当人工智能浪潮席卷全球之际，半导体产业已成为全球技术角逐的核心战场。在正在举办的第八届进博会上，作为AI发展的核心支撑，半导体产业无疑是各方关注的焦点赛道。 《科创板日报》记者从进博会现场看到，来自全球的半导体产业龙头企业纷纷集结，其中不乏AI芯片、存储与半导体设备赛道的标杆力量，三星、SK海力士、美光科技、ASML、AMD等厂商均携各自旗舰产品亮相。 存储龙头齐聚 SOCAMM2亮相 本次进博会SK集团以“Shaping Tomorrow through AI”为主题，携多家成员公司共同参展。其展台工作人员向《科创板日报》记者表示，SK海力士重点展出AI相关的存储产品，下游应用包括服务器、端侧AI等领域。 展台现场，SK海力士展台展示了基于新一代PIM（Processing in Memory）技术解决方案的产品GDDR6-AiM、以及针对服务器与数据中心多样化容量需求的产品eSSD、高性能服务器用DRAM模组Server DIMM。 值得注意的是，SK海力士今年进博会展出了图形用DRAM产品GDDR7，据现场工作人员介绍， 相较于前一代，这项产品可将运行速度提升60%、能效提升50%以上。 此外，SK电讯将AI数据中心搬进了展台，直观的展示SK集团在存储、冷却、运营、安保等AI基础设施领域的建设。 美光展台一共涵盖五大主题展区，包括美光中国、美光芯品、美光可持续发展卓越中心、美光职场与企业社会责任和美光客户产品展示区。产品方面，美光展台展出了其数据中心、客户端与移动通信、汽车与本地智能设备等细分领域的相关存储产品。 在数据中心新领域，美光展示了其MRDIMM内存模组、DDR5 RDIMM、SOCAMM、CZ122 内存扩展模块、9650 固态硬盘、6600 ION 固态硬盘、7600固态硬盘。据介绍， 美光9650固态硬盘为业界首款 PCIe® Gen6 固态硬盘，AI训练与推理效率有所提升。 客户端与移动通信领域，美光展示了GDDR7、LPDDR5X、LPCAMM2、CSODIMM、CUDIMM、4600固态硬盘、2600固态硬盘。其中， 美光LPDDR5X为业界首款1γ(1-gamma)工艺16GB LPDDR5X，提供旗舰智能手机前沿能效和高速带宽，加速AI和数据密集型应用。 三星在进博会上也展示了该公司应用于数据中心的DDR5 MRDIMM和模块化存储SOCAMM2。从商业化进程方面来看，现场工作人员表示， 该公司展示的DDR5 MRDIMM产品目前已实现量产，但SOCAMM2仍处于概念阶段。 另外，三星在进博会现场还展示了DDR5、LPDDR5X、GDDR7 DRAM等存储产品。 据悉， 美光于今年10月已宣布其192GB SOCAMM2已正式送样。 美光资深副总裁暨云端内存事业部总经理Raj Narasimhan曾表示：“随着AI工作负载变得更加复杂而严苛，数据中心服务器必须提升效率，为每瓦特的功率提供更多tokens。凭借在低功耗DRAM领域公认的领先地位，美光能确保我们的SOCAMM2模块提供所需的数据吞吐量、能效、容量和数据中心级别的品质，这些对于驱动下一代AI数据中心服务器至关重要。” ASML全景光刻解决方案亮相进博会 半导体设备供应商ASML以“积纳米之微，成大千世界”为主题，亮相进博会技术装备展区展馆集成电路专区。ASML重点展示其面向主流芯片市场的全景光刻解决方案，融合光刻机、计算光刻和电子束量测与检测技术。 “今年是ASML第七次参加进博会。通过这个促进沟通交流的宝贵平台，我们期待与中国客户、合作伙伴以及行业相关方加强互动。”ASML全球执行副总裁、中国区总裁沈波表示：“AI正驱动全球对不同制程节点芯片的需求不断增长，其中主流芯片在这一增长趋势中发挥着重要作用。依托ASML全景光刻解决方案，我们致力于帮助中国客户把握主流芯片市场机遇。” 在本届进博会上，ASML在展台以数字化方式展示其全景光刻解决方案下的部分亮点产品和技术。在光刻机领域，ASML展示的DUV光刻机包括TWINSCAN XT:260、TWINSCAN NXT:870B。 其中，TWINSCAN XT:260这款i-line光刻机是ASML首款可服务于先进封装领域的光刻系统。据介绍，通过光学系统的创新， TWINSCAN XT:260具有大视场曝光，相较于现有机型可提高4倍生产效率， 能够有效提升性能并降低单片晶圆成本。除先进封装外，TWINSCAN XT: 260还可支持主流市场的其他广泛应用。 TWINSCAN NXT:870B在升级的光学器件和最新一代磁悬浮平台的支持下， 可实现每小时晶圆产量（wph）400片以上，并为键合后的套刻和阶梯式工艺提供校正能力。 多电子束量测与检验领域， ASML展示了其首款实现在线缺陷检测（涵盖物理缺陷和电性缺陷）的25束电子束检测系统eScan 1100 ，据了解，其晶圆量测吞吐量提升至单束系统的10倍以上。此外，ASML还展示了其未来技术路线图，该公司计划将电子束数量扩展至2700束。 新思科技集中展示半导体领域技术与创新产品，作为展台的特色之一，上海大学和南京邮电大学学生通过ARC高校创新项目完成的实践作品也将在现场亮相。 据悉，新思科技联合华中科技大学、西安电子科技大学、上海大学等多所高校，推出ARC高校创新项目。项目以ARC处理器、IoTDK开发板及DesignWare® ARC®处理器IP组合工具（涵盖32/64位CPU、DSP内核、NPU等关键组件）为核心，提供ASIP Designer工具。 引人关注的是， 新思科技在展台现场展示了灵巧智能科技五指灵巧手DexHand021量产版。 据悉，该产品可通过拍摄和穿戴设备实现单手玩魔方、一手抓多物、使用常用工具等功能。 AMD、高通聚焦AI应用端成果展示 从半导体设备到AI应用终端，技术协同创新的脉络清晰可见。《科创板日报》记者注意到，本届进博会上，移动芯片龙头高通与AI芯片厂商AMD均以AI应用端成果为核心展示内容。 今年是AMD第五年参加进博会，其展台位于技术装备展区，展示基于AMD芯片的服务器、工作站、Mini AI工作站、AI PC等成果。 其中，AMD锐龙Mini AI工作站成为现场最受关注的产品之一。据了解，该产品搭载AMD锐龙AI MAX+395处理器，融合CPU、GPU与NPU异构算力，搭载16颗32线程“Zen 5”CPU核心，最高支持96GB专用显存和16GB共享显存，可在本地运行高参数大模型。目前， 该产品已在法律、金融等行业落地。 在数据中心解决方案展区，AMD通过两台交互式机柜展示，集成OEM伙伴基于第五代EPYC处理器的服务器产品。 今年已是高通连续八年参与进博会，高通中国区董事长孟樸表示，从5G起步到如今5G与AI在多个领域的深度融合。今年，恰逢高通成立40年、进入中国30年，未来我们期待进一步扩大高通在中国的“朋友圈”，通过持续技术创新与生态合作，为中国创新生态注入更多活力。 在本届进博会的高通展台上， 12款搭载第五代骁龙8至尊版移动平台的中国手机厂商旗舰产品一起亮相，现场工作人员表示，这是新一代骁龙旗舰手机全家福首次在国内线下展会集中展出。 《科创板日报》现场了解到，高通通过与面壁智能合作，在搭载第五代骁龙8至尊版移动平台的终端上，落地了新一代基于MiniCPM-4V多模态大模型的GUI Agent智能体技术。 除此之外，搭载骁龙X系列平台的联想、华硕等品牌的AI PC，与荣耀、OPPO、一加、小米、联想等骁龙平板以及多款搭载骁龙AR平台的AI智能眼镜也在本届进博会上展出。

AI概念龙头、全球市值最高上市公司英伟达的首席执行官黄仁勋本周末再度访问台积电，亲赴芯片产线并罕见出席芯片代工巨头的职工运动会。这也是黄仁勋近3个月来第3次访问台积电，足以显示两家公司的紧密关系。 据悉，黄仁勋这一次的行程加起来不足24个小时。他先是在周五返回台南老家，参访台积电晶圆十八厂，那里是台积电3nm制程的主要厂区。作为“吃瓜群众”关注的焦点，黄仁勋随后与台积电董事长兼总裁魏哲家走进当地的牛肉火锅店，晚餐后又打包了当地的知名水果冰品。 周六早晨，黄仁勋首次出席台积电的年度运动会。该活动传统上只对内部人士开放，外部客户的高管出席极为罕见，更不用说安排演讲行程。 黄仁勋在演讲中谈及两家公司30多年的交情，并感谢台积电员工“帮他建设英伟达”，他还用中文大声喊道：“没有台积电，就没有今日的英伟达。” 遗憾的是，台积电创始人张忠谋因身体突发不适，历史首次缺席公司运动会。黄仁勋也在演讲中表达了关切和问候。 对于此次访问的目的，黄仁勋表示公司最先进的Blackwell芯片正面临“非常强劲的需求”，因此对台积电晶圆的需求也在增长。 他说道：“英伟达制造GPU，我们也制造CPU、网络设备、交换机，所以有很多与Blackwell相关的芯片。而且公司也正在下一代Rubin芯片上很努力。” 不过黄仁勋也表示，这次没有和台积电讨论价格的事情。 魏哲家则直白地表示“黄仁勋想要更多芯片”，但被问及具体数量时，魏哲家笑着回答：“这是机密！” 当被问及目前资本市场密切关注的存储芯片短缺问题时，黄仁勋表示整个产业正在强劲增长，所以会出现“各种不同东西的短缺”。 他表示：“我们有三家非常非常优秀的内存制造商，SK海力士、三星、美光，他们都是极其出色的内存制造商，并且已经大规模扩产以支持我们。” 英伟达CEO也提及，已经从三家公司那里收到最先进的芯片样品。但被问及可能的存储芯片涨价时，黄仁勋回应称，应该由“他们自己决定如何经营自家的业务”。 对于谷歌、亚马逊等公司开发定制化ASIC芯片的影响，黄仁勋则表示英伟达业务模式“非常不同”，而GPU的泛用性远超ASIC芯片。 他表示，英伟达的GPU架构不仅能处理AI运算，还能广泛应用于科学、物理、量子等领域。因此，英伟达的架构“更具渗透性”，这是其核心竞争优势所在。

据Choice数据统计，截至上周日，沪深两市 上周共447家上市公司接受机构调研 。按行业划分， 电子、机械设备和汽车行业 接受机构调研频度最高。此外，建筑装饰、环保等行业关注度有所提升。 细分领域看， 汽车零部件、通用设备和半导体 板块位列机构关注度前三名。此外，消费电子、电力等行业机构关注度提升。 具体上市公司方面，据Choice数据统计， 通宇通讯接受调研次数最多，达到4次 。从机构来访接待量统计， 安集科技、通宇通讯和吉贝尔排名前三，机构来访接待量分别达174家、129家和102家 。 市场表现看， 存储芯片概念股上周表现活跃。 德明利周三发布机构调研纪要表示，根据公开报道，继9月三星电子、美光、闪迪进行一轮涨价后，近日三星电子、SK海力士再次上调包括DRAM和NAND在内的存储产品价格；同时，海外多家头部科技厂商上调了2025财年的资本支出预期，算力基础设施建设持续扩张，服务器和数据中心的存储需求增长持续提升行业景气度， 预计四季度存储价格有望维持上涨趋势。 存储芯片行业趋势向好对相关业务具有积极影响，2025年第三季度公司综合毛利率改善明显， 10月存储价格延续上涨趋势，公司四季度业绩表现有望进一步改善。 二级市场上， 德明利周四收盘涨停，周五盘中涨停，收盘涨超8%。 艾森股份周四发布机构调研纪要表示， 公司在存储芯片领域的产品布局以电镀液与光刻胶为核心， 公司持续推进在国内头部存储客户的技术交流与产品验证。存储芯片产能扩张或将拉动材料需求量，尤其在HBM、3DNAND等先进存储技术领域，公司凭借“电镀+光刻”双工艺协同， 有望持续受益于国产替代趋势。 二级市场上， 艾森股份周四收盘涨超10%。 华海清科周三发布机构调研纪要表示，公司CMP装备订单持续保持增长，减薄装备、离子注入装备、湿法装备、晶圆再生及耗材维保等订单放量明显，划切及边抛装备也取得多家客户订单；从订单客户结构来看， 存储及逻辑订单占比较大，先进封装订单占比提升明显 。公司 目前在手订单充足 ，也将积极跟进客户的扩产计划，争取更多订单和市场份额。 精智达周三发布机构调研纪要表示，公司具备SoC测试机的长期战略技术储备。在AI时代，算力芯片和存储芯片的结合会更紧密，需要设备厂商及测试厂提供完整解决方案，存在巨大的业务机会。公司将与下游客户紧密合作，提供高端算力芯片测试方案。 江波龙周四发布机构调研纪要表示，全球目前仅少数企业具备在芯片层面开发UFS4.1产品的能力， 公司凭借自研主控芯片成功实现UFS4.1产品的突破 。经原厂及第三方测试验证，搭载公司自研主控的UFS4.1产品在制程、读写速度以及稳定性上优于市场可比产品，在获得 以闪迪为代表的存储原厂 认可的基础上，还获得多家Tier1大客户的认可， 相关导入工作正加速进行。 UFS4.1作为当前嵌入式存储领域的高端产品，是Tier1大客户的旗舰智能终端机型的首选存储配置，伴随嵌入式存储市场由eMMC向UFS加速演进，整体市场高度集中且具备广阔空间。

特斯拉首席执行官埃隆·马斯克周四在德克萨斯州举行的特斯拉年度股东大会上表示， 他预计该公司将需要建立一座“巨型”芯片工厂，以实现其制造自动驾驶汽车和人形机器人的雄心 。 特斯拉此举将极为不同寻常——目前大多数先进芯片制造由台积电、三星、英特尔等少数几家芯片代工厂承担。 特斯拉目前既从英伟达等公司采购芯片，公司内部也在自主设计芯片。该公司已与三星、台积电等芯片代工厂签订了制造协议。 马斯克周四还表示， 特斯拉可能还会与英特尔达成合作 。 “你们知道吗，或许我们会和英特尔展开一些合作，”马斯克对特斯拉股东们说道，“我们还没有签署任何协议，但和英特尔进行洽谈或许是值得的。” 受马斯克上述言论影响，英特尔股价在盘后交易中一度大涨4%。 美国老牌芯片制造商英特尔目前处境艰难，虽拥有自家芯片制造工厂，但在人工智能芯片竞赛中已远远落后于英伟达。美国政府近期收购了英特尔10%的股份，眼下该公司急需为其最新制造技术寻找外部客户。 马斯克周四还谈及特斯拉制造自主设计的芯片，他称：“我看不到任何其他方法可以达到我们所期望的芯片产量。” “我认为我们可能不得不建造一座巨型芯片工厂。”马斯克表示。他并未透露预计何时需要这样一座工厂，也未说明其可能的选址，但表示，该厂每月至少能生产10万片晶圆。 “它会像‘超级工厂’，但规模要大得多，”马斯克表示，他指的是公司目前生产汽车和电池的超级工厂（Gigafactory）。 马斯克最近花了很多时间与特斯拉芯片设计团队共事，致力于研发一款用于内部需求的专用芯片——AI5芯片。 他曾表示，公司正在研发的这款芯片，功耗仅为英伟达Blackwell芯片的 “约三分之一”，性能“大致相当”，而成本却“不到其10%”。 马斯克还曾赞扬英伟达芯片，但指出，英伟达必须服务于更广泛的客户群体，这使得其芯片在特定场景下的优化难以达到极致，而特斯拉则可以针对自身需求专门设计芯片。 特斯拉希望将这款芯片用于Cybercab（一款没有方向盘或踏板的无人驾驶汽车）和Optimus（特斯拉开发的人形机器人）等产品。 周四，马斯克对Optimus的未来做出了几项大胆的预测，包括：进行外科手术时，“比人类最顶尖的外科医生还要出色”；“消除贫困”；将经济规模 “扩大10倍甚至更多”；最终制造成本降至2万美元。 他还补充称，特斯拉将于明年4月开始在其位于德克萨斯州奥斯汀的工厂生产Cybercab。

台积电在2纳米制程上的资本支出飙升，迫切需要拓展收入。近日有消息称，该公司计划对5纳米以下的先进芯片制造工艺进行普遍涨价，台积电已经将此决定通知给包括苹果在内的主要客户。 作为台积电的最大客户，苹果很可能因为芯片价格的上涨，不得不大幅调整明年发布的iPhone 18系列智能手机价格。 苹果的A16、A17、A18、A19、M3、M4和M5芯片均采用了台积电的5纳米以下制程工艺。此外，苹果即将推出的A20芯片将采用台积电的2纳米工艺，并与iPhone 18系列一同发布。 有报告指出，所有采用台积电2纳米工艺的芯片平均单价将达到280美元，而去年3纳米制程的A18芯片单价据称仅为45美元。作为参考，苹果应用了A18芯片的iPhone售价为799美元，其硬件总成本约为416美元。 祸不单行 业内人士在9月透露，台积电在先进工艺上的投资非常巨大，但良率已经完成目标，因此目前台积电不开放任何折扣或谈判。与3纳米制程相比，2纳米价格至少上涨50%。 目前尚不清楚具体的报价情况，但无论是50%的涨幅还是280美元的单价都将大幅压缩苹果的利润率，这也迫使苹果将成本转嫁给消费者。还有消息称，苹果明年将不会同时发布三款新机型，入门级iPhone 18可能将在2027年再行发布。 与此同时，苹果还可能遭遇来自存储芯片涨价引发的另一风险。目前，主要供应给电子设备的普通存储芯片（DRAM）受到全球产能转向HBM的影响，产能正处于历史性的紧张状态。HBM是针对人工智能的先进内存产品。 数据显示，今年第三季度，DRAM价格较去年同期上涨了171.8%，比黄金的涨幅还大。 高盛还在一份报告中指出，以售价299美元的红米Note 14为例，CMF数据显示，8GB+256GB uMCP配置的内存模块价格已上涨至49美元，约占手机零售价的16%，而去年该配置的价格仅占零售价的10%。

11月6日，市场人气股寒武纪再度拉涨，截至收盘，其全天收涨9.79%，成交额达192.5亿元。同时，寒武纪今日股价收报于1480元，再次超越贵州茅台（1435.13元），成为目前A股“股价一哥”。 注：寒武纪今日股价大幅拉升（截至11月6日收盘） 股价再度逼近前高，融资余额近期回落 作为科技与消费板块的代表股，寒武纪和贵州茅台近期的股价位次变动一直是市场关注焦点。以收盘价计算，截至今日收盘，自8月以来，寒武纪累计共有7个交易日的股价超越贵州茅台，分别为8月28日、8月29日、10月24日、10月27日、10月28日、10月29日以及11月6日。其中，在8月28日，寒武纪股价超贵州茅台的幅度最高，达9.8%。 注：寒武纪、贵州茅台近期股价走势图（截至11月6日收盘） 从资金面来看，寒武纪近期的融资余额规模仍在继续下降。截至11月5日数据，其目前融资余额140.45亿元，较近期高点（10月27日）共减少近20.7亿元，降幅接近12.9%。其中，寒武纪在10月28日遭融资客减持10.39亿元，融资净卖额位居历史第二高，仅低于今年9月4日（16.26亿元）。若从全年行情上看，其目前融资余额规模仍处于高位水平。 注：寒武纪年内融资余额变动情况（截至11月5日数据） 随着寒武纪近日连续拉升，其股价也再度逼近此前于8月28日录得的历史最高点（1595.88元），以今日收盘价计算，寒武纪距离再创历史新高仅差7.8%，相当于三分之一个涨停板。目前，寒武纪以1480元的股价成为A股最贵标的，同时其A股市值达6241亿元，在电子板块中位居第二，仅次于工业富联，融资余额也位于电子板块第二名，仅低于胜宏科技。 科创50月线转涨，这些板块修复明显 近日，科创板股略有修复，其中，科创50指数今日月线转涨，涨幅达1.51%，科创100、科创200指数月内跌幅均有收窄。个股方面，剔除新股影响，科创板股近2个交易日平均上涨1.34%，中位数涨幅达0.86%，上涨个股比例近66.9%。其中，华盛锂电、隆达股份、阿特斯3股近2日涨幅超20%，金盘科技、源杰科技等共12股涨幅也均在10%以上。 注：近2日涨幅居前的科创板股（截至11月6日收盘） 分行业板块统计，来自电力设备、有色金属板块的科创板股表现活跃，其近2日平均涨幅分别达4.9%、4.7%，社会服务、环保、通信、基础化工、电子板块标的也涨幅居前，而美容护理、农林牧渔股则表现不佳。从细分板块（申万三级）来看，输变电设备、磨具磨料、配电设备、光伏电池组件、其他金属新材料、电池化学品、分立器件板块标的成为修复主力。 注：科创板股近2日平均涨跌幅分行业板块统计（截至11月6日收盘） 此外，从量能数据上看，科创板权重股近日获资金重点关注。截至今日收盘，科创50成分股昨日、今日成交额分别达627亿元、910亿元，较年内日均成交额分别增长29.5%、87.9%。而成分股市值相对更小的科创100、科创200指数昨日、今日成交额虽然较年内均值水平也有提高，但整体增长幅度未及科创50指数，尤其是今日数据。 注：科创50、科创100、科创200指数成分股近期成交额变动情况（截至11月6日收盘）

SMM 11月6日讯：11月6日半导体板块早间继续走高，指数盘中一度涨逾2%。个股方面，长光华芯盘中涨超17%，艾森股份涨逾12%，德明利盘中封死涨停板，海光信息、航宇微、金海通等多股纷纷涨逾8%。 而存储芯片板块今日也拉升明显，指数盘中一度拉涨超2.3%，东芯股份、杭州柯林、康强电子等多股一同跟涨。 消息面上，此前轰轰烈烈的存储芯片涨价潮仍在持续，SK海力士在11月5日表示，其已经与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判。一位熟悉SK海力士的消息人士称：“HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上。” SK海力士向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元（约合80万韩元）。 而此前业内预期SK海力士的HBM4单价约为500美元，但实际交付价格超出预期10%以上，比目前供应的HBM3E（约合370美元）价格高出50%以上。 TrendForce集邦咨询分析师许家源近日预测道，随着各大原厂的HBM产能释放，虽然预计2026年HBM3e可能面临供过于求压力，但新世代的HBM4具有技术门槛，仍呈供不应求态势。 东方证券研报也表示，HBM4时代，三星、SK海力士、美光有望实现“同步布局”，原厂竞争或进一步加剧。 而使用范围更广的DRAM供应紧缺的情况同样不遑多让，据Digitimes报道，三星电子在今年10月已经暂停DDR5的合约报价，SK海力士、美光等DRAM原厂随后相继跟进，导致DRAM供应链面临严重的供货中断，迫使有急需的客户只能转向现货市场抢货，进一步导致DDR5现货价格一周内大涨25%。 民生证券最新研报指出，受益于AI需求拉动，今年第四季度存储价格有望持续看涨。由于三大原厂持续有限分配先进制程产能给高阶服务器DRAM和HBM，挤占一般消费级DRAM产能，整体DRAM在第四季度有望继续上涨。 中信证券也评价称，三大存储原厂暂停DDR5报价，DDR5现货价格飙升25%，季度涨幅或达30%—50%，存储芯片涨价叠加长鑫存储大幅扩产以及HBM3产品的交付有望进一步带动上游材料端需求持续增长。同时，在外部限制或将加码的背景下，国内将加快科技自立自强步伐，国产替代与自主可控进程或将进一步加速，拉动半导体材料增量需求，建议关注长鑫产业链，重点布局国产半导体材料细分龙头。 事实上，相比于通用型存储的DRAM，HBM在关键性能，带宽功耗等方面更具优势，因此其主要聚焦高端算力场景，其可用在超级计算机中处理AI 大模型训练、宇宙模拟、基因测序等需要海量数据并行传输的任务，专门解决高端算力场景的存储瓶颈。 因此，在高端AI服务器领域，GPU搭载HBM芯片已经成为主流配置，广泛应用于高性能计算、人工智能等场景。据Yole预测，2026年HBM市场规模将达460亿美元(YoY+35%)，到2030年全球HBM市场有望达980亿美元，24-30年CAGR~33%。 民生证券认为，制造工艺是核心壁垒，重视产业链发展机遇。从产业链来看，HBM产业上游主要包括电镀液、前驱体、IC载板等半导体原材料及TSV设备、检测设备等半导体设备供应商;中游为HBM生产，下游应用领域包括人工智能、数据中心以及高性能计算等。国产HBM量产势在必行，当前国产HBM或处于发展早期，上游设备材料或迎来扩产机遇。 且值得一提的是，同样因供应紧张而涨价的DRAM，其DDR系列可用于电脑、手机、普通服务器的主内存，临时存储设备运行时的程序和数据，因此，近期DRAM的涨价也不可避免地影响到了手机市场。前段时间，国内包括oppo，vivo以及红米等在内的多款新品售价均较上一代有所上调，其中小米总裁卢伟冰更是坦言“存储成本上涨的情况高于预期，且会持续加剧。” 更令DRAM市场供应“雪上加霜”的是，早在2024年三季度，三星、SK海力士、美光等企业就开始削减部分利润率偏低的传统DRAM产能，转至生产HBM和DDR5等更高利润的产品。今年4月，海外原厂更是接连宣布将停产DDR4、LPDDR4X等旧制程DRAM产品，进一步加剧了供应紧张。 对于未来DDR4的走势，TrendForce集邦咨询分析师许家源在接受媒体采访时预测，DDR4供应紧缺的态势或将至少持续到2026年上半年，他表示，PC（个人电脑）品牌商正加速导入DDR5来应对，而电视、网通等消费领域则放缓了由DDR3转向DDR4的进程。 华西证券表示，多家厂商上调价格，未来涨价热潮或进一步加剧。此外，外部压力正转化为内部创新动力，推动中国在关键科技领域走向自主可控与产业升级。 个股方面，今日拉升涨停的德明利，其作为国内存储主控芯片及解决方案的核心企业，在国产替代进程中占据重要位置。在接受投资者活动调研时，德明利被问及对后续存储芯片价格走势的看法，公司表示，AI 浪潮下的技术快速演进与广泛应用催生了数据存储需求的爆发式增长，为存储行业注入长期发展动力。根据公开报道，继 9 月三星电子、美光、闪迪进行一轮涨价后，近日三星电子、SK 海力士再次上调包括 DRAM 和 NAND 在内的存储产品价格；同时，海外多家头部科技厂商上调了 2025 财年的资本支出预期，算力基础设施建设持续扩张，服务器和数据中心的存储需求增长持续提升行业景气度，预计四季度存储价格有望维持上涨趋势。 且因存储芯片行业趋势向好对相关业务具有积极影响，2025 年第三季度公司综合毛利率改善明显，10 月存储价格延续上涨趋势，公司四季度业绩表现有望进一步改善。

SK海力士5日表示，已与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判。一位熟悉SK海力士的消息人士称：“HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上。” SK海力士向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元（约合80万韩元）。此前业内预期SK海力士的HBM4单价约为500美元，但实际交付价格超出预期10%以上，比目前供应的HBM3E（约合370美元）价格高出50%以上。 在高端AI服务器领域，GPU搭载HBM芯片已经成为主流配置，广泛应用于高性能计算、人工智能等场景。据Yole预测，2026年HBM市场规模将达460亿美元(YoY+35%)，到2030年全球HBM市场有望达980亿美元，24-30年CAGR~33%。民生证券指出，制造工艺是核心壁垒，重视产业链发展机遇。从产业链来看，HBM产业上游主要包括电镀液、前驱体、IC载板等半导体原材料及TSV设备、检测设备等半导体设备供应商;中游为HBM生产，下游应用领域包括人工智能、数据中心以及高性能计算等。国产HBM量产势在必行，当前国产HBM或处于发展早期，上游设备材料或迎来扩产机遇。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 赛腾股份 表示，公司HBM检测设备已得到海外大客户的认可并已批量出货，国内市场正在积极开拓中。 飞凯材料 先进封装材料如功能性湿电子化学品、锡球、环氧塑封料均可用于HBM制程，公司正与相关厂商密切合作开发与调试相关材料，共同提升HBM制程工艺成熟度。

SK海力士5日表示， 已与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判 。一位熟悉SK海力士的消息人士称：“ HBM4的供应价格将比HBM3E高出50%以上 。”SK海力士向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元（约合80万韩元）。此前业内预期SK海力士的HBM4单价约为500美元，但实际交付价格超出预期10%以上，比目前供应的HBM3E（约合370美元）价格高出50%以上。 SK海力士是英伟达的主要HBM供应商。据调查机构Counterpoint Research最近发表的报告显示，SK海力士在今年第二季度的全球HBM市场上以62%的出货量占据了首位，美光科技（21%）和三星电子（17%）紧随其后。 按照SK海力士的产品计划表，其HBM4已于9月完成开发并投入量产，将于今年第四季度开始出货，并计划于明年全面扩大销售。 韩媒表示，SK海力士与英伟达完成HBM4的价格和供应谈判，预计其明年业绩将创历史新高，这是因为受全球人工智能基础设施扩张的影响，HBM和通用DRAM的价格都在飙升。 SK海力士上周披露的最新财报显示， 该公司三季度的营收和利润同比暴增，创下纪录新高 。SK海力士在其财报中称：“由于客户在人工智能基础设施方面的投资不断增加，整个存储领域的需求大幅增长。因此，SK海力士再次超越了上一季度的最高业绩水平，这得益于12层HBM3E和面向服务器的DDR5等高附加值产品的销量增加。” 三季度，SK海力士实现营收24.45万亿韩元（约合人民币1212.72亿元），同比增长39%； 三季度，SK海力士实现营业利润11.38万亿韩元（约合人民币564.45亿元），同比增长62%。这也是SK海力士公司成立以来营业利润首次超过了10万亿韩元。 高带宽内存（HBM）是AI应用的核心部件，随着这种内存芯片显著提升数据中心的数据处理速度，其需求也迅猛增长。 为了满足日益增长的数据处理需求，HBM已经历了多轮迭代，HBM4为第六代产品。相关产品标准已于2025年4月由JEDEC正式确立，核心变革包括将接口位宽从1024位翻倍至2048位，带宽目标超过2 TB/s，并支持最高16层堆叠，容量可达64GB。三星、SK海力士、美光均已向客户交付样品，并计划于2025-2026年量产。 HBM4被视为一次重大的技术飞跃，其2048位接口和最高16层的堆叠将带来带宽和容量的巨大提升。业界（特别是三星和SK海力士）正在探索将HBM堆栈更直接地连接到处理器（如GPU）芯片上，甚至研究在中间层使用光子技术以追求极致的传输速度和能效。这种深度融合可能会模糊逻辑芯片和存储芯片之间的界限，让两者更紧密地集成在一起。

美东时间周二盘后，超威半导体公司（AMD）公布了其第三财季的业绩。财报显示，随着AMD进一步拓展人工智能数据中心业务，并增加了PC处理器的销量，该公司最新季度的利润和销售额均大幅增长。 然而，尽管这一季报业绩超出华尔街的预期，但考虑到该公司股价年内已经累计上涨107%，远远跑赢大盘，抛压不容忽视。叠加美股市场周二对于AI科技股高估值普遍担忧的大背景，该公司股票在盘后交易中有所下跌。 公司股价盘后下跌超3.7% 这一幕与一天前AI应用大牛股Palantir的表现非常相似。尽管该公司周一公布的新财报全面超越预期，且上调业绩指引，周二依然收跌7.94%。 AMD公布及格财报 与LSEG汇总的分析师共识数据相比，该公司在截至9月27日的第三财季业绩表现情况如下： 每股盈利：调整后为1.20美元，预期为1.16美元 营收：92.5亿美元，同比增长36%，预期为87.4亿美元 净利润攀升至12.4亿美元，即每股75美分，而上年同期为7.71亿美元，即每股47美分。 分部门来看， AMD的数据中心业务（包括用于人工智能的标准中央处理器和GPU）在本财年第三季度的营收为43.4亿美元，同比增长22%。分析师此前预计的营收为41.3亿美元。 客户端（包括PC处理器）营收达到27.5亿美元，同比增长了46%，超过了分析师预期的26.1亿美元，创下历史新高。 游戏业务的营收总计13亿美元，同比增长了181%，而分析师的预期为10.5亿美元。 对于第四财季，AMD预计营收约为96亿美元，这意味着将同比增长25%。这一数字略高于LSEG预计的91.5亿美元。AMD认为，该季度的调整后毛利率为54.5%，与分析师预计的54.5%一致。 该公司表示，此指引未包括其Instinct MI308 芯片向中国发货所产生的收入。高管们上一季度也曾如此表示。 AMD董事长兼首席执行官苏姿丰博士表示： “我们本季度业绩斐然，营收和盈利均创历史新高，这反映了市场对我们高性能EPYC和Ryzen处理器以及Instinct AI加速器的广泛需求。我们第三季度创纪录的业绩以及强劲的第四季度预期，标志着我们的增长轨迹明显提升。随着计算业务不断提升，数据中心AI业务快速成长，将显著公司推动营收和盈利增长。” AMD正与多家科技巨头合作 近几个月来，AMD正快速发展，试图在AI处理器市场赶上英伟达的脚步，并打破其在AI处理器上一家独大的局面。多年来，OpenAI 和其他公司一直依靠英伟达的GPU来运行大规模人工智能模型。 上个月，AMD与OpenAI达成协议，后者可能会获得AMD 10%的股份。两家公司表示，OpenAI 将在未来数年时间里、通过多个硬件世代，部署6吉瓦的 AMD Instinct 图形处理单元，从明年下半年开始将有1吉瓦的芯片进行首次部署。 同样在10月，甲骨文公司宣布，计划从明年开始在其云服务中部署5万块AMD Instinct MI450 人工智能芯片。 AMD执行副总裁、首席财务官胡锦在财报声明中表示：“我们对人工智能和高性能计算的持续投入正在推动显著增长，并使AMD能够创造长期价值。”