铜缆高速连接概念股爆发，截至今日收盘， 线缆行业头部企业新亚电子四天三板，国内连接器领先制造商得润电子录得两连板，拥有高速组件（DAC铜缆）系列产品的兆龙互连两日涨45%，子公司生产DAC铜缆的沃尔核材涨停。 消息面上，英伟达在近期GTC大会上发布 GB200超级芯片 ，GB200NVLink Switch和Spine由72个Blackwell GPU采用NVLink全互连， 具有5000根NVLink铜缆 （合计长度超2英里）。英伟达官网显示，NVIDIA® Mellanox® LinkX® InfiniBand DAC铜缆是在InfiniBand交换网络和NVIDIAGPU加速的人工智能端到端系统中创建 高速、低延迟 100G/EDR、200G/HDR和400G/NDR链路的 成本最低的方式 。 通信网络是制约数据中心算力高低的关键因素，AI超算对于网络层数据传输速率和延时要求非常苛刻，需要高带宽、高速率的交换机和通信链路匹配。国盛证券宋嘉吉等人在2023年7月9日的研报中表示，AI超算和DCI场景中，主流交换网络的连接方案是 光模块+光缆、AOC（有源光缆）和DAC（直连铜缆） ，DAC也可分为有源ACC、AEC和无源DAC。 光模块+光缆最为主流，可以广泛、灵活应用于多种场景中，例如长距离电信传输网、中距离接入网和DCI、服务器架顶交换机等；光模块的I/O端口也可以广泛适配各种光纤连接器， 传输距离灵活可控 。AOC将光模块和光缆集成化，避免光口被污染的可能性，是 成本与性能折中 的一种优化设计方案。AOC专用于超短距离的架顶以太网或InfiniBand交换机的互联场景， 通常是100米传输距离 。 DAC没有光电转换模块，线缆两头是简单的电缆连接头，是 成本最低的高速互联方案 。由于铜的物理性能限制， DAC传输距离极短 ，且带宽越大，有效传输距离就越短。在速率从400G向800G升级中，其传输距离将从3m缩短到2m。据LightCounting测算， 到2027年DAC铜缆连接市场规模将超12亿美元，2023-2027年间复合增长达25% ，远超AOC市场14%的复合增速。 中国银河赵良毕在2023年6月30日的研报中表示，DAC铜缆解决方案以其低功耗、低成本及低损耗等优势， 或将在算力网络构建中形成自身的较高壁垒 ，随着我国互联网厂商数据中心内部逐步进行 “铜进光退” ，行业内相关公司亦值得关注。 据悉，A股上市公司方面，立讯精密在铜缆连接方面已基于自主研发的Optamax™散装电缆技术， 开发了112G PAM4无源铜缆、112G PAM4有源铜缆 ； 兆龙互联的DAC产品已在数据中心中广泛应用 ； 航锦科技已完成OSFP 800G DAC研发 ，目的是提供满足高速率IB网络数据传输的铜缆；中航光电自主研发的各类连接产品 涵盖英伟达最新提出的同类型铜缆连接器产品 。 据财联社不完全整理，还有 博创科技、上海贝岭、兆龙互连、天玛智控、楚江新材、沃尔核材、华脉科技、中天科技 在互动平台上回复铜缆（DAC）相关业务布局，具体情况详见下图：

美东时间周二，英伟达联合创始人兼CEO黄仁勋对外暗示，英伟达正考虑从韩国芯片巨头三星采购HBM芯片。 这一消息推动三星股价周三大涨，截至收盘涨5.6%，这是三星自去年9月以来的最大单日涨幅。 三星年初至今股价走势 与此同时，英伟达目前唯一的HBM3供应商SK海力士周三股价跌2.31%。 SK海力士年初至今股价走势 老黄爆料：将采用三星HBM芯片？ 在美东时间周二，英伟达GTC 2024活动的媒体见面会上，黄仁勋在提及HBM芯片时表示， 英伟达正处于对三星的HBM芯片进行测试的阶段，可能会在未来采用。 他还表示，英伟达“尚未”使用三星的 HBM 芯片. 上述这番表态，被媒体解读为老黄暗示英伟达将会在未来使用三星HBM产品。 “HBM存储芯片非常复杂，附加值非常高。我们在HBM上花了很多钱。”黄仁勋表示，“三星是一家非常、非常优秀的公司。” 三星和SK海力士正在快速前进 目前，三星的最主要竞争对手——SK海力士是英伟达唯一的HBM3供应商。就在周二，SK海力士才刚刚宣布， 它计划开始量产下一代高带宽存储芯片HBM3E。 虽然SK海力士没有透露新HBM3E的客户名单，但该公司一位高管透露，新芯片将首先发货给英伟达，并用于其最新的Blackwell GPU。 与此同时，三星也一直在大力投资HBM，以赶上竞争对手。该公司于今年2月宣布，已开发出HBM3E 12H，这是业界首款12层HBM3E DRAM，也是迄今为止容量最高的HBM产品。三星电子还表示，将于今年上半年开始批量生产该芯片。 “三星和SK海力士的升级周期令人难以置信，”黄仁勋在周二的媒体会上表示，“只要英伟达开始成长，他们就会和我们一起成长。我非常重视我们与SK海力士和三星的合作关系。”

本周英伟达GTC大会震撼开幕，引发投资者热烈关注。今日港股AI概念股也集体活跃走高，截至发稿，金山软件、赤子城科技双双涨超4%，美图公司(01357.HK)涨近3%，万国数据-SW(09698.HK)涨近3%，商汤-W、优必选等概念股纷纷跟涨。 消息面上，英伟达在本周举行的GTC大会上推出更强大的Blackwell架构的B200芯片及其算力集群。并与比亚迪、联想集团等中国企业宣布在硬件支持、平台开发等领域的新合作，AI概念股的行情也受到显著催化。 据浦银国际科技分析师沈岱、黄佳琦3月19日发布的报告，借助AI计算以及大模型的能力，英伟达的芯片的应用正在深入气候、医疗、自动驾驶、机器人、工业工程、软件等多个领域。 有业内人士表示，中国人工智能应用市场潜力巨大，英伟达更加主动地对中国市场进行开放，这对全球人工智能产业链供应链建设起到巨大促进作用。 此外，3月18日，国内AI独角兽月之暗面宣布其AI助手产品Kimi已支持200万字的无损上下文输入，令短线资金对涉及AI概念的上市公司持续追捧，场内热度抬升。 开源证券分析师方光照、田鹏3月19日的报告中认为，随着Kimi等AI产品持续迭代，AI应用商业化或加速。尤其在广告、电影、游戏等行业，国内外AI多模态大模型的持续突破或大幅降低成本，提升效率，扩大商业化空间。 值得注意的是，月之暗面联合创始人周昕宇还表示，在Sora发布之前公司就已经有多模态方面的研发，目前正在按照固有节奏推进，预计在今年将会有相关产品发布，也刺激了市场对国内AI产业的预期。 浦银国际还指出，无论是硬件端还是软件端，应用端还是工具端，各个行业对于AI的需求仍处于摸索的初期阶段，来自B端的需求仍在大幅落地和增长中。

上周有消息指出，美国拜登政府和商务部准备在3月底发放一大批《芯片法案》的补贴款，其中拜登将在本周亲赴亚利桑那州举办活动，期间官宣授予英特尔数十亿美元的建厂补贴。 但种种迹象显示， 拜登准备在亚利桑那“重铸美国芯片魂”的愿景，正在因为一系列现实的障碍变得愈发困难。 多家产业链厂商延后美国建厂计划 根据周二的最新报道，除了众所周知的“台积电延后亚利桑那厂建设计划”外， 一众半导体供应链厂商也纷纷推迟、甚至重新考量在亚利桑那州的建厂计划 。其中包括化学和材料制造商LCY化学、索尔维集团、崇越科技等。 很显然，缺少了这些厂商，台积电和英特尔的美国供应链自然也跑不通。大量供应商集体延后或者缩减美国厂的建设计划，也反映出当地的结构性问题。这些厂商普遍反映， 现在亚利桑那州建厂的成本已经飙升到“亚洲的四到五倍”，也比他们事前预期的要高出“几倍”。 由于亚利桑那州同时面临芯片、汽车等多个行业的投资涌入，不仅建筑材料和劳动力成本快速飙升，建筑工人也出现了短缺。叠加芯片大厂扩建速度慢于预期，供应链厂商“停下建厂脚步”也在情理之中。 LCY化学公司是台积电、英特尔和美光的供应商。公司透露，调整美国厂的建设速度后， 将先通过海运满足美国客户的需求，而不是急于在当地建厂 。公司CEO刘文龙明确表示，对于化学品来说，拥有经济规模对于实现经济效益至关重要。 比利时索尔维公司是高纯度过氧化氢供应商，目前已经延后亚利桑那工厂的建设，等待进一步评估。除了建厂成本担忧外，索尔维也提到英特尔、台积电在当地扩大产能所需的时间要比预期更长。 贝恩资本专攻制造业的合伙人Peter Hanbury解读称， 芯片化学品供应商的利润率要比晶圆厂更窄，所以对成本的上升更为敏感 。此外，这些工厂的建设周期也要比晶圆厂更短，所以完全可以等到客户就绪时再开始建设工厂。 在亚利桑那州半导体工厂普遍出现工期延后的背景下，拜登政府正准备向英特尔、台积电和三星等顶级大厂发放《芯片法案》补贴。根据程序，只有在这些大厂拿到补贴后，才会轮到化学品、材料生产商排队拿补贴。 关键还有对比 在全球多国都抢着上马本土芯片产能的背景下，亚利桑那州的问题就变得格外突出。 在台积电2021年开始建设的亚利桑那工厂后，这家芯片制造巨头也在2022年开始日本工厂的建设。就在上个月，台积电熊本工厂举办开业典礼，准备在今年晚些时候启动大规模量产。 目睹此情此景，《芯片战争：世界最关键技术的争夺战》一书的作者克里斯·米勒评价道，虽然相较于美国和欧洲，日本的态度并不张扬，但对企业提供的支持可能会更加多。 不过台积电曾低调地表示，不同国家间的项目本质上是无法比较的。公司在日本取得的成果应归功于“供应商、客户、商业伙伴、政府和学术界”的支持。根据过往报道，日本政府大概会给予台积电建厂成本一半左右的补贴，这笔钱到账的速度也相对较快。 此外，台积电进入日本市场之初，坚持要求本土巨头索尼参与项目，也被认为是正确的一步。除了双方长期的业务往来外，索尼与熊本当地的深厚联系，也为台积电解决了许多麻烦。 索尼发言人回应称， 公司帮助台积电在熊本工厂建设过程中取得广泛支持，包括确保水、电和工程技术人员的供应，以及获得相关的许可证和牌照。 经历全球建厂的种种情况后，台积电董事会在今年2月正式官宣将建设“熊本二厂”，计划今年开始建设，并于2027年投入运营。此前也有消息称，台积电已经和合作伙伴商讨过建设“熊本三厂”的事宜，可能会把3nm制程工艺的生产拓展至当地。

SK海力士3月19日在一份声明中表示，公司已开始量产高带宽内存产品HBM3E，将从本月下旬起向客户供货。此外，近日，花旗发布报告称，预计美光科技将在2024年3月20日公布的第二财季（F2Q24）财报数据超出市场共识预期，主要是由于DRAM（动态随机存取内存）价格上涨以及与Nvidia AI系统配套的高带宽内存（HBM）出货量增加。花旗将美光目标价从95美元大幅调高至150美元。 AI大模型的兴起催生了海量算力需求，而数据处理量和传输速率大幅提升，使AI服务器对芯片内存容量和传输带宽提出了更高的要求，而HBM作为一种专为高性能计算设计的存储器，其市场需求激增。华福证券杨钟表示，HBM是AI芯片最强辅助，正进入黄金时代。与GDDR相比，HBM在单体可扩展容量、带宽、功耗上整体更有优势，相同功耗下其带宽是DDR5的三倍以上。因此，HBM突破了内存瓶颈，成为当前AIGPU存储单元的理想方案和关键部件。TrendForce认为，高端AI服务器GPU搭载HBM芯片已成主流，2023年全球搭载HBM总容量将达2.9亿GB，同比增长近60%，2024年将再增长30%。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 江波龙 的内存条业务（包括DDR4\DDR5等）正常开展当中，公司具备晶圆高堆叠封装（即HBM技术的一部分）的量产能力。 华海诚科 颗粒状环氧塑封料（GMC)可以用于HBM的封装，相关产品已通过客户验证。

英伟达（Nvidia Corp.）首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）周二在接受媒体专访时表示，该公司最新一代AI训练芯片Blackwell GPU将以合理的价格吸引更广泛的客户群体。他对人工智能（AI）的增长持乐观态度。 这是继2022年3月发布的Hopper架构数据中心GPU之后，英伟达的最新一代旗舰产品，有望取代被“爆抢”的H100的市场地位。在命名序号上，最新亮相的产品直接跳过了100的序列，而是直接以“B200”命名。 黄仁勋表示，B200的售价可能在3万到4万美元之间。这个定价低于一些分析师的预期，他告诉分析师，他希望新芯片的定价能吸引尽可能多的客户。 不过他后来又补充说，英伟达将把其新芯片纳入更大的计算系统中，价格将根据它们提供的价值而变化。 此外，他预计B200将于今年晚些时候发货。黄仁勋说，英伟达正在与台积电合作，以避免芯片封装瓶颈，正是因封装瓶颈致使其上一代旗舰AI处理器的出货速度放缓。 “上次需求量急剧上升，但这一次，我们对Blackwell芯片的需求有了充分的了解。”他说。 英伟达首席财务官Colette Kress 也表示， 新芯片及其基于的系统将于“今年晚些时候”上市 。她表示，虽然该公司对需求激增的相关准备比当前一代产品做得更好，但仍可能存在供应限制。 看好全球数据中心市场 在本次采访中，黄仁勋还提到，由于生产的芯片和软件种类繁多，英伟达可以从全球对数据中心设备的投入中获取一大块收入。他表示，全球每年在数据中心设备上的支出将达到2,500亿美元，英伟达获得的份额会高于其他芯片制造商。 他强调，该市场每年增速高达20%。 此外，英伟达还在致力于开发软件，以允许人工智能技术在各行各业得到采用。该公司提供人工智能模型和其他软件，然后根据客户需要使用的算力和运行计算的芯片数量进行收费。 黄仁勋周二在加州一个投资者活动上表示，“我预期是这将是一个非常大的业务”。 总而言之，他指出，英伟达正在从销售单个芯片转向销售整个系统，有可能赢得数据中心内更大的“蛋糕”。 “英伟达不是制造芯片，而是建造数据中心，”他说。

“这是块非常非常大的GPU！”今日凌晨GTC大会如期举行，英伟达CEO黄仁勋发布最新一代AI芯片架构Blackwell。这场备受业界期待的大会上，首款Blackwell芯片GB200采用铜缆连接更是成为一大亮点，牵动市场神经。 财联社记者今日多方采访获悉，因速率更快且价格更低，采用铜缆连接未来将是数据中心发展的方向，不过完全铜缆化需要较长时间，部分厂商已研发出800Gb/s的高速电缆组件，但尚未批量生产，光模块仍是主流技术。 黄仁勋表示，GB200将于今年晚些时候上市。相关报道显示，英伟达GB200 NVLink Switch和Spine由72个Blackwell GPU采用NVLink全互连，具有5000根NVLink铜缆（合计长度超2英里）。 从A股市场表现看，今日高速连接器概念发酵，铜缆方向领涨：华丰科技（688629.SH）、鼎通科技（688668.SH）、新亚电子（605277.SH）、兆龙互连（300913.SZ）等多股涨停，金信诺（300252.SZ）、亦东电子（301123.SZ）等大幅冲高。 财联社记者从立讯精密方面获悉，铜连接一直是其通讯业务核心产品。公司在铜缆连接方面已基于自主研发的Optamax™散装电缆技术，开发了112G PAM4无源铜缆（DAC）、112G PAM4有源铜缆（ACC），通过Optamax™超低损耗高速裸线以符合MSA标准的paddle card和cage技术，将8个通道组合在一起，以每通道高达112 Gbps的速度运行到一个高密度数据接口（MDI）中，并与Marvell的DSP芯片结合，即 可提供超过800 Gbps的聚合数据吞吐量 。 立讯精密方面告诉记者，目前公司已能将铜缆的应用长度进一步延长到5米，满足数据中心柜内及柜间的铜缆应用拓展需求，而这正是当下在短距（小于5米）传输中替代光模块最具性价比的方案。 同时，财联社记者以投资者身份致电兆龙互连证券部获悉，该公司已研发出800Gb/s高速电缆组件。 此外，金信诺方面告诉记者，其布局的应用于数据中心领域的高速业务已获国内主流服务器厂商供应商资质并实现稳定交付；同时，去年内还获得了一家海外厂商的供应商资质。 不过，兆龙互连人士称，“部分厂商都已研发出了800Gb/s产品，但还没有正式运用到服务器方面，因为现在国内这一块的速率其实都不高，主要是100Gb/s、200Gb/s，国外的话可能会用到400Gb/s产品。” 一家AI公司的相关负责人也告诉财联社记者，铜缆目前的问题在于无法长距离传输，但数据中心的线缆一般需要20米以上。 据财联社记者测算，上述英伟达GB200每根NVLink铜缆长度约0.64米。该人士进一步表示，“英伟达这个方案每根铜缆的长度不超过一米，这个长度的铜缆传输技术目前已经较为成熟。” 铜缆的可行性得到确认，是否意味着“光退铜进”？有分析人士告诉财联社记者，其实这一趋势早已开始，这一担忧去年就已消化。去年，英伟达发布的GH200第一层也使用了铜，但光模块是必不可少的。”前述AI公司负责人亦表示，光模块被取代暂时不太可能，完全铜缆化需要很长时间。目前已经有数据中心部分使用铜缆传输，但服务器用的都是光模块接口，因此铜缆的两端也需要适配光模块。” 光模块龙头中际旭创（300308.SZ）证券部人士今日则告诉记者，“光模块被取代属于网上的传闻。”天孚通信（300394.SZ）方面亦称，光模块和铜缆的使用情况取决于客户的技术方案，现在主流技术还是光模块。 此外，黄仁勋在GTC大会上还表示，此前OpenAI最大模型已有1.8T参数，即使一块PetaFLOP级的GPU也需300亿秒（约1000年）才能完成。为此英伟达必须首先拿出新GPU，即Blackwell。 会后，黄仁勋的这一表述被一部分媒体解读为“使用新款GPU训练AI模型可提前1000年达到预期”，引发业内诸多讨论。针对这一说法，前述AI公司负责人表示，这个表述用了一些夸张手法，因为对比的是一张单卡1PFlops（每秒浮点运算数）的单机进行训练的结果，但实际上目前所有的训练都是千万张卡集群合成的结果。例如莫斯科国立大学(MSU)去年上线的最新超级计算机“MSU-270”，其AI计算性能为400PFlops。

尽管已经在HBM芯片赛道上落后，但三星电子仍在积极探索人工智能时代半导体的发展道路。 本周二，三星半导体业务负责人Kyung Kye-Hyun在领英发布帖子宣布，三星在美国和韩国成立AGI（通用人工智能）计算实验室，专注于研发“为满足未来AGI处理需求而设计的芯片”，并已经为此进行招聘工作。 三星成立AGI芯片计算实验室 三星半导体业务负责人表示，三星半导体AGI计算实验室的 目标是发布“一种专门为满足未来AGI处理需求而设计的半导体” ，“以更低的功耗和成本，为越来越大的模型提供更强的性能和支持。” 他透露，AGI计算实验室最初将专注于为大语言模型（LLM）开发芯片，重点是推理和服务应用。为了开发能够大幅降低LLM运行所需功耗的芯片，三星正在重新审视芯片架构的各个方面，包括内存设计、轻量化模型优化、高速互连、先进封装等。 三星电子联席CEO、曾任谷歌高级软件工程师的Dong Hyuk Woo将担任三星AGI计算实验室的负责人。 Kyung Kye-Hyun在帖子中写道： “通过创建AGI计算实验室，我相信我们将更好地解决AGI固有的复杂系统级挑战，同时也为下一代先进的AI/ML模型提供负担得起和可持续的方法。” 三星正在AI芯片道路上奋起直追 目前，OpenAI首席执行官山姆·阿尔特曼（Sam Altman）和Meta CEO扎克伯格（Mark Zuckerberg）等硅谷重量级人物都在讨论人工智能的未来发展轨迹。 而最近几个月，阿尔特曼和扎克伯格都访问了韩国，与三星及其他韩国公司讨论了在人工智能领域的合作，可见他们对于三星在AI领域潜在能力的看重。 不过，三星目前已经在HBM芯片业务上落后于其竞争对手SK海力士，正在努力设法赶超。尽管SK海力士公司规模不如三星，但该公司已经成为AI领域龙头英伟达的唯一HBM3供应商。 在美东时间周一的英伟达GTC 2024大会上，英伟达CEO黄仁勋宣布推出新一代GPU Blackwell芯片。而SK海力士也随即宣布，已开始量产高带宽内存产品HBM3E，将从3月下旬起向客户供货——这意味着SK海力士成为首家实现量产HBM3E的供应商。

3月18日晚间，中微公司发布2023年年度报告称，该公司2023年实现营收62.64亿元，同比增长32.15%；实现归母净利润17.86亿元，同比增长52.67%。中微公司董事长、总经理尹志尧在年报中表示，2023年成为中微自成立以来，经营业绩最好的一年。 《科创板日报》记者注意到，从近几年数据来看，中微公司2023年归母净利润创下近三年新高。其2021年至2023年，归母净利润分别为10.1亿元、11.7亿元、17.86亿元。按单季度计算，2023年第一季度至第四季度，其归母净利润分别为2.75亿元、7.28亿元、1.57亿元、6.26亿元。 中微公司2023年研发投入占营收比例为20.15%，比2022年提升0.56个百分点。 对于2023年业绩，中微公司董事长、总经理尹志尧在年报中表示，占该公司营业收入约75.1%的等离子体刻蚀设备在2021年、2022年分别增长了55.4%和57.1%；在此基础上，2023年增长了49.43%，营收达到47.03亿元。此外，该公司的MOCVD设备2023年实现营收4.62亿元。 据中微公司披露，该公司过去20年开发了一个完整系列的15种等离子体刻蚀设备，可覆盖我国95%以上的刻蚀应用需求，在性能、稳定性等各项指标上满足先进制程客户的各类严苛需求。 新增订单额同比增超三成 对于业绩增长的原因，中微公司在年度报告中也提到新增订单额。该公司表示，报告期内，其新增订单金额约83.6亿元，较2022年新增订单的63.2亿元增加约20.4亿元，同比增长约32.3%。 其中，刻蚀设备新增订单约69.5亿元，同比增长约60.1%；受终端市场波动影响，2023年MOCVD设备订单同比下降约72.2%。 “刻蚀设备和薄膜设备越来越成为更关键的、市场空间更大的设备品类，各占集成电路设备总市场的22%左右，而且还在持续增长。”尹志尧表示。 尹志尧提到， 近两年新开发的沉积各种导体薄膜的设备LPCVD和ALD，已有4款设备进入市场，其中3款获得客户认证，取得了重复性订单。该公司计划在2024年推出超过10款新型薄膜沉积设备，快速扩大产品覆盖度。 该公司新开发的硅和锗硅外延EPI设备、晶圆边缘Bevel刻蚀设备等新产品，也计划在2024年投入市场验证。此外，中微公司通过投资布局了第四大设备市场——光学检测设备。 LED显示产业或将助力MOCVD 《科创板日报》记者注意到，作为半导体设备公司，中微公司向下游客户提供半导体制造设备，并促进各类新产业的持续发展。 该公司在年报中表示，集成电路应用领域中， 人工智能、大数据、可穿戴设备、自动驾驶汽车、智能机器人等应用的发展将释放出大量芯片制造的需求，进一步推动上游半导体设备行业的稳步增长。 光电子LED产业中，以LED新型显示为代表的新兴产业，逐渐成为显示行业追逐的热点。 当前新兴的小间距LED显示在物理拼缝、显示效果、功耗、使用寿命方面均有优越表现，未来随着Mini LED和Micro LED技术的进一步发展和完善， LED新型显示产业有望成为继LED照明产业后，MOCVD应用产业发展最迅速的版块之一。 中微公司在2023年10月的投资者调研中表示，市场机构预测到2026年，全球每年需求超过800台MOCVD设备。中微公司在其中三个领域，即Mini LED、Micro LED、功率器件有开发相关产品。该公司预计可以覆盖大约75%的MOCVD设备市场。 在化合物半导体功率器件领域，随着新基建、“碳达峰、碳中和”的政策与规划密集推出，化合物半导体在清洁能源、新能源汽车及充电桩、功率器件快充、大数据中心等应用市场的需求已经开始呈现出快速增长趋势。

在今天的英伟达GTC 2024大会上，英伟达CEO黄仁勋宣布推出新一代GPU Blackwell，第一款Blackwell芯片名为GB200，将于今年晚些时候上市。 作为英伟达唯一HBM3供应商，SK海力士随即发布新闻稿，宣布已开始量产高带宽内存产品HBM3E，将从3月下旬起向客户供货 。七个月前，该公司公布了HBM3E开发成功的消息。 据路透最新报道， 消息人士称首批出货量将交付给英伟达 。有分析师表示， SK海力士的HBM产能在2024年已被预订满 ，因为人工智能芯片的爆炸性需求推动了高端存储芯片的需求。IBK Investment & Securities分析师Kim Un-ho表示：“SK海力士已经占据了绝对的市场地位……其高端存储芯片的销量增长预计也将是芯片制造商中最为积极的。” HBM（高速宽带存储器）是面向AI的超高性能DRAM产品，也是当下存储厂商的竞争焦点，该存储器供应市场由SK海力士（53%）、三星（38%）和美光（9%）三大存储巨头主导。 通过垂直连接多个DRAM，HBM可显著提升数据处理速度，实现小体积、高带宽和高速传输，满足高性能AI服务器GPU需求。HBM DRAM产品以HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发。 HBM3E是HBM3的扩展（Extended）版本，为当下最强大的HBM产品 。 在HBM最新产品的竞逐赛中，SK海力士再次夺得先机，是首家实现量产HBM3E的供应商。SK海力士在声明中表示：“公司预计HBM3E能够成功量产，凭借作为业界首家HBM3供应商的经验，我们希望巩固我们在人工智能内存领域的领导地位。” SK海力士推出的HBM3E芯片有何性能优势？ 据该公司介绍，SK海力士采用了先进的MR-MUF（Molding with Rubberand UFP）技术， 使得HBM3E的散热性能比上一代产品提高10% 。这种技术通过在半导体芯片堆叠后的空间中注入液体形态的保护材料并进行固化，与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较，工艺效率更高，散热方面也更加有效； 其HBM3E的最高数据处理速度可达每秒1.18TB（太字节），这意味着它能够在极短的时间内处理大量数据。相当于在 1秒内处理230部全高清（FHD）级别的电影 ； 另外，其HBM3E 提供高达8Gbps的传输速度 ，这是相较于前一代HBM3的显著提升。这种高速度对于需要快速数据处理的应用场景，如高性能计算和人工智能，尤为重要。 值得注意的是，HBM3E领域，美光、三星紧追不舍，这两家公司均表示已开始批量生产该款芯片。其中，美光计划在2024年第二季度开始出货，其HBM3E将用于英伟达的H200 Tensor Core GPU；三星已开发出业界首款12栈HBM3E芯片，并开始向客户提供样品，预计今年上半年量产。