现大幅扭亏，背后既有自身产能和技术能力提升，也受益于存储行业景气度改善。 首先，产能释放与良率提升带动规模效应显现。 存储芯片制造具有较高的固定成本和资本投入，产能利用率、良率以及产品结构的变化都会对利润产生较大影响。随着公司产能持续释放、制造工艺不断成熟，规模效应有望进一步改善单位成本和盈利能力。 其次，存储芯片行业景气度明显回升。 经历此前的库存调整后，全球存储市场逐步进入复苏阶段，DRAM等主要存储产品价格回升，行业供需关系改善。对于长鑫科技而言，产品价格和出货规模的改善能够直接放大业绩弹性。 第三，国产化带来持续的需求支撑。 在全球半导体供应链重构背景下，国内终端客户对本土存储产品的需求持续提升。长鑫科技依托本土供应链和客户资源，在国内存储市场具备一定的竞争优势，国产化需求也为公司产能扩张和产品放量提供了支撑。 LPDDR6已送样，12800Mbps峰值速率加速量产 产品端，长鑫科技自主研发的LPDDR6芯片也取得新进展。 公司公告显示，其LPDDR6产品通过架构创新及数据传输优化技术，进一步释放数据传输潜力，峰值速率达到12800Mbps，最高容量16GB。 目前，该产品已向关键客户送样验证，并正在加速推进量产。 这意味着，随着新一代存储产品持续迭代，长鑫科技有望进一步向高性能、低功耗等高附加值应用市场拓展。 展望2026年下半年，长鑫科技预计全球DRAM产品供给紧缺格局仍将延续 。公司表示，将持续关注宏观经济波动、地缘政治等外部因素，同时围绕全年业绩增长目标、新应用场景拓展、重点项目落地及产学研融合等方向推进，持续提升运营效率，加快产品迭代和技术创新，进一步强化核心竞争力和市场影响力。

国内服务器龙头浪潮信息交出一份亮眼的中期成绩单，净利润同比近乎翻四倍，标志着国内AI算力基础设施投资浪潮正深度转化为头部供应商的盈利能力。 根据公司发布的2026年半年度报告， 浪潮信息上半年归属于上市公司股东的净利润达29.52亿元，同比增长269.59%；营业收入843.79亿元，同比增长5.22%。 收入增速温和，但利润规模的跃升表明公司产品结构与盈利质量发生了实质性改善。 从每股收益来看，基本每股收益由上年同期的0.54元升至2.01元，增幅达270.53%；加权平均净资产收益率从3.96%大幅跃升至12.74%，提升8.78个百分点，盈利效率显著增强。这一组合数据对持仓投资者而言具有直接参考意义——公司已从低利润率的硬件组装模式向更高价值的产品结构迁移。 盈利质量扎实，扣非净利润同步大幅增长 净利润的高速增长并非依赖非经常性损益的拉动。报告期内，扣除非经常性损益后的净利润为24.19亿元，同比增长260.08%，与整体净利润增速高度匹配，显示盈利改善具备较强的可持续性。 总资产方面，报告期末达1090.91亿元，较上年末增长30.19%；归属于上市公司股东的净资产为245.34亿元，同比增长12.75%。资产规模快速扩张，反映公司在业务扩张期持续加大资源投入。 值得关注的是，经营活动产生的现金流量净额为-74.93亿元，较上年同期的-55.76亿元进一步下探，降幅34.39%。这一现象在服务器制造企业快速扩张阶段较为常见，通常与备货周期拉长及应收账款规模扩大有关，但也是投资者需要持续跟踪的风险指标。 资产负债率上升，债券融资持续扩充 随着业务规模扩张，公司财务杠杆水平有所提升。报告期末资产负债率升至77.20%，较上年末的73.64%提高约3.56个百分点，偿债压力有所加大。 与此同时，公司债券融资保持活跃。截至报告期末，公司存续债券包括2024年发行的绿色中期票据（余额15亿元，利率2.2%）、2025年发行的科技创新债券（余额10亿元，利率1.95%），以及2026年上半年新发的两期科技创新债券（各10亿元，利率分别为1.76%和1.85%），合计存续债券规模达45亿元。 EBITDA利息保障倍数由上年同期的4.1倍大幅提升至13.45倍，表明尽管负债规模上升，但经营利润对债务利息的覆盖能力已显著增强，短期偿债风险可控。 股权结构稳定，机构投资者持仓集中 股权结构方面，控股股东浪潮集团有限公司持股比例为32.12%，持有4.72亿股，报告期内控股股东及实际控制人均未发生变更，公司治理架构保持稳定。 前十大股东中，除浪潮集团外，香港中央结算有限公司持股2.48%，其余席位均由国内基金及保险资金占据，包括兴业收益增强债券基金、永安财险传统保险产品、华商信用增强债券基金、中国人寿传统保险产品等。这一持股结构显示，公司已获得国内主流机构投资者的广泛配置。 报告期末，公司普通股股东总数为324,671户。公司同时公告，上半年不派发现金红利，不送红股，不以公积金转增股本。

近期，铠侠（Kioxia）联合SanDisk公布截至2033财年的5万亿日元扩产计划，瑞银（UBS）在8月28日发布的最新研报中认为，此举释放的关键信号是：铠侠具备扩产能力，但无意立即执行——这将成为其在NAND长协（LTA）谈判中对超大规模云厂商的核心筹码。 当前，AI模型上下文长度的持续扩展正驱动推理侧NAND需求快速增长，且没有放缓迹象。 瑞银判断，2027年NAND供需将较2026年进一步收紧，超大规模客户在长协谈判中将是更可能让步的一方，铠侠有望据此锁定有利条款。 5万亿日元怎么花 5万亿日元总投资中，铠侠出资60%，SanDisk出资40%。1.8万亿日元明确投向K3新工厂，土地平整已启动，计划2030财年投产；其余3.2万亿日元的目标厂区尚未披露。 投资节奏分两阶段。2027-2029财年，三年合计维持此前公布的1.4万亿日元不变，年均约4500-5000亿日元，但部分原定2029财年的支出将提前至2027和2028财年；2030-2033财年，年投资额可能大幅升至约1.25万亿日元。 瑞银测算，上述投资可为332层BiCS10世代新增月产能20-22万片，为4xx层世代新增18-20万片。以2028财年末月产能35万片为基准，投资全部到位后有望恢复至55万片，市场份额下滑风险较低。铠侠同时将bit growth预期从约20%小幅上调至20%出头。 为什么说是"谈判王牌" 超大规模客户在长协谈判中自然希望铠侠提前扩产以保障供应。但铠侠最新公告的姿态恰恰相反：扩产能力和规划都摆上了台面，投产时间表却不急。 在供给偏紧的格局下，产能"按兵不动"让主动权向供给侧倾斜。瑞银据此判断，铠侠有望以有利条款达成长协——超大规模客户要想锁定未来的NAND产能，就需要在价格和合约期限上做出让步。

英特尔14A（1.4纳米级）制程的缺陷密度下降速度超出公司预期，创下22纳米以来最佳表现。CFO David Zinsner在德意志银行2026年科技大会上称，"自22nm以来从未见过这样的表现"。 14A计划2027年下半年风险量产，2028年进入大规模量产。距投产尚有约两年，客户端已出现实质性变化：英特尔内部设计团队开始在14A上开发产品，外部代工客户从评估技术数据转向询问产能分配。 对标22纳米：好消息与三重限定 "14A的缺陷密度优于我们设定的目标曲线，缺陷下降速度也优于此前任何节点。自22纳米以来，我们没见过这种表现——而22纳米可以说是英特尔推出过的最好制程之一。"Zinsner在会上表示。 22纳米是英特尔首个FinFET制程，推出时领先全行业——竞争对手直到2014至2015年的14/16纳米节点才跟进。Ivy Bridge处理器2012年上市后大获成功，22纳米为英特尔CPU产线服务至2016年，之后继续用于其他产品线。 但Zinsner的比较有严格边界。他对标的是14A在距量产约两年时的缺陷下降轨迹，与22纳米在约2010年同期阶段的表现，而非两代工艺绝对缺陷水平的直接比较。同时，16年间晶圆检测设备的进步已改变了"缺陷"的计量口径，而缺陷密度本身也不直接等同于良率。 14A的工艺复杂度让这组数据更有看头：第二代环栅（GAA）RibbonFET晶体管、第二代背面供电PowerDirect、High-NA EUV光刻，技术难度远超22纳米。在这样的工艺组合下仍能快速压低缺陷密度，放在英特尔近年的制程记录中格外突出——此前，14纳米因良率不足推迟一年，初代10纳米失败，20A取消，18A量产时缺陷仍偏高，Intel 4和Intel 3几乎未公开过进展。 客户：从"看数据"到"要产能" Zinsner透露，英特尔内部设计团队已在14A上开发产品。他称这群内部客户"大概是所有人里最挑剔的"，"他们选择在14A上设计产品，对我们也是很大的信心提振。" 外部代工客户的态度也在发生质变。据Zinsner介绍，CEO陈立武和团队目前每周与客户会面，"客户已从看数据，转向了'我能拿到多少产能？供应节奏怎么安排？'我们现在对14A的外部客户也有了确信（conviction）。" 14A距大规模量产仍有约两年。英特尔方面表示，该节点有望像22纳米一样，成为一个长寿制程。

AI芯片的强劲需求正在重塑全球晶圆代工市场的定价格局。在三星电子率先上调代工服务价格后，市场预期行业龙头台积电将全面跟进， 计划对其所有制程节点实施10%至15%的涨价 ，这标志着头部芯片制造商正步入利润率持续扩张的新周期。 产能紧缺是推动本轮涨价的直接催化剂。 据TrendForce与野村证券报告指出，台积电已于今年年中与客户完成新一轮价格谈判， 针对下半年供不应求的特定3纳米（N3）制程实施了最高15%的涨价 。最迟至2027年初，台积电还计划在此基础上， 对N2、N3与N5等先进制程进一步上调5%至10%的价格 。 涨价预期迅速传导至资本市场，促使华尔街机构大幅上调台积电的估值。花旗、美国银行及麦格理等机构纷纷上调台积电目标价，最高看至4200元新台币。机构普遍认为，AI刚性需求与定价权的提升，将直接增厚台积电及相关供应链的长期盈利表现。 这一轮定价权的回归始于三星。 华尔街见闻文章此前写道，据路透社消息，三星已于7月对其4纳米和5纳米制程的代工价格上调10%至15%，成熟的8纳米制程价格也上涨近10%。受台积电产能溢出效应影响，三星长期亏损的代工业务迎来了重要转折。 产能告急，台积电全面上调代工报价 台积电先进制程产能目前已处于满载状态。市场数据显示，其N2与N3制程芯片几乎被苹果与英伟达全数预订。为应对2027年初推出的新一代Nova Lake桌面处理器需求，竞争对手英特尔除使用自家18A制程外，也将扩大向台积电采购N2X制程芯片，进一步加剧了产能紧张的局面。 在先进产能供不应求的背景下，台积电的涨价策略正向全线产品蔓延。 据市场调研报告，除了N3制程的显著提价外，连续三年未作调整的N12、N16、N28等成熟制程芯片也将一并补涨，最高涨幅上看10%。这意味着台积电自今年下半年起，将逐步且全面地调涨旗下所有代工芯片价格。 花旗证券报告认为，受惠于全球科技巨头对AI芯片的强劲拉货，台积电先进制程产能利用率将维持高位。 特别是N2与N3芯片的刚性需求，将支撑其代工价格到2027年稳定走高 。据悉，台积电N2每片晶圆的起售价已高达30000美元，较N3享有10%至20%的溢价。 资本支出创新高，华尔街大幅上调盈利预期 为拉大与三星及英特尔的技术与规模差距，台积电正在加速扩产。 里昂证券报告指出，台积电2027年资本支出预估将达800亿美元，2028年将扩大至900亿美元。今年，台积电资本支出已上调至520亿至560亿美元的历史新高，并于7月宣布加码美国投资至2650亿美元，计划在亚利桑那州建置多座晶圆厂及先进封装厂。 强劲的定价能力与产能扩张促使外资大行一致看好其获利前景。美银、高盛与花旗等对台积电2026年至2028年的每股收益（EPS）达成普遍共识，预计2026年将突破100元新台币大关，2028年挑战170至200元新台币。 各家机构给出的评级均为“买入”或“优于大盘”，目标价中枢在3700至3800元新台币之间。 资本市场的乐观情绪也延伸至产业链。尽管台积电股价近期受美股费城半导体指数回撤影响，一度跌至2375元新台币，但机构认为，在营收连续创历史新高及全面调价10%至15%的预期下，当前是逢低建仓的良机。 与此同时，台积电的扩产计划已带动半导体设备、材料及无尘室等供应链企业今年前7个月营收实现双位数增长，行业整体能见度已延伸至2027年之后。 三星打响涨价第一枪，先进与成熟制程同步上调 华尔街见闻文章写道，据路透社报道，三星电子已于7月对部分先进制程代工服务的新订单实施提价，最高涨幅达15%。 具体而言，4纳米制程（SF4）芯片对中国大陆及美国客户的涨幅为10%至15%，5纳米SF5制程晶圆价格同样上涨10%至15%，8纳米制程价格亦上涨近10%。 从市场格局来看， 三星此次提价具有重要的信号意义。 根据研究机构Counterpoint数据，2026年第一季度，台积电在全球代工收入中的市场份额约为73%，三星约为7%，中芯国际约为5%。三星代工部门自2022年以来持续亏损，长期未能有效缩小与台积电的差距。 华尔街见闻文章写道，三星代工业务的客户阵容正在快速壮大，进一步夯实了其提价底气。特斯拉和苹果去年相继与三星签署芯片制造协议；今年7月，三星宣布与博通达成AI芯片生产合作；英伟达CEO黄仁勋则在今年3月表示，三星将为其新款AI推理处理器提供代工服务。此外，谷歌目前也在与三星就使用SF4制程生产芯片进行谈判。 三星预计，先进制程将占今年代工收入的逾半数，AI及高性能计算应用的占比将超过30%，高于2025年底的15%至20%。三星位于韩国平泽工厂的SF4生产线自去年底以来一直满负荷运转，为高通等客户生产逻辑芯片，同时也为三星自身的多层高带宽内存（HBM）芯片生产基础芯片。

SK海力士首席执行官郭鲁正对全球存储芯片市场作出长周期乐观判断，为半导体行业的持续景气提供了有力背书。 当地时间8月27日，郭鲁正在美国印第安纳州西拉法叶市普渡大学举行的AI存储先进封装生产基地奠基仪式后召开记者会，明确表示存储芯片供应短缺局面将延续至2030年底。他同时指出， 即便届时出现下行周期，需求也不会急剧萎缩，"2030年之后也无需担忧"。 郭鲁正强调，目前市场尚未出现下行的明显信号，且AI驱动的需求结构正从标准化产品向定制化产品转型，这将从根本上改变过去供需失衡的周期性规律，使未来即便出现下行，供给过剩的冲击也将远小于历史水平。 短缺周期或延续至2030年底 郭鲁正在被问及存储供应短缺将持续多久时表示，"没有人能确切知道短缺期会持续多长时间，但目前看不到下行的明显信号，我们预计短缺局面将持续到2030年底。" 这是SK海力士高层迄今对本轮存储上行周期作出的最为明确的时间预判。郭鲁正同时表示，"下一次下行将与过去数十年我们所经历的有所不同"，暗示本轮周期的结构性支撑较以往更为稳固。 AI定制化需求重塑供需结构 郭鲁正将上述判断的核心逻辑归结于AI需求的结构性变化。他指出， AI业务模式正推动存储产品从100%标准化产品向部分定制化乃至完全定制化产品转型。 这意味着供给将更紧密地与具体需求挂钩，从而在结构上压缩供给过剩的空间。郭鲁正表示，"即便下行到来，需求也不会急剧减少，更可能是有所放缓或维持在计划水平"，并以此为由表示对2030年之后的市场前景同样不感到忧虑。 在被问及是否有在美国进一步扩大半导体生产设施投资的计划时，郭鲁正表示，"只要有地方能提供充足的电力、资金和补贴等资源，我们对任何地点都持开放态度。"