博通半导体解决方案业务部门总裁Charlie Kawwas表示，博通将投资欧盟支持的一项计划，以提高西班牙的半导体产能。 Kawwas在周四的一篇推文中表示：“很高兴宣布，我们决定根据西班牙的半导体支持计划和欧盟芯片法案的原则，投资西班牙的半导体生态系统。” Kawwas还感谢西班牙首相桑切斯对建立一个有弹性的全球半导体价值链的支持和果断。 西班牙经济部表示，博通将参与该项目，价值可能达到10亿美元。不过，博通没有提供投资金额的细节。 该经济部补充道，该计划将包括建设“欧洲独有的大型后端半导体设施”。地点尚未确定。 据了解，西班牙政府计划从欧盟的疫情救助基金中拨出至多120亿欧元(约合130亿美元)，用于补贴半导体产业的发展。 在博通之前，西班牙政府曾透露思科(CSCO.US)计划在巴塞罗那开设一家新的芯片设计中心。 在经历了最近的供应链问题之后，目前各国都在加紧准备，以增加半导体的供应。本周早些时候，欧盟内部市场专员Thierry Breton强调了与日本进一步的半导体合作。 今年6月，美国科技公司英特尔(INTC.US)则宣布在德国和波兰建立芯片工厂的计划，这是该公司未来几年在欧洲投资880亿美元以提高半导体产能计划的一部分。

不同于半导体行业一片“寒冬”，作为第三代半导体材料的碳化硅今年加速狂奔。本周，全球碳化硅龙头Wolfspeed与瑞萨电子签署了10年碳化硅晶圆供应协议。公司此前还宣布获20亿美元融资将扩建碳化硅工厂。与此同时，三安光电6月初公告与意法半导体合资建造一座8英寸碳化硅外延、芯片代工厂。晶升股份、扬杰科技、天岳先进、奥海科技等多家国内企业也于近日纷纷披露碳化硅业务布局进展。 受消息提振，Wolfspeed美股周三一度涨超20%。次日，A股碳化硅板块异动，温州宏丰盘中最高涨超17%，晶升股份、东尼电子、天岳先进、露笑科技分别一度涨超11%、7%、6%和4%。 业内人士表示，在新能源汽车、光伏等领域的强劲需求下，碳化硅产业仍处于产能不足、供不应求的现状。据Yole预计，碳化硅功率器件市场规模将由21年10.9亿美元增长至27年62.97亿美元，复合增长率达34%。 从碳化硅产业链来看，当中涉及衬底、外延、器件设计、器件制造和封测等一系列环节，各环节对技术和资本投入的要求均较高。全球碳化硅市场主要由Wolfspeed、Ⅱ-Ⅵ和Rohm等海外巨头占据，国内主要厂商包括天岳先进、天科合达、晶盛机电、三安光电、露笑科技、斯达半导、士兰微、闻泰科技、扬杰科技和比亚迪等。 ▌Wolfspeed等海外巨头订单接到手软 三安光电等A股上市公司扩产不断 露笑科技上半年业绩预计大增近5倍 公开资料显示，碳化硅因具有耐高温、耐高压、降低功耗等多重优势，车规级市场现是其最主要的应用场景，包括特斯拉、现代、通用、比亚迪、蔚来、吉利汽车、小鹏汽车等几十家车企均在主驱逆变器中采用碳化硅器件。此外，这两年光伏逆变器、高压充电桩、轨交电网等新应用领域的出现也为碳化硅市场打开了新增量。 在旺盛需求下，安森美、英飞凌、士兰微、斯达半导等企业去年加速布局。据媒体相关报道，国内碳化硅仅国内碳化硅头部企业天岳先进和天科合达等的产能布局已逼近50万片。同时，东吴证券马天翼等人在4月7日研报中梳理，斯达半导、士兰微、华润微、时代电气、三安光电、振华科技、泰科天润、芯粤能等国内传统功率器件制造商与新兴SiC器件制造商也纷纷入局，加强产线投资力度。此外，资本市场对碳化硅同样有着很高的关注度。去年国内有超过30起相关融资，合计金额超过33亿元。 然而，今年4月，一直被看作碳化硅幕后主推手，也是碳化硅最大采购商的特斯拉突然宣布，下一代汽车平台将减少75%碳化硅使用量。此消息一度引发行业和市场对于碳化硅将被新能源车“舍弃”的担忧。不过，业内人士分析，特斯拉减用碳化硅的背后实际“醉翁之意不在酒”，换句话即并不是看不上，而是用不起了。 据微信公众号远川研究所测算，按马斯克构想，2030年特斯拉要达到2000万辆电动汽车的年产量，目前平均每2辆特斯拉就需要一块6英寸碳化硅。而在乐观情况下2030年碳化硅的总产能也仅有1045-1218万片。这意味着维持原本使用量下特斯拉需要用掉全球碳化硅的全部产量。价格方面，Model3主驱动逆变器采用碳化硅MOSFET的总成本是传统方案硅基IGBT的3-5倍。 对此，有市场人士认为，特斯拉减用想传达的潜台词实际就是向碳化硅产业表示，目前价格太贵且有效产能太小。据中国商报报道，在特斯拉日前发布的《特斯拉电机的秘密》视频中，其仍将碳化硅功率模块列为公司逆变器的“秘密武器”。 当前来看，风波后的碳化硅不仅不受影响，似乎还更香了。据悉，Wolfspeed管理层近日表示，公司8寸产线开建后产品供不应求。今年5月，安森美也宣布了一项价值19亿美元的碳化硅产品10年期供应协议。公司直言，未来5-10年都不会出现产能过剩的情况。业内人士称，从国际企业披露的订单详情来看，目前，意法半导体、英飞凌、安森美、wolfspeed等公司订单量远超产能。 对此，东海证券周啸宇在近日研报中表示，碳化硅整体供不应求对国内厂商或存在一个订单外溢的市场空间，国内功率器件厂商有望迎来迅速增长。根据广发证券研报梳理的碳化硅本土产业链概览图显示，国内产业链整体较为分散，三安光电及中电科下属研究所采用产业链全覆盖模式，天岳先进、比亚迪、露笑科技、扬杰科技、东尼电子等更多厂商专注于产业链中某个特定环节。值得一提的是，露笑科技披露的一季报和半年报预告显示，公司Q1净利同比增超240%，上半年净利同比预增427.41%-486.93%。 ▌上游衬底是“死穴” 晶盛机电等国内玩家加速8英寸碳化硅产品发布及产能布局 但规模量产仍是待解难题 根据资料显示，碳化硅产业的主要环节在衬底、外延及器件设计和制造，其中衬底最难且价值量占比最大，被业内认为是碳化硅产业的脖子，是未来碳化硅产业降本、大规模产业化的主要驱动力。 公开数据指出，衬底环节占碳化硅制造成本比接近一半，良率方面国内平均40%-50%，海外60%-70%。此外，据微信公众号芯世相相关文章介绍称，一般硅晶圆只需2-3天便可长出2米的8英寸柱体，而碳化硅耗时一周也只能长出2cm。东吴证券马天翼等人在研报中认为，当前SiC衬底市场高度集中，在碳化硅衬底环节具有丰富量产经验和深厚技术积累的厂商将形成先发优势。 开源证券此前研报显示，2021年Wolfspeed和II-VI两家美国厂商占据全球70%以上的衬底份额。国泰君安石岩等人在5月6日研报中进一步表示，碳化硅衬底可分为半绝缘型和导电型。其中，在导电型衬底上生长碳化硅外延层即可得到碳化硅外延片，进一步可制造MOSFET、IGBT等各类功率器件应用于新能源汽车、充电桩、光伏发电、智能电网等领域。然而，在导电型SiC衬底市场，国内天科合达和山东天岳市占率占比较低。 值得注意的是，在国际大厂纷纷迈入8英寸的同时，国内厂商亦开启对8英寸碳化硅衬底的加速“破局”之战，硕科晶体、晶盛机电、天岳先进、同光股份、天科合达等均在去年发布8英寸衬底产品。行业专家表示，8英寸衬底在降低器件单位成本、增加产能供应方面拥有巨大的潜力，正在成为行业重要的技术演化方向。Wolfspeed预计至2024年，8英寸衬底带来的单位芯片成本相较于22年6英寸衬底的单位芯片成本降低超过60%。 据近期A股相关公司的公告，三安光电6月与意法半导体结盟升级，其中计划通过三安光电全资子公司，投入70亿元建设年产48万片/年的8英寸碳化硅衬底。5月，天岳先进、天科合达签约英飞凌，供货碳化硅6英寸衬底、合作制备8英寸衬底。海通证券分析师余伟民近日指出，国内尺寸迭代近年来发展提速明显。截至2022年11月，晶盛机电、天岳先进、天科合达、山西烁科分别宣布掌握了8英寸碳化硅衬底制备技术，处于验证阶段。 此外，有媒体近期报道，据不完全统计，国内有十余家企业与机构正在研发8英寸碳化硅衬底，包含烁科晶体、晶盛机电、天岳先进、南砂晶圆、同光股份、天科合达、科友半导体、乾晶半导体、中科院物理所、山东大学等。赛微电子、三安光电、露笑科技等也有8英寸碳化硅衬底相关产能在投建中。 不过，行业专家表示，尽管当前8英寸在快速发展，但实现量产的企业还只有Wolfspeed。当前国内在8英寸SiC晶圆量产面临较多难点，比如衬底制备中8英寸籽晶的研制、大尺寸带来的温场不均匀等。

据报道，韩国工程师们发现了一种利用表面等离子体激元（SPP）的新传热模式，在半导体热管理方面取得了重大突破。这种新方法将散热提高了 25%，对于解决小型半导体器件的过热问题至关重要。 缩小半导体尺寸的需求，加上器件热点处产生的热量不能有效分散的问题，对现代器件的可靠性和耐用性产生了负面影响。现有的热管理技术还不能胜任这项任务。因此，发现一种利用基板上金属薄膜产生的表面波来散热的新方法，确实是一个重要的突破。 韩国科学技术院（KAIST）日前宣布，机械工程系Bong Jae Lee教授的研究小组，成功测量了新观察到的由SPP在沉积在基板上的金属薄膜中引起的热传递，这还是全球范围内的第一次。 SPP是指电介质与金属界面处的电磁场与金属表面的自由电子及类似集体振动粒子之间强烈相互作用，并在金属表面形成的表面波。 具体而言，研究小组利用SPP（金属-电介质界面产生的表面波）来改善纳米级金属薄膜的热扩散。由于这种新的传热模式是在基板上沉积金属薄膜时发生的，因此它在器件制造过程中非常有用，并且具有能够大规模制造的优点。 研究小组表示，由于半径约3厘米、厚度为100纳米的钛（Ti）薄膜上产生表面波，热导率提高了约25%。最新研究结果已于近期发表在了《物理评论快报》上。 “这项研究的意义在于，在加工难度较低的基板上沉积的金属薄膜上首次发现了一种利用表面波进行传热的新模式，它可以用作纳米级散热器，以有效地散发容易过热的半导体器件热点附近的热量。”他们说。 这一结果对未来高性能半导体器件的发展具有重大意义，因为它可以应用于纳米级薄膜上的快速散热。特别是，研究团队发现的这种新的传热模式，有望解决半导体器件热管理的基本问题，因为它可以在纳米级厚度下实现更有效的传热，而薄膜的导热率通常会因边界散射效应而降低。

日前，摩根士丹利将 大中华区半导体股票评价上调为具有吸引力 。 大摩分析师Charlie Chan在7月6日的一份报告中写道， 科技行业通缩、价格弹性、人工智能半导体需求，这三项因素将共同触发逻辑芯片的下一个上升周期 ，可能从第四季度开始。 其补充称， 眼下行业正处于“U型”周期复苏底部 。从历史上看，半导体库存天数的逆转是行业股价上升的一个强信号。 一方面，摩根士丹利表示， 过去两周以来，人工智能半导体订单涌现，考虑到AI半导体的长期趋势，重申高配建议 ，上调包括台积电在内的头部AI半导体公司的盈利预期。 另一方面，其建议投资者 有选择地参与智能手机半导体周期的触底反弹 ，将韦尔股份评级上调至高配，将汇顶科技评级调整至平配，将日月光评级上调至高配，将长电科技评级上调至平配。维持对联发科、矽力-KY和世界先进的低配评级，因为这些公司2023年第二季度业绩可能继续逊于预期。 ▌全球芯片销售额已连续三个月小幅上升 美国半导体产业协会（SIA）7月6日公布的数据显示，5月全球半导体芯片销售额达到407亿美元，同比减少21.1%，连续第11个月大幅下滑，环比增幅1.7%。 野村认为 5月数据已显示出触底反弹的迹象 。SIA总裁兼执行长John Neuffer也表示，半导体市场相较2022年依旧低迷，但 全球芯片销售额已连续三个月小幅上升，激起人们对市场在下半年反弹的乐观情绪 。 并且 5月所有细分地区销售额均实现环比正增长 。其中，中国环比增长3.9%，欧洲环比增长2%，亚太/其他地区增长1.3%，日本与美洲分别增长0.4%、0.1%。 此外，世界半导体贸易统计协会（WSTS）近日发布的预测报告也显示，2023年全球半导体销售额预计为5151亿美元，同比下滑10.3%。 随后将出现强劲的复苏现象，预计 2024年全球半导体销售额将增长11.8%，达到5759.97亿美元，创历史新高 。届时几乎所有地区都有望持续增长，美洲和亚太地区或将呈现两位数同比增长。 ▌前瞻性指数已迎来拐点 从二级市场表现来看，作为全球半导体风向标的费城半导体指数（SOX）的同比数据通常较全球半导体销售额的同比数据更早迎来拐点，券商认为其具备一定的前瞻效应。 图|费城半导体年初至今走势 中航证券6月17日报告指出， 在本轮半导体下行周期中，费城半导体指数同比变动幅度已在2022年底迎来了拐点，而全球半导体销售额也在今年三、四月出现小幅的回升，半导体周期或已接近底部 。年初至今，费城半导体指数出现震荡上行的走势，并在今年5月后强势上涨；而申万半导体指数5月以来未出现明显回升，虽然6月已有小幅回升，但仍呈同比下滑的态势，海外投资者对半导体市场显得更为乐观坚定。 浦银国际证券也认为，全球半导体行业周期下行预计今年二、三季度见底，下行空间已接近底部区域，优先布局估值弹性标的。 长城证券补充称， 半导体行业库存调整逐步到位，需求端有望逐步回暖 。 从具体细分领域来看， 存储芯片行业 每隔3-4年便会经历一轮周期，中原证券指出，若下半年下游需求逐步恢复，供需关系不断改善，存储器价格下半年有望反弹；本轮存储器下行周期持续时间已超过1.5年，今年下半年或迎来触底回升。 另外， 可穿戴设备 也出现了复苏迹象。分析师指出，国内智能可穿戴设备SoC厂商恒玄科技和中科蓝讯今年Q1营收实现同环比增长，业绩复苏拐点显现，预计可穿戴设备2023年有望率先复苏。 但湘财证券也提醒， 虽然传统消费电子领域需求复苏预期转强，但销售端尚未出现显著改善 ，行业龙头企业仍位于主动去库存、削减资本开支阶段，建议紧密关注消费电子终端需求的变动，上游半导体设计龙头的库存及成本变动。

据台湾电子时报援引业内人士消息称， 由于人工智能服务器需求激增，高带宽内存（HBM）价格已开始上涨 。 目前， 全球前三大存储芯片制造商正将更多产能转移至生产HBM ，但由于调整产能需要时间，很难迅速增加HBM产量， 预计未来两年HBM供应仍将紧 张。 另据韩媒报道， 三星计划投资1万亿韩元（约合7.6亿美元）扩产HBM，目标明年底之前将HBM产能提高一倍 ，公司已下达主要设备订单。 据悉， 三星已收到AMD与英伟达的订单，以增加HBM供应 。 本次三星将在天安工厂展开扩产，该厂主要负责半导体封装等后道工艺。HBM主要是通过垂直堆叠多个DRAM来提高数据处理速度，因此只有增加后段设备才能扩大出货量。三星计划生产目前正在供应的HBM2和HBM2E等产品，并计划于下半年量产8层堆叠HBM3和12层HBM3E。 值得一提的是，6月已有报道指出， 另一存储芯片巨头SK海力士已着手扩建HBM产线，目标将HBM产能翻倍 。扩产焦点在于HBM3，SK海力士正在准备投资后段工艺设备，将扩建封装HBM3的利川工厂。预计到今年年末，后段工艺设备规模将增加近一倍。 本次韩媒报道指出，SK海力士的这一投资金额大约也在1万亿韩元（约合7.6亿美元）水平。 业内预计， 明年三星与SK海力士都将进一步扩大投资规模 。由于谷歌、苹果、微软等科技巨头都在筹划扩大AI服务，HBM需求自然水涨船高，“ 若想满足未来需求，三星、SK海力士都必须将产能提高10倍以上 。” ▌主流AI训练芯片“标配” HBM或迎量价齐升 实际上，2023年开年后三星、SK海力士的HBM订单快速增加，之前另有消息称HBM3较DRAM价格上涨5倍。 随着AI技术不断发展，AI训练、推理所需计算量呈指数级增长，2012年至今计算量已扩大30万倍。处理AI大模型的海量数据，需要宽广的传输“高速公路”即带宽来吞吐数据。 HBM通过垂直连接多个DRAM，显著提高数据处理速度。它们与CPU、GPU协同工作，可以极大提高服务器性能。其带宽相比DRAM大幅提升，例如SK海力士的HBM3产品带宽高达819GB/s。同时，得益于TSV技术，HBM的芯片面积较GDDR大幅节省。 国盛证券指出， HBM最适用于AI训练、推理的存储芯片 。受AI服务器增长拉动，HBM需求有望在2027年增长至超过6000万片。Omdia则预计，2025年HBM市场规模可达25亿美元。 广发证券也补充称， HBM方案目前已演进为高性能计算领域扩展高带宽的主流方案，并逐渐成为主流AI训练芯片的标配 。 AIGC时代为HBM带来的需求增量主要体现在两方面： 一方面，单颗GPU需要配置的单个HBM的Die层数增加、HBM个数增加；另一方面，大模型训练需求提升拉动对AI服务器和AI芯片需求，HBM在2023年将需求明显增加，价格也随之提升。

韩国意在成为一个人工智能（AI）强国，业界分析认为，韩国在存储芯片市场中的主导地位和强大的人工智能生态系统或许能助其一臂之力。 根据韩国的“数字战略”， 韩国的目标是到2027年成为仅次于美国和中国的世界三大人工智能强国之一 。 韩国科学技术信息通讯部部长李宗昊（Jong-ho Lee）近日接受采访时称，韩国“旨在保持其在存储半导体领域的领先地位”。 他还表示，“韩国寻求在人工智能芯片等快速增长的领域成为全球重要一环、“ 存储芯片优势 今年迄今，各类大型语言模型的兴起推动了全球人工智能应用的爆炸式增长，也就意味着高性能存储芯片的需求明显增加。 李宗昊表示，“运行超大型语言模型等人工智能需要大量的半导体芯片才能运行。为了开发适合人工智能计算的高性能、低功耗半导体芯片，全球企业正在展开激烈的竞争。” 三星电子和SK海力士是世界上最大的两家动态随机存储器芯片（DRAM）制造商，一直在积极投资人工智能研究和开发，以提高其制造能力。存储芯片也被用作电脑、智能手机和平板电脑的存储设备。 三星电子今年3月表示，计划投资300万亿韩元（约合2280亿美元）在韩国打造一个全球规模最大的半导体集群，包括制造工厂、设计公司和材料供应商，并且新建5座半导体制造工厂，意在加强韩国本土的供应链。 市场调查公司TrendForce的数据显示，在全球DRAM市场，2022年第四季度三星电子的市场占有率为40.7%，SK海力士的市场占有率为28.8%，美国的美光公司以26.4%的市场占有率位居第三。 分析师怎么看？ 研究咨询公司SemiAnalysis的Dylan Patel上个月称，“三星一直在花钱、花钱、再花钱…这样他们才能赶上技术，才能继续保持领先地位。” 韩国互联网巨头Naver负责大规模人工智能开发的高管Sung Nako表示，“ 韩国拥有强大的本土人工智能生态系统，能够凭借这一点与全球科技巨头竞争 。” 道尔顿投资公司（Dalton Investments）的高级研究分析师James Lim表示，“韩国在存储芯片方面非常强大，而人工智能确实需要大量内存。 韩国在存储市场占据主导地位绝对是一个优势 。” Lim还指出，目前美国芯片巨头英伟达、英特尔尚未涉足存储业务，这将给韩国带来优势。 大力投资 目前，韩国政府正在大力投资人工智能。 李宗昊之前曾表示，“人工智能不仅推动了云计算和虚拟世界等数字产业的发展，并且大幅提高制造业和物流等传统行业生产率的关键因素。” “随着人工智能在各个领域的应用，现在可以预见， 它会产生更大的经济连锁反应 。” 到2030年为止，韩国计划将投入8262亿韩元（合6.3亿美元），通过新建数据中心和与创业公司合作，建设高端芯片。 去年，韩国科学信通部决定，将在未来5年时间内，累计投资大约1.02万亿韩元应用于AI半导体技术的研发。 OpenAI公司首席执行官奥特曼（Sam Altman）在6月与韩国总统尹锡悦会面时，建议韩国主导人工智能芯片生产。奥特曼当时还表示有兴趣投资韩国初创企业，并与三星电子等主要芯片制造商合作。 李宗昊在上个月的新闻发布会上表示，“我们将利用我们的存储半导体能力，到2030年分阶段推进人工智能半导体，开发应用于数据中心的其他半导体，并培养相关半导体专家，确保为该领域全力以赴。”

据台湾电子时报援引韩媒消息称， 由于台积电产能供应日益紧张，英伟达正计划将部分AI GPU外包给三星制造 。 半导体业内人士透露， 英伟达正在与三星就相关生产合同进行谈判，他们的性能验证讨论是基于先进工艺 。 不过，韩国大多数业内人士认为，三星从英伟达获得大规模订单的可能性并不高，但不排除三星可能成为英伟达的第二代工伙伴，因为仅仅依靠台积电，难以完成所有AI GPU订单。 还有一些分析师表示，虽然目前三星的3nm制程工艺还未达到稳定的量产性能，但英伟达为了应对AI GPU快速激增的需求，可能会与三星合作，以减轻供应短缺的风险。 除此之外，三星先进封装技术能否满足英伟达要求，是决定这项合作能否实现的另一个关键因素。 之前韩媒已指出，英伟达A100和H100目前完全外包给台积电代工，三星未能拿下任何订单，这完全是因为台积电CoWoS先进封装技术领先于三星。 业内观察人士指出， 若三星的3nm试验产品通过性能验证，且其2.5D先进封装技术符合要求，公司才有望从英伟达处获得一些订单 。 AI芯片需求有多旺盛？ 近期有消息指出，由于AI推升了CoWoS需求， 台积电于6月底向设备厂商启动第二波追单，同时要求供应商全力缩短交期支援 ，预期今年第四季至明年首季将进入大量出机高峰。 在这背后，英伟达、博通、AMD都已在台积电投片，由于AI领域需求增长，三家公司第二季以来不仅逐季陆续上调台积电5/7nm家族制程订单，同时也争抢台积电CoWoS产能，强劲追单动能更已延续至2024年，整体下单规模较2023年至少再增2成以上。 另据Market Watch估计数据显示，到2028年，全球GPU市场规模可能从2021年的197.11亿美元增长到约334.63亿美元，在此期间的复合年增长率为7.85%。

韩国内存芯片制造巨头三星电子预计将于8月初公布二季度财报。分析师预计，4-6月当季的营业利润将遭遇滑铁卢，可能创下逾14年来的最低水平。 其中最重要原因就是：尽管芯片供应减少，但库存过剩将继续导致这家科技巨头的核心业务出现巨额亏损。 Refinitiv SmartEstimate对27位分析师进行的一项调查显示，这家韩国巨头今年第二季度的营业利润可能降至5550亿韩圆（合4.27亿美元）。相比之下，去年第二季度三星的营业利润为14.1万亿韩元，也就意味着今年二季度利润预计将同比下滑96%。 如若是这样，三星将迎来自2008年第四季度以来的最低利润，当时三星电子公布了约7400亿韩元的综合运营亏损。 分析师指出，这主要是由于内存芯片价格进一步下跌、且库存价值大幅削减，传统上被认为是“摇钱树”的芯片部门可能录得约3万至4万亿韩元的季度亏损。 芯片库存堆积仍是问题 据TrendForce的数据，广泛用于智能手机、个人电脑和服务器的DRAM内存芯片的价格在当前季度继续下滑，跌幅约为13%至18%，原因是芯片下游企业不愿采购芯片，并希望清空库存。 不过，分析师表示，由于三星电子和同行正在削减供应，价格跌幅较前几个季度有所放缓， 预计将在第三季度左右触底，不过可能要到2024年才会大幅回升 。 尽管目前经济依旧处于低迷，但人工智能芯片领域的市场需求异常强劲，三星电子正在努力拓展高带宽内存（HBM）和芯片代工等领域的业务，来提振业绩。 此外，分析师看好三星的移动业务，认为其可能在二季度录得约3.3万亿韩圆的营业利润。尽管在二季度智能手机出货量较一季度略有下降，不过该部门削减营销成本的努力抵消了出货量下降的影响。 得益于三星在一季度推出了最新旗舰机型，三星电子移动业务部门和网络部门（原IT移动部门）的一季度销售额为31.82万亿韩元，营业利润为3.94万亿韩元。 预计三星将于本月晚些时候在首尔推出最新款可折叠智能手机，比过往惯例时间提前数周。分析师认为，三星此举是为了赶在竞争对手苹果发布下一代iPhone之前，能够在更长的时间内主导高端手机市场。

碳化硅行业迎来一笔大单。 全球碳化硅衬底市占率第一的Wolfspeed与瑞萨电子5日宣布，已签署为期10年的碳化硅晶圆供应协议 。 根据协议，Wolfspeed将在2025年向瑞萨供应6英寸碳化硅衬底与外延片；且公司北卡罗来纳州厂全面运作之后，将向瑞萨供应8英寸碳化硅衬底与外延片。 瑞萨已向Wolfspeed 支付了20亿美元的定金 ，用于确保6英寸/8英寸碳化硅晶圆的供应，并支持Wolfspeed在美国的产能扩张计划。 这项协议将有助于推进碳化硅在汽车、工业和能源领域的应用。 受此消息影响，当地时间7月 5日， Wolfspeed大幅高开，盘中一度涨超22%，最终收涨11.02%，报62.99美元/股。 10年长单的背后，离不开终端应用需求上涨。例如，碳化硅近期正加速“上车” 。 近期上市的小鹏G6搭载了800V碳化硅高压平台；理想汽车也研发了800V高压平台和5C电池，并推出动力系统易四方平台，而易四方平台全系列车型标配碳化硅电控。 位于产业链中游的 德国汽车零部件制造商纬湃科技（Vitesco）也在近期签下两项碳化硅产品采购长单 ： 6月下旬， 其与罗姆签下碳化硅功率器件长期合作协议，双方在2024-2030年间的交易额将超过1300亿日元（约合9亿美元） 。纬湃科技将在逆变器中集成罗姆的碳化硅半导体，并应用于电动汽车动力系统。 5月31日， 安森美也与纬湃科技宣布了一项碳化硅产品10年期供应协议，协议价值19亿美元 。纬湃科技将向安森美提供2.5亿美元投资，用于采购碳化硅生产相关设备，以提前锁定后者的碳化硅产能。 另外，6月7日， 三安光电与意法半导体宣布，将携手成立一家合资制造厂，大规模量产8英寸碳化硅产品 ，建设总额预计为32亿美元，预计2025年完成阶段性建设并逐步投产，2028年达产，规划达产后生产8英寸碳化硅晶圆10000片/周。 总体而言，虽说目前碳化硅MOSFET价格相比于硅IGBT价格仍然较高，但碳化硅功率器件在耐压等级、开关损耗和耐高温性方面具备明显优势。新能源汽车已成为碳化硅功率器件最主要的市场。 在目前各大主流车厂积极布局800V电压平台的背景下，券商认为碳化硅的性价比突出，市场前景广阔，而配套的直流充电桩市场将进一步加速碳化硅需求增长。 与此同时，光伏、储能等也是碳化硅的新应用场景。碳化硅功率模块可使逆变器转换效率提升至99%以上，能量损耗降低30%以上，同时具备缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低系统散热要求等优势。国泰君安预计，2026年光伏用第三代半导体市场空间将接近20亿元，五年CAGR超过30%。另外，随着可再生能源发电占比提高以及智能电网的应用，储能系统与电力电子变压器进一步拓宽了碳化硅的市场。 据《科创板日报》不完全统计，A股碳化硅相关厂商包括： 天岳先进具备碳化硅衬底制备全流程核心关键技术，已与英飞凌、博世集团等加强合作； 三安光电 与意法半导体携手成立一家合资制造厂，大规模量产8英寸碳化硅产品； 合盛硅业2万片宽禁带半导体碳化硅衬底及外延片产业化生产线项目已通过验收； 斯达半导SiC芯片研发及产业化项目顺利开展，使用公司自主芯片的车规级SiC-MOS模块预计2023年开始向客户批量供货； 德龙激光碳化硅晶锭激光切片技术已完成工艺研发和测试验证，并取得头部客户批量订单； 晶盛机电成功研发出8英寸单片式碳化硅外延生长设备，可实现掺杂均匀性4%以内的外延质量，可兼容6、8寸碳化硅外延生产； 晶升股份已形成8-12英寸28nm制程以上半导体级单晶硅炉、6英寸碳化硅单晶炉量产销售。

瑞萨电子与Wolfspeed签署10年碳化硅晶圆供应协议。根据协议，瑞萨电子已向Wolfspeed支付了20亿美元的定金，以确保6英寸/8英寸SiC晶圆的供应，并支持Wolfspeed的美国产能扩张计划。受该消息影响，Wolfspeed美股一度涨超20%。 在电动汽车和新能源增长的推动下，对更高效的功率半导体的需求在汽车和工业应用中急剧增加。与传统的硅功率半导体相比，碳化硅器件具有更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。根据Yole数据，2021年全球碳化硅功率器件市场规模约为10.90亿美元，同比增长57%。2027年全球导电型碳化硅功率器件市场空间有望突破至62.97亿美元，六年年均复合增长率约为34%。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 露笑科技 碳化硅业务主要为6英寸导电型碳化硅衬底片的生产、销售，公司已经安装280台长晶炉。 晶盛机电 公司微信公众号于6月27日发布推文，公司成功研发8英寸单片式碳化硅外延设备。