当地时间周二（10月10日），超威半导体（AMD）在官网宣布，其已签署收购开源人工智能（AI）软件公司Nod.ai的最终协议，此举旨在增强公司的开源AI能力。 AMD没有透露收购交易的财务条款。资本市场数据机构PitchBook的数据显示，Nod.ai最近的估值为3650万美元。 Nod.ai成立于2013年，该公司为大型数据中心运营商和其他客户提供优化的AI解决方案。 根据AMD官方新闻稿，AMD人工智能集团高级副总裁 Vamsi Boppana表示：“收购Nod.ai预计将大大增强我们为AI客户提供开发软件的能力，使他们能够轻松部署针对AMD硬件调整的高性能AI模型。” Boppana称：“随着才华横溢的Nod.ai团队加入，我们推进开源编译器技术的能力得以提升，并在AMD产品组合中实现了便携式、高性能的AI解决方案。目前，Nod.ai的技术已广泛部署在云端、边缘和各种终端设备。” AMD总裁Victor Peng在接受媒体采访时称，收购Nod.ai是AMD在过去几个月里第二笔收购，该公司未来将继续寻找并购机会。 今年8月，AMD宣布收购法国AI初创公司Mipsology。Mipsology成立于 2015年，是 AMD的长期合作伙伴，此前一直为AMD 开发 AI 推理与优化解决方案和工具。 AMD正大举投资于AI芯片所需的关键软件，以追赶头号对手英伟达。 英伟达是全球最大的AI和计算机图形芯片制造商。随着以聊天机器人ChatGPT为代表的生成式AI兴起，全球对英伟达芯片的需求激增。花旗今年6月发布报告称，随着英伟达推出更新、功能更强大的AI芯片，该公司未来在AI芯片市场的份额将超过90%。

全球芯片整体供应过剩，持续影响着半导体行业。韩国半导体巨头三星电子的“摇钱树业务”也将受到波及，预计其第三季度利润将较上年同期下降80%。 这家全球最大的内存芯片制造商将于周三（10月11日）公布第三季度初步业绩。 LSEG SmartEstimate对19位分析师进行的调查显示，7月至9月当季三星电子的营业利润可能降至2.1万亿韩元（合15.6亿美元）。而相比之下，去年该季度的营业利润为10.85万亿韩元。 作为该公司最大的收入来源的三星电子芯片部门，其季度亏损可能在3万亿至4万亿韩圆之间。 三星电子同时也是全球知名的手机和电视等电子产品生产商。根据分析师的平均预测，三星移动业务的营业利润可能在3万亿韩元左右，因为该公司在本季度推出了高端折叠式智能手机，在全球智能手机市场低迷的情况下扩大了销售。 导致利润出现如此大降幅的原因是 内存芯片价格未能像一些人预期的那样迅速回升 。并且，分析人士表示， 三星削减芯片产量的举措也伤及公司的产出规模 ，提高了芯片制造成本。 在4月份首次宣布减产后，分析师表示，三星将在第三季度进一步减产，以减少库存，抵御芯片供应过剩导致的数十年来最严重的行业低迷。 终端市场何时复苏？ 三星竞争对手美光科技上月同样预测Q3将出现亏损，这 引发了外界对数据中心等终端市场复苏乏力的担忧 。 由于担心经济下滑，产业链下游的智能手机和个人电脑（PC）制造企业几个月来一直不愿购买新的内存芯片，而是选择先用完现有库存。 不过也有分析师表示， 目前这些公司的库存已经足够低，预计需求将在明年初复苏 。 投资机构KB Securities在一份报告中透露，三星最近收到了一家北美数据中心公司一年来的首份服务器内存芯片订单，这让人们对数据中心客户也将重新开始购买芯片产生了希望。 目前，虽然高带宽存储器（HBM）等用于人工智能的存储芯片需求强劲，但在开发这类芯片和确保英伟达等大客户方面，三星电子落后于竞争对手SK海力士。

三星和台积电可能都遇到了3纳米半导体的生产问题，不过这一问题目前尚未有报告。 据韩国媒体ChosunBiz援引消息人士的话报道，这两家半导体巨头在3纳米半导体良品率问题上可能都难以超过60%，而这一水平还不足以吸引硬件供应商的目光。 良率是关键 目前，据半导体业界透露， 三星电子和台积电的3纳米芯片良率均停留在50%左右 。 也有业内人士分析道，三星电子的3纳米良率超过60%，并已经向客户公司供货。不过从这些芯片的具体情况看，由于这一工艺省略了逻辑芯片中的SRAM存储结构，因此很难将其视为”完整的3纳米工艺“。 据一位熟悉三星的人士透露，要赢得高通等大客户明年的3纳米移动芯片订单，良率至少需要提高到70%。 而此前，三星在先进制造领域的工艺上逊于台积电，导致其两大客户高通和英伟达开始转向台积电采购新一代芯片，但三星正试图赢回这两家客户。 与此同时，有分析师称，台积电3纳米FinFET工艺的优化进程落后于计划。 今年早些时候，有消息称台积电的3纳米半导体良率在55%左右，这一数据也让苹果为其iPhone 15 Pro中内置的A17处理器芯片谈下了更便宜的半导体价格。 值得一提的是，自苹果 iPhone 15 / Pro 系列手机自发布以来，就收到了许多用户关于发热的报告。近日有分析师声称， iPhone 15系列手机出现发热问题，可能是因为台积电的3纳米制程上存在缺陷 。 分析师指出， 台积电在3纳米工艺中使用了与上一代工艺相同的FinFET结构，没能很好地控制过热问题 。并且，一些业内人士越来越不确定台积电的3纳米工艺是否已经做好投放市场前的所有准备。 而苹果方面则坚称，发热问题纯粹是软件问题，并已经为iOS 17发布了补丁来解决这个问题 若是台积电因此陷入困境，这可能是三星的一个机会。至于三星电子要如何获得更多的市场份额，将取决于它何时完成更先进的节点工艺。 目前，三星、台积电都在为2024年和2025年生产更先进、更高效的3纳米工艺做准备。美国芯片制造商英特尔也在迎头赶上，即将推出的3纳米Sierra Forest和Granite Rapids芯片。 并且，这三家公司都在为更先进的2纳米制程奠定基础，并希望在本十年结束之前实现1纳米的生产。

韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆表示，美国政府作出最终决定， 将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备，无需其它许可 。崔相穆透露，美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业，将自即日起生效。 那么，在我国，三星与SK海力士有哪些生产工厂？ 从官网信息上可以看到， 三星在中国有三个生产中心，分别位于西安、苏州、天津 。 其中， 三星西安厂主要用于生产存储芯片。 三星与2013年与陕西省和西安市政府、西安高新区管委会签署战略合作框架协议及谅解备忘录，宣布三星电子一期投资70亿美元的存储芯片项目正式落户西安高新区。之后，又先后增加了二期、三期项目。 今年5月媒体报道中有统计数据指出， 三星西安厂占三星NAND Flash四成产能，两座厂月产能25万片，占全球NAND Flash产能1/10，也是三星在海外唯一的存储芯片工厂 。 三星苏州厂主营存储器、存储器模块及集成电路的组装和测试 。 三星天津厂则主营LED产品， 天眼查显示，天津三星LED公司成立于2009年，经营范围包括电子元器件制造、电子元器件批发、电子元器件零售、半导体照明器件制造等。 SK海力士则在中国有两个生产基地，分别位于重庆与无锡 。 其中 无锡厂是SK海力士的存储芯片生产主力之一 。有分析师之前指出， SK海力士无锡厂的产量约占该公司DRAM芯片的大约一半、全球产量的15% 。 重庆厂根据过往媒体报道来看， 主要侧重于芯片封装 。 值得一提的是，SK海力士已于2021年收购英特尔NAND闪存及存储业务，其中包括英特尔大连工厂，但截至去年末，大连NAND闪存芯片业务尚未完全交割。 三星与SK海力士均为存储芯片巨头，且从上文可以看出，两家公司在我国的工厂大部分聚焦于存储芯片 。 中信证券指出，从行业供给端来看， 2023年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言，分析师认为目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。 总体上，其预计下半年随着库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇 三星与SK海力士有哪些供应商？ 三星电子去年末曾公开2022年供应链名单，其中包括6家中国大陆公司，分别为瑞声科技、比亚迪、歌尔股份、新安电器、旭光科技、舜宇光学。 此外，据《科创板日报》不完全统计，A股中这些公司已为三星、SK海力士提供半导体相关服务：

“无线充电产品系列是公司业绩增长的新动力。”在美芯晟业绩会上，公司董事长、总经理程宝洪如是称。 今年上半年度，半导体行业下行周期影响仍未消散。不过受益于无线充电应用场景的普及、无线充电渗透率逐步增加，美芯晟上半年业绩同比实现增长。 具体来看，美芯晟上半年实现营收2.01亿元，同比增长50.39%，归母净利润扭亏。分产品来看，无线充电产品收入5074.58万元，同比增长132.83%，营收占比为25.29%；LED产品销售收入为1.50亿元，同比增长34.4%。 程宝洪在业绩会上回答《科创板日报》记者提问表示， 目前公司已推出5-100W无线充电接收端与发射端全系列产品，其中50W和100W无线充电芯片均已量产。 中邮证券研报观点认为， 无线充电设备的输出功率不断提升，在智能手表、TWS耳机等应用场景上，已形成可以替代有线充电的竞争优势 。在智能手机领域，据统计2021年全球无线充渗透率已超过30%，预计到2025年将超过45%。 值得关注的是，政策端亦在引领和支持无线充电功率提升。今年5月，工信部印发《无线充电（电力传输）设备无线电管理暂行规定》，将手机等移动、便携式无线充电设备的功率限制提高至80W，据悉此前上限为50W。 程宝洪对此表示：“随着工信部提出新的无线充电功率标准，用户体验将得到更好的提升。”据介绍，美芯晟在80W产品的布局上面规划较早，现已在客户端进入量产，“明年会看到主流手机厂家的旗舰机型从原来的最高无线充电功率50W提升到80W。” 关于美芯晟无线充电芯片产品的技术差异和壁垒，程宝洪向《科创板日报》记者表示，公司推出高功率RX+4:2电荷泵双芯片架构，并在该领域的桥式整流器、过压保护、数字化ASK/FSK 解调、高精度低压差Power LDO及正/反向电流检测技术等六大核心技术上，具有先进性。 美芯晟当前也在通过布局光传感芯片、汽车电子等业务，拓展新增长点。 据公司董事长程宝洪介绍，信号链光感芯片的市场空间广阔，采用屏幕的电子产品均会用到光感芯片进行亮度调节，比如智能手机、手表、手环、电脑屏幕等，而目前该领域主要以海外厂家为主导，国产厂商的成长空间较大。 美芯晟当前已推出的全集成超低功耗光学接近检测传感器，及超高灵敏度的三合一环境光与接近检测传感器，均已进入量产；高精度偏振光表冠产品的研发已经完成，客户端验证的反馈及预期较好，预计在第四季度开始小批量出货。 而在车用芯片方面，美芯晟在现有消费级、工业级产品成熟量产的基础上，正按照车规级验证流程，生产现有的成熟产品，如车载无线充电、LED 车灯照明、LDO、雨量/光线感应芯片等。 此外，美芯晟正在与国内头部新势力车企合作开发CANSBC芯片，该产品集成CAN收发器、系统模式和失效安全功能控制、电源管理等功能高集成单芯片，拥有供电、总线收发、诊断监控、唤醒管理等功能，据此前消息，该芯片研发进展符合预期。 美芯晟今年二季度综合毛利率环比有所增长。公司在业绩会上表示， 今年的供应链端成本下降速度较快，封测市场价格开始触底；晶圆的价格调整需要结合整个市场的回暖情况及晶圆厂家自身的产能情况来综合判断。“因此目前看，公司毛利水平整体会比较平稳。”

据报道，有消息人士透露称，今年爆火的ChatGPT背后的开发者OpenAI正在探索制造自己的人工智能（AI）芯片，并已开始评估一个潜在的收购目标。 据知情人士透露，至少从去年开始，该公司就讨论了各种方案，以解决OpenAI所依赖的昂贵AI芯片短缺的问题。这些选择包括制造自己的人工智能芯片，与包括英伟达（Nvidia）在内的其他芯片制造商更密切地合作，以及在英伟达之外实现供应商多元化。 据称，OpenAI首席执行官Sam Altman将收购更多人工智能芯片作为公司的首要任务。他曾公开抱怨图形处理单元（GPU）的稀缺，这个市场由英伟达主导，该公司控制着全球80%以上最适合运行人工智能应用的芯片市场。 Altman指出，获取更多芯片的努力与两个主要问题有关:驱动OpenAI软件的先进处理器短缺，以及运行驱动其工作和产品所需的硬件所需的“令人眼花缭乱”的成本。 运行ChatGPT对公司来说是非常昂贵的。伯恩斯坦公司(Bernstein)分析师斯泰西•拉斯贡(Stacy Rasgon)的分析显示，每次查询大约花费4美分。如果ChatGPT的搜索量增长到谷歌搜索量的十分之一，它将需要大约价值481亿美元的gpu，每年需要价值约160亿美元的芯片来维持运行。 目前还不清楚OpenAI是否会推进定制芯片的计划。业内资深人士表示，这样做将是一项重大的战略举措，也是一项巨额投资，每年的成本可能高达数亿美元。但即便如此，也无法完全保证成功。 据分析，收购一家芯片公司可以加快OpenAI开发自己芯片的进程。而据熟悉OpenAI计划的一名人士透露，OpenAI已经考虑了这条道路，并对潜在的收购目标进行了尽职调查。不过目前还不知道究竟是哪家公司。 最后，需要注意的是，即使OpenAI继续进行定制芯片的计划（包括收购），这一努力也可能需要几年的时间，在此期间它将仍需要依赖于英伟达和AMD等商业供应商。

据韩媒报道，日前多位消息人士透露， 三星内部认为目前NAND Flash供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨NAND Flash产品的合约价格，涨幅在10%以上；预计最快本月新合约便将采用新价格 。 今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NAND Flash业务产量，眼下正试图推动NAND价格正常化。 如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转， 其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点 。 SK证券研究员Han Dong-hee认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。 值得一提的是， 三星9月已与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20％ 。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。 另外，原厂近期已通知下游厂商，Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同，但涨幅几乎都在双位数水平，其中NAND Flash Q4合约价有望涨一至两成，DRAM则约涨一成。 10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过， 2024年下半年更可能出现短缺 。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。 目前业内买卖双方正在洽谈合约价，陈立白估计，DRAM及NAND Flash第四季度合约价将上涨10%-15%，三星甚至计划调涨20%，仍待观察成交价 。 从行业供给端来看，中信证券预计，2023年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。 总体上，分析师预计下半年随着库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇，建议关注：1）存储模组；2）存储芯片设计；3）存储配套芯片。

台积电(TSM.US)周五公布2023年9月营收为1804.3亿元台币，环比降低4.4%，同比下降13%。2023年1月至9月的营收总计15362.1亿新台币，较2022年同期减少6.2%。 据计算，台积电第三季销售额为5467亿元台币，同比下降11%。

据韩媒报道，日前多位消息人士透露， 三星内部认为目前NAND Flash供应价格过低，公司计划今年四季度起，调涨NAND Flash产品的合约价格，涨幅在10%以上；预计最快本月新合约便将采用新价格 。 今年以来，三星一直奉行减产战略，1月、4月已连续宣布调整晶圆投入。最初的减产举措主要集中在DRAM领域，之后下半年三星开始着手大幅削减NAND Flash业务产量，眼下正试图推动NAND价格正常化。 如今DRAM已出现价格反弹，而NAND产品仍存突破空间。三星目标是扩大减产规模，降低供应量，再提高产品价格来寻求反转， 其期望明年第二季实现NAND盈亏平衡点 。 SK证券研究员Han Dong-hee认为，三星的第二波减产计划和获利优先政策有望带动存储芯片价格反弹。 值得一提的是， 三星9月已与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较之前合同价格上调10%-20％ 。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。 另外，原厂近期已通知下游厂商，Q4将调涨合约价。不同产品涨幅不同，但涨幅几乎都在双位数水平，其中NAND Flash Q4合约价有望涨一至两成，DRAM则约涨一成。 10月初，威刚董事长陈立白表示，存储芯片产业苦熬两年，黑暗将过， 2024年下半年更可能出现短缺 。他认为，由于三大存储芯片巨头积极减产，效益开始显现，NAND及DRAM近期现货价皆从低谷处呈现双位数反弹。 目前业内买卖双方正在洽谈合约价，陈立白估计，DRAM及NAND Flash第四季度合约价将上涨10%-15%，三星甚至计划调涨20%，仍待观察成交价 。 从行业供给端来看，中信证券预计，2023年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底。需求端而言，目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势。 总体上，分析师预计下半年随着库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇，建议关注：1）存储模组；2）存储芯片设计；3）存储配套芯片。