英伟达下一代旗舰AI芯片Rubin Ultra的原始设计，据称因封装制造难题被迫大幅缩水。 6月30日，芯片行业研究机构SemiAnalysis在X平台发帖， 称英伟达原版4芯片Rubin Ultra在GTC 2026发布约三个月后即遭取消，新版“Rubin Ultra”尺寸规模缩减至原来的一半，实际性能也随之减半。 SemiAnalysis将此事置于更大背景下：英伟达市场份额正受到亚马逊Trainium、谷歌TPU及AMD芯片的侵蚀。该机构直言，“制造执行层面的问题只会让更多市场份额流失。” 此帖迅速引发争议——支持者认为这是英伟达执行力下滑的信号，质疑者则指该消息早在三个月前已是公开信息，并认为SemiAnalysis立场偏颇。 原版设计有多激进？ 要理解这次“缩水”，先看原版设计的野心。 据TechPowerUp此前3月31日报道，标准版Rubin GPU采用2颗计算芯片+8个HBM4内存模块的封装方案， 而原版Rubin Ultra计划将其翻倍——4颗计算芯片+16个HBM4E内存模块，全部集成在单一封装内，预计2027年推出。 这相当于把两块完整的Rubin芯片"拼"进一个封装，对封装技术的要求极高。 台积电为此采用CoWoS-L封装工艺。但据Global Semi Research，在4芯片（2+2排列）的配置下，封装基板出现翘曲问题——基板向多个方向弯曲，导致计算芯片无法与基板完全接触。接触不良意味着信号传输失效，芯片根本无法正常工作。 台积电的备选方案尚未就绪 面对CoWoS-L的翘曲难题，台积电正在探索一种名为CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate，面板上芯片基板封装）的新方案。 CoPoS的核心思路是用大尺寸方形/矩形面板替代约300毫米的硅中介层。早期规格约为310×310毫米，后续版本可扩展至515×510毫米乃至750×620毫米。更大的面板意味着可以容纳更多芯片和HBM内存，同时减少边缘浪费。 但问题在于时间。据TechPowerUp报道，台积电原计划最早2026年建立CoPoS试验线，量产目标在2028年底至2029年上半年。这与Rubin Ultra原定的2027年发布时间表存在明显错位。CoPoS能否赶上2027年的节点，目前仍不确定。 SemiAnalysis：CUDA护城河正在被侵蚀 SemiAnalysis在帖子中进一步指出，竞争对手的崛起速度超出预期。 "Claude Code这一最成功的AI智能体，其推理工作有相当大一部分运行在Trainium上，而Claude的训练则在TPU上完成，"SemiAnalysis写道，"就在一年前，TPU和Trainium能增长得如此之快，同时CUDA护城河被缓慢侵蚀，这还是难以想象的事。" 这一表述直指英伟达的核心竞争壁垒。CUDA生态系统长期被视为英伟达最难被复制的优势，但SemiAnalysis认为这一优势正在松动。 SemiAnalysis还提示，此次变动对HBM内存市场及英伟达未来机架产品均有系统性影响，并指向其最新加速器模型报告以获取更多细节。 质疑声：旧闻还是新料？ 这条帖子在X上引发了明显的两极反应。 质疑方 认为，这不过是翻炒旧闻。多位网友表示， “这是三个月前的旧闻。”“Jukan三月份就分享了这个信息，4芯片版本被取消是众所周知的事。” 有网友直接批评：“ SemiAnalysis又发了一篇反英伟达的文章 ，这次是关于4芯片取消的误导性报道（芯片数量其实没变）。更有意思的是——SA的全部公信力建立在供应商中立的立场上，而不是充当AMD和ASIC的代言人。” 还有网友称，“SemiAnalysis显然已做空英伟达，很可能是在模仿Leopold的对冲仓位。” 支持方 则认为此事值得关注。“英伟达正在自身的傲慢中崩塌。” 英伟达方面未就上述报道发表评论。网友称，“英伟达一如既往地对这些不停歇的FUD传言保持沉默。”

韩国正以国家意志押注半导体未来。三星和SK海力士联手启动史上最大规模存储芯片扩产计划，叠加AI数据中心建设，韩国政府主导的私人投资总额将至少达到1350万亿韩元（约合8800亿美元）， 摩根大通将此定性为"巨型投资时代"的开端。然而，华尔街的解读也揭示出一个对消费者和科技企业而言并不乐观的现实：存储芯片短缺在可预见的未来不会缓解。 韩国产业通商资源部在声明中表示，此次投资旨在五年内将韩国存储芯片产能翻倍，并在外部竞争压力下巩固韩国的芯片生产领先地位。韩国总统李在明在国家简报会上表示，"我们正进入一个转瞬即逝的时代"，并将"速度"定义为AI时代"唯一的生存之道"。 此次扩产计划的规模之大，意味着短期内不会有任何产能释放来缓解当前的供应紧张 。就在上周，苹果和Xbox已被迫上调MacBook及游戏主机售价。 三大支柱——半导体、AI机器人与数据中心 据摩根大通分析师Jay Kwon向客户发布的第一手点评，韩国政府此次宣布的"三大巨型项目计划"围绕三个核心增长支柱展开：半导体、AI机器人与实体AI，以及AI数据中心。 在半导体领域，产业通商资源部提出"3S+1F"战略： 速度（Speed） 方面，预计五年内存储产能翻倍，并将龙仁先进晶圆厂的量产时间线提前7至12年（由原定2045至2047年提前至2033至2040年）； 据点（Stronghold） 方面，将在东南部地区投入800万亿韩元建设四座晶圆厂，并在忠清地区投入81万亿韩元建设HBM后端封装厂； 先锋（Spearhead） 方面，未来15年将投入30万亿韩元用于研发和人才培育； 全力支持（Full Support） 则代表政府的全面政策背书。 AI数据中心方面，计划分两期投入550万亿韩元，第一期建设8.4吉瓦容量，第二期目标为2035年前达到10吉瓦。 三星、SK巨额投资 三星集团宣布在韩国投资2655万亿韩元，其中三星电子单独宣布2026至2040年间投资2450万亿韩元，半导体领域占2100万亿韩元。 据摩根大通梳理，三星电子的投资分配如下：龙仁晶圆厂集群及现有半导体厂区投入1650万亿韩元；光州潜在新制造中心投入400万亿韩元；天安/温阳HBM后端封装线投入56万亿韩元；牙山次世代显示及微显示项目投入67万亿韩元；龟尾实体AI与人形机器人量产线投入不超过60万亿韩元。 花旗研究分析师Peter Lee在此前的报告中指出，三星集团此次投资预计将包括光州及全罗南道约4至5座晶圆厂（约300万亿韩元）、龙仁集群6座晶圆厂（约360万亿韩元），以及忠清地区超过350万亿韩元的AI数据中心投资。花旗对韩国半导体设备（SPE）相关标的维持积极看法，认为Wonik IPS、TES、Eugene Technology及TechWing等企业有望受益。 SK集团宣布总投资规模达2100万亿韩元，其中1100万亿韩元用于存储芯片，另外1000万亿韩元投向AI基础设施。 在存储投资方面，SK将投入600万亿韩元用于龙仁基地（量产时间由2045年提前至2033年），100万亿韩元用于清州NAND厂，400万亿韩元用于东南部地区潜在新半导体集群。 AI基础设施方面，SK集团将投入1000万亿韩元，目标是到2035年建成15吉瓦的数据中心容量，分两期推进：第一期建设5吉瓦，第二期再增加10吉瓦。SK集团强调，数据中心的角色正从存储转向"算力生成"，并将AI工厂定位为集团下一个核心增长引擎。 摩根大通：规模相当于现有DRAM产能的两倍 摩根大通的Jay Kwon对整体投资规模进行了汇总测算。三星与SK两大集团合计投资规模达4755万亿韩元（约合3.1万亿美元），涵盖逾十余座约40万片/月产能的晶圆厂， 总规模相当于当前全球DRAM装机产能的两倍。 Jay Kwon估计 ，在3.1万亿美元的长期投资计划中，60%至70%将用于前端晶圆设备采购，20%至30%用于基础设施和洁净室建设，其余用于后端封装设施。 他预计，更多关于具体投资时间表的细节将在即将到来的业绩季及后续企业活动中披露。 Jay Kwon指出，此次计划的建设速度将远超过去——从2016年上半年至2026年上半年，全球DRAM产能累计新增约100万片/月，而此次扩产的推进节奏将在2020年代末的拐点之后大幅提速。 短缺难解：消费者与科技企业承压 尽管扩产规模空前，但华尔街的判断是：存储芯片短缺在近期内不会得到任何实质性缓解。 AI需求持续吸收存储供应，叠加新产能从建设到投产需要数年周期，供应紧张局面预计将延续至2027年乃至更长时间。苹果MacBook和微软Xbox游戏主机已相继涨价，苹果据报道还在寻求从中国采购存储芯片作为替代方案。 对投资者而言，此次计划的核心信号在于：韩国半导体设备产业链将迎来多年资本开支上行周期，而终端消费电子产品的存储成本压力短期内难以消退。

在创下历史天量成交与年内近300%的惊人涨幅后，市值达5895亿元的存储芯片龙头兆易创新深夜主动“降温”，折射出存储周期高位博弈与资金过热的双重隐忧。 6月29日周一晚间，兆易创新发布股票交易风险提示公告，明确指出公司所处利基存储市场价格大幅上涨趋势不可持续。公告直言，当前高价已对下游需求产生抑制，随着后续产能边际增加，产品价格将面临相当幅度的回落。 这一预警恰逢公司股价情绪沸点。当日兆易创新成交额高达431.5亿元位居A股榜首，且首次被全球最火内存ETF纳入重仓。在被动资金加速涌入与产业资本提示周期见顶的错位下，市场博弈正趋于白热化。 对于投资者而言，这不仅是一次合规层面的例行信披，更是基本面逻辑对当前半导体板块极端情绪溢价的一次实质性“纠偏”信号，短期交易风险已不容忽视。 利基存储供需逆转，周期高位敲响警钟 兆易创新在公告中详细拆解了当前存储市场的结构性矛盾。公司指出，存储芯片行业具有显著的周期性波动特征，目前产品价格已处于历史高位，供需终将走向再平衡。与受AI需求强劲驱动的主流存储市场不同，兆易创新主营的利基存储产品主要应用于消费、工业、网通、汽车等分散领域，下游需求总量相对稳定。 当前利基存储价格的上涨，主要源于国际大厂将产能重心切换至AI相关的主流存储，导致利基市场间接受益于供应紧张。然而，在价格快速上行过程中，下游需求已受到实质性抑制。公司明确提示，伴随利基存储产能边际增加，价格将出现相当幅度的回落。此外，作为无晶圆厂模式企业，在整体供应短缺背景下，公司还面临上游合作的晶圆厂产能供给进一步紧张的供应链风险。 全球被动资金入场，ETF重仓加剧波动 在基本面隐忧浮现的同时，资金面的狂热仍在推高股价。6月27日，美国市场稀缺的纯存储主动管理ETF——Roundhill Memory ETF（DRAM）发布最新持仓，首次将兆易创新纳入其中，权重达 2.91% ，位列第8大重仓股。这是该ETF自4月上市以来首次纳入A股存储标的，也是其持仓中唯一的A股存储芯片企业，意味着中国存储产业链正获得全球被动型资金的实质性认可。 国内公募资金同样高度集中。 情绪溢价亟待消化，短期交易风险凸显 从交易数据来看，兆易创新短期涨幅已严重脱离常规估值区间。6月29日，公司A股收涨9.09%逼近涨停，报收840元，年内累计涨幅达 292.64% ；港股表现更为激进，年内涨幅高达 667.50% 。近期公司成交额连续多个交易日维持在370亿元以上，单日431.5亿元的成交额更创下上市以来历史新高，位居A股第一。 在行业供需预期逆转与短期资金极度拥挤的叠加下，半导体板块整体估值面临严峻的消化压力。产业资本的深夜预警，实质上是对当前过热交易情绪的理性降温。投资者需密切关注后续机构资金的调仓动向及利基存储价格的实际走势，警惕短期情绪溢价回落带来的快速回调风险，回归理性投资逻辑。

席卷全球的内存价格飙升，正演变为一场法律风暴。三星、SK海力士与美光这三家掌控全球DRAM市场的芯片巨头，于上周在美国联邦法院遭遇集体诉讼，被指借向人工智能高带宽内存（HBM）战略转型之名，协同压缩传统DRAM产能，致使相关价格在过去四年内暴涨约700%。 诉讼于6月25日在加州联邦法院提起，原告方代表在近期价格上涨周期内购买含商用DRAM产品的消费者及企业。 诉状将苹果公司近期对iPad和Mac产品线的全面提价援引为直接损害案例，视其为提起诉讼的直接导火索，并指控三家公司协同削减DDR3、DDR4等传统内存产能，人为制造"RAMpocalypse"（内存末日）式的供给短缺与价格暴涨。 本案并非无先例可循。三星与SK海力士曾于2000年代就美国司法部提起的刑事价格操纵指控认罪，合计缴纳7.31亿美元罚款，多名高管被判处jian禁。诉状明确援引这一记录，试图确立三家公司长期串谋的行为模式，令当前指控具备更强的法律依据。 对投资者而言，无论诉讼走向如何，内存价格高位在短期内均难以逆转。Jefferies预计， 2026年第三季度内存价格将较上一季度再涨40%至50%， 第四季度继续环比上行30%至40%，2027年全年价格同比仍将增长40%至45%，最早要到2028年方可能出现较为明显的放缓——这意味着下游企业与终端消费者面临的成本压力将延续相当长时间。 诉讼核心：HBM转型被指充当压缩供给的"遮羞布" 诉状的核心论点在于：三星、SK海力士与美光凭借其在全球DRAM市场的寡头地位，在协同推进向HBM转型的同时，以这一战略调整为由大幅削减DDR3、DDR4等商用内存的产能，人为制造供给收缩。据诉状援引的数据，上述协同行动导致商用DRAM价格在过去四年间累计上涨约700%，对全球消费电子及商业IT采购造成广泛冲击。 苹果近期对iPad和Mac的大范围提价被原告方援引为价格传导的典型案例： 三家厂商在上游制造的供给缺口，已通过产业链层层转嫁，最终落在终端消费者身上。 此次诉讼的法律论据并非凭空而来。三星与SK海力士曾于2000年代就美国司法部提起的刑事价格操纵案正式认罪，两家公司合计缴纳7.31亿美元罚款，多名涉案高管被判处jian禁。 诉状援引这一历史记录，旨在向法庭呈现三家公司存在系统性、重复性串谋的行为模式，以强化当前指控的可信度与法律效力。相较于初次被指控的被告，这一前科记录为原告方提供了较为有力的参照依据，也令被告方的辩护面临更高的舆论与法律成本。 价格前景：高价"新常态"或延续至2028年 与诉讼进程并行的，是市场对内存价格走势的持续悲观预期。包括联想在内的多家企业已公开表示，内存高价将成为"新常态"。分析人士也指出，此类表态背后存在引导消费者提前下单、避免观望的商业动机。 Jefferies的预测更为具体：该机构预计2026年第三季度内存价格将较上一季度再涨40%至50%，第四季度继续环比上行30%至40%；进入2027年，全年价格料同比再增40%至45%，价格的实质性放缓最早要等到2028年。对下游企业及终端消费者而言，内存成本的持续攀升将在相当长的周期内继续向最终产品定价传导，消费电子、服务器及企业IT采购的成本结构均面临持续重构压力。 （华尔街见闻）

苹果寻求采购长鑫存储产品一事，正在重塑市场对这家DRAM厂商的定位。花旗认为，无论最终能否获得美国政府批准，苹果的这一举动本身已是对长鑫存储技术实力的有力背书。 据追风交易台，据中新经纬援引英国《金融时报》6月27日报道，六位知情人士透露，苹果正向美国政府游说，寻求获准采购长鑫存储的内存芯片，以缓解内存价格飙涨带来的成本压力。花旗在随后发布的研报中指出，苹果此举将长鑫存储的市场形象从"中国国产替代"重新定义为"可信赖的全球第四大DRAM制造商"。 这一消息对长鑫存储及其供应链构成积极信号。花旗认为，封测领域和设备端将受益于长鑫存储产能扩张带来的设备及封测需求上升。与此同时，知名苹果供应链分析师郭明錤指出，苹果游说白宫的真正驱动力并非单纯的降本需求，而是全球内存供应缺口将持续扩大至2027年这一更深层的结构性压力。 苹果寻求政策背书，技术门槛已不是障碍 花旗研报的核心判断在于：苹果愿意将长鑫存储纳入潜在供应商考量，本身即是一种市场认证。 长鑫存储LPDDR5X产品（12Gb/16Gb颗粒）已达到10667Mbps的传输速率，具备覆盖高端手机、平板及笔记本电脑应用场景的技术能力。 这意味着长鑫存储的产品规格已能满足苹果对内存性能的严苛要求，技术层面的障碍已基本消除。 花旗指出，1260H名单本身并不禁止美国企业向长鑫存储采购，但苹果主动寻求政策背书，是出于对未来更严格限制措施的预防性考量——例如商务部工业和安全局（BIS）实体清单的潜在扩容。在当前美国政治环境下，获批难度不容低估， 但苹果愿意承担这一政治成本本身，已充分说明其对长鑫存储产品可靠性的认可程度，以及当前内存短缺形势的严峻性。 供应缺口是更深层的驱动力 郭明錤对苹果此举给出了超越成本逻辑的解读。他明确表示，苹果面临的压力已从"内存价格飙涨"演变为"供应缺口扩大"，两者性质不同，后者更难通过涨价或更换供应商来解决。 根据他的最新行业调研，2026年分配给消费电子的内存产能，预计有15%至20%将在2027年转移至数据中心，且这一比例可能进一步扩大。AI基础设施建设持续吸纳高端内存产能，消费电子可获得的供应份额正在系统性收窄。 这一趋势已开始影响苹果的产品节奏。郭明錤表示，由于LPDDR内存供应紧张，苹果A20芯片在2026年下半年至2027年一季度的实际拉货量，可能较原定目标低10%至20%，尽管其中部分也可能反映苹果自身的超额预订。 供应链或将受益 花旗认为，长鑫存储获得苹果背书所带来的市场重新定价，将沿供应链向上游设备商和封测厂商传导。在封测领域，花旗近期已上调对三家国内封测企业的目标价，以反映板块整体估值重估。 长鑫存储能否最终获得苹果的采购订单，仍取决于美国政府的政策走向。但这张"信任票"本身，已足以改变市场对长鑫存储的叙事框架。

全球记忆体供应持续吃紧，台积电正将本土厂商纳入其核心AI芯片供应链，以降低对国际三大记忆体巨头的依赖。 据媒体报道， 台积电与华邦已启动合作，双方合作领域为晶圆对晶圆堆叠（Wafer-on-Wafer，WoW）先进3D封装技术。华邦将提供DRAM等记忆体晶圆，与台积电逻辑制程晶圆共同进行垂直堆叠。 台积电此前在WoW技术所需的记忆体晶圆，主要依赖三星、SK海力士及美光三家国际大厂。 此次合作对双方均具重要意义。对台积电而言，华邦的加入有助于在全球记忆体供应紧张背景下建立更稳定、更具韧性的货源；对华邦而言，此次合作意味着这家长期深耕利基记忆体市场的中国台湾厂商，正式跻身全球AI服务器核心供应链。 这一合作被业界视为中国台湾记忆体产业角色转变的标志性事件——从AI周边供应商迈向全球AI核心供应链参与者，也折射出台积电正系统性扶植本土供应链、强化AI芯片自主供应能力的战略取向。 WoW：下一代AI芯片的关键整合技术 WoW技术的核心在于通过Hybrid Bonding（混合键合）工艺，将逻辑芯片与记忆体晶圆直接垂直堆叠，建立数万至数百万个微型铜接点。相较于传统封装方式，WoW大幅缩短数据传输距离，可实现更高带宽、更低延迟与更优能源效率，有效突破制约AI运算性能的"记忆体墙"瓶颈。 业界分析，WoW已成为AI服务器、高效能运算（HPC）及边缘AI设备的重要技术方向，在云端数据中心部署中尤具价值——可将CPU/GPU等逻辑芯片与高速记忆体直接堆叠，实现超高数据吞吐量与极小化芯片面积。 台积电在WoW领域对合作伙伴设有极高门槛，要求具备成熟的12吋晶圆量产能力、高良率、特殊制程经验及晶圆整合实力。 华邦长年专注于利基型DRAM及NOR Flash（编码型记忆体）市场，在特殊记忆体制程、晶圆制造与品质管理方面积累了深厚技术底蕴 。业界认为，正是这一差异化的技术积累，使华邦最终获得台积电青睐，成为其WoW记忆体晶圆供应伙伴。 供应紧张倒逼多元化布局 此次合作的直接背景，是全球记忆体市场的结构性供应短缺。目前三星、SK海力士、美光三大国际原厂产能几近满载，全球AI供应链正积极寻求更多元、更具弹性的记忆体来源。 面对这一局面，台积电采取双轨策略：一方面持续深化与国际记忆体大厂的既有合作，另一方面积极引入本土供应商，以构建更完整的AI芯片生态系。华邦入列，正是这一战略的具体落地。 业界指出，台积电引入华邦并非孤立的单一合作案，而是其系统布局AI记忆体本土供应链的组成部分。随着WoW技术走向量产、更多AI平台相继导入，这一合作有望为华邦打开新一轮成长空间。

韩国两大科技集团在同一天抛出规模空前的本土投资计划，标志着全球AI与半导体产业竞争进入新阶段。 6月29日，三星集团与SK集团分别在韩国总统李在明主持的"大韩民国大跃进三大超级项目国民报告会"上公布投资蓝图。三星宣布总投资规模达2655万亿韩元（约11.68万亿人民币），SK集团则计划未来10年每年在韩国国内投入逾100万亿韩元，AI数据中心与半导体供应扩张两大项目合计约2200万亿韩元（约9.68万亿人民币）。两大集团合计承诺投资规模超过4800万亿韩元。 韩国政府同日宣布迄今规模最大的半导体与人工智能产业投资计划 ，将半导体、物理AI与AI数据中心定位为韩国产业升级的"三角支柱"，目标是在五年内将DRAM生产能力翻倍，并推动韩国跻身"AI革命主导国"行列。 三星：2655万亿韩元覆盖半导体、AI与新能源 据韩联社最新报道，三星集团此次投资计划以平泽和龙仁半导体集群为核心，同时大规模向地方延伸布局。 在核心半导体集群方面，三星计划向平泽园区及龙仁国家产业园区等反导体集群投入2030万亿韩元，构成整体计划的主体。 在地方投资方面，三星宣布向湖南（全罗道）地区投入425万亿韩元，其中半导体领域400万亿韩元。 三 星电子将在光州新建半导体晶圆厂并构建数字孪生创新枢纽；三星SDS将在海南Solaseado建设AI数据中心，布局主权AI基础设施；三星物产则将在湖南投资太阳能发电设施、核能制氢及绿氢研发示范基地。 在忠清地区，三星计划投入140万亿韩元，重点方向包括HBM晶圆厂、新一代显示屏、下一代电池及AI服务器封装基板。其中，三星电子将在天安和温阳投入56万亿韩元建设最先进HBM晶圆厂；三星显示器将在牙山建设折叠屏等新一代智能手机显示屏及超高分辨率微显示屏生产基地；三星SDI将在天安打造下一代电池全球母工厂；三星电机则将在世宗建设最先进AI服务器封装基板产线。 在岭南地区，三星计划投入60万亿韩元，推动主力制造业与AI及机器人技术融合。 三星电子将在龟尾建设智能手机全球制造创新枢纽及人形机器人量产线，三星SDS同步在当地建设AI数据中心；三星电机将扩大釜山MLCC及封装基板产能；三星SDI将在蔚山扩大全固态电池及储能系统投资；三星重工则将在巨济建设高附加值船舶建造基地。 SK海力士：2200万亿韩元押注AI数据中心与半导体扩产 SK集团董事长崔泰源在报告会上表示，集团计划在AI数据中心项目上投入约1000万亿韩元，在半导体供应扩张项目上投入约1100万亿韩元，"未来10年SK将持续每年在国内执行逾100万亿韩元的投资"。 在AI数据中心方面，SK集团以SK电讯为核心，计划建设总规模达15GW的AI数据中心网络。第一阶段将建设5GW规模的中心，以0.5至1GW为单位分散布局全国各地；第二阶段将综合电力、土地及水资源条件，逐步扩建至10GW规模。崔泰源表示，集团目标是"出口智能而非产品，并在国内构建'智能市场'"。 在半导体扩产方面，SK海力士将大幅提前原定产能建设时间表。 崔泰源宣布，原计划2045年竣工的龙仁集群将提前12年完成；为扩大DRAM产能，将在龙仁提前投入约600万亿韩元；为扩大NAND产能，将在清州提前投入约100万亿韩元。 此外，为应对持续的内存供应短缺，SK计划在西南地区新建生产基地，投资规模约400万亿韩元，该地区被认为能够满足大规模土地、电力、水资源及人力等综合条件。

美伊冲突出现缓和信号，叠加韩国推出规模空前的芯片投资计划，全球风险偏好在本季末获得双重提振，美股期货走高，亚洲市场止跌回稳，全球股市有望录得2020年以来最佳季度表现，但AI热潮持续性存疑、通胀压力及财政风险构成的多重隐患，使投资者依然保持审慎。 韩国政府宣布将在西南部建设四座芯片厂，总投资约800万亿韩元，并计划在2035年前在AI数据中心领域投入逾1000万亿韩元。美股盘前，存储芯片股反弹，美光科技涨超2%，科技股多数走高，英伟达涨超1%。韩国综合指数（Kospi）应声由跌转涨，SK海力士此前一度下跌近6%后也随之收复失地。 与此同时，据央视新闻，美国与伊朗同意暂停相互打击，并将于本周在卡塔尔举行会谈，就霍尔木兹海峡争端及其他结束战争的相关议题展开磋商，消息援引一位不具名的美国官员。布伦特原油则抹去早间涨幅，转为基本持平，报每桶约72美元。 上述消息推动全球股市本季度有望录得2020年以来最佳季度涨幅。尽管历史数据显示上半年强劲通常预示全年走势偏好，但AI交易持续性、利率上升空间及政府支出加速等多重变量仍令市场保持警惕。 标普500指数期货和纳斯达克100指数期货均上涨至少0.7%。美股盘前，存储芯片股反弹，美光科技涨超2%，科技股多数走高，英伟达涨超1%。 欧股开盘涨跌不一， 欧洲斯托克50指数开盘跌0.01%，德国DAX指数涨0.10%，英国富时100指数跌0.19%，法国CAC 40指数跌0.19%。 日经225指数收涨0.2%，报69468.11点。日本东证指数收涨0.5%，报3982点。韩国首尔综指收跌0.2%，报8394.65点。 美元现货指数变化不大。 黄金下跌近1%至每盎司4050美元。 10年期美国国债收益率小幅上行1个基点至4.38%。 布伦特原油则抹去早间涨幅，转为基本持平，报每桶约72美元。 比特币上涨0.5%，报59,892.68美元。 韩国千万亿芯片大计，Kospi由跌转涨但波动率创纪录 韩国产业部长周一宣布，三星集团与SK集团各自计划建设两座芯片厂，合计四座、总投资约800万亿韩元，以巩固韩国科技强国地位。政府另宣布，将在2035年前追加逾1000万亿韩元用于AI数据中心建设。 Kospi指数受此提振由跌转涨，SK海力士从盘中一度接近6%的跌幅中反弹收涨。 然而，据彭博策略师Garfield Reynolds指出，韩国股市隐含波动率指数周一创下历史新高，市场对今年涨势能否延续存在明显疑虑。"这一季度韩国股市屡创历史新高，但期权市场释放的热度信号表明，投资者担忧今年最好的时光已然过去。"MSCI亚太股票基准指数整体变化不大，投资者正将资金从权重较高的科技硬件股转向其他板块。 停火消息驱散地缘风险溢价，油价涨幅全数回吐 自上周四起，美伊局势明显升温。伊朗相继打击一艘集装箱船、一艘承运卡塔尔石油的船只，以及科威特和巴林的军事基地，美国随后多次实施报复性打击。Axios报道的停火协议由此成为本周初最受关注的市场催化剂。 Capital.com的Kyle Rodda表示，美国实际上邀请伊朗重返全球贸易体系、向全球市场销售原油，"这一意义不容低估"。 布伦特原油在伊朗袭击发生后一度走高，但随着停火消息落地，地缘风险溢价迅速消散，涨幅悉数回吐，报每桶约72美元。 资金加速轮出科技龙头，大盘广度走强 科技权重股遭受的抛售压力上周已有所显现。MSCI全国际世界指数上周下跌2.1%，主要受科技硬件龙头股外流资金拖累，资金转向更广泛的板块配置。 标普500指数上周五收盘基本持平，但多数成分股录得上涨，经济韧性迹象支撑市场对企业盈利前景的预期。该指数的等权重版本——剔除市值偏差后的指标——甚至创下历史新高。 "资金似乎流向任何地方，唯独绕开科技股，"新加坡First Degree Global Asset Management市场策略师Kaia Parv在接受彭博电视采访时表示。Tokai Tokyo Intelligence Lab首席全球策略师Shoji Hirakawa也认为，"股市似乎相信，随着中期选举临近，特朗普总统别无选择只能作出妥协。投资者将美伊之间的相互打击视为暂时现象，不认为局势会升级为另一场战争。" 辛特拉会议与非农数据成本周双重焦点 本周，交易员将聚焦于葡萄牙辛特拉举行的年度央行行长会议，美联储主席Kevin Warsh将出席发言。与此同时，一系列美国就业报告也将陆续公布，包括备受关注的非农就业数据。 市场预期美国经济的韧性与持续的通胀压力，可能推动美联储最早于9月加息。澳大利亚联邦银行策略师Joseph Capurso等人在研报中写道，尽管Warsh可能在辛特拉软化部分鹰派立场、对美元形成一定压制，但"美国例外论"叙事仍将推动美元"在未来数周持续走高"。 美元兑主要货币走势分化，黄金下跌近1%至每盎司4050美元，10年期美国国债收益率小幅上行1个基点至4.38%。 BIS年报三重预警：AI泡沫、通胀与财政压力并列高危 国际清算银行（BIS）周日发布年度报告，将AI驱动涨势的急剧回调、通胀高企及财政压力列为当前威胁全球繁荣最值得关注的风险，并警告潜在的金融脆弱性可能放大任何外部冲击。 "全球经济仍深陷进步与危险的交叉洪流之中，"这家总部位于巴塞尔的机构在报告中写道，"韧性正受到日益严峻的考验与磨损。" 美联储里士满联储行长Tom Barkin也警告，当前通胀水平"过高"。BIS在报告中将上述因素均列为"亟需关注"的压力点，认为当前全球金融体系潜伏的脆弱性一旦遭遇冲击可能产生放大效应。

高盛日本交易员对科技股近期剧烈回调发出警示，指出存储芯片及AI基础设施板块正面临结构性压力，而非单纯的短期波动。 据高盛交易员Ippei Yamaura在最新报告中指出，上周科技股经历了创纪录的4个标准差抛售，起因可追溯至韩国存储股的率先下挫。尽管美光财报短暂提振市场情绪，但这一反弹未能延续至周五——据报道，OpenAI正考虑将IPO推迟至2027年，同时下调其1万亿美元估值目标，令市场信心再度动摇。 市场影响已有清晰体现：AI基础设施股普遍承压，而超大规模云计算商和苹果则相对抗跌。Yamaura认为，市场正开始为"存储供应紧张见顶"定价。与此同时，据 中新经纬 援引英国《金融时报》27日报道，六位知情人士透露，为缓解内存芯片涨价带来的成本压力，苹果公司正向美国政府游说，希望获批采购中国半导体企业长鑫存储(CXMT)的内存芯片。若获批，将对美光构成实质性冲击。 在上述背景下，高盛将美光及整个存储芯片板块面临的风险归纳为三点： HBM价格动能放缓、长鑫存储等中国厂商带来的市场竞争，以及AI服务器投资整体骤然减速。 OpenAI降价与IPO不确定性：点燃市场担忧的导火索 Yamaura在报告中指出，本轮科技股回调的深层触发因素，很可能是OpenAI于6月11日宣布的降价举措——此举意在与Anthropic展开竞争。对投资者而言，这一动作意味着OpenAI的业务实现自我造血、摆脱持续烧钱的时间表被进一步推后。 与此同时，OpenAI的IPO前景亦趋于复杂。据媒体6月25日报道，OpenAI正考虑将上市计划推迟，原因包括SpaceX IPO遇冷引发的市场不稳定情绪，以及能否实现1万亿美元估值目标的不确定性。截至今年3月底，OpenAI最新估值为8250亿美元。 更深层的市场逻辑在于，降价与上市延迟叠加，令一个熟悉的拷问重新浮出水面：AI投资究竟能否带来足够的回报？这一疑虑反过来暗示，软件公司所受威胁或许没有此前预期的那么严峻，而AI基础设施投资的当前速度也难以持续。 三大核心风险：高盛对美光的完整警示 Yamaura在报告中明确列出高盛对美光乃至整个存储板块的三大下行风险： 其一，HBM价格动能放缓。 随着行业产能在2027至2028财年快速扩张，高带宽存储器（HBM）的价格支撑将面临考验。 其二，DRAM市场份额遭受侵蚀。 等中国厂商的崛起正带来定价压力。据《金融时报》报道，苹果正寻求美国政府批准从长鑫存储采购DRAM——此前苹果曾因存储成本上升而上调iPhone售价，如今显然不愿继续承担这一成本。 其三，AI服务器投资整体骤然减速。 高盛指出，即便美国政府否决苹果的采购申请，类似的逻辑仍在全面演进——高通正在削减对HBM的依赖，英伟达也在努力降低存储使用量。 此外，据华尔街日报此前报道，下游客户正积极寻求降低对存储芯片的依赖程度，尽管美光方面仍认为供应短缺态势将持续。Yamaura指出，这一趋势存在强烈的加速动力。 从结构到格局：AI竞争加剧，存储需求叙事松动 在更宏观的视角上，Yamaura提及一个值得关注的市场现象：中国初创企业和中小型企业正通过组合使用多款AI模型的方式，规避高昂的AI使用费用——这与OpenAI等头部平台的商业预期存在明显背离。AI模型之间的竞争，在OpenAI上市之前便已白热化。 上述动态共同指向一个结论： 市场对"存储供应持续紧张"这一核心叙事的信心正在动摇 ，而AI基础设施股与超大规模云计算商之间的近期分化，正是这种定价重估的直接体现。 在策略层面，Yamaura表示，鉴于上周科技股的剧烈波动，高盛正将近期战术立场调整为倾向防御性配置。与此同时，美国对伊朗动武后相关地缘风险再度升温，使得周期性板块在短期内同样难以轻易介入。 不过，高盛也指出了一个关键支撑：目前美国经济基本面整体仍保持稳健。正因如此，Yamaura认为，任何向防御品种的切换或指数层面的抛售，均应被视为阶段性而非趋势性的。对于个股层面的操作，Yamaura为中长期投资者提供了明确的倾向性建议：对于那些动能出现断裂的个股，应倾向于逢低买入，而非激进减仓。

韩国总统李在明周一公布一项总投资规模超过5760亿美元的国家产业战略，围绕半导体、人工智能和数据中心三大领域展开，目标是在巩固韩国全球芯片竞争力的同时，推动先进制造业向首都圈以外地区布局，实现区域均衡发展。 李在明在青瓦台举行的“Korea Great Leap 3大型国家项目报告会”上表示，这是一场围绕“半导体、物理AI和数据中心”的“伟大飞跃”。他说，韩国必须比任何国家更快掌握AI的核心要素。 作为计划核心，三星电子(005930.KS)和SK海力士(000660.KS)分别公布总额2655万亿韩元和2100万亿韩元的韩国国内长期投资方案，重点覆盖半导体制造、HBM、高性能封装以及全国AI数据中心建设，以应对人工智能带来的芯片需求快速增长。 韩国加码投资半导体、AI和数据中心 半导体产能向全国扩张 据韩国产业部长金正宽介绍，三星电子和SK海力士将联合供应链企业投资800万亿韩元，在韩国西南地区分别建设两座新的芯片制造基地；忠清地区还将新增一个投资81万亿韩元的芯片封装集群。 李在明表示，光州市和全罗南道还将追加5万亿至20万亿韩元投资， 西南地区未来将成为韩国新的芯片制造中心 ，并充分利用当地充足但尚未充分开发的电力资源。 金正宽表示，为满足快速增长的半导体需求，韩国不仅要尽快完成龙仁等现有项目建设，还需要 通过西南地区的大规模投资提前形成压倒性产能。 目前，以龙仁和平泽为核心的生产基地已接近承载极限。 韩国政府还计划未来五年将DRAM产量提高一倍，并把首都圈晶圆厂建设时间提前至2030年代中期。三星电子和SK海力士生产的HBM芯片，目前已成为全球先进AI系统的重要组成部分。 三星、SK加码AI和数据中心 三星计划在首都圈半导体集群投资2030万亿韩元，在非首都圈投资625万亿韩元，共计2655万亿韩元。 其中，湖南地区将获得425万亿韩元投资，光州将建设新一代晶圆厂，仅该项目投资就达到400万亿韩元，并同步建设数字孪生智能家电工厂。三星SDS将在全罗南道海南建设AI数据中心，三星电子还将在全罗北道高敞建设物流中心。 忠清地区将投资140万亿韩元，包括在天安和温阳建设HBM晶圆厂，以及三星显示在牙山建设下一代显示生产基地。岭南地区则将布局人形机器人生产线、AI数据中心以及全固态电池和储能系统项目。 SK海力士计划投资约1100万亿韩元，打造连接龙仁、清州和西南地区的AI存储产业带。其中，龙仁半导体集群投资约600万亿韩元，四座原计划2045年完工的晶圆厂已提前至2033年全部建成。 清州将投资约100万亿韩元扩建NAND闪存晶圆厂，并提升HBM先进封装能力；西南地区则计划投入约400万亿韩元建设下一代半导体生产基地。 与此同时，SK电讯主导的全国AI数据中心项目总规模规划达到15GW，预计总投资约1000万亿韩元，初期建设5GW，并于2035年前再扩展10GW。SK集团会长崔泰源表示， 该项目将推动韩国由“AI消费国”向“AI出口国”转型。 三星电子会长李在镕表示，公司已将光州列为新晶圆厂候选地，当地在电力、水资源、人才培养和基础设施方面具备较好条件。崔泰源则表示，建设先进晶圆厂需要土地、电力、水资源和人才，公司仍需进一步确定最终选址。 不过，该计划也引发政治争议。反对派人士认为，西南芯片中心规划可能带有政治色彩，因为该地区在去年总统选举中约85%的选民支持李在明。面对质疑，李在明周末通过X平台发文否认项目存在政治偏向。 产业专家认为，将先进制造业向首都圈以外扩展，有助于缓解基础设施压力，但 先进晶圆厂仍高度依赖完善的电力、水资源、物流体系、供应链网络和高技能人才，新产业集群短期内仍需较长时间培育。