二维半导体企业原集微科技（上海）有限公司（下称“原集微”）日前宣布连续完成数千万元种子及Pre-天使轮融资，由中科创星、复容投资孵化并连续投资，司南园科等机构共同出资。 据介绍，融资资金将用于原集微科技快速推进产业化。 就在不久前，原集微科技二维半导体工程化验证示范工艺线在上海启动，这也是首条全国产二维半导体集成电路工程化示范线。 得益于国内半导体产业链条及配套生态的日趋成熟、完善，二维半导体尽管是一项行业前沿性技术，但以原集微的项目为例，正快速从实验室技术突破到工艺线建设再到融资，奔向产业化跟商业化应用。同时，借由此次原集微二维半导体中试线启动，摆在二维半导体商业化畅想面前的众多工程化难点，有待逐个突破解决。 另外，对于现有硅基半导体产业链及工艺体系而言，二维半导体技术短期内不足以对其形成完全颠覆，据业内人士称，相反会在材料、设备、晶圆制造、先进封装等全产业环节当中催生更多市场需求。 复旦博导创业 原集微已推出二维半导体材料芯片 行业对二维半导体的定义是一种新型的材料及器件结构。 据复旦大学光电研究院院长褚君浩表示，当硅基芯片制程逼近2纳米时，已经达到三维体半导体材料的物理极限，而二维半导体（如二硫化钼、二硒化钨、铋氧硒）能够凭借晶圆级原子层厚度的“平面高速公路”结构，具有短沟道尺度下的天然强栅控能力，并能大幅简化工艺。这是由于每层材料都只有三个原子层厚度，在三维竖向上可以省去大量微纳加工流程。 原集微创始人包文中在二维半导体工程化验证示范工艺线启动仪式上表示， 二维半导体是先进制程的最佳选择，由于二维材料具有原子级光滑的表面，将为芯片先进制程赋予了新的技术路径。因此未来或可降低对先进EUV的依赖 。 据包文中介绍，复旦大学团队已经在二维集成电路领域取得了重要进展，并完成了从材料优化、工艺制造、器件建模、电路设计，再到流片和测试的全流程工艺积累。 而刚刚创立的原集微公司，与复旦大学完成了过千万的技术转化协议，后续将全力以赴进行工程化和以产品为导向的研发。 据了解，目前原集微成功推出首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器“无极”，实现从材料、架构到流片的全链条自主研发。 按照规划，原集微计划在2026年底前在这条工程化验证工艺线上，实现和硅基材料的异质集成；到2029年，有望实现全球首款二维材料芯片的量产，用于低功耗边缘算力等场景。 台积电、英特尔等大厂盯上二维半导体 二维半导体不只是被复旦团队看好，事实上已经成为行业公认的创新技术路线，并在学术界、产业界被广泛研究。 全球半导体巨头如台积电、三星、英特尔等已将二维半导体列为3-5纳米节点后硅基替代方案，欧洲微电子中心（IMEC）更将其明确为1纳米及以下节点的重要材料体系。 在学界，北京大学、上海交通大学、南京大学等我国高校团队均在二维半导体材料器件方面的研究上有所进展。 在2023年，北京大学电子学院彭练矛院士、邱晨光研究员团队研发出弹道二维硒化铟（InSe）晶体管，这是当时世界上速度最快、能耗最低的二维半导体晶体管，其实际性能超过英特尔商用最先进的硅基晶体管。 同年，南京大学集成电路学院王欣然教授团队通过设计-工艺协同优化，开发出空气隔墙晶体管结构，大幅降低寄生电容，在国际上首次实现了GHz频率的二维半导体环形振荡器电路，并预测了二维半导体应用于1nm节点集成电路的潜力与技术路径。 一名国产半导体设备高管对二维半导体发展进程较为乐观，其表示，对比硅基半导体的发展，从人类发现硅材料的应用前景到做出第一个晶体管，再到做出第一个集成电路，前后用了将近100年，而二维半导体从2004年行业发现石墨烯为代表的材料，再到晶体管、芯片的制造，只花了13年。 “二维半导体技术的发展不会是线性的，一定是加速发展的。” 商业化落地仍有难点 将催生产业链更多市场需求 不过，更多摆在二维半导体商业化畅想面前的，还有需要借由此次二维半导体中试线跨越的一道道难关。 半导体业内有“一代工艺、一代设备”的说法。 有头部的半导体设备厂商负责人表示，总的来说，在后端的互联、接触、填充等环节上，大部分的硅基设备都可以直接复用，但在前道的工艺上用二维半导体代替硅基，就有很大的差别。因此之后一定会产生很多适用二维材料的新设备来支撑产业化发展，包括二维半导体材料的生产、掺杂、刻蚀制图等工艺。 据原集微团队的统计，二维半导体产线能够复用现有半导体设备的比例大约在70%，原集微已经根据二维半导体工艺需求，与设备商合作定制设计了一整套设备，并已完成设备调试。 在封装环节，以先进封装为例，也是推动二维半导体落地的关键技术之一。 由于二维半导体材料仅有“原子级厚度”，业内人士称，制造跟封装过程中保证产品完整性的同时实现性能稳定，将会是一个很大难点。其次，二维半导体材料与硅基材料在有效衔接的问题上，需要新的界面工艺，另外在散热管理和电气互联技术方面也都需要一系列创新。“此次原集微二维半导体工程化验证示范工艺线在对应一些解决工程化难点上，相信将会对行业发展有很大的帮助。” 另外，即使打通材料跟芯片生产的产业化流程，二维半导体最终落地也需更多杀手锏级的产品。 据介绍，二维半导体材料由于其自身的原子级超薄厚度和天然钝化的完美界面，与传统体硅和SOI等CMOS工艺相比，更适合DRAM/FLASH存储器以及超短沟道先进工艺，并用于存储、逻辑、算力领域。 有行业人士认为， 二维半导体产业初期可能还是会面向芯片设计复杂度不高，但对能耗比需求较高、对价格不敏感的AIoT领域，如物联网、传感器、柔性电子等产品中，后续再向存算一体等架构的大算力芯片设计开发迁移。

市调机构集邦科技表示，三星持续减少DDR4供应，预期DDR4供不应求情况可能延续到今年第3季度，随着DDR4价格上涨，将加速用户升级至DDR5。据集邦科技调查，DDR4现货价大幅扬升，6月以来DDR4 8Gb颗粒现货均价自2.73美元，攀高至4.28美元，上涨逾5成；DDR4 16Gb颗粒现货均价自6.1美元，扬升至9.5美元，涨幅也达5成以上。 根据CFM闪存市场报道，现货旧制程DRAM资源供应缺货涨价延续，存储厂商针对渠道内存条、行业内存条及LPDDR4X等产品现货价格坚定持报涨态度。甬兴证券研报称，受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 德明利 主营业务及技术布局主要集中于通用型存储芯片及解决方案的研发与产业化，包括但不限于DDR、LPDDR、SSD等产品方向。 好上好 目前销售的存储芯片主要有晶豪、复旦微、聚辰、兆易创新、江波龙、Renesas-Adesto、芯天下、得一微等企业的DRAM、eMMC、FLASH等存储器。

据报道，苹果硬件技术高管在一次私下讲话中提到，苹果有意利用生成式人工智能来帮助其加快定制芯片的设计。 苹果硬件技术高级副总裁约翰尼·斯鲁吉（Johny Srouji）在比利时接受比利时微电子研究中心（IMEC）颁发的奖项时发表了上述讲话。IMEC是一家独立的半导体研发集团，与世界上大多数最大的芯片制造商都有密切合作。 在一份演讲录音中，Srouji概述了苹果在定制芯片方面的发展，从2010年iPhone的首款A4芯片到Mac台式电脑和Vision Pro耳机上使用的最新芯片。他还提到，苹果从中学到的一个关键教训是，它需要使用最先进的工具来设计芯片。 Srouji称，电子设计自动化（EDA）公司，例如业内最大的两家Cadence Design Systems和Synopsys都在将AI技术引入他们的设计工具，这对苹果而言非常重要，因为这些工具将帮助苹果管理复杂的芯片设计。 Srouji指出，“EDA公司在支持我们芯片设计复杂性方面至关重要。因为生成式人工智能技术有很大的潜力，可以在更短的时间内完成更多的设计工作，它可以极大地提高生产力。” 此外，Srouji在回顾芯片开发之路时还称，苹果在设计自研芯片时学到的另一个关键教训是，要下大赌注，不要回头。 当苹果公司在2020年将其Mac电脑从英特尔的芯片转换为自己的芯片时，它没有制定任何应急计划，意味着没有为转换失败留有任何后手。 “把苹果芯片搬到Mac上对我们来说是一个巨大的赌注。没有备用计划，也没有分布走的计划，所以我们全力以赴，包括在软件方面的巨大努力。”

据中科院上海光机所今日官微消息，近日，中国科学院上海光学精密机械研究所空天激光技术与系统部谢鹏研究员团队在解决“光芯片上高密度信息并行处理”难题上取得突破，研制出超高并行光计算集成芯片-“流星一号”（如图1所示），实现了并行度>100的光子计算原型验证系统。 相关研究成果以《具备100波长复用能力的并行光计算》（Parallel Optical Computing Capable of 100-Wavelength Multiplexing）为题，以封面论文形式发表于《光：快讯》。 光计算以光子作为载体，实现信息传递、交互与计算，具有低功耗、低时延、高并行的天然优势，是后摩尔时代建设新质算力基础设施的有效途径，为人工智能、科学计算、多模态融合感知、超大规模数据交换等“算力密集+能耗敏感”场景提供硬件加速。全球科学家已对光计算芯片的矩阵规模、光学主频开展深度探索，研究进展已呈现逼近工艺极限和物理极限的趋势，难以进一步数量级突破。因而，有效扩展计算并行度是光计算性能提升的前沿方向，也是光计算迈向实用的必由之路。 上海光机所研究团队围绕光计算技术并行度提升，创新超高并行光计算架构（如图2所示），融合芯片级多波长光源、高速光交互、可编程光计算和光电混合计算算法等，成功研发了全新片上并行光计算集成芯片系统。该系统核心光芯片全部自主研制，包含了自主研制的集成微腔光频梳(频率间隔~50GHz，输出光谱范围>80nm，可支撑波长复用计算通道数>200)，作为芯片级多波长光源子系统；自主研制的大带宽、低时延、可重构光计算芯片(通光带宽>40nm)，作为高性能并行计算核心；自主研制的高精度、大规模、可扩展的驱动板卡，作为光学矩阵驱动子系统(通道数>256)；基于该光子集成芯片系统，首次验证了并行度>100的片上光信息交互与计算原型；在50GHz光学主频下，单芯片理论峰值算力>2560TOPS ，功耗比>3.2TOPS/W。 此研究进展为突破光计算的计算密度瓶颈，提升光计算性能开辟了新途径，为发展低功耗、低时延、大算力、高速率的超级光子计算机带来了可能性。

本周二，韩国SK海力士股价周二早间延续周一涨势，盘中创下上市逾20年来的历史新高。此前周末有报道称，SK海力士母公司SK集团计划建设韩国最大的人工智能数据中心。 在人工智能热潮的推动下，SK海力士的股价今年迄今已飙升近50%，继周一上涨后，周二早间，公司股价一度上涨近3%，创下盘中新高。不过截至发稿，SK海力士日内涨幅已经缩窄至0.4%。 据媒体报道，SK集团计划与亚马逊网络服务公司（AWS）合作，在蔚山建设人工智能数据中心。据悉，SK集团旗下的SK电信和SK宽带将主导该计划，SK海力士等其他子公司也将提供支持。 该数据中心目标电力容量达到103兆瓦，将部署多达6颗GPU，对于韩国加速推进AI发展具有指标性意义。 这一合作消息公布后，SK海力士股价应声大涨，周一大涨5.31%，周二涨势延续。 SK已在HBM竞赛中遥遥领先 SK海力士目前是全球HBM芯片的领先供应商，向人工智能巨头英伟达等客户供货。 Counterpoint Research今年4月的一份报告称，SK海力士在第一季度占据了HBM市场70%的收入份额。这一优势帮助它在整个DRAM市场上首次超过三星，其全球市场份额达到了36%，而三星为34%。 本周二，SK海力士目前主要竞争对手三星电子股价也一度上涨了4%。但由于在HBM芯片中竞争落后，三星电子年内增幅仅有约10%，仍落后于SK海力士。 在技术领先优势推动下，SK海力士今年第一季度创下了亮眼业绩，合并收入达17.6391万亿韩元，同比增长42%，营业利润更是激增158%。 SK海力士还在最新声明中透露，目前公司2025年的HBM产能已全部售罄，并向英伟达等客户供应12层堆叠HBM3E产品。 此外，公司已完成全球首款HBM4（第6代）样品开发，计划下半年量产，进一步巩固其在高端内存领域的领先地位。

因部分型号充电宝存在安全隐患，创建于2012年的老牌充电宝公司深圳罗马仕科技有限公司（下称“罗马仕”）卷入舆论的风口浪尖。 根据深圳市场监督管理局官网6月16日发布的公告，因部分产品在极端场景下可能存在燃烧风险，深圳罗马仕科技有限公司将召回2023年6月5日 - 2024年7月31日制造的部分移动电源，涉及PAC20 - 272、PAC20 - 392、PLT20A - 152三款型号，共计491745台。根据产品信息介绍，上述三款召回产品的容量均为20000毫安时。 （图源：深圳市场监督管理局官网） 公开信息显示，罗马仕创办于2012年，拥有移动电源、户外电源、数据充电线、电源适配器等9大产品线。 召回公告发布一天后的6月17日下午，财联社记者来到了罗马仕官网显示的办公地点——深圳国际创新谷三期7栋B座15楼-18楼。 财联社记者于现场发现，罗马仕的办公室内被此次召回事件的氛围笼罩：前台工作人员持续接到电话，并不断向通话对方表示“你们可以联系客服。”多位工作人员边走边打电话且反复提到“召回”“电芯”等关键词。 对于记者的采访需求，罗马仕前台工作人员表示，已代记者联系品牌部门，但对方表示目前不方便接受采访。 值得一提的是，6月17日下午，财联社记者曾两次拨打公告中所示的客户服务热线，电话提示“您拨打的用户已欠费停机。”两小时后记者再度拨打此热线时，提示音则变成“对不起，您要拨打的电话忙。” 此外，罗马仕天猫旗舰店目前在售的2025年新款PAC20型号、容量20000毫安的充电宝，电池类型显示是锂聚合物电池。当财联社记者试图询问客服产品电芯相关情况时，多条回复消息称，当前“召回问题导致咨询量剧增”。 据此前网络消息，有自称是北京一高校的学生发帖称，“学校下发通知：近期发现20000毫安的罗马仕牌充电器在充电时，相较其他品牌型号充电器，更容易发生爆炸现象。” 在评论区也有多位网友发出类似通知的截图，其中显示“接上级主管部门提醒”“请各位师生员工及时排查本人充电宝是否是该品牌型号，建议立即舍弃，以防发生危险”。 对此，罗马仕于6月14日在微博发布公告表示，“对于近期‘北京多所高校禁用罗马仕充电宝’事件的讨论，我们就给师生及公众带来的困扰致以诚挚歉意，在此郑重承诺：任何经权威机构鉴定存在缺陷的罗马仕产品，我们将依法承担全部责任。同时，我们高度重视此事，并第一时间展开核查，与北京市教育委员会等相关部门取得沟通，截至到公告发布，并未收到北京市教育委员会的风险通告。相关信息在传播过程中存在偏差，导致公众产生误解。该事件后续进展我们将会通过官方渠道第一时间通知大家。” 财联社记者于6月17日询问了数名来自首都经济贸易大学、北京联合大学、北京建筑大学的教师、学生，对方均表示未留意到学校有发布此类通知。 记者采访获悉，过充、内部短路、散热不良等因素均有可能导致充电宝出现鼓包、爆炸等情况。 国际智能运载科技协会秘书长、黄河科技学院客座教授张翔告诉财联社记者，充电宝使用过程中过热会导致产品膨胀变形，电池内部的正负极隔膜、电解液等结构因受到挤压发生错位。此外，充电宝使用的时间长了以后，锂电池容易产生树枝状晶体——锂枝晶，会把电池隔膜刺破，这些情况都极易引发短路并出现爆炸。 据深圳市市场监督管理局网站消息显示，罗马仕本次召回的移动电源产品，由于部分电芯原材料来料原因，极少数产品在使用过程中可能存在过热现象，在极端场景下可能产生燃烧风险，存在安全隐患。 电芯厂商方面，被问及是否参与供应罗马仕产品，欣旺达（300207.SZ）公司人士向记者表示：“他们没有用我们电芯。”德赛电池(000049.SZ)证券部人士称“应该不是吧。”亿纬锂能（300014.SZ）证券部则表示：“没有看到相关消息，一切以公告为准，这个确实还不是很清楚。” “可以通过增加电池管理系统的功能和完善传感器分布来进一步提升充电宝的安全可靠性。”张翔表示，通常电池的爆炸有个积累的过程，而电池的安全基本上是依靠相关传感器检测来保持。通过传感器系统测量充电宝的温度、电流、电压是否在安全阀值，如若有异常发出预警，可以大幅减少电池爆炸的几率。

周一，美国知名投行Piper Sandler的分析师上调了芯片制造商AMD的目标价，因该行对AMD最新的产品发布持乐观态度，并预测其GPU业务将迎来反弹。 Piper Sandler将AMD的目标股价从125美元上调至140美元，并维持对该股的“增持”评级。 受此影响， AMD股价周一大幅上涨，截止收盘涨近9%，收于1月7日以来的最高水平 。Piper Sandler给出的目标价意味着，AMD股价仍有10%的上涨空间。 分析师们表示， 他们预计AMD的图形处理器（GPU）业务将在第四季度显著反弹 。他们预计届时AMD将基本消化完因美国一项新的半导体出口许可要求而产生的8亿美元费用。 上周，AMD发布了新一代Instinct MI350系列芯片，目标是与市场领导者英伟达竞争。该公司还预先展示了将在2026年发布的Helios整机机架系统，该系统搭载Instinct MI400系列芯片，最多可在一台服务器中配置72颗芯片。 分析称，这一系统预计将在云计算公司和大型语言模型开发者等AI客户中扮演重要角色。 在加州圣何塞举行的一场活动中，AMD首席执行官苏姿丰在台上展示了这些产品。OpenAI首席执行官Sam Altman作为嘉宾惊喜现身，他夸赞称，MI400的规格“令人难以置信”，并确认OpenAI将采用该芯片。 分析师们在报告中写道：“总体而言，我们对AMD发布的产品感到兴奋，尤其是Helios机架，我们认为它对AMD Instinct的增长至关重要。” AMD Instinct 是AMD推出的高性能计算（HPC）和人工智能（AI）加速处理器系列，主要面向数据中心、超级计算机和企业级AI训练/推理任务。

对于全球第二大AI芯片供应商AMD本周推出的新品，华尔街分析师们给出了初步表态：将在今年上市的MI350系列“尚可”，但 挑战英伟达的“转折点”可能还得看明年 。 作为背景，AMD在周四举行的年度Advancing AI大会上，发布了 年度算力芯片MI350系列 ，总共包含两款芯片MI350X和MI355X。两者规格均为288GB HBM3e内存，运行带宽达8TB/秒，但后者专为液冷散热设计，性能释放也更强。该系列采用2D混合键合技术，其中计算芯片采用台积电N3P工艺，将10个小芯片封装成1850亿个晶体管，而IOD（输入/输出芯片）则使用台积电N6工艺。 但市场更加关心AMD画的“饼”： 将在明年上市的MI400系列 。据AMD首席执行官苏姿丰介绍， MI400系列芯片将采用HBM4内存，显存容量将提升到惊人的432GB，带宽将比MI355X翻一倍，最高可达19.6TB/秒。 简单比较，与 英伟达将在明年推出的下一代Vera Rubin机架 相比，搭载MI400芯片的AMD机架在内存容量、带宽和扩展带宽方面都要高出50%。所以MI400系列芯片 算力表现提升的斜率也骤然变陡 。 正因如此，分析师们也对今年三季度上市的MI350系列反响平平，转而将目光聚焦明年。 Bernstein的分析师们将此次活动评价为“不算糟糕但无重大惊喜”，指出AMD虽然公开了GPU路线图的新细节，但“未宣布新的重要GPU合作伙伴”。 该机构表示， MI350系列虽然“迟了1年”，但终于弥补了与英伟达Blackwell芯片的差距 。而假设顺利发布的话，MI450系列应该要比AMD过去的成果更接近英伟达新品的水平。 该机构也指出，AMD的管理层对长期前景逐渐转向更加乐观，将2028年AI加速器市场规模预期上调至“超过5000亿美元”。 但公司并没有提供短期营收指引的更新，所以Bernstein分析师们表示“短期仍更倾向于持有英伟达股票”。 与之类似，在摩根士丹利半导体行业分析师Joseph Moore写给客户的报告中，他将 MI350系列称为“迭代”产品，强调“焦点仍放在明年推出的机架级MI400/450系列产品上” 。若AMD能如期交付，可能带来“ 更大的市场转折点 ”。 Moore也特别提到，即便从当前的较低基数出发，AMD在MI350系列最大客户群体中的增长空间仍可能有限。MI400系列可能改变竞争格局，但仍需用实际行动证明自己。 两家机构均维持对AMD的“中性”评级。

超威半导体公司（AMD）首席执行官苏姿丰（Lisa Su）表示，公司最新发布的AI处理器在性能上可以挑战英伟达的产品，并称整个AI芯片市场规模有望在未来三年内突破5000亿美元。 当地时间周四（6月12日），苏姿丰在公司活动上称，MI350系列芯片的最新版本在速度上已优于英伟达的同类产品，较其前代产品也实现了巨大得性能提升。 苏姿丰指出，本月初开始发货的MI355芯片速度是前代产品的35倍。 根据AMD的说法，MI355芯片在运行AI软件方面超越了英伟达的B200和GB200产品，在AI模型训练性能上则与之相当甚至略胜一筹。在价格方面，AMD的产品远低于英伟达。 发稿前不久，与会的OpenAI首席执行官萨姆·奥尔特曼称，OpenAI将使用AMD的MI300X和MI450芯片。 AMD在该领域仍明显落后于英伟达，公司希望通过这些新品迎头赶上。此次发布对AMD至关重要：苏姿丰曾预测，到2028年市场规模将达到5000亿美元，如今她认为这一数字将被超越。 今年2月，AMD发布的数据中心业务展望显示其增长速度低于部分分析师预期。AMD认为，MI系列的这次更新将重振公司增长势头，并证明其有实力与体量远大的竞争对手正面交锋。 随着全球范围内的大型科技公司向人工智能基础设施投入数百亿美元，对AI芯片的市场需求持续超过供应，推动芯片价格飙升，部分产品甚至高达数万美元一枚。 对AMD而言，AI加速器业务让公司摆脱了长期在个人电脑处理器市场中被英特尔压制的局面。 然而，如今的市场霸主是英伟达：尽管AMD通过AI芯片每年获得数十亿美元收入，但英伟达的年收入早已突破千亿美元大关。

受到美国上一任拜登政府《芯片与科学法案》的推动，多家芯片公司正在美国建造晶圆厂，然而现在部分半导体企业正困于建设延误的问题中，并因此承担着巨大的财务损失。 据报道，半导体产品封装和测试服务提供商Amkor（安靠）在美国亚利桑那州的芯片封装工厂、美光公司在纽约的DRAM工厂及SK海力士在印第安纳州的生产基地都因为居民抵制而无法推进，且理由各不相同。 据悉，为了防止未来继续出现这样的问题和延误，一些州政府正在设立工业区以吸引公司入驻，例如北卡罗来纳州、宾夕法尼亚州和俄亥俄州。这些工业区旨在无需繁琐的审批程序即可开展制造业务，从而对半导体公司更具吸引力。 各种延误的理由 Amkor拟建造一座耗资20亿美元的芯片封装工厂，但当地居民反对该工厂的选址，因为他们担心这一计划可能会对水资源造成压力，并加剧交通拥堵。部分居民威胁将采取法律行动，并要求将项目迁移至其他地方。 而据规划，Amkor的工厂建成后将拥有超过4.6万平方米的洁净室空间，这对当地半导体供应链极为重要，其封装业务将支持包括台积电在内的十几家企业。但目前，该封装厂项目已经陷入停滞，无法确定其能否在2027年如期投产。 美光工厂的规模则更为巨大，其计划斥资1000亿美元兴建DRAM生产基地，初期建设预计耗资约200亿美元，计划于2040年代完工，届时将创造约5万个直接和间接就业岗位。 然而，这家DRAM工厂因环境评估而被推迟建设，且公众反馈期也被延长，从而耽误了在2024年就动工的计划。有报道指出，一座耗资200亿美元的晶圆厂建设每延误一天就将造成500万美元的损失。 该晶圆厂是美光公司扩大其美国生产战略的关键组成部分，美光公司曾计划到2030年代中期，在美国生产40%的DRAM产量，但在目前的情况下，这一计划能否继续执行也陷入疑问。 SK海力士斥资39亿美元建设高带宽存储器（HBM）生产基地的计划同样因为居民抗议而延误，理由是住宅区附近的工业发展令人担忧。该工厂原计划在2028年投入运营，目标是成为全球最大、最先进的DRAM组装工厂之一。