日前，摩根士丹利将 大中华区半导体股票评价上调为具有吸引力 。 大摩分析师Charlie Chan在7月6日的一份报告中写道， 科技行业通缩、价格弹性、人工智能半导体需求，这三项因素将共同触发逻辑芯片的下一个上升周期 ，可能从第四季度开始。 其补充称， 眼下行业正处于“U型”周期复苏底部 。从历史上看，半导体库存天数的逆转是行业股价上升的一个强信号。 一方面，摩根士丹利表示， 过去两周以来，人工智能半导体订单涌现，考虑到AI半导体的长期趋势，重申高配建议 ，上调包括台积电在内的头部AI半导体公司的盈利预期。 另一方面，其建议投资者 有选择地参与智能手机半导体周期的触底反弹 ，将韦尔股份评级上调至高配，将汇顶科技评级调整至平配，将日月光评级上调至高配，将长电科技评级上调至平配。维持对联发科、矽力-KY和世界先进的低配评级，因为这些公司2023年第二季度业绩可能继续逊于预期。 ▌全球芯片销售额已连续三个月小幅上升 美国半导体产业协会（SIA）7月6日公布的数据显示，5月全球半导体芯片销售额达到407亿美元，同比减少21.1%，连续第11个月大幅下滑，环比增幅1.7%。 野村认为 5月数据已显示出触底反弹的迹象 。SIA总裁兼执行长John Neuffer也表示，半导体市场相较2022年依旧低迷，但 全球芯片销售额已连续三个月小幅上升，激起人们对市场在下半年反弹的乐观情绪 。 并且 5月所有细分地区销售额均实现环比正增长 。其中，中国环比增长3.9%，欧洲环比增长2%，亚太/其他地区增长1.3%，日本与美洲分别增长0.4%、0.1%。 此外，世界半导体贸易统计协会（WSTS）近日发布的预测报告也显示，2023年全球半导体销售额预计为5151亿美元，同比下滑10.3%。 随后将出现强劲的复苏现象，预计 2024年全球半导体销售额将增长11.8%，达到5759.97亿美元，创历史新高 。届时几乎所有地区都有望持续增长，美洲和亚太地区或将呈现两位数同比增长。 ▌前瞻性指数已迎来拐点 从二级市场表现来看，作为全球半导体风向标的费城半导体指数（SOX）的同比数据通常较全球半导体销售额的同比数据更早迎来拐点，券商认为其具备一定的前瞻效应。 图|费城半导体年初至今走势 中航证券6月17日报告指出， 在本轮半导体下行周期中，费城半导体指数同比变动幅度已在2022年底迎来了拐点，而全球半导体销售额也在今年三、四月出现小幅的回升，半导体周期或已接近底部 。年初至今，费城半导体指数出现震荡上行的走势，并在今年5月后强势上涨；而申万半导体指数5月以来未出现明显回升，虽然6月已有小幅回升，但仍呈同比下滑的态势，海外投资者对半导体市场显得更为乐观坚定。 浦银国际证券也认为，全球半导体行业周期下行预计今年二、三季度见底，下行空间已接近底部区域，优先布局估值弹性标的。 长城证券补充称， 半导体行业库存调整逐步到位，需求端有望逐步回暖 。 从具体细分领域来看， 存储芯片行业 每隔3-4年便会经历一轮周期，中原证券指出，若下半年下游需求逐步恢复，供需关系不断改善，存储器价格下半年有望反弹；本轮存储器下行周期持续时间已超过1.5年，今年下半年或迎来触底回升。 另外， 可穿戴设备 也出现了复苏迹象。分析师指出，国内智能可穿戴设备SoC厂商恒玄科技和中科蓝讯今年Q1营收实现同环比增长，业绩复苏拐点显现，预计可穿戴设备2023年有望率先复苏。 但湘财证券也提醒， 虽然传统消费电子领域需求复苏预期转强，但销售端尚未出现显著改善 ，行业龙头企业仍位于主动去库存、削减资本开支阶段，建议紧密关注消费电子终端需求的变动，上游半导体设计龙头的库存及成本变动。

据台湾电子时报援引业内人士消息称， 由于人工智能服务器需求激增，高带宽内存（HBM）价格已开始上涨 。 目前， 全球前三大存储芯片制造商正将更多产能转移至生产HBM ，但由于调整产能需要时间，很难迅速增加HBM产量， 预计未来两年HBM供应仍将紧 张。 另据韩媒报道， 三星计划投资1万亿韩元（约合7.6亿美元）扩产HBM，目标明年底之前将HBM产能提高一倍 ，公司已下达主要设备订单。 据悉， 三星已收到AMD与英伟达的订单，以增加HBM供应 。 本次三星将在天安工厂展开扩产，该厂主要负责半导体封装等后道工艺。HBM主要是通过垂直堆叠多个DRAM来提高数据处理速度，因此只有增加后段设备才能扩大出货量。三星计划生产目前正在供应的HBM2和HBM2E等产品，并计划于下半年量产8层堆叠HBM3和12层HBM3E。 值得一提的是，6月已有报道指出， 另一存储芯片巨头SK海力士已着手扩建HBM产线，目标将HBM产能翻倍 。扩产焦点在于HBM3，SK海力士正在准备投资后段工艺设备，将扩建封装HBM3的利川工厂。预计到今年年末，后段工艺设备规模将增加近一倍。 本次韩媒报道指出，SK海力士的这一投资金额大约也在1万亿韩元（约合7.6亿美元）水平。 业内预计， 明年三星与SK海力士都将进一步扩大投资规模 。由于谷歌、苹果、微软等科技巨头都在筹划扩大AI服务，HBM需求自然水涨船高，“ 若想满足未来需求，三星、SK海力士都必须将产能提高10倍以上 。” ▌主流AI训练芯片“标配” HBM或迎量价齐升 实际上，2023年开年后三星、SK海力士的HBM订单快速增加，之前另有消息称HBM3较DRAM价格上涨5倍。 随着AI技术不断发展，AI训练、推理所需计算量呈指数级增长，2012年至今计算量已扩大30万倍。处理AI大模型的海量数据，需要宽广的传输“高速公路”即带宽来吞吐数据。 HBM通过垂直连接多个DRAM，显著提高数据处理速度。它们与CPU、GPU协同工作，可以极大提高服务器性能。其带宽相比DRAM大幅提升，例如SK海力士的HBM3产品带宽高达819GB/s。同时，得益于TSV技术，HBM的芯片面积较GDDR大幅节省。 国盛证券指出， HBM最适用于AI训练、推理的存储芯片 。受AI服务器增长拉动，HBM需求有望在2027年增长至超过6000万片。Omdia则预计，2025年HBM市场规模可达25亿美元。 广发证券也补充称， HBM方案目前已演进为高性能计算领域扩展高带宽的主流方案，并逐渐成为主流AI训练芯片的标配 。 AIGC时代为HBM带来的需求增量主要体现在两方面： 一方面，单颗GPU需要配置的单个HBM的Die层数增加、HBM个数增加；另一方面，大模型训练需求提升拉动对AI服务器和AI芯片需求，HBM在2023年将需求明显增加，价格也随之提升。

韩国意在成为一个人工智能（AI）强国，业界分析认为，韩国在存储芯片市场中的主导地位和强大的人工智能生态系统或许能助其一臂之力。 根据韩国的“数字战略”， 韩国的目标是到2027年成为仅次于美国和中国的世界三大人工智能强国之一 。 韩国科学技术信息通讯部部长李宗昊（Jong-ho Lee）近日接受采访时称，韩国“旨在保持其在存储半导体领域的领先地位”。 他还表示，“韩国寻求在人工智能芯片等快速增长的领域成为全球重要一环、“ 存储芯片优势 今年迄今，各类大型语言模型的兴起推动了全球人工智能应用的爆炸式增长，也就意味着高性能存储芯片的需求明显增加。 李宗昊表示，“运行超大型语言模型等人工智能需要大量的半导体芯片才能运行。为了开发适合人工智能计算的高性能、低功耗半导体芯片，全球企业正在展开激烈的竞争。” 三星电子和SK海力士是世界上最大的两家动态随机存储器芯片（DRAM）制造商，一直在积极投资人工智能研究和开发，以提高其制造能力。存储芯片也被用作电脑、智能手机和平板电脑的存储设备。 三星电子今年3月表示，计划投资300万亿韩元（约合2280亿美元）在韩国打造一个全球规模最大的半导体集群，包括制造工厂、设计公司和材料供应商，并且新建5座半导体制造工厂，意在加强韩国本土的供应链。 市场调查公司TrendForce的数据显示，在全球DRAM市场，2022年第四季度三星电子的市场占有率为40.7%，SK海力士的市场占有率为28.8%，美国的美光公司以26.4%的市场占有率位居第三。 分析师怎么看？ 研究咨询公司SemiAnalysis的Dylan Patel上个月称，“三星一直在花钱、花钱、再花钱…这样他们才能赶上技术，才能继续保持领先地位。” 韩国互联网巨头Naver负责大规模人工智能开发的高管Sung Nako表示，“ 韩国拥有强大的本土人工智能生态系统，能够凭借这一点与全球科技巨头竞争 。” 道尔顿投资公司（Dalton Investments）的高级研究分析师James Lim表示，“韩国在存储芯片方面非常强大，而人工智能确实需要大量内存。 韩国在存储市场占据主导地位绝对是一个优势 。” Lim还指出，目前美国芯片巨头英伟达、英特尔尚未涉足存储业务，这将给韩国带来优势。 大力投资 目前，韩国政府正在大力投资人工智能。 李宗昊之前曾表示，“人工智能不仅推动了云计算和虚拟世界等数字产业的发展，并且大幅提高制造业和物流等传统行业生产率的关键因素。” “随着人工智能在各个领域的应用，现在可以预见， 它会产生更大的经济连锁反应 。” 到2030年为止，韩国计划将投入8262亿韩元（合6.3亿美元），通过新建数据中心和与创业公司合作，建设高端芯片。 去年，韩国科学信通部决定，将在未来5年时间内，累计投资大约1.02万亿韩元应用于AI半导体技术的研发。 OpenAI公司首席执行官奥特曼（Sam Altman）在6月与韩国总统尹锡悦会面时，建议韩国主导人工智能芯片生产。奥特曼当时还表示有兴趣投资韩国初创企业，并与三星电子等主要芯片制造商合作。 李宗昊在上个月的新闻发布会上表示，“我们将利用我们的存储半导体能力，到2030年分阶段推进人工智能半导体，开发应用于数据中心的其他半导体，并培养相关半导体专家，确保为该领域全力以赴。”

据台湾电子时报援引韩媒消息称， 由于台积电产能供应日益紧张，英伟达正计划将部分AI GPU外包给三星制造 。 半导体业内人士透露， 英伟达正在与三星就相关生产合同进行谈判，他们的性能验证讨论是基于先进工艺 。 不过，韩国大多数业内人士认为，三星从英伟达获得大规模订单的可能性并不高，但不排除三星可能成为英伟达的第二代工伙伴，因为仅仅依靠台积电，难以完成所有AI GPU订单。 还有一些分析师表示，虽然目前三星的3nm制程工艺还未达到稳定的量产性能，但英伟达为了应对AI GPU快速激增的需求，可能会与三星合作，以减轻供应短缺的风险。 除此之外，三星先进封装技术能否满足英伟达要求，是决定这项合作能否实现的另一个关键因素。 之前韩媒已指出，英伟达A100和H100目前完全外包给台积电代工，三星未能拿下任何订单，这完全是因为台积电CoWoS先进封装技术领先于三星。 业内观察人士指出， 若三星的3nm试验产品通过性能验证，且其2.5D先进封装技术符合要求，公司才有望从英伟达处获得一些订单 。 AI芯片需求有多旺盛？ 近期有消息指出，由于AI推升了CoWoS需求， 台积电于6月底向设备厂商启动第二波追单，同时要求供应商全力缩短交期支援 ，预期今年第四季至明年首季将进入大量出机高峰。 在这背后，英伟达、博通、AMD都已在台积电投片，由于AI领域需求增长，三家公司第二季以来不仅逐季陆续上调台积电5/7nm家族制程订单，同时也争抢台积电CoWoS产能，强劲追单动能更已延续至2024年，整体下单规模较2023年至少再增2成以上。 另据Market Watch估计数据显示，到2028年，全球GPU市场规模可能从2021年的197.11亿美元增长到约334.63亿美元，在此期间的复合年增长率为7.85%。

碳化硅行业迎来一笔大单。 全球碳化硅衬底市占率第一的Wolfspeed与瑞萨电子5日宣布，已签署为期10年的碳化硅晶圆供应协议 。 根据协议，Wolfspeed将在2025年向瑞萨供应6英寸碳化硅衬底与外延片；且公司北卡罗来纳州厂全面运作之后，将向瑞萨供应8英寸碳化硅衬底与外延片。 瑞萨已向Wolfspeed 支付了20亿美元的定金 ，用于确保6英寸/8英寸碳化硅晶圆的供应，并支持Wolfspeed在美国的产能扩张计划。 这项协议将有助于推进碳化硅在汽车、工业和能源领域的应用。 受此消息影响，当地时间7月 5日， Wolfspeed大幅高开，盘中一度涨超22%，最终收涨11.02%，报62.99美元/股。 10年长单的背后，离不开终端应用需求上涨。例如，碳化硅近期正加速“上车” 。 近期上市的小鹏G6搭载了800V碳化硅高压平台；理想汽车也研发了800V高压平台和5C电池，并推出动力系统易四方平台，而易四方平台全系列车型标配碳化硅电控。 位于产业链中游的 德国汽车零部件制造商纬湃科技（Vitesco）也在近期签下两项碳化硅产品采购长单 ： 6月下旬， 其与罗姆签下碳化硅功率器件长期合作协议，双方在2024-2030年间的交易额将超过1300亿日元（约合9亿美元） 。纬湃科技将在逆变器中集成罗姆的碳化硅半导体，并应用于电动汽车动力系统。 5月31日， 安森美也与纬湃科技宣布了一项碳化硅产品10年期供应协议，协议价值19亿美元 。纬湃科技将向安森美提供2.5亿美元投资，用于采购碳化硅生产相关设备，以提前锁定后者的碳化硅产能。 另外，6月7日， 三安光电与意法半导体宣布，将携手成立一家合资制造厂，大规模量产8英寸碳化硅产品 ，建设总额预计为32亿美元，预计2025年完成阶段性建设并逐步投产，2028年达产，规划达产后生产8英寸碳化硅晶圆10000片/周。 总体而言，虽说目前碳化硅MOSFET价格相比于硅IGBT价格仍然较高，但碳化硅功率器件在耐压等级、开关损耗和耐高温性方面具备明显优势。新能源汽车已成为碳化硅功率器件最主要的市场。 在目前各大主流车厂积极布局800V电压平台的背景下，券商认为碳化硅的性价比突出，市场前景广阔，而配套的直流充电桩市场将进一步加速碳化硅需求增长。 与此同时，光伏、储能等也是碳化硅的新应用场景。碳化硅功率模块可使逆变器转换效率提升至99%以上，能量损耗降低30%以上，同时具备缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低系统散热要求等优势。国泰君安预计，2026年光伏用第三代半导体市场空间将接近20亿元，五年CAGR超过30%。另外，随着可再生能源发电占比提高以及智能电网的应用，储能系统与电力电子变压器进一步拓宽了碳化硅的市场。 据《科创板日报》不完全统计，A股碳化硅相关厂商包括： 天岳先进具备碳化硅衬底制备全流程核心关键技术，已与英飞凌、博世集团等加强合作； 三安光电 与意法半导体携手成立一家合资制造厂，大规模量产8英寸碳化硅产品； 合盛硅业2万片宽禁带半导体碳化硅衬底及外延片产业化生产线项目已通过验收； 斯达半导SiC芯片研发及产业化项目顺利开展，使用公司自主芯片的车规级SiC-MOS模块预计2023年开始向客户批量供货； 德龙激光碳化硅晶锭激光切片技术已完成工艺研发和测试验证，并取得头部客户批量订单； 晶盛机电成功研发出8英寸单片式碳化硅外延生长设备，可实现掺杂均匀性4%以内的外延质量，可兼容6、8寸碳化硅外延生产； 晶升股份已形成8-12英寸28nm制程以上半导体级单晶硅炉、6英寸碳化硅单晶炉量产销售。

瑞萨电子与Wolfspeed签署10年碳化硅晶圆供应协议。根据协议，瑞萨电子已向Wolfspeed支付了20亿美元的定金，以确保6英寸/8英寸SiC晶圆的供应，并支持Wolfspeed的美国产能扩张计划。受该消息影响，Wolfspeed美股一度涨超20%。 在电动汽车和新能源增长的推动下，对更高效的功率半导体的需求在汽车和工业应用中急剧增加。与传统的硅功率半导体相比，碳化硅器件具有更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。根据Yole数据，2021年全球碳化硅功率器件市场规模约为10.90亿美元，同比增长57%。2027年全球导电型碳化硅功率器件市场空间有望突破至62.97亿美元，六年年均复合增长率约为34%。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 露笑科技 碳化硅业务主要为6英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售，公司已经安装280台长晶炉。 晶盛机电 公司微信公众号于6月27日发布推文，公司成功研发8英寸单片式碳化硅外延设备。

在英国《金融时报》周三刊发的专访中，印度电子和信息技术部长Ashwini Vaishnaw毫不吝啬溢美之词，对印度新生的半导体产业给予了很高的评价和期待。 令Vaishnaw部长信心爆棚的主要原因，是美国的美光科技上周宣布将在印度建设新的半导体组装和测试工厂。 这个总投资额最高可达27.5亿美元的项目中，美光自己的投资额最高可达8.25亿美元，印度政府同意给予50%的财政补贴，古吉拉特邦另外提供项目成本20%的政策激励。 （美光科技官宣印度工厂，来源：官网） 根据规划，美光印度封装厂将从下个月开工，预期到2024年底正式投产。 Vaishnaw部长强调， 这是所有国家设立一个新产业的时间（最短）纪录，这里不是说一家新的公司，而是一个国家里的一整个新产业。（美光厂）目前的目标是18个月开始有产出，也就是2024年的12月。 他也进一步强调，莫迪政府主导的“印度半导体行动”正在开展广泛的工作，以争取其他半导体供应链企业的支持，包括化学品、气体、生产设备公司等，还有那些有兴趣在印度设立硅晶圆工厂的企业。 梦想远大 但实际动作很少 对此，英国路透社在周三的评论文章中一针见血地指出， 印度的半导体梦想正在面临困境 。印度政府虽然一直在晃荡“100亿美元”补贴的钱袋子，但实际的动作却很少。 本土矿业巨头Vedanta与台积电的195亿美元项目已经陷入停滞， 美光科技在莫迪老家建设工厂算是一个小小的胜利，但这个设施是用来检测和封装芯片的，与实际意义上的“生产半导体”相去甚远。 简而言之，美光印度厂可以帮助印度打入半导体产业链，并与日月光半导体、长电科技等公司掰掰手腕，但与附加值更高的“设计和生产半导体”关系着实不大。 其实，印度现在所要做的就是放低姿态，有实际产出就是取得进展。 更加务实 在最初的梦想被泼了一盆冷水后，认清现实的印度政府也正变得更加务实： 在近期重启半导体补贴项目时，印度把项目生产芯片的工艺制程门槛从28纳米（及更先进）放宽到40纳米 。 事实上，在智能手机、电动车等领域，对于成熟工艺制程芯片的需求一直都非常旺盛。 Vaishnaw部长透露，目前印度政府正在与14家申请企业商讨补贴的事宜，其中有两家资质很好，看上去有希望最终落地。除了产业政策外，印度的税务政策也令许多外资感到忧虑。 Vaishnaw也正面回击了“印度应该从细分市场开始做起”的论调，表示印度有“超过5万名”半导体设计师，实际上“全世界所有复杂的芯片都已经在印度搞设计了”。因此，印度和美国、日本等国家一样，拥有一整套生态系统，搞定晶圆厂就是下一步要做的事情。

据韩媒今日报道，测算数据显示， 7月三星将DRAM月产量削减至62万片晶圆，同比减少12%以上，创下了公司自2021年第三季度以来DRAM产量的新低 。 有半导体业内人士表示，三星的DRAM工厂中，除了采用先进工艺制程的平泽园区之外，基本所有产线的DRAM产量都在下降。 距离三星4月宣布减产已过去了三个月，如今减产效果真正显现。 但这并不是全部，报道称 三星内部计划将减产持续至明年 ，在半导体市场重回供需平衡之前，公司将避免扩产存储芯片。Omdia预计，明年下半年三星的DRAM月产量将保持在60万片，较目前水平进一步减少。 与此同时，三星也开始积极与主要客户重新谈判DRAM价格——外界认为，这也意味着 三星正在逐渐摆脱库存过剩的负担 。 上周已有消息指出，面对行业传统旺季， 三星、SK海力士及美光三家存储巨头都计划调涨DRAM的下一季度合约价，目标涨幅7%-8% 。 实际上，美光是三大存储巨头中最先开始减产的公司。同样在上周的财报电话会议上，美光表示，将扩大减产DRAM与NAND Flash， “近期，我们将DRAM和NAND Flash晶圆的投入进一步减少30%（之前为25%）”，且减产将持续到2024年 。 SK证券研究员韩东熙预计，“ 从第三季度开始，内存库存将全面下降。这意味着我们或将进入一个可以寻求价格反弹的阶段 。” TrendForce近日在报告中表示，DRAM现货市场中，近期低价DDR4产品出现零星涨价；由于芯片供应充足，DDR5产品价格不断走低。之后该机构另一份报告指出，DRAM市场中买家与供应商已开始讨论第三季度合同，初步报价显示，DDR5与LPDDR5X产品价格进一步下跌的空间已经不大。 华鑫证券认为，存储芯片价格整体呈现下跌趋势变缓的状态，周期底部区间基本确认。存储行业周期性极强，本轮周期拐点或将来临。

当地时间周二（7月4日），日本经济产业大臣西村康稔表示，日本正努力成为一些全球领先人工智能（AI）公司的所在地。他还提出了一个极具雄心的目标，在日本创建一家超越英伟达的公司。 西村周二在东京大学的一场研讨会上表示，这包括支持有前途的初创企业和大企业，以及推动关于全民基本收入的讨论，因为AI会淘汰更多的工作。 他说，随着AI的发展，当机器人、无人机、自动驾驶汽车和其他设备可以做更多的事情，人们将拥有更多的时间。 西村表示，日本还需要有能力推动AI训练处理器的开发。英伟达的高算力GPU是各大公司训练AI的优选，凭借在该领域的领导地位，英伟达今年股价上涨了近两倍，市值突破1万亿美元，成为首个达成这一里程碑的芯片公司。 西村称：“我希望在日本创建一家超越英伟达的公司。” 日本首相岸田文雄加大了对国内半导体行业的支持力度。上月初，日本政府发布了更新后的半导体战略，目标是到2030年将国内生产的半导体销售额增加两倍，达到15万亿日元以上。 日本正在制定关于AI的监管规则，此前有媒体报道称，日本政府倾向于出台比欧盟更为宽松的AI使用规则，从而通过AI促进经济增长，并成为领先芯片领域的领头羊。 软银集团创始人孙正义也出席了会议，他表示：“当我们不再是地球上最聪明的生物时，我们需要讨论作为人类意味着什么。现在是日本全力投入AI的时候了。”