有投资者在投资者互动平台提问"能否介绍一下公司与英伟达最新铜缆连接技术的供应商安费诺合作的内容？"楚江新材3月21日在投资者互动平台表示，公司向其供应精密铜带和铜导体材料。 对于“公司的产品可以用于高速连接器制作吗？与哪一家公司有业务往来？”楚江新材3月21日在投资者互动平台表示，公司向下游电子元器件、电子连接器、精密仪器等企业提供精密铜带、铜导体材料等铜基材料作为关键零部件原材料，下游客户包括兆龙互连、新亚电子、安费诺、金信诺等相关企业。 楚江新材3月15日在投资者互动平台表示，江苏天鸟募投项目一期、二期项目已经达产，三期已于2023年建成投产，目前订单充足，具体经营数据请关注公司定期报告。 楚江新材3月2日在投资者互动平台表示，子公司天鸟高新的碳纤维缠绕技术可用于储氢罐的制造，相关产品研发进展请关注公司公开披露的信息。 对于投资者关心的“公司在回收利用方面的技术和应用”的问题，楚江新材2月27日在投资者互动平台回应： 铜再生资源循环利用技术是公司铜基材料的核心竞争优势之一，公司再生原料综合利用技术水平行业领先 ，“废铜生产高精密铜合金产品资源化处理技术”被中国资源综合利用协会授予“科学技术一等奖”；子公司天鸟高新是CIAR碳纤维复合材料再生与资源化利用联合创新实验室联合共建单位，针对废弃碳纤维增强复合材料日益剧增、难以自然降解以及高值化利用难度大等问题，与成员单位合作开展废弃CFRP高值化回收利用技术研究；子公司顶立科技生产的固废资源高值化利用热工装备主要包括用于退废动力电池、废线路板、废轮胎、废漆包线热解高值化利用等有机固废资源化利用。 对于投资者关心的公司的研发费用情况，楚江新材回应：公司研发投入主要用于精密铜带、铜导体材料、铜合金线材、精密特钢、碳纤维复合材料和高端热工装备及新材料六大类产品的技术改造升级、产品结构优化、新产品开发以及行业前瞻性技术研发等，以保持公司产品的市场竞争力，满足客户不断变化的需求，并为主营业务的长远发展提供充足的技术储备，持续推进产品和工艺向新领域、新应用场景拓展，往高质量、高附加值方向发展。 楚江新材2月27日还介绍：公司铜基材料的研发工作主要以产品结构的高端化调整为目的，以满足客户不断变化的需求，并为主营业务的长远发展提供充足的技术储备，持续推进产品和工艺向新领域、新应用场景拓展，往高附加值方向发展，以提高盈利水平。研发项目的具体情况请参见公司定期报告中的相关内容。 被问及“近日中央财经委会议强调“推进新一轮大规模设备更新和消费品以旧换新”。请问今年顶立科技热工装备订单是否饱满？”楚江新材2月27日在投资者互动平台回应：子公司顶立科技目前订单充足。此外，楚江新材还介绍：子公司顶立科技生产的金属基3D打印材料及制品目前主要应用于航空航天、国防军工等领域，具体营收情况涉及军工涉密信息，不便公开披露，敬请谅解。 被问及”公司铜材业务春节后恢复如何，现在加工单价费用同比上升还是下降！”的问题，楚江新材2月26日回应： 目前公司生产经营正常，具体经营情况请关注公司披露的定期报告及相关公告。 楚江新材发布2023年业绩预告显示：预计2023年归母净利润为5亿元-5.5亿元，同比增长274.06%-311.47%。 对于业绩变动的原因，楚江新材的公告显示：国内经济持续恢复向好，公司始终立足于自身发展，持续聚焦主业，稳中求进。 1、铜基材料板块，依托规模和成本优势，客户认可度和市占率不断提升，营业规模持续增长，同时市场逐步回暖，产品加工费有所提升，盈利能力进一步恢复。2、军工碳材料板块：始终保持良好的增长态势，子公司湖南顶立科技股份有限公司随着碳化钽项目的建成投产，营业规模和业绩快速提升；子公司江苏天鸟高新技术股份有限公司订单充足，业绩稳定。

周三，美国政府宣布将对英特尔提供85亿美元的芯片补贴和高达110亿美元的联邦贷款担保，这预计将是美国《芯片法案》中最大的一笔拨款。 而这差不多200亿美元的资金也成功撬动了英特尔在美更多的投资。周三，英特尔表示将在美国四个州投入1000亿美元，用于建设新工厂及升级现有工厂。 英特尔计划的一个核心是，最快在2027年，将在俄亥俄州哥伦布市打造全球最大的人工智能芯片制造基地，预计总投入为280亿美元。 除此之外，英特尔将在俄勒冈州斥资360亿美元对其希尔斯伯勒研发中心进行现代化改造和扩建，该基地此前已累计投资了590亿美元。亚利桑那州则将投资320亿美元进行两座新工厂的建设，剩下的40亿美元将被用于新墨西哥州的Fab 9芯片工厂。 英特尔信心满满地表示将在不远的将来让英特尔重回全球芯片老大的位置，而现在就是那个开始“烧钱”的时刻。 打败台积电的秘密武器 英特尔指出，1000亿美元计划中的30%将被用于劳动力和建筑成本之上，剩下的资金则拿来向荷兰阿斯麦、东京电子、应用材料公司等芯片设备供应商购买生产设备，这些设备将帮助诸如俄亥俄州世界级制造基地等产能在三四年后投入生产。 还有消息则称，英特尔计划中的大部分资金将投入到其18A工艺。 18A技术是英特尔用以挑战台积电霸主地位的秘密武器，被认为将在性能和效率方面全面超过台积电的最佳工艺。高管们预计英特尔18A将在2025年上线，并让英特尔重新获得工艺领先的地位。 英特尔CEO基辛格曾公开豪言表示，他对于自家的18A制程技术充满信心，甚至预期这项技术将在未来两年内无di于市场，超越当前领先的台积电N2(2nm)技术。他坦言，他已经把整个公司的赌注都压在了18A技术之上。 据IEEE Spectrum数据显示，英特尔18A工艺应用在ClearWater Forest服务器芯片，理论上将配备多达3000亿个晶体管，而英伟达在GTC大会上隆重介绍的Blackwell B200旗舰显卡也不过配备了2080亿个晶体管。 英特尔还预计将在2024年下半年开始推出新型的全栅级（GAA）晶体管架构的处理器芯片，而CleanWater Forest逻辑电路小芯片将采用该GAA架构的第二代版本。 英特尔表示，18A工艺将可以实现在同一单元中包含不同物理尺寸的GAA晶体管，这种可定制性将可以让工程师能够开发出更快也更高效的电路。 40亿美元的杀手锏 相比于其他三州的投资，英特尔在新墨西哥州的“烧钱”活动似乎十分保守，但有人认为新墨西哥州是英特尔千亿美元基础设施投资计划的一大亮点。 今年初，英特尔在新墨西哥州新建了一家名为Fab 9的工厂，用于生产3D封装组件。 据称每个ClearWater Forest处理器中的小芯片都将使用一种名为Foveros Direct 3D的新封装技术连接在一起，而这比英特尔当前使用的封装组件加强了16倍的连接能力，这将加速数据传输速度，从而提高处理速度。 而Fab 9工厂正是英特尔在先进封装技术上的模范工厂，被视为该公司在美国增加先进半导体产品产量的战略重点。同时，Fab 9也是英特尔与台积电在先进封装技术竞争中的前沿战场，在英特尔的千亿美元计划中十分关键。 背面供电技术 英特尔的18A和3D封装是确立优势的基石，而其即将面世的背面供电技术，有望让追求高性能和高能效芯片的客户蜂拥到其工厂。 这一背面供电技术被称为PowerVia。传统上，用于向芯片供电的细导线位于构成半导体所有层的顶部，而随着技术的进步，这一方法已经逼近极限。提供电力的电线最终将与连接组件的电线竞争造成换乱，从而浪费电力并降低效率。 而PowerVia将电源互连移至芯片背面，完美消除了上述风险。英特尔称这一变化将使芯片性能提高6%，电压降改善超过30%，简而言之就是更加“高能”。 这一工艺将被用于今年晚些时候推出的Arrow Lake PC芯片，随后，18A工艺将改进这一技术，并在2025年时向代工客户提供两大升级的组合版本。 据悉，台积电的背面供电技术比英特尔落后一年，三星则可能在2025年时再推出这一工艺。英特尔在背面供电领域无疑就是全球领先的玩家，加上18A的助力，其正在获得更多主要客户的青睐。 更加给力的是，美国政府慷慨地向英特尔拨出了近200亿美元的资金支持，让英特尔更有砸钱的底气。技术优势加上不差钱的阔气，正在让这家老牌半导体巨头奋起直追，全球半导体行业的格局也可能因此悄然变化。

据供应链透露，今年英伟达对CoWoS需求将较去年成长三倍。对此，黄仁勋未正面回应相关数字，不过，他两次强调今年对于CoWoS的需求非常高。 芯片封装由2D向3D发展的过程中，衍生出多种不同的封装技术。其中，2.5D封装是一种先进的异构芯片封装，可以实现从成本、性能到可靠性的完美平衡。英伟达的算力芯片采用的是台积电的CoWoS方案，这是一项2.5D多芯片封装技术，该方案具备提供更高的存储容量和带宽的优势，适用于处理存储密集型任务，如深度学习、5G网络、节能的数据中心等。甬兴证券指出，近期台积电订单已满，预估到2024年供不应求的局面才能得到逐步缓解。受于大模型百花齐放，算力需求快速攀升带动HPC增长，台积电产能不足可能会导致AI芯片大厂将目光转向其他OSAT，具备2.5D封装技术的封装大厂有望从中受益。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 通富微电 在高性能计算、新能源、汽车电子、存储、显示驱动等领域立足长远，大力开发扇出型、圆片级、倒装焊等封装技术并扩充其产能；此外，积极布局Chiplet、2.5D/3D等顶尖封装技术，形成了差异化竞争优势。 同兴达 表示，昆山同兴达聚焦显示驱动芯片的全流程封测工艺，同时也在加强其他先进封测技术的研发储备，包括但不限于Chiplet、cowos封测技术等。

铜缆高速连接概念股爆发，截至今日收盘， 线缆行业头部企业新亚电子四天三板，国内连接器领先制造商得润电子录得两连板，拥有高速组件（DAC铜缆）系列产品的兆龙互连两日涨45%，子公司生产DAC铜缆的沃尔核材涨停。 消息面上，英伟达在近期GTC大会上发布 GB200超级芯片 ，GB200NVLink Switch和Spine由72个Blackwell GPU采用NVLink全互连， 具有5000根NVLink铜缆 （合计长度超2英里）。英伟达官网显示，NVIDIA® Mellanox® LinkX® InfiniBand DAC铜缆是在InfiniBand交换网络和NVIDIAGPU加速的人工智能端到端系统中创建 高速、低延迟 100G/EDR、200G/HDR和400G/NDR链路的 成本最低的方式 。 通信网络是制约数据中心算力高低的关键因素，AI超算对于网络层数据传输速率和延时要求非常苛刻，需要高带宽、高速率的交换机和通信链路匹配。国盛证券宋嘉吉等人在2023年7月9日的研报中表示，AI超算和DCI场景中，主流交换网络的连接方案是 光模块+光缆、AOC（有源光缆）和DAC（直连铜缆） ，DAC也可分为有源ACC、AEC和无源DAC。 光模块+光缆最为主流，可以广泛、灵活应用于多种场景中，例如长距离电信传输网、中距离接入网和DCI、服务器架顶交换机等；光模块的I/O端口也可以广泛适配各种光纤连接器， 传输距离灵活可控 。AOC将光模块和光缆集成化，避免光口被污染的可能性，是 成本与性能折中 的一种优化设计方案。AOC专用于超短距离的架顶以太网或InfiniBand交换机的互联场景， 通常是100米传输距离 。 DAC没有光电转换模块，线缆两头是简单的电缆连接头，是 成本最低的高速互联方案 。由于铜的物理性能限制， DAC传输距离极短 ，且带宽越大，有效传输距离就越短。在速率从400G向800G升级中，其传输距离将从3m缩短到2m。据LightCounting测算， 到2027年DAC铜缆连接市场规模将超12亿美元，2023-2027年间复合增长达25% ，远超AOC市场14%的复合增速。 中国银河赵良毕在2023年6月30日的研报中表示，DAC铜缆解决方案以其低功耗、低成本及低损耗等优势， 或将在算力网络构建中形成自身的较高壁垒 ，随着我国互联网厂商数据中心内部逐步进行 “铜进光退” ，行业内相关公司亦值得关注。 据悉，A股上市公司方面，立讯精密在铜缆连接方面已基于自主研发的Optamax™散装电缆技术， 开发了112G PAM4无源铜缆、112G PAM4有源铜缆 ； 兆龙互联的DAC产品已在数据中心中广泛应用 ； 航锦科技已完成OSFP 800G DAC研发 ，目的是提供满足高速率IB网络数据传输的铜缆；中航光电自主研发的各类连接产品 涵盖英伟达最新提出的同类型铜缆连接器产品 。 据财联社不完全整理，还有 博创科技、上海贝岭、兆龙互连、天玛智控、楚江新材、沃尔核材、华脉科技、中天科技 在互动平台上回复铜缆（DAC）相关业务布局，具体情况详见下图：

美东时间周二，英伟达联合创始人兼CEO黄仁勋对外暗示，英伟达正考虑从韩国芯片巨头三星采购HBM芯片。 这一消息推动三星股价周三大涨，截至收盘涨5.6%，这是三星自去年9月以来的最大单日涨幅。 三星年初至今股价走势 与此同时，英伟达目前唯一的HBM3供应商SK海力士周三股价跌2.31%。 SK海力士年初至今股价走势 老黄爆料：将采用三星HBM芯片？ 在美东时间周二，英伟达GTC 2024活动的媒体见面会上，黄仁勋在提及HBM芯片时表示， 英伟达正处于对三星的HBM芯片进行测试的阶段，可能会在未来采用。 他还表示，英伟达“尚未”使用三星的 HBM 芯片. 上述这番表态，被媒体解读为老黄暗示英伟达将会在未来使用三星HBM产品。 “HBM存储芯片非常复杂，附加值非常高。我们在HBM上花了很多钱。”黄仁勋表示，“三星是一家非常、非常优秀的公司。” 三星和SK海力士正在快速前进 目前，三星的最主要竞争对手——SK海力士是英伟达唯一的HBM3供应商。就在周二，SK海力士才刚刚宣布， 它计划开始量产下一代高带宽存储芯片HBM3E。 虽然SK海力士没有透露新HBM3E的客户名单，但该公司一位高管透露，新芯片将首先发货给英伟达，并用于其最新的Blackwell GPU。 与此同时，三星也一直在大力投资HBM，以赶上竞争对手。该公司于今年2月宣布，已开发出HBM3E 12H，这是业界首款12层HBM3E DRAM，也是迄今为止容量最高的HBM产品。三星电子还表示，将于今年上半年开始批量生产该芯片。 “三星和SK海力士的升级周期令人难以置信，”黄仁勋在周二的媒体会上表示，“只要英伟达开始成长，他们就会和我们一起成长。我非常重视我们与SK海力士和三星的合作关系。”

本周英伟达GTC大会震撼开幕，引发投资者热烈关注。今日港股AI概念股也集体活跃走高，截至发稿，金山软件、赤子城科技双双涨超4%，美图公司(01357.HK)涨近3%，万国数据-SW(09698.HK)涨近3%，商汤-W、优必选等概念股纷纷跟涨。 消息面上，英伟达在本周举行的GTC大会上推出更强大的Blackwell架构的B200芯片及其算力集群。并与比亚迪、联想集团等中国企业宣布在硬件支持、平台开发等领域的新合作，AI概念股的行情也受到显著催化。 据浦银国际科技分析师沈岱、黄佳琦3月19日发布的报告，借助AI计算以及大模型的能力，英伟达的芯片的应用正在深入气候、医疗、自动驾驶、机器人、工业工程、软件等多个领域。 有业内人士表示，中国人工智能应用市场潜力巨大，英伟达更加主动地对中国市场进行开放，这对全球人工智能产业链供应链建设起到巨大促进作用。 此外，3月18日，国内AI独角兽月之暗面宣布其AI助手产品Kimi已支持200万字的无损上下文输入，令短线资金对涉及AI概念的上市公司持续追捧，场内热度抬升。 开源证券分析师方光照、田鹏3月19日的报告中认为，随着Kimi等AI产品持续迭代，AI应用商业化或加速。尤其在广告、电影、游戏等行业，国内外AI多模态大模型的持续突破或大幅降低成本，提升效率，扩大商业化空间。 值得注意的是，月之暗面联合创始人周昕宇还表示，在Sora发布之前公司就已经有多模态方面的研发，目前正在按照固有节奏推进，预计在今年将会有相关产品发布，也刺激了市场对国内AI产业的预期。 浦银国际还指出，无论是硬件端还是软件端，应用端还是工具端，各个行业对于AI的需求仍处于摸索的初期阶段，来自B端的需求仍在大幅落地和增长中。

上周有消息指出，美国拜登政府和商务部准备在3月底发放一大批《芯片法案》的补贴款，其中拜登将在本周亲赴亚利桑那州举办活动，期间官宣授予英特尔数十亿美元的建厂补贴。 但种种迹象显示， 拜登准备在亚利桑那“重铸美国芯片魂”的愿景，正在因为一系列现实的障碍变得愈发困难。 多家产业链厂商延后美国建厂计划 根据周二的最新报道，除了众所周知的“台积电延后亚利桑那厂建设计划”外， 一众半导体供应链厂商也纷纷推迟、甚至重新考量在亚利桑那州的建厂计划 。其中包括化学和材料制造商LCY化学、索尔维集团、崇越科技等。 很显然，缺少了这些厂商，台积电和英特尔的美国供应链自然也跑不通。大量供应商集体延后或者缩减美国厂的建设计划，也反映出当地的结构性问题。这些厂商普遍反映， 现在亚利桑那州建厂的成本已经飙升到“亚洲的四到五倍”，也比他们事前预期的要高出“几倍”。 由于亚利桑那州同时面临芯片、汽车等多个行业的投资涌入，不仅建筑材料和劳动力成本快速飙升，建筑工人也出现了短缺。叠加芯片大厂扩建速度慢于预期，供应链厂商“停下建厂脚步”也在情理之中。 LCY化学公司是台积电、英特尔和美光的供应商。公司透露，调整美国厂的建设速度后， 将先通过海运满足美国客户的需求，而不是急于在当地建厂 。公司CEO刘文龙明确表示，对于化学品来说，拥有经济规模对于实现经济效益至关重要。 比利时索尔维公司是高纯度过氧化氢供应商，目前已经延后亚利桑那工厂的建设，等待进一步评估。除了建厂成本担忧外，索尔维也提到英特尔、台积电在当地扩大产能所需的时间要比预期更长。 贝恩资本专攻制造业的合伙人Peter Hanbury解读称， 芯片化学品供应商的利润率要比晶圆厂更窄，所以对成本的上升更为敏感 。此外，这些工厂的建设周期也要比晶圆厂更短，所以完全可以等到客户就绪时再开始建设工厂。 在亚利桑那州半导体工厂普遍出现工期延后的背景下，拜登政府正准备向英特尔、台积电和三星等顶级大厂发放《芯片法案》补贴。根据程序，只有在这些大厂拿到补贴后，才会轮到化学品、材料生产商排队拿补贴。 关键还有对比 在全球多国都抢着上马本土芯片产能的背景下，亚利桑那州的问题就变得格外突出。 在台积电2021年开始建设的亚利桑那工厂后，这家芯片制造巨头也在2022年开始日本工厂的建设。就在上个月，台积电熊本工厂举办开业典礼，准备在今年晚些时候启动大规模量产。 目睹此情此景，《芯片战争：世界最关键技术的争夺战》一书的作者克里斯·米勒评价道，虽然相较于美国和欧洲，日本的态度并不张扬，但对企业提供的支持可能会更加多。 不过台积电曾低调地表示，不同国家间的项目本质上是无法比较的。公司在日本取得的成果应归功于“供应商、客户、商业伙伴、政府和学术界”的支持。根据过往报道，日本政府大概会给予台积电建厂成本一半左右的补贴，这笔钱到账的速度也相对较快。 此外，台积电进入日本市场之初，坚持要求本土巨头索尼参与项目，也被认为是正确的一步。除了双方长期的业务往来外，索尼与熊本当地的深厚联系，也为台积电解决了许多麻烦。 索尼发言人回应称， 公司帮助台积电在熊本工厂建设过程中取得广泛支持，包括确保水、电和工程技术人员的供应，以及获得相关的许可证和牌照。 经历全球建厂的种种情况后，台积电董事会在今年2月正式官宣将建设“熊本二厂”，计划今年开始建设，并于2027年投入运营。此前也有消息称，台积电已经和合作伙伴商讨过建设“熊本三厂”的事宜，可能会把3nm制程工艺的生产拓展至当地。

SK海力士3月19日在一份声明中表示，公司已开始量产高带宽内存产品HBM3E，将从本月下旬起向客户供货。此外，近日，花旗发布报告称，预计美光科技将在2024年3月20日公布的第二财季（F2Q24）财报数据超出市场共识预期，主要是由于DRAM（动态随机存取内存）价格上涨以及与Nvidia AI系统配套的高带宽内存（HBM）出货量增加。花旗将美光目标价从95美元大幅调高至150美元。 AI大模型的兴起催生了海量算力需求，而数据处理量和传输速率大幅提升，使AI服务器对芯片内存容量和传输带宽提出了更高的要求，而HBM作为一种专为高性能计算设计的存储器，其市场需求激增。华福证券杨钟表示，HBM是AI芯片最强辅助，正进入黄金时代。与GDDR相比，HBM在单体可扩展容量、带宽、功耗上整体更有优势，相同功耗下其带宽是DDR5的三倍以上。因此，HBM突破了内存瓶颈，成为当前AIGPU存储单元的理想方案和关键部件。TrendForce认为，高端AI服务器GPU搭载HBM芯片已成主流，2023年全球搭载HBM总容量将达2.9亿GB，同比增长近60%，2024年将再增长30%。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 江波龙 的内存条业务（包括DDR4\DDR5等）正常开展当中，公司具备晶圆高堆叠封装（即HBM技术的一部分）的量产能力。 华海诚科 颗粒状环氧塑封料（GMC)可以用于HBM的封装，相关产品已通过客户验证。

英伟达（Nvidia Corp.）首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）周二在接受媒体专访时表示，该公司最新一代AI训练芯片Blackwell GPU将以合理的价格吸引更广泛的客户群体。他对人工智能（AI）的增长持乐观态度。 这是继2022年3月发布的Hopper架构数据中心GPU之后，英伟达的最新一代旗舰产品，有望取代被“爆抢”的H100的市场地位。在命名序号上，最新亮相的产品直接跳过了100的序列，而是直接以“B200”命名。 黄仁勋表示，B200的售价可能在3万到4万美元之间。这个定价低于一些分析师的预期，他告诉分析师，他希望新芯片的定价能吸引尽可能多的客户。 不过他后来又补充说，英伟达将把其新芯片纳入更大的计算系统中，价格将根据它们提供的价值而变化。 此外，他预计B200将于今年晚些时候发货。黄仁勋说，英伟达正在与台积电合作，以避免芯片封装瓶颈，正是因封装瓶颈致使其上一代旗舰AI处理器的出货速度放缓。 “上次需求量急剧上升，但这一次，我们对Blackwell芯片的需求有了充分的了解。”他说。 英伟达首席财务官Colette Kress 也表示， 新芯片及其基于的系统将于“今年晚些时候”上市 。她表示，虽然该公司对需求激增的相关准备比当前一代产品做得更好，但仍可能存在供应限制。 看好全球数据中心市场 在本次采访中，黄仁勋还提到，由于生产的芯片和软件种类繁多，英伟达可以从全球对数据中心设备的投入中获取一大块收入。他表示，全球每年在数据中心设备上的支出将达到2,500亿美元，英伟达获得的份额会高于其他芯片制造商。 他强调，该市场每年增速高达20%。 此外，英伟达还在致力于开发软件，以允许人工智能技术在各行各业得到采用。该公司提供人工智能模型和其他软件，然后根据客户需要使用的算力和运行计算的芯片数量进行收费。 黄仁勋周二在加州一个投资者活动上表示，“我预期是这将是一个非常大的业务”。 总而言之，他指出，英伟达正在从销售单个芯片转向销售整个系统，有可能赢得数据中心内更大的“蛋糕”。 “英伟达不是制造芯片，而是建造数据中心，”他说。

“这是块非常非常大的GPU！”今日凌晨GTC大会如期举行，英伟达CEO黄仁勋发布最新一代AI芯片架构Blackwell。这场备受业界期待的大会上，首款Blackwell芯片GB200采用铜缆连接更是成为一大亮点，牵动市场神经。 财联社记者今日多方采访获悉，因速率更快且价格更低，采用铜缆连接未来将是数据中心发展的方向，不过完全铜缆化需要较长时间，部分厂商已研发出800Gb/s的高速电缆组件，但尚未批量生产，光模块仍是主流技术。 黄仁勋表示，GB200将于今年晚些时候上市。相关报道显示，英伟达GB200 NVLink Switch和Spine由72个Blackwell GPU采用NVLink全互连，具有5000根NVLink铜缆（合计长度超2英里）。 从A股市场表现看，今日高速连接器概念发酵，铜缆方向领涨：华丰科技（688629.SH）、鼎通科技（688668.SH）、新亚电子（605277.SH）、兆龙互连（300913.SZ）等多股涨停，金信诺（300252.SZ）、亦东电子（301123.SZ）等大幅冲高。 财联社记者从立讯精密方面获悉，铜连接一直是其通讯业务核心产品。公司在铜缆连接方面已基于自主研发的Optamax™散装电缆技术，开发了112G PAM4无源铜缆（DAC）、112G PAM4有源铜缆（ACC），通过Optamax™超低损耗高速裸线以符合MSA标准的paddle card和cage技术，将8个通道组合在一起，以每通道高达112 Gbps的速度运行到一个高密度数据接口（MDI）中，并与Marvell的DSP芯片结合，即 可提供超过800 Gbps的聚合数据吞吐量 。 立讯精密方面告诉记者，目前公司已能将铜缆的应用长度进一步延长到5米，满足数据中心柜内及柜间的铜缆应用拓展需求，而这正是当下在短距（小于5米）传输中替代光模块最具性价比的方案。 同时，财联社记者以投资者身份致电兆龙互连证券部获悉，该公司已研发出800Gb/s高速电缆组件。 此外，金信诺方面告诉记者，其布局的应用于数据中心领域的高速业务已获国内主流服务器厂商供应商资质并实现稳定交付；同时，去年内还获得了一家海外厂商的供应商资质。 不过，兆龙互连人士称，“部分厂商都已研发出了800Gb/s产品，但还没有正式运用到服务器方面，因为现在国内这一块的速率其实都不高，主要是100Gb/s、200Gb/s，国外的话可能会用到400Gb/s产品。” 一家AI公司的相关负责人也告诉财联社记者，铜缆目前的问题在于无法长距离传输，但数据中心的线缆一般需要20米以上。 据财联社记者测算，上述英伟达GB200每根NVLink铜缆长度约0.64米。该人士进一步表示，“英伟达这个方案每根铜缆的长度不超过一米，这个长度的铜缆传输技术目前已经较为成熟。” 铜缆的可行性得到确认，是否意味着“光退铜进”？有分析人士告诉财联社记者，其实这一趋势早已开始，这一担忧去年就已消化。去年，英伟达发布的GH200第一层也使用了铜，但光模块是必不可少的。”前述AI公司负责人亦表示，光模块被取代暂时不太可能，完全铜缆化需要很长时间。目前已经有数据中心部分使用铜缆传输，但服务器用的都是光模块接口，因此铜缆的两端也需要适配光模块。” 光模块龙头中际旭创（300308.SZ）证券部人士今日则告诉记者，“光模块被取代属于网上的传闻。”天孚通信（300394.SZ）方面亦称，光模块和铜缆的使用情况取决于客户的技术方案，现在主流技术还是光模块。 此外，黄仁勋在GTC大会上还表示，此前OpenAI最大模型已有1.8T参数，即使一块PetaFLOP级的GPU也需300亿秒（约1000年）才能完成。为此英伟达必须首先拿出新GPU，即Blackwell。 会后，黄仁勋的这一表述被一部分媒体解读为“使用新款GPU训练AI模型可提前1000年达到预期”，引发业内诸多讨论。针对这一说法，前述AI公司负责人表示，这个表述用了一些夸张手法，因为对比的是一张单卡1PFlops（每秒浮点运算数）的单机进行训练的结果，但实际上目前所有的训练都是千万张卡集群合成的结果。例如莫斯科国立大学(MSU)去年上线的最新超级计算机“MSU-270”，其AI计算性能为400PFlops。