据报道，美国明尼苏达大学双城分校的一个研究小组首次合成了一种独特的拓扑半金属材料薄膜，这种材料有潜力产生更多的算力和内存空间，同时使用更少的能源。 最新研究成果已于近期发表在了《自然通讯》杂志上。 正如美国《芯片和科学法案》所证明的那样，半导体制造业的重要性正在提升，更加需要支持研究开发无处不在的电子设备所需的材料。虽然传统的半导体技术是当今大多数计算机芯片背后的技术，但科学家和工程师们一直在寻找能够用更少的能量产生更多能量的新材料，以使电子产品更好、更小、更高效。 其中一个有潜力的替代选择是一类被称为拓扑半金属的量子材料。这些材料中的电子以不同的方式表现，使材料具有常见绝缘体和金属所不具备的独特特性。有鉴于此，这是传统半导体器件的替代方案，利用电子的自旋而不是电荷来存储数据和处理信息。 在这项新研究中，明尼苏达大学的一个跨学科研究小组成功地合成了一种薄膜材料，并证明了它具有低能耗、高性能的潜力。 在研究过程中，科学家们使用了一种与行业兼容的溅射工艺来制造这种半金属的薄膜形式。这一技术很容易被采用并用于制造真实世界中的设备，为延长电子设备的寿命和降低能耗提供了新的解决方案。 研究人员说，“我们正在寻找方法来延长我们的电子设备的使用寿命，同时降低能耗，我们正在尝试以非传统的、开箱即用的方式来实现这一目标。” “在我们的生活中，我们每天都在使用电子设备，从手机到洗碗机再到微波炉。他们都用芯片。问题是，我们如何最大限度地减少能源消耗？这项研究是朝着这个方向迈出的一步。我们正在开发一种新型材料，具有类似或更好的性能，但消耗的能源要少得多。”他们补充说。 研究人员们总结道，这项研究的成果不仅展示了拓扑半金属材料在电子设备中的巨大潜力，还为未来的科学研究和技术创新提供了新的方向。

据专注于人工智能（AI）的智库Rebellion Research称，英伟达的股价今年飙升得如此之高，以至于这家半导体巨头目前的估值水平让人想起17世纪的郁金香泡沫和上世纪90年代末的互联网泡沫。 今年迄今，AI芯片巨头英伟达股价已大涨逾190%，至416.10美元，但该智库表示，该股目前被严重高估，随时可能崩盘。 Rebellion Research的分析师在最新报告中写道：“从历史上看，金融市场见证了无数的资产泡沫，从17世纪的郁金香狂热，到20世纪90年代末和21世纪初的互联网泡沫。” “因生成式人工智能热情高涨，以及自身盈利飙升，英伟达最近的股票表现似乎表现出这种投机泡沫的许多特征。我们认为英伟达是一家伟大的公司……然而，可能也只是每股300美元。”他们补充说。 Rebellion Research是一家全球机器学习智库、人工智能金融顾问，同时亦是一家对冲基金。 像ChatGPT这样的生成式人工智能程序需要在高性能的专用图形处理单元（GPU）上运行，而英伟达在这个市场上占有巨大的份额。在后者发布了出色的财报后，投资者大举增持其股票。 这使得英伟达的估值达到了万亿美元，并使其成为由大型科技公司组成的“七巨头”中的一员。但据Rebellion称，人工智能的“实用性和盈利能力”还有待观察，这使得英伟达的股价在目前的水平上很脆弱。 策略师们在报告中警告称，从目前的市盈率来看，该公司估值过高，如果美联储最终将利率维持在较高水平更长时间以对抗通胀，该公司的股价可能会陷入困境。 他们写道：“以历史市盈率为参考，加上货币政策即将转变，投资者应谨慎行事。就像之前的每一次泡沫一样，导致泡沫上升的因素往往埋下了泡沫最终破裂的种子。” Rebellion利用概率模型进行市场预测，将这家芯片制造商的估值与过去400年里几个备受瞩目的泡沫进行了比较。 其中包括17世纪30年代的荷兰郁金香热潮——当时郁金香球茎的合约价格飙升，造成了第一次投机性金融泡沫，以及互联网泡沫破裂，后者引发了2000年3月至2002年10月期间以科技股为主的纳斯达克综合指数的大规模抛售。 事实上，对英伟达股价发出警告的也不止该机构。传奇投资人、投资机构Research Affiliates的董事长罗伯•阿诺特（Rob Arnott）本月早些时候警告称，英伟达的股票在今年惊人的反弹之后形成了一个资产泡沫，如果泡沫破裂，可能引发更大范围的市场崩盘。 “英伟达的崩盘会拖累整个市场吗？这是很有可能的，”他说。

湖北省政府发布关于印发加快“世界光谷”建设行动计划的通知。计划提出：加强关键核心技术攻关。对接落实国家战略部署，争取设立国家级光电子信息科技创新专项。深入实施“尖刀”技术攻关工程，深入探索关键核心技术攻关新型举国体制“光谷方案”。创新“产学研用一体化”机制，以企业为主体，联合高校院所、产业基金、公共平台、行业协会等资源协同攻关。聚焦高端芯片、关键设备、基础原材料、基础软件等领域，突破存储芯片、超高速光收发模块专用芯片、功率半导体芯片、传感芯片、光纤传感网络用特种光芯片与器件、OLED有机发光材料、超快激光器种子源、工业基础软件等一批产业关键核心技术。 以下为原文： 加快“世界光谷”建设行动计划 习近平总书记指出，光电子信息产业是应用广泛的战略高技术产业，也是我国有条件率先实现突破的高技术产业。习近平总书记考察光谷时，充分肯定武汉东湖新技术开发区在光电子信息产业领域独树一帜，要求加强技术研发攻关，掌握更多具有自主知识产权的核心技术，不断延伸创新链、完善产业链，为推动我国光电子信息产业加快发展作出更大贡献。为深入贯彻落实党的二十大精神、习近平总书记关于湖北工作重要讲话和指示批示精神，高水平建设“世界光谷”，打造湖北建设全国构建新发展格局先行区的前沿阵地，实现高水平科技自立自强，制定本行动计划。 一、勇担职责使命，把握“世界光谷”建设总体要求 充分认识建设“世界光谷”的重大意义。 建设“世界光谷”是深入落实习近平总书记考察湖北武汉重要讲话精神的生动实践，有利于推动我国光电子信息产业率先实现突破，提升我国在全球发展大局中的战略位势；是加快实现高水平科技自立自强的内在要求，有利于加快推动武汉具有全国影响力的科技创新中心建设，加速构筑安全可控、“以我为主”的光电子信息产业技术体系，塑造更多依靠创新驱动的引领性发展；是聚力培育世界级产业集群、全面推进中国式现代化的现实需求，有利于推动中部地区构建以先进制造业为支撑的现代产业体系，促进国内市场形成良性循环，塑造参与国际合作和竞争新优势；是东湖高新区实现突破性发展的必由之路，有利于将东湖高新区建设成为新时代国家高新区创新发展标杆、世界领先科技园区和全球创业者向往之地，全面增强武汉新城辐射带动能力，打造以武鄂黄黄为核心的武汉都市圈。 建设“世界光谷”的基本思路。 以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，全面贯彻党的二十大精神和习近平总书记考察湖北武汉重要讲话精神，立足新发展阶段，完整、准确、全面贯彻新发展理念，积极服务和融入新发展格局，扛起支撑国家高水平科技自立自强的使命担当，以创新驱动引领高质量发展为主线，以突破性发展光电子信息产业、培育世界级产业集群为核心，以营造企业茁壮成长、要素富集流动、治理先进高效的创新生态为支撑，围绕科研平台、人才队伍、领军企业、科技金融和体制机制实施一批超常规举措，引领武汉具有全国影响力的科技创新中心建设，全面推进武汉新城建设，成为武汉都市圈高质量发展主引擎，为奋力谱写全面建设社会主义现代化国家荆楚篇章作出光谷贡献。 建设“世界光谷”的奋斗目标。 到2025年，“中国光谷”世界影响力初步显现。光电子信息产业在全国“独树一帜”的领先地位和策源地位进一步巩固提升，量子科技、人工智能等前沿领域布局基本形成，成为“世界光谷”建设的先锋力量和代表国家参与全球竞争的重要战略科技力量。力争实现“五个一”目标，即打造1个国家实验室、开展100项关键核心技术攻关、诞生1家千亿级科技领军企业、培育1万家高新技术企业、形成1个万亿产业集群。 到2035年，建成具有全球影响力的“世界光谷”。引领武汉具有全国影响力的科技创新中心全面建成，成为世界创新版图重要一极、全球光电子信息产业地标和宜居、绿色、智慧、人文的世界知名科技新城，全力打造以光电子信息技术为基础、未来产业与经济社会深度融合的“世界光谷”。主要体现为： ——世界一流的科研平台。实现国家实验室、全国重点实验室、重大科技基础设施、创新中心等战略科技平台建制化布局，建成产教深度融合、科教加速融汇的示范引领区，在量子、智能等前沿技术领域涌现一批全球领先的重大原创技术成果，成为国家扩大国际科技合作的重要平台。 ——世界一流的人才队伍。引进培养一批具有原始创新能力和战略眼光的顶尖科学家、领军企业家和高层次创新人才，建成国际人才交流合作的重要枢纽，成为全球创新人才“慕名自来、纷至沓来、近悦远来”的向往之地。 ——世界一流的领军企业。集聚一批在国际资源配置中占主导地位、引领全球行业技术发展、具有国际话语权和影响力的科技领军企业，以瞪羚、独角兽、“专精特新”企业为代表的高科技、高成长企业大量涌现，建成全球最具吸引力的企业成长栖息地之一。 ——世界一流的科创金融。引领支撑武汉打造全国科创金融改革试验区，科技创业和风险投资活跃度居全球前列，形成支持颠覆性创新的长效投入机制和有利于科技产业蓬勃发展的低成本、全周期资本聚集效应。 ——世界一流的体制机制。体制机制改革取得重要突破，全面打通从基础研究、技术研发、成果转化到产业创新的链接通道，建立与国际接轨的治理结构和组织体系，形成满足科技和产业领跑发展需求的创新治理体系。 二、强化战略科技力量，打造世界级原始创新策源地 突出“四个面向”，加快建设世界一流东湖科学城，推进国家实验室、国家科研机构、高水平研究型大学、科技领军企业等战略科技力量建制化布局，加强原创性引领性技术攻关，鼓励未知领域的原始创新和破壁性探索，推动科教深入融汇、产教深度融合，做强科技创新策源引擎。 建设世界级原始创新承载区。 构建高水平实验室体系。创建光电子信息领域国家实验室，大力开展战略性、前瞻性、基础性研究，形成一批光电子信息领域标志性成果。支持武汉光电国家研究中心提升原始创新能力，推动光电子信息领域全国重点实验室优化重组。支持九峰山实验室、江城实验室、武汉量子技术研究院等平台聚焦化合物半导体、新型存储器、量子精密测量等领域打造世界一流科研实验基地，争创国家实验室在鄂重要基地。 打造重大科技基础设施集群。推进形成“建成投用一批、推进建设一批、预研预制一批”的重大科技基础设施建设发展格局。推动精密重力测量设施运行，加快建设高端生物医学成像、国家作物表型组学研究、深部岩土工程扰动模拟、脉冲强磁场实验装置优化提升等设施，推进武汉先进光源研究中心、磁约束氘氘聚变中子源等设施预研预制，为光电材料、微电子、脑科学等领域基础研究、前沿创新和关键核心技术攻关提供平台条件。加快建设光谷科学岛，推动重大科技基础设施集中布局。 建设高能级产业创新平台。加快推进国家先进存储产业创新中心、国家信息光电子创新中心、国家数字化设计与制造创新中心、国家数字建造技术创新中心、国家智能设计与数控技术创新中心等重大产业创新平台建设，推动氢能制造业创新中心、长江新型显示产业创新中心等创建国家级平台。加快建设国家现代农业科技创新中心，开展重大动植物疾病防治、关键农机装备等关键技术产学研用协同攻关，推进种源自主可控。推进微机电系统（MEMS）公共技术服务平台、化合物半导体创新中心等服务平台建设，提升国家光电子信息产品质量监督检验中心、湖北省光电测试技术服务中心等平台服务功能。引导创新平台面向产业链开放科研基础设施和大型科研仪器设备。 加强原创性引领性技术攻关。 加强关键核心技术攻关。对接落实国家战略部署，争取设立国家级光电子信息科技创新专项。深入实施“尖刀”技术攻关工程，深入探索关键核心技术攻关新型举国体制“光谷方案”。创新“产学研用一体化”机制，以企业为主体，联合高校院所、产业基金、公共平台、行业协会等资源协同攻关。聚焦高端芯片、关键设备、基础原材料、基础软件等领域，突破存储芯片、超高速光收发模块专用芯片、功率半导体芯片、传感芯片、光纤传感网络用特种光芯片与器件、OLED有机发光材料、超快激光器种子源、工业基础软件等一批产业关键核心技术。 支持前沿引领技术创新。鼓励高校院所、领军企业开展基础研究和应用基础研究，依托国家实验室、全国重点实验室、重大科技基础设施等创新平台开展战略性前沿技术创新。聚焦新一代通信、高端装备、生物科技、智能科技等前沿领域，加强6G、量子通信、超高速光传输、化合物半导体、微机电系统（MEMS）、三维异质异构集成、忆阻器、量子点OLED、激光跨尺度极端制造、三维多轴装备集成、3D生物打印、医疗人工智能、人机交互及人机共驾、复杂环境感知等技术攻关，形成一批重大原始创新成果。 支持颠覆性技术创新。以国家科技创新2030重大项目等为指引，组织高校、科研机构、企业开展跨学科颠覆性技术研究。支持可见光通信、碳基集成电路、脑机接口、万物智能互联等下一代信息技术研发；支持脑科学与类脑研究、基因编辑、干细胞与再生医学、单细胞多组学、合成生物科技、组织工程治疗、造血干细胞移植等生命科学技术研究；支持氢能、新型储能等未来能源技术，以及新一代半导体材料、超导材料等未来材料技术研究。 鼓励未知领域创新探索。坚持有限聚焦、自由探索，紧密跟踪全球在物质、空间、地球等领域科学研究新动态，鼓励开展“原创性、交叉性、颠覆性”无疆界创新，抢抓新物质、新特征、新属性带来的重大关键技术突破、交叉融合创新、颠覆性创新机会。 强化科教深度融合协同创新。 支持高水平科教融合。在东湖科学城建设国际科教融合集聚区，全方位加强与清华大学、北京大学、武汉大学、华中科技大学等高水平研究型大学合作，在物质、信息、生命、材料等科学领域组建基础学科研究中心。高标准规划建设国际一流东湖高等研究院。支持中国科学院精密测量科学与技术创新研究院、地下空间工程科学创新研究机构、中国科学院大学武汉学院以及云湖智慧平台、中国科学院武汉病毒研究所抗病毒的疫苗药物研发中心等建设，推动中国科学院微电子研究所、半导体研究所、自动化研究所、微生物研究所等在东湖高新区布局建设前沿交叉研究平台。 促进高效率协同创新。围绕国家重大战略和产业发展需求，鼓励武汉大学、华中科技大学等高校院所联合领军企业布局建设高水平协同创新中心，强化原始创新和关键核心技术攻关。支持高校院所围绕光电子信息、生命健康等产业链核心环节开展有组织的科学研究，促进创新链和产业链精准对接，推动重大原始创新和关键技术转化为先进生产力。加快建设武汉产业创新发展研究院，提升光电、智能装备、导航、量子技术、生物技术、人工智能等产业技术研究院关键技术创新能力，建设一批机制体制灵活、市场适应能力强的新型研发机构。按照“股权投资+项目支持”方式，支持一批重大科技成果项目开展延展性研究和转化应用。到2025年，建设40家高端新型研发机构。 打造未来产业科技园。支持高校院所联合科技领军企业，采取“学科+产业”的模式建设未来产业科技园。加快建设华中科技大学光电与医疗装备未来产业科技园，与武汉大学协同创建地球空间信息国家未来产业科技园，在高端医疗装备、智能化制造、光电材料与芯片、地球空间信息等领域打造集成转化中心，加速成果转化和应用场景建设，培育一批未来产业领域初创企业。做强大学科技园科技成果转化、科技企业孵化、科技人才培养等核心功能，提升市场化、专业化、国际化发展水平。 加大科技领军企业培育力度。 支持龙头企业通过兼并重组等方式增强全球资源配置和整合能力，打造掌握国际话语权的科技领军企业。支持“专精特新”“单项冠军”企业强化行业技术引领，增强产业关键环节控制力，发展成为全球细分行业领军企业。支持领军企业组建高能级产学研创新体系化平台，共建任务型联合体承担国家科技专项等重大任务，开展底层技术、关键材料、核心部件等研发攻关。支持领军企业建立垂直整合一体化业务模式，通过设立产业投资基金、组建产业创新联合体，推动大中小企业融通发展，带动产业链上下游实现技术进步，增强竞争力和抗风险能力。鼓励领军企业开展国际专利布局和国际标准创制，打造一批享誉全球的知名品牌。到2025年，培育百亿级以上科技领军企业20家，新增省级以上产业创新联合体5个。 三、聚焦光电子信息核心，打造世界级新兴产业引领地 聚焦国家战略、前沿方向和市场需求，突出产业生态和赛道思维，聚焦“光”领域，巩固和发挥光通信、激光等光电子核心领域领先优势，以芯片为重点突破口，以点带面完善细分产业链条、形成产业板块，着力提升产业链供应链安全性、稳定性和竞争力，前瞻谋划、加快布局硅光一体化、光电一体化等前沿领域和未来产业新赛道，鼓励探索未知性、突破性的领域和方向，打造全球一流、充分掌握国际话语权的光电子信息产业链条，形成优势突出、内生迭代的世界级产业集群矩阵。 勇攀高峰，推动光电子信息核心领域率先突破。 紧跟全球光电子产业发展趋势，充分发挥东湖高新区技术领先优势，保持战略定力，以芯片为核心，重点发力存储器芯片、三维集成、化合物半导体、硅光芯片等领域，加强产业关键核心环节重大技术突破与原始创新，推动优势领域率先突围。 存储器芯片、三维集成、化合物半导体和硅光芯片。以国家存储器基地为重点发展存储器芯片，加速关键设备、基础原材料、核心零部件国产替代进程，逐步建立自主可控的产业链、供应链体系，促进国内半导体制造水平整体提升，加快建设“世界存储之都”；以三维集成为基础布局车规级芯片、传感芯片等领域，突破先进制程，构筑三维集成全球制造高地；加快布局氧化镓、碳化硅等新一代半导体，推动创新链与产业链协同发展，打造全球化合物半导体创新中心；发挥硅基半导体和光电子核心优势，超前布局硅光芯片，抢占硅光一体化、光电一体化等新赛道，打造国际领先的硅光芯片创新平台。 光纤光缆、光芯片、光模块和光器件。强化光纤光缆领跑位势，进一步稳固预制棒、光纤、光缆全球第一地位，抢占超大带宽、超低时延光纤光缆及海光缆、特种光缆等热点应用光纤光缆产品技术制高点。以打造国际一流的高端光芯片研发生产基地为核心，攻关相干光模块及高速集成光器件，加快核心元器件国产化替代，大力发展创新性强、量大面广的光器件产品。 新型显示面板。以智能网联汽车、医疗器械、元宇宙等新兴应用领域需求为牵引，着力做强中小尺寸面板技术和规模优势，保持LTPS面板、柔性OLED面板等出货量稳居全球前列，加快布局代表产业前沿的显示新技术和新产品，打造全国新型显示器件先进制造高地。 激光器和激光加工装备。立足前沿和市场需求，保持高性能激光器技术国际先进性，力争2025年光纤激光器全球市场占有率超过15%，拓展激光器产品类型，加快建设全球种类最全、规模最大的工业激光器产业高地。巩固激光加工设备发展优势，大力发展中高端激光设备及系统。 构筑板块，打造世界级光电子信息产业链条。 发挥光电子信息核心领域引领带动作用，加快培育和完善集成电路、光通信、新型显示、激光、光电传感、智能终端、软件及信息服务、数字健康、智能网联汽车、数字建造等细分产业链条，形成在全国乃至全球具有话语权的产业板块，塑造更多发展优势，汇聚形成具有全球竞争力的光电子信息产业链。 集成电路板块。以存储器芯片、三维集成、化合物半导体和硅光芯片为引领，重点发力中游制造环节，加快突破超高层三维闪存工艺、绝缘体上硅（SOI）芯片制造工艺、晶粒（Chiplet）集成技术、存算一体芯片等关键技术；补齐上游芯片设计、基础材料、设备等关键配套短板，推动芯片设计工具（EDA）和知识产权（IP）核开发企业、芯片设计企业、芯片制造企业等上下游企业建立协同攻关机制，加大力度支持国产关键装备与材料的核心技术攻关，推进国产替代进程；突破下游先进封装及测试技术，提升封装测试本土化率，打造以芯片制造为引领，设计、封装测试为支撑，设备、材料为配套的完整、安全、强韧集成电路产业。 光通信板块。依托上游光纤光缆和中游光芯片、光模块、光器件发展基础，持续巩固光通信产业全球领先优势，面向更高速率、更大容量、更长距离光传送和更大规模光接入需求，提升下游光通信系统发展能级，形成基于自主核心技术和设备的一体化解决设计和实施能力，打造国际领先的光通信系统设备创新与生产基地，建成世界一流的光通信产业高地。 新型显示板块。以全国领先的中小尺寸显示面板研发制造为牵引，加强对上游关键材料、核心设备、关键零部件的联动研发攻关，支持高性能OLED传输/发光材料、氧化物TFT材料、量子点发光材料等关键材料，以及面板前段检测、量测、激光修复、激光退火等设备的验证突破，推动前沿性显示技术前瞻性研究和产品试产，拓展下游应用新市场、新应用、新领域，打造全国新型显示应用驱动示范区。 激光板块。发挥高性能激光器、高端激光加工装备技术优势，突破激光复杂构件制造、极端制造等高端工艺，重点拓展激光在新能源、生命健康等下游领域的应用场景，打造全球顶尖的激光产品及服务创新基地，力争激光产业规模位居全球第一方阵。 光电传感板块。抢抓市场需求升级机遇，加快开发面向智能网联汽车、消费电子、生命健康领域的智能光电传感器产品，支持光学测量、光学成像、遥感等技术研发和应用，突破一批传感器芯片关键共性技术，形成以微机电系统（MEMS）传感器及智能微系统为核心的传感技术优势，打造引领全国、走向世界的光电传感产业创新基地。 智能终端板块。面向消费市场，拓展智能终端产品形态和应用服务，以显示器、摄像头、光学模组等高附加值组件为基础，鼓励整机企业与芯片、器件、软件企业协作，壮大柔性可穿戴设备、虚拟现实交互终端等新兴消费智能终端领域，布局高性能服务器等全系列信创终端产品；面向行业市场，加强超精密光电测量仪器等国产光电科学仪器开发，攻关可调谐半导体激光吸收光谱技术等环境光学监测技术，发展激光扬尘监测仪、光谱仪、空气质量检测仪等环境监测仪器，加强数字孪生、人工智能等新技术创新应用，建设一批数字车间、智能工厂，带动通用、专用智能制造装备加速研制和迭代升级，打造全球知名的智能终端产业基地。 软件及信息服务板块。发挥中国软件特色名城优势，积极完善自主研发基础软件体系，重点发展高可信服务器操作系统、安全桌面操作系统、大型通用数据库管理系统等基础软件产品及解决方案；夯实工业软件竞争优势，支持自主工业软件、工业嵌入式软件及各类工业集成平台研发和应用，布局发展智能化软件、研发嵌入式操作系统及相关应用软件；加快发展边界防护、移动安全、云安全、识别验证等新兴网络安全产品；依托工业互联网标识解析武汉顶级节点，鼓励龙头企业整合产业链建设二级节点，支持工业互联网平台运营模式创新，鼓励平台发展面向中小企业的设备监控与远程维护、生产监控分析等微服务及轻量应用，打造世界领先的软件名园。 数字健康板块。大力发展医学影像设备、先进治疗设备、生命支持设备等高端诊疗设备，围绕快速精准检测、病理智能诊断等难点问题，开发新型分子诊断、高通量基因测序仪器及试剂、医用多模态流式细胞仪和质谱仪等，加快发展远程诊疗、远程手术、远程监护、移动医护等数字医疗技术和设备；整合人类遗传资源、基因组学、蛋白质组学、生命体征等健康医疗大数据资源，加强公共卫生、辅助诊疗、药物开发、生物安全等领域应用；加快生物产品流通信息化、智能化及全生命周期可追溯体系建设，发展药品、医疗器械、农产品等智能化流通；积极发展人工智能辅助生物育种，推动物联网、大数据、云服务等技术在农业中的集成应用，打造全球生命健康产业创新网络重要枢纽。 智能网联汽车板块。紧抓汽车成为新型移动智能终端机遇，以“光车联动”发展思路，加快引进国内外知名智能网联汽车和全场景智慧互联解决方案企业，突破发展基于车用无线通信技术（5G+V2X）的毫米波雷达、激光雷达、激光摄像头、高精度地图等感知系统，加速推出L4级及以上自动驾驶系统，开发车载智能信息服务系统、交通智能感知系统等“人-车-路-云”协同技术产品，打造“感-芯-软-图-舱”智能网联汽车产业链。 数字建造板块。突破发展数字建造系统软件，强化数字孪生、人工智能等技术应用，研发具有自主知识产权的系统性软件与数据平台、集成建造平台。延伸发展面向协同设计、智慧工地、智慧运维、智能审查等典型场景的数字化应用解决方案。 前瞻布局，培育未来产业新赛道。 发挥优势产业基础和创新资源优势，现阶段重点布局6G通信、脑科学、元宇宙、区块链、量子科技、新一代人工智能、开源指令集架构（RISC-V）等领域和方向，鼓励未知领域新产业新业态的探索和发展，大力支持企业家、科学家、投资者等多元主体开展未来技术研发和创业，打造特色鲜明、引领发展的未来产业先导示范区。 6G通信。突破基于Polar编码机制的下一代信道编码及调制技术，集中攻克动态组网、信令路由、全服务化调用等关键技术，拓展可信数据服务、全局AI、安全感知等智能化服务。突破太赫兹频段通信技术瓶颈，攻克高性能多功能太赫兹收发机芯片、无源器件及基片集成波导，构建高频、低损耗、宽带互连技术。支持企业、科研院所、行业组织等参与空天地海一体化信息网络建设及未来6G国际标准制定。 脑科学。聚力攻关高分辨率大脑结构解析、大范围和深穿透度在体高分辨光学成像等脑成像前沿技术，加快绘制全脑神经图谱。突破神经信号编码与解码、类脑多模态感知与信息处理等核心技术，发展下一代人机交互、神经假体与模拟、类脑计算等类脑产品和服务。 元宇宙。聚焦沉浸式连接交互前沿方向，加快发展位置感知、人机互动、感官触达、环境支持等技术，推动VR/AR/MR/XR等技术集成升级，面向工业生产、虚拟社交、沉浸式娱乐等领域开发差异化终端产品。 区块链。突破共识机制、智能合约、跨链协议等区块链底层技术，发展区块链通用应用及技术拓展服务。推动区块链技术在防伪溯源、数据共享、供应链管理等场景创新应用，打造一批技术先进、带动效应强的区块链应用产品。 量子科技。建设国际一流的量子精密测量和量子导航应用技术系统，突破量子探测、量子激光器、量子雷达等关键核心技术。加快量子通信基础应用网络、量子通信装备、量子计算机及其衍生产品研制和产业化。探索开展基于相干光场的光量子存储技术研究。 新一代人工智能。强化算法、算力、数据三大要素支撑，推动武汉人工智能计算中心和超算中心扩容升级，搭建AI开源算法平台和AI产业赋能中心，大力发展分布式云及云计算解决方案，推动计算机视听觉、生物特征识别、新型人机交互、智能决策控制等人工智能技术创新应用。支持云端人工智能、多模态人机交互、创造性人工智能等新技术、新业态发展。 RISC-V。围绕人工智能、物联网、智能网联汽车、元宇宙等应用场景需求，推进基于RISC-V的处理器内核IP开发及商业化，布局基于RISC-V的芯片、开源处理器基础组件、开源处理器操作系统等关键技术，支持RISC-V通用工具软件、核心基础软件、跨层优化框架等开发，鼓励开源社区建设，协同构建自主可控、开放共建的集成电路产业新生态。 不局限于现有和已知领域，密切关注产业发展更新迭代和未来经济社会形态演变，健全完善适应未来产业技术更迭和产业变革要求的制度环境，积极创造适合未来新领域新产业孕育发展的土壤，让更多未来创新种子孕育发芽。 四、优化要素资源配置，打造世界级活力生态涵育地 加快培育壮大高科技、高成长型中小企业群体，抢抓创建国家级吸引和集聚人才平台契机，汇聚全球顶尖人才，加速金融赋能科技和产业发展，实施更高水平开放创新，推动更深层次体制机制改革，建设宜居宜业宜创的生态科技新城，营造具有光谷特色的创新创业生态，涵育面向未来的世界级创新、人才、企业和产业。 壮大创新型中小企业群体。 培育高能级创业企业。实施初创企业“春苗”行动，大力支持硬科技创业，面向全球挖掘集成电路、人工智能、基础软件、创新药等领域前沿科技创新项目，重点支持原创性、交叉性、颠覆性的高能级创业。强化孵化加速服务，聚焦高精尖细分领域打造专业化水平突出、产业集聚带动作用显著的引领类标杆孵化器，开展高水平的创业辅导、早期投资、资源对接等专业化服务，提升国际资源链接能力。 助力高成长企业发展。实施高成长企业“助跑”行动，加强瞪羚、潜在独角兽、独角兽企业挖掘、培育和引进。深入实施“光谷瞪羚企业培育计划”，提升“光谷瞪羚塬”服务功能，以新赛道培育为牵引，多维赋能企业挖掘、成长和品牌打造。加强国内外头部投资机构对接合作，培育一批光电子信息领域高估值潜在独角兽、独角兽企业。主动跟踪国内外瞪羚、独角兽企业发展动态，吸引相关企业在光谷设立总部或“第二总部”。到2025年，累计培育瞪羚企业1600家、独角兽企业10家。 提升企业创新能力。实施高新技术企业“成林”行动，着力培育拥有核心自主知识产权、创新能力强、市场占有率高的高新技术企业。推动创新要素向企业集聚，支持企业加大投入，建设工程研究中心、研究开发中心、企业技术中心、重点实验室等创新平台，加快建立产学研用深度融合的技术创新体系。引导企业专注于细分市场技术创新、产品质量提升和品牌提升，打造一批在细分领域具有领先市场地位和技术实力的“专精特新”和“单项冠军”企业。鼓励产业链上下游企业之间、企业与创新平台之间建立长期深入创新联动机制，在人才互补、成果产业化等方面打通“最后一公里”，面向行业领先、国产替代的实际需求，打造全球领先的创新产品。到2025年，集聚高新技术企业10000家，国家级专精特新“小巨人”企业达到120家以上。 加快推动新经济场景建设。建立光谷场景创新促进中心，完善多元主体合作的场景创新机制。围绕“数字光谷”“光车联动”等领域打造一批具有示范效应的标杆场景，推进“5G+千兆网络”在工业、交通、教育、医疗、信息消费、文旅等重点行业深化创新应用，率先建成全球全光城市样板区。加快建设智能网联汽车示范道路，支持多等级自动驾驶全场景落地。支持“硬科技”企业、高校院所、场景促进机构等共同探索用于前沿技术开发的应用场景，鼓励龙头企业开放场景应用机会。举办光谷新经济场景大会，拓展场景创新合作对接渠道。 打造全球顶尖人才集聚地。 超常规引进全球顶尖科学家。面向物质科学、量子信息、集成电路、脑科学、基因科学等科技前沿领域，探索建立与世界接轨的柔性引才新机制，大力引进诺贝尔奖、图灵奖、菲尔兹奖、国家最高科学技术奖等科学奖项获得者，加快集聚中国科学院、中国工程院及海外发达国家（地区）院士。联合高校院所挖掘培养一批具有深厚科学素养、长期奋战在科研一线，前瞻性判断力、跨学科理解力、大兵团作战组织领导能力强的战略科学家梯队。 吸引汇聚高层次创新人才。实施光谷企业家培育工程，重点引进培育有洞见力、创新力、执行力的战略企业家人才。灵活运用平台引才、项目引才、以才引才等手段，面向人工智能、新型空天技术、量子科技、脑科学及生物组学等未来产业，精准引进一批能够引领产业变革、抢占产业创新制高点的关键性创新人才。支持国内外大企业背景创业者、掌握高壁垒创新技术的高知创业者或退休人才、深受头部投资机构追捧的连续创业者等高层次人才到东湖高新区创新创业。打造青年科学家后备军，加强博士后人才培养，加快发现育成一批具有创新潜力的青年科技人才。到2025年，集聚高层次创新人才5000名。 深化校地人才联合培养。高水平建设华中科技大学卓越工程师学院，深入推进工程硕博士培养改革专项试点，举办全球光电子信息卓越工程师大赛，培养一批扎根光谷、具有突出技术创新能力和善于解决复杂工程问题的卓越工程师。支持高校院所建设高水平特色学院、未来技术学院、现代产业学院，推进国家集成电路产教融合创新平台建设，采取校企合作、产教交替模式，加紧培养产业紧缺人才，推进跨学科、跨专业的复合创新人才培养。到2025年，培育卓越工程师2000名。 加快集聚高端服务人才。围绕科技和产业发展服务需求，引进集聚一批能链接市场资源的头部投资人、能把握未来科技发展趋势的科技咨询人才、具有科学研究背景的复合型技术经纪人、具有国际视野的高素质涉外法律人才、通晓国际规则且精通前沿科技知识的知识产权人才、具备跨国经营能力的人力资源人才等创新服务人才。 优化高层次人才发展环境。定期发布“光谷招贤令”，深入实施人才“注册制”“积分制”，优化人才评定、评价和激励机制。支持国家实验室、湖北实验室深入探索人才举荐制，在人才使用、管理和激励等方面先行先试。畅通人才跨体制流动渠道，加大“科技副总”选派力度、“产业教授”培养力度。完善有利于科技创新的人才评价机制，给予“专才”“怪才”竞争机会。发挥光谷人才集团作用，完善人才环球猎聘、安居工程、园区运营等“引育留服”的全过程服务。打造光谷国际客厅，建成集全球创新资源汇聚、国际创新人才交流合作、多元文化交融体验、国际人才政务服务等功能于一体的服务平台。完善移民事务服务中心功能，打造外籍人才“一站式”服务平台。 强化科技与金融深度融合。 大力集聚金融服务机构。加快建设光谷科创金融城，引导银行、证券、保险等机构集聚。加快培育法人持牌金融机构，支持设立专注服务科技创新企业的科技银行、保险公司。支持各类金融机构在东湖高新区设立总部直属科创金融专营机构。做大做强本地金融控股集团。支持各金融机构在东湖高新区设立理财子公司。打造中部地区风投创投中心，加大政府引导基金投入，引进集聚一批全国知名创投机构，培育一批全国知名本土创投机构。到2025年，私募基金及基金管理人达到1000家。 深入探索科创金融服务新模式。打好“财政政策+金融工具”组合拳，深化融资租赁资产证券化、中小企业债权融资风险补偿、应急转贷引导基金等模式创新。深入开展合格境外有限合伙人境内投资（QFLP）试点。建设光谷金融数据专区，深化“政策沙盒+光谷金融大脑”建设模式，联合金融机构及核心企业构建产业数字金融应用场景。完善政府、银行、保险、担保等多位一体的科技融资支持体系，打造科创金融协同发展新模式。 提升资本市场运用水平。深入实施上市“金种子”培育工程，壮大上市企业后备库，联合各部门、金融机构、交易所等各方力量夯实上市服务团队，为企业上市提供全方位全过程服务。抢抓资本市场改革红利，紧密围绕后备企业上市过程中的痛点难点问题，推动企业提高知识产权保护意识，创新知识产权证券化产品。加强与上交所联动，探索建立科创板上市“绿色通道”机制，为上市后备企业登陆资本市场提供有力支撑。到2025年，力争上市企业达到100家。 高质量建设东湖科技保险示范区。做强东湖科技保险发展促进中心，鼓励保险机构研发符合科创企业特点的专项保险产品。大力发展贷款保证保险、首台（套）重大技术装备保险、新材料首批次应用保险、产品研发责任保险、知识产权保险和出口信用保证保险产品。加强与保险总部机构战略合作，引导保险资金投向重大基础设施和重大产业项目。 构建多层次开放合作网络。 深入推进国际开放合作。加快融入全球创新网络，大力引进全球知名企业和机构到东湖高新区设立研发中心，鼓励本土企业、高校院所在全球创新枢纽设立离岸创新中心。积极参与全球科技治理，鼓励高水平实验室、科技领军企业发起和参与国际大科学计划和大科学工程，推动高水平国际科技合作项目，为解决世界性重大科学难题提供“光谷方案”。加强与驻外使领馆、外国商协会、国际科技园等合作，打造世界知名的海外人才离岸创新创业基地，建立面向全球的高层次人脉网络。争取国际科技组织在武汉设立分部，扩大与海外大学、科研机构、企业的广泛合作。提升龙头企业整合利用全球资源能力，带领产业链上下游企业“抱团出海”，开拓国际市场。举办具有全球影响力的东湖科学论坛，打造世界级“光博会”名片，办好“生博会”等国际展会，完善进出口企业服务联盟，搭建多层次产业国际交流平台。到2025年，海外发明专利授权量达到1500件，进出口总额年均增速达到15%。 加强与全国创新和产业高地合作。推进与北京、上海、粤港澳大湾区国际科技创新中心合作，加强与长春、西安等地在光电子信息等关键领域的创新合作，支撑形成我国承东启西、双向互济的创新开放格局。加快推进区域协同创新平台建设，搭建科技创新供应链平台，打造深圳等先进地区创新生态“带土移植”的湖北模式。推动中部地区产业创新共同体建设，推动科技服务一体化、创新券通兑通用、科技基础设施共建共享、科技人才自由流动等政策协同。发挥长江流域园区合作联盟作用，推动园区间交流合作、资源共享，促进长江经济带协同创新发展。 强化武汉都市圈辐射带动作用。高标准推动武汉新城光谷区域规划建设，以东湖科学城为主体，加快建设武汉新城筑芯创研空间、光电子信息产业创新空间等十大重点项目，推进建设武汉新城跨组团联系通道，打造以武鄂黄黄为核心的武汉都市圈重要节点。加强光谷、车谷、网谷联动发展，推动光电子信息、汽车、航空航天等产业协同创新。强化产业集群跨区共建、科技成果跨区转化、资源要素跨区流动，与鄂州、黄石、黄冈等光谷科技创新大走廊周边区域联合建设一批“双向飞地”，打造光电子信息产业集群1小时配套圈，形成“创新策源在新城、孵化转化在大走廊、价值溢出在圈层”发展格局。发挥武汉都市圈人才发展联盟作用，推动建立人才一体化互动融通机制。 打造体制机制创新样板。 深化科技体制改革。建立市场与需求导向的重大科技计划攻关机制，支持科学家、企业家、投资人等跨界联合创新。实行“揭榜挂帅”“赛马制”“委托制”等新型科研项目组织机制。面向基础研究类和人才类科研项目，探索实行项目经费使用“负面清单+包干制”改革，赋予科研人员更大经费使用自主权。探索建立重大原创性、颠覆性、交叉学科创新项目的非常规评审机制和支持机制。完善重大创新平台建设经费保障机制、运行管理机制、开放共享机制和考核评估机制。深化赋予科研人员职务科技成果所有权、长期使用权改革，开展职务科技成果单列管理试点，完善职务科技成果转化免责机制。 深化管理体制创新。建立健全高效管理体制，支持东湖高新区在核定的机构和人员（员额）编制总数内自主设置内设机构，自主决定员额管理人员选用、调配、管理、任免和奖惩。根据发展实际创新选人用人机制、人才交流机制，加大对熟悉经济、善抓创新党政领导干部的培养选拔力度，锻造一支懂产业、懂市场、懂项目的专业化干部队伍，构建有利于吸引留住人才的薪酬激励机制。 打造国际一流营商环境。对表区域全面经济伙伴关系协定（RCEP）、全面与进步跨太平洋伙伴关系协定（CPTPP）、数字经济伙伴关系协定（DEPA）等高标准国际经贸规则，深入探索高水平制度型开放。对标世界银行营商环境评价体系，打造市场化、法治化、国际化营商环境。深化服务贸易创新发展试点，推进电信、互联网、金融、科技服务、大健康、文化教育等服务业领域扩大开放。推动国际贸易“单一窗口”服务功能由口岸通关向口岸物流、贸易服务等全链条拓展。大力发展与国际接轨的民商事仲裁、会计、审计、管理咨询等商务服务业，支持研发设计、检验检测、知识产权等科技服务业发展。强化数字政府建设，实施“数据跑全程”行动，优化“一网通办”“一事联办”“一窗通办”“跨市通办”。对新业态新模式推行“沙盒监管”和触发式监管，营造包容试错的制度空间。 营造宜居宜业宜创环境。 建设绿色生态园区。突出山水城的有机融合，统筹治山、理水、营城，塑造公园城市特色风貌，打造宜居湿地城市样板。严守流域安全底线，坚持系统思维，深入推进河湖长制。加快建设光谷中央生态大走廊，深入探索生态环境导向的开发建设模式。加强“双碳”园区建设，提高绿色能源使用比例，大力发展绿色建筑，推行绿色低碳生活方式，推动碳中和绿色技术应用推广。 塑造高品质宜居环境。完善多层次安居保障体系，建设高舒适度科学家社区、高品质国际社区、集中式青年人才社区和各类人才公寓，推进科研、商务、居住、生活等空间融合和多功能耦合，推进更具吸引力的大学毕业生安居举措。加快构建公平普惠高效优质教育体系，引进建设一批高水平国际学校，打造国际教育创新试验区。强化与国际接轨的医疗健康服务供给，畅通高层次人才及其家属就医“绿色通道”。加强文化教育、医疗卫生领域人才队伍建设，着力引进和培育一批名师名校长、医疗领域“一把刀”、文化领域“一支笔”。创新社会治理体系，提高社会治理社会化、法治化、智能化、专业化水平。 培育光谷特色创新文化。厚植“敢于冒险、鼓励创新、崇尚成功、宽容失败”的光谷文化基因，唱响“光谷青桐汇”“3551国际创新创业大赛”等品牌活动，营造全民崇尚创新创业、全民支持创新创业、全民参与创新创业的文化氛围。大力弘扬新时代科学家精神，增强勇攀高峰、敢为人先的创新自信，形成尊重劳动、尊重知识、尊重人才、尊重创造的良好风尚。加快建设光谷文化中心、光谷城市书房、光谷音乐厅等文化设施，彰显光谷文化魅力。充分发挥主流媒体和新媒体矩阵作用，推介光谷品牌，讲好光谷故事，提升社会影响力和国际知名度。 五、实施十大关键举措，推动“世界光谷”建设全面起势 未来三到八年，坚持科技创新、产业创新和体制机制创新一体化推进，加快实施十大关键举措，力争在重点领域取得突破性进展，推动“世界光谷”建设全面起势、加力提速。 创建光电子信息领域国家实验室。 对标国家实验室建设要求，支持华中科技大学、湖北光谷实验室牵头，发挥在汉高水平研究型大学、国家科研机构、科技领军企业及光电子产业相关优势创新资源，打造光电子技术研发和产业孵化的核心平台，创建光电子信息领域国家实验室。到2025年，力争获批光电子信息领域国家实验室。到2030年，依托光电子信息国家实验室诞生一批前沿和颠覆性原创技术成果。 实施顶尖科学家引进培养工程。 采取全球邀约、一人一策、量身定制科学家实验室等方式，建立健全人才引进快速决策机制，以全球视野超常规引进顶尖科学家。鼓励高校实施全职讲席教授、冠名教授制度，引进国内外顶尖创新人才。坚持引育并举，加大对有志趣、有天赋、有潜力的青年科学家培养扶持力度，努力造就一批具有世界影响力的顶尖人才。到2025年，引进培养全球顶尖科学家90名。到2030年，成为全球顶尖科技人才聚集地。 实施“尖刀”技术攻关工程。 聚焦存储器、车规级芯片、三维集成技术、EDA、激光跨尺度极端制造、新一代人工智能等领域，支持企业、高校院所、新型研发机构联合开展底层技术、基础材料、关键设备、核心部件等技术创新，力争突破一批“卡脖子”关键技术难题，取得一批“从0到1”的原创成果。到2025年，推动100项关键核心技术攻关。到2030年，攻克一批“卡脖子”技术，产业链、供应链安全性和竞争力大幅提升。 培育千亿级科技领军企业。 支持光通信、集成电路等领域龙头企业承担国家科技重大专项，持续加大研发投入，加快构建自主可控的产品体系，打造具有世界影响力的产品品牌；鼓励龙头企业通过兼并重组、技术并购、资本运作、战略合作等方式，进行产业链横向、纵向资源整合，提升产业创新力和供应链稳定性，增强全球资源配置能力，打造掌握国际话语权的世界一流领军企业。到2025年，力争培育1家千亿级科技领军企业。到2030年，培育2家千亿级科技领军企业。 建设世界一流光谷科学岛。 聚焦基础研究、前沿创新、转移转化三大创新功能，围绕物质、信息、生命、材料、地球与环境等领域，布局建设重大科技基础设施集群与前沿交叉研究平台，营造智慧、宜居、开放的创新环境，打造武汉具有全国影响力创新中心的核心创新源。到2025年，光谷科学岛基础设施全面建成，一批创新平台投入使用。到2030年，光谷科学岛全面建成，成为国际一流的创新集聚区。 搭建国际领先的硅光芯片创新平台。 支持武汉新芯、国家信息光电子创新中心、九峰山实验室、江城实验室等单位建设国内首个12英寸商用硅光芯片创新平台，构建国内领先、国际一流的硅光芯片供应能力并实现硅光产品上量生产，同步加快硅基化合物异质集成能力应用，建立该领域世界领先的技术体系。2024年底前完成硅光工艺平台通线和工艺设计套件（PDK）开发。到2025年，完成12英寸基础硅光流片工艺开发，形成国际领先的硅光晶圆代工和生产制造能力。到2030年，打造12英寸硅基光电融合工艺线，建成全球前三的硅光芯片特色工艺线，器件性能达到国际领先，形成广泛的光电子芯片加工能力。 打造全球化合物半导体创新中心。 支持九峰山实验室等创新平台聚焦化合物半导体建立完全国产化的材料、设备、工艺应用平台，加快建设九峰山科技园，形成化合物半导体全产业生态，构筑世界领先的化合物半导体创新中心。到2025年，实现4条化合物半导体试验线完全国产替代，完成基础领域研究、新材料、新工艺的集成验证，“生长”出从光芯片、光模块到光器件的产业链条。到2030年，建成化合物半导体领域面向全球开放共享的集成创新研究中心，覆盖基础技术前沿研究、产业链集成验证、产业孵化等环节，引领全球化合物半导体技术进步。 举办具有全球影响力的东湖科学论坛。 围绕前沿科学和热点议题，搭建深化交流、互惠合作的国家级平台，广泛邀请全球顶尖科学家、领军企业家、新锐创业者等共同参与，高规格举办论坛会议、展览展示、技术交易、成果发布、前沿大赛等主题活动，打造我国深度参与全球科技治理的重要国际交往窗口。到2025年，将东湖科学论坛打造成为国家级创新论坛。到2030年，成为具有全球影响力的高水平、前沿性的创新论坛。 打造承载国际产业交流合作功能的“光博会”。 高标准、高规格、高质量举办“中国光谷”国际光电子博览会暨论坛（简称“光博会”），聚焦全球光电子信息产业前沿技术、产品和最新应用场景，持续增强资源链接、整合、配置能力，打造我国光电子信息领域对内对外交流合作的主平台，成为国际光电子信息产业开放、合作、交流的窗口和舞台，引领国际光电子信息技术和产业方向，助力“中国光谷”彰显世界影响力。到2025年，将“光博会”打造成为我国最具影响力的光电子信息开放平台。到2030年，“光博会”国际影响力进一步彰显，成为“世界光谷”的闪亮名片。 推进一套体制机制改革措施。 聚焦建设武汉具有全国影响力的科技创新中心，开展新一轮科技先行先试改革。以光电子信息领域为突破口，围绕科研平台建设、关键技术攻关、科技成果转化、高层次人才引进培养、科创金融赋能、产业集群治理等方面开展深层次改革和制度创新。到2025年，取得若干重要的创新改革成果，为全国提供示范经验。到2030年，推动一批体制机制创新成果在全国复制推广。 六、加强统筹保障，汇聚“世界光谷”建设强大合力 坚持高位推进，建立共建工作机制。 建立部省共建工作机制，加强与国家发改委、科技部、工业和信息化部等国家部委对接，上下联动加强总体设计和改革先行先试，推动专项资金、政策支持和重大项目布局，争取以科技部、中国科协和湖北省名义在光谷定期召开“世界光电智能大会”。成立由湖北省主要领导任组长、武汉市主要领导任副组长，省市相关部门负责人为成员的“世界光谷”建设领导小组。领导小组定期召开协调推进会，加强重大战略事项系统推进，推动解决堵点难点困难问题。制定“世界光谷”建设任务清单、项目清单、责任清单，纳入相关单位年度目标绩效综合考评，加强督查考核、效果评估。 加强政策支持，完善“世界光谷”建设法律法规体系。 研究出台“世界光谷”建设专项支持政策，加强先行先试，加大对世界级光电子信息产业集群发展支持力度，围绕重大创新平台建设、人才引进培养、关键技术攻关、科技领军企业培育、科创金融服务、开放合作等方面出台突破性、超常规举措。加强各级政策集成应用，形成政策合力。完善各类创新政策跟踪评估及动态调整机制，定期对政策实施情况进行监测评估，根据政策执行效果及时进行修正和完善。推动出台科技创新中心、数字经济发展等相关地方性法规，营造良好的法制环境。 加大资金投入，打造千亿级产业投资基金群。 加大东湖科学城建设财政专项资金投入，加强新增债券、再融资债券支持。引导社会资本与财政资金联合支持重大前沿科研项目，鼓励非政府引导基金出资的社会私募基金投资光谷科技创新项目。按照“一集群一基金”思路，以市场化方式，组建总规模达千亿级的产业基金群。发挥省集成电路基金和国家集成电路产业投资基金协同功能，支持企业对接国家新兴产业创业投资引导基金、制造业转型升级基金、中小企业发展基金进行股权融资。加大省制造业高质量发展专项、省科技创新专项等资金支持力度。 强化土地供给，优化用地规划和空间指引。 加强土地空间规划统筹和土地资源要素保障，将东湖高新区新增建设用地指标、林地占用指标、耕地占补平衡指标纳入省级统筹保障，优化调整东湖科学城基本农田布局。加快推进集成电路、激光、新型显示、数字经济、生物创新药等产业基地建设，强化土地资源供给与科学配置，优先保障科技领军企业、“专精特新”企业、重大创新平台等用地需求。加强先进制造业空间设计技术指引。推进标准地、新型工业用地（M0）供应，确保重大产业项目即引即落。 创新集群治理，建立共建共治共享发展机制。 成立世界级光电子信息产业集群发展专家咨询委员会、科教委员会、企业联合会，共同参与发展方向研判、产业政策制订、重大项目评估等。加强光谷智库建设，培育打造一批有影响力的战略咨询服务机构。深入探索集群数字化治理，搭建“光谷产业大脑”，强化产业动态监测、精准招商、企业培育、政策服务等大数据支撑。鼓励公众参与“世界光谷”建设，积极建言献策，共享发展成果。

据媒体最新爆料，科技巨头谷歌已经考虑最早于2027年，放弃博通作为其人工智能（AI）芯片供应商的地位。 消息公布后，博通股价盘前一度重挫8%，最低报每股761美元，现跌幅收窄至6%，报每股781美元。截至周三收盘，该股报830美元。 报道称，先前谷歌与博通之间的关系就因博通芯片的售价陷入了僵局，导致谷歌高管们在今年早些时候设定了“放弃博通”的目标。为了实现这一目标，谷歌将在内部设计自己的张量处理器（Tensor Processing Unit，TPU）。 消息还提到，自去年以来，谷歌一直在与另一家芯片制造商——迈威尔科技（Marvell Technology）合作，计划明年推出一款新的网络芯片，该芯片的内部开发代号为“Granite Redux”。 TPU是由谷歌开发并使用在其云平台上的定制化ASIC（专用集成电路），是一种专门用于加速神经网络等机器学习算法的处理器。谷歌最初是为了提高自己的AI服务而设计的，据称博通是谷歌主要供应商。 作为一种专门为深度神经网络计算而设计的处理器，TPU可以高效地执行矩阵乘法等密集计算，实现高效的神经网络训练和推理过程。但由于ASIC是定制化的，一经制造完成便不能更改，因此其开发成本高昂且周期长。 今年3月初，博通首席执行官陈福阳（Hock Tan）曾表示，随着人工智能应用的兴起，公司预计将受益于AI聊天机器人热潮。他预计，公司用于AI应用的以太网设备销售额可能从去年的2亿美元上升到今年的超过8亿美元。 近期，陈福阳还表示，明年生成式人工智能将占到公司半导体营收的25%以上。在截至4月底的2023财年第二财季，AI相关的销售额已经约占博通半导体业务营收的15%，与之相比， 2022财年这一比例仅为10%。 上月，谷歌在旧金山的年度云会议Google Cloud Next上发布了新的AI芯片，即第五代TPU芯片“TPU v5e”，用于大模型训练和推理。除了新一代TPU，谷歌云还在会议上宣布将推出基于英伟达H100 GPU的A3系列虚拟机。

当地时间21日，欧洲《芯片法案》正式生效。当天欧盟委员会发布的公告称，该方案通过 “欧洲芯片计划” 促进关键技术产业化，鼓励公共和私营企业对芯片制造商及其供应商的制造设施进行投资。 在法案框架下，欧盟计划在成员国和委员会之间建立协调机制，以加强成员国之间的合作，监测芯片供应，预估需求，并在必要时启动应急机制。 公告说，欧洲在全球半导体生产市场中所占的份额还不到 10%，并且严重依赖第三国供应商。如果全球供应链严重中断，欧洲工业部门可能会在短时间内耗尽，导致欧洲工业陷入停滞。 根据芯片法案，到2030年欧盟将汇集来自欧盟机构和各成员国111.5亿欧元公共投资，并将利用大量私人投资。今年7月，欧洲议会通过了《芯片法案》。法案要求，到2030年欧盟芯片产量占全球的份额应从目前的10%提高至20%，满足自身和世界市场需求。

存储行业涨价之风势头更盛。 据台媒今日消息，近期属合约市场下游的厂商， 已接获原厂通知，Q4将调涨合约价 ，也让合约市场客户在9月有时间向下游通知涨价。 按照原厂发出的通知，不同产品涨幅不同， 但涨幅几乎都在双位数水平，其中NAND闪存Q4合约价有望涨一至两成，DRAM则约涨一成 。 业界人士评估， 此番原厂涨价的立场坚定明确，有可能是因为手上已握有大厂大单，产能已有特定订单可消耗 ，看准供需有望出现缺口，因此有底气一口气喊出涨价，也有望终结这一波存储芯片的量缩价跌走势。 另外，三星近期与客户（包括小米、OPPO及谷歌）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。 此前三星、铠侠及SK海力士等上游NAND Flash原厂已开始拉高晶圆合约价。由于中间通路及下游系统模组厂手中库存低于正常季节水准，引发终端抢货，消费性SSD、存储卡，手机相关零组件如eMMC、eMCP 价格全面走扬 。 值得注意的是， 本轮存储芯片涨价与市场之前的预期较为不同 。 DRAM行业主要有3大原厂，NAND闪存则有5-6家。以往市场认为，DRAM原厂家数较少、供给厂商有限，有望率先反弹；而NAND闪存原厂较多，叠加消费电子需求不振，复苏时间可能较晚。时间预期上，市场预计DRAM与NAND闪存将分别在今年Q4与明年Q1，才有机会看到较明显的成长力道。 但实际情况是，本次8月NAND闪存率先明显上涨，报道预计NAND闪存的Q4合约价涨幅也将高过DRAM。 从行业供给端来看，行业已有部分厂商调降投片量，并下调2023年资本开支及产能提升预期。中信证券预计， 2023年行业供给增速将低于需求增速，供需将逐步达到平衡，有助于库存修复，看好存储板块周期2023年下半年见底 。 需求端而言，分析师认为 目前终端厂商已处于去库存的后期，全年出货有望呈现前低后高，看好2023年下半年至2024年下游需求回暖趋势 ：1）服务器端，预计Q3需求有望实现环比增长，看好下半年DDR5服务器端需求提升，且AI服务器DRAM和NAND的容量需求分别是传统的6~8倍和3倍；2）PC端，预计今年PC出货同比下滑低两位数；3）手机及智能终端，预计今年智能手机出货同比下降中个位数，年内前低后高，库存逐季改善；4）汽车端稳健增长，预计Q3工业市场初步复苏，行业库存及需求下半年有望持续改善。 总体上，其预计下半年随着库存去化，需求逐步回归，行业细分龙头有望迎来业绩修复机会，看好国内存储产业链周期复苏叠加本土化趋势下的投资机遇，建议关注：1）存储模组；2）存储芯片设计；3）存储配套芯片。

今天的半导体行业正在努力应对三重任务：提高计算能力，减小芯片尺寸，并控制好功率。为了满足这些需求，该行业必须找到超越硅性能的替代品，生产适合日益增长的计算设备。 硅最大的缺点之一是它不能做得很薄，因为它的材料特性基本上局限于三维空间。由于这个原因，二维半导体——薄到几乎没有厚度（几乎可以忽略不计），已经成为科学家、工程师和微电子制造商感兴趣的对象。 更薄的芯片组件将对设备中的电流提供更好的控制和精度，同时降低供电所需的能量。二维半导体也有助于将芯片的表面积保持在最小。但直到最近，制造这种材料的尝试都没有成功。 某些二维半导体本身表现良好，但需要相当高的温度来沉积，它们破坏了底层的硅芯片。其他的可以在硅兼容的温度下沉积，但它们的电子特性（能量使用、速度和精度）都不太适合。有些符合温度和性能要求，但在工业标准尺寸下无法达到必要的纯度。 现在，美国宾夕法尼亚大学工程与应用科学学院的研究人员已经将一种高性能的二维半导体制成了全尺寸、工业规模的晶圆。此外，半导体材料硒化铟（InSe）可以在足够低的温度下沉积，从而可以与硅芯片集成。 最新研究结果已于近期发表在了《物质》杂志上。 “半导体制造是一个工业规模的制造过程，”研究人员说，“除非你能在工业规模的晶圆上生产，否则你不会有一种可行的材料。批量生产的芯片越多，价格就越低。但材料也必须是纯净的，以确保性能。这就是硅如此普遍的原因——你可以在不牺牲纯度的情况下大量生产它。” 长期以来，铟硒一直被认为是先进计算芯片的二维材料，因为它的电荷携带能力非常好。但是，生产足够大的铟硒薄膜已经被证明是相当棘手的，因为铟和硒的化学性质倾向于以几种不同的分子比例结合，呈现出每种元素不同比例的化学结构，从而损害了其纯度。 而该团队克服了这些障碍。研究人员表示，“对于先进的计算技术而言，二维铟硒的化学结构需要恰好是两种元素之间的50:50。所得到的材料需要在大面积条件下具有均匀的化学结构才能起作用。” 除了化学纯度外，该团队还能够控制和调整材料中晶体的方向，通过为电子传输提供无缝环境，进一步提高半导体的质量。 “半导体材料的两个最重要的品质是化学纯度和晶体秩序，最重要的工业品质是可扩展性。而这种材料符合所有条件。”他们说。

美国亚利桑那州州长凯蒂·霍布斯（Katie Hobbs）周二（9月19日）在中国台北表示，芯片制造商台积电与州政府正在讨论为台积电在该州的工厂增加先进芯片封装能力。 霍布斯表示，她于18日会见台积电高管，“讨论了继续合作、台积电在亚利桑那州投资以及如何继续解决出现的任何问题”。 对于此次商谈，美国商务部副部长Laurie E. Locascio表示，美国首次与台积电就研发问题进行了谈判，努力将这家全球最大的合同芯片制造商的更多技术带到美国本土。 封装是王道 目前，封装能力的不足已经成为目前需求量最大的芯片——英伟达人工智能（AI）芯片的制造瓶颈。 台积电已承诺扩大其在中国台湾地区的封装产能，但远水解不了近渴。该公司董事长刘德音本月早些时候在一次半导体大会上称，由于不少企业正在推进AI模型，AI芯片的供应紧张情况需要大约18个月才能缓解。 在同一场活动中，Cadence Design Systems公司首席执行官Anirudh Devgan表示，封装技术将成为寻求建立技术领先地位的国家的关键战场。 台积电目前在亚利桑那州的投资包括两座晶圆厂和总额400亿美元的投资，此次谈到的增加先进封装技术，将再次提高台积电在亚利桑那工厂的产能上限。 去年12月，台积电表示，应其最大客户之一苹果公司的要求，其在亚利桑那州的工厂将向其提供更先进的4纳米芯片。 台积电高管曾在上一次财报电话会议上指出，由于缺乏熟练劳动力，亚利桑那州第一家工厂的运营将推迟到2025年。 对于此事，霍布斯最新表态，台积电在亚利桑那州的工厂项目目前进展顺利，项目仍在按计划进行。