今日早盘，半导体设备、材料板块走强。长川科技20cm两连板，微导纳米20cm涨停，京仪装备接近20cm涨停，张江高科两连板，华海清科、矽电股份、上海新阳、盛美上海、拓荆科技等均涨超10%，宣布进军半导体材料的向日葵收获20cm三连板，本周累计涨超70%。其中，长川科技、盛美上海、拓荆科技、中科飞测、张江高科、华海清科、矽电股份创历史新高。 在相关权重股的带领下，科创50指数也大涨近5%。 另外，多只半导体设备ETF涨停。截至午间收盘，国泰中证半导体材料设备ETF（159516）、万家中证半导体设备ETF（159327）、半导体设备ETF易方达（159558）、半导体材料ETF（562590）均封涨停，科创半导体ETF鹏华（589020）、华泰柏瑞科创半导体设备ETF（588710）等涨超10%。 今年以来，A股半导体设备、材料公司不断在产品交付上取得进展。 9月份，盛美上海的首款KrF工艺前道涂胶显影设备Ultra Lith KrF的首台设备系统已交付中国头部逻辑晶圆厂客户；同月17日，先为科技自主研发的EliteMO系列常压型GaN MOCVD设备正式交付国内某头部化合物半导体晶圆厂，适用于GaN LD、绿光到紫外LED、GaN电子器件等外延生长，此前6月先为科技已交付BrillMO系列GaN MOCVD设备； 7月15日，迈为股份宣布自主研发的全自动晶圆级混合键合设备成功交付国内新客户； 5月28日，北方华创举办“PVD整机1000台交付庆典”。公司称，这是继刻蚀设备、立式炉设备之后，其第三个达成单产品出货量突破1000台的品类里程碑。 同时，国家大基金正加码设备板块，大基金三期首次公开出手便瞄准国产半导体设备公司。 9月12日，拓荆科技宣布，拟与多家外部投资者对控股子公司拓荆键科增资。其中，由大基金三期持股99.9%的国投集新（北京）股权投资基金（有限合伙）（以下简称国投集新）也出现在增资方名单中，并将在增资完成后成为拓荆键科第二大股东。 据天眼查，此前，国投集新尚无对外投资，大基金三期持股的三家公司也均为投资平台，拓荆键科或将成为大基金三期投向的首个半导体产业项目。 另据《科创板日报》不完全统计，瞄准细分关键技术，国内半导体设备、材料领域屡次传来并购、收购消息。聚和材料拟3.5亿收购韩国SKE空白掩模业务；向日葵拟通过发行股份及支付现金方式切入高端半导体材料领域，标的公司产品包括高纯电子特气、前驱体等关键材料…… 华泰证券预计，2026年全球半导体设备收入同比增长8%至1530亿美元，其中中国市场规模490亿美元，同比接近持平。展望2026年，该机构认为： 1）海外方面，AI相关先进逻辑和存储仍然是资本支出的主要驱动力。据媒体预期，台积电/三星/海力士2026E资本开支增速预测达到8%/6%/9%。英特尔和三星或成为关键变量，关注英特尔在获得芯片法案资金支持后，其14A节点能否加速投资，以及三星获得特斯拉AI芯片订单后，能否获得更多客户信任； 2）中芯国际、华虹近期募集资金，长鑫启动上市辅导，看好2026年中国先进逻辑和存储投资持续，看好设备国产进展，2026E中国本土设备企业在中国市场规模中占比（国产化率）或同比+6pct至29%。 东吴证券也表示，国内先进制程积极扩产，加之算力芯片要求先进封装，均利好设备商，该机构认为国产算力有望均向盛合晶微等国产先进封装供应链倾斜，减薄机/划片机/键合机等设备商有望受益。 光大证券指出，AI需求的快速增长驱动全球半导体行业景气延续，半导体材料市场规模稳步扩张，光刻胶、湿电子化学品、电子特气等细分行业均保持增长态势。2025H1上市公司整体营收与利润实现双增长，Q2单季度利润实现同环比增长。综合来看，其认为半导体材料板块正处于基本面改善与长期成长逻辑共振阶段，建议关注在光刻胶、湿电子化学品、电子特气、CMP等核心材料领域具备技术优势与客户验证优势的龙头企业。

长川科技发布A股半导体领域首个2025年前三季度业绩预告，预计归属于上市公司股东的净利润为8.27亿元-8.77亿元，比上年同期增长131.39%至145.38%，或创单季度业绩新高。 受此消息影响，今日长川科技收获20CM涨停，股价刷新历史纪录，总市值达506.1亿元，并带动半导体设备ETF及相关个股走强。截至收盘，半导体设备ETF（159516）收涨5.37%，中微公司、盛美上海分别涨9.12%、5.16%。 关于业绩变动原因，长川科技表示，报告期内，半导体行业市场需求持续增长，公司客户需求旺盛，产品订单充裕，销售收入同比大幅增长，带动利润显著提升。 根据此前财务数据，截至2025年二季度末，长川科技存货为30.02亿元，同比增长134.62%；合同负债达6314万元，同比增长243.78%。国泰海通证券研报指出，2025年公司CIS测试机、存储测试机陆续进入放量周期，随着公司的中高端产品不断放量，预计2025年全年长川科技的归母净利润将超市场预期。 不过就目前来看，国产半导体设备领域尚未迎来全面爆发。尽管部分高端刻蚀设备厂商如中微公司在今年上半年实现销售收入与合同负债的双重增长，但以北方华创为代表的部分成熟制程设备企业却面临业绩和合同负债下滑。 对此，华泰证券指出，今年第二季度，本土半导体设备龙头业绩有所分化。短期内， 存储的资本开支节奏和先进逻辑的良率是影响本土设备拉货节奏和业绩的主要原因 。 然而另一方面，浙商证券认为，全球成熟工艺产能的供过于求状态仅仅是阶段性的，当前传统消费电子类产品处于缓慢复苏周期，并未进入创新拉动带来的放量成长阶段，若传统消费电子、AI终端放量成长，供需情况有望反转。华泰证券也表示，随着先进逻辑及存储的持续投入和晶圆厂的技术突破，长期看好设备国产化率提升。 从投资层面来看，东吴证券指出，AI芯片快速发展将带来封测设备新需求。测试设备方面，国产AI芯片制造采用更大的引脚和电流，测试难度显著提升，建议关注国产算力带来的国产测试机突破；封装设备方面，国产AI芯片采用CoWoS先进封装，中国在封测环节具备较强全球竞争力，国内先进封装有望进入起量元年，建议关注国产封装设备新机遇。

机构指出，打破内存墙瓶颈，HBM已成为DRAM市场增长主要驱动力。HBM解决带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制等问题，已成为当下AI芯片的主流选择。Yole预计全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长至2030年的980亿美元，CAGR达33%。 SK海力士指出，HBM的引入不仅能显著提升AI的性能和质量，其增长速度甚至超越了传统内存性能，有效打破了内存墙瓶颈。民生证券认为，从产业链来看，HBM产业上游主要包括电镀液、前驱体、IC载板等半导体原材料及TSV设备、检测设备等半导体设备供应商；中游为HBM生产，下游应用领域包括人工智能、数据中心以及高性能计算等。在HBM制造中，TSV工序是主要难点，其涉及光刻、涂胶、刻蚀等复杂工艺，是价值量最高的环节。国产HBM量产势在必行，当前国产HBM或处于发展早期，上游设备材料或迎来扩产机遇。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 赛腾股份 表示，公司HBM检测设备已得到海外大客户的认可并已批量出货，国内市场正在积极开拓中。 中微公司 在先进封装领域（包含高宽带存储器HBM工艺）全面布局，包含刻蚀、CVD、PVD、晶圆量检测设备等，且已经发布CCP刻蚀及TSV深硅通孔设备。

印度希望成为全球芯片强国之一，但在异常激烈的竞争下，这一目标看起来难度很大，而且印度在先进芯片的竞赛中属于后来者，没有本土芯片产业，在全球供应链中所起的作用也十分有限。 但目前，该国极力推动的“半导体计划”旨在改变这一现状。这个计划相当大胆，它希望能在印度本土建立起一个完整的供应链——从设计到制造、测试以及包装的各个环节。 截至本月，该国已批准了10个半导体项目，总投资达1.6万亿卢比（约合182亿美元）。这些项目包括两座半导体制造工厂以及多个测试和封装工厂。 建立可持续的生态系统 有资深人士指出，目前印度该计划的进展并不均衡，而且无论是投资规模还是人才储备，都还不足以使其芯片发展计划成为现实。 科技政策研究机构Information Technology and Innovation Foundation负责全球创新政策的副总裁Stephen Ezell对此表示，“印度需要的远不止是几座晶圆厂或自动化测试设施。它需要一个充满活力、有深度且具长期可持续性的生态系统。” Ezell还指出，“领先的半导体制造商在进行工厂投资决策之前，会考虑多达500个不同的因素。这些因素包括人才、税收、贸易、技术政策、劳动力成本以及法律和习俗政策等各个方面——在这些方面，印度还有很大的提升空间。” 新德里的政策举措 5月，印度政府在其芯片发展计划中新增了一项内容：推出一项支持电子元件制造的方案，以解决一个芯片行业的一个关键瓶颈问题。 此前，芯片制造商在印度本地没有市场需求，因为该国几乎没有电子元件制造企业，比如手机摄像头制造企业。 但这项新政策为当地生产有源和无源电子元件的公司提供了财政支持，从而形成了一个潜在的国内买方和供应商群体，芯片制造商可以借此与之建立联系。 对此Ezell表示，“印度政府已出台诸多优惠政策，旨在吸引半导体制造商进驻印度。”但他同时强调，“这类投资不可能永远持续下去。” 路漫漫 目前印度最大的芯片项目是塔塔电子公司与联华电子公司合作在古吉拉特邦建设的一座价值9100亿卢比（约合110亿美元）的半导体制造工厂。 塔塔电子公司表示，该工厂将生产用于电源管理集成电路、显示驱动器、微控制器以及高性能计算逻辑芯片，这些芯片可用于人工智能、汽车、计算和数据存储等行业。 此外，英国的Clas-SiC晶圆厂也与印度的SiCSem半导体公司合作，在印度东部的奥里萨邦建立了该国首家商业性的复合半导体工厂。 据印度政府发布的消息，这些复合半导体可用于导弹、防御设备、电动汽车、家用电器以及太阳能逆变器等领域。 普华永道印度公司半导体业务负责人Sujay Shetty表示，“未来3到4年将是推进印度半导体发展目标的关键时期。” Shetty还指出，建立硅芯片制造工厂并克服超出激励措施范畴的各类技术和基础设施难题，将是重要的一个里程碑。 除了芯片制造工厂之外，印度许多中型公司也表现出对设立芯片测试和封装部门的兴趣。一些印度企业集团也加入了这一领域，因为与芯片制造厂相比，封测领域具有更高的利润率和更低的资本投入要求。 Shetty认为，“半导体组装与测试外包业务（OSAT）对印度而言是一个重大机遇，不过明确市场准入条件以及需求渠道对于实现持续增长至关重要。” 如若在这一领域取得成功，那么将使印度步入全球芯片产业，但目前该国距离实现本土开发和制造尖端芯片技术（如2纳米半导体）仍有很长的路要走。

隔夜英伟达宣布计划向OpenAI投资1000亿美元，周二（9月23日）在全球范围内推动相关半导体股票明显上涨。 这笔交易规模异常庞大。根据英伟达CEO黄仁勋介绍，OpenAI计划建设并部署需要10吉瓦电力的AI专用数据中心集群，相当于约400万至500万块图形处理器（GPU）。 当时这一消息激发了华尔街的乐观情绪，美股费城半导体指数周一收涨1.57%，并且这一情绪传导至全球芯片板块，尤其是与英伟达关联度较高的一些公司。 在韩国，英伟达产品所用的存储芯片供应商SK海力士周二收盘上涨2.85%；其同行三星电子也收高1.44%，上周有消息称，三星12层堆叠HBM3E芯片产品通过英伟达测试。 在日本市场上，芯片供应链巨头Tokyo Electron收涨3.87%，英伟达供应商之一的爱德万测试涨3.2%，服务器水冷模组提供商日本电产涨1.9%。 投资管理公司Quilter Cheviot全球科技分析师Ben Barringer评论道，“归根结底，这是一片拥有众多供应商的广阔市场。这绝不是零和博弈，投资者显然已经意识到这一点。” “虽然这笔交易短期内可能对英伟达的竞争对手不利，但它表明AI行情依然火热。” 亚洲芯片股的涨势也传导至欧洲，不过欧洲市场表现略显分化。截至发稿，正在交易的意法半导体涨2.52%，英飞凌涨2.47%，光刻机制造商阿斯麦涨0.52% 不过， 欧洲半导体设备公司ASM国际（ASMI）因第四季度营收逊于市场预期而股价大跌。 ODDO BHF股票研究主管Stephane Houri在报告中指出，“在欧洲，AI生态系统的增强尤其有利于设备制造商，包括阿斯麦和ASMI，他们都将从台积电（英伟达先进芯片代工厂）的强劲需求中受益。” 截至发稿，台积电美股盘前涨3.6%，英伟达的云合作伙伴CoreWeave涨2.2%。

半导体公司联发科上周宣布，成为首批与台积电合作的公司之一，并将开发采用2纳米工艺的芯片，预计在明年年底量产其旗舰系统级芯片（Soc）。 然而，有消息称，台积电正在计划对其3纳米制程和2纳米制程的工艺节点进行涨价。据悉，台积电向联发科收取的高端3纳米的N3P制程费用较上一代涨价24%，高通的骁龙8 Elite Gen 5芯片则面临16%的涨价。 业内人士还透露，由于研发成本高昂加上良率较竞争对手更高，台积电还计划将2纳米节点的费用至少上调50%。而这将直接影响明年各大品牌手机SoC的价格，预计单颗芯片的成本将高达280美元。 此外，台积电据悉没有对客户提供任何折扣或者议价策略。 智能手机涨价 如果台积电真如传闻般大幅涨价，那么中国的多家智能手机制造商可能不得不在明年推出售价高昂的新产品。Vivo、小米和OPPO都搭载了高通和联发科的芯片。 与此同时，三星下一代手机也难逃此命运，该品牌的Galaxy S26系列将同时使用Exynos 2600及高通的骁龙芯片，也在台积电的涨价“扫射范围”之内。 而今年价格并未出现大幅波动的iPhone预计将在2纳米制程量产后迎来大幅涨价，这意味着苹果明年推出的iPhone 18系列可能在价格上让市场感到意外。 今年苹果手机的价格保持稳定可能代表着台积电并未向苹果要求涨价，或者涨价幅度远低于其他客户，市场猜测这与苹果是台积电的最大客户有关。业内人士称，预计苹果将在2026年为台积电的总收入贡献22%至25%，因此台积电愿意为苹果提供更优惠的条件。 另一方面，英伟达的下一代人工智能芯片Rubin Ultra和AMD的Instinct MI 450 AI也将采用台积电的2纳米工艺。对于耗巨资兴建数据中心的各大科技巨头来说，台积电涨价或许也不会是个值得高兴的消息。 总而言之，尽管台积电并未证实涨价传闻，但市场正在为消费电子产品集体涨价的时代提前做准备。

导读： ①目前市场呈现结构性分化，赚钱效应仍多集中在科技股之中；②芯片产业链反复活跃，其中存储芯片受益于涨价逻辑而持续走强，而产业链国产化方向近期也迎来了密集利好催化；③英伟达与 OpenAI 官宣合作，或有望带动海外算力链的反弹。 昨日市场震荡反弹，三大指数全线收红，而科创50更是大涨3%。不过需注意的是，目前市场结构性分化依旧明显，昨日个股仍是跌多涨少，绝大多数的赚钱效应集中在科技股方向。 半导体芯片产业链反复活跃，中科曙光、德明利等涨停，海光信息、中芯国际、芯原股份等均创下历史新高。整体而言，本轮市场对于芯片产业的炒作主要围绕着两大主线所展开。受益于涨价逻辑驱动存储芯片方向延续强势，据周一市场消息，由于供应紧张，三星对其DRAM和NAND闪存产品进行了大幅提价，提价幅度高至30%；本轮涨价潮反映出存储芯片行业正经历结构性转变。随着HBM市场竞争加剧，传统DRAM和NAND产品有望在2026年迎来更可持续增长。 而产业链国产化逻辑同样受到市场的追捧，多家机构研报认为，在政策强力支持、市场需求巨大、技术逐步突破等多因素催化下，到2025年或2027年，我国半导体产业的整体国产化率有望提升至25%-30%。而从消息面来看摩尔线程即将科创板IPO对于国产算力的催化作用同样明显。在此背景下后续仍可重点关注晶圆代工、算力芯片设计、国产设备及零部件、先进封装四大方向。 另外值得注意的是，昨晚英伟达和OpenAI宣布达成合作，包括建设庞大数据中心计划，以及英伟达对OpenAI最高1000亿美元的投资。受此消息催化，英伟达股价大涨3.9%，盘中刷新历史新高。近期海外算力硬件股连续缩量整理后，筹码得到部分稳固。随着英伟达的再度转强，可能会催化资金回流该方向，作为本轮行情至今的领涨核心，其回流的强度对于后市强弱具有一定的风向标意义，若能借助上述利好展开强势修复的话，对于科技行情的后续走势或仍值得期待，一旦修复力度不及预期的话，后市延续反复震荡概率较大。

SMM 9月22日讯：9月22日早间，半导体指数盘中快速走高，盘中一度涨逾2.6%，在一众板块中排名前列。个股方面，芯原股份盘中涨逾18%，中科蓝讯、海光信息、晶晨股份、德明利等多股纷纷涨逾10%。 消息面上， 近期半导体领域利好频出，据国际半导体产业协会报告显示，今年二季度全球半导体设备出货量同比增长24%，其中，中国大陆以约34.4%的份额稳居全球第一大半导体设备市场。 此外，企业动态方面，有消息称，摩尔线程科创板IPO将上会。据悉，摩尔线程以自主研发的全功能GPU为核心，致力于为AI、数字孪生、科学计算等高性能计算领域提供计算加速平台。公司已成功推出四代GPU架构，并拓展出覆盖AI智算、云计算和个人智算等应用领域的计算加速产品矩阵。公司坚持自主研发，填补了国内GPU领域的多项空白，在国内GPU领域处于领先地位。 方正证券最新分析称，在摩尔定律放缓和我国先进制程技术受限的现状下，先进封装成为国产算力芯片突破性能瓶颈的重要方向。华为、寒武纪、海光信息等公司的算力芯片正加速迭代，国产供应链积极配套以实现算力芯片自主可控。2025世界人工智能大会上沐曦重磅发布基于国产供应链的旗舰GPU曦云C600，摩尔线程则表示正联合国内封装测试厂商，完成Chiplet与2.5D封装（国产硅中介层）量产和测试。先进封装产能扩张需求愈发迫切，先进封装产业链上下游迎来重大发展机遇。 同时，也有机构表示，近年来，半导体设备国产化率持续提升。根据钛媒体数据，目前有近70%的晶圆制造公司尚未使用国产半导体设备。同时，当前本土先进节点晶圆产能难以满足高速增长的算力所需，从设备、制造等层面增强算力基础设施的整体能力和产业保障尤为迫切。摩尔线程表示，中国约有300万张GPU卡的产能缺口。当前国内半导体产业链从上游的设备与材料到中游的半导体制造再到下游的先进封装，均致力于提升算力芯片的国产化率；半导体设备国产化大势所趋，且当前国产化率仍处于较低水平，国产替代空间广阔。 华泰证券则看好2026年AI相关需求和中国先进逻辑扩产的结构性机会，海外AI相关先进逻辑和存储仍然是资本支出的主要驱动力。国内方面，中芯国际、华虹近期募集资金，长鑫启动上市辅导，看好2026年中国先进逻辑和存储投资持续，看好设备国产进展，预计2026中国本土设备企业在中国市场规模中占比（国产化率）或同比+6%至29%。 且近期，多家本土科技巨头入局芯片研发， 华为方面还发布昇腾芯片迭代时间线， 预计2026年第一季度推出昇腾950PR芯片，四季度推出昇腾950DT，2027年四季度推出昇腾960芯片，2028年四季度推出昇腾970芯片。 且值得一提的是 ， 9 月 13 日，商务部公布了对原产于美国的进口相关模拟芯片发起反倾销立案调查，并同时公布就美国对华集成电路领域相关措施发起反歧视立案调查。 商务部新闻发言人指出，美国在集成电路领域对华采取一系列禁止和限制措施，这些保护主义做法涉嫌对华歧视，是对中国发展先进计算芯片和人工智能等高科技产业的遏制打压，不仅危害中国发展利益，还严重损害全球半导体产业链供应链稳定，中方对此坚决反对。 而今日股价盘中触及历史新高129.83元/股的国内芯片巨头中芯国际，在此前的业绩说明会上对今年半导体的未来依旧充满期待，此前，中芯国际联合CEO赵海军在今年8月举行的业绩会上提到，在国内外政策变化的影响下，渠道加紧备货补库存，今年前三季度中芯国际积极配合客户保证出货。不过，由于前期客户已经建立了一定的库存，且四季度是行业的传统淡季，虽然客户信心依然很强，但四季度急单和拉货的情况会相对变缓，对其影响，中芯国际正在广泛收集客户反馈进行评估，预计不会对公司的产能利用率产生明显影响。 中芯国际对今年三季度给出的收入指引为环比增长5%-7%，其中预计出货数量和平均销售单价都将上升。毛利率指引为18%-20%，主要由于产出增加抵消了折旧上升带来的影响。 市场对半导体行业的前景也较为乐观，根据美国半导体行业协会（SIA）的数据，2025年7月全球半导体销售额约为620.7亿美元，同比增长20.6%，连续21个月实现同比增长，环比增长3.6%。世界半导体贸易统计组织（WSTS）此前则预测，2025年全球半导体市场销售额将达到7009亿美元，同比增长11.2%，并预计 2026年继续增长8.5%。 此外，芯原股份今日股价也一同刷新历史新高，其盘中最高提升至207.6元/股。其在近期接受投资者活动调研时提到，今年受到 AI 算力相关需求带动，公司新签订单增长明显。根据公司《关于新签订单的自愿性披露公告》，2025 年 7 月 1 日至 2025 年9 月 11 日，公司新签订单 12.05 亿元，较去年第三季度全期大幅增长85.88%，新签订单已创历史新高，其中 AI 算力相关的订单占比约 64%。除新签订单创历史新高外，公司在手订单持续保持高位，预计将对公司后续经营业绩产生深远的影响。 且值得一提的是，AI的爆发式需求增长为存储芯片带来的巨大的需求，存储芯片行业已经先后迎来多次涨价，此前，海外存储芯片巨头Sandisk（闪迪）宣布面向所有渠道和消费者客户的产品价格调涨超10%，随后，业内又传出美光向渠道通知存储产品上涨20%—30%的消息。据消息称，美光所有DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价，协议客户价格全部取消，预计所有产品停止报价一周。 提及涨价原因，闪迪方面表示，闪存产品市场需求强劲，由于人工智能应用以及数据中心、客户端和移动领域日益增长的存储需求驱动。为确保我们能够提供高性能闪存解决方案并支持持续创新投资，正在调整其闪存产品组合的价格。而至于美光方面涨价的原因，消息称，主因美光高层看到针对客户的预测需求有重大的供应短缺，而紧急暂停了所有产品的报价，将重新调整后续的价格。 此外，本周一市场还有消息称，由于供应紧张，三星对其DRAM和NAND闪存产品进行了大幅提价，部分产品提价幅度高至30%。这也使得三星成为继美光和闪迪之后，最新一家上调内存和闪存产品价格的存储巨头。据悉，三星此次提价的原因是供应紧张，而供应紧张是由于老款产品产量减少以及大型云企业需求增加造成的。 在此背景下，德明利作为国内存储芯片领域的头部企业之一，其股价自9月10日以来便接连上探拉涨，在近两个交易日更是录得两连板的战绩，盘中股价最高攀升至155.11元/股，同样刷新其上市以来的历史新高。 此前，公司在接受投资者活动调研时曾被问及如何看待上游存储原厂涨价的问题，德明利回应称，根据公开报道，包括闪迪、美光、三星等在内的各大存储原厂均于近期宣布涨价，各类型存储产品报价均有较大涨幅。存储价格受供需结构变化、产能转移及新兴需求增长等多重因素影响，国内外头部科技厂商正大力增加资本支出规模加码 AI 投入，算力基础设施建设持续扩张，服务器和数据中心的存储需求增长持续提升行业景气度，预计四季度存储价格有望维持上涨趋势。

据周一市场消息，由于供应紧张，三星对其DRAM和NAND闪存产品进行了大幅提价，部分产品提价幅度高至30%。 这也使得三星成为继美光和闪迪之后，最新一家上调内存和闪存产品价格的存储巨头。 消息称， 三星DRAM产品的涨价幅度高达30%，NAND闪存产品的涨价幅度在5%-10% 。受影响的DRAM产品包括LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X内存产品，NAND闪存产品包括eMMC和UFC产品。 据悉， 三星此次提价的原因是供应紧张 ，而供应紧张是由于老款产品产量减少以及大型云企业需求增加造成的。 目前，三星在DRAM和NAND市场的占有率分别为32.7%和32.9%。 存储巨头掀起涨价潮 近期，全球存储巨头接连涨价。 9月13日有消息称，美光高层观察到，客户需求预测显示重大供应短缺，因此公司决定紧急暂停所有产品报价，重新调整后续价格。美光已通知客户，DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价，报价暂停时间一周，且相关产品价格或将调涨20%-30%。此次涉及的不仅是消费级与工业级存储产品，汽车电子产品涨幅更高，预计达70%。 此前，NAND闪存原厂闪迪宣布，针对全部渠道通路和消费类产品的价格执行10%普涨。公司表示，在AI应用和数据中心、客户端、移动三领域均出现日益增长的存储需求的背景下，NAND闪存产品需求强劲。未来公司将继续定期进行价格评估，并可能在未来几个季度作出进一步调整。 本轮涨价潮反映出存储芯片行业正经历结构性转变。在AI热潮下，三星等存储大厂纷纷将重心转向AI PC和下一代智能手机等新兴市场，以及HBM等高利润产品领域，导致传统产品供应收缩。 眼下，各大存储大厂正争先恐后地投身AI赛道，优先为英伟达、AMD的AI加速器供应最新产品。HBM的优先级高于消费级DRAM，加剧了后者供应紧张。 摩根士丹利预计，随着HBM市场竞争加剧，传统DRAM和NAND产品有望在2026年迎来更可持续增长。 就在三星涨价消息传出之际，该公司的12层HBM3E芯片产品终于通过英伟达认证测试，这意味着这家芯片巨头在全球AI芯片赛道上取得了重要突破。 周一，三星电子股价收涨4.77%，报83500韩元，盘中一度上涨5%至83400韩元，创下过去一年以来新高。

本周一，韩国科技巨头三星电子股价大幅上涨5%，只因该公司的12层HBM3E芯片产品终于通过英伟达认证测试，这意味着这家芯片巨头在全球人工智能芯片赛道上取得了重要突破。 三星HBM芯片取得重要突破 本周一，三星股价早间一度上涨5%至83400韩元，创下过去一年以来新高。在三星大涨的带动下，韩国综合股价指数上午上涨0.8%。 过去一年，三星股价已经累计上涨超32% 这背后的关键推动力是三星HBM芯片的重要进展： 三星在多次尝试失败后，终于通过了英伟达对其第五代12层HBM3E产品的认证测试 ——这对于这家芯片巨头来说是一大重要里程碑。 韩国媒体报道称，三星正在准备向英伟达供应其12层HBM3E存储芯片，初期产量和供应量将有限。 此前，三星已经向AMD和博通公司供应了HBM3E产品，但始终未能通过英伟达的认证测试。据称，英伟达要求供应商实现超过每秒10千兆位元的HBM数据传输速度，远高于目前行业标准的8Gbps。 SK海力士仍领先 此前，三星的竞争对手、存储芯片SK海力士公司已经跑在了三星前方，已开始大规模量产并向英伟达供应HBM芯片，美光科技公司也紧随其后。三星将成为英伟达HBM芯片的第三家供应商。 不过目前来看，SK海力士仍然跑在队伍最前方。上周，SK海力士表示，该公司已完成了HBM4 芯片的开发，并推动其股价创下历史新高。 本周一，SK海力士的股价则呈横盘走势。而美光科技美股上周五下跌3.5%。 富国银行分析师Andrew Rocha指出，三星芯片的进展可能会对HBM的市场定价产生负面影响，“特别是如果三星以折让价格出售其产品以获取市场份额的话”。 Rocha补充说，随着美光股价现已接近170美元，目前市场对该公司即将发布的财报预期很高。