随着大模型迭代竞速、智算中心遍地开花、800G/1.6T光模块批量落地，曾经默默无闻、依附传统制造业的铜、锡、铟、镓、锗、钨、锑、铝，如今成为市场热捧的“算力金属”。这些搭建超级计算机的“五脏六腑”，因为支撑着全球AI算力底座而身价倍增。 2026年，多个算力金属价格大幅走高，行业定价逻辑切换为AI增量主导。其中，近期锡价表现最为突出。6月2日，沪锡期货主力合约盘中最高触及449960元/吨；伦锡价格也站上近3个月的高位。 A股算力金属概念股同步走强，6月2日，华锡有色涨停，锡业股份、兴业银锡等多股跟涨。 “算力金属”——AI机器身上的专属零部件 “算力金属”是组装AI服务器、光芯片、高速互联硬件等必不可少的特种金属。其中，大宗金属负责机房骨架、供电散热，是算力基建的“承重墙”；稀有小金属藏身芯片与光模块内部，用量细碎却无可替代，被业内称为AI“工业味精”。 把一台高端AI服务器拆开，从头到脚充满了各类算力金属。传统电脑的金属消耗量有限，而AI算力设备的功耗、集成度翻倍，直接带动各类金属需求大涨。 其中，铜和锡都是重要材料。 铜：算力基建的“流动血液” 作为整个算力体系的“大动脉”，铜包揽配电、PCB线路、液冷管路三大核心重任。一台普通台式机用铜量不足5公斤，一台高端AI服务器耗铜量达到15~20公斤，是普通台式机的3~4倍；一座兆瓦级智算中心，仅基建布线与散热就要消耗近30吨精铜。 锡：芯片堆叠的万能黏合剂 锡是算力世界的“隐形焊匠”，熔点低、导电稳，是HBM显存、Chiplet小芯片封装的主要焊料。传统芯片焊点寥寥，AI芯片堆叠动辄百万级微小焊点，算力越强、芯片堆得越高，锡用得越多。 供需错位催生涨价行情 有分析人士告诉记者，“算力金属”价格集体上涨，一半靠AI真实需求爆发，一半受资源属性束缚。 需求端，南华研究院高级总监傅小燕介绍，铜在AI数据中心承担配电、液冷管路及高速铜缆（DAC）互联功能，单台AI服务器用铜量为传统服务器的2～3倍；锡是GPU/HBM先进封装及PCB焊料核心材料，AI芯片单位焊点耗锡量翻倍。 “曾经锡的用途主要集中在传统消费电子、镀锡钢板等领域。”弘业期货宏观有色研究员张天骜表示，如今AI服务器、光模块、半导体先进封装等已成为锡需求的最大增量来源。2025—2026年全球AI服务器耗锡量预计分别增加0.35万吨、0.42万吨，AIPC用锡增量预计为0.14万吨、0.18万吨，总需求增量预计为0.49万吨、0.6万吨。供应方面，铜矿山建设周期在5~10年，供应短期难放量；锡方面，受出口限制、地质灾害等因素影响，缅甸、印度尼西亚、刚果（金）等锡主产国供应持续下降；铟、镓、锗全为伴生矿，产能完全依附主矿开采，想凭空扩产几乎行不通。 更值得关注的是，2025年8月起，美国对进口铜征收50%高额关税，2026年4月进一步将关税覆盖至铜衍生产品，计税基础扩大为商品全值，推高全球铜流通成本。同时，美国以“国家安全”为由，对半导体及关键金属产业链加征关税、设置贸易壁垒，加剧全球算力金属供需失衡，价格易涨难跌。 “算力金属”还能“牛”多久？ 本轮“算力金属”价格狂飙，是短期炒作还是长期“景气周期”的开端？ “本轮铜价上涨的核心驱动是AI行业带动需求增长。”张天骜说，本轮铜价上涨和全球科技股走强的节奏比较接近。近期，智利和印度尼西亚铜矿石产量下降等消息导致铜价短线再度走强。 不过，傅小燕认为，AI需求预期已被市场部分定价，铜、锡价格短期更多受美联储政策、美元指数、关税政策、需求及矿端扰动等因素影响，呈现高位宽幅震荡状态，回调风险较大。 锡方面，据张天骜介绍，传统消费电子（手机、家电）和光伏焊带需求疲软，新兴领域的需求增量目前无法弥补传统领域需求下滑的缺口。目前，“主产区供应紧张+算力预期”撑起了锡价。中长期来看，AI浪潮对铜基本面存在较大影响。一方面是AI数据中心本身用铜量可能在未来持续增长；另一方面，美国计划大规模建设AI数据中心配套供电系统的用铜量，可能会在未来两年内集中释放。 虽然长期趋势明朗，但分析人士也提醒，需警惕美联储流动性收紧、AI资本开支不及预期带来的阶段性回调，同时关注美国关税政策加码、地缘冲突加剧等外围风险扰动。 “需要注意的是，AI算力的铜、锡需求占其总需求的比重较低，若宏观加息预期升温或数据中心建设放缓，铜、锡溢价会快速回吐。”傅小燕表示。

大家中午好，被称为“算力金属”的锡期货价格大涨了！ 今日开盘，沪锡期货主力合约快速走高，盘中一度涨近5%，截至发稿报443150元/吨，涨3.63%。 与此同时，A股有色板块日内震荡回升，锡、铜方向领涨，华锡有色逼近涨停，锡业股份、江西铜业、北方铜业、西部矿业、兴业银锡跟涨。此外，隔夜Comex铜期货主力合约日内一度涨超3%。 期货日报记者在采访中了解到，本轮锡价上涨的核心驱动仍是供应扰动。在全球锡资源高度集中的背景下，缅甸、刚果（金）和印尼等主要产地近期均出现不同程度的供应扰动，进一步强化了供应收紧预期。 五矿期货金属分析师刘显杰告诉记者，当前云南、江西两省精炼锡冶炼企业开工率总体保持平稳，但今年以来国内精炼锡产量并未延续增长趋势。与此同时，刚果（金）埃博拉疫情持续扩散，虽然全球最大锡矿之一Bisie锡矿生产运输暂未受到实质影响，但由于矿区距离疫情集中区域较近，市场仍担忧后续可能出现运输扰动。 据悉，近期非洲部分地区埃博拉疫情持续蔓延，形势严峻，世界卫生组织已认定为“国际关注的突发公共事件”。当地时间5月30日，刚果（金）政府通报本轮埃博拉疫情防控最新进展，目前该国累计确诊病例超260例，疫情波及伊图里省、北基伍省及南基伍省多地。 “与此同时，缅甸复产进度依旧低于市场预期。”刘显杰表示，当地炸药供应和矿区抽水等问题仍在持续影响矿山恢复，预计5月至6月锡矿进口量环比仍将下滑。 除了供应扰动外，科技板块持续活跃也成为近期锡价上涨的重要推手。 南华期货研究院高级总监傅小燕表示，随着市场对宏观因素逐渐“脱敏”，流动性开始向商品市场扩散，近期美元指数、原油及有色金属价格同步走强。在此背景下，锡作为与半导体、算力产业链密切相关的金属品种，受到资金高度关注。 展望后市，傅小燕表示，当前锡市场呈现“供给偏紧、需求弱修复”的格局，价格上行空间仍取决于下游能否承接高价货源，后续需重点关注宏观流动性变化以及突发事件带来的情绪扰动。 刘显杰认为，在刚果（金）疫情风险、缅甸复产不及预期等因素影响下，市场短期仍可能给予锡一定的风险溢价，支撑其价格继续偏强运行。 再来关注下地缘局势。 新华社援引美国有线电视新闻网6月1日报道，一名熟悉美伊谈判情况的地区消息人士称，谈判已经重回正轨。伊朗媒体此前报道说，由于以色列对黎巴嫩持续发动袭击，伊朗与美国的谈判已暂停。但美国总统特朗普随后表示，他已经与以色列方面通话，与伊朗的谈判正在“快速推进”。

AI浪潮正推动着全球算力狂飙，但也把底层的半导体物理和封测技术逼上了绝路。当电芯片信号通道正式跨入224Gbps、甚至展望下一代448Gbps的超极限门槛时，传统铜导线所面临的极限发热、插入损耗和电磁干扰，已成为冯·诺依曼架构外高算力芯片无法逾越的恶魔。半导体行业正加速从“电的时代”大步迈入“光的时代”，CPO（共封装光学）正在成为算力终极之战的制高点。然而，如何将精密的硅光技术落地量产？行业卡脖子的难题已经全面转移到了测试端。 近日，在全球光电巨头与产业大佬云集的颖崴科技（WinWay）CPO技术论坛上，执行副总兼发言人陈少坤与技术营销处长孙家彬博士深度拆解了CPO与先进封装在量产前夜所遭遇的物理极限：从9微米单模纤芯的主动对准，到超100mm巨型AI芯片的“万瓦级功耗”、“2万安培电流量”以及严重热翘曲。为了攻克这一行业公认的量产“鬼门关”，颖崴祭出了全球独家专利的HyperSocket复合插座以及Immersion级全液冷测试黑科技。 华尔街见闻整理本次技术论坛的硬核要点如下： “铜退光进”大势所趋，短期内“铜光并进”是高性价比的商业折中 ：数据速率向224G/448Gbps演进导致趋肤效应极度恶化，电子被挤在铜线表面仅0.2微米的微观薄层内，发热剧烈。长期看CPO是唯一解，短期看共封装铜缆（CPC）凭借免光学对准、高性价比优势，仍将扮演强力的过渡或并存方案。 CPO量产最大瓶颈在测试端：9微米纤芯面临40%的位置偏离 ：单模光纤纤芯直径仅9微米，机械累计公差常导致高达40%的位置失配。传统的自动化机械手“吸取与放置”（Pick and Place）极易夹碎脆弱的光纤阵列，无法实现“即插即用”，单芯片多通道对准耗时过长，严重扼杀测试厂的量产产出（UPH）。 超大AI芯片迎来“5万针海”与“2万安培电流海啸” ：为压榨极限算力，明后年AI加速器芯片的物理封装将突破100mm×100mm，引脚数飙升至5万针，工作热功耗跨过8000瓦大关。在0.75V的核心电压下，测试瞬间涌入的电流逼近2万安培，传统探针的“点接触”极易引发局部焦耳热，进而顷刻间熔毁芯片底部的锡球。 材料之争进入深水区，玻璃基板（Glass Substrate）成先进封装非走不可的一步 ：有机树脂基板在超大面积下面对冷热测试循环，极易发生严重的微观热翘曲（Warpage），导致测试针脚大面积悬空。玻璃基板具备变态的机械强度、极低高频介质损耗，且可在内部直接用激光雕刻出光的物理波导通道，堪称先进封装的“量产圣杯”。 颖崴祭出“HyperSocket”与流体冷黑科技封锁护城河 ：通过将垂直探针的长行程与导电橡胶的“全方位面包裹”巧妙融为一体，颖崴推出HyperSocket复合家族，完美化解大芯片翘曲与熔球灾难；更针对万瓦芯片推出Hyper Liquid技术，直接在插座微观缝隙中循环灌注非导电氟化液。客户无需定制昂贵的大型设备，即可在现有产线上实现全液冷强效散热。 算力狂飙背后的物理死穴：“又快、又热、又大”的极限大芯片 长期以来，AI算力芯片的性能跃升都在依赖不间断地“盖马路”——将信号通道数量从128层、256层一路堆叠到1024层。然而，当单通道数据速率狂飙到224Gbps、乃至下一代448Gbps极限时，电的世界在物理层面上正遭遇极其险恶的 四大性能屏障 ：极限插入损耗（Loss）、通道间电磁串扰（Crosstalk）、背景EMI噪声以及特征阻抗匹配失控。 孙家彬博士指出，在448Gbps的超高频电传输线下，高频电流在铜线内部的微观趋肤渗透深度（趋肤效应）被无情地暴缩到仅仅剩下了 0.2个微米 。这意味着所有的电子不再流经铜导线内部，而是疯了一般全部挤在表面仅0.2微米厚的超薄层内中狂奔。此时，铜箔表面的任何细微粗糙度，对高速电子而言都无异于在翻越崎岖不平的荒山，会转化为极其恐怖的能量损耗与发热。如果一味把铜面做成像镜面一样光滑，又会导致树脂基板在受热时像撕贴纸一样层压脱落。 为了在“海景第一排”（芯片最珍贵的边缘地带）榨干空间，调制器元器件的阵列博弈也已见分晓：性能完美的MZM（马赫-曾德尔调制器）因为体积过于庞大，根本塞不进寸土寸金的先进封装体内部；而 MRM（微环调制器）凭借极度微小的体积和体积上的绝杀优势，能够允许在芯片边缘塞入数倍的数量，从而让整颗芯片的吞吐量直接实现降维打击。以行业标杆产品为例，主芯片单个外围一圈塞进多达32个微型光学引擎（OE），单OE支持3.2Tbps带宽，总数据吞吐率直接飙升到了102.4Tbps 的惊人上限。 CPO量产的“鬼门关”：9微米纤芯与传统测试机械手的物理锁死 既然CPO是唯一解，为什么直到今天它都无法轻易导入高效的大规模量产？孙家彬博士直言，卡脖子难题就在测试端的两个物理极限上： 主动对准（Active Alignment）与机械手接驳 。 CPO所必须使用的单模光纤，其内部真正能让光信号通过的核心纤芯直径，仅仅有区区 9个微米 （相当于头发丝的近十分之一）。而外部光纤、玻璃V型槽等累计机械组装公差常达到3.8微米，这在天然状态下会产生高达40%的位置失配。为了把光对在正中心，自动化机械臂必须给芯片通电发光，移动多轴位移台，在微米级尺度上一边极其缓慢地微调位置，一边实时监测接收到的光功率。单次对准就需要耗费5到30秒的时间。这一变态的时长一旦乘以整颗芯片庞大的光纤数量级，会严重扼杀测试厂的产能（UPH）。 更糟糕的是，面对带有极其脆弱光纤阵列的高阶模块，传统的芯片搬运测试设备（Handler）彻底失效。传统的Handler全部属于“吸取与放置”（Pick and Place）型机械逻辑，但光纤属于易碎的玻璃材质，根本承受不住机械手的任何盲插挤压或大幅度晃动，无法实现“即插即用”（Plug and Play）。如果这颗芯片边缘延伸出8个高精密的光纤阵列接口，机械手就必须极其轻柔地在测试座内原地对接、插拔整整8次。 为此，颖崴正在联合大厂秘密执行两个颠覆性的底层解法：一是利用半导体级制造工艺做出一颗几何公差近乎为零的测试专用“黄金光纤阵列单元”（Golden FAU） ，实现一瞬间让所有光纤通道同时对准；二是协同探索 “自对准”（Self-alignment）技术，通过在光芯片边缘设计自动校准环，让微观波导自适应去捕捉并锁定射入的光束。 先进封装的代工路线图：台积电COUPE与英特尔的材料之争 面对如此变态的物理挑战，全球顶级晶圆代工厂（Foundry）正在先进封装和硅光制程路线上展开正面火拼。 台积电（TSMC）作为推动硅光子落地的中流砥柱，其核心硅光平台名为 COUPE 。它通过最顶阶的SOIC三维先进封装和铜-铜混合键合（Hybrid Bonding）制程，将高性能电芯片直接垂直叠放在光电芯片（PIC）正上方。为了放宽光精度对产线速度的钳制，台积电创造性地在芯片内部集成了细微透镜（Micro-lens） 结构，在物理上极大地放宽了机械手对准时所能容忍的误差公差；同时配合纳米级 下反射镜（Sub-reflector）工艺，将企图向下漏走的光100%重新反射回主波导，强效降低损耗。 而英特尔（Intel）则选择了一条不同的路线。英特尔利用其灵活的嵌入式多芯片互连桥（EMIB/Silicon Bridge）技术进行横向拼接或垂直3D堆叠，并极早地在先进封装内部直接集成外部激光光源（Laser内置化）。 然而，无论是哪家巨头的方案，当芯片物理封装尺寸突破100mm×100mm，并朝着明后年150mm以上巨无霸面积迈进时，传统的有机树脂基板由于无法承受冷热测试循环下剧烈的热膨胀系数失配，必然发生大面积的严重热翘曲（Warpage），导致测试引脚大面积悬空。 孙家彬博士在现场斩钉截铁地强调： 玻璃基板（Glass Substrate）这一步棋，是全行业非走不可、且必须要成功的战略一步！ 玻璃材质不仅具备变态的机械强度，能死死压制超大芯片的翘曲变形，还拥有极高的高频介质损耗电学特性，甚至允许用激光直接在玻璃内部雕刻出光的物理波导通道，堪称先进封装的“量产圣杯”。 五万针海与两万安培海啸：颖崴HyperSocket与液冷黑科技封锁护城河 为了迎击AI大芯片时代的超大尺寸、极端翘曲、引脚数迈向 5万针海时代 ，以及热功耗从4000瓦狂飙到 8000瓦级 的变态大考，颖崴科技在论坛现场亮出了拥有统治级全球防御专利的王牌黑科技—— HyperSocket（微电子复合插座家族） 。 孙家彬博士拆解了目前全行业传统的两大测试死穴：Elastomer（导电橡胶）厚度太薄，垂直压缩行程不足，无法吃满芯片超400微米的翘曲，导致引脚悬空；而传统的垂直弹簧碳针（Pogo Pin）虽然行程长，但在微观下属于针尖与锡球的“点接触”（仅有四个微观接触点）。当高达数千安培的超级电流通过这四个细若游丝的针尖灌入芯片时，极高的电流密度会在瞬间引发可怕的局部焦耳热，把芯片底部的引脚锡球 在顷刻间局部熔毁（Ball melting） 。同时，5万针在预压（预蹲）状态下累计向上产生的机械推力轻松冲破数百公斤，直接会将测试座外壳活活冲压变形。 颖崴的HyperSocket打破了这一物理死局。它通过将垂直探针的长行程与导电橡胶的“面包裹”巧妙融为一体，当芯片压下时，Elastomer像乳胶软床一样将坚硬的圆形锡球全面包裹住。接触面积暴增数十倍，成功实现了 全方位面接触 ，接触阻抗瞬间降到极低，并彻底消除了传统硬针尖对芯片锡球的任何机械刮伤和熔球灾难。 为了应对未来的极限压测，颖崴工程团队进一步进行了惊人的电学推演：在芯片0.75V的核心工作电压下，乘以瞬态波动，意味着压测启动的一刹那，有接近快2万安培（20000 A）的恐怖电流海啸正在疯狂涌入测试座！这足以在瞬间把传统插座烧成炭末。 为此，颖崴推出了终极杀手锏—— Hyper Liquid（全液冷复合插座） 。颖崴直接在测试座微观缝隙中开辟了密闭液冷流道，向其中注入完全不导电的特殊工程液体（电子氟化液），利用液体的超高比热容将工况产生的瞬时焦耳热无缝带走。更绝的是，颖崴从研发第一天起就将该流体接口与全球顶级分选机械手（Handler）大厂进行了 深度协同设计（Co-design） 。客户完全不需要花天价去买全新定制的测试大设备，只需要在现有Handler生产线上像搭乐高一样外挂通用冷却主机，即可在一两天内完成液冷测试升级。 陈少坤执行副总在总结中透露，颖崴科技早在2019年就已经远赴北美，与全球最顶尖的AI芯片霸主及CSP巨头展开了绝密的技术协同研发。随着英特尔、英伟达等巨头全面确立并推动CPO标准化量产，规格混乱的早期阶段即将终结。 以下为论坛演讲全文，由AI辅助翻译： 主持人 ： 论坛正式开始。首先由我来为各位隆重介绍今日颖崴科技的经营团队。让我们用最热烈的掌声，欢迎执行副总兼发言人陈少坤先生，以及技术营销处长孙家彬博士！同时也欢迎投资人关系与贸易经理。接下来的时间，让我们延续掌声，欢迎颖崴科技执行副总陈少坤先生上台为我们致辞，为今天的技术论坛揭开序幕。 陈少坤（执行副总） ： 在座的各位贵宾、各位投资先进，以及媒体朋友们，大家下午好！非常谢谢你们今天在百忙之中抽空来到颖崴科技的CPO技术论坛。其实当初在挑选日子的时候，我们并没有特别多想为什么选在5月14日。但今天回头一看，发现这真的是个非常有意思的日子。我相信今天会是一个属于CPO行业的“大日子”（Big Day）。 随着AI浪潮的爆发，全球基础设施正在疯狂推进，整个半导体产业链的底层技术也在发生剧烈演进，这包括了最前沿的先进工艺、先进封装，以及未来更重要的、难度最高的光电先进测试技术。 我们正处于一个关键的转折点——行业正从传统的“电的时代”大步迈入“光的时代”。 颖崴科技早在2022年底至2023年初，就是全台湾第一家正式提出CPO测试技术的公司。那时候大家对CPO是什么还一无所知，谁也没预料到它会在今天造成如此巨大的产业风潮，甚至在资本市场上掀起惊涛骇浪。 但回归到技术基本面，实事求是地讲，包括我们自己对CPO技术在早期也经历过摸索阶段，行业目前仍有非常多的未知领域需要去深入研究。这意味着CPO产业虽然充满了泼天的商机，但也同样充满了难以想象的物理挑战。 这部分细节待会我们的孙家彬博士会为大家做抽丝剥茧的介绍。我看今天到场的名单里，除了投资人和媒体朋友，还有非常多我们半导体产业界的先进制程大佬。由于今天到场的人数远远超出预期，我们在二楼的凯悦厅也同步开辟了直播分会场，谢谢进不来主会场的朋友们的体谅。 接下来我介绍一下今天的主讲人——孙家彬博士。他是台湾中山大学的物理学博士，也是颖崴过去在高频高速测试界面领域的灵魂人物，他是同轴测试插座（Coaxial Socket）的发明人，更是我们下一代革命性产品微电子复合插座（HyperSocket）的核心发明人。今天孙博士还带了他的家人和小孩组成加油团来到现场，让我们用最热烈掌声欢迎孙博士上台，为我们分享CPO技术的最新发展、产业链整合以及未来测试界面的前沿应用！ 孙家彬（技术营销处长） ： 各位女士、各位先生，大家下午好！前几天有人问我这一场论坛会不会用全英文讲，我说好像没有被强制要求，所以今天我们用国语、以比较轻松和通俗易懂的方式来聊。 当初我接到这个CPO的技术课题时，是因为过去两三年在公司的法人说明会上，有无数的投资人和客户在敲碗追问： CPO到底在做什么？颖崴在里面究竟扮演什么角色？因为由于之前碎片化信息的传递，外界对我们的真实定位仍存在一定程度的认知落差。 所以，今天这场技术论坛的核心目的，就是要把这些片段的技术点像珍珠一样串起来，向大家彻底交代清楚。这整份报告内容应观众要求，全开放、不删改，大家可以认真听。 我们的技术日程主要分成五个章节。 第一阶段我们要讲：CPO到底要解决什么核心问题？ 从整个行业并购历史来看，从2024年往前推三年，资本市场上发生了一连串疯狂的巨额并购。思科（Cisco）、诺基亚（Nokia）、AMD、迈威尔（Marvell）、Credo等行业巨头，疯狂砸下超过100亿美元的真金白银，在干什么？他们全部在收购硅光子（Silicon Photonics）相关的底层企业和核心技术。 钱往哪里砸，未来大势就在哪里。如果有些巨头一时间无法实现全资并购，也至少会通过投资入股的方式（如谷歌、英伟达、联发科等巨头）去买一张进入硅光子赛道的入场券。各大设计大厂（Design House）和云服务商（CSP）砸下重金，就是为了能在自己未来的主芯片设计中，比竞争对手提早一步整合进光通信技术。 但我想先跟各位说明一件事：这个硅光和CPO产业，从我们2019年开始踏入研发到现在，经过了漫长的七年，底层的物理痛点依然非常多。 这里总共列出的就有10大技术挑战。这绝对不是某一家公司能够单打独斗做完的。 这就是为什么现在资本市场上会出现一个庞大的“CPO群组”或“CPO概念股”，因为每家公司都在试图解决其中某一个单一点的难题。而颖崴科技，作为半导体测试界面阵营的一员，我们只专注于解决这10大挑战中最核心的三个测试痛点： 第一，规模化光对准（Scale-up optical alignment）；第二，高阶模块测试效率（Testing efficiency）；第三，极高速电信号整合（High-speed signal integration）。 一句话总结：颖崴的核心职责，就是在先进封装测试界面（Test Interface）端，用我们的方案去解决CPO在量产时遭遇的测试卡脖子难题。 我们接下来看，为什么未来的算力芯片会变得“又快、又热、又大”？ 当我们的单通道数据速率从112Gbps正式狂飙到眼下的224Gbps（每秒太比特）时， 如果你继续死守传统的铜线传输，你在物理上会遇到一个完全无法逾越的恶魔——发热和严重的传导信号损耗。为了在铜线上传输信号，你被迫要在PCB板上塞入大量的重定时器（Retimer）芯片去不断重置、放大信号，但这又会疯狂消耗芯片组的功耗。因此，“铜退光进”或“铜光并进”的底层大趋势被生生逼了出来。 为了让大家会心一笑，我放出了这张读物理系时让我们头大不已的麦克斯韦方程组（Maxwell's equations）。 无论是磁、电、光还是波，在物理本质上其实完全是一样的。我想先帮大家树立一个底层的统一观念： 电信号和光信号在本质上是同一种东西，它们只是在不同的介质（Medium）上面去运作。因为介质不同，它们展现出了截然不同的物理特性。 我们可以对比一下这两个完全不同的世界。在“电的世界”里，信号是由电子在铜导线表面进行传输的。 当信号频率越来越快、达到GHz极端高频时，会发生严重的趋肤效应（Skin Effect）——电流不再流经铜线内部，而是全部挤在铜线最表面的薄薄一层向前狂奔。 这时候，铜箔表面的微观粗糙度（Roughness）和覆铜板（CCL）的材料品质就变得要了亲命。 如果你把镜头放大，高频电子就像是在跑在一个崎岖不平、乱石密布的荒山上，这会带来极度恐怖的信号波形波动和传导损耗（Conduction Loss）。这些损耗最终会全部转化为热能，导致信号根本传不远。 此外，高速电信号相互之间非常容易发生电磁场耦合，从而产生致命的电磁干扰（EMI）噪声。 反之，在“光的世界”里，主角变成了光子。光子是在光纤或硅光波导内部，利用全反射原理进行无损传输的。它主要在硅（Si）和二氧化硅（SiO2）这种绝缘介质上运行，具有天然的物理优势。光的传输距离极远，往往是用公里（KM）作为单位来计算损耗，而电信号只能用厘米（CM）来算。 在电磁干扰方面，由于每道光在各自的光纤或波导内部都有绝缘层天然隔离，光信号对电磁干扰（EMI）几乎是完全免疫的，光与光之间很难产生任何坏的影响。 我们来看一下具体的数字对比。在损耗（Loss）方面，电信号传输短短一厘米，就会产生高达几个分贝（dB）的衰减；而光信号运行一厘米的损耗小于0.2 dB。在频率范围上，电信号工作在100GHz级别，而光信号的工作频率直接飙升到了193 THz（太赫兹），两者在波的传输效率上整整差了1000倍！频率差1000倍，传输距离差1000倍，且对电磁干扰完全免疫。将这种完美的材料和物理行为反应放进芯片技术里，就必然催生出CPO技术。 这里我要帮大家厘清一个长久以来的概念误区。很多人分不清CPO与前几年提出的NPO（近封装光学）有什么区别。 所谓NPO，它是指光学引擎（Optical Engine）依然被放置在外围的封装基板（Substrate）表面，并没有真正打破电芯片的距离限制。而真正的先进CPO封装，它要瞄准的核心是将光学引擎直接叠放或者并排放置在最核心的硅中介层（Interposer）之上。 在最终的真CPO架构体中，你会看到核心芯片（IC）、高带宽内存（HBM）以及高密度的光学引擎，全部密密麻麻地共存在同一片硅中介层上。目前的过渡期架构，通常由光纤阵列单元（FAU）和外部激光源（ELS）组成。随着未来技术演进，激光器最终也会被直接整合成封装内部的一部分，那是终极版本。 刚才我们讲到，芯片封装正在变得越来越大。因为要实现算力规格的翻倍，传统的芯片设计手段就是不断地“盖马路”——把通道数量从128层、256层一路飙到1024层。马路越盖越宽，芯片封装体自然越变越大。 但在疯狂盖马路的同时，你必须给芯片输入极其恐怖的电量。整个封装内部的空间利用率其实变得非常低下。 这就是为什么我们在讨论CPO时，除了强调“高速、省电”，还必须强调“空间布局的极致优化”。如果能够通过光通信来缓和或优化整个芯片内部的空间摆设，对整个产业而言都是一件功德无量的好事。 我们来看一下这张最核心的CPO产业链投资全景图。这里面包含的投资项目和10大痛点，需要全行业一起去处理。各大云服务商（CSP）之所以要在前期疯狂投资入股光电芯片（PIC）设计厂商，就是为了能提前锁定制订下一代光学引擎（Optical Engine）的Spec（技术规格）。 今天早上的台积电技术论坛上，特别强调了一个英文词—— COUPE 。大家务必死死记住这个词，它将带领整个半导体世界迈向一个完全不同的领域。为什么？因为在过去几年里，我在跟全球顶尖大厂沟通时，一直在一针见血地指出一个行业盲点：如果由光电芯片（PIC）所组成的微型光学引擎的接口规格没有在一开始被定义好，你们后面所谓的“行业标准量产化”都属于空中楼阁。 光学引擎的规格定好了，外部激光源（ELS）、连接器（Connector）、光纤以及光纤阵列单元（FAU）的规格才能被一个一个标准化。一旦实现标准化，对于测试界面厂商（如颖崴）来说，才具备实现大规模自动化生产（Production）的技术可能。 接下来，我们来看一页颖崴以前从未向外界公开过的核心机密。因为这涉及到了极其底层的光学引擎内部光电转换路径，看似离我们很远，但要把故事讲透，必须从头梳理一遍。我们来看看光信号在光学引擎内部到底是怎么走的，以及每一个环节会遭遇哪些可怕的物理限制。 在发射端（TX），当一道激光从光源打出来之后，它首先要通过一个叫调制器（Modulator）的元器件，把纯净的光变成带有数字信号调变的波；接着通过光路由（Routing）引导进波分复用器（WDM）或者光栅耦合器（Grating Coupler）连接上外部光纤。光信号在外部飞驰之后，在接收端通过耦合器进入，再次经过波分复用器拆分，打进光电探测器（Photo Detector）重新将光信号翻译成纯电信号，最后灌入计算芯片中。这一整条漫长的光学路径上，经过的每一个微型元器件，全都是物理挑战，全都是损耗点！ 比如在光源（Laser Source）环节， 大厂们目前正在激烈博弈到底该选“单一种波长”还是“多波长”路线。 单波长很简单，一根光纤里只跑一种波长的光，只传输一路信号。而多波长路线，则是运用了高阶的波分复用技术，在同一根微细的光纤内部，同时往里塞入八种甚至更多种不同波长的光。概念其实很简单，如果你能在一根光纤里塞进八种波长，你的单路数据速率（Data Rate）就瞬间原位暴增了八倍！相关的光源元件包含了DFB激光器、VCSEL（垂直腔面发射激光器），以及目前学术界热议的光梳（Comb Laser）和microLED。 捕捉住如何成倍倍增数据速率的趋势，才是决定未来产业规格的重中之重。 下一步，当你有了一束纯净的光之后，如何把数据写进光里？在传统的“电世界”里，电信号是通过0和1（NRZ信号）来传递的；到了高阶的PAM4时代，则演变成了00、01、10、11这四种电平状态。调制器（Modulator）的作用，就是通过极高频的电场控制，将主芯片送出来的0和1的高速电信号，同步写进通过的光束中，让原本平淡无奇的光束变成有特定调变信息、有意义的光。目前行业里主要存在三种调制器元器件架构：MZM、MRM和EAM。 我做了一张对比表格，让大家一眼看清不同技术阵营的优缺点。如果单看成熟度、性能线性度等硬指标，MZM（马赫-曾德尔调制器）堪称完美，它在所有总表指标里不是Excellent（极好）就是Highest（最高）。但是，它有一个致命的、无法妥协的阿喀琉斯之踵—— 它的体积（Footprint）实在是太巨大了！大到根本没有办法塞进寸土寸金的CPO先进封装体内部。 那么MRM（微环调制器）呢？它的硬指标可能比较中庸， 对温度极其敏感且成熟度一般。但它拥有一个足以颠覆全场的唯一绝杀优势——它足够小！ 在核心计算芯片最珍贵的边缘地带（我们俗称的“海景第一排”），主芯片封装的外围一圈空间是极其有限的。正因为MRM调制器足够微小，它在海景第一排所能塞进去的数量就能比大块头MZM多出好几倍。只要塞进去的数量多，你整颗芯片的算力和吞吐量规格就能直接实现降维打击般的倍增。 至于第三种EAM调制器，由于各方面都过于中庸，目前在行业技术路线上的讨论度已经越来越低。做技术就要做最极端的，要么做性能最完美的，要么做体积最小的。 当信号通过调制器写进光束之后，接下来的步骤就是要把这道光引导到它该去的地方，这就涉及到了光路由和耦合器（Coupler）。 在耦合器的选择上，目前有光栅耦合器（Grating Coupler）和边缘耦合器（Edge Coupler）两种技术路线。它们对工艺的对准精度要求都高到了变态的程度。 但它们之间有一个决定性的巨大差异——量产可行性。 光栅耦合器可以直接在未切割的整片晶圆（Wafer）上表面进行垂直的光学耦合。这意味着，我们测试厂可以直接在晶圆层级摆放高精密的光学探针头，对裸片进行不破坏结构的光学测试。在线测出某颗裸片是坏的（Bad Die），在后续切割（Dicing）时直接将其扔掉即可，极具量产效率。 而边缘耦合器必须把光信号从芯片的侧面边缘（端面）水平射入，这导致你根本无法在完整的晶圆上进行测试。你必须把晶圆先全部切成一颗颗细小的裸片，然后再人工或机械一颗颗去进行极端精密的端面对准测量，效率极其低下。因此，在技术演进的时间轴上， 目前光栅耦合器由于具备天然的可量产性，正成为行业聚焦的重中之重。 讲完了光芯片（PIC），我们必须看清一个现状：在当前的CPO封装里， 电芯片（EIC）的技术存在感在短期内并不是最核心被强化的重点。 由于不同的PIC制造工艺方法派生出了五花八门的光学引擎（OE）结合方式，各大厂设计出来的外置连接器（Connector）的外形和组装方法完全是各行其是、大相径庭。这导致了一个极其痛苦的后果—— 测试界面完全无法实现标准化！ 由于各家接口长得千奇百怪，测试机台的机械动作、对接治具、测试配件根本没有办法统一。在这种完全缺乏标准化的行业早期阶段，你想要实现量产，就只能用数量去硬换时间：例如在测试厂里一次性购买并排列大量的昂贵机台，让它们同时慢速跑。 我想帮大家树立一个深刻的底层观念：很多投资人看CPO，眼睛一直死死盯着外面巨大的“光模块”（Module）。但我作为技术研发者，我的眼睛永远只盯着核心的“光学引擎（OE）”。因为只有光学引擎被彻底定义和标准化了，外围的模块规格才会被顺理成章地确定下来。 我们可以看一下英伟达（Nvidia）、博通（Broadcom）、迈威尔（Marvell）以及各大北美新创实验室的光学引擎实物照。 拆掉光学引擎之后，它们本质上其实没有任何技术区别，都属于普通的2.5D先进封装（将芯片和HBM堆叠在硅中介层上）。见证历史的顶阶产品Tomahawk 5交换机芯片（或现场展示的Pectron 6系统）为例，正是因为博通采用了体积极其小巧的MRM（微环）光学引擎，它的芯片单个侧边就能轻松住下（容纳）8个光学引擎，整颗芯片外围的一圈“海景第一排”总共塞进去了整整32个微型光学引擎！ 每一个光学引擎的单通道带宽，乘以32个OE的总数，直接决定了这颗芯片在系统吞吐量上能够摸到102.4Tbps的恐怖行业上限。而反观其他大厂，由于选用了较大体积的光学引擎方案，一排顶多只能塞下4到5个。可见，决定未来算力终极技术战场的胜负手，完全在于谁的光学引擎能做得到极致微型化。 接下来我们看一下全球顶级晶圆代工厂（Foundry）在硅光子和先进封装领域的工艺路线图。前几天电子时报（Digitimes）做了一份极好的汇总报告。台积电（TSMC）作为当之无愧的“护国神山”，其推行的核心硅光平台叫作 COUPE 。 它采用65nm（纳米）节点的硅光电芯片（PIC），通过最顶阶的SOIC先进封装技术和铜-铜混合键合（Hybrid Bonding）制程，将一颗7nm或更先进节点的超高性能电芯片（EIC）直接严丝合缝地垂直叠放在光芯片正上方。这是台积电向全行业输出的顶级三维芯片整合能力。而三星（Samsung）虽然也高调宣布要跟进相似的硅光堆叠制程，但其真正量产的落地时间目前看至少要等到2027年以后，市场仍需拭目以待。 英特尔（Intel）在这场游戏里其实已经深耕演练了非常多年，底蕴极其深厚，待会我会专门向大家揭秘英特尔真正的恐怖技术潜力在哪里。至于格芯（GlobalFoundries），他们拥有自主冠名的硅光制造工艺（名为Fotonix）；而台湾的联电（UMC），则是选择了一条高性价比路线——通过获得比利时著名的半导体微电子研究机构IMEC的技术授权，将高阶硅光工艺快速导入到联电现有的成熟制程流水线中进行整合。 对于现在的IC设计大厂而言，选择哪家代工厂，已经不能只单看它造光芯片（PIC）的能力，更要看它如何将PIC、EIC以及原本的主计算芯片，在极早期就进行深度的协同设计（Co-design）。 在理清了整个产业链和各大晶圆厂的底牌之后，我们切入最核心的话题： 为什么CPO的先进封装测试，直到今天都无法像传统半导体那样轻易导入高效的大规模量产？它的技术瓶颈究竟死在哪里？ 我们从泰瑞达（Teradyne）的学习经验中可以看清这条极其复杂的完整测试链路。测试从最开始的纯光芯片（PIC）晶圆、到光电混合的双面键合EPIC晶圆开始，接着将晶圆切割成独立的微型裸片进行光学引擎（OE）级测试，再到模块（Module）级测试，最后插接上外部长光缆（Cable Attachment），通过系统托盘（Tray）完成最终压测。 颖崴科技通过长期的前沿观察，在这条漫长的测试链条中，精准锁定了目前死死卡住全行业量产脖子的两大核心物理瓶颈。 第一大瓶颈，在于 主动对准（Active Alignment） 。在测试阶段，你必须将外部的光纤测试头，与光学引擎光芯片（PIC）表面极其微小的光学点位进行绝对精准的对齐。我们要看清一个惊人的尺度：CPO所必须使用的单模光纤（Single Mode Fiber），其内部真正能够容纳光信号通过、进行数据传输的核心纤芯（Core）直径，仅仅有区区 9个微米（micron） ！这是个什么概念？一根头发丝的直径通常有七八十微米，9微米相当于头发丝的近十分之一。 更灾难的是，外部光纤本身在制造时的几何公差、用来固定光纤的玻璃V型槽（V-groove）的间距误差、角度倾斜度以及各通道之间的同心度公差，在机械组装完累积叠加上去之后，其物理综合误差通常会轻松达到 3.8个微米 。拿3.8微米的机械累计误差，去对接一个只有9微米大小的微观核心孔洞，这意味着光纤在天然状态下，会产生高达 40%左右的严重位置偏离（Offset） ！ 这种可怕的偏差如果直接通光，光信号会大面积射到孔洞外围，产生灾难性的信号隐灭和插入损耗。为了把光对得准、对在正中心，测试机台的机械臂必须给芯片通电发光，移动多轴位移台，在微米级尺度上一边极其缓慢地微调位置，一边实时监测接收到的光功率高低，直到调出最大光功率的一刹那，才算对准。 目前一个FAU（光纤阵列）内部通常集成有64根光纤，未来甚至会飙升到128根。这意味着高精密的自动化机械手，必须在同一颗芯片上上下下对准极其多次。目前的全球高精度设备，单次主动对光对准依然需要耗费5秒、10秒、20秒甚至30秒的时间。这个变态的对准时长，一旦乘以整颗芯片庞大的光纤数量级，会导致每一颗芯片在测试机台里的对光等待时间拉长到令人绝望的地步。全行业对量产的铁血定义就是“快、稳、高UPH”。从这一底层的物理特性来看，在没有攻克对光效率之前，CPO在当前阶段是极难实现快速规模化量产的。 第二大瓶颈，存在于 模块测试（Module Test）阶段的机械手接驳难题 。 在传统的半导体封测厂里，负责搬运、压测芯片的自动化大设备叫机械手（Handler）。传统的Handler全部属于“吸取与放置”（Pick and Place）型机械逻辑：机械手用真空吸嘴将一颗长方形的芯片吸起来，移动到测试插座（Socket）正上方，然后垂直用力压下去，测试就启动了。 但是，面对带有极其脆弱、随芯片延伸出长长一截光纤阵列（Fiber Array）的CPO高阶模块，这种简单粗暴的Pick and Place逻辑彻底失效了。光纤属于易碎的玻璃材质，根本承受不住Handler机械手的任何盲插挤压或大幅度晃动，传统的芯片压测根本无法实现所谓的“即插即用”（Plug and Play）。 如果这颗芯片边缘的海景第一排总共延伸出8个高精密的光纤阵列接口，你就必须要求 Handler 机械手极其轻柔、极其缓慢地在测试座内原地对接、插拔整整8次！这个测试动作所耗费的单位小时产出（UPH）和换料时间（Index Time），对于任何追求盈利的封测厂来说，都是一场无法忍受的效率灾难。 面对这两大卡住行业脖子的技术瓶颈，颖崴科技正在联合客户，全力执行两个具有颠覆意义的底层解法。 首先，在对光效率方面，颖崴正在秘密开发测试专用的“黄金光纤阵列单元”（Golden FAU） 。我们利用半导体级的母版精密制造工艺，做出一颗几何公差近乎为零的母版FAU工具。在测试对位时，机械臂只需对准其中一个基准主光路，就能通过母版极其变态的通道间距精度，实现“一瞬间让所有的光纤通道同时对准”的终极技术可能。 第二个方向，我们正在与设计大厂协同探索 “自对准”（Self-alignment）技术。我们在光芯片内部或封装机构的微观边缘设计出一种自动校准环（Auto-calibration circuit）。我们允许外部机械手的对接误差很大，但当芯片通电后，内部微观波导能通过衍射或微型光学调整，自适应去捕捉并锁定射入的光束。 刚才我们讲到，只要主动对准的尺寸错位（Mismatch）以及模块测试中的Pick-and-place/Plug-and-play机械难题在行业里一天没被解决，全行业在量产阶段就只能陷入一个死循环——通过疯狂采购几倍数量的极昂贵测试机台、堆砌大量的自动化测试插座（Socket）来盲目用空间和固定资产投资去换产能。这在未来追求千万颗体量爆发的AI大芯片市场是完全无法持续的。 那么，颖崴在这个复杂的CPO测试版图里，究竟能为客户输出哪些实质性的硬核方针？虽然颖崴不涉及最初期的独立光芯片（PIC）晶圆测试，但从电芯片（EIC）晶圆测试、光电双面集成的EPIC晶圆测试开始，直到切割后的裸片、微型光学引擎，以及最末端的完整CPO/CPC算力模块，颖崴实现了全生命周期的测试方案覆盖。 针对最前期的晶圆级测试（Wafer Test），行业里经常挂在嘴边的词叫“上光下电”或“上电下光”。很多投资人根本搞不清楚这两个词背后代表的空间配置差异。我们颖崴通过这两张3D示意图帮大家做彻底的厘清。 在晶圆测试的真实场景下，由于未切割的整片EPIC晶圆是平躺在下方巨大的承载台（Chuck）上的，这时候，极其密集的垂直电探针卡（Electrical Probe Card）和光学测试对准头，都必须从正上方垂直探入扎针，因此这属于标准的“顶部上电、顶部上光”的微触架构。电探针与光探针必须在方寸之间协同动作，确定完美对准光路后方可启动电性测试，随后再一颗裸片接一颗裸片地慢速移动测量。 而一旦晶圆通过高精密划片机被切割成独立的裸片（Die Level）之后，测试的物理空间场景就会发生戏剧性的逆转，变为了标准的“下电上光”架构。在Die级的垂直自动化测试机台内部，传统的电测试插座被牢牢固定在最下方。 机械手将切割好的裸片平整放置于下方的测试插座（Socket）内，由下方的弹簧垂直探针负责提供高频电性互连（下电）；而此时，庞大的高精密自动化光学对准探针卡，则获得了干净的顶部空间，可以从裸片正上方凌空探入、进行快速的光流对准（上光）。不同的测试场景对应着完全不同的空间硬件结构（Configuration）。在这套晶圆与裸片的高速电性测试中，颖崴能够向全球客户提供最顶阶的垂直微探针卡（VPC/WPC）和配套测试PCB母板。 当裸片通过先进封装形成微型光学引擎（Optical Engine）后，封装体通常会带上特制的机械加强件和光学接收器（Receptacle）。为了确保光学引擎在封测厂的自动化流水线上具备高量产可行性，孙博士指出一个极其重要的行业共识：在最初期的独立测试中，通常强烈建议要求光学引擎“绝对不带尾纤（Fiber）”。光学引擎表面呈现的是干净的光学 Receptacle 接口。这样传统的Handler机械手就可以毫无顾忌地使用真空吸嘴进行高效的Pick and Place吸取与放置，从而保障测试厂的产能（UPH）处于极度充裕的状态。 紧接着，孙博士引入一个近期在半导体巨头间引发海啸般讨论的技术新名词—— CPC（Co-Packaged Copper，共封装铜缆） 。 他向大家揭秘了未来高端芯片封装信号的底层演进变革：目前我们看到的所有传统半导体芯片，其全数的高速信号都是通过封装最底部的引脚（如BGA锡球）向下引出、走PCB板长距离铜导线向外传输的。 然而，随着通道速率飙升到224Gbps极限，电信号走底部已经彻底走不通了。未来高算力芯片的极限高速信号，必然被生生逼着改变方向——全部“往上走”！ 如果你选择从芯片的上表面，插接高密度的微细光纤阵列把信号往上方引出，这就叫CPO（共封装光学）；如果你选择从芯片的上表面，插接由高频同轴电缆组成的微型铜缆束把信号往上方引出，这就叫CPC（共封装铜缆）。 颖崴科技顺应这一底层物理变革，推出了行业独家、具备革命性意义的“双面探针测试系统”（Double-sided Probing System）。该测试装置在研发逻辑上极高程度地借鉴了高阶晶圆探针台，它不仅能完美搞定CPO先进封装的顶部光流对位与底部电性压测，更能无缝向下兼容CPC共封装铜缆。 该系统必须利用视觉对准系统，对芯片正上方极度微细的测试Pad点位和顶部连接器进行完美的抓取与对准，确认无误后才能实施机械双面压测。 在整个技术链路最末端的完整高阶模块测试（Module Test）中，颖崴能够向用户双手奉上我们的核心专利王牌—— HyperSocket（微电子复合插座） 。为什么在如此关键的模块测试站，我们不再单向推荐传统的测试弹簧针（Pogo Pin）或导电橡胶（Elastomer）方案，而是极力导入全新的Hyper（微电子复合）概念？ 原因非常直白且残酷：现在的AI大芯片为了压榨出极限的算力性能，其封装体积正在以不可逆的大势变得越来越巨大。 颖崴在今年接收到的全球顶尖AI大客户的最新测试需求中，只要是最新一代的AI加速器或超算芯片，其整体的物理封装尺寸很多都已经疯狂超越了 100mm × 100mm ！这是一个非常恐怖的巨大面积。超大的物理面积带来了一个半导体测试界极其致命的物理灾难——封装翘曲（Warpage）。 芯片由硅片、有机载板、各种金属层复合而成，在测试厂经历冷热循环和瞬间通电升温时，由于不同材质的热膨胀系数完全不同，这颗100mm见方的超大芯片会像橡皮泥一样发生严重的微观弯曲变形，中间下陷或四周卷曲。 传统的测试插座受限于机械行程和结构硬度，根本无法适应这种处于严重翘曲状态的芯片引脚，这会导致大面积的针脚“悬空”或电性接触良率（Yield）血崩。而颖崴的HyperSocket，正是为了征服这种AI大芯片时代的超大尺寸、极端翘曲挑战而横空出世的。 刚才我们讲到，芯片尺寸变大这件事情在先进封装领域是绝对不可逆的。既然大芯片封装不可逆，那我们就必须直面它。孙博士接着深入拆解了台积电在硅光子先进工艺路线图（Roadmap）上的底层演进。台积电作为推动硅光子落地的中流砥柱，正在通过在制程上的不断迭代，极大地扩宽其COUPE方案在未来的量产适用范畴。 台积电工艺的核心，是通过SOIC三维先进封装，将电芯片（EIC）直接通过混合键合（Hybrid Bonding）完美叠放在硅光芯片（PIC）之上。为了解决前文提到让全行业头痛欲绝的光纤对接微米级公差限制，台积电创造性地在芯片内部集成了“细微透镜”（Micro-lens）结构。 微透镜的引入，在底层的物理运行机制上彻底改变了光耦合的难度。传统的单模光纤对接对机械对准的精度要求达到了变态的微米级，稍有位移光线就会射到孔外。而台积电通过在芯片内部雕刻出的微透镜，能够将原本极度狭窄、发散的光束进行高效的放大、汇聚与折射。这意味着，外部光纤在接入时，微透镜在物理上极大地放宽了机械手对准时所能容忍的机械误差公差（Tolerance）。哪怕外部机械手存在轻微的对位偏差，通过微透镜的汇聚放大，光信号依然能被100%高效捕捉，这直接斩断了对光精度对芯片量产速度的严重钳制。 同时，台积电还在整个光学波导结构的下方，引入了极其高端的纳米级“下反射镜”（Sub-reflector）工艺。 我们做物理光学都知道，光信号在穿透硅基波导时，会不可避免地向下方基底发生散射和丢失（即产生严重的插损）。台积电在波导工作层正下方，通过半导体镀膜嵌入了一层高反射镜面，当散射的光企图向下漏走时，反射镜能像镜子一样将穿透出去的光100%重新反射回上方的工作波导主通道内部。通过微透镜放大公差、通过下反射镜强效补强打光、降低损耗，台积电通过这两大先进制程上的底层优化，大幅度扩张了其CPO先进封装的行业影响力和适用范畴。但这依然要回归到测试的终极问题上：在量产线上，你们究竟怎么测才能做到又快又好？ 我们现在全行业所处的历史阶段，正是3.2Tbps（太比特每秒）CPO交换机（Switch）的商业化量产前夜。这其中最典型的标志性作品，就是英伟达（Nvidia）正在倾全公司之力推动的顶级Spectrum-X系列CPO交换机。该系统在调制器的选择上，正是彻底抛弃了大块头MZM，全面采用了我们前文极力推崇的、体积做得到极其微小且能将速推进到极限的MRM（微环调制器）。 整颗交换机芯片的外围边缘，总共并排集成了多达32颗微型光学引擎（OE）。每一颗光学引擎的外部连接接口，都插接了一个带有16根单模光纤的高密度FAU（光纤阵列）单元。通过MRM的高频电光调变，单个光学引擎通道就能瞬间爆发出3.2Tbps的恐怖算力带宽。这时候，我们把32颗光学引擎的吞吐量全数相乘相加（3.2T × 32），整颗大芯片的总体数据吞吐速率直接飙升到了创纪录的 102.4Tbps ！ 这就是顶级芯片封装规格的数学算法。但在这一组神话般算力的背后，意味着在测试端，你必须在同一颗大芯片的周边，同时处理好整整32个高密度FAU阵列、数百根单模光纤的机械主动对准测试，并且要在极高的数据速率下，对如此庞大的光流和信号进行完美的稳定性控制。这是接下来全行业必须跨越的超级技术大山。 颖崴科技在过往数十年的历史里，我们聚焦并赖以成名的核心竞争力全都在纯电（Electrical）测试界面上。而眼下面对CPO时代的降临，颖崴的研发全面跨越到了“电与光融合接口”（Electro-Optical Interface）的新纪元。在以前的行业里，我们最常对芯片设计大厂讲的一个词叫“可测试性设计”（DFT，Design for Testing）。我们这几年一直在跟大客户沟通：拜托各位，你们在画芯片和先进封装图纸的极早期，就先来跟我们测试界面厂进行对接和沟通。因为如果你们的设计完全不考虑后期的测试容量和空间，等你们把样品做出来之后，由于引脚分布太差或结构变形，会导致你们必须被迫去购买天价、极难维护的特殊定制测试插座（Socket），这非常划不来。 而在当前的AI和CPO大时代，传统的DFT观念已经完全不够用了。颖崴目前正在跟北美和全球最顶级的几家芯片霸主建立超越买卖关系的“深度战略合作伙伴关系”（Partnership）。 行业已经进化到了不需要等你把芯片封装做好了再来通知我，而是从最开始设计IC和光学引擎（OE）的草图阶段，颖崴的工程团队就已经与客户在同一个系统内进入了“协同设计”（Co-design）的极高阶段。我们在一开始就把测试所需的探针间距、机械压力、散热流道以及空间利用余量，全部融进客户的初始芯片设计蓝图中，以此从源头上剪灭量产测试的瓶颈。 回到CPC与CPO的博弈上，孙博士向大家透露了一个最近一年来行业内极为微妙的趋势变迁：其实在过去这一年多里，有大量的全球一线设计大厂纷纷重新回过头来， 向颖崴热烈讨论CPC（共封装铜缆）方案。这背后的原因其实没有别的——CPO光学引擎的主动对准和量产效率瓶颈在短期内依然太高，导致CPO在当前节点的生产良率和经济性无法快速爆发。 为了让下一代主系统的算力规格不至于停滞，大厂们纷纷选择将CPC铜缆作为短期的强力替代方案（Alternative Solution）去延续系统规格，持续往上走。 刚才我们讲到，CPC共封装铜缆方案在眼下拥有极佳的进场优势。because铜缆不需要经历变态的光学主动对准工艺，在量产的稳定性和落地速度上具备短期优势。但是，如果系统算力规格继续疯狂向下推演，CPC方案的致命局限就彻底暴露了。 由于高频同轴电缆和连接器的物理尺寸远比微细的光纤巨大，在芯片封装最珍贵的“海景第一排”边缘，一侧顶多只能并排插接2个到4个铜缆Connector。而CPO光学引擎一侧就能轻松塞下8个。如果未来大厂们要求总吞吐量在102.4T的基础上再翻倍，死守CPC铜缆路线将逼着你把整颗芯片的封装尺寸扩张到难以置信的200mm × 200mm、250mm × 250mm甚至300mm × 300mm！这在半导体制程、载板制造和先进封装物理极限上，几乎是一条死路。 所以，孙博士给出了一针见血的终极研判： 在这一两年内，CPC确实拥有极大的替代市场，但长期来看（Longer term），CPO依然是唯一能统治算力未来的绝对主旋律。 而为了在传统的铜电传导路线上继续榨干极限性能，目前单通道的电信号传输速率，已经全面来到了单通道224Gbps per second（采用PAM4调变技术），全行业甚至已经开始展望并讨论更下一代的单通道 448Gbps超高传输速率 （此时可能需要全面转向更复杂的PAM6或PAM8技术）。 当电信号在CPC铜线或者高频基板中向如此极限的速率迈进时，在物理层面上正遭遇极其险恶的 四大性能屏障（Electrical Performance Barrier） ：电信号在极度宽频下的严重损耗（Insertion Loss）、极度剧烈的通道间电磁串扰（Crosstalk）、背景EMI电磁干扰噪声（Noise），以及特征阻抗匹配的彻底失控（Impedance Mismatch）。 千万不要盲目、错误地认为只要有了光通信技术，纯电（Electrical）的研发就不重要了。 这是一个极大的认知误区！因为哪怕外部光纤跑的是速度最快的光信号，其在最终进入主加速器GPU内部进行逻辑计算之前，必须要通过光学引擎内部的光电探测器，将光子彻底、百分之百地重新转换成纯电信号（电流），才能灌入GPU。如果底层的纯电高频界面和工艺不长进、不突破，你的光技术也根本不可能实现任何实质性的好性能。两者的电性与光性规格必须实现最严密的同步实配（Match）。 在面临448Gbps超极限速率时，信号的奈奎斯特频率（Nyquist Frequency）将彻底失控、飙升到让人头皮发麻的阶段。目前在主流的224Gbps速率下，我们颖崴在设计高性能测试插座（Socket）时，只需要保证插座内部的高频探针能够稳定支持到56GHz的Nyquist基频即可。而一旦数据速率翻倍至448Gbps，网络大佬们最终选择哪一条技术调变路径，其电信号的基频将直接飙升到骇人听闻的 70GHz甚至更高级别 ！ 这还不是最致命的。在射频和微波电学测试设计中，为了让测试设备接收到的正弦波信号，通过多阶高频谐波的完美叠加，最终变形成无任何失真、波形陡峭的优质数字方波（常说的完美的“眼睛”波形），在测试插座（Socket）的整体射频通道设计中，必须将测试频宽无条件地拓展到基本频率的 3倍频甚至5倍频 。 这意味着，为了测准448Gbps的极限电信号，颖崴自研的测试插座内部的微型探针和高频通道，在物理结构和电磁射频能力上，必须具备支持高达 150GHz甚至200GHz以上 极端高频信号平稳通过、且不发生串扰和反射的变态射频实力！目前，全球学术界和产业界的顶级网络及算力大佬们，正围绕着未来究竟是该选择挑战极限的PAM4、折中的PAM6还是PAM8的技术路线进行极其惨烈的博弈。由于在高频测试中，插座内部结构的电介质阻抗稍有几个欧姆的差池，就会造成测试结果“能过”与“绝对不能过”的生死之差。面对如此巨幅的挑战，颖崴正在密切、紧紧地关注着场上局面的演化。 刚才我们讲到，在448Gbps超极限电传输速率下，电信号在传统铜导线和高频基板中正遭遇极度险恶的物理极限。首先就是无处不在、让射频工程师痛苦不已的趋肤效应（Skin Effect）。当频率飙升到448Gbps级别时，高频电流在铜导线内部的微观趋肤渗透深度（Skin Depth），从224G时代的0.4个微米，直接被无情地砍掉了一半，暴缩到仅仅剩下了 0.2个微米（micron） ！ 这意味着什么？这意味着所有的电子在通过铜线时，不再流经导线的内部，而是如同疯了一般全部挤在铜导线最表面那层只有0.2微米厚的极限微观薄层内向前狂奔。在这种极端的物理状态下，铜箔表面的任何细微粗糙度（Roughness），对于高速电子而言都无异于在翻越崎岖不平、乱石密布的崇山峻岭。这会引发灾难性的高频传导损耗。而如果你为了消灭损耗，一味把铜导线表面做成像镜面一样绝对光滑，又会引发载板工艺上的惊天危机——光滑的镜面铜会导致绝缘层薄膜和树脂基板彻底失去物理附着力，在先进封装受热时会像撕贴纸一样发生灾难性的层压脱落（Delamination）。如何在降低表面粗糙度以确保电学性能，与维持附着力之间寻找极限的物理平衡，是当前PCB和载板材料学的一大黑科技。 同时，材料的介电常数（DK）和介质损耗因数（DF）也必须被压缩到极致。在电信号单通道速率由于材料物理瓶颈而陷入短期无法快速突破的僵局下，全球各大AI芯片巨头在当前的过渡期，只能被迫选择唯一的粗暴解法——继续把芯片的封装体积做大，在BGA引脚数量（Pin Count）上堆砌规模。 接下来的这几年内，全球顶级AI加速器芯片在测试插座端所需的引脚数，将直接迈向史无前例的“5万针（50000 pins）”超级针海时代！大家对5万针可能完全没有概念。对于我们测试界面厂商来说，在100mm见方的极小Socket插座空间内，密密麻麻地塞进5万根肉眼几乎看不清的微型弹簧探针，如果你在生产线上光是要人工更换其中一根坏掉的探针，那真的是在“万里挑一”，过程极其痛苦。但引脚针数变高，对颖崴来说有一个直接的巨大好处——这意味着我们产品的出厂平均售价（ASP）将会变高得非常可观。 伴随着5万针海到来的，还有芯片功耗（Power）的指数级暴增。今年我们在测试业界全面收到的AI芯片测试规格普遍已经跨过了4000瓦（W）功耗大关。而我们目前正在与北美巨头深度协同设计的明后年下一代芯片测试规格，其极限工作热功耗已经疯狂飙升到了 8000瓦甚至更高的水准 ！ 台积电已经明确指出了行业大势：其接下来的终极封装目标，是研发集成了14个光罩尺寸（Reticle）的超大中介层、并环绕堆叠多达20颗HBM高带宽内存的超级封装体。传统物理封装在如此宏大的蓝图前，最快在后年（2028年）就会在市场上正式露面。 面对如此惊人面积的衬底承载，台积电正在全力推动从传统的硅基（Silicon-base）、有机树脂基板（Organic-base）向革命性的“玻璃基板”（Glass-base Interposer）进行跨越。 玻璃基板这一步棋，是全行业非走不可、且必须要成功的战略一步！因为有机塑料基板在面对150mm以上的超大芯片面积时，幕后推演其热力学表现，发现根本承受不住冷热交替时剧烈的热膨胀应力，必然发生灾难性的翘曲变形（Warpage）。而玻璃材质具备极高的结构机械强度，能够死死压制超大封装在热测试循环下的翘曲变形；同时，玻璃本身具备绝佳的极低介质损耗电学特性，甚至允许我们直接用激光在玻璃基板内部雕刻出高密度光的物理通道（Waveguide，光波导）进行无损导光。玻璃基板完美契合了未来CPO封装将光、电、空间融为一体的底层需要。 英特尔选择彻底舍弃高昂且产能严重短缺的整体大面积硅中介层，转而采用其极其灵活的嵌入式多芯片互连桥（EMIB / Silicon Bridge）技术进行横向拼接或者垂直的3D堆叠。英特尔在玻璃基板和外部激光源（Laser）的封装集成上也走得极早，其技术路线倾向于在先进封装体内部直接集成激光光源，这与台积电的路线形成了差异化。 针对前面讲到的引脚数高达5万针、热功耗达到4000W-8000W、且伴随着严重热翘曲的巨型AI和CPO大芯片，孙博士深入对比了目前全球封测业界现存的两大主流测试界面解法，并一针见血地指出了它们各自在面对AI大芯片时代时的物理死穴。 第一种是传统高频射频大厂（如日本、美国同行）极度青睐的微接触弹性体方案（Elastomer / 俗称导电橡胶）。这种方案最致命的物理短板在于其厚度做得太薄，导致其内部导电粒子的垂直压缩行程（Stroke）严重不足，通常仅仅只有其整体橡胶厚度的20%左右（例如一个2mm厚的导电橡胶垫，只有区区400微米的有效压缩行程）。而我们在前文反复强调，100mm见方的超大AI芯片，其在测试升温时的微观翘曲变形量就已经轻而易举地达到了400微米！ 这就意味着，当测试机台的Handler机械手把翘曲的芯片压在Elastomer上时，会发生毁灭性的接触灾难：芯片翘曲凸出的外围四周能勉强碰得到探针，而中间深陷下凹的低洼引脚区域却完全悬空，根本吃不到行程。测试由于无法导通而彻底失效，连最基本的传输电流都做不到，更不用提极其敏感的高速信号了。 第二种是经典的垂直弹簧探针方案（Pogo Pin / 俗称碳针）。探针虽然拥有极长的纵向弹性形变行程，能够轻松平踩大芯片引脚表面高低不平的机械翘曲，但其在微观上的致命伤在于——它属于点对点接触（Point contact）。当一根细细的硬质碳针与芯片底部的微型锡球（Solder ball）对接时，在微观物理层面上，高倍显微镜下它仅仅只有惨不忍睹的 四个微小接触点（Tip contact points） 。 大家试想一下：当我们的测试设备试图把高达几千安培的极限高电流，通过这四个细若游丝的微观针尖硬生生灌入芯片内部时，极高的电流密度会在接触面瞬间引发可怕的焦耳热！在测试厂原本就已经高达100多度的极限热应力压测环境下，这瞬间多出来的局部焦耳热，会直接把芯片底部的引脚锡球 在顷刻间局部熔毁（Ball melting） ，导致测试完后锡球与针尖相互粘连坏死，废掉整颗天价的主芯片。 同时，数万根弹簧针内部为了维持稳定接触，都必须具备物理预载力（Pre-load，我们行业俗称探针“预蹲”）。5万根探针在测试机台里一起预蹲，累计向上产生的垂直总机械推力会轻松冲破 数百公斤 。如此恐怖的暴力机械推力，会直接在长期压测中将测试插座（Socket）的塑料外壳活活冲压变形、发生物理弯曲。一旦Socket外壳变形，插座内部细密的探针就会在针孔内发生致命的歪斜和跳动，让224G/448Gbps的高频测试特征阻抗彻底失控。 为了将Elastomer的“面接触”优势与垂直弹簧碳针的“长行程”长处进行完美的融合，并彻底封死各自的物理短板，孙博士自豪地在论坛现场亮出了颖崴科技早在两三年前就已经在全球启动秘密知识产权布局、拥有绝对统治级防御专利的颠覆性发明—— HyperSocket（微电子复合插座家族） 。 HyperSocket的技术运行逻辑极具物理智慧：它在传统的垂直弹簧探针正上方，层叠放置了一层定制的异向导电弹性体（Anisotropic Conductive Elastomer）。里面的探针全权负责提供超长的形变行程，去轻松荡平超大芯片所有的冷热翘曲；而覆盖在针尖上的Elastomer薄层，则扮演了极其温柔的包裹角色。当芯片锡球压下时，Elastomer像一张乳胶软床一样，将坚硬的圆形锡球全面包裹住。探针与锡球的微观接触面积瞬间暴增了数十倍，成功实现了从传统的“点接触”向“全方位面接触”的降维打击！接触面积暴增，接触阻抗（Contact Impedance）自然瞬间降到极低，并具备了极其恐怖的耐超高电流能力。由于球体被弹性体温柔包覆，完美消除了传统硬针尖对芯片锡球的任何机械刮伤、刺穿或局部熔毁。 HyperSocket家族目前的四大核心进化分支上。 首先是基础款，成功剪灭了频繁清洁探针和锡球熔损的通病。 第二款是专为超大芯片形变而生的 Hyper LF（底部弹性体款） 。颖崴打破传统的思维定势，将Elastomer层改放置在测试插座的最底部、与下方的测试母板PCB进行对接。这一精妙的机构变阵，使得插座内部的数万根弹簧针完全不需要再在内部进行高压力的机械“预蹲”。消除了这一累计机械应力后，即便面对 150mm 以上的超算巨无霸芯片压测，整个Socket的金属及塑料外壳也绝不发生一丝一毫的物理形变，确保高频测试阻抗坚如磐石。 第三款是 Hyper DHD（双层复合款） ，在插座的顶部和底部同步配置弹性体，一次性斩断芯片和PCB两端的所有接触良率隐患。 第四款则是针对万瓦级AI and CPO模块测试的终极杀手锏—— Hyper Liquid（全液冷复合插座） 。 在芯片0.75伏特（V）的核心工作电压下，乘以极限运行和动态切换时额外多出来的25%瞬态高电流，15000 瓦芯片在极限压测的一刹那，有接近快2万安培（20000 A）的恐怖超级电流海啸，正在以排山倒海之势疯狂涌入Socket插座内部！这在任何传统半导体测试中，都足以在瞬间把整个Socket瞬间烧成炭末、引发灾难性的物理火灾。 而颖崴的Hyper Liquid技术，创造性地在Socket外壳与探针、弹性体之间的微观缝隙内部，开辟了高密度的密闭液冷流道，直接向其中注入完全不导电的特殊工程液体（Engineering Fluid）进行高压全循环强效散热。我们利用非导电液体的超高比热容，将工况产生出的焦耳热在一瞬间强行带走，用液体循环帮它降温，最终强有力地支撑起了万瓦级未来超算芯片测试的底层物理安全。 今年英伟达（Nvidia）开始重手推动具有统一标准规格的Spectrum-X CPO交换机量产，采用小巧的MRM（微环）技术推向标准化量产。这为我们整个测试界面行业亮起了一线曙光。两年来我一直在跟所有人沟通一句话：没有大厂站出来做标准化，CPO就不可能具备任何量产的可行性。 现在，世界最大咖的霸主已经站出来统一江湖了，规格混乱的行业早期阶段即将终结。最后他展示了颖崴测试插座在未来的物理演变图：未来的Socket不仅存在于封装底部（BGA端），随着高速信号往上走进入CPO/CPC时代，在主基板上方、在中介层（Interposer）上方只要有双面高频电测试点的地方，都会成为颖崴Socket多功能爆发的新阵地。谢谢大家！ 主持人 ：再次感谢现场各位与会先进踊跃的提问跟参与。让我们再次用最热烈的掌声感谢孙家彬博士为我们带来的精彩分享。在今天论坛的最后，我们再次有请陈少坤执行副总上台为我们做完美的闭幕总结！ 陈少坤（执行副总） ：真的很难、很硬哦！从刚才全场媒体和投资先进的提问来看，有九成以上还是死死围绕在颖崴的“Socket测试插座”上，针对CPO光学技术本身的提问反而真的比较少。但这恰恰证明了一件事：全行业目前都已经彻底认清，CPO技术和先进封装算力能不能最终落地爆发，其终极关卡根本不在于PPT上的算力模型有多高，而恰恰卡在测试厂里“怎么测得准、怎么测得快、怎么不烧毁”的测试界面大堵车上。 我想2026年的今天是一个真正针对CPO起飞的元年。颖崴科技早在2019年，也就是整整七年以前，就已经远赴北美，与全球最顶尖的AI芯片霸主及云服务（CSP）巨头展开了极其绝密的、每日级别的（Day-to-day）技术协同研发（CW）。虽然刚才碍于商业保密协议有些话我没有讲得极为透明，但孙博士今天PPT展示页内部暗藏的很多项目代号和实物图，其实懂的人一眼就能看出来。 随着全行业先进封装小批量试产的顺利通关，后期的规模化量产红利一定会带出非常漂亮的惊人成长曲线。现在在全球半导体市场上，任何做高算力CPO/CPC大芯片的超级客人，只要在测试端想到用Socket，他们的脑子里蹦出来的唯一标准答案，就是6515颖崴科技！事实上目前国际市场也确实就是这个状态。今天非常感谢大家在百忙之中过来和我们大家一起研讨这个伟大的议题，祝大家身体健康、投资胜利，谢谢大家！ 主持人 ：谢谢陈副总。今天的颖崴科技CPO技术论坛在此圆满成功、高一段落。感谢各位先进的莅临指导，接下来时间再给各位进行现场交流。

近日，国家能源局会同国家发展改革委、工业和信息化部、国家数据局印发了《关于促进人工智能与能源双向赋能的行动方案》。 华尔街见闻总结要点如下： 提高算力设施多元电力供给能力。 探索核电、氢能直连供能；鼓励配置构网型储能，增强供电稳定与主动支撑能力。 提升算力设施绿电占比。 加强规划指导，以绿电占比为指标增强绿色供给；支持绿证绿电交易提升消费比例；推动备用电源低碳转型，鼓励清洁能源替代燃油发电机。 提升算力设施能效水平。 推动高效冷却、高性能服务器与供电、先进存储、余热回收等技术研发应用；加强用能管理智能化，完善能耗监测评估；探索类脑、量子、光子等低功耗芯片及系统方案的试点应用。 完善算力设施绿电直连政策。 对算力设施分类管理，鼓励灵活调节能力的设施开展绿电直连；通过价格政策激励更高比例消纳新能源。 强化算电协同市场机制。 鼓励算力设施与可再生能源发电企业签订多年期绿电交易合同；支持参与电能量、辅助服务、需求响应等市场交易；推动绿色算力交易体系建设。 以下是方案全文： 关于促进人工智能与能源双向赋能的行动方案   为深入贯彻党中央、国务院关于人工智能发展的重大决策部署，认真落实《国务院关于深入实施“人工智能+”行动的意见》（国发〔2025〕11号）有关要求，强化能源对人工智能发展的基础支撑作用，发挥人工智能对能源转型的叠加倍增作用，促进人工智能与能源发展双向赋能，加快构建协同高效、安全可靠、绿色低碳、开放融合的“人工智能+”能源发展新格局，特制定本行动方案。    一、总体要求   以新时代中国特色社会主义思想为指导，深入贯彻党的二十大和二十届历次全会精神，认真落实四中全会部署，充分发挥我国能源产业体系完备、数据资源富集、应用场景广阔等优势，促进能源、算力、场景、数据、模型等要素高效协同，助力抢占人工智能产业应用制高点，有力支撑能源高质量发展。   到2027年，支撑人工智能创新发展的安全、绿色、经济的能源保障体系初步构建，清洁能源与算力设施互动能力显著提升。能源领域高价值场景逐步开放应用，能源高质量数据集共建共享长效管理机制初步建立，能源企业算力资源利用效率持续优化、稳步提升。到2030年，人工智能算力设施的清洁能源供给保障能力、能源领域人工智能专用技术研发和应用达到世界领先水平，人工智能与能源双向赋能取得明显成效。    二、保障算力设施安全可靠的能源供给   统筹能源资源配置与算力设施建设，强化能源供给对算力发展的支撑作用，保障算力设施安全稳定运行，筑牢能源安全与数字安全屏障。   （一）统筹优化能源资源与算力布局。统筹大型新能源基地与国家算力枢纽规划布局，推动算力设施、互联网骨干直联点在新能源富集地区有序合理汇集，促进新能源就近就地消纳。结合地区能源、水资源等承载力，探索百万千瓦级人工智能算力设施与配套能源系统协同建设，选择具备条件的地区开展试点，推动算电协同一体化发展。   （二）提高算力设施多元电力供给能力。根据算力设施接入系统规模、电网电压等级、电网新能源渗透率、电能质量要求、算力设施业务类型等实际情况，建立健全算力设施能源供给规划建设标准。 探索核电、氢能等能源以直连方式为算力设施供能。 鼓励算力设施配置构网型储能，增强供电稳定性和对电力系统的主动支撑能力。   （三）提升算力设施能源供给质量。开展供电质量提升专项行动，构建政府、电网、用户三方协同治理体系，引导算力设施合理配置供电可靠性和电能质量提升装置，确保算力设施电能质量。强化算力设施用能全过程监测与风险预警，提升相关用户极端情况的防范应对能力。    三、推动算力设施绿色低碳转型   扎实推进算力设施绿电消费占比统计以及碳排放核算工作，加强绿电直连政策指引，持续提升算力设施能效碳效，构建绿电供给、高效用能、碳排放管控协同的全链条绿色低碳发展体系。   （四） 持续提升算力设施绿电占比。 加强算力设施项目布局规划指导，将绿电使用占比作为重要参考指标，增强绿色算力供给水平。支持算力设施通过参与绿证绿电交易提升绿电消费比例。推动算力设施备用电源绿色低碳转型，鼓励备用电源加快使用清洁能源替代传统燃油发电机。   （五） 持续提升算力设施能效水平。 推动算力设施高效冷却、高性能服务器、高性能供电架构、先进存储、余热资源回收利用等技术研发与应用。加强算力设施用能管理智能化水平，完善算力设施能耗监测评估体系，鼓励企业开展算力性能和能效碳效水平评估。探索开展类脑、量子、光子等变革性低功耗计算芯片及系统解决方案研究与试点应用。   （六）加强算力设施节能降碳管理。落实碳排放总量和强度双控要求，将新建及改扩建算力设施可再生能源利用方案、电能利用效率、绿电消费比例、余热资源回收利用等作为项目节能降碳审查评价重要内容。对依托零碳园区进行布局的算力设施，探索实施项目节能降碳审查评价备案制。加强电力、算力、碳排放协同计量，鼓励开展碳足迹核算与认证服务，引导算力设施绿色低碳发展。   （七）完善算力设施绿电直连政策。依据算力任务类型，对算力设施实施分类管理，鼓励具备灵活调节能力的算力设施开展绿电直连。研究通过价格政策激励算力设施采用绿电直连等方式更高比例消纳新能源，持续提升算力设施绿色发展水平。    四、促进算力电力高效经济协同   充分发挥算电协同规模效应，挖掘算力设施灵活调节潜力，通过电力市场化交易促进算力设施综合运营效益与全社会能源配置水平提升。   （八）加强算力与电力协同运行。推动建立算力与电力互动机制，以电力市场价格信号引导算力设施优化能量管理和跨网跨区等多形式算力调度，提升算力设施经济效益。鼓励算力设施作为负荷侧灵活可调节资源参与电网运行，提升电力系统调节能力，实现算力设施与电力系统的双向提效。   （九）强化算电协同市场机制建设。鼓励新建算力设施与可再生能源发电企业签订多年期绿色电力交易合同，提升绿电消费比例与供应稳定性，构建算力设施经济高效绿色供能体系。支持算力设施以多种形式参与电能量、辅助服务、需求响应等市场交易。推动绿色算力交易体系建设，推动绿电消纳与算力资源配置协同优化。    五、开放能源领域人工智能高价值应用场景   以场景需求牵引人工智能技术创新，加速人工智能技术与能源产供储销全链条深度融合和规模化发展，形成技术创新与产业应用的良性循环。   （十）挖掘能源高价值场景。构建需求牵引、动态迭代的场景供给体系，形成覆盖主要业务领域、兼具行业引领性与国际竞争力的能源人工智能场景图谱。聚焦应用价值明确、数据基础完备、规模化应用潜力大等关键要素，加强人工智能赋能能源场景价值评估，建立高价值场景遴选及清单发布机制，为能源领域人工智能技术应用提供实践指引。   （十一）推动能源高价值场景开放。搭建能源领域场景开放共享平台，建立能源场景开放标准规范及评价体系，鼓励能源企业开放标杆场景，以点带面牵引全产业链协同创新。在切实保障国家能源安全、网络安全和商业秘密的前提下，促进技术、数据与软硬件基础设施等要素的开放与流通。   （十二）构建能源高价值场景闭环管理机制。构建能源开放场景测试验证平台，推动人工智能技术适配验证、场景应用性能评测，持续规范人工智能技术在能源领域应用的准入条件。建立覆盖场景发布、研发攻关、测试验证、工程实施、成效评估等全生命周期闭环管理机制，确保人工智能技术在能源领域落地可验证、可追溯、可迭代、可规模推广。   （十三）推动能源高价值场景规模化应用。组织开展能源领域人工智能应用融合试点，持续遴选人工智能和能源产业需求深度融合的高价值场景应用标杆，加速推动人工智能在能源规划设计、勘探开发、生产运行、设备运维、运营和安全管理等全链条场景的落地应用，加快提升能源系统清洁低碳、安全高效和灵活智能水平。 专栏 能源领域高价值场景 清洁能源可靠灵活供给 。 “沙戈荒”、水风光等可再生能源大基地一体化智能调度决策;高精度水风光功率预测;风光场站智慧运维与无人/少人值守;水电工程建设智能感知与质量安全协同管理；核电运行异常识别、瞬态事件分析与处置辅助；可控核聚变装置智能控制。 电网安全稳定运行。 电网规划方案智能评估生成；省域电网运行态势感知与协同调度决策；新型电力系统智能仿真分析、安全稳定评估与策略推演；高压电力设备状态评价与缺陷诊断处置；高压直流设备状态感知与故障处置；配电网智能诊断与运营管理；重要输电通道灾害预警与应急抢修智能联动；电力市场规则评估与仿真决策。 煤炭智能高效开发。 煤炭地质构造精准探测与透明建模；采掘工作面装备协同控制与无人化作业；矿井运输智能调度与运行优化；露天矿生产智能决策与采运排智能装备协同作业；煤矿设备状态监测与预测性维护；煤质快速检测与洗选工艺智能优化；煤炭开采安全智能预警防控；煤矿区生态环保智能监测和调控。 油气高效勘探开发与智慧管网。 油气地质智能勘探与建模决策；钻井设计优化、智能导向钻井系统、钻井风险智能识别预警与完井方案智能推荐；储层改造与非常规油气开发智能决策；油气数据资产库及数字孪生盆地模型构建；油气生产数据智能感知、生产环境风险识别、关键设备泄露监测与应急处置决策；长输管道与管网运行智能调控优化。 能源新业态多元融合创新。 算电协同智能优化运营决策；充电网络与车网互动智能运营优化；新型储能系统运行优化与安全风险预警；虚拟电厂与分布式资源协同优化调度决策；绿氢生产工艺智能寻优与能效优化控制；二氧化碳封存一体化智能决策。    六、挖掘能源领域数据价值   建立治理、安全、流通三位一体的高质量能源数据发展模式，充分发挥数据要素价值，推动能源数据从资源向资产转化。   （十四）推动能源领域高质量数据集建设。制定能源领域高质量数据集建设标准，规范数据需求、数据架构、数据采集、数据预处理、数据标注、质量验证等全生命周期管理和技术要求。以业务场景为牵引，加速推进能源核心场景高质量数据集建设。利用可信数据空间等数据基础设施，构建高质量数据集共享平台，建立动态更新和长效运营机制，促进能源领域高质量数据价值释放。   （十五）筑牢能源数据安全与隐私保护屏障。制定能源行业数据分类分级标准规范，加强能源关键信息基础设施与数据保护。构建覆盖数据全生命周期的安全防护体系，定期开展安全审核与风险评估。推动隐私计算、密态计算等前沿安全技术与能源业务场景深度融合，加快可信流通技术研发和应用推广。   （十六）激活能源数据要素市场活力。建立健全适配能源行业需求的数据价值评估、收益分配等市场化规则机制及标准规范，打通数据流通路径。深化能源领域可信数据空间试点建设与互联互通，促进数据资源共享和高效对接。鼓励依托国家数据基础设施，探索培育能源数据运营主体，创新数据运营模式。    七、强化能源领域人工智能模型创新   强化专业模型攻关创新，深化自主可控硬件在能源领域的深度应用，实现人工智能技术与能源产业的深度耦合，筑牢能源领域人工智能创新根基。   （十七）加快能源专业模型技术攻关。聚焦电网、发电、煤炭、油气、综合能源等领域，提升能源大模型的泛化迁移、多智能体框架、大小模型协同、多模态理解生成、长序推理等基础能力。鼓励能源专业模型优先在国家级人工智能开源社区中开放共享，加速模型应用成果转化落地。推动五个以上专业大模型在电网、发电、煤炭、油气等行业深度应用，推进行业数据向专业大模型汇聚整合。   （十八）加强人工智能前沿技术在能源领域的研发和应用。推进适配能源领域的智能终端、智能体、具身智能、人工智能原生架构等技术研发。完善能源领域人工智能应用测试基础设施，推动智能装备、智能体的验证和中试。加快能源领域人工智能技术普惠应用及产业智能化升级，促进全行业的规模化推广与价值释放。鼓励基于云计算等方式发展模型即服务新业态，支持培育一批优质人工智能技术服务商。   （十九）推动人工智能自主可控软硬件在能源领域深度应用。加快自主智算芯片与国产深度学习框架的适配优化，推动多框架协同运行，推动能源领域大模型高效迁移技术在典型场景中的应用。持续推动能源领域人工智能软硬件技术迭代升级，提升能源领域基础设施智能化水平。    八、构建人工智能与能源协同发展生态   基于能源领域人工智能技术研发应用全流程需求，优化各类要素配置，构建人工智能与能源发展双向赋能、深度融合的良性生态。   （二十）开展“人工智能+”能源标准化提升行动。加强“人工智能+”能源标准化顶层设计，建立健全人工智能与能源双向赋能标准体系。完善标准化管理机制，按照急用先行原则，抓紧研制能源领域人工智能应用能力测评、算力设施绿色低碳水平测评、算力电力协同技术要求、大负荷算力设施规划建设等关键技术标准。大力推进“人工智能+”能源标准国际化，进一步推进技术标准交流合作和中外标准互认。   （二十一）探索建立“人工智能+”能源安全治理体系。开展人工智能安全治理顶层设计，探索建立能源领域人工智能研发与应用基本安全原则。推动制定能源领域人工智能应用安全责任划分标准，构建涵盖数据、模型、应用的安全治理闭环管控机制和风险隔离措施。   （二十二）促进多元融合国际交流合作。积极参与全球人工智能与能源融合发展治理规则体系建设，支撑构建公平、公正、普惠、包容的国际人工智能与能源融合发展格局。充分发挥政府间双边、多边能源合作机制作用，深化与有关国家、能源国际组织和专业机构交流合作，用好用活民间科技交流平台和国际科技组织，推动人工智能在能源领域的技术交流和信息共享。充分发挥我国在能源与算力设施建设方面的经验，推动人工智能与能源项目协同出海，引导国内企业先进经验和技术装备“走出去”，助力全球能源产业链供应链智能化转型升级。   （二十三）构建复合人才培养体系。加强人工智能与能源融合学科建设，依托高水平大学、科技领军企业等打造产教融合学科集群，培育一批复合型、创新型、实战型人才。鼓励企业、高校、研究机构等创新主体建立人才培训和交流互动机制。鼓励建立能源领域人工智能开源社区，引导更多既懂人工智能，又懂能源的开发者，通过开源共享形式高效解决能源企业创新发展难题。    九、政策保障   结合“人工智能+”能源发展特点，建立健全政策保障机制，增强上下游协同发展动能。   （二十四）强化科技创新。依托能源、人工智能等领域国家科技重大项目，加大对人工智能与能源融合领域基础研究热点、产业技术痛点和未来发展重点的投入力度。鼓励企业联合科研机构、高校、社会服务机构等单位构建产学研用创新联合体，开展攻关协作和资源共享，促进创新链和产业链深度融合。   （二十五）促进成果转化。推动能源领域人工智能应用相关技术装备优先纳入能源领域首台（套）重大技术装备支持范围，营造允许试错、宽容失败的能源领域人工智能应用创新环境。建立健全人工智能在能源领域应用价值量化和评估机制，将技术成熟度、场景适配性、经济效益、社会影响、安全可控水平、用户评价等纳入评价指标体系，引导应用效果显著的人工智能技术在能源领域规模化落地。   （二十六）加强资金支持。鼓励算力设施申报基础设施领域不动产投资信托基金（REITs）。鼓励金融机构对符合《绿色金融支持项目目录（2025年版）》要求的算力基础设施项目提供资金支持，支持符合条件的企业发行绿色债券。探索通过“两重”“两新”等资金渠道，对符合条件的人工智能与能源融合项目予以支持。引导企业加大人工智能与能源融合项目投入，吸引各类社会资本投资人工智能与能源融合发展领域。支持金融机构推出适合人工智能与能源融合领域特点的金融产品，在依法合规、风险可控和商业可持续的前提下，加大资金支持力度。    十、组织实施   强化统筹协调，压实各方责任，确保行动方案各项任务落地见效。   （二十七）加强组织实施。建立健全国家能源委员会统筹协调，国家发展改革委指导、国家能源局牵头相关部门组织实施，各省级政府和重点企业细化落实的协调推进工作机制，形成上下联动、层层落实、安全发展的工作格局。各地区做好人工智能与能源双向赋能工作各项要素保障，统筹推进人工智能与能源融合发展。能源和人工智能相关企业作为本行动方案的实施主体，要切实发挥创新主体作用，加快推进技术研发、示范试验、建设应用等各项工作，并定期做好经验总结。   （二十八）建立常态化监测评估机制。开展行动方案实施情况动态监测，对人工智能与能源融合发展整体情况开展持续的数据信息收集和分析工作，把监测结果作为优化资源配置的重要依据。在监测评估的基础上，根据国内外形势变化，及时动态调整行动方案目标和重点任务。   （二十九）强化宣传引导。加强政策解读，强化舆论引导，广泛凝聚社会共识，营造鼓励创新、深化应用、规范有序的人工智能与能源双向赋能发展氛围。鼓励各地方各企业积极探索创新，遴选典型案例在全行业宣传推广。 来源： 国家能源局

地缘政治紧张局势缓和，美伊正接近达成一份一页纸的停战谅解备忘录，市场风险情绪升温，再加上AI狂潮延续，A股和港股延续上升势头，存储芯片、半导体等板块活跃。 5月7日，A股全天震荡上涨，三大股指午后涨幅扩大，深成指、创业板涨幅均超过1%，其中创业板刷新十年来新高，北证50指数盘中涨超4%。算力硬件股再度爆发，光模块、光通信、存储芯片、电路板等方向集体拉升。 港股延续涨势，恒科指大涨超3%，权重科网股集体反弹，阿里、腾讯、快手、百度等纷纷拉升。芯片半导体进一步攀升。债市方面，国债期货震荡分化。商品方面，国内商品期货涨跌不一，原油大跌超6%。 A股 ：截至收盘，沪指涨0.48%，深成指涨1.18%，创业板指涨1.45%。 盘面上，个股涨多跌少，沪深京三市约3500股飘红，今日成交3.17万亿，沪深两市成交额3.14万亿，较上一个交易日缩量800余亿。板块方面，算力硬件产业链延续强势，光纤、CPO方向领涨。太空光伏、光刻机、工业母机、AI应用、消费电子、短剧游戏概念股活跃。煤炭、油气、锂矿板块调整。 港股 ：截至收盘，恒指涨1.57%，恒科指涨3.06%。 盘面上，科网股普涨，华虹半导体涨逾8%，股价续创新高；快手涨逾7%，阿里巴巴涨近5%。中国石油股份跌逾8%，中国海洋石油跌逾5%。 澜起科技今天继续上涨超11%，此前周三在港股大涨17%，推动其H股较上海上市A股溢价扩大至40%，跻身香港及内地两地上市企业中溢价最高的股票，超越此前长期占据榜首的宁德时代。 宁德时代的溢价优势则明显收窄。在完成约50亿美元的股票增发后，其H股溢价已从3月份高峰时的49%回落至26%，供给扩大对估值形成压制。 债市 ：国债期货震荡走高，截至收盘，30年期主力合约涨0.11%，10年期主力合约涨0.01%，5年期主力合约涨0.03%，2年期主力合约涨0.01%。 汇市 ：在岸人民币兑美元北京时间16:30官方收报6.8015，较上一交易日官方收盘价涨134点，较上日夜盘收盘涨118点。离岸人民币盘中升破6.8关口，为2023年2月以来首次。 商品 ：国内商品期货分化，截至收盘，贵金属涨幅居前，沪银涨4.57%；基本金属多数上涨，沪锡涨4.11%；新能源材料全部上涨，多晶硅涨3.53%；农副产品多数上涨，鸡蛋涨1.65%；黑色系涨跌参半，硅铁涨1.03%；能源品跌幅居前，低硫燃料油跌6.63%；化工品多数下跌，乙二醇跌5.82%；油脂油料全部下跌，豆一跌2.77%；非金属建材涨跌参半，PVC跌2.70%；航运期货全部下跌，集运指数(欧线)跌1.17%。 算力硬件爆发，光通信、光模块等方向集体大涨 今天A股算力硬件股再度爆发，光通信概念股中，仕佳光子涨超10%，通鼎互联、特发信息、瑞斯康达、中天科技涨停。 在光模块概念股中，东山精密涨停，光迅科技、长芯博创、新易盛等涨幅居前，其中东山精密3个月涨幅超200%，最新市值超3800亿元，创历史新高。 消息面上，英伟达与康宁宣布建立长期合作伙伴关系，以加强美国AI基础设施的制造能力。作为双方长期合作伙伴关系的重要组成部分，康宁向英伟达发行并出售了总价达5亿美元的认股权证。英伟达表示，康宁将把美国的光学连接能力提升10倍，光纤产量提升50%以上。康宁将在美国新建三座工厂，创造超过3000个就业岗位。 开源证券认为，此次合作的核心在于英伟达通过财务手段深度锁定康宁的供给能力。英伟达获得康宁1500万股认股权证，行权价设定为180美元，总对价约合5亿美元，体现出英伟达对康宁长期供应稳定性的高度重视。 产能层面，康宁将在美国本土新建三座AI光通信专属工厂，光连接产能扩张幅度达到10倍以上，光纤产能提升超过50%。这些产能将专项供应英伟达旗下GPU集群，并支持CPO（共封装光学）及NPO（近封装光学）等下一代光电融合技术路线。 光模块巨头Lumentum公布了强劲的第三财季财报。Lumentum第三财季业绩表现卓越，营收同比增长90%，创下8.08亿美元的历史新高。公司总裁兼CEO迈克尔·赫尔斯顿表示，公司的订单已经排到2028年，因为连接GPU集群所需的组件的需求增长速度已经远远超过了供应的生产速度。 通过对A股通信光互联板块相关企业2025年以及2026年一季度财报分析，东兴证券认为，当前光互联板块财务状况稳健。光通信将在技术路径、产品形态、速率迭代方面保持快速进化态势，继续看好光互联行业。 光通信龙头Coherent最新公布的财报显示，Coherent第三财季调整后每股盈利为1.41美元，高于华尔街预期的1.40美元，营收同比增长21%至18.1亿美元，略超分析师预期的17.8亿美元。毛利率从去年同期的38.5%升至39.6%。公司CEO Jim Anderson表示，数据中心与通信业务需求"异常强劲"，驱动了收入加速增长与利润率持续扩张。 据 华尔街见闻文章 ，公司CEO在电话会上直言积压订单创纪录，客户排期更延伸至2028年乃至这个十年末期。为打破供应瓶颈，核心的6英寸磷化铟（InP）产能翻倍目标将提前一季度实现。展望未来，超150亿美元的CPO市场、超20亿美元的多轨技术，以及能比铜提供“2到5倍传热效果”以压榨GPU算力的热管理黑科技，将成为其2027年起的核心增长引擎。 半导体产业链持续拉升 A股半导体产业链持续拉升，炬光科技20CM涨停，新相微、大普微、燕东微等涨幅均超10%。 港股半导体板块同样大涨，华虹半导体涨超8%，天数智芯、中芯国际纷纷走高。 消息面上，2026年以来，半导体行业上游材料、晶圆代工以及封装环节纷纷涨价，推动行业成本上涨，逐渐形成了全产业链价格普涨之势。整体来看，2026年一季度一半以上（申万）半导体行业上市公司归母净利润同比增长，行业整体销售毛利率环比提升了2.49个百分点。 据 上证报 ，蜂巢基金投研团队近日发布的观点显示，人工智能领域出现持续的利好催化，北美四大CSP（谷歌、微软、亚马逊、Meta）披露一季报与最新指引，共同指向同一条主线：AI基础设施资本开支进一步上修、云收入与订单积压同步加速、供给瓶颈（尤其存储/互联/电力/CPU）仍然约束短期收入兑现，从而对上游光互联、内存/HBM、CPU/ASIC、先进封装与电力配套形成更长、更大的订单牵引。整体看，该机构继续看好大科技为主的产业趋势和板块投资价值。 人形机器人盘中异动 人形机器人板块表现活跃，个股方面，肇民科技20%涨停，纽威数控、恒锋工具等个股大涨。 国金证券研报表示，PEEK属于特种工程塑料，具备耐热、阻燃、耐磨、耐腐蚀、自润滑等优势，适合用于医疗、汽车和机器人等对轻量化要求较高的领域。随着汽车、机器人等下游新赛道崛起，PEEK行业将打开成长空间。预计全球PEEK市场空间到2027年将增长至12.26亿美元，年均复合增长率为6.8%。 4月30日，杭州宇树科技有限公司发布双臂人形机器人R1系列，起售价为2.69万元，这是宇树科技目前公开定价最低的人形机器人产品，也是一款主打桌面、工业场景的轻量化上半身双臂方案。 日前，特斯拉宣布，特斯拉第三代人形机器人Optimus V3（擎天柱第三代）预计年中亮相，7-8月将启动正式投产，产品测试稳步推进，预计2027年投入外部场景应用。 据追风交易台消息，大摩称，中国人形机器人正凭借全产业链布局复刻“电车奇迹”，年内狂揽全球46%风投。行业商业化落地全面提速，其中宇树科技展现出惊人的盈利能力，毛利率高达约60%。预计到2050年全球市场将达7.5万亿美元，中国采用量占全球30%，引领终极蓝海。

据工信微报消息： 4月21日上午，国务院新闻办公室举行新闻发布会，介绍2026年一季度工业和信息化发展情况。工业和信息化部副部长张云明出席新闻发布会，会同工业和信息化部新闻发言人、运行监测协调局局长陶青，工业和信息化部新闻发言人、信息通信发展司司长谢存，介绍有关情况并答记者问。以下为新闻发布会实录。 国务院新闻办新闻局副局长、新闻发言人贾惠丽 女士们、先生们，大家上午好！欢迎出席国务院新闻办新闻发布会。今天进行经济数据例行发布，我们邀请到工业和信息化部副部长张云明先生，请他为大家介绍2026年一季度工业和信息化发展情况，并回答大家关心的问题。出席今天发布会的还有，工业和信息化部新闻发言人、运行监测协调局局长陶青女士，工业和信息化部新闻发言人、信息通信发展司司长谢存先生。 现在，请张云明先生作介绍。 工业和信息化部副部长 张云明 女士们、先生们，新闻界的朋友们：上午好！首先感谢大家长期以来对工业和信息化事业的关心和支持。 今年以来，在以习近平同志为核心的党中央坚强领导下，工业和信息化部深入贯彻党的二十大和二十届历次全会精神，认真落实党的二十届四中全会和中央经济工作会议部署，全面落实全国两会工作安排，积极会同各地区、各部门靠前发力、主动作为，一季度，工业和信息化发展总体实现良好开局。 一是工业经济运行稳中有进，发展动力进一步增强。 积极发挥“两重”“两新”等政策合力，指导各地加大政策落地和工作落实力度。一季度，规模以上工业增加值同比增长6.1%，31个省份全部实现正增长，行业增长面超八成，工业对经济增长的贡献率近四成。推进数字产业发展壮大，加快新型信息基础设施布局建设，电信业务总量一季度同比增长8.3%、增速较去年同期提高0.6个百分点，软件和信息技术服务业业务收入1—2月同比增长11.7%、增速较去年同期提高1.8个百分点。 二是产业科技创新走深走实，增长潜力进一步激发。 推动科技创新和产业创新深度融合，促进创新成果加快转化为现实生产力。截至目前，已遴选首批国家级制造业中试平台21家、卓越级科技型企业孵化器14家，搭建起从“实验室”到“生产线”的畅通桥梁。一季度，面向传统产业升级、新兴产业壮大、未来产业布局，发布行业标准304项，规模以上高技术制造业增加值同比增长12.5%。人工智能等新技术在电子、消费品行业应用加速拓展，无人机、AI眼镜等终端产品日益丰富，工业机器人、集成电路等产品产量同比分别增长33.2%、24.3%。 三是先进制造业步伐加快，产业活力进一步释放。 持续推进产业结构优化，规模以上装备制造业占工业增加值比重较去年同期提高1.4个百分点。发布首批16个创建国家新型工业化示范区城市名单，国家高新区总数达179家。加力推动制造业智能化升级，完成37个智能制造系统解决方案“揭榜挂帅”项目验收，新发布智能制造国家标准7项、行业标准2项。着力引导工业领域节能降碳，开展氢能综合应用试点，新发布绿色工厂2038家、绿色工业园区128家，全国规模以上工业单位增加值能耗持续下降。 四是惠企服务提质增效，企业实力进一步壮大。 完善优质企业梯度培育体系，印发《优质中小企业梯度培育管理办法》，开展“优企进校 招才引智”、中小企业人才服务等专项行动，加快加力清理拖欠企业账款。持续规范重点产业竞争秩序，深入整治汽车行业网络乱象，督促企业严格落实60天账期承诺。持续深入推进产能预警调控、规范价格竞争、加强产品质量监管等工作，新能源汽车、光伏等行业竞争秩序持续改善，光伏组件、碳酸锂、动力型磷酸铁锂等产品价格总体回升。 当前外部环境不确定性上升，但我国产业体系全、产业韧性强、市场规模大，工业经济平稳向好的基本面不会改变。 下一步， 我们将坚持稳中求进工作总基调，统筹国内国际两个大局，更好统筹发展和安全，着力稳增长、强创新、促融合、优治理、防风险，不断提升工业经济运行质效，实现“十五五”良好开局。 我先介绍这些。接下来，我和我的同事很乐意回答各位记者朋友的提问。谢谢。 答记者问 人民邮电报记者： 近期，工业和信息化部发布了《关于开展普惠算力赋能中小企业发展专项行动的通知》。请问当前我国算力产业发展情况如何？下一步发展的重点是什么？ 情况介绍 张云明 工业和信息化部副部长 谢谢您的提问，这个问题我来回答。近年来，算力基础设施已成为驱动人工智能发展的关键底座。工业和信息化部深入贯彻落实党中央、国务院决策部署，“点、链、网、面”统筹推进算力产业高质量发展，近期，我们围绕普惠算力赋能中小企业、算电协同等重点工作持续发力，算力产业发展呈现良好态势。 一是算力供给更丰富。 有序引导算力基础设施建设，构建“枢纽—区域—边缘”多层级算力架构。截至3月底，我国智能算力规模达1882 EFLOPS(FP16）。 二是产业创新更强劲。 深入实施算力强基“揭榜”行动，加快技术和产品创新。开展算电协同政策研究和标准制定，促进源网荷储、绿电直连加速落地。 三是网络传输更顺畅。 加快建设高速宽带网络，近两年围绕算力枢纽建成超70条算力大通道，这就像专门为算力建设的“高速公路”。落实城域“毫秒用算”专项行动，提升算力高效运载能力。 四是产业赋能有成效。 印发普惠算力赋能中小企业发展的政策文件，提出“5项行动”和“16项举措”，着力构建普惠算力服务体系，让广大中小企业用得上、用得起、用得好。 下一步， 我们将按照“单点提质、创新强链、连算成网、全面赋能”的思路，持续推动算力产业体系化高质量发展。 一是算力资源“单点提质”。 引导算力基础设施按需有序建设，推动绿色电力与算力协同布局，推进算力自动化监测全域覆盖。完善中国算力平台，促进算力供需精准对接，提升算力资源利用效率。 二是技术产品“创新强链”。 深入实施算力强基“揭榜”行动，推动成果落地转化和创新赋能。完善算力标准体系建设。支持开展太空算力技术前瞻性研究，有序推动太空算力产业发展。 三是算力传输“连算成网”。 在全国范围内梯次推进“毫秒用算”网络建设，围绕“枢纽—区域—边缘”，打造高效畅通的算力传输通道，提升算力应用交互体验。 四是产业生态“全面赋能”。 深入开展普惠算力赋能中小企业发展专项行动，探索“算力银行”“算力超市”等创新业务，降低中小企业用算门槛和成本。谢谢。 新黄河客户端记者： 今年一季度信息通信基础设施建设情况如何？取得了哪些新进展？以及下一步的考虑是什么？ 工业和信息化部新闻发言人、信息通信发展司司长谢存 谢谢您的提问。今年是“十五五”开局之年，工业和信息化系统深入贯彻落实党中央、国务院决策部署，推进信息通信基础设施建设取得积极进展，着力夯实经济社会数智化转型底座。在这里我想用三个“更”来介绍。 一是网络能力更强。 截至3月底，全国5G基站总数已达495.8万个，具备千兆网络服务能力的10G PON端口数达3201万个，全国86个城市的168个小区、工厂和园区开展万兆光网试点部署，5G-A（5G演进网络）目前已覆盖330个城市。移动物联网蓬勃发展，终端用户达29.48亿户。 二是网络覆盖更广。 截至目前，全国实现“县县通千兆、乡乡通5G”，行政村实现100%通宽带、95%以上通5G，边境管理及贸易机构实现100%通4G/5G网络。全国26.9万个重点场所实现网络深度覆盖，65.4万公里公路铁路和316条地铁线路实现网络连续覆盖，大家应该都能深切感受到这种变化和提升。 三是网络应用更好。 截至目前，5G、千兆光网已融入97个国民经济大类中的91个，医疗领域，5G应用已实现院前急救、院内急诊、住院治疗、康复出院全流程覆盖，在500多家三甲医院落地推广。教育领域，5G应用覆盖到教、考、评、校、管教育全场景，在近3000所中小学、职业院校、高等院校等教育机构落地部署。 下一步， 工业和信息化部将全面落实国家“十五五”规划《纲要》部署，进一步加强信息通信基础设施建设，巩固提升信息通信业竞争优势和领先地位，持续夯实经济社会高质量发展的数字底座。重点开展三方面工作： 一是扬优势。 推进5G、千兆光网深度覆盖，持续推进“信号升格”专项行动，深化“宽带边疆”“宽带林草”建设，不断提升网络覆盖水平和供给能力。 二是促升级。 加快5G-A规模商用，有序开展万兆光网试点，推动“双千兆”网络向“双万兆”演进，加快移动物联网“万物智联”发展。 三是抓协同。 系统布局6G、下一代互联网等前沿技术研发，推动信息通信业与垂直行业协同创新。谢谢。 上游新闻记者： 一季度，装备工业整体运行态势如何？在推动产业高端化智能化发展方面取得了哪些新突破？下一步重点工作是什么？ 工业和信息化部新闻发言人、运行监测协调局局长陶青 谢谢您的提问。总体看，一季度装备工业开局良好，呈现“生产稳、投资升、出口强”三大特点。 一是生产增势平稳。 一季度，装备工业增加值同比增长6.2%，对工业增长的贡献率达到19.4%。 二是主要行业投资回暖。 一季度，装备工业中5个主要行业的固定资产投资均实现正增长，其中，铁路、船舶、航空航天和其他运输设备制造业，以及通用设备制造业同比分别增长27.7%和12.5%。 三是出口贡献突出。 一季度，以人民币计价的装备制造业产品出口额同比增长19.2%，占出口总值的比重超过六成。 在装备工业的高端化、智能化发展方面，可以概括为“三个持续”。 一是创新能力持续增强。 全球首款侵入式脑机接口医疗器械获批上市，填补世界临床空白；国产点焊工业机器人在汽车焊装线首次实现批量应用；全球首台可实现五轴联动的中走丝线切割机床成功研制，加工效率显著提升。 二是高端产品持续增多。 50万元以上乘用车中，国产品牌车型销量同比增长97%、市场占有率达到69.5%；第二艘国产大型邮轮“爱达·花城号”顺利出坞；全球最大打桩船“铁建大桥桩1”号完成交付；“祥云”AS700载人飞艇累计获得42架确认订单。 三是智能化水平持续提升。 装备工业已建成197家卓越级智能工厂，推动产品不良率平均下降48.4%、生产效率平均提升22.3%；1—2月，具备L2级组合驾驶辅助功能的乘用车新车渗透率达到69%，较去年同期提升10个百分点。也就是说，新销售的100辆乘用车中，就有超过69辆具备L2级组合驾驶辅助功能。 下一步， 我们将贯彻落实党中央、国务院决策部署，重点抓好3项工作： 一是顶层设计。 加快编制智能网联新能源汽车等“十五五”规划，研究出台加快智能装备创新发展的指导意见。 二 是稳定运行。 落实机械、汽车、电力装备等行业新一轮稳增长工作方案，持续推进设备更新和汽车以旧换新，以钉钉子精神规范产业竞争秩序。 三是聚力攻关。 持续实施装备工业重点产业链高质量发展行动，加强标志性产品攻关和成果推广应用。谢谢。 中央广播电视台央视新闻中心记者： 2026年一季度全国规模以上工业增加值同比增长6.1%，比上年四季度加快了1.1个百分点。请问，如何看待一季度工业运行的总体表现？ 张云明 工业和信息化部副部长 谢谢你的提问，这个问题我来回答。今年以来，工业经济总体呈现向新向好、稳中有进态势，切实发挥了稳定宏观经济大盘的“压舱石”作用。综合来看，主要有3个特点。 第一个特点，工业经济较快增长。 从行业看，重点行业带动作用明显，41个工业大类中有34个行业增加值实现同比增长，电子、电气机械器材、化工、石化、通用设备、专用设备等行业对工业增长贡献率达51.4%。从地区看，重点地区“挑大梁”作用突出，10个工业大省规模以上工业增加值增速约7.2%，浙江、河南、江苏、湖北等工业大省工业增速在去年同期高基数的基础上，依然保持较快增长。 第二个特点，产业结构持续优化。 规模以上装备制造业增加值同比增长8.9%，对规模以上工业增加值增长的贡献率近50%。规模以上高技术制造业增加值同比增长12.5%，增速较去年加快3.1个百分点，集成电路制造、生物药品制造等新兴行业快速成长。人工智能等技术变革推动消费电子等行业新技术、新产品加速落地，具有较高技术含量和较高附加值的机器人减速器、存储芯片等产品产量实现超过40%的高速增长。 第三个特点，向好动能不断累积。 前两个月，规模以上工业企业利润同比增长15.2%，增速较去年加快14.6个百分点，规模以上工业中小企业生产、效益均高于规模以上工业企业平均水平。制造业投资企稳回升，一季度同比增长4.1%，增速较去年加快3.5个百分点。新兴领域投资增势良好，计算机及办公设备制造、航空航天器及设备制造等行业投资实现两位数增长。3月份，工业生产者出厂价格（PPI）同比上涨0.5%，结束连续41个月下跌态势；制造业采购经理指数（PMI）比上月上升1.4个百分点，进入景气区间。 当前，国内有效需求不足，中小企业和部分行业现金流趋紧，石化等行业运行受扰，巩固工业经济向好势头仍需付出艰苦努力。下一步，我们将坚持稳中求进工作总基调，着力扩大需求、提升质量、培育动能，进一步提升工业经济运行质效，不断巩固回升向好态势。谢谢。 海报新闻记者： 一季度电子信息制造业整体发展情况如何？在推动技术创新和融合应用方面取得了哪些新进展？下一步有哪些工作计划？ 谢存 工业和信息化部新闻发言人、信息通信发展司司长 谢谢您的提问。一季度电子信息制造业开局良好，今年有望延续增长态势。一季度规模以上计算机、通信和其他电子设备制造业增加值同比增长13.6%，在主要工业门类中增速第一。1—2月实现营业收入2.6万亿元，同比增长14.3%，较工业增速高9个百分点。一季度，部分产品产量实现两位数增长，集成电路产量同比增长24.3%。上游产品出口金额实现大幅攀升，集成电路、液晶平板显示模组出口金额同比分别增长72.9%、12.5%。 2026年以来，我部持续推动电子信息制造业技术创新与融合应用。 创新成果不断涌现。 集成电路、新型显示、高端电子装备、电子材料等领域持续取得技术突破，三维存储技术取得新进展。 终端产品应用多元拓展。 新产品、新模式、新场景不断涌现，比如，彩电产品推出基于电视的大模型，在提升音画体验的同时可自动调节亮度，保护用户视觉健康；北斗定位进一步融入景区动态监测、商圈室内外导航等场景；音频技术优化升级，智能设备可在远距离、嘈杂环境下过滤噪音、听清人声。 下一步， 我部将重点做好以下工作： 一是 深入落实稳增长行动方案，发挥重大项目撬动牵引作用，保持产业运行在合理区间。 二是 加快产业数字化转型与智能化升级，加快北斗、先进计算、人工智能终端等融合应用，大力挖掘和培育能源、汽车、医疗、教育、文旅、体育等新应用场景。 三是 提升行业治理效能，深入整治“内卷式”竞争，坚决遏制低价低质竞争。 四是 壮大产业发展生态，持续推进国产操作系统和RISC-V架构的适配，加快人工智能产业链上下游协同创新，不断完善电子信息技术产品标准体系。 近期存储器价格上涨引发手机终端产品价格调整，受到各界广泛关注，针对这一问题，我部将多措并举支持存储器产业发展，保障产业链供应链稳定， 一方面， 增强供给能力、促进供需对接，鼓励内外资企业加大投资力度，提升产出能力。支持终端企业与存储器企业加强互动对接，拓宽多元化供应渠道。 另一方面， 通过多种手段维护市场秩序，引导存储器企业加强渠道管理，配合相关部门依法打击“囤积居奇”等扰乱市场行为。谢谢。 顶端新闻记者： 一季度原材料工业整体发展情况如何？下一步在推动原材料供给侧结构性改革、促进高质量发展方面有何总体部署？ 张云明 工业和信息化部副部长 谢谢您的提问，这个问题我来回答。一季度，我们落实落细新一轮十大重点行业稳增长系列工作方案，聚力推动产能结构优化升级，原材料工业实现良好开局，转型步伐更加有力，产业筋骨更加强健。可以从以下三方面来看。 一是看规模，行业生产总体平稳。 一季度，原材料工业增加值同比增长4.6%，其中，石化化工行业增加值同比增长7.4%，有色金属行业增加值同比增长2.6%。重点产品产量方面，十种常用有色金属增长3.6%，乙烯、化肥、精炼铜等行业增长均在5%以上。1—2月规模以上原材料工业利润同比增长45.6%，利润率4.2%，较去年同期提高1.2个百分点。 二是看筋骨，产业结构不断优化。 钢铁行业“减量提质”。一季度，在粗钢、钢材等主要产品产量同比下降的情况下，钢铁行业工业增加值仍然实现了2.5%的正增长，也就是说，每吨钢铁所创造的价值在提升，制造业钢铁脊梁更加“强韧”。建材行业“一减一增”。一季度，水泥行业主动“瘦身”，通过减量置换，压减、退出产能近3000万吨。与此同时，绿色建材产业营收稳步增长，通过认证的绿色建材产品数量较2025年底增加5%。这“一减一增”，正是产业转型升级、强筋健骨的生动例证。 三是看动能，创新成果加快涌现。 我国自主研发的T1200级超高强度碳纤维工业级产品全球首发，预计将在航空航天、低空经济、人形机器人等战略性新兴产业领域深度应用。一批掌握关键核心技术、具备较强创新能力的企业正在围绕精细化工关键产品开展攻关，聚醚醚酮、医用级聚甲醛等高端化工材料快速发展，产业自身的动能活力日益增强。 下一步， 工业和信息化部将深入贯彻落实“十五五”规划纲要部署，坚持“固本”和“育新”相结合，加强统筹谋划和政策供给。一方面，着力筑牢传统产业升级根基，推动存量产能优化和绿色安全转型；另一方面，全力激活创新引擎，加快前沿材料布局和关键材料攻关，为发展新质生产力、推进新型工业化提供更加坚实可靠的材料支撑。谢谢。 新华财经记者： 我们关注到，新修订的《优质中小企业梯度培育管理办法》已于4月1日正式实施，请问相较于2022年印发的《暂行办法》有哪些新变化？下一步将如何促进中小企业专精特新发展？ 陶青 工业和信息化部新闻发言人、运行监测协调局局长 谢谢您的提问。中小企业是推动创新、促进就业、改善民生的重要力量。今年以来中小企业经济运行稳中有进，生产加快，效益改善。一季度，以专精特新“小巨人”企业为代表的优质中小企业表现亮眼，规上工业专精特新“小巨人”企业增加值同比增长10.2%。 中小企业高质量发展，专精特新是必由之路。我部加快构建形成标准统一、衔接有序、服务精准的优质中小企业梯度培育体系，并于今年4月1日启动实施《优质中小企业梯度培育管理办法》，主要有三个方面： 一是健全培育体系。 明确由基础层、骨干层、中坚层构成的优质中小企业梯度培育体系，将科技型中小企业纳入梯度培育范围；建立健全优质企业主动发现机制，依据产业链供应链、股权投资、知识产权等数据主动挖掘潜力企业。 二是优化认定标准。 坚持全国“一把尺”，统一各地专精特新中小企业认定标准，引入中小企业专精特新发展评价，强化动态管理，引导企业高质量发展。 三是加强培育服务。 指导各地统筹用好各类支持政策，对不同类型不同阶段的企业，分类分层提供精准服务，积极推进惠企政策“免申即享、直达快享”，让好政策看得见、够得着、用得上。 下一步， 我部将加快构建促进专精特新中小企业发展壮大机制，重点从三个方面助力中小企业高质量发展。 一是创新强企。 实施优质企业梯度培育三年行动，开展人工智能中小企业创业支持计划和普惠算力赋能中小企业发展专项行动，支持有条件的地方探索建设专精特新赋能中心，开展专精特新产业链支撑能力评估，持续提升企业创新能力，发挥固基强链作用。 二是环境活企。 宣贯落实中小企业促进法，发布“十五五”促进中小企业发展规划，设立国家中小企业发展基金二期，开展中小企业发展环境评估，营造良好发展生态。 三是服务助企。 创建国家中小企业公共服务示范平台（基地），联合多部门开展中小企业人才服务专项行动，开展中小企业法律政策宣传月，推动更多服务直达中小企业。谢谢。 人民网记者： 今年的《政府工作报告》指出，加紧培育壮大新动能，打造“5G+工业互联网”升级版。请问目前“5G+工业互联网”典型应用场景的规模化推广进展如何？后续工信部将重点从哪些方面推动“5G+工业互联网”升级版实现突破？ 谢存 工业和信息化部新闻发言人、信息通信发展司司长 谢谢您的提问。今年《政府工作报告》提出，打造“5G+工业互联网”升级版。我部认真落实党中央、国务院决策部署，持续推动“5G+工业互联网”规模化发展，全面完成5G工厂“百千万”行动目标。推动基础电信企业利用云切片、软件定义网络（SDN）等技术建设完善面向工业企业的专网服务。累计建设2.5万余个“5G+工业互联网”项目，建成1260家分类分级、特色鲜明的5G工厂，打造100个技术先进、标杆引领的5G工厂，平均产品质量提升20.5%，运营成本降低18.4%，平均产能增加24.7%。工业级5G网关、路由器等产品款式全球占比近50%，发布了全球首个“5G+工业互联网”国际标准，攻关突破一系列软硬件解耦的工控系统、通用集成的智能终端。 下一步， 我部将着力打造“5G+工业互联网”升级版，推动“5G+工业互联网”在网络设施、技术产品、融合应用、产业生态、公共服务等方面能力全面提升，加速信息技术（IT）、通信技术（CT）、运营技术（OT）、数据技术（DT）相融合，打造以5G为代表的新型工业网络，加快“5G+工业互联网”广泛融入实体经济重点行业领域，为制造业智能化、绿色化、融合化发展提供坚实支撑。 一是加强要素保障。 加快出台《关于推动工业互联网高质量发展的实施意见》，统筹推进网络、标识、平台、数据、安全五大功能建设，着力完善政策、设施、技术、应用和生态五大体系发展。加快制定发布一批基础共性、关键技术、典型应用等标准。 二是做深协同创新。 在原材料、装备制造、消费品等行业领域，组织开展工业5G独立专网试点工作。滚动发布新型工业网络产品目录，鼓励工业企业应用时间敏感网络、信息模型等技术开展网络化改造，实施5G工厂“量质齐升”行动。 三是推广规模应用。 编制一批工业互联网与重点行业融合应用指南，以场景化牵引为抓手，推进工业互联网在各行业领域的规模应用。实施工业互联网和人工智能融合赋能行动，加速工业互联网设施升级、能力优化、应用创新，为人工智能在工业领域应用落地提供关键底座和基础支撑。 四是优化产业生态。 组织工业互联网一体化进园区“百城千园行”活动，推动政策、设施、技术、标准、应用、企业和服务进园区、进集群、进基地。启动第二批“5G+工业互联网”融合应用城市建设，培育打造引领性、创新性的高水平产业集群。谢谢。 香港紫荆杂志记者： “十五五”规划纲要提出，要深入实施制造业卓越质量工程。今年《政府工作报告》也对质量工作提出新要求。请问工程实施以来取得了哪些阶段性成效？下一步将如何深化推进？ 张云明 工业和信息化部副部长 谢谢您的提问，这个问题我来回答。质量是制造业的生命，追求卓越质量是实现制造业高质量发展、提高人民生活品质的必然要求。为激发企业质量提升内生动力，2023年12月，工业和信息化部牵头印发了《制造业卓越质量工程实施意见》。两年多来，我们建立了一套科学方法，发布《制造业企业质量管理能力评估规范》，构建起“经验级、检验级、保证级、预防级、卓越级”的分级评价体系，为企业提升质量提供标准指引；探索了一条推进路径，聚焦关系国家战略、民生福祉的重点领域，引导企业按照“贯标—自评—复核”方式对标达标；推动了一批企业质量提升，组织1.4万余家企业参加评价，涌现出众多保证级以上企业，参评企业质量效益显著提高，全社会追求卓越质量的氛围正在形成。 “十五五”时期，我们将认真落实“十五五”规划纲要部署要求，以实施制造业卓越质量工程为主线，立足实际，突出重点，分业施策，部署开展四个专项行动，加快提升制造业质量水平，为建成制造强国、质量强国、网络强国提供有力支撑。 一是实施“企业质量提升”行动，严把源头质量关。 发挥企业主体作用，面向重点领域、重点企业开展质量管理能力评价，以评促改、以评促优，推动一批企业质量管理能力升级。实施“制造业质量沿链提升计划”，发挥链主企业引领带动作用，全链条开展质量联动提升。 二是实施“质量技术攀升”行动，增强质量竞争力。 支持组建高水平质量联合体，加快关键共性技术攻关和成果转化应用。推进“人工智能+质量”，鼓励优质质量大模型、工业质量智能体开发应用，为质量提升注入“智能”驱动力。 三是实施“产品质量跃升”行动，扩大优品供给量。 聚焦装备、电子行业，大力推动关键核心产品可靠性提升。以需求为导向，以先进适用标准为引领，鼓励企业生产多样化、个性化、更优质产品。针对关系人民群众健康安全的产品，加强行业治理和质量监督，全力“保底线”。 四是实施“中国制造品牌建设”行动，培育品牌新优势。 强化品牌建设与质量提升协同，提升企业品牌、产业品牌、区域品牌建设能力，持续提升“中国制造”品牌知名度、美誉度和影响力。谢谢。 中国证券报记者： “十五五”规划纲要提出，以新需求引领新供给，以新供给创造新需求。近期工业和信息化部也密集出台了一系列关于消费品的政策文件，所以我想请问，在推动消费品工业提质升级、深化实施“三品”战略方面，工业和信息化部有怎样的整体部署？ 陶青 工业和信息化部新闻发言人、运行监测协调局局长 谢谢您的提问。消费品工业是我国传统优势行业和重要民生产业，一餐一饮、一针一线都是民生，关系人民群众幸福生活。近段时间，我部深化落实消费品工业“增品种、提品质、创品牌”战略，印发实施《关于增强消费品供需适配性进一步促进消费的实施方案》以及中药、茶产业、酿酒产业等高质量发展政策文件，加强电动自行车、铅蓄电池、印染等重点行业规范公告管理，健全婴配乳粉质量安全追溯体系，加快推动产业提质升级，持续强化优质消费品供给，打出一套贴近民生、服务消费的“组合拳”。一季度，消费品工业规上增加值同比增长5.1%，占全部规上工业27.9%，以人民币计价的消费品制造业产品出口额占出口总值的17.7%；1—2月，营业收入达5.1万亿元、利润达3106亿元，分别占全部规上工业24.3%和30.3%。 “十五五”规划纲要明确提出“坚持惠民生和促消费、投资于物和投资于人紧密结合，以新需求引领新供给，以新供给创造新需求”。我部将坚决贯彻落实“十五五”规划纲要和《政府工作报告》部署要求，重点做好一“图”、一“题”、一“文章”。 一是绘好规划新蓝图。 印发实施“十五五”轻纺、生物制造、医药工业等高质量发展政策文件，制定纺织、轻工标准引领产业优化升级行动方案，大力培育历史经典产业、养老育幼、地方特色食品、民族创新药等新增长点，从源头夯实产业发展基础，让政策文件从纸面走进车间，让百姓所需从愿景化为现实。 二是答好供需必答题。 加快落实增强消费品供需适配性实施方案，系统推进中国消费名品方阵建设，扩大健康、国潮、适老、妇幼、文创等领域小而美、小而精、小而特产品供给，打造多样化、个性化、品质化商品体系。 三是做好体验大文章。 深入实施“人工智能+三品”专项行动，研究发布重点行业人工智能赋能应用指南，加快建设20个左右消费品领域专用大模型与高质量数据集，大力发展柔性生产、智能供应、个性定制等新模式，打造沉浸式、参与式、互动式多元消费场景，推动人工智能技术提升百姓消费体验，让科技更有温度、消费更有意愿、生活更有品质。谢谢。 第一财经记者： 今年是“十五五”的开局之年，国家明确前瞻布局未来产业。请问，当前我国未来产业布局发展整体情况如何？下阶段如何通过政策创新，加快推动未来产业从“实验室”走向“大市场”？ 张云明 工业和信息化部副部长 谢谢您的提问，这个问题我来回答。党中央、国务院高度重视未来产业发展，习近平总书记在中共中央政治局第二十四次集体学习时强调，要站在推进强国建设、民族复兴伟业的战略高度，立足客观条件，发挥比较优势，坚持稳中求进、梯度培育，推动我国未来产业发展不断取得新突破。 工业和信息化部坚决贯彻落实党中央、国务院关于未来产业发展的决策部署，扎实推动各项工作落地见效。 一是关键赛道不断完善。 我们联合六部门印发《关于推动未来产业创新发展的实施意见》，系统布局未来产业赛道。 二是前沿技术供给不断加强。 依托国家科技重大项目等加大未来产业支持力度。围绕量子科技、清洁低碳氢等重点赛道，已累计部署100多项未来产业创新“揭榜挂帅”攻关任务。系统布局一批未来产业重点领域制造业创新中心、中试平台等，推动实验室里的“好点子”源源不断转化成生产线上的“好产品”。 三是企业活力不断释放。 培育高新技术企业50.9万家，193个创新型产业集群集聚各类创新企业5.4万家。 四是生态体系不断优化。 未来产业既要靠技术开路，也要靠生态托举。我们连续三年举办中关村论坛—未来产业创新发展论坛，指导各地因地制宜建设一批省级未来产业先导区。 推动未来产业从“实验室”走向“大市场”，关键是坚持“产业出题、科技答题”，打通技术创新与市场需求之间的堵点、卡点。 在技术供给上， 锚定产业发展实际需求部署攻关任务，强化基础研究与应用研究协同推进。推动制造业创新中心、中试平台等载体建设，促进原创技术加快走向中试、走向规模化生产。 在政策保障上， 统筹推进普适性政策与细分赛道政策制定，围绕发展共性需求出台普适性政策，针对各细分赛道出台专项支持政策，加快新领域新赛道高质量发展。 今天的未来产业，就是明天的新兴产业，乃至支柱性产业。只有今天紧抓未来产业的前瞻布局，才能在明天抢占发展的制高点。我们将强化责任担当，狠抓责任落实，绵绵用力、久久为功，为发展新质生产力、实现新型工业化提供强劲动能。

4月9日，在由上海有色网信息科技股份有限公司（SMM）、山东爱思信息科技有限公司、上海有色网金属交易中心有限公司主办，山东恒邦冶炼股份有限公司、Zambia Development Agency (ZDA)、中铝洛阳铜加工有限公司、和田商贸物流集团有限责任公司协办的 2026 （第二十一届）SMM CCIE铜业大会暨铜产业博览会——主论坛 上，国金证券股份有限公司金属组组长吴晋恺围绕“算力-电力-铜：AI时代的“新基建金属”再定价”这一主题进行了论述。 1.从“老基建金属”到“AI 新基建金属”:铜的角色迁移 铜的角色迁移：从配套材料到系统变量 •老基建阶段：在传统地产、制造业和旧电网时代，铜更多被看成跟随需求扩张的配套金属；它很重要，但很少成为驱动基础设施投资叙事的核心变量。 •AI 新基建阶段：AI 数据中心不是单纯多买一些服务器，而是高密度负荷基础设施的再建设：卡数上升会同步拉动机柜、冷却、配电、变电、T&D 和绿电接入，铜因此成为系统变量。 •角色迁移的含义：铜的边际定价锚，正在从传统老基建的需求修复逐步迁移到算力部署是否兑现+ 电力链资本开支是否上台阶；这决定了市场不应再只用传统商品框架理解AI 拉铜。 旧共识为何把AI拉铜算小：基础假设太保守 •共性一：过去主流研究更愿意从公开项目/GW 或当年施工量出发，优点是口径清晰、可验证，缺点是容易漏掉老园区扩容、未披露项目，以及从机柜延伸到电网的外溢铜耗。 •共性二：当市场不相信AI部署会大规模兑现时，研究会天然选择更防守的参数：只认项目库、只认机房本体、只认已经发生的资本开支，而不愿计价远端配套。 •共性三：因此，市场过去低估AI 拉铜，本质不是“铜强度只差几个点”，而是前端假设过于保守；一旦卡的出货量确定性提升，模型起点就必须整体上修。 新共识的起点：不是简单上修铜强度，而是重新计价指引 •需求验证前移：2026 年以来，以OpenClaw为代表的agent 应用出圈，使市场开始看到推理需求、token 调用和商业化闭环正在向真实部署迁移；这让AI没有需求的说法开始失去解释力。 •供给指引重估：一旦需求侧被看到，英伟达出货与台积电先进封装扩张的激进指引，应开始计价，并重估此前铜的需求测算。 •真正的预期差：因此，新旧共识的分水岭不在于39 t/MW 还是45 t/MW，而在于市场是否愿意计价扩张会真正落到机柜、园区与电网上；只要答案从不信转向信，铜需求就会出现系统性重估。 2.AI数据中心如何用铜：不止机柜，更在电网 美国数据中心电力消耗趋势：电力是通胀环节 •目前对AI数据中心测算引用较多的报告为《2024 United States Data Center Energy Usage Report》，写于2024年12月，我们针对本篇报告进行集中讨论。 •历史趋势（2014-2023 年）2014-2016 年：电力消耗保持稳定，每年约60 太瓦时（TWh），延续了2010 年以来的低增长趋势。 •2017 年转折点：随着服务器装机量增长，尤其是用于人工智能（AI）的图形处理器（GPU）加速服务器在数据中心服务器存量中占比显著提升，数据中心电力消耗开始回升；2018年消耗约76太瓦时，占美国年度总电力消耗的1.9%。 •2018-2023 年：增速加快，2023年电力消耗达176太瓦时，占美国总电力消耗的4.4%，2018-2023年复合年增长率达18%。 •未来情景预测（2024-2028 年）2028 年预测范围：电力消耗低至325 太瓦时、高至580 太瓦时，若假设平均容量利用率为50%，对应数据中心总电力需求为74-132 吉瓦（GW），占2028 年美国预测总电力消耗的6.7%-12.0%，2023-2028 年复合年增长率预计为13%-27%。 •从假设条件看，高边界：以IDC 2024b 报告为基础，假设AI 活动持续，GPU 出货量按2024 年下半年的增速延续，且制造商能满足需求；低边界：以IDC 2023a 报告为基础，假设AI 活动热度回落，GPU 出货量增速回归至2024 年前的历史平均水平（如2021-2023 年增速的70%-80%）。目前看，以高边界作为测算依据更为合理。 •报告的测算基于AI 8 GPU机柜，而目前机柜为NVL72，含72张卡，耗电量理论上为AI 8 GPU的9倍，但实际NVL 72机柜的功耗为其15倍左右，散热端的耗电通胀严重。 •考虑GPU上调及电耗增加，我们预计电力消耗至2028年至少800TWH。 测算结果：2030年美国电网相较2025年新增近210万吨用铜 •AI对铜需求的拉动最主要通过用电量来影响。美国2023年用电量为40000亿千瓦时，据上文Berkeley Lab，2023年数据中心用电量为1760亿千瓦时，占全美用电比重的4.4%，根据我们修正的预测，至2028年，电力消耗低至5800亿千瓦时、高至8000亿千瓦时，贡献新增用电4040-6240亿千瓦时，合计贡献新增用电量10%-15.6%。 •在此情景下，我们对美国电网铜铝需求进行测算，至2030年，由数据中心、制造业回流及新能源所带来的对铜铝的拉动相较于2025年分别新增210、371万吨。从产品结构来看，铜的需求主要由电线电缆及变压器拉动，铝主要由电线电缆及变电站拉动。 AI数据中心如何用铜：三层路径 •三层口径：讨论AI 用铜之前，必须先把口径分清：柜内/贴柜主要是服务器与近端网络；柜外但站内主要是供配电与冷却；再往外则是为新增负荷配套的变电、T&D 与绿电接入。 •最常见误区：市场最容易把“服务器BOM”当成“AI 数据中心总铜耗”；但对高密度训练集群来说，柜内只是很小一块，真正的大头在站内power chain 与cooling。 •研究要求：后续所有测算都必须同时回答三个问题：算的是柜内还是整园区、算的是greenfield 还是expansion、算的是机房本体还是把外部电力链条也并回来。只有这样，不同报告之间才真正可比。 39 t/MW 不是“机柜 BM"，而是AI训练数据中心的整机电系统强度 •强度含义：S&P 给出的39 t/MW 并不是“一个机柜里装了39 吨铜”，而是AI training hyperscale 数据中心在直接用铜口径下的综合强度；中国高冗余设计甚至可到47 t/MW。 •结构含义：按分项中值拆开，power chain 大约占direct copper 的61%，cooling 约22%，server+network只有17%；也就是说，大多数铜并不在GPU 本体，而在为GPU 供电和散热的系统里。 •投资含义：这也是我们后面从“吨/柜”切回“吨/MW”的原因：只要功率密度继续上升，电力链铜耗就会跟着放大；即便光纤替代部分铜缆，也只是局部减项，不改总逻辑。 120kW 机柜：绿地7.8t，扩容 6.0t，填充 4.25t •以NVIDIA NVL72 约120kW 机柜为参考，若按绿地新建平均值，单柜全系统铜耗大约7.8 吨；这个口径包含站内direct 与场外电力侧粗略分摊。 •但当前主流AI 部署并不是每个园区都从零起建，更常见的是在现有园区内扩容和复用部分接网、主配电与冷却干线。因此扩容口径更适合用5.5–6.5 吨/柜，中枢约6.0 吨。 •如果只是存量填充，在大量复用既有基础设施的前提下，单柜铜耗还可以进一步降至3.5–5.0 吨/柜。 主模型：从卡数直接推到铜需求量 •这一版主模型不再从总量口径反推，而是从“卡数→机柜数→功率→电耗→铜耗”顺序向下建模。这样能把先进封装、机柜功率与扩容节奏直接转成铜需求。 •基准假设是：2026 年NVIDIA 700 万张、Google 550 万张；2027–2030 两家卡数每年+50%。机柜假设为NVIDIA 72 卡/ 120kW，Google 64 卡；部署口径以园区扩容6.0 吨/柜为中枢。 •在这套框架下，“每100 万张高端AI 卡对应多少铜”就变成一个可重复更新的范式，而不是抽象的宏观讨论。 NVIDIA：第一条独立主线 •2026 起点：按主情景，NVIDIA 2026 年约700 万张卡，如果按72 卡/120kW 的NVL72 等效柜折算，大致对应9.7 万台机柜、11.7GW IT 负荷、约14GW 设施负荷；只看一家公司，量级已经很大。 •铜耗路径：在园区扩容口径下，NVIDIA 单家2026 年的年度铜需求中枢约58 万吨；如果2027–2030 年deployment 继续按50% 年增速推进，则到2030 年单家就可上升到约295 万吨/年。 •研究含义：这组数最重要的意义，不在于精确到个位数，而在于说明：只要市场相信指引会兑现，单家英伟达就足以把AI 拉铜推成平衡表级别的变量，而不再只是一个主题投资。 Google：第二条独立主线 •不是补充项：Google 在我们的主情景里并不是“补充项”，而是第二条独立主线。以2026 年550 万张卡、64 卡/柜为基准，折算后大约是8.6 万台机柜、9.2GW IT 负荷、11GW 设施负荷，规模已经与英伟达第一年的deployment 相去不远。 •铜耗路径：由于我们在扩容口径下按“单卡铜耗等价”处理，Google 2026 年的年度铜需求中枢约46 万吨；如果同样按50% 年增速推进，到2030 年单家将对应约232 万吨/年的铜需求。 •结论意义：因此，Google 不能被看成英伟达之外的小修正项；只要超大规模服务提供商自研ASIC 路线也同步扩张，AI 拉铜就不是单一GPU 龙头叙事，而是多条算力路线共同把电力资本开支推高的叙事。 两家合并：50%年增速下，2030年中枢约527万吨 •合并结果：将NVIDIA 与Google 合并后，在2026 年中枢情景下，年度铜需求已经约104 万吨；若之后每年按50% 增长，到2030 年中枢可到约527 万吨，低值与高值区间大致为464–594 万吨。 •释放节奏：更重要的是释放节奏：这不是“第一年就把所有铜用完”的一次性故事，而是一条前低后高的deployment 曲线；随着卡数、机柜数与MW 级别同步抬升，年新增铜需求的斜率会越来越陡。 •市场意义：也正因此，市场如果仍用“几十万吨”的旧框架去理解AI 拉铜，很容易低估中后段的非线性；对铜这种平衡表紧张的商品来说，真正重要的往往不是第一年，而是第三年之后的斜率。 3.AI高频数据持续兑现：不止叙事，更是现实 铜月度物质流跟踪：中国 •26年2月国内表需同比下行，同比-10%，2月国内精炼铜产量109万吨，同比有10万吨的下滑，进口仍在低位。前2月表需同比下降13.1万吨，其中内需下滑32.4万吨，外需新增30.3万吨，26年前2月全球需求预计下滑1.9万吨，内需同环比大幅下滑，外需支撑放缓。 •制品出口方面，汽车及变压器出口增速保持同比高增。环比方面，仅变压器环比依然保持高位，其余板块出口环比都出现下滑，电线电缆出口环比下滑明显。制品出口前2月下滑0.1万吨，铜制品出口需求羸弱。 铜月度物质流跟踪：美国 •10月美国表需同比-12%，前10月累计同比22%，新增需求41.2万吨，考虑电力端需求不错表现，预计新增37.4万吨中，实际需求新增20万吨，隐形库存累计21.2万吨，叠加10月COMEX库存34万吨，美国地区目前隐形+显性合计库存水平预计为55.2万吨。 •10月美国净进口制品方面，电线电缆、变压器及电脑为增量主力，汽车净进口量继续下滑，电力设备（电线电缆+变压器）新增需求占总进口需求比重128%，汽车拖累严重，AI对电网用铜的拉动持续兑现，高频数据已经体现。电线电缆+变压器合计新增28.1万吨，年化预计2025年美国电力进口用铜约35万吨左右。 •电力设备进口下滑预计来自两方面：1）上半年的抢进口补库结束，下半年抢进口意愿减弱；2）美国国内份额提升，25年关税后，美国本土公司sales volume上行明显，AKTR/HUBB/POWL有显著上行，预计对进口形成替代。结合以上分析，内需增加叠加新增进口，美国电网用铜需求不低于40万吨。 美国七大科技巨头签署自主供电承诺 •微软、谷歌、OpenAl、亚马逊、Meta、xAI和甲骨文这七家公司代表在美国白宫签署相关文件，美国总统特朗普表示，不少美国民众担忧数据中心会推高电力需求，可能导致电费上涨，有了这份文件，问题将得到解决。同事，关税的承担者也更加明确，就是AI巨头。 •此前对美国电网建设的疑问有2点：电力公司没能力建设；电力公司没意愿建设。而随着此次文件签署，美国电网建设的链路已经通畅。七巨头有能力也有意愿做电力供应的建设，而自建电站并不会影响到铜需求铺设。高压/超高压（HV/EHV）：负责远距离输电/大范围骨干网；典型设备：输电线路、主变电站（升压/降压）、大型开关站。 •中压（MV）：负责园区范围配电，把电送到每个片区；典型设备：配电站、环网柜/开关柜、中压电缆、配电变压器（MV→LV）。 •低压（LV）：负责机房内最后一段，把电送到负载；典型设备：低压柜、母线槽/电缆、PDU、UPS（很多是LV侧）、服务器电源。 •此次文件签署后，我们预计电线电缆的需求有望加速。 铜月度物质流跟踪：欧洲 •10月欧洲表需同比-4%，制品进口前10月同比63%，10月单月大幅增长同比48%，核心增量来自电线电缆，电线电缆，汽车出口比重增加。 •前10月欧洲电线电缆+变压器新增需求14万吨，全年预估欧洲电网需求新增量为16-18万吨。 4.风险提示 风险提示 •AI需求不及预期 •铝代铜超预期 》点击查看2026 （第二十一届）SMM CCIE铜业大会暨铜产业博览会专题报道

4月2日,龙磁科技股价出现下跌，截至2日收盘，龙磁科技跌4.84%，报81.74元/股。 龙磁科技4月2日晚间公告的2025年年报显示：2025年，公司实现营业收入128,918.84万元，比上年同期增长10.18%；实现归属于上市公司股东的净利润16,848.64万元，同比增长51.71%。 公司在汽车、变频家电领域销售收入持续增长，已成为上述领域全球领先的磁性材料供应商，具有较强的市场竞争力。公司持续加大研发力度，通过生产线技改提升，不断优化产品结构，并持续推进各项降本增效措施，永磁毛利率水平较上年同期进一步提高。公司将继续凭借良好的服务和优质的产品，与国内外知名厂商建立长期良好、稳定的合作关系。为客户提供满足个性化和多样化的产品和服务。 对于报告期公司主营业务、产品及用途，龙磁科技表示：公司专注于高性能磁性材料与电子元件的研发、生产和销售，已构建“永磁+软磁+电感”三大核心业务协同发展的产业格局。永磁铁氧体磁瓦是永磁微特电机核心部件，主要应用于汽车、变频家电、电动工具等各类电机。作为磁性材料的专业制造商，我们与全球头部电机厂商共同推进高能效磁性元器件的研发。目前在安徽庐江、金寨和越南胡志明已形成了5万吨永磁产能，技术水平处于行业前列，客户大多为全球知名汽车电机制造商。软磁材料与磁芯主要应用于光伏储能（逆变器、功率模块）、新能源汽车及充电桩（车载OBC、DC-DC转换器）、消费类电子等领域。公司在安徽金寨、泰国大城府布局了超2万吨软磁粉芯产能，在依托永磁材料技术的基础上，引进了高水平软磁技术及管理团队，软磁产品已进入头部车企供应链。公司重点开发车载电感与芯片电感等高端一体成型电感产品。车载一体电感主要用于汽车LED车灯驱动、多媒体影音系统、ADAS、导航与通讯等模块。芯片电感广泛应用于各类集成电路中，起到为GPU、CPU、ASIC、FPGA等半导体芯片前端供电的作用。公司已完成芯片电感高端市场、高端产品的重大突破，中标知名国际半导体客户新项目，其他客户的认证和导入也已初见成效。 对于公司的采购模式，龙磁科技表示：公司主导产品湿压磁瓦的主要原材料为铁红、碳酸锶和预烧料等。公司生产部按照客户合同和订单编制一定时期（月度、季度）的生产计划，采购部根据生产计划和库存状况向供应商采购原辅材料。公司对主要原材料保持一定的安全库存，以应对客户订单的增加和生产周期的要求。公司按照质量管理体系要求对供应商实行资格认证。公司每年与主要供应商协商确定年度采购数量和价格，根据产品订单要求，分期向供应商下达采购合同。 永磁科技公告的公司发展战略显示：公司将继续深耕永磁铁氧体湿压磁瓦行业，不断推动技术创新、产品迭代、服务升级，巩固公司在永磁铁氧体湿压磁瓦行业的领先地位。推动永磁铁氧体湿压磁瓦产能规模达到6万吨，在规模上赶超日本TDK的同时，技术也做到接近或达到TDK的水平。在发展永磁产业的同时，积极推动软磁产业链的建设和布局。立足于自主研发、不断创新，优化整合全球技术和人才资源，充分利用多年来累积的品牌优势、技术优势及市场优势，早日形成软磁全产业链的竞争力。公司将不忘初心，扎根产业，始终坚持“发扬创业精神，拓展创新思维，建设创造能力”为经营理念，以“市场领先、技术支撑、规模效应”为经营战略，不断夯实发展基础，推动公司持续、平稳、健康发展。力争将公司打造成全球领先的磁性材料及器件制造企业。 龙磁科技2月11日公告，拟向不超过35名特定对象发行不超过3577.43万股A股股票，募集资金总额不超过7.6亿元。扣除发行费用后的募集资金净额将用于越南龙磁二期工程、芯片电感智造项目和补充流动资金及偿还银行贷款。 谈及本次发行对公司经营管理和财务状况的影响，龙磁科技表示：（一）对公司经营管理的影响 本次发行完成后，扣除发行费用后的募集资金净额将用于越南龙磁二期工程、芯片电感智造项目和补充流动资金及偿还银行贷款。上述募集资金投资项目符合国家相关的产业政策以及公司整体战略发展方向，具有良好的市场发展前景，有利于提高公司整体综合实力。通过本次募集资金投资项目的实施，有助于公司扩大产能规模，优化产品结构，进一步提高盈利能力，促进公司可持续发展，符合公司及全体股东的利益。 （二）对公司财务状况的影响 本次发行股票募集资金到位后，公司的资金实力将得到有效提升，公司资产总额与净资产额将同时增加，公司资本结构更加优化，为公司后续发展提供有力的保障。 在募集资金到位后，公司总股本将有所增加，募集资金投资项目无法迅速促进公司业绩提升，因此公司的每股收益在短期内存在被摊薄的风险。但随着募集资金投资项目的完成，本次募集资金将会得到有效使用，为公司和投资者带来较好的投资回报，促进公司健康发展。 国金证券研报显示：稀土：12月我国稀土永磁出口量当月值/累计值同比分别+7%/-1%，单月出口量创历史同期新高；结合往后出口更加宽松的预期，其对后续需求更加高看一眼；外部抢出口叠加供改持续推进，稀土供需共振可期。关注中国稀土、广晟有色、北方稀土、包钢股份、金力永磁等标的。 中信证券2025年10月18日研报称，商务部连发四文强化稀土出口管制，增加5类中重稀土出口管控，增加全产业链条设备、技术、原辅材料出口管制，并对海外军事及高端半导体需求进行管制，稀土战略地位进一步强化。中国稀土战略地位进一步得以强化，预计海外备库动作加强，稀土价格有望进一步上涨；长周期看，中国对稀土开采-冶炼分离-磁材制造-磁材回收全产业链的技术、设备、软辅材料管控，无疑将增加海外稀土自主可控产业链建成的难度，时间周期也将延长，长期强化中国稀土的壁垒优势，利好稀土价格中枢上移。此外，海外稀土磁材供给受限，将利好高性能铁氧体永磁的需求增加，铁氧体磁材订单大增。

3月31日，金田股份的股价出现上涨，截至31日收盘，金田股份涨4.36%，报10.29元/股。 金田股份3月31日晚间公告：铜排行业迎来总量扩张与结构升级并行的战略机遇，在电力基础设施、新能源汽车、数据中心、AI 算力散热等核心产业的叠加效应驱动下，铜排及高性能铜微合金行业需求旺盛。国内外的诸多头部厂商加大了在海外市场尤其是东南亚市场的布局，争取行业发展机遇。为了完善公司在海外铜排产品的产能布局，协同国内产能综合服务全球市场，推动国际化发展战略布局，深度绑定下游客户的同时获取长期稳定的海内外业务发展机遇。公司拟通过在香港新设公司香港智联，并通过香港智联新设全资子公司越南耐科斯，以越南耐科斯为项目主体在越南投资建设“年产 3 万吨液冷散热及机架母线用高精密铜排生产项目”，计划总投资不超过 60,000 万元（实际投资金额以中国及当地主管部门批准金额为准）。 对于投资标的概况，金田股份的公告显示：公司拟在越南海防市大安工业园投资不超过 60,000 万人民币（8,690 万美元）建设年产 3 万吨液冷散热及机架母线用高精密铜排生产项目。 金田股份公关稿的项目基本情况如下： 谈及对外投资对上市公司的影响，金田股份表示： 公司集研、产、销为一体，深耕有色金属加工领域40 年，是国内产业链最完整、品类最多、规模最大的铜及铜合金材料生产企业之一。目前，公司拥有宁波江北、杭州湾新区、江苏常州、广东四会、重庆江津、内蒙古包头、越南及泰国八大产业基地。 本次在越南设立铜排基地，是为了完善公司在海外铜排产品的产能布局，协同国内产能综合服务全球市场，满足下游客户供应链管理及订单需求，有利于公司在深度绑定下游客户的同时获取长期稳定的海内外业务发展机遇，对公司全球业务布局和经营业绩具有积极影响，符合公司的中长期战略规划,符合公司全体股东的利益。 金田股份还公告了对外投资的风险提示： （一）本次对外投资尚需履行国内的境外投资主管部门（商务部门、发改委和外汇管理部门等）备案或审批手续，以及当地投资许可和企业登记等审批程序，能否取得相关的备案或审批以及最终取得备案或审批时间存在不确定性。公司将积极推进相关审批进程，与相关部门积极沟通，争取尽早完成相关审批或备案手续。 （二）本项目的实施受项目所在国当地的政策体系、法律法规、商业环境、文化特征、外汇管制等因素的影响，以及国际地缘政治、贸易摩擦等因素的影响，能否最终顺利实施存在不确定性的风险。公司将进一步了解和熟悉境外的法律体系、投资体系等相关事项，积极开拓业务，切实降低与规避因境外公司的设立与运营带来的相关风险。 （三）本次项目的建设、投产及生产经营需要一定的时间，在设立及运营过程中，存在一定的管理、运营和市场风险，对外投资效果能否达到预期存在不确定性。公司将根据项目进展情况，严格按照相关法律、法规及规范性文件的要求，及时履行信息披露义务。敬请广大投资者理性投资，注意投资风险。 金田股份3月19日公告的投资者关系活动记录表(2026年3月10日-12日)显示： 1、公司 2025 年度业绩预告情况及预增的原因。 金田股份回应：2025 年度，公司落实“产品、客户双升级”策略，产品在高端领域应用不断深化；加强海外客户拓展，海外市场销量继续保持增长；同时通过数字化建设，提升经营管理效率，公司产品毛利水平与盈利能力同比提升。公司预计2025年年度实现归属于母公司所有者的净利润70,000.00万元到80,000.00万元，与上年同期相比，将同比增加 51.50%到 73.14%。 2、公司回购进展情况。 金田股份回应：自 2026 年 2 月 3 日至 2026 年 2 月 28 日，公司通过集中竞价交易方式已累计回购股份 4,942,200 股，占公司目前总股本的比例为 0.29%，已支付资金总额为 56,676,944 元（不含交易费用）。 3、公司行业地位和竞争优势。 金田股份回应：公司专注铜加工行业 39 年，是国内规模最大且产业链最完整的企业之一。2024 年，公司实现铜及铜合金材料总产量 191.62 万吨，铜材总产量已位居全球第一。公司铜产品种类丰富，能够满足客户对棒、管、板带和线材等多类别铜材产品一站式采购需求。公司铜产品已广泛应用于新能源汽车、清洁能源、通讯科技、电力电气、芯片半导体等领域。目前公司已形成深厚的文化底蕴与卓越组织力，具备显著的市场规模地位和全球化的产业布局；拥有领先的制造与研发实力；构建了专业化的产品矩阵，并形成稳固的行业头部客户群体，同时构筑了面向未来的绿色再生技术壁垒，为公司成为世界级的铜产品和先进材料基地奠定了坚实基础。 4、公司稀土永磁产品的产能和业务情况。 金田股份回应：公司自 2001 年起布局磁性材料业务，经过 20 余年的深耕发展，现已成为国内同行业中技术较高、产品体系完善的企业之一。目前，公司设有宁波和包头两处磁性材料生产基地，包头基地一期已投产，公司稀土永磁材料的年产能已提升至 9,000 吨。公司积极推进包头基地二期项目，以进一步将产能提升至 1.3 万吨。同时公司通过新设立的德国子公司，加速国际化布局，提升国际市场份额。公司属首批获得稀土永磁产品通用出口许可证的企业之一，并持续加强推进出口相关业务。公司稀土永磁产品广泛应用于新能源汽车、风力发电、高效节能电机、机器人、消费电子及医疗器械等多个高端领域。 5、公司在芯片算力领域的业务发展情况。 金田股份回应：铜凭借其卓越导电性、导热性已成为先进 AI 产业芯片互联、算力设施散热方面的核心材料，铜基材料向高附加值转型速度进一步加快。公司在芯片算力领域有较好的客户基础及技术储备，也是全球较早实现向上述领域龙头企业批量提供铜基材料的公司之一。其中公司高精密异型无氧铜排产品已应用于全球多家第一梯队散热模组企业的多款顶级 GPU 散热方案中。公司自主研发的铜热管、液冷铜管等产品已批量供货于多家头部企业算力服务器产品中。公司将密切关注和跟进芯片算力领域市场需求，进一步完善产品序列，提升产品竞争优势。 6、公司再生铜领域的地位优势及业务成果。 金田股份回应：公司不断创新铜基高新材料绿色发展新路径，已成为国内再生铜利用量最大、综合利用率最高的企业之一，也是全球业内为数不多的实现再生铜回收、提纯、深加工全产业链闭环的公司。公司自主研发的低碳再生铜产品在保证产品性能的前提下，大幅降低产品碳排放，可以为产业链下游客户提供优质、完整的一站式铜材绿色方案。2025 年上半年，公司绿色高端低碳再生铜产品销量同比增长 61%。产品矩阵已覆盖铜带、铜线、电磁线、铜管、铜排、铜棒等，并应用于高端消费电子、汽车工业、电力电气等领域，具体包括笔记本电脑散热模组、手机震动马达、新能源汽车动力电池连接、AC/DC 电源等场景中，在多家世界知名客户产品中实现量产，形成以“绿色低碳再生铜产品”为代表的业绩驱动新要素。 有投资者在投资者互动平台提问：请问目前公司的铜棒产品是否已成为大疆创新或亿航智能等头部企业的核心供应商？随着低空经济载重飞行市场的爆发，公司针对无人机电机轴承和机身结构件开发的PEEK材料或高强度铜合金，目前的订单量是否出现爆发式增长？金田股份3月19日在投资者互动平台表示，公司在低空经济领域有较好的客户基础及技术储备，其中高精密易切削铜棒，凭借高强度耐磨等优良性能，已应用于低空飞行器的机载结构件中；公司PEEK材料产品，为低空经济载重飞行市场提供高压驱动稳定性技术方案，目前已与国内多家头部企业开展研发合作。公司将密切关注和跟进低空经济领域市场需求，进一步完善产品序列，提升产品竞争优势。具体相关信息请关注定期报告。 有投资者在投资者互动平台提问：董秘您好。近期LME铜价大幅上涨，请问公司严格执行的套期保值策略，在报告期内是产生了正向的平仓收益还是出现了小幅亏损？具体金额大约是多少？此外，随着公司营收规模的扩大，2025年的经营性现金流净额与净利润的匹配度如何？是否存在因原材料采购预付导致的现金流紧张情况？金田股份3月19日在投资者互动平台表示，公司铜加工产品采用“原材料价格+加工费”的定价模式，严格按照《套期保值管理制度》进行套期保值操作，以减少原材料价格波动对公司净利润的影响。目前铜价的波动对公司经营业绩影响较小，具体相关信息请关注定期报告。 3月18日，金田股份在互动平台回答投资者提问时表示，公司持续扩大高压电磁扁线技术领先优势，深入推进与世界一流主机厂商及电机供应商开展的新能源高压电磁扁线项目合作。截至2025年上半年，公司新能源驱动电机800V高压平台新增定点23项，且已实现多项批量供货，高压扁线出货量占比持续提升。具体相关信息请关注定期报告。 3月17日，金田股份在互动平台回答投资者提问时表示，铜凭借其卓越导电性、导热性已成为先进AI产业芯片互联、算力设施散热方面的核心材料，公司在AI算力领域有较好的客户基础及技术储备，其中公司高精密异型无氧铜排产品已应用于全球多家第一梯队散热模组企业的多款顶级GPU散热方案中。公司将密切关注和跟进AI算力领域市场需求，进一步完善产品序列，提升产品竞争优势。具体相关信息请关注定期报告。 3月17日，金田股份在互动平台回答投资者提问时表示，公司持续扩大高压电磁扁线行业技术领先优势，高压平台定点数和供货量持续增长，其中公司1000V驱动电机用扁线产品已成为新能源汽车领域“兆瓦闪充”技术支撑材料的业内标杆，同时有序推进1200V驱动电机扁线的客户相关认证。另外，公司在芯片半导体领域有较好的客户基础及技术储备，公司将密切关注和跟进芯片半导体领域市场需求，进一步完善产品序列，提升产品竞争优势。具体相关信息请关注定期报告。 3月17日，金田股份在互动平台回答投资者提问时表示，公司坚持推进国际化布局，新建泰国生产基地建设进展顺利。公司出口海外的铜材产品整体毛利率较高，2025年上半年，公司境外主营业务收入同比增长21.86%，并持续保持较好的增长趋势。境外业务的稳步增长，为公司深化全球产品与客户结构升级奠定坚实基础。具体相关信息请关注定期报告。 金田股份发布2025年度业绩预告显示：经财务部门初步测算，公司预计 2025 年年度实现归属于母公司所有者的净利润 70,000.00 万元到 80,000.00 万元，与上年同期（法定披露数据）相比，将增加 23,795.74 万元到 33,795.74 万元， 同比增加 51.50%到73.14%。 预计 2025 年年度实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润44,000.00 万元到 52,800.00 万元，与上年同期（法定披露数据）相比，将增加10,140.04 万元到 18,940.04 万元，同比增加 29.95%到55.94%。 对于本期业绩预增的主要原因，金田股份表示： 2025 年度，公司落实“产品、客户双升级”策略，产品在高端领域应用不断深化；加强海外客户拓展，海外市场销量继续保持增长；同时通过数字化建设，提升经营管理效率，公司产品毛利水平与盈利能力同比提升。 爱建证券发布的关于金田股份2025年业绩预告点评显示：回购彰显长期发展信心，资本结构优化稳步推进。公司高端铜基材料在算力散热领域加速导入海外客户，销量快速提升，盈利能力抬升显著。1）盈利能力层面，算力用铜排加工费率较高，产品结构升级有望持续抬升公司毛利水平；2）出货进展层面，2025年上半年公司铜排产品在散热领域销量同比增长72%，高精密异型无氧铜排已进入多家全球第一梯队散热模组企业GPU散热方案，公司铜热管、液冷铜管等产品亦已在多家头部企业算力服务器中实现批量供货。 铜价波动对公司盈利影响有限。1）公司产品定价为“铜价+加工费”模式，收入利润核心来源于加工费，而非铜价本身。加工费由公司与客户根据产品规格、工艺复杂度等因素协商确定，具备一定历史粘性；2）公司通过套期保值实现对铜价有效对冲，上游原材料价格波动主要由下游承担，对公司利润影响较小；3）铜价快速波动或阶段性影响下游下单意愿并拉长订货周期，但铜应用场景具备刚需特征，对需求总量影响有限，仅改变铜产品订单节奏，公司整体经营稳定性较强。公司积极布局“铝代铜”方向，材料替代同时优化毛利结构，增强铜价波动的对冲能力。1）单吨口径下，铝制产品加工费绝对值通常低于铜制方案（同等性能水平下，高精度铝型材加工费约10,000元/吨，铜材约20,000元/吨）；但由于铝材单吨价格显著低于铜（通常约为其1/4），材料成本基数更低，使加工费在产品总价值中的占比抬升，铝制方案对应加工费率较铜制方案高约13–14pct，对公司整体毛利率形成正向支撑；2）供货进展：公司电磁铝扁线、铝制车用3D折弯铝排等产品已进入认证及量产供货阶段，空调内螺纹铝管已小批量供货。风险提示：新能源下游需求或产能释放不及预期、铜价上涨风险、海外贸易政策变化风险。

金田股份3月19日公告的投资者关系活动记录表(2026年3月10日-12日)显示： 1、公司 2025 年度业绩预告情况及预增的原因。 金田股份回应：2025 年度，公司落实“产品、客户双升级”策略，产品在高端领域应用不断深化；加强海外客户拓展，海外市场销量继续保持增长；同时通过数字化建设，提升经营管理效率，公司产品毛利水平与盈利能力同比提升。公司预计2025年年度实现归属于母公司所有者的净利润70,000.00万元到80,000.00万元，与上年同期相比，将同比增加 51.50%到 73.14%。 2、公司回购进展情况。 金田股份回应：自 2026 年 2 月 3 日至 2026 年 2 月 28 日，公司通过集中竞价交易方式已累计回购股份 4,942,200 股，占公司目前总股本的比例为 0.29%，已支付资金总额为 56,676,944 元（不含交易费用）。 3、公司行业地位和竞争优势。 金田股份回应：公司专注铜加工行业 39 年，是国内规模最大且产业链最完整的企业之一。2024 年，公司实现铜及铜合金材料总产量 191.62 万吨，铜材总产量已位居全球第一。公司铜产品种类丰富，能够满足客户对棒、管、板带和线材等多类别铜材产品一站式采购需求。公司铜产品已广泛应用于新能源汽车、清洁能源、通讯科技、电力电气、芯片半导体等领域。目前公司已形成深厚的文化底蕴与卓越组织力，具备显著的市场规模地位和全球化的产业布局；拥有领先的制造与研发实力；构建了专业化的产品矩阵，并形成稳固的行业头部客户群体，同时构筑了面向未来的绿色再生技术壁垒，为公司成为世界级的铜产品和先进材料基地奠定了坚实基础。 4、公司稀土永磁产品的产能和业务情况。 金田股份回应：公司自 2001 年起布局磁性材料业务，经过 20 余年的深耕发展，现已成为国内同行业中技术较高、产品体系完善的企业之一。目前，公司设有宁波和包头两处磁性材料生产基地，包头基地一期已投产，公司稀土永磁材料的年产能已提升至 9,000 吨。公司积极推进包头基地二期项目，以进一步将产能提升至 1.3 万吨。同时公司通过新设立的德国子公司，加速国际化布局，提升国际市场份额。公司属首批获得稀土永磁产品通用出口许可证的企业之一，并持续加强推进出口相关业务。公司稀土永磁产品广泛应用于新能源汽车、风力发电、高效节能电机、机器人、消费电子及医疗器械等多个高端领域。 5、公司在芯片算力领域的业务发展情况。 金田股份回应：铜凭借其卓越导电性、导热性已成为先进 AI 产业芯片互联、算力设施散热方面的核心材料，铜基材料向高附加值转型速度进一步加快。公司在芯片算力领域有较好的客户基础及技术储备，也是全球较早实现向上述领域龙头企业批量提供铜基材料的公司之一。其中公司高精密异型无氧铜排产品已应用于全球多家第一梯队散热模组企业的多款顶级 GPU 散热方案中。公司自主研发的铜热管、液冷铜管等产品已批量供货于多家头部企业算力服务器产品中。公司将密切关注和跟进芯片算力领域市场需求，进一步完善产品序列，提升产品竞争优势。 6、公司再生铜领域的地位优势及业务成果。 金田股份回应：公司不断创新铜基高新材料绿色发展新路径，已成为国内再生铜利用量最大、综合利用率最高的企业之一，也是全球业内为数不多的实现再生铜回收、提纯、深加工全产业链闭环的公司。公司自主研发的低碳再生铜产品在保证产品性能的前提下，大幅降低产品碳排放，可以为产业链下游客户提供优质、完整的一站式铜材绿色方案。2025 年上半年，公司绿色高端低碳再生铜产品销量同比增长 61%。产品矩阵已覆盖铜带、铜线、电磁线、铜管、铜排、铜棒等，并应用于高端消费电子、汽车工业、电力电气等领域，具体包括笔记本电脑散热模组、手机震动马达、新能源汽车动力电池连接、AC/DC 电源等场景中，在多家世界知名客户产品中实现量产，形成以“绿色低碳再生铜产品”为代表的业绩驱动新要素。 有投资者在投资者互动平台提问：请问目前公司的铜棒产品是否已成为大疆创新或亿航智能等头部企业的核心供应商？随着低空经济载重飞行市场的爆发，公司针对无人机电机轴承和机身结构件开发的PEEK材料或高强度铜合金，目前的订单量是否出现爆发式增长？金田股份3月19日在投资者互动平台表示，公司在低空经济领域有较好的客户基础及技术储备，其中高精密易切削铜棒，凭借高强度耐磨等优良性能，已应用于低空飞行器的机载结构件中；公司PEEK材料产品，为低空经济载重飞行市场提供高压驱动稳定性技术方案，目前已与国内多家头部企业开展研发合作。公司将密切关注和跟进低空经济领域市场需求，进一步完善产品序列，提升产品竞争优势。具体相关信息请关注定期报告。 有投资者在投资者互动平台提问：董秘您好。近期LME铜价大幅上涨，请问公司严格执行的套期保值策略，在报告期内是产生了正向的平仓收益还是出现了小幅亏损？具体金额大约是多少？此外，随着公司营收规模的扩大，2025年的经营性现金流净额与净利润的匹配度如何？是否存在因原材料采购预付导致的现金流紧张情况？金田股份3月19日在投资者互动平台表示，公司铜加工产品采用“原材料价格+加工费”的定价模式，严格按照《套期保值管理制度》进行套期保值操作，以减少原材料价格波动对公司净利润的影响。目前铜价的波动对公司经营业绩影响较小，具体相关信息请关注定期报告。 3月18日，金田股份在互动平台回答投资者提问时表示，公司持续扩大高压电磁扁线技术领先优势，深入推进与世界一流主机厂商及电机供应商开展的新能源高压电磁扁线项目合作。截至2025年上半年，公司新能源驱动电机800V高压平台新增定点23项，且已实现多项批量供货，高压扁线出货量占比持续提升。具体相关信息请关注定期报告。 3月17日，金田股份在互动平台回答投资者提问时表示，铜凭借其卓越导电性、导热性已成为先进AI产业芯片互联、算力设施散热方面的核心材料，公司在AI算力领域有较好的客户基础及技术储备，其中公司高精密异型无氧铜排产品已应用于全球多家第一梯队散热模组企业的多款顶级GPU散热方案中。公司将密切关注和跟进AI算力领域市场需求，进一步完善产品序列，提升产品竞争优势。具体相关信息请关注定期报告。 3月17日，金田股份在互动平台回答投资者提问时表示，公司持续扩大高压电磁扁线行业技术领先优势，高压平台定点数和供货量持续增长，其中公司1000V驱动电机用扁线产品已成为新能源汽车领域“兆瓦闪充”技术支撑材料的业内标杆，同时有序推进1200V驱动电机扁线的客户相关认证。另外，公司在芯片半导体领域有较好的客户基础及技术储备，公司将密切关注和跟进芯片半导体领域市场需求，进一步完善产品序列，提升产品竞争优势。具体相关信息请关注定期报告。 3月17日，金田股份在互动平台回答投资者提问时表示，公司坚持推进国际化布局，新建泰国生产基地建设进展顺利。公司出口海外的铜材产品整体毛利率较高，2025年上半年，公司境外主营业务收入同比增长21.86%，并持续保持较好的增长趋势。境外业务的稳步增长，为公司深化全球产品与客户结构升级奠定坚实基础。具体相关信息请关注定期报告。 金田股份发布2025年度业绩预告显示：经财务部门初步测算，公司预计 2025 年年度实现归属于母公司所有者的净利润 70,000.00 万元到 80,000.00 万元，与上年同期（法定披露数据）相比，将增加 23,795.74 万元到 33,795.74 万元， 同比增加 51.50%到73.14%。 预计 2025 年年度实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润44,000.00 万元到 52,800.00 万元，与上年同期（法定披露数据）相比，将增加10,140.04 万元到 18,940.04 万元，同比增加 29.95%到55.94%。 对于本期业绩预增的主要原因，金田股份表示： 2025 年度，公司落实“产品、客户双升级”策略，产品在高端领域应用不断深化；加强海外客户拓展，海外市场销量继续保持增长；同时通过数字化建设，提升经营管理效率，公司产品毛利水平与盈利能力同比提升。 金田股份1月23日在互动平台回答投资者提问时表示，公司包头基地一期已投产，稀土永磁材料的年产能已提升至9000吨。目前正积极推进包头基地二期项目，以进一步将产能提升至1.3万吨。公司在机器人领域有较好的客户基础及技术储备，部分稀土永磁材料已应用于机器人领域。公司将密切关注和跟进机器人领域市场需求，进一步完善产品序列，提升产品竞争优势。 爱建证券发布的关于金田股份2025年业绩预告点评显示：回购彰显长期发展信心，资本结构优化稳步推进。公司高端铜基材料在算力散热领域加速导入海外客户，销量快速提升，盈利能力抬升显著。1）盈利能力层面，算力用铜排加工费率较高，产品结构升级有望持续抬升公司毛利水平；2）出货进展层面，2025年上半年公司铜排产品在散热领域销量同比增长72%，高精密异型无氧铜排已进入多家全球第一梯队散热模组企业GPU散热方案，公司铜热管、液冷铜管等产品亦已在多家头部企业算力服务器中实现批量供货。 铜价波动对公司盈利影响有限。1）公司产品定价为“铜价+加工费”模式，收入利润核心来源于加工费，而非铜价本身。加工费由公司与客户根据产品规格、工艺复杂度等因素协商确定，具备一定历史粘性；2）公司通过套期保值实现对铜价有效对冲，上游原材料价格波动主要由下游承担，对公司利润影响较小；3）铜价快速波动或阶段性影响下游下单意愿并拉长订货周期，但铜应用场景具备刚需特征，对需求总量影响有限，仅改变铜产品订单节奏，公司整体经营稳定性较强。公司积极布局“铝代铜”方向，材料替代同时优化毛利结构，增强铜价波动的对冲能力。1）单吨口径下，铝制产品加工费绝对值通常低于铜制方案（同等性能水平下，高精度铝型材加工费约10,000元/吨，铜材约20,000元/吨）；但由于铝材单吨价格显著低于铜（通常约为其1/4），材料成本基数更低，使加工费在产品总价值中的占比抬升，铝制方案对应加工费率较铜制方案高约13–14pct，对公司整体毛利率形成正向支撑；2）供货进展：公司电磁铝扁线、铝制车用3D折弯铝排等产品已进入认证及量产供货阶段，空调内螺纹铝管已小批量供货。风险提示：新能源下游需求或产能释放不及预期、铜价上涨风险、海外贸易政策变化风险。