在AI的推动下，台积电的晶圆厂产能需求紧张已经是公开的秘密。于是近几年，除了在台湾加紧扩张外，台积电还加快了海外扩张的步伐。当中尤其以美国最为激进、但近日，据台媒Digitimes透露，台积电在美国计划又变了，Digitimes在报道中指出，台积正加速扩大亚利桑那投资，目前总金额高达1650亿美元，加上先前规划将有6座晶圆厂与2座先进封装厂。但在美国期盼下，台积再追加投资，于现有厂区购得第二块土地，计划扩展为一独立的超大晶圆厂（GIGAFAB）聚落。 “据了解，台积电亚利桑那晶圆厂与先进封装厂将再各新增2座，共计12座厂，目前来看，资本支出不只是2026~2028年创高，2029、2030年也将维持高档。”Digitimes在报道中强调。 也就是说，届时台积电在美国会有8座晶圆厂+4座封装厂。总而言之，台积电进一步了Next Level。 台积电在美国，一路狂奔 台积电在美国的扩张，可以追溯到当初的新冠疫情。在当时的拜登政府推动下，台积电正式开启了美国建厂计划。 2020年五月，台积电宣布，在获得美国联邦政府和亚利桑那州政府的相互理解和支持后，台积电计划在美国建设和运营一座先进的半导体工厂。 根据一开始的规划，该工厂将建于亚利桑那州，采用台积电的5纳米制程技术进行半导体晶圆制造，月产能达2万片，将直接创造超过1600个高科技专业岗位，并在半导体生态系统中间接带动数千个就业岗位。工厂计划于2021年开工建设，预计于2024年投产。台积电在该项目上的总投资（包括资本支出）在2021年至2029年间约为120亿美元。 到了2022年12月，台积电公布，将把对美国一家巨型工厂的投资增加两倍以上，达到 400 亿美元。据介绍，台积电在美的第二家工厂将于2026年投产，生产3纳米芯片。 到了2025年三月，台积电宣布，计划追加1000亿美元投资美国先进半导体制造业务。此前，台积电已在亚利桑那州凤凰城的先进半导体制造业务中投资650亿美元，此次追加投资后，台积电在美国的总投资预计将达到1650亿美元。此次扩建计划包括新建三座晶圆厂、两座先进封装厂以及一个大型研发中心，这将使该项目成为美国历史上规模最大的单笔外国直接投资项目。换而言之，到这个时候，台积电在美国已经规划了六个晶圆厂和两个封装厂。 当年7月，魏魏哲家示，在亚利桑那州追加1000亿美元投资后，公司将加快多个制造工厂的生产进度。他指出，由六座工厂组成的“超级晶圆厂”集群建成后，将占台积电在该州2纳米及更先进工艺半导体产能的30%。 现在，如文章开头所说，台积电将在美国的制造设施再翻番。 关于这些晶圆厂的规划，台积电在官网中表示： 首个晶圆厂：采用 N4 工艺技术的大规模生产将于 2024 年第四季度开始。 第二座晶圆厂：晶圆厂结构于 2025 年竣工。计划于 2028 年采用 N3 工艺技术进行批量生产。 第三座晶圆厂：2025年4月，台积电第三座晶圆厂破土动工，计划采用N2和A16工艺技 术，目标是在本十年末实现量产。 从相关报道看来，台积电美国厂的产能应用似乎也符合预期，这体现在他们当地工厂的盈利状况。 数据显示，自2021年正式启动运营以来，该工厂一直处于建设和产能爬坡的“烧钱”阶段。财报数据显示，在2021年至2024年的四年间，该子公司累计产生了高达85亿人民币的营运亏损。其中，仅2024年一年的亏损就达到30亿。但到了2025年，台积电这个亏损状况被彻底扭转。财报指出，亚利桑那子公司在2025年实现了161.4亿新台币（约合34.84以人民币）的盈余。 而且，按照台媒所说，由于美国政策力推在地制造，台积电美国厂产能持续抢手，先前传出后续将开出的三厂产能已陆续被客户预订，最新传出进一步延伸到埃米制程等级，代表亚利桑那州第四座厂产能也已被包下。报道进一步指出，台积电位于亚利桑那州的新Fab 4 工厂的建设尚未开始，但其产能已排满至2027年底，这再次有力地证明了市场需求的持续旺盛。 台湾本土，持续扩产 作为台积电的发源地，台积电在台湾岛上的扩产也一直没有停歇。在去年年底的财报会上，台积电就曾表示，公司2026年资本支出计划最高将达560亿美元，较2025年实际支出409亿美元大幅增长37%，创下该公司历史新高。 针对当时大家一直关注的台积电赴美将让台湾失去“硅盾”这个说法，台积电财务长黄仁昭当时曾回应道：“我们持续加快在亚利桑那州的投资，但最先进工艺的根留台湾是核心原则。” 据当时的报道，台积电表示 2 纳米技术在 2025 年第四季度已于新竹和高雄同步开始量产，良率良好，预计 2026 年将快速爬坡。N2P（增强版）计划今年下半年量产。A16（采用超级电轨技术）计划2026 年下半年量产。为此，台积电正尽量加速现有晶圆厂建设。 在今年二月，台积电董事会核准了资本预算449.62亿美元，用以建置先进制程、先进封装、成熟制程或特殊制程产能，以及厂房兴建及厂务设施工程。台积电指出，董事会核准的资本预算主要是为因应基于市场需求预测，及技术开发蓝图所制定的长期产能规划，包含建置及升级先进制程产能、先进封装、成熟及特殊制程产能，与厂房兴建及厂务设施工程。 台积电在官网表示，2025年，台积公司及其子公司所拥有及管理的年产能超过1700万片十二吋晶圆约当量。其中，台积公司在台湾设有六座十二吋超大晶圆厂、四座八吋晶圆厂和一座六吋晶圆厂。 二月底，有一个报道指出，台积电正在加速在台湾的制造扩张，业内人士表示，到2026年，台湾各大科学园区可能有多达10座晶圆厂正在兴建或准备投产。英媒New electronics周一（23日）报导，这一发展反映这家芯片制造商在全球需求不断增长的情况下，努力扩大先进制程技术和封装产能的决心。 根据供应链报告，台积电目前的重点仍是尖端制程，包括2nm、A16和A14。新竹宝山Fab 20 内的P3和P4工厂正在进行前期工程工作，这些工厂将作为2nm以下制程技术的生产基地。 如上所述，台积电于2025年底开始量产2纳米制程，Fab 20（位于台积电全球研发中心旁）和新建成的位于高雄的Fab 22同时投产。 Fab 20目前已进入稳定生产阶段，预计月产量在2万至2.5万片晶圆之间。 在台湾中部科学园区，台积电正在建造Fab 25，作为其1.4nm制程中心。园区计划兴建四座晶圆厂，桩基工程已于2025年底启动。预计风险试产将于2027年底开始，随后于2028年下半年全面量产。 该地区在先进封装领域也将扮演核心角色。位于台中的AP5B工厂计划于2026年竣工，而位于嘉义的AP7 P1封装工厂的建设也正按相近的时间表推进。随着下一代芯片设计对后端制程的要求日益复杂，这些项目将进一步巩固台湾中部作为重要封装生产中心的地位。 在高雄，作为台积电2nm制程工程核心的Fab 22工厂，多个建设阶段正在并行推进。 P1工厂已于去年下半年投入量产，P2工厂已完成设备安装并开始试生产，P3工厂的结构建设也已基本完成。 P4和P5工厂的建设工作也在进行中，预计所有五座工厂将于2027年第四季全面投入营运。 台南正逐渐成为先进制程扩张的另一个战略要地。为了满足日益增长的2nm产能需求，台积电计划在台南A区追加投资。如果其P1项目在4月通过环境评估，最快可能在5月开工。 日本和德国，两样情 在台电的海外扩张中，除了美国意外，日本和德国也是两个发展重点，但两地的表现差距甚大。 在2024年8月20日，台积电表示，台湾积体电路制造股份有限公司、罗伯特博世公司、英飞凌科技股份公司及恩智浦半导体公司合资成立之欧洲半导体制造公司（ ESMC ）今日为其在德国德勒斯登的首座半导体晶圆厂举行动土典礼，正式启动初期土地准备阶段。政府官员、客户、供应商、业务伙伴及学术界贵宾受邀出席共襄盛举，一同见证此欧盟首座采用鳍式场效电晶体（ FinFET ）技术提供专业积体电路制造服务之晶圆厂所缔造的里程碑。 但随后，这个工厂缺鲜见公布新进展，反而甚至屡屡传出延迟的消息。反观日本，则完成了从一开始布局传统制程，到现在转向先进制程的跃升。 2021年11月，台积电和索尼半导体解决方案公司联合宣布，台积电将在日本熊本县成立子公司日本先进半导体制造株式会社（“JASM”），以提供采用 22/28 纳米工艺初始技术的代工服务，满足全球市场对特种技术的强劲需求，SSS 将作为少数股东参与其中。 JASM在日本的晶圆厂计划于2022年开工建设，目标是在2024年底前投产。该晶圆厂预计将直接创造约1500个高科技专业就业岗位，并具备每月4.5万片12英寸晶圆的产能。在获得日本政府的大力支持后，该项目的初始资本支出预计约为70亿美元。 到了2024年，双方宣布，将进一步投资台积公司于日本熊本县拥有多数股权之晶圆制造子（ JASM ），以兴建第二座晶圆厂，并计划于2027年底开始营运。丰田汽车公司也将投资JASM少数股权。 为了回应客户需求成长， JASM在日本的第二座晶圆厂计划于2024年底开始兴建，生产规模扩增亦有望优化JASM的整体成本结构和供应链效率。藉由这两座晶圆厂， JASM熊本晶圆厂的每月总产能预计超过10万片12吋晶圆，为汽车、工业、消费性和高效能运算（ HPC ）相关应用提供40纳米、 22/28纳米、 12/16纳米和6/7纳米的制程技术。 从后续进度看来，这些厂也如期推进。 2024年12月，台积电位于日本熊本县的晶圆厂（熊本一厂）正式按照计划开始量产。据熊本县知事木村敬透露，熊本二厂计划于2025年第一季度动工，目标是在2027年年底投产，更先进的6纳米芯片生产线也将随之落地。 但进入近日，台积电批准了全球最大半导体代工企业台湾积体电路制造公司（TSMC）在日本熊本第二工厂生产3纳米制程尖端半导体的申请。该工厂目前仍在建设当中，将于2028年启动量产。 台积电今年2月透露，原计划在熊本第二工厂生产6纳米制程半导体，但正在考虑改产性能更强的3纳米产品。台积电称，更改计划是为了应对“客户需求”，预计相关产品将被用于人工智能（AI）等领域。 在制程不断缩小的半导体领域，3纳米属于在日本尚无先例的尖端技术。台湾当局希望防止顶尖技术被转移至海外。但据台媒报道，经济部认为台湾已拥有更先进的技术，因此批准了在熊本的生产。 至此，台积电在日美有了此先进的制程。 写在最后 在台积电于上述诸地高歌猛进的同时，公司在技术上也稳步推进。无论是16A等先进制程，还是先进封装，或者是对硅光的投入，台积电都没有落后。例如台积电指出，旗下硅光子整合平台COUPE预计今年进入量产，成为推动共同封装光学（CPO）落地的关键里程碑，宣告AI光通讯正式进入产业化倒数阶段。 科技媒体 Wccftech 在3 月 31 发布博文，报道称因人工智能需求激增，导致 3 纳米产能全面告急，目前仅能优先保障等核心客户订单。 咨询(TrendForce)3月12日发布的数据显示,去年全球前十大晶圆代工企业的年度总营收为1695亿美元,同比大增26.3%,创下行业历史新高。 其中，行业龙头台积电去年实现营收1225.4亿美元,市场占有率达69.9%。人工智能(AI)服务器用图形处理器(GPU)以及谷歌(Google)张量处理单元(TPU)等先进制程产品的爆发性需求,成为推动营收增长的主要动力。与前一年相比,其营收增幅高达36.1%,在头部厂商中涨势最为迅猛。 由此看来，这家全球晶圆巨头，似乎已经立在了不败之地。

4月2日消息，据报道，中国AI芯片市场格局正在重塑，本土厂商以快速攀升的市占率，不断撼动英伟达长期以来的主导地位。 市场研究机构IDC的最新报告显示，2025年中国AI加速服务器市场中，本土芯片厂商的市场份额已攀升至约41%，正逐步缩小与行业龙头英伟达的差距。 报告数据显示，2025年中国市场AI加速卡总出货量达到约400万张。其中，英伟达虽仍以约220万张的出货量保持市场首位，占据55%的份额，但其领先优势正显著收窄。 相比之下，中国本土厂商合计出货约165万张，成功占据了超过四成的市场份额。在中国厂商阵营中，华为成为了无可争议的领跑者，其AI芯片出货量约为81.2万张，占据了国产芯片总出货量的近一半。 阿里巴巴旗下的半导体公司平头哥紧随其后，出货量约为26.5万张，展现了互联网巨头在底层硬件领域的强劲实力。百度昆仑芯与寒武纪则并列出货量第三位，各自出货约11.6万张，共同构成了国产AI芯片的第一梯队。 此外，海光信息、天数智芯和沐曦等厂商也在市场中占据了一席之地，分别占国产厂商出货量的约5%、4%和3%，显示出多元化竞争格局正在形成。 IDC的报告还指出，2025年以来，各地智能计算中心的建设热潮为国产芯片提供了广阔的应用场景。这些项目在采购设备时普遍倾向于采用国产芯片，直接推动了本土厂商市场份额的快速增长。 面对竞争压力，英伟达也并未放弃中国市场。在3月举行的GTC大会上，其CEO黄仁勋透露，专供中国的H200芯片已获得部分采购订单，公司正在重启相关产品的生产。 英伟达CFO在此前的财报电话会上也坦言，中国本土竞争对手正取得积极进展，长期来看有可能“颠覆全球AI产业的结构”。

4月2日，据报道，在短短一周多的时间内，内存条市场经历了剧烈的价格跳水。以DDR5为代表的内存条近日持续降价，部分产品降幅达到30%！ 据悉，从上周开始，内存市场价格出现了显著回落。据深圳华强北电子市场的商户透露，多款主流内存产品价格直线下跌。 目前，16G内存已从上周的900元高位降至目前的700元左右。而32G规格的内存产品降幅更为惊人，普遍下调了约300元，部分品牌的跌幅甚至直接达到了30%。 这种短时间内的价格巨震在近期市场中相当罕见。目前上游经销商的出货意愿明显增强，试图通过降价来加速回笼资金，但市场反应却较为冷淡。 消费者普遍持有买涨不买跌的心理。由于担心现在入手后价格会继续下探，大多数人选择了继续等待，这种典型的观望心态导致市场并未因为降价而出现成交热潮。 自去年第四季度开启涨价潮以来，高昂的价格严重抑制了个人消费者的购买欲望。许多用户为了节省开支，不得不选择容量更小的内存，或者直接转向二手市场寻找替代品。 这种需求的萎缩直接导致了内存产品整体出货量的下滑。不少华强北从业者表示，去年的持续涨价对生意造成了不小的冲击，成交量普遍大幅萎缩。 由AI数据中心吸纳太多存储产能导致的存储产品普遍缺货、涨价，是否到达了一个拐点，目前尚难以下定论。 但在持续数月的价格上涨后，部分存储产品出现价格回调，可能已说明市场供需确实出现了变化。

SMM 4月1日讯：4月1日，半导体指数开盘拉涨逾2%，个股方面，炬光科技、派瑞股份、芯原股份盘中一同涨逾10%，长光华芯、晶合集成。兆易创新、甬矽电子等多股纷纷涨逾7%。 消息面上，智通财经获悉，尽管伊朗冲突带来的外部风险持续升温，但受益于存储芯片需求极度旺盛，韩国3月出口延续强劲增长态势，为经济提供了有力缓冲。半导体成为韩国出口增长的主要驱动力，其3月芯片出口额达328亿美元，创下历史新高，主要得益于全球企业在AI热潮之下对于韩国两大存储芯片超级巨头——三星电子与SK海力士的DRAM/NAND存储芯片依旧需求无比强劲。受全球对人工智能(AI)和数据中心持续投资的推动，韩国3月的月度芯片出口同比可谓狂飙式增长151.4%。韩国贸易部表示，汽车、石油产品和计算机的出口也有所增长。 此前，韩国贸易协会（KITA）预计，今年韩国存储半导体出口额将从1140亿美元增长至1250亿美元，增幅达9.6%。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）最新公布数据，2025年，全球半导体销售额同比增长25.6%至7917亿美元，预估2026年全球半导体市场销售额继续保持强劲增长，将同比增长26.3%，实现9750亿美元。 而近期，国产半导体产业链企业交出的一众表现出色的业绩报告，同样对本轮半导体板块的上涨提供了助力。 具体来看： AI芯片设计龙头 寒武纪 方面，其2025年业绩报告显示，公司2025年营收达64.97亿元，同比增长453.21%；归属于上市公司股东的净利润20.59亿元，上市以来首次实现年度盈利。提及公司营收增长的原因，寒武纪表示，主要受益于人工智能行业算力需求的持续攀升，公司凭借产品的优异竞争力持续拓展市场，积极推动人工智能应用场景落地，报告期内营业收入较上年同期大幅增长。 国产高端处理器与 AI 算力芯片的龙头企业 海光信息 此前也发布了2025年业绩报告，公司2025年共实现143.76亿元的营收，同比增长56.91%；净利润25.42亿元，同比增长31.66%。海光信息表示，报告期内，随着全球人工智能产业的发展，市场对公司产品需求不断提升，公司在高端芯片市场，为客户提供高性能、高可靠、低功耗的产品及优质的服务，不断扩展与整机厂商、生态伙伴在重点行业和重点领域的合作；同时，公司持续加大研发投入，通过技术创新迭代、产品性能提升等举措，持续保持了国内领先的市场地位，整体经营呈现良好发展态势。 此外，公司还同时发布了2026年一季度的业绩预告，预计其一季度实现归属于上市公司股东的净利润在1.14~2.14亿元，同比增长22.56%到 42.32%。提及公司业绩变化的原因，海光信息表示，公司持续加大研发投入力度，产品竞争力不断增强。国产高端芯片随着人工智能产业需求的提升市场需求持续攀升，公司通过持续加大研发投入、不断优化产品性能、提升产品迭代速度，推动公司高端处理器产品的市场版图扩展，实现了公司营业收入的显著增长，整体业绩的持续增长。 在封测设备与制造环节， 长川科技 的表现也十分亮眼。据2025年业绩预告显示，公司预计2025年净利润同比增长172.67%-205.39%，主要是因报告期内，受半导体行业需求持续复苏与客户需求旺盛的双重驱动，公司多产品线销售订单增加，销售收入同比大幅增长，使得利润同比大幅上升。 国内半导体行业的量检测设备龙头 中科飞测 此前发布业绩快报，公司2025年实现20.53亿元，同比增长48.75%；归属于上市公司股东的净利润在5771.24万元，相比2024年同期扭亏为盈。提及影响业绩的因素，中科飞测表示，公司 2025 年度实现营业总收入 205,329.82 万元，同比增长 48.75%，主要得益于公司在突破核心技术、持续产业化推进和迭代升级各系列产品的过程中取得的重要成果，公司在核心技术、客户资源、产品覆盖广度及深度等方面的全面竞争优势进一步增强，新系列产品及现有系列升级迭代产品收入贡献增长，推动公司订单规模及营收规模持续增长。公司净利润扭亏为盈主要系规模效应逐步凸显，公司研发投入稳步增长但占营业收入的比例同比有所下降，盈利水平提升。 晶圆厂龙头企业 中芯国际 2025年营收673.23亿元，净利润50.41亿元，同比增长36.3%，公司产能利用率达93.5%，产能利用率持续高企。 中芯国际表示，2025年，受美国关税政策、地缘政治及新兴市场复苏等多因素共同作用，智能手机市场稳中有增，个人电脑市场换机周期开启，销量增长；消费电子、智能穿戴等设备受端侧AI 驱动，市场持续稳健扩张。产业链在地化转换继续走强，更多的晶圆代工需求回流本土。 公司各项经营业绩稳中有进、质效向好。经营业绩稳步提升，继续位居全球纯晶圆代工第二位置。产能建设扎实推进，总体产能利用率业界领先。工艺研发和平台建设稳步拓展，产品竞争力和市场影响力显著增强。开放合作成效显著，与产业链供应链上下游合作伙伴密切交流，与高校、科研院所共同创新人才培养模式。管理赋能凝聚合力，扎实推进数字中芯建设，坚定开放合作，凝聚共识、形成合力。 设备龙头企业 中微公司 2025年全年共创下123.85亿元的营收，创下历史新高，同比增长36.62%；净利润21.11亿元，同比增长30.69%。其中刻蚀设备销售98.32亿元，同比增长35.12%；薄膜设备销售5.06亿元，同比暴增224.23%。中微公司表示，其针对先进逻辑和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，在先进逻辑器件和先进存储器件中多种关键刻蚀工艺实现大规模量产。 作为全球内存接口芯片的龙头，以及AI互连芯片的核心厂商， 澜起科技 3月30日晚间发布2025年业绩公告称，2025年度，公司实现营业收入54.56亿元，较上年度增长49.9%；归属于上市公司股东的净利润22.36亿元，较上年度增长58.4%。对于公司业绩增长的原因，澜起科技表示，受益于AI 产业趋势，行业需求旺盛，公司的互连类芯片出货量显著增加，推动公司相关产品销售收入较上年度大幅增长。 而身为国内半导体存储芯片 + 通用 MCU双料龙头的 兆易创新 发布2025年业绩报告称，2025年实现营业收入92.03亿元，同比增长25.12%；净利润16.48亿元，同比增长49.47%。兆易创新表示，行业层面，存储行业周期向上，供需结构优化推动产品价量齐升。战略层面，公司积极拥抱 AI，发展定制化存储、较高算力 MCU 和 AI MCU 等新业务、新产品，围绕不同领域的客户需求，提供与之相适应的解决方案。公司始终坚持以市场占有率为核心的发展目标，持续深化多元化产品布局，多领域需求增长与公司丰富的产品矩阵形成高效协同，为全年业绩稳步攀升提供坚实支撑。 机构评论 华泰证券指出，SEMI预计全球半导体销售额2026年将增长23%至9750亿美元，提早四年接近万亿美元里程碑。存储量价齐升是半导体行业超预期增长的主要动力之一。TrendForce预测2026年一季度DRAM合同价格环比上涨90%～95%。据Digitimes，2026年二季度DRAM价格可能进一步上涨70%，IDC认为短缺或持续至2027年。除非消费电子需求出现显著下滑，否则存储涨价和供不应求情况有望持续全年。 爱建证券指出，本轮半导体产业升级核心，不仅是终端需求扩张，而是AI正在重塑产业链的价值承载环节与供给约束位置。随着算力需求由训练向推理迁移，产业景气的核心拉动已从单一先进逻辑扩产，逐步转向以HBM、先进封装和高性能互连为代表的系统级能力升级；对应到设备端，行业竞争也正由单点设备的国产替代，进一步演进为围绕关键工艺、复杂良率与平台化能力的深层突破。

3月31日消息，据报道，Rapidus总裁兼首席执行官小池淳義表示，正在加速推进先进制程技术的研发，目标是在1nm工艺节点上将与台积电的技术差距缩小到大约6个月。 据了解，台积电的1.4nm和1nm工艺可能会率先部署在中国台湾中部科学园区，名为Fab 25，预计投资约490亿美元，计划建设四座晶圆厂。 其中第一阶段的两座晶圆厂专门用于1.4nm工艺，预计2028年下半年量产，第二阶段再推进到1nm工艺。传闻台积电将在1nm工艺节点首次使用High-NA EUV光刻机，相关开发工作预计在2030年前完成，并大约在2030年实现量产。 与此同时，Rapidus计划今年开始开发1.4nm工艺，量产时间预计为2029年，有可能与三星的时间点较为接近。若要在1nm工艺上将与台积电的差距缩小至6个月，意味着Rapidus很可能需要在2030年下半年至2031年之间进入量产阶段。 Rapidus是由索尼、丰田、NTT、三菱、NEC、铠侠和软银等八家日本企业于2022年成立的合资企业，旨在实现本地化先进半导体工艺的设计和制造。 目前，Rapidus已在日本北海道千岁市建造了创新集成制造工厂（IIM-1），目标是2027年量产2nm芯片。 此外，Rapidus还计划在2027财年（2027年4月至2028年3月）开建第二座晶圆厂，并规划更先进的1.4nm乃至1nm工艺。

随着半导体需求的激增，日本半导体材料巨头JX先进金属公司(JX Advanced Metals Corp.，简称JX金属）正计划加大对芯片和信息技术材料的投资。 该公司总裁Yoichi Hayashi表示，公司计划每年在所有业务部门投入约1,000亿日元（6.23亿美元），重点将放在与芯片相关的业务上。在过去三年中，该公司平均每年投入900亿日元。 JX金属是人工智能数据中心快速建设的受益者之一，其客户包括台积电、SK海力士和英特尔等全球芯片制造商。这促使该公司从传统的铜冶炼业务转向芯片和信息技术材料。 Hayashi在接受采访时称，“我不认为我们应该盲目扩大投资，但如果在有明显机会时犹豫不决，那就大错特错了。我认为现在是我们需要承担一定风险的时候。” 由于需求高于预期，JX金属将截至3月31日财年的营业利润预期上调了20%。该公司生产的半导体材料磷化铟销售强劲，公司表示将追加投资，扩大产能。 Hayash说，鉴于供需紧张，公司正在与客户协商提高产品价格。他补充说，不同产品的涨价幅度不同，但没有透露具体细节。 其认为中东战争不会对公司运营产生重大影响，但正在关注局势的发展。 JX的目标是在截至2040年3月的财政年度之前，在包括芯片材料业务在内的增长型部门实现2,000亿日元的营业利润。而最近一个财年的营业利润约为520亿日元。 （文华综合）

近日，日本光学巨头尼康（Nikon）发布了其历史上最为惨烈的亏损预警——预计2025财年将出现850亿日元的巨额亏损，创下公司自1917年创立以来的百年最差纪录。 其核心的光刻机业务遭遇全线溃败，让昔日光刻霸主正陷入空前生存危机。 援引多处报道显示：过去半年，尼康光刻机仅出货9台，且全部为技术含量较低的成熟制程老款设备，技术代际明显滞后。 这意味着，这家曾经与英特尔、AMD深度绑定、制定行业标准的王者，在先进制程领域已彻底失去竞争力。尼康不仅未能承接住这一波AI算力爆发的红利，反而因订单大幅萎缩和库存积压，陷入了前所未有的财务泥潭。 与之形成刺眼对比的是，2025年荷兰ASML狂卖327台，仅高端EUV光刻机就出货48台，占据全球高端市场绝对主导地位。 一个时代的转折点 曾与ASML、佳能并称“光刻机三巨头”的尼康，2001年时还占据全球光刻机市场约40% 份额，全球几乎每两台光刻机中就有一台产自尼康。这家当时被芯片巨头们竞相追捧的对象，如今市占率已跌至个位数，市场竞争力几近归零。 从巅峰到谷底，尼康的坠落并非一夜之间。它的命运转折，恰好映照出全球光刻机市场三十来年的风云变幻，也向业界抛出一个残酷的问题：当行业老大一骑绝尘，曾经的王者该如何自处？当技术路线被对手锁死，后来者还有没有翻盘的机会？ 从巅峰到谷底，尼康的溃败之路 尼康光刻机的“黄金时代” 要理解尼康的陨落，得先回到它的光辉岁月。 尼康的光刻机业务起步于上世纪70年代，依托其在相机镜头领域的核心技术优势，快速切入半导体光刻设备市场。 彼时，全球半导体产业正处于快速崛起的初期，芯片制程从微米级向纳米级逐步迈进，光刻设备作为芯片制造中最核心、最复杂的设备，成为各大企业争夺的焦点。 凭借精准的市场判断和领先的光学技术，尼康迅速在光刻机市场站稳脚跟，并在上世纪80年代迎来爆发。 当时，尼康推出的193nm波长干式光刻机，凭借超高的分辨率和稳定性，成为全球芯片厂商的首选设备，一举主导了193nm干式光刻时代的市场。 据行业数据显示，在1990年代中期，尼康的光刻机全球市场份额一度突破50%，与佳能平分秋色，两者合计占据全球光刻机市场90%以上的份额，形成了“日企双雄”垄断的格局。 这一时期的尼康，最核心的竞争力在于与全球顶尖芯片企业的深度绑定。 当时，英特尔、AMD等美国芯片巨头，正全力推进CPU制程的升级，而尼康的光刻机，凭借稳定的性能的领先的技术，成为这些企业的核心供应商。尼康为英特尔量身定制的光刻设备，完美匹配其CPU的生产需求，帮助英特尔在与AMD的竞争中占据优势。 据悉，从英特尔、AMD、IBM到德州仪器，全球芯片巨头为了求得一台尼康光刻机，不惜成立对接团队常驻尼康硅谷分部，只为争取优先供货权。坊间甚至流传，有半导体老板亲赴尼康工厂蹲点，预付全款只为求一个调试名额。这种深度绑定，也让尼康获得了稳定的订单和丰厚的利润，进一步巩固了其行业地位。 除了绑定美国巨头，尼康在日本本土也拥有强大的客户基础。索尼、东芝、日立等日本半导体企业，均是尼康的核心客户，这种“本土协同”的优势，让尼康在全球市场中如虎添翼。 在巅峰时期，尼康的光刻机不仅是技术的标杆，更是行业标准的制定者，其推出的光刻技术规范，被全球多数芯片厂商采纳。 在尼康的铁骑之下，美国光刻机鼻祖GCA被迫宣告破产；彼时的ASML，也还只是一个在欧洲市场挣扎、市场份额不足10%的小厂商，根本无法与尼康相提并论。 在当时，尼康可谓风光无限，其辉煌程度甚至超过如今的ASML。 光刻业务成为集团的核心盈利支柱，带动相机、望远镜等其他业务共同发展，尼康也一度成为日本制造业的骄傲，被视为技术立国的典范。 没有人会想到，这样一个站在行业顶端的王者，会在短短二三十年后，陷入如此艰难的境地。 三重失误，一步步错失时代浪潮 转折发生在2002年。 那一年，时任台积电资深处长的林本坚，敲开了尼康的大门。针对当时193nm干式光刻机遭遇瓶颈、下一代157nm光源研发进展缓慢的局面，林本坚提出了一个颠覆性设想：在镜头与晶圆之间注入一层水。利用水的折射率，可以将193nm光源的等效波长缩短至134nm，从而绕过157nm路线的诸多难题。 这就是后来改变半导体历史的浸没式光刻技术路线。 这本来是一条成本更低、效果更好的捷径，却遭到尼康几乎所有高管的反对。从会长到技术带头人，甚至没有人有耐心细听林本坚的解释。尼康的代表当场质问：“如果水污染了镜头，你们台积电赔得起吗？如果气泡导致批量报废，这个责任谁担？” 更深层的原因在于路径依赖。当时尼康已经在157nm干式光刻机上投入了超过数亿美元。转攻浸没式路线，意味着此前投入全部打水漂。 据华商韬略报道：尼康不仅拒绝了林本坚，甚至试图利用自己的行业威望来封杀这个构想。据林本坚后来回忆，尼康高层曾给台积电研发副总蒋尚义打电话称：“请管好你们的林本坚，不要让他到处推销这种破坏行业共识的构想，这会让大家分心并浪费资源。” 在尼康碰壁后，林本坚飞往荷兰。 彼时的ASML尚在夹缝中求生，急需破局机会。ASML的技术灵魂马丁·范登布林克（Martin van den Brink）力排众议，将ASML所有资源押注在这个疯狂的想法上。 2004年，ASML与台积电合作推出世界上第一台浸润式光刻机ArFi，凭借更高的精度和更低的成本横扫全球市场。 2007年，ASML市占率突破60%，首次形成碾压态势；2010年后，ASML市占率突破70%，尼康、佳能被彻底拉开差距。 尼康引以为傲的顶级镜头，在新的技术路线面前瞬间失色。尼康和佳能被迫放弃157nm路线转而跟进浸没式，但早已为时过晚。在浸没式ArF光刻领域，ASML凭借其成熟的TWINSCAN双工件台技术已牢牢掌握九成以上的市场份额。 这是一场教科书级的技术误判。尼康并非没有技术能力，而是被自己的成功经验禁锢，对体系之外的新技术有一种天然的排斥。 然而，浸没式的失利只是开始，尼康真正的“滑铁卢”还在后面。 面对浸没式光刻机战役的惨败，尼康将希望寄托于下一代技术：EUV（极紫外光刻）。这种波长更短（13.5nm）、能够在芯片上雕刻更微小电路的技术，被其视为重返巅峰的关键一役。 时任尼康光刻机技术负责人的马立稔和，立下雄心壮志：全自研、全日本产。他试图在封闭的墙内，复刻那个精密制造征服世界的时代。 同时，已失去芯片霸主地位的日本政府也倾力支持，将其视为国运之战。以经济产业省为主导，日本构建了一个庞大的“产官学”联合体，投入数百亿日元资金，联合尼康、佳能、东京电子、信越化学等产业链企业，共同攻关。 这是一次典型的日本式冲锋：资源集中，目标单一。 但此时，世界已经变了。 就在尼康倾力EUV项目的2012年，ASML接到了来自英特尔、三星、台积电的首次大规模战略投资。三大客户共同出资，帮助ASML加速研发EUV，同时建起了自己的EUV联盟。这个联盟不仅捆绑了全球最顶尖的芯片制造商，还集结了德国蔡司（镜头）、美国Cymer（光源）等全球最强的产业链企业。 这种"垂直合作"模式让ASML能够集中资源于系统集成与核心技术突破，而非面面俱到。 这也是尼康失败的深层原因之一。 长期以来，日本企业笃信全自研的生产模式，核心零部件（透镜、光源、精密机械）均选择高度自研。这种“垂直整合”在技术迭代慢的时代能保证极致品质，但当EUV这种需要全球高度协作的行业，研发费用动辄百亿美金、涉及10万个零部件的“人类工业巅峰”到来时，尼康发现，它早已无力支付这张入场券。而ASML“利益捆绑、风险共担”的选择了使其走向了完全不同的道路。 更要命的是，曾经在芯片上吃过日本大亏的美国，以国家安全为由，将尼康、佳能等日系厂商排除在EUV技术联盟之外，切断了它们获取美国顶尖技术的通道。 至此，尼康的“全自研”，变成了“闭门造车”。 截止2018年，尼康在EUV项目上的投资据估算超过千亿日元，堪称公司历史上最大单笔技术押注。但这笔投入换来的，仅是一台无法商用的原型机。当ASML的EUV光刻机早已在台积电产线上疯狂迭代时，尼康的原型机依旧在实验室吃灰。 当2018年台积电宣布7nm制程量产时，ASML凭借EUV垄断了全球90%的高端光刻机订单，形成没有替代品的技术霸权。 最终，尼康公司不得不宣布：终止EUV光刻机的商业化开发。 除了技术路线的连环误判，尼康在市场策略上也犯下致命错误。它过度押注单一巨头英特尔。2024年，英特尔因巨额亏损大幅削减资本开支，直接导致尼康订单暴跌。同时，尼康未能及时拓展台积电、三星等核心芯片厂商，订单缺口无从填补。 外部政策环境更是雪上加霜。过去五年，中国曾是尼康最大的"救命稻草"。随着大陆晶圆厂扩产，尼康精密设备对华销量占比一度超过40%。 然而，在美国对中国实施半导体设备出口管制时，尼康选择了紧跟美国步伐，放弃合作机会，导致尼康设备交付延误、成本飙升，中国客户纷纷转向国产替代，进一步挤压其生存空间。《日经亚洲》曾对此指出，中国已成全球第三个拥有完整光刻机制造能力的国家，尼康再想凭高价旧款分羹，早已错失良机。 2025年9月，尼康关闭了运营58年的横滨工厂，标志着其光刻机业务进一步收缩。而70岁的马立稔和即将卸任。从技术带头人一路走到权力巅峰，这位尼康老将曾试图以一己之力挽回昔日荣光，但终究力有不逮。 ASML：从“守成”到“进攻” 在尼康一步步走向溃败的同时，ASML则从一个行业追随者，已成长为全球光刻机市场的绝对霸主。 在高端光刻机领域。ASML的垄断地位无人能及。尤其是EUV光刻市场，ASML更是一家独大，掌控着7nm及以下先进制程芯片制造的“咽喉”，无论是台积电、三星，还是英特尔，都依赖ASML的EUV光刻机。 据统计，ASML在EUV光刻机市场的份额达到100%，在高端DUV光刻机市场的份额也达到90%以上，形成了坚实的技术壁垒和市场护城河。这构成了它的“现金牛”和垄断根基。 但ASML并未止步于此。 随着摩尔定律逼近物理极限，单纯依靠晶体管微缩来提升芯片性能的成本越来越高，难度越来越大。产业界将目光投向了另一个方向：先进封装。 随着芯片制程不断逼近物理极限，先进封装技术成为提升芯片性能的重要路径。这正是英伟达的H100/B200等AI芯片所依赖的核心技术——台积电CoWoS、InFO等封装技术的重要性由此凸显。 ASML敏锐地意识到：仅控制“前道制造”，或许已不足以主导未来。如果能够在先进封装设备领域占据优势，就能够从“前道制造”延伸至“后道封装”，实现对整个芯片制造流程的掌控，进一步扩大自己的市场份额，巩固行业霸权。 于是，ASML转向“进攻”，开始向先进封装设备领域进行布局和探索。 正可谓，当对手还在泥潭时，赢家已经开始重新定义新战场。 2025年10月，ASML迈出实质性步伐，推出首款先进封装光刻机 TWINSCAN XT:260，正式进军先进封装市场。 这款设备采用365nm i线光源，实现400nm分辨率图案化，主要应用于RDL、TSV等关键工序。其套刻精度达±1.2nm，较前代提升52%，生产效率达每小时270片晶圆，较前代提升4倍。 TWINSCAN XT:260的推出，标志着ASML正式进入先进封装设备市场，而其凭借光刻设备领域积累的技术优势和品牌影响力，迅速获得了市场的认可。据业内消息，台积电、三星等核心客户已经纷纷下单，订购ASML的先进封装光刻机，用于其Chiplet技术的研发和量产。 但这或许只是开始。 近日，据业内人士消息透露，ASML已着手研发混合键合机台，并携手EUV光刻机磁悬浮系统组件供应商Prodrive、VDL-ETG等合作伙伴联合推进。混合键合是下一代3D集成的核心技术，能够实现铜对铜的直接键合，省去凸块，大幅提升互联密度。 能看到，ASML正试图将光刻机的技术壁垒——精密对准、高精度运动控制——复制到后道设备，抢夺原本属于Besi、应用材料等设备厂商的蛋糕。 ASML首席技术官Marco Pieters此前曾公开表示，公司会持续研判半导体行业的长期发展趋势，重点关注封装、键合等领域所需的设备基座研发，为布局相关业务做好技术储备。 ASML的出击释放出一个明确信号：设备巨头之间的战争，已从单一工序演变为对整个芯片制造流程的链式竞争。谁能提供从前道到后道的系统级解决方案，谁就能在下一轮产业洗牌中掌握更大话语权。 佳能： 偏安一隅，在夹缝中寻找“奇点” 在尼康溃败、ASML称霸的格局下，佳能选择了第三条路。 作为三巨头之一，佳能同样错失了EUV时代。但它没有像尼康那样在高端市场硬碰硬，佳能很清楚，在波长竞赛上它已无法追上ASML，而是务实转身，聚焦差异化生存。 一方面，佳能深耕成熟制程光刻机市场。依托在光学领域的积累，佳能提供高性价比的产品，稳守i-line、KrF等成熟制程市场这一基本盘，使其在二、三线晶圆厂中拥有极高的忠诚度。虽然技术层级低于ASML的EUV和ArFi设备，但佳能稳守利基市场，在功率器件、传感器、显示驱动、先进封装等成熟制程领域活得滋润。 另一方面，佳能正在进行一场新的探索：纳米压印（NIL）。 这项技术的原理与光学光刻完全不同，NIL不使用复杂的光学系统将图案投影到晶圆上，而是像盖章一样，直接将带有电路图案的模板压印在晶圆的光刻胶上，再用紫外线固化。 理论上，纳米压印优势显著：分辨率可媲美甚至超越EUV，成本仅为EUV系统的十分之一，单片制程成本约为EUV的四分之一；能耗更是降低九成以上——EUV整机功率可达1兆瓦，而NIL仅需约100千瓦。 佳能于2014年收购了纳米压印公司Molecular Imprints Inc.，推出自有技术品牌J-FIL。2023年10月，佳能正式推出FPA-1200NZ2C纳米压印光刻系统，宣称可用于生产5nm芯片，未来甚至有望下探至2nm。SK海力士已从佳能引进纳米压印设备，计划用于3D NAND闪存量产。 这是对EUV体系的彻底绕过，如果纳米压印能在对缺陷率包容度较高的存储芯片领域率先大规模量产，佳能或将能直接改写游戏规则。 然而，纳米压印的商用之路依然布满荆棘，模板寿命与缺陷控制是该技术面临的两大核心难题。 由于模板直接接触晶圆，其上的纳米级结构极其脆弱。目前量产测试显示，模板寿命仅能支撑压印约50片晶圆，远不及光学掩模的10万片级寿命。佳能声称新设计可延长十倍，但业界实测仍不理想。 更致命的是缺陷复制问题：模板上任何微小缺陷都会被复制到所有晶圆上，造成严重的重复缺陷。而要检测模板缺陷，所需设备产能相当于全球掩模检测设备一整年的供应量，经济效益明显不符。 此外，NIL的套刻精度与产能仍落后ASML的EUV系统。由于佳能采用单晶圆台架构，无法同时执行测量与压印，最高产能仅约每小时25片晶圆。 正如业界形容：“NIL就像一只设计完美的精密钟表，性能与成本都远胜竞品，但关键齿轮却是玻璃制的——看似完美，却撑不过实际运转。” 佳能显然意识到这一点，仍在持续投入研发。 2026年1月，佳能宣布在世界上首次开发并实际应用了一种名为IAP（喷墨自适应平坦化） 的突破性晶圆平坦化技术，利用纳米压印技术积累，可将300mm晶圆表面的地形起伏控制在5nm以内，计划2027年商用。这可以视为纳米压印技术的衍生应用，绕开核心难题，先在细分领域寻找突破口。 佳能的路径给行业一个启示：当主流技术路线已被巨头垄断，后来者未必需要正面硬刚。在夹缝中寻找技术奇点，围绕长尾客户构建差异化竞争力，同样可以赢得生存空间。 复盘与启示：光刻机战场的规则变了 复盘全球光刻机三巨头的发展路径，不难发现，如今的光刻机市场，已经形成了“ASML称王，佳能偏安，尼康掉队”的格局。 三家企业的命运沉浮，折射出全球光刻机行业的深刻变革，释放出诸多值得深思的信号，也为行业内的其他企业，提供了宝贵的启示。 企业基因的博弈 尼康和佳能的困境，在很大程度上反映了日本制造业在面临颠覆式技术变革时的共性问题——路径依赖与完美主义。 日本企业在技术研发上，往往追求极致的完美，一旦投入资源研发某一种技术路线，就很难轻易放弃，这种“路径依赖”，让其在面对新的技术浪潮时，难以快速调整战略，最终错失机遇。 尤其是在颠覆性技术面前，过往的成功经验往往是最大的包袱。 尼康在浸没式技术面前的迟疑，本质上是对自身“垂直整合”模式的自信——核心部件全部自研，才能保证绝对品质。但当光刻机的复杂程度呈指数级上升时，这种封闭体系反而成为创新阻碍。没有任何一家公司能够独自掌握所有尖端技术。 ASML的成功，恰恰得益于其开放与协作。 ASML敏锐地捕捉到技术变革的趋势，快速调整技术路线，与全球顶尖供应商展开深度合作，构建了庞大的产业链生态。这种开放的协作模式，让ASML能够集中精力专注于核心技术的整合与优化，同时借助全球资源，快速提升产品性能，降低研发成本，最终实现了行业垄断。这种开放协作建立的生态系统优势，或许比单打独斗更难被复制。 这背后，是企业基因的差异。日本企业的“垂直整合”基因，强调自给自足、精益求精，在技术相对稳定的时代，能够发挥优势；但在技术快速迭代、复杂度不断提升的今天，这种基因反而成为创新的阻碍。ASML的开放协作基因，强调资源整合、灵活应变，更适应新时代的行业发展趋势。 此外，ASML的成功，还得益于其持续创新的基因。在垄断高端光刻机市场后，ASML并没有固步自封，而是敏锐地捕捉到先进封装技术的机遇，加速跨界布局，从单一的光刻设备供应商，向全流程半导体设备供应商转型，持续扩宽自己的护城河。 不过，佳能在错失机遇后，相比尼康展现出更强的战略灵活性。它没有固守传统光刻技术，而是聚焦差异化选择，探索新路径，发展长尾客户，在夹缝中获得了自己的生存空间。这种"知进退"的智慧，值得其他非头部厂商借鉴。 竞争维度升维：从“单机”到“生态” 光刻机的战争暂时可能已经结束，但半导体设备的战争才刚刚开始。 ASML向先进封装的扩张，标志着设备巨头之间的竞争维度已经升级。当光刻机市场的胜负已定，ASML开始利用其在精密对准、高精度运动控制领域的技术壁垒，向后道设备延伸，试图构建从“前道制造”到“后道封装”的全流程解决方案。 据Yole Group预测，全球先进封装市场规模将从2024年的380-460亿美元增长至2030年的790-800亿美元，年复合增长率达9.4%-9.5%。 这一增量市场，将成为设备巨头们争夺的新战场。 这也意味着，未来的半导体设备市场，竞争将不再是单点突破，而是系统级的技术整合能力，将从单一环节开始向全流程布局转型。谁能提供更完整的解决方案，帮助客户降低系统复杂度、缩短上市周期，谁就能在下一轮竞争中占据主动。 另外还值得注意的是，地缘政治因素也将深刻影响未来半导体设备市场的格局。近年来，全球半导体产业的地缘政治博弈日益激烈，出口管制、技术封锁等措施，不仅影响了企业的发展，也改变了行业的供应链格局。未来，企业在制定战略时，也要充分考虑地缘政治因素，构建多元化的供应链，降低经营风险。 写在最后 尼康的倒下，更像一个警钟，提醒所有科技企业：在这个由资本和技术双重驱动的残酷行业里，没有永远的王者，只有时代的适应者。 尼康并非没有技术，也并非没有资金。它输在对新趋势的误判，输在封闭体系的惯性，输在未能及时调整客户结构的迟缓。当技术路线转向时，昔日的资产可能瞬间变成负债。 ASML的今天，源于二十年前那次拥抱浸没式技术的果敢，源于构建全球开放生态的战略远见。但历史已经证明，霸权往往是衰落的前奏。当ASML从光刻机霸主向“全产业链整合者”扩张时，它也在面临新的风险：技术复杂度的进一步攀升、地缘政治的不确定性、以及潜在颠覆性技术的威胁。 据中商产业研究院预测，2026年全球光刻机市场规模预计将达392亿美元。在这个规模巨大且快速膨胀的赛道上，游戏规则已然改写，技术范式的转换、商业模式的创新、生态系统的博弈，随时可能颠覆既有格局。 唯一确定的是，半导体产业的竞争永远不会停歇。唯有保持开放、拥抱变革，以及对时代变迁始终保持敬畏的企业，才能在下一次技术浪潮中存活下来。 尼康的溃败，是一曲旧时代的挽歌；而ASML的扩张与佳能的探索，则是新战局的序章。光刻机的故事远未结束，它只是翻到了更复杂、更残酷的一页。

3月27日消息，美国国际贸易委员会宣布，将对NAND和DRAM存储芯片展开调查，涉及日本铠侠、韩国SK海力士等存储巨头！ 据悉，本次调查基于美国MonolithIC 3D公司于2026年2月17日提交的投诉。投诉指控被告违反了1930年《关税法》第337条，在进口和销售某些NAND和DRAM存储芯片的过程中侵犯了原告主张的某些专利权。原告请求美国ITC发布有限排除令以及停止侵权令。 美国国际贸易委员会将于立案后45天内确定调查结束期。除美国贸易代表基于政策原因否决的情况外，美国国际贸易委员会在337案件中发布的救济令自发布之日生效并于发布之日后的第60日起具有终局效力。

3月30日消息，据报道，台积电3nm制程产能已处于高度紧张状态，多家企业的产品推进计划因拿不到足够的产能而被迫调整。 在AI竞赛全面升温的背景下，台积电的制造能力正成为整个行业最大的瓶颈，从GPU和CPU厂商到超大规模云服务商，几乎所有主要玩家都在向台积电争抢产能，但产能远不能满足需求。 DigiTimes指出，目前只有长期合作的“忠实客户”才能优先获得产品交付，产能分配和采购已成为当前企业面临的最大运营挑战。 这不仅是供应短缺导致价格持续上涨的问题，产能不足本身就让许多企业难以拿到订单。 在这场产能争夺战中，苹果和NVIDIA无疑是最大的受益者。作为台积电的顶级客户，两家公司不仅拥有专属产线使用权，其庞大的订单量也挤压了竞争对手的排产空间。 与此同时，Intel和AMD等面向消费级市场的企业同样对台积电高端制程有大量需求，但获得的产能分配远低于AI领域客户。 ASIC芯片制造商同样占据了半导体供应链的重要份额，但在3nm产能获取上同样受限，直接影响了其量产爬坡速度。 面对台积电一家独大的局面，寻找替代代工厂已成为行业共识，但这并非易事，不仅涉及高昂成本，还可能影响与台积电长期合作关系，许多企业不得不权衡风险。

2026年以来，全球汽车产业持续面临车规存储芯片的结构性困境。AI产业爆发对高端存储产能的持续挤占，加剧了供需矛盾，价格暴涨、供应缺口扩大等问题迟迟未能缓解，车企普遍面临存储成本攀升、芯片满足率偏低的双重压力。 与此同时，汽车智能化加速推进，智能座舱、高阶辅助驾驶的普及，推动单车存储的容量、带宽、可靠性要求持续提升，存储芯片已成为定义整车性能的关键部件。 在此背景下，如何破解车规存储的结构性短缺，打通产业链协同壁垒，构建自主可控的本土供应链？这道考题，正摆在所有参与者面前。 结构性缺口，从何而来？ 延续年初的危机态势，车规存储供需矛盾持续深化，正从短期波动转向结构性短缺。 AI数据中心对高端存储产能的持续挤占，叠加车规产品高壁垒、认证周期长等特性，使得车规存储短缺从短期行业波动演变为产业智能化发展必须面对的长期结构性课题。 据摩根士丹利报告，传统存储芯片供需缺口持续扩大，DDR5、HBM等先进制程产品产能需求强劲，持续挤压DDR4等成熟制程的产能分配。受供应限制影响，一季度DDR4价格涨幅可能达50%，且涨势将延续至二季度，波及汽车等行业。 理想汽车供应链副总裁孟庆鹏则公开预警，2026年汽车行业存储芯片供应满足率可能不足50%。蔚来董事长李斌同样表示，内存涨价已成为汽车行业今年最大的成本压力。 从需求侧看，汽车智能化正迈入深水区。智能座舱、高阶辅助驾驶的普及推动单车存储容量与性能要求双提升，存储芯片已成为定义整车性能的核心部件。美光科技CEO桑杰·梅赫罗特拉指出，L4级自动驾驶车型所需内存容量将突破300GB，远超当前主流车型16GB左右的配置，差距接近20倍。 行业对存储产品提出了大容量、高带宽、高可靠性、低功耗的更高标准，车规SoC与存储的深度协同正成为新的技术门槛。这意味着，存储不再只是被动适配的功能件，而是需要与主芯片协同设计、共同定义整车性能的关键环节。 以紫光展锐为代表的芯片设计厂商近期指出，车规SoC向高集成、强算力演进，对配套存储的带宽、可靠性、启动速度提出更高要求，二者深度协同是提升汽车智能化水平的关键。 然而，供需两端的结构性错配，暴露了产业链的深层痛点。汽车与存储产业之间长期存在信息壁垒，供需对接效率低下，传统标准化采购模式难以应对当前产能紧张、价格剧烈波动的现实。瑞银预计，AI数据中心建设热潮已导致内存芯片短缺，供应中断可能从2026年第二季度开始显现，不排除全球汽车产量面临重大下行风险的可能性。 与此同时，车规存储高端产能仍高度依赖海外，本土企业能否掌握核心技术与全链能力，直接关系到产业链的韧性与安全水平。正如中汽协副秘书长李邵华所指出，这已非短期周期性问题，而是产业迈向智能化深水区必须面对的结构性课题。 基于上述困境，行业层面正在形成新的共识。车规存储的破局并非单一企业的事，需要上下游各主体发挥专长、深化分工协作，同时持续强化本土核心能力建设，构建自主可控、安全稳定的供应体系。从短期应急采购到长期生态协同，汽车产业与存储产业的关系正在被重新定义。 如何填补？ 从整车厂的视角来看，存储芯片的战略价值正在被重新定义。在近期的一次行业交流中，中国一汽集团供应链管理部副总经理曹礼军分享了对车规存储趋势的判断。 他表示，随着汽车智能化从功能叠加迈向深度进化，存储芯片已成为定义整车性能的核心基石，汽车产业与存储技术正形成“需求牵引技术升级、技术反哺场景创新”的共生关系。 这一判断道出了当前车规存储困局的本质：存储已不再是简单的功能部件，而是与整车性能深度绑定的战略物资。如何保障这一核心基石的稳定供应与持续进化，成为整车厂必须面对的课题。 破解这一课题，需要存储企业具备超越单一产品供应的系统性能力，一家本土企业的布局路径值得关注。作为国内较早布局车规存储的厂商，江波龙在七年前便将汽车存储确立为重点方向，逐步构建起一套以商业模式创新为牵引、以主控芯片设计、固件算法开发到高端封测制造的全链条能力为支撑的解决方案。 在近日举办的MemoryS 2026峰会上，江波龙进一步提出“端侧AI集成存储”的战略方向，明确将智能汽车作为端侧AI的核心落地场景之一，其端侧AI存储Foundry模式覆盖芯片设计、封装工艺、材料工程等全产业链环节，为高阶辅助驾驶等车载AI场景提供定制化存储支撑。 其推出的TCM与PTM两大模式，正是针对当前行业痛点给出的解题思路。 TCM模式（存储技术合约制造）是江波龙于2024年首次公开提出，核心价值在于打通晶圆厂与车企的供需链路。该模式将存储原厂的晶圆资源、自研主控、封测制造、固件算法及FAE服务等要素，整合为面向车企与Tier1的一站式方案。 在这一机制下，车企与晶圆厂实现直连对接，通过资源定价与供需计划协同，将存储供应从短期交易关系升级为具备确定性的长期合约关系。 这一模式的价值已得到头部车企的验证与认可。曹礼军在评价TCM模式时指出，其优势体现在三个维度：一是量产确定性强，能够切实保障车厂稳定供应、产线不停线；二是品质保障安心可靠，依托全车规质量体系，以零缺陷标准支撑智能驾驶与智能座舱安全运行；三是产品竞争力突出，可深度响应车厂定制化需求，助力整车实现更智能、更差异化的体验。 在他看来，TCM模式正是整零协同的典型案例，唯有强化此类深度合作、构建自主可控的供应链生态，才能实现产业链价值共创。 PTM模式（存储产品技术制造）则定位于存储领域的“Foundry”，能够根据不同车企、不同域控架构的具体需求，提供从硬件到固件的深度定制化存储方案。这一模式有效降低了车企或Tier1在适配、验证和供应切换过程中的综合成本与风险，构建了从需求定义到量产交付的完整闭环。 这些创新商业模式的背后，是江波龙近十年积累的全链条能力。在主控芯片层面，旗下慧忆微电子专注高端存储主控芯片设计，采用先进制程工艺，自研主控芯片全面覆盖eMMC、SD卡、UFS及USB移动存储等主流与高端存储品类。其中，车规级eMMC产品已搭载自研WM6000主控，未来车规级UFS产品也将逐步导入自研WM7000系列。主控作为存储产品的“大脑”，其自研能力直接决定了产品性能的上限与定制化的灵活度。 在封测制造环节，旗下元成科技封测基地通过AEC-Q100车规可靠性验证与IATF16949汽车质量管理体系双认证，并专门搭建车规级存储芯片专品专线，实现物料、工装、流程全链路车规化管理。 正是主控设计与封测制造的双重自主，使江波龙区别于多数依赖第三方主控或外协封测的本土厂商，能够从源头把控产品可靠性，为后续商业模式的落地提供了关键支撑。 在产品层面，江波龙已构建覆盖eMMC、UFS、LPDDR等品类的全系列车规级存储产品矩阵，可全面适配智能座舱、自动驾驶等核心域控场景。旗下国际高端消费类存储品牌Lexar雷克沙，依托自研主控打造车载存储方案，已成为多家车企的官方标配，实现了从消费级到车规级的产品能力延伸。 值得关注的是，在端侧AI加速落地的趋势下，江波龙近期发布了SPU（存储处理单元），并将自研HLC高级缓存技术与SPU、UFS深度集成，实现全端侧场景落地。其中在嵌入式端，江波龙与紫光展锐联合开发，搭载紫光展锐芯片平台实测，4GB DDR搭配HLC技术后，20款App启动响应时间仅851ms，接近6GB/8GB DDR正常配置水平，且江波龙搭载14nm制程工艺WM7200主控的UFS 2.2产品，读写性能超越行业主流，在保障流畅体验与器件寿命的同时，有效降低 DRAM 容量需求、优化BOM成本。未来，WM7000系列自研主控或将应用于车规级UFS产品，车规级UFS也有望搭载该技术，为车规级LPDDR实现降容。 在生态层面，江波龙联动一汽、东风、蔚来、小米等主流车企，以及紫光展锐等芯片厂商、上下游晶圆厂与Tier1，推动车规SoC与存储的深度适配、整零之间的价值共创。以自身全链能力为桥梁，江波龙正在促进本土存储产业与汽车产业的深度融合，助力构建自主可控的车规存储供应链体系。 结语 车规存储的结构性缺口，本质上源于AI与汽车两大智能化赛道对产能的激烈争夺。填补这一缺口，既需要上游晶圆厂与下游车企打通供需链路、建立长期协同机制，也需要本土企业在封测、主控等核心环节实现自主掌控。从江波龙的实践来看，全链条技术自研与商业模式创新的双轮驱动，正在为破解这一困局提供可落地的现实路径。 当汽车产业迈向AI化、高阶自动驾驶的深水区，对存储的需求将更加复杂和严苛。构建自主可控、安全稳定的车规存储供应链，不仅关乎单一企业的竞争力，更决定着智能汽车产业能否在变革中行稳致远。而这一课题的最终解答，需要产业链各方在协同中持续探索。