近日，日本光学巨头尼康（Nikon）发布了其历史上最为惨烈的亏损预警——预计2025财年将出现850亿日元的巨额亏损，创下公司自1917年创立以来的百年最差纪录。 其核心的光刻机业务遭遇全线溃败，让昔日光刻霸主正陷入空前生存危机。 援引多处报道显示：过去半年，尼康光刻机仅出货9台，且全部为技术含量较低的成熟制程老款设备，技术代际明显滞后。 这意味着，这家曾经与英特尔、AMD深度绑定、制定行业标准的王者，在先进制程领域已彻底失去竞争力。尼康不仅未能承接住这一波AI算力爆发的红利，反而因订单大幅萎缩和库存积压，陷入了前所未有的财务泥潭。 与之形成刺眼对比的是，2025年荷兰ASML狂卖327台，仅高端EUV光刻机就出货48台，占据全球高端市场绝对主导地位。 一个时代的转折点 曾与ASML、佳能并称“光刻机三巨头”的尼康，2001年时还占据全球光刻机市场约40% 份额，全球几乎每两台光刻机中就有一台产自尼康。这家当时被芯片巨头们竞相追捧的对象，如今市占率已跌至个位数，市场竞争力几近归零。 从巅峰到谷底，尼康的坠落并非一夜之间。它的命运转折，恰好映照出全球光刻机市场三十来年的风云变幻，也向业界抛出一个残酷的问题：当行业老大一骑绝尘，曾经的王者该如何自处？当技术路线被对手锁死，后来者还有没有翻盘的机会？ 从巅峰到谷底，尼康的溃败之路 尼康光刻机的“黄金时代” 要理解尼康的陨落，得先回到它的光辉岁月。 尼康的光刻机业务起步于上世纪70年代，依托其在相机镜头领域的核心技术优势，快速切入半导体光刻设备市场。 彼时，全球半导体产业正处于快速崛起的初期，芯片制程从微米级向纳米级逐步迈进，光刻设备作为芯片制造中最核心、最复杂的设备，成为各大企业争夺的焦点。 凭借精准的市场判断和领先的光学技术，尼康迅速在光刻机市场站稳脚跟，并在上世纪80年代迎来爆发。 当时，尼康推出的193nm波长干式光刻机，凭借超高的分辨率和稳定性，成为全球芯片厂商的首选设备，一举主导了193nm干式光刻时代的市场。 据行业数据显示，在1990年代中期，尼康的光刻机全球市场份额一度突破50%，与佳能平分秋色，两者合计占据全球光刻机市场90%以上的份额，形成了“日企双雄”垄断的格局。 这一时期的尼康，最核心的竞争力在于与全球顶尖芯片企业的深度绑定。 当时，英特尔、AMD等美国芯片巨头，正全力推进CPU制程的升级，而尼康的光刻机，凭借稳定的性能的领先的技术，成为这些企业的核心供应商。尼康为英特尔量身定制的光刻设备，完美匹配其CPU的生产需求，帮助英特尔在与AMD的竞争中占据优势。 据悉，从英特尔、AMD、IBM到德州仪器，全球芯片巨头为了求得一台尼康光刻机，不惜成立对接团队常驻尼康硅谷分部，只为争取优先供货权。坊间甚至流传，有半导体老板亲赴尼康工厂蹲点，预付全款只为求一个调试名额。这种深度绑定，也让尼康获得了稳定的订单和丰厚的利润，进一步巩固了其行业地位。 除了绑定美国巨头，尼康在日本本土也拥有强大的客户基础。索尼、东芝、日立等日本半导体企业，均是尼康的核心客户，这种“本土协同”的优势，让尼康在全球市场中如虎添翼。 在巅峰时期，尼康的光刻机不仅是技术的标杆，更是行业标准的制定者，其推出的光刻技术规范，被全球多数芯片厂商采纳。 在尼康的铁骑之下，美国光刻机鼻祖GCA被迫宣告破产；彼时的ASML，也还只是一个在欧洲市场挣扎、市场份额不足10%的小厂商，根本无法与尼康相提并论。 在当时，尼康可谓风光无限，其辉煌程度甚至超过如今的ASML。 光刻业务成为集团的核心盈利支柱，带动相机、望远镜等其他业务共同发展，尼康也一度成为日本制造业的骄傲，被视为技术立国的典范。 没有人会想到，这样一个站在行业顶端的王者，会在短短二三十年后，陷入如此艰难的境地。 三重失误，一步步错失时代浪潮 转折发生在2002年。 那一年，时任台积电资深处长的林本坚，敲开了尼康的大门。针对当时193nm干式光刻机遭遇瓶颈、下一代157nm光源研发进展缓慢的局面，林本坚提出了一个颠覆性设想：在镜头与晶圆之间注入一层水。利用水的折射率，可以将193nm光源的等效波长缩短至134nm，从而绕过157nm路线的诸多难题。 这就是后来改变半导体历史的浸没式光刻技术路线。 这本来是一条成本更低、效果更好的捷径，却遭到尼康几乎所有高管的反对。从会长到技术带头人，甚至没有人有耐心细听林本坚的解释。尼康的代表当场质问：“如果水污染了镜头，你们台积电赔得起吗？如果气泡导致批量报废，这个责任谁担？” 更深层的原因在于路径依赖。当时尼康已经在157nm干式光刻机上投入了超过数亿美元。转攻浸没式路线，意味着此前投入全部打水漂。 据华商韬略报道：尼康不仅拒绝了林本坚，甚至试图利用自己的行业威望来封杀这个构想。据林本坚后来回忆，尼康高层曾给台积电研发副总蒋尚义打电话称：“请管好你们的林本坚，不要让他到处推销这种破坏行业共识的构想，这会让大家分心并浪费资源。” 在尼康碰壁后，林本坚飞往荷兰。 彼时的ASML尚在夹缝中求生，急需破局机会。ASML的技术灵魂马丁·范登布林克（Martin van den Brink）力排众议，将ASML所有资源押注在这个疯狂的想法上。 2004年，ASML与台积电合作推出世界上第一台浸润式光刻机ArFi，凭借更高的精度和更低的成本横扫全球市场。 2007年，ASML市占率突破60%，首次形成碾压态势；2010年后，ASML市占率突破70%，尼康、佳能被彻底拉开差距。 尼康引以为傲的顶级镜头，在新的技术路线面前瞬间失色。尼康和佳能被迫放弃157nm路线转而跟进浸没式，但早已为时过晚。在浸没式ArF光刻领域，ASML凭借其成熟的TWINSCAN双工件台技术已牢牢掌握九成以上的市场份额。 这是一场教科书级的技术误判。尼康并非没有技术能力，而是被自己的成功经验禁锢，对体系之外的新技术有一种天然的排斥。 然而，浸没式的失利只是开始，尼康真正的“滑铁卢”还在后面。 面对浸没式光刻机战役的惨败，尼康将希望寄托于下一代技术：EUV（极紫外光刻）。这种波长更短（13.5nm）、能够在芯片上雕刻更微小电路的技术，被其视为重返巅峰的关键一役。 时任尼康光刻机技术负责人的马立稔和，立下雄心壮志：全自研、全日本产。他试图在封闭的墙内，复刻那个精密制造征服世界的时代。 同时，已失去芯片霸主地位的日本政府也倾力支持，将其视为国运之战。以经济产业省为主导，日本构建了一个庞大的“产官学”联合体，投入数百亿日元资金，联合尼康、佳能、东京电子、信越化学等产业链企业，共同攻关。 这是一次典型的日本式冲锋：资源集中，目标单一。 但此时，世界已经变了。 就在尼康倾力EUV项目的2012年，ASML接到了来自英特尔、三星、台积电的首次大规模战略投资。三大客户共同出资，帮助ASML加速研发EUV，同时建起了自己的EUV联盟。这个联盟不仅捆绑了全球最顶尖的芯片制造商，还集结了德国蔡司（镜头）、美国Cymer（光源）等全球最强的产业链企业。 这种"垂直合作"模式让ASML能够集中资源于系统集成与核心技术突破，而非面面俱到。 这也是尼康失败的深层原因之一。 长期以来，日本企业笃信全自研的生产模式，核心零部件（透镜、光源、精密机械）均选择高度自研。这种“垂直整合”在技术迭代慢的时代能保证极致品质，但当EUV这种需要全球高度协作的行业，研发费用动辄百亿美金、涉及10万个零部件的“人类工业巅峰”到来时，尼康发现，它早已无力支付这张入场券。而ASML“利益捆绑、风险共担”的选择了使其走向了完全不同的道路。 更要命的是，曾经在芯片上吃过日本大亏的美国，以国家安全为由，将尼康、佳能等日系厂商排除在EUV技术联盟之外，切断了它们获取美国顶尖技术的通道。 至此，尼康的“全自研”，变成了“闭门造车”。 截止2018年，尼康在EUV项目上的投资据估算超过千亿日元，堪称公司历史上最大单笔技术押注。但这笔投入换来的，仅是一台无法商用的原型机。当ASML的EUV光刻机早已在台积电产线上疯狂迭代时，尼康的原型机依旧在实验室吃灰。 当2018年台积电宣布7nm制程量产时，ASML凭借EUV垄断了全球90%的高端光刻机订单，形成没有替代品的技术霸权。 最终，尼康公司不得不宣布：终止EUV光刻机的商业化开发。 除了技术路线的连环误判，尼康在市场策略上也犯下致命错误。它过度押注单一巨头英特尔。2024年，英特尔因巨额亏损大幅削减资本开支，直接导致尼康订单暴跌。同时，尼康未能及时拓展台积电、三星等核心芯片厂商，订单缺口无从填补。 外部政策环境更是雪上加霜。过去五年，中国曾是尼康最大的"救命稻草"。随着大陆晶圆厂扩产，尼康精密设备对华销量占比一度超过40%。 然而，在美国对中国实施半导体设备出口管制时，尼康选择了紧跟美国步伐，放弃合作机会，导致尼康设备交付延误、成本飙升，中国客户纷纷转向国产替代，进一步挤压其生存空间。《日经亚洲》曾对此指出，中国已成全球第三个拥有完整光刻机制造能力的国家，尼康再想凭高价旧款分羹，早已错失良机。 2025年9月，尼康关闭了运营58年的横滨工厂，标志着其光刻机业务进一步收缩。而70岁的马立稔和即将卸任。从技术带头人一路走到权力巅峰，这位尼康老将曾试图以一己之力挽回昔日荣光，但终究力有不逮。 ASML：从“守成”到“进攻” 在尼康一步步走向溃败的同时，ASML则从一个行业追随者，已成长为全球光刻机市场的绝对霸主。 在高端光刻机领域。ASML的垄断地位无人能及。尤其是EUV光刻市场，ASML更是一家独大，掌控着7nm及以下先进制程芯片制造的“咽喉”，无论是台积电、三星，还是英特尔，都依赖ASML的EUV光刻机。 据统计，ASML在EUV光刻机市场的份额达到100%，在高端DUV光刻机市场的份额也达到90%以上，形成了坚实的技术壁垒和市场护城河。这构成了它的“现金牛”和垄断根基。 但ASML并未止步于此。 随着摩尔定律逼近物理极限，单纯依靠晶体管微缩来提升芯片性能的成本越来越高，难度越来越大。产业界将目光投向了另一个方向：先进封装。 随着芯片制程不断逼近物理极限，先进封装技术成为提升芯片性能的重要路径。这正是英伟达的H100/B200等AI芯片所依赖的核心技术——台积电CoWoS、InFO等封装技术的重要性由此凸显。 ASML敏锐地意识到：仅控制“前道制造”，或许已不足以主导未来。如果能够在先进封装设备领域占据优势，就能够从“前道制造”延伸至“后道封装”，实现对整个芯片制造流程的掌控，进一步扩大自己的市场份额，巩固行业霸权。 于是，ASML转向“进攻”，开始向先进封装设备领域进行布局和探索。 正可谓，当对手还在泥潭时，赢家已经开始重新定义新战场。 2025年10月，ASML迈出实质性步伐，推出首款先进封装光刻机 TWINSCAN XT:260，正式进军先进封装市场。 这款设备采用365nm i线光源，实现400nm分辨率图案化，主要应用于RDL、TSV等关键工序。其套刻精度达±1.2nm，较前代提升52%，生产效率达每小时270片晶圆，较前代提升4倍。 TWINSCAN XT:260的推出，标志着ASML正式进入先进封装设备市场，而其凭借光刻设备领域积累的技术优势和品牌影响力，迅速获得了市场的认可。据业内消息，台积电、三星等核心客户已经纷纷下单，订购ASML的先进封装光刻机，用于其Chiplet技术的研发和量产。 但这或许只是开始。 近日，据业内人士消息透露，ASML已着手研发混合键合机台，并携手EUV光刻机磁悬浮系统组件供应商Prodrive、VDL-ETG等合作伙伴联合推进。混合键合是下一代3D集成的核心技术，能够实现铜对铜的直接键合，省去凸块，大幅提升互联密度。 能看到，ASML正试图将光刻机的技术壁垒——精密对准、高精度运动控制——复制到后道设备，抢夺原本属于Besi、应用材料等设备厂商的蛋糕。 ASML首席技术官Marco Pieters此前曾公开表示，公司会持续研判半导体行业的长期发展趋势，重点关注封装、键合等领域所需的设备基座研发，为布局相关业务做好技术储备。 ASML的出击释放出一个明确信号：设备巨头之间的战争，已从单一工序演变为对整个芯片制造流程的链式竞争。谁能提供从前道到后道的系统级解决方案，谁就能在下一轮产业洗牌中掌握更大话语权。 佳能： 偏安一隅，在夹缝中寻找“奇点” 在尼康溃败、ASML称霸的格局下，佳能选择了第三条路。 作为三巨头之一，佳能同样错失了EUV时代。但它没有像尼康那样在高端市场硬碰硬，佳能很清楚，在波长竞赛上它已无法追上ASML，而是务实转身，聚焦差异化生存。 一方面，佳能深耕成熟制程光刻机市场。依托在光学领域的积累，佳能提供高性价比的产品，稳守i-line、KrF等成熟制程市场这一基本盘，使其在二、三线晶圆厂中拥有极高的忠诚度。虽然技术层级低于ASML的EUV和ArFi设备，但佳能稳守利基市场，在功率器件、传感器、显示驱动、先进封装等成熟制程领域活得滋润。 另一方面，佳能正在进行一场新的探索：纳米压印（NIL）。 这项技术的原理与光学光刻完全不同，NIL不使用复杂的光学系统将图案投影到晶圆上，而是像盖章一样，直接将带有电路图案的模板压印在晶圆的光刻胶上，再用紫外线固化。 理论上，纳米压印优势显著：分辨率可媲美甚至超越EUV，成本仅为EUV系统的十分之一，单片制程成本约为EUV的四分之一；能耗更是降低九成以上——EUV整机功率可达1兆瓦，而NIL仅需约100千瓦。 佳能于2014年收购了纳米压印公司Molecular Imprints Inc.，推出自有技术品牌J-FIL。2023年10月，佳能正式推出FPA-1200NZ2C纳米压印光刻系统，宣称可用于生产5nm芯片，未来甚至有望下探至2nm。SK海力士已从佳能引进纳米压印设备，计划用于3D NAND闪存量产。 这是对EUV体系的彻底绕过，如果纳米压印能在对缺陷率包容度较高的存储芯片领域率先大规模量产，佳能或将能直接改写游戏规则。 然而，纳米压印的商用之路依然布满荆棘，模板寿命与缺陷控制是该技术面临的两大核心难题。 由于模板直接接触晶圆，其上的纳米级结构极其脆弱。目前量产测试显示，模板寿命仅能支撑压印约50片晶圆，远不及光学掩模的10万片级寿命。佳能声称新设计可延长十倍，但业界实测仍不理想。 更致命的是缺陷复制问题：模板上任何微小缺陷都会被复制到所有晶圆上，造成严重的重复缺陷。而要检测模板缺陷，所需设备产能相当于全球掩模检测设备一整年的供应量，经济效益明显不符。 此外，NIL的套刻精度与产能仍落后ASML的EUV系统。由于佳能采用单晶圆台架构，无法同时执行测量与压印，最高产能仅约每小时25片晶圆。 正如业界形容：“NIL就像一只设计完美的精密钟表，性能与成本都远胜竞品，但关键齿轮却是玻璃制的——看似完美，却撑不过实际运转。” 佳能显然意识到这一点，仍在持续投入研发。 2026年1月，佳能宣布在世界上首次开发并实际应用了一种名为IAP（喷墨自适应平坦化） 的突破性晶圆平坦化技术，利用纳米压印技术积累，可将300mm晶圆表面的地形起伏控制在5nm以内，计划2027年商用。这可以视为纳米压印技术的衍生应用，绕开核心难题，先在细分领域寻找突破口。 佳能的路径给行业一个启示：当主流技术路线已被巨头垄断，后来者未必需要正面硬刚。在夹缝中寻找技术奇点，围绕长尾客户构建差异化竞争力，同样可以赢得生存空间。 复盘与启示：光刻机战场的规则变了 复盘全球光刻机三巨头的发展路径，不难发现，如今的光刻机市场，已经形成了“ASML称王，佳能偏安，尼康掉队”的格局。 三家企业的命运沉浮，折射出全球光刻机行业的深刻变革，释放出诸多值得深思的信号，也为行业内的其他企业，提供了宝贵的启示。 企业基因的博弈 尼康和佳能的困境，在很大程度上反映了日本制造业在面临颠覆式技术变革时的共性问题——路径依赖与完美主义。 日本企业在技术研发上，往往追求极致的完美，一旦投入资源研发某一种技术路线，就很难轻易放弃，这种“路径依赖”，让其在面对新的技术浪潮时，难以快速调整战略，最终错失机遇。 尤其是在颠覆性技术面前，过往的成功经验往往是最大的包袱。 尼康在浸没式技术面前的迟疑，本质上是对自身“垂直整合”模式的自信——核心部件全部自研，才能保证绝对品质。但当光刻机的复杂程度呈指数级上升时，这种封闭体系反而成为创新阻碍。没有任何一家公司能够独自掌握所有尖端技术。 ASML的成功，恰恰得益于其开放与协作。 ASML敏锐地捕捉到技术变革的趋势，快速调整技术路线，与全球顶尖供应商展开深度合作，构建了庞大的产业链生态。这种开放的协作模式，让ASML能够集中精力专注于核心技术的整合与优化，同时借助全球资源，快速提升产品性能，降低研发成本，最终实现了行业垄断。这种开放协作建立的生态系统优势，或许比单打独斗更难被复制。 这背后，是企业基因的差异。日本企业的“垂直整合”基因，强调自给自足、精益求精，在技术相对稳定的时代，能够发挥优势；但在技术快速迭代、复杂度不断提升的今天，这种基因反而成为创新的阻碍。ASML的开放协作基因，强调资源整合、灵活应变，更适应新时代的行业发展趋势。 此外，ASML的成功，还得益于其持续创新的基因。在垄断高端光刻机市场后，ASML并没有固步自封，而是敏锐地捕捉到先进封装技术的机遇，加速跨界布局，从单一的光刻设备供应商，向全流程半导体设备供应商转型，持续扩宽自己的护城河。 不过，佳能在错失机遇后，相比尼康展现出更强的战略灵活性。它没有固守传统光刻技术，而是聚焦差异化选择，探索新路径，发展长尾客户，在夹缝中获得了自己的生存空间。这种"知进退"的智慧，值得其他非头部厂商借鉴。 竞争维度升维：从“单机”到“生态” 光刻机的战争暂时可能已经结束，但半导体设备的战争才刚刚开始。 ASML向先进封装的扩张，标志着设备巨头之间的竞争维度已经升级。当光刻机市场的胜负已定，ASML开始利用其在精密对准、高精度运动控制领域的技术壁垒，向后道设备延伸，试图构建从“前道制造”到“后道封装”的全流程解决方案。 据Yole Group预测，全球先进封装市场规模将从2024年的380-460亿美元增长至2030年的790-800亿美元，年复合增长率达9.4%-9.5%。 这一增量市场，将成为设备巨头们争夺的新战场。 这也意味着，未来的半导体设备市场，竞争将不再是单点突破，而是系统级的技术整合能力，将从单一环节开始向全流程布局转型。谁能提供更完整的解决方案，帮助客户降低系统复杂度、缩短上市周期，谁就能在下一轮竞争中占据主动。 另外还值得注意的是，地缘政治因素也将深刻影响未来半导体设备市场的格局。近年来，全球半导体产业的地缘政治博弈日益激烈，出口管制、技术封锁等措施，不仅影响了企业的发展，也改变了行业的供应链格局。未来，企业在制定战略时，也要充分考虑地缘政治因素，构建多元化的供应链，降低经营风险。 写在最后 尼康的倒下，更像一个警钟，提醒所有科技企业：在这个由资本和技术双重驱动的残酷行业里，没有永远的王者，只有时代的适应者。 尼康并非没有技术，也并非没有资金。它输在对新趋势的误判，输在封闭体系的惯性，输在未能及时调整客户结构的迟缓。当技术路线转向时，昔日的资产可能瞬间变成负债。 ASML的今天，源于二十年前那次拥抱浸没式技术的果敢，源于构建全球开放生态的战略远见。但历史已经证明，霸权往往是衰落的前奏。当ASML从光刻机霸主向“全产业链整合者”扩张时，它也在面临新的风险：技术复杂度的进一步攀升、地缘政治的不确定性、以及潜在颠覆性技术的威胁。 据中商产业研究院预测，2026年全球光刻机市场规模预计将达392亿美元。在这个规模巨大且快速膨胀的赛道上，游戏规则已然改写，技术范式的转换、商业模式的创新、生态系统的博弈，随时可能颠覆既有格局。 唯一确定的是，半导体产业的竞争永远不会停歇。唯有保持开放、拥抱变革，以及对时代变迁始终保持敬畏的企业，才能在下一次技术浪潮中存活下来。 尼康的溃败，是一曲旧时代的挽歌；而ASML的扩张与佳能的探索，则是新战局的序章。光刻机的故事远未结束，它只是翻到了更复杂、更残酷的一页。

特朗普政府已同意向一家试图在美国开发更先进半导体制造技术的初创公司注资最多1.5亿美元，这是政府利用激励措施支持具有战略重要性的国内产业的最新举措。 美国商务部在周一发布的一份新闻稿中表示， 根据这项安排，商务部将向xLight提供激励；作为回报，美国政府将获得xLight的股权，有可能成为xLight的最大股东 。 xLight是一家试图改进被称为极紫外光刻（EUV）的关键芯片制造工艺的初创公司。 荷兰公司阿斯麦（ASML）目前是EUV光刻机的全球唯一生产商，每台光刻机的成本可能高达数亿美元。xLight正寻求改进EUV工艺中的一个组件：将复杂微观图案蚀刻硅晶圆上的至关重要的激光器。xLight希望将其光源产品集成到阿斯麦的机器中。 xLight代表着美国老牌芯片制造商英特尔前首席执行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）的东山再起。去年年底，在英特尔遭遇财务业绩疲软和制造扩张停滞后，基辛格被英特尔董事会解雇。他随后加入了xLight并担任该公司董事会执行主席。 xLight的这笔交易使用了2022年《芯片法案》(Chips and Science Act)中拨给拥有广阔技术前景的处于发展早期阶段的公司的资金。这是特朗普第二任期内的首个《芯片法案》的项目奖励，也是一份初步协议，意味着尚未最终敲定，可能会发生变化。 “这项合作将支持一项能够从根本上改写芯片制造极限的技术，”美国商务部长霍华德·卢特尼克在新闻稿中表示。 对半导体行业意味着什么？ xLight的计划雄心勃勃。该公司计划建造由粒子加速器驱动的大型“自由电子激光器”，以创造出更强大、更精确的光源，可用于芯片制造厂。每台机器的尺寸约为100米乘50米，并将作为公用事业规模的解决方案安装，即在芯片厂以外部署。基辛格表示， 这笔1.5亿美元的投资将帮助xLight实现到2028年生产出第一批硅晶圆的目标 。 xLight的首席执行官是Nicholas Kelez，曾在一家量子计算公司和政府研究实验室工作。今年夏天，xLight从Playground Global等投资者那里筹集了4000万美元，基辛格现在是这家风险投资公司的普通合伙人（GP）。 阿斯麦目前使用的最先进激光器产生的极紫外光波长约为13.5纳米。xLight的激光器目标是更精确的波长，低至2纳米。如果该公司能够达到这种精度水平，将有助于芯片制造商在硅晶圆上蚀刻出更微小的线宽。 这可能有助于半导体行业继续沿着摩尔定律描述的轨迹发展。 摩尔定律指出，每块芯片上的晶体管数量，也就是芯片的计算能力，应该每两年增长一倍。 “我们正在唤醒摩尔定律。它一直在打盹。”基辛格表示。他还表示，这项新技术可以将晶圆加工效率提高多达30%至40%，并相信xLight的激光器比目前的光源消耗更少的能量。 “如果这家公司成功了，我们将改变半导体行业，”基辛格表示，“我们可以改善当前EUV的经济性，并为未来的EUV赋能。” 支持美国战略产业最新举措 对芯片初创公司xLight的注资是特朗普政府直接入股关键企业，以实现对战略产业深度干预的最新举措。 过去几个月，特朗普政府通过直接投资、贷款转股权、认股权证等方式入股了多家战略领域企业，覆盖半导体、关键矿产、稀土、锂资源等领域。 这些企业包括英特尔（半导体领域）、Trilogy Metals（关键矿产领域）、美洲锂业（锂资源领域）、MP Materials（稀土领域）等。 一些分析师批评了美国政府直接投资于英特尔等公司的战略，称这种做法是国家资本主义，并指责政府官员在挑选赢家和输家。卢特尼克曾表示，刺激关键产业并引入其他私营部门合作伙伴是合理的。

大基金三期的新动作来了。 工商信息显示，南通晶体有限公司（以下简称“南通晶体“）发生工商变更，新增国家大基金三期旗下国投集新（北京）股权投资基金（有限合伙）为股东，同时注册资本由3亿人民币增至4亿人民币。 在今年9月，国投集新曾出现在拓荆键科融资计划当中，当时计划以不超过4.5亿元认缴拓荆键科新增注册资本192.1574万元。该交易完成后，国投集新对拓荆键科的出资额占本次增资后拓荆键科注册资本的比例约12.7137%。截至目前，以上融资计划还未完成。 与此同时，国投集新的新目标已经浮出了“水面”，向南通晶体认缴出资1亿元，持股25%。南通晶体因此成为国投集新今年公开完成的首个被投项目。 据悉，国投集新基金成立于2024年12月31日，出资额710.71亿元，主要出资人是大基金三期，穿透股权后其大股东为国家开发投资集团有限公司，实控人为国务院国资委。 被其“相中”的南通晶体是主要从事国内高性能合成石英材料业务，在激光、半导体及精密光学有着广泛的应用。《科创板日报》记者注意到，南通晶体的总经理钱宜刚此前在参加活动时，着重强调公司正在加快推进高性能合成石英产业发展，助力光掩模行业实现跨越。 “光掩模”是钱宜刚对外多次重点提到的公司发展方向，而这也是芯片制造的上游关键材料。据了解，光掩膜基板是半导体制造中光刻工艺的核心材料，用于承载芯片设计图案并转移至晶圆，直接影响制程精度和良率；尤其在先进制程（如5nm以下）中占据不可替代的战略地位，是半导体产业链自主化的重要环节之一。 目前，光掩膜基板主要分为树脂基板和玻璃基板两类，其中玻璃基板因高精度需求多采用高纯石英玻璃材料。高纯石英玻璃凭借其高纯度、耐高温和低热膨胀系数等特性，广泛应用于半导体光刻工艺中，对芯片图案转移的精度起关键作用。 但需要注意的是，光掩模基板主要依赖进口，美国康宁、德国贺利氏和日本信越等公司几乎垄断了产业需求供给。有数据称，高端掩模基版国产化率只有不到3%。 南通晶体目前对外披露的是，通过深耕合成石英气相沉积技术，着力解决制约合成石英关键技术突破和国产化自主可控问题，进而推动光掩模国产化。 南通晶体的大股东也与半导体行业有着紧密关联，持有60%股份的母公司中天科技（600522.SH）是我国最早的海底光电缆制造商之一，也是国内光电缆品种最齐全的专业企业,其主要产品包括光通信及网络、电力传输、海洋系列、新能源等,在国内特种光缆市占率高达30%-40%。 且中天科技正在布局光通信模块，已经建成用于400G 光模块和 400G/800G 硅光模块研发的 COB 高速光模块实验室，成功掌握 COB 高速光模块的封装能力；并研发出工业级光模块，已经实现首次市场订单的批量交付。 10月28日，中天科技公布的2025年三季报显示，公司前三季实现营业收入379.74亿元，同比增长10.65%；归母净利润23.38亿元，同比增长1.19%；扣非归母净利润21.43亿元，同比增长0.61%。

财联社资讯获悉，掩膜版是微电子制造过程中的图形转移母版，是平板显示、半导体、触控、电路板等行业生产制造过程中重要的关键材料。随着AI、自动驾驶等领域发展，掩膜版行业将迎来技术升级机遇。 半导体掩膜版与光刻机是芯片制造过程中高度协同的核心要素，二者共同构成光刻工艺的技术支柱。作为光刻复制图形的基准和蓝本，掩膜版是连接工业设计和工艺制造的关键，掩膜版的精度和质量水平会直接影响最终下游制品的优品率。根据多方机构预测需求综合研判，预计2025年国内半导体掩膜版市场规模在约为187亿人民币，其中晶圆制造用掩膜版预计为100亿元人民币，封装用掩膜版预计为26亿元人民币，其他器件用掩膜版为61亿元人民币。目前国内厂商掩膜版营收体量整体来说相对较低，各厂商正处于技术持续升级、新高端产能即将陆续释放、半导体掩膜版渗透率由1走向N的阶段。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 清溢光电 半导体芯片掩膜版技术方面，公司已成功实现180nm工艺节点半导体芯片掩膜版的量产，并完成了150nm工艺节点掩膜版的小规模量产。 路维光电 表示，公司在二季度下游需求旺盛，生产接近满载。公司正加快在平板显示掩膜版以及半导体掩膜版的投资节奏，多个扩产项目有条不紊推进。

合肥集成电路产业链再次补齐一大重要环节。 在合肥国有资本创业投资有限公司、晶合集成、青岛高信智汇创业投资合伙企业、合肥建翔投资有限公司等多方注资下，安徽首家半导体光刻掩模版企业——安徽晶镁光罩有限公司（下称“安徽晶镁”）拟成立，多家资方合计向其增资11.95亿元。 值得关注的是，安徽晶镁关于半导体光刻掩模版的技术资产，均来自晶合集成方面的转让。后续，安徽晶镁将自行建设光罩生产线，专注于28nm及以上工艺节点半导体光罩生产制造。 公告显示，晶合集成2022年开始建设光罩生产线项目，2024年7月生产出安徽省首片半导体光刻掩模版，填补了安徽省在该领域的空白。 根据晶合集成发展战略规划，该公司计划将光罩业务从其现有业务中划分出来独立运营，并引入外部投资者，与关联方共同规划设立安徽晶镁建设光罩生产线，并将以非公开协议方式将自行研发的光罩相关技术转让给安徽晶镁。 据资产评估报告显示，上述技术转让的交易对价为2.77亿元。 同时，安徽晶镁还将向晶合集成短期租用厂房、设备及配套设施等。 根据安徽晶镁发展规划，安徽晶镁将自行在合肥高新区建设厂房，在厂房建设完成前，安徽晶镁及其子公司安徽晶瑞需向晶合集成租赁厂房及厂务配套设施开展生产经营活动，同时，晶合集成拟将现有光罩生产线相关设备以经营租赁方式出租给安徽晶瑞使用。租赁期限均为3年。 按收入计，晶合集成是中国大陆市场第三大、全球第九大半导体晶圆代工企业。 此次对安徽晶镁进行增资后，晶合集成将直接持有其16.67%股权。根据交易安排，晶合集成对安徽晶镁提名的董事人数不会达到后者董事会席位半数以上，晶合集成无法控制安徽晶镁，安徽晶镁无需与上市公司并表。 安徽晶镁未来生产的半导体光刻掩模版产品，除了将向晶合集成供应外，还会在外部承单，补齐区域集成电路产业链条，提升整体发展竞争力。 据晶合集成方面表示，将光罩业务独立运营，一方面是为更好把握光罩业务市场机遇，扩大现有光罩业务生产规模，进一步增强上游供应链的稳定性及产业协同性。 另一方面， “既有利于光罩业务以独立主体身份灵活对接和承接外部客户订单，提升市场竞争力以实现高质量发展，也能通过专业化运营为上市公司创造更优业绩” 。 近年来，我国半导体产业快速发展，光刻掩模版作为半导体制造中光刻工艺的核心图形母版，是集成电路制造的关键材料之一，其重要性日益凸显，且市场对高性能、高精度光刻掩模版的需求持续增长。 在投资方对安徽晶镁增资完成后，该公司第一大股东将为合肥国有资本创业投资有限公司（下称“合肥国投”）。合肥国投为合肥市建设投资控股（集团）有限公司持股100%持股企业。 据了解，合肥先后被国家发改委、工信部列为集成电路产业重点发展城市，集成电路产业获批首批国家战略性新兴产业集群。目前，合肥已经拥有集成电路设计、制造、封装测试及设备材料全产业链的城市之一，集聚晶合集成、通富微电、汇成股份、恒烁股份、颀中科技等一批龙头企业，产业链条不断完善。

全球光刻机龙头阿斯麦（ASML）在今日（北京时间7月16日）公布了超预期的2025年第二季度业绩。 阿斯麦第二季度销售额为76.9亿欧元，位于该公司业绩指引上限，市场预期为75.4亿欧元；第二季度订单额为55.4亿欧元（包括20亿欧元的EUV光刻机订单），环比大增41%，市场预期44.5亿欧元。 第二季度其净利润为22.9亿欧元，市场预期20.1亿欧元；第二季度毛利率为53.7%，超出该公司此前的业绩指引，市场预期51.6%，主要得益于高利润的升级业务及一次性成本降低。 阿斯麦预计第三季度销售额将在74亿欧元至79亿欧元之间，第三季度毛利率为50%至52%，预估值为51.4%；另外预计2025年销售额将同比增长约15%，预计2025年毛利率约为52%。 其首席执行官克里斯托夫•富凯（Christophe Fouquet）表示，AI是先进制程芯片（包括逻辑和内存芯片）最大的驱动力，进一步推动了EUV光刻机的需求，预计客户的AI需求在2026年仍将保持强劲。但富凯同时表示，宏观经济和地缘政治发展推动的不确定性仍不断增加。 截至目前，阿斯麦总市值为3237亿美元，股价创今年4月以来新高（826.56美元/股）。

久日新材亏损收窄。 4月18日晚间，久日新材发布2024年业绩报告显示，报告期内，该公司实现营收14.88亿元，同比增长20.52%；实现净利润-5376.08万元，较去年同期相比，亏损收窄44.08%。 对于净利润亏损收窄，久日新材表示原因有二：一是光引发剂的销量销量突破历史记录，达到2.31万吨，同比增长20.21%， 但受光引发剂单价较低影响，且半导体产业投入较大，净利润仍为亏损，但亏损金额较上年同期大幅减少；二是采取多样化营销策略，稳固现有市场份额且争取潜在客户等，其整体竞争力提升。 今年4月，美国对中国加征关税。因全球光引发剂的主要生产集中在中国，且多个品种仅在我国生产，因此短期内美国市场对中国光引发剂存在一定依赖。 对于美国关税影响， 久日新材在财报中表示，报告期内，公司对美国的出口金额约占公司营业收入的8%左右，且公司多数产品不在本次美国加征关税的范围内，美国本次关税政策不会对公司业务产生重大影响。 “近年来国际形势复杂多变，贸易政策的不确定性逐步增加，若国际经济和贸易环境发生重大不利变化，可能会对公司产品出口带来一定压力。”久日新材进一步表示。 久日新材主要从事光引发剂、单体等光固化材料，光刻胶、光敏剂等半导体化学材料的研发、生产和销售，产品应用于电器/电子涂装、印刷线路板制造、3D打印、半导体等行业。 久日新材在半导体光刻胶领域的布局，成为市场普遍关注的焦点。 去年11月19日，久日新材发布公告，该公司在控股孙公司徐州大晶新材料科技集团有限公司投资建设的“徐州大晶新材料科技集团有限公司（下称“大晶新材”）年产4500吨光刻胶项目”现已完成建设，试生产方案业经专家组评审通过，于11月19日起正式进入试生产阶段。 久日新材表示，上述项目为年生产面板光刻胶4000吨和半导体光刻胶500吨，将推动其光刻胶产品产业化进程，实现光刻胶产品的规模化生产。 《科创板日报》记者注意到，2024年，该公司光引发剂销量创新高之外，光刻胶专用光敏剂和光刻胶已实现批量供货并形成收入。 公司表示已成功开发出30余款光刻胶配方产品。报告期内，公司光刻胶营业收入为134.24万元，占总收入的比例为0.09%。 在募投项目进展方面，久日新材存在多个首发募投项目投入进度不及预期以及变更募投项目投向等情况。 其中，针对公司子公司大晶新材年产4500吨光刻胶项目投入进度未达计划的原因，久日新材表示，为满足国内市场对光刻胶产品的需求，确保公司产品质量，公司对项目设计方案及思路进行了重新论证，并对项目建设内容进行了部分调整，造成延期交付。

由先进半导体产业集群主办的2025中国国际半导体先进技术与应用大会，将于4月22日在苏州举办。 兴业证券分析指出，全球晶圆厂设备开支保持强劲，光刻机需求持续提升。ASML预计到2030年，全球半导体销售额将超过1万亿美元，2025-2030年CAGR达9%；2025年-2027年，全球300mm晶圆厂设备支出预计分别1232亿美元/1362亿美元/1408亿美元，同比分别增长24%/11%/3%，光刻机是半导体设备中市场占比最大品类，市场占比达24%。伴随先进逻辑和存储芯片制程持续迭代，EUV光刻机占比持续提升。光刻机作为芯片制造光刻环节的核心设备，目前全球前道光刻机被ASML、尼康、佳能垄断，实现光刻机的国产化势在必行，具有重大战略意义。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 茂莱光学 为光刻机光学系统提供用于匀光、中继照明模块的光学器件、投影物镜，以及用于工件台位移测量系统的棱镜组件，是光刻机实现光线均匀性与曝光成像的核心模块。 张江高科 于2024年10月，通过子公司上海张江浩成创业投资有限公司投资了上海微电子公司22,345万元人民币，持有上海微电子公司10.779%的股权。

一直以来，光刻材料行业及其相关企业发展备受市场关注。 近期，厦门恒坤新材料科技股份有限公司（下称“恒坤新材”）科创板IPO申请获上交所受理。 日前，《科创板日报》记者走访恒坤新材位于福建省厦门市海沧区海沧大道567号办公地，采访该公司董秘办人士。在调研中，其向《科创板日报》记者介绍了公司最新业务进展、研发布局情况，以及未来相关规划等。 据了解， 除了光刻胶，恒坤新材亦在SOC（碳膜涂层）、BARC（底部抗反射涂层）等关键光刻材料领域进行布局， 并实现从0到1再到N的落地突破。 ▍自产光刻材料已供应12寸芯片制造 半导体光刻胶本土化进展几何？ “公司有多款ArF光刻胶进入客户验证流程；KrF光刻胶已通过客户验证并实现批量销售。”恒坤新材董秘办人士告诉《科创板日报》记者，该公司所供应或送样的KrF、ArF光刻胶均用于客户12英寸高端制程产品。 据介绍， 恒坤新材已成为境内为数不多的几家公司中，KrF、ArF高端光刻胶销售规模达到千万级别的企业之一。 “未来公司将继续重点攻克更多高端ArF、KrF系列产品研发，解决半导体光刻胶本土化替代问题。”一位接近该公司的业内人士补充说道。 对于光刻胶来说，越先进的芯片制程，需要波长越短的光刻胶，意味着门槛越高。从应用角度来看，KrF（248nm）和ArF（193nm）属于高端光刻胶，适用于0.25μm-7nm制程，基本涵盖当前主流芯片领域，包括大部分数字芯片和几乎所有的模拟芯片。 “从需求端来看，KrF、ArF光刻胶，可满足除了手机芯片之外市场上绝大部分芯片本土化需要，不管是存储芯片、逻辑芯片还是功率芯片，对KrF、ArF光刻胶有着较大的需求量，是当前市场最亟需实现本土化的半导体材料之一。”据该公司董秘办人士表示，这也是未来数年，其计划在安徽募资建设的集成电路用先进材料项目。 目前，我国半导体光刻胶国产化率仍处于较低水平。 在KrF领域，仅少数研发进度领先企业实现小批量应用；高端ArF光刻胶领域，国产企业基本尚处于研发、验证阶段。 根据弗若斯特沙利文市场研究，KrF光刻胶国产化率在1%-2%左右，ArF光刻胶国产化率不足1%水平。 西部证券分析表示，我国半导体光刻胶市场超90%主要依赖进口，本土厂商虽起步较晚，但目前处于国产化加速期。 据《科创板日报》不完全统计，境内企业里，除恒坤新材已实现KrF光刻胶量产供货外，包括南大光电、北京科华、上海新阳、瑞红苏州等也有半导体光刻胶产品在验证或量产供货过程中。 在国内众多竞争对手环视的情况下，恒坤新材有哪些核心优势？ 前述恒坤新材董秘办人士表示，与国内大部分厂商所生产的g/i系列以及KrF光刻胶，主要应用于6英寸、8英寸晶圆制造不同， 恒坤新材生产的同类型产品则应用于12英寸晶圆制造，相对更高端。 此外，“除了要满足客户技术节点和工艺制程要求，还需要突破产品的稳定性、一致性及后续批量化生产难题。”据其解释称，在产业化生产方面，晶圆厂的先进工艺对光刻胶要求苛刻，要求多个批次的光刻胶在性能、稳定性、一致性上，必须做到分毫无差，这就要求光刻胶厂商有极强的质量管控能力。 “在摩尔定律的驱动下，芯片发展需要产业链上下游齐心协力。作为上游光刻材料供应商，同样需要与下游晶圆厂紧密合作。”前述接近公司的业内人士表示，经过前期磨合，恒坤新材与下游晶圆企业形成了从研发到产品化的完整产业链。这种协同发展的模式，提高了产品的质量和一致性，快了新产品的上市速度。 ▍向上游原材料延伸以解决“卡脖子”难题 “从公司的发展路径来看，恒坤新材目前在做的事情，更像是中国电子材料领域的‘中国版杜邦’。”有业内人士如此评价。 恒坤新材董秘办人士表示，“公司围绕先进半导体刻蚀工艺，布局了如SOC、BARC等光刻材料，实现本土化替代与量产供货。” 据其介绍， 恒坤新材自产的SOC、BARC产品，同样应用于高端制程领域， 如：应用于逻辑90nm以下、3D NAND 128层以上、DRAM 18nm以下，且制程越高端用量越大，是光刻环节必备的关键光刻材料。 《科创板日报》记者注意到，除布局SOC、BARC、光刻胶等产品外，该公司也在向上游原材料延伸，试图通过合作研发的方式实现上游原料的供应链安全，从源头解决光刻材料“卡脖子”难题。 为何布局不同种类的光刻材料？ “这是由半导体行业特性决定的。”该公司董秘办人士对《科创板日报》记者介绍，晶圆制造及其复杂，需要经过近十道核心工艺‌，有几百甚至几千个步骤、使用数十种材料，而每一个品类的用量相对又较小。“但如果在多个业务上都有布局，则形成了一定规模的市场体量，将具有较大的发展潜力。” 上述接近恒坤新材的业内人士进一步解释称， 站在供应链安全角度看，各大晶圆厂商鼓励并支持同一家光刻材料企业能够尽可能供应多种光刻材料，保障供应链稳定和产品一致性。 多重因素下，近年来，恒坤新材供应的光刻材料品类逐渐丰富。 “目前，SOC、BARC、KrF光刻胶、i-Line光刻胶以及TEOS均已实现量产供货，其中，SOC是恒坤新材自研产品中收入占比最高的产品。截至2023年度，公司自产产品销售收入为1.91亿元。公司自研产品已部分实现或正在尝试替代境外厂商等。”恒坤新材董秘办人士透露。 据悉，SOC主要成分是高碳含量的交联芳香结构聚合物，通常旋涂在衬底表面作为第一层材料，解决衬底表面结构的平整度问题，为后续材料旋涂提供基础。 有机构分析人士对《科创板日报》记者称，SOC在半导体领域的需求量近年来呈现出高增长的态势，被广泛应用于先进NAND、DRAM存储芯片、45nm至7nm制程逻辑芯片制造工艺需求。 “目前SOC的本土化率在10%左右，恒坤新材供应九成以上的市场销量。”上述接近公司的业内人士表示，在技术难度上，SOC、BARC和光刻胶一样，均属于配方型产品，涉及多种原材料的混配，且对生产工艺和产品质量的稳定性要求亦不亚于光刻胶，同样是需要解决“卡脖子”问题的光刻材料。 根据招股书，恒坤新材自研的SOC与BARC销售收入占其自产光刻材料销售收入的比例超过90%，量产供货产品款数合计超过30款，实现对境外厂商同类产品的替换，是恒坤新材自产光刻材料主要销售品种和利润增长点。

尽管目前最先进的光刻机已经可以用于生产2nm芯片，但科学家仍在持续探索以进一步提升光刻机的综合性能，用于产生光源的激光器或成下一个突破口。 近日，据Tom's Hardware报道，美国实验室正在开发一种拍瓦（一种功率单位，表示10^15瓦特）级的大孔径铥（BAT）激光器。据悉，这款激光器拥有将极紫外光刻（EUV）光源效率提高约10倍的能力，或有望取代当前EUV工具中使用的二氧化碳激光器。 事实上，这则消息最早可以追溯至上个月。当时美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室（LLNL）在新闻稿中宣称，由该机构牵头的研究组织旨在为极紫外 (EUV) 光刻技术的下一次发展奠定基础，而其中关键即是被称作BAT激光器的驱动系统。 公开资料显示，LLNL是美国著名国家实验室之一，其最初成立于1952年，目前隶属于美国能源部的国家核安全局（NNSA）。数十年来，其尖端激光、光学和等离子体物理学研究在半导体行业用于制造先进处理器的基础科学中发挥了关键作用。 对于这款尚在开发的新型BAT激光器，LLNL方面表示，其能以更低的能耗制造芯片，并且可能会催生出下一代“超越EUV”的光刻系统，借此系统生产的芯片将会“更小、更强大”。 BAT激光器强大的关键或许在于其使用掺铥元素的氟化钇锂作为增益介质。据悉，通过该介质可以增加激光束的功率和强度。 “我们将在LLNL 建立第一台高功率、高重复率、约2微米的激光器，”LLNL等离子体物理学家杰克逊·威廉姆斯表示：“BAT 激光器所实现的功能还将对高能量密度物理和惯性聚变能领域产生重大影响。” 自诞生以来，半导体行业一直竞相将尽可能多的集成电路和其他功能集成到一块芯片中，使每一代微处理器变得更小但更强大。过去几年，EUV 光刻技术占据了领先地位，其由二氧化碳脉冲激光器驱动EUV光源，从而将小至几纳米的微电路蚀刻到先进芯片和处理器上。 但目前LLNL的研究表明，BAT激光器的工作波长可以实现更高的等离子体到EUV转换效率。此外，与基于气体的二氧化碳激光装置相比，BAT系统中使用的二极管泵浦固态技术可以提供更好的整体电气效率和热管理。这意味着在半导体生产中实施BAT技术将有望减少大量能耗。 据Tom's Hardware援引市场调研机构 TechInsights的数据显示，预计到2030年，半导体晶圆厂每年将消耗54000吉瓦（GW）的电力，超过新加坡或希腊的年消耗量。因此，预期半导体行业将寻找更节能的技术来为未来的光刻系统提供动力。