随着“闪瞎分析师”的财报出炉，搭上AI热潮的美光科技在周四美股市场交出两位数百分比的靓丽涨幅，一举刷新历史新高。 从深陷困境到一飞冲天，美光的境遇也成为AI概念炒作的最新代言。 从营收腰斩到历史新高 首先需要说明的是，美光科技的财报报告区间有那么一些独特——美光的财年一般是到8月底结束。所以周三公布的2024财年第二财季报告，是截至2月29日的季度数据。 而 截至去年8月底的2023财年，也是载入美光历史的惨痛数据——营业收入下降49% ，至少是上世纪80年代末以来最差数据， 同时还巨亏57亿美元 ，同样也是10多年来最大亏损。芯片厂商对于销售周期并不陌生，但疫情短缺推动客户大量超购芯片，使得上一个下行周期格外艰难。 然后，AI的春风来得如此突然，也令押注“困境反转”的投资者很快就尝到了甜头——截至去年11月的第一财季， 营收增速转正 ；刚刚发布的二季报 营收同比增速达到58% ；最新指引显示， 当前财季的营收增速将达到76% 。这样的数字足以让华尔街分析师两眼放光。 同样振臂高呼的还有美光科技的管理层，这个一向以谨慎著称的团队也在周三展现出了罕见的兴奋。摩根士丹利的分析师Joseph Moore记录称：“ 管理层现在预计每个季度的芯片价格都会上涨 ，重申2025财年将实现创纪录的收入，云收入也将呈现季度翻倍增长，同时他们也认为客户的库存已经减少。” 当然，最为关键的是，美光终于成为了AI概念股里的核心玩家。 关键词：HBM 在这两天有关美光的报道中，最常见的一个词就是“HBM芯片”。在数据中心里，英伟达的GPU只能解决算力的需求，但存储速率和存储容量也是完成整个运算过程不可或缺的一环。在这样的时代背景下，高带宽存储器（HBM）自然成为时代的宠儿。 值得一提的是， 美光是在2月底刚宣布量产HBM3E芯片的消息 ，所以这部分利好只能说刚刚开始。美光的HBM3E芯片，将供给英伟达用在H200系统中。同时黄仁勋在本周发布的Blackwell架构系统，用到的HBM内存要比前代产品多出三分之一。 正因如此，各方对美光业绩增速的乐观预期也在情理之中。公司在电话会议上透露， 现在2024年的HBM内存产能已经全部售罄，同时2025年的“绝大多数”产能也已经分配给了客户 。 非常有趣的是，美光副总裁兼首席商务官Sumit Sadana对媒体透露，公司的HBM业务已经与尚未披露的其他客户签下契约。 HBM内存的供不应求不仅意味着美光将具有强大的定价权，同时也有望合理化传统内存市场的产能，从而提振价格。 投行Stifel的分析师Brian Chin解读称， 内存制造商需要用两个常规DRAM晶圆的产能，才能生产一个HBM晶圆。所以DRAM供应的收紧，自然有望提高美光的平均销售价格（ASPs） 。Brian在周四的报告中写到，平均价格很难预测，但供应紧张是一个好的起点，而且现在的条件也适合美光围绕更高价值/利润率的产品组合进行优化。

周三，美国政府宣布将对英特尔提供85亿美元的芯片补贴和高达110亿美元的联邦贷款担保，这预计将是美国《芯片法案》中最大的一笔拨款。 而这差不多200亿美元的资金也成功撬动了英特尔在美更多的投资。周三，英特尔表示将在美国四个州投入1000亿美元，用于建设新工厂及升级现有工厂。 英特尔计划的一个核心是，最快在2027年，将在俄亥俄州哥伦布市打造全球最大的人工智能芯片制造基地，预计总投入为280亿美元。 除此之外，英特尔将在俄勒冈州斥资360亿美元对其希尔斯伯勒研发中心进行现代化改造和扩建，该基地此前已累计投资了590亿美元。亚利桑那州则将投资320亿美元进行两座新工厂的建设，剩下的40亿美元将被用于新墨西哥州的Fab 9芯片工厂。 英特尔信心满满地表示将在不远的将来让英特尔重回全球芯片老大的位置，而现在就是那个开始“烧钱”的时刻。 打败台积电的秘密武器 英特尔指出，1000亿美元计划中的30%将被用于劳动力和建筑成本之上，剩下的资金则拿来向荷兰阿斯麦、东京电子、应用材料公司等芯片设备供应商购买生产设备，这些设备将帮助诸如俄亥俄州世界级制造基地等产能在三四年后投入生产。 还有消息则称，英特尔计划中的大部分资金将投入到其18A工艺。 18A技术是英特尔用以挑战台积电霸主地位的秘密武器，被认为将在性能和效率方面全面超过台积电的最佳工艺。高管们预计英特尔18A将在2025年上线，并让英特尔重新获得工艺领先的地位。 英特尔CEO基辛格曾公开豪言表示，他对于自家的18A制程技术充满信心，甚至预期这项技术将在未来两年内无di于市场，超越当前领先的台积电N2(2nm)技术。他坦言，他已经把整个公司的赌注都压在了18A技术之上。 据IEEE Spectrum数据显示，英特尔18A工艺应用在ClearWater Forest服务器芯片，理论上将配备多达3000亿个晶体管，而英伟达在GTC大会上隆重介绍的Blackwell B200旗舰显卡也不过配备了2080亿个晶体管。 英特尔还预计将在2024年下半年开始推出新型的全栅级（GAA）晶体管架构的处理器芯片，而CleanWater Forest逻辑电路小芯片将采用该GAA架构的第二代版本。 英特尔表示，18A工艺将可以实现在同一单元中包含不同物理尺寸的GAA晶体管，这种可定制性将可以让工程师能够开发出更快也更高效的电路。 40亿美元的杀手锏 相比于其他三州的投资，英特尔在新墨西哥州的“烧钱”活动似乎十分保守，但有人认为新墨西哥州是英特尔千亿美元基础设施投资计划的一大亮点。 今年初，英特尔在新墨西哥州新建了一家名为Fab 9的工厂，用于生产3D封装组件。 据称每个ClearWater Forest处理器中的小芯片都将使用一种名为Foveros Direct 3D的新封装技术连接在一起，而这比英特尔当前使用的封装组件加强了16倍的连接能力，这将加速数据传输速度，从而提高处理速度。 而Fab 9工厂正是英特尔在先进封装技术上的模范工厂，被视为该公司在美国增加先进半导体产品产量的战略重点。同时，Fab 9也是英特尔与台积电在先进封装技术竞争中的前沿战场，在英特尔的千亿美元计划中十分关键。 背面供电技术 英特尔的18A和3D封装是确立优势的基石，而其即将面世的背面供电技术，有望让追求高性能和高能效芯片的客户蜂拥到其工厂。 这一背面供电技术被称为PowerVia。传统上，用于向芯片供电的细导线位于构成半导体所有层的顶部，而随着技术的进步，这一方法已经逼近极限。提供电力的电线最终将与连接组件的电线竞争造成换乱，从而浪费电力并降低效率。 而PowerVia将电源互连移至芯片背面，完美消除了上述风险。英特尔称这一变化将使芯片性能提高6%，电压降改善超过30%，简而言之就是更加“高能”。 这一工艺将被用于今年晚些时候推出的Arrow Lake PC芯片，随后，18A工艺将改进这一技术，并在2025年时向代工客户提供两大升级的组合版本。 据悉，台积电的背面供电技术比英特尔落后一年，三星则可能在2025年时再推出这一工艺。英特尔在背面供电领域无疑就是全球领先的玩家，加上18A的助力，其正在获得更多主要客户的青睐。 更加给力的是，美国政府慷慨地向英特尔拨出了近200亿美元的资金支持，让英特尔更有砸钱的底气。技术优势加上不差钱的阔气，正在让这家老牌半导体巨头奋起直追，全球半导体行业的格局也可能因此悄然变化。

据供应链透露，今年英伟达对CoWoS需求将较去年成长三倍。对此，黄仁勋未正面回应相关数字，不过，他两次强调今年对于CoWoS的需求非常高。 芯片封装由2D向3D发展的过程中，衍生出多种不同的封装技术。其中，2.5D封装是一种先进的异构芯片封装，可以实现从成本、性能到可靠性的完美平衡。英伟达的算力芯片采用的是台积电的CoWoS方案，这是一项2.5D多芯片封装技术，该方案具备提供更高的存储容量和带宽的优势，适用于处理存储密集型任务，如深度学习、5G网络、节能的数据中心等。甬兴证券指出，近期台积电订单已满，预估到2024年供不应求的局面才能得到逐步缓解。受于大模型百花齐放，算力需求快速攀升带动HPC增长，台积电产能不足可能会导致AI芯片大厂将目光转向其他OSAT，具备2.5D封装技术的封装大厂有望从中受益。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 通富微电 在高性能计算、新能源、汽车电子、存储、显示驱动等领域立足长远，大力开发扇出型、圆片级、倒装焊等封装技术并扩充其产能；此外，积极布局Chiplet、2.5D/3D等顶尖封装技术，形成了差异化竞争优势。 同兴达 表示，昆山同兴达聚焦显示驱动芯片的全流程封测工艺，同时也在加强其他先进封测技术的研发储备，包括但不限于Chiplet、cowos封测技术等。

美东时间周二，英伟达联合创始人兼CEO黄仁勋对外暗示，英伟达正考虑从韩国芯片巨头三星采购HBM芯片。 这一消息推动三星股价周三大涨，截至收盘涨5.6%，这是三星自去年9月以来的最大单日涨幅。 三星年初至今股价走势 与此同时，英伟达目前唯一的HBM3供应商SK海力士周三股价跌2.31%。 SK海力士年初至今股价走势 老黄爆料：将采用三星HBM芯片？ 在美东时间周二，英伟达GTC 2024活动的媒体见面会上，黄仁勋在提及HBM芯片时表示， 英伟达正处于对三星的HBM芯片进行测试的阶段，可能会在未来采用。 他还表示，英伟达“尚未”使用三星的 HBM 芯片. 上述这番表态，被媒体解读为老黄暗示英伟达将会在未来使用三星HBM产品。 “HBM存储芯片非常复杂，附加值非常高。我们在HBM上花了很多钱。”黄仁勋表示，“三星是一家非常、非常优秀的公司。” 三星和SK海力士正在快速前进 目前，三星的最主要竞争对手——SK海力士是英伟达唯一的HBM3供应商。就在周二，SK海力士才刚刚宣布， 它计划开始量产下一代高带宽存储芯片HBM3E。 虽然SK海力士没有透露新HBM3E的客户名单，但该公司一位高管透露，新芯片将首先发货给英伟达，并用于其最新的Blackwell GPU。 与此同时，三星也一直在大力投资HBM，以赶上竞争对手。该公司于今年2月宣布，已开发出HBM3E 12H，这是业界首款12层HBM3E DRAM，也是迄今为止容量最高的HBM产品。三星电子还表示，将于今年上半年开始批量生产该芯片。 “三星和SK海力士的升级周期令人难以置信，”黄仁勋在周二的媒体会上表示，“只要英伟达开始成长，他们就会和我们一起成长。我非常重视我们与SK海力士和三星的合作关系。”

本周英伟达GTC大会震撼开幕，引发投资者热烈关注。今日港股AI概念股也集体活跃走高，截至发稿，金山软件、赤子城科技双双涨超4%，美图公司(01357.HK)涨近3%，万国数据-SW(09698.HK)涨近3%，商汤-W、优必选等概念股纷纷跟涨。 消息面上，英伟达在本周举行的GTC大会上推出更强大的Blackwell架构的B200芯片及其算力集群。并与比亚迪、联想集团等中国企业宣布在硬件支持、平台开发等领域的新合作，AI概念股的行情也受到显著催化。 据浦银国际科技分析师沈岱、黄佳琦3月19日发布的报告，借助AI计算以及大模型的能力，英伟达的芯片的应用正在深入气候、医疗、自动驾驶、机器人、工业工程、软件等多个领域。 有业内人士表示，中国人工智能应用市场潜力巨大，英伟达更加主动地对中国市场进行开放，这对全球人工智能产业链供应链建设起到巨大促进作用。 此外，3月18日，国内AI独角兽月之暗面宣布其AI助手产品Kimi已支持200万字的无损上下文输入，令短线资金对涉及AI概念的上市公司持续追捧，场内热度抬升。 开源证券分析师方光照、田鹏3月19日的报告中认为，随着Kimi等AI产品持续迭代，AI应用商业化或加速。尤其在广告、电影、游戏等行业，国内外AI多模态大模型的持续突破或大幅降低成本，提升效率，扩大商业化空间。 值得注意的是，月之暗面联合创始人周昕宇还表示，在Sora发布之前公司就已经有多模态方面的研发，目前正在按照固有节奏推进，预计在今年将会有相关产品发布，也刺激了市场对国内AI产业的预期。 浦银国际还指出，无论是硬件端还是软件端，应用端还是工具端，各个行业对于AI的需求仍处于摸索的初期阶段，来自B端的需求仍在大幅落地和增长中。

上周有消息指出，美国拜登政府和商务部准备在3月底发放一大批《芯片法案》的补贴款，其中拜登将在本周亲赴亚利桑那州举办活动，期间官宣授予英特尔数十亿美元的建厂补贴。 但种种迹象显示， 拜登准备在亚利桑那“重铸美国芯片魂”的愿景，正在因为一系列现实的障碍变得愈发困难。 多家产业链厂商延后美国建厂计划 根据周二的最新报道，除了众所周知的“台积电延后亚利桑那厂建设计划”外， 一众半导体供应链厂商也纷纷推迟、甚至重新考量在亚利桑那州的建厂计划 。其中包括化学和材料制造商LCY化学、索尔维集团、崇越科技等。 很显然，缺少了这些厂商，台积电和英特尔的美国供应链自然也跑不通。大量供应商集体延后或者缩减美国厂的建设计划，也反映出当地的结构性问题。这些厂商普遍反映， 现在亚利桑那州建厂的成本已经飙升到“亚洲的四到五倍”，也比他们事前预期的要高出“几倍”。 由于亚利桑那州同时面临芯片、汽车等多个行业的投资涌入，不仅建筑材料和劳动力成本快速飙升，建筑工人也出现了短缺。叠加芯片大厂扩建速度慢于预期，供应链厂商“停下建厂脚步”也在情理之中。 LCY化学公司是台积电、英特尔和美光的供应商。公司透露，调整美国厂的建设速度后， 将先通过海运满足美国客户的需求，而不是急于在当地建厂 。公司CEO刘文龙明确表示，对于化学品来说，拥有经济规模对于实现经济效益至关重要。 比利时索尔维公司是高纯度过氧化氢供应商，目前已经延后亚利桑那工厂的建设，等待进一步评估。除了建厂成本担忧外，索尔维也提到英特尔、台积电在当地扩大产能所需的时间要比预期更长。 贝恩资本专攻制造业的合伙人Peter Hanbury解读称， 芯片化学品供应商的利润率要比晶圆厂更窄，所以对成本的上升更为敏感 。此外，这些工厂的建设周期也要比晶圆厂更短，所以完全可以等到客户就绪时再开始建设工厂。 在亚利桑那州半导体工厂普遍出现工期延后的背景下，拜登政府正准备向英特尔、台积电和三星等顶级大厂发放《芯片法案》补贴。根据程序，只有在这些大厂拿到补贴后，才会轮到化学品、材料生产商排队拿补贴。 关键还有对比 在全球多国都抢着上马本土芯片产能的背景下，亚利桑那州的问题就变得格外突出。 在台积电2021年开始建设的亚利桑那工厂后，这家芯片制造巨头也在2022年开始日本工厂的建设。就在上个月，台积电熊本工厂举办开业典礼，准备在今年晚些时候启动大规模量产。 目睹此情此景，《芯片战争：世界最关键技术的争夺战》一书的作者克里斯·米勒评价道，虽然相较于美国和欧洲，日本的态度并不张扬，但对企业提供的支持可能会更加多。 不过台积电曾低调地表示，不同国家间的项目本质上是无法比较的。公司在日本取得的成果应归功于“供应商、客户、商业伙伴、政府和学术界”的支持。根据过往报道，日本政府大概会给予台积电建厂成本一半左右的补贴，这笔钱到账的速度也相对较快。 此外，台积电进入日本市场之初，坚持要求本土巨头索尼参与项目，也被认为是正确的一步。除了双方长期的业务往来外，索尼与熊本当地的深厚联系，也为台积电解决了许多麻烦。 索尼发言人回应称， 公司帮助台积电在熊本工厂建设过程中取得广泛支持，包括确保水、电和工程技术人员的供应，以及获得相关的许可证和牌照。 经历全球建厂的种种情况后，台积电董事会在今年2月正式官宣将建设“熊本二厂”，计划今年开始建设，并于2027年投入运营。此前也有消息称，台积电已经和合作伙伴商讨过建设“熊本三厂”的事宜，可能会把3nm制程工艺的生产拓展至当地。

SK海力士3月19日在一份声明中表示，公司已开始量产高带宽内存产品HBM3E，将从本月下旬起向客户供货。此外，近日，花旗发布报告称，预计美光科技将在2024年3月20日公布的第二财季（F2Q24）财报数据超出市场共识预期，主要是由于DRAM（动态随机存取内存）价格上涨以及与Nvidia AI系统配套的高带宽内存（HBM）出货量增加。花旗将美光目标价从95美元大幅调高至150美元。 AI大模型的兴起催生了海量算力需求，而数据处理量和传输速率大幅提升，使AI服务器对芯片内存容量和传输带宽提出了更高的要求，而HBM作为一种专为高性能计算设计的存储器，其市场需求激增。华福证券杨钟表示，HBM是AI芯片最强辅助，正进入黄金时代。与GDDR相比，HBM在单体可扩展容量、带宽、功耗上整体更有优势，相同功耗下其带宽是DDR5的三倍以上。因此，HBM突破了内存瓶颈，成为当前AIGPU存储单元的理想方案和关键部件。TrendForce认为，高端AI服务器GPU搭载HBM芯片已成主流，2023年全球搭载HBM总容量将达2.9亿GB，同比增长近60%，2024年将再增长30%。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 江波龙 的内存条业务（包括DDR4\DDR5等）正常开展当中，公司具备晶圆高堆叠封装（即HBM技术的一部分）的量产能力。 华海诚科 颗粒状环氧塑封料（GMC)可以用于HBM的封装，相关产品已通过客户验证。

英伟达（Nvidia Corp.）首席执行官黄仁勋（Jensen Huang）周二在接受媒体专访时表示，该公司最新一代AI训练芯片Blackwell GPU将以合理的价格吸引更广泛的客户群体。他对人工智能（AI）的增长持乐观态度。 这是继2022年3月发布的Hopper架构数据中心GPU之后，英伟达的最新一代旗舰产品，有望取代被“爆抢”的H100的市场地位。在命名序号上，最新亮相的产品直接跳过了100的序列，而是直接以“B200”命名。 黄仁勋表示，B200的售价可能在3万到4万美元之间。这个定价低于一些分析师的预期，他告诉分析师，他希望新芯片的定价能吸引尽可能多的客户。 不过他后来又补充说，英伟达将把其新芯片纳入更大的计算系统中，价格将根据它们提供的价值而变化。 此外，他预计B200将于今年晚些时候发货。黄仁勋说，英伟达正在与台积电合作，以避免芯片封装瓶颈，正是因封装瓶颈致使其上一代旗舰AI处理器的出货速度放缓。 “上次需求量急剧上升，但这一次，我们对Blackwell芯片的需求有了充分的了解。”他说。 英伟达首席财务官Colette Kress 也表示， 新芯片及其基于的系统将于“今年晚些时候”上市 。她表示，虽然该公司对需求激增的相关准备比当前一代产品做得更好，但仍可能存在供应限制。 看好全球数据中心市场 在本次采访中，黄仁勋还提到，由于生产的芯片和软件种类繁多，英伟达可以从全球对数据中心设备的投入中获取一大块收入。他表示，全球每年在数据中心设备上的支出将达到2,500亿美元，英伟达获得的份额会高于其他芯片制造商。 他强调，该市场每年增速高达20%。 此外，英伟达还在致力于开发软件，以允许人工智能技术在各行各业得到采用。该公司提供人工智能模型和其他软件，然后根据客户需要使用的算力和运行计算的芯片数量进行收费。 黄仁勋周二在加州一个投资者活动上表示，“我预期是这将是一个非常大的业务”。 总而言之，他指出，英伟达正在从销售单个芯片转向销售整个系统，有可能赢得数据中心内更大的“蛋糕”。 “英伟达不是制造芯片，而是建造数据中心，”他说。

尽管已经在HBM芯片赛道上落后，但三星电子仍在积极探索人工智能时代半导体的发展道路。 本周二，三星半导体业务负责人Kyung Kye-Hyun在领英发布帖子宣布，三星在美国和韩国成立AGI（通用人工智能）计算实验室，专注于研发“为满足未来AGI处理需求而设计的芯片”，并已经为此进行招聘工作。 三星成立AGI芯片计算实验室 三星半导体业务负责人表示，三星半导体AGI计算实验室的 目标是发布“一种专门为满足未来AGI处理需求而设计的半导体” ，“以更低的功耗和成本，为越来越大的模型提供更强的性能和支持。” 他透露，AGI计算实验室最初将专注于为大语言模型（LLM）开发芯片，重点是推理和服务应用。为了开发能够大幅降低LLM运行所需功耗的芯片，三星正在重新审视芯片架构的各个方面，包括内存设计、轻量化模型优化、高速互连、先进封装等。 三星电子联席CEO、曾任谷歌高级软件工程师的Dong Hyuk Woo将担任三星AGI计算实验室的负责人。 Kyung Kye-Hyun在帖子中写道： “通过创建AGI计算实验室，我相信我们将更好地解决AGI固有的复杂系统级挑战，同时也为下一代先进的AI/ML模型提供负担得起和可持续的方法。” 三星正在AI芯片道路上奋起直追 目前，OpenAI首席执行官山姆·阿尔特曼（Sam Altman）和Meta CEO扎克伯格（Mark Zuckerberg）等硅谷重量级人物都在讨论人工智能的未来发展轨迹。 而最近几个月，阿尔特曼和扎克伯格都访问了韩国，与三星及其他韩国公司讨论了在人工智能领域的合作，可见他们对于三星在AI领域潜在能力的看重。 不过，三星目前已经在HBM芯片业务上落后于其竞争对手SK海力士，正在努力设法赶超。尽管SK海力士公司规模不如三星，但该公司已经成为AI领域龙头英伟达的唯一HBM3供应商。 在美东时间周一的英伟达GTC 2024大会上，英伟达CEO黄仁勋宣布推出新一代GPU Blackwell芯片。而SK海力士也随即宣布，已开始量产高带宽内存产品HBM3E，将从3月下旬起向客户供货——这意味着SK海力士成为首家实现量产HBM3E的供应商。

3月18日晚间，中微公司发布2023年年度报告称，该公司2023年实现营收62.64亿元，同比增长32.15%；实现归母净利润17.86亿元，同比增长52.67%。中微公司董事长、总经理尹志尧在年报中表示，2023年成为中微自成立以来，经营业绩最好的一年。 《科创板日报》记者注意到，从近几年数据来看，中微公司2023年归母净利润创下近三年新高。其2021年至2023年，归母净利润分别为10.1亿元、11.7亿元、17.86亿元。按单季度计算，2023年第一季度至第四季度，其归母净利润分别为2.75亿元、7.28亿元、1.57亿元、6.26亿元。 中微公司2023年研发投入占营收比例为20.15%，比2022年提升0.56个百分点。 对于2023年业绩，中微公司董事长、总经理尹志尧在年报中表示，占该公司营业收入约75.1%的等离子体刻蚀设备在2021年、2022年分别增长了55.4%和57.1%；在此基础上，2023年增长了49.43%，营收达到47.03亿元。此外，该公司的MOCVD设备2023年实现营收4.62亿元。 据中微公司披露，该公司过去20年开发了一个完整系列的15种等离子体刻蚀设备，可覆盖我国95%以上的刻蚀应用需求，在性能、稳定性等各项指标上满足先进制程客户的各类严苛需求。 新增订单额同比增超三成 对于业绩增长的原因，中微公司在年度报告中也提到新增订单额。该公司表示，报告期内，其新增订单金额约83.6亿元，较2022年新增订单的63.2亿元增加约20.4亿元，同比增长约32.3%。 其中，刻蚀设备新增订单约69.5亿元，同比增长约60.1%；受终端市场波动影响，2023年MOCVD设备订单同比下降约72.2%。 “刻蚀设备和薄膜设备越来越成为更关键的、市场空间更大的设备品类，各占集成电路设备总市场的22%左右，而且还在持续增长。”尹志尧表示。 尹志尧提到， 近两年新开发的沉积各种导体薄膜的设备LPCVD和ALD，已有4款设备进入市场，其中3款获得客户认证，取得了重复性订单。该公司计划在2024年推出超过10款新型薄膜沉积设备，快速扩大产品覆盖度。 该公司新开发的硅和锗硅外延EPI设备、晶圆边缘Bevel刻蚀设备等新产品，也计划在2024年投入市场验证。此外，中微公司通过投资布局了第四大设备市场——光学检测设备。 LED显示产业或将助力MOCVD 《科创板日报》记者注意到，作为半导体设备公司，中微公司向下游客户提供半导体制造设备，并促进各类新产业的持续发展。 该公司在年报中表示，集成电路应用领域中， 人工智能、大数据、可穿戴设备、自动驾驶汽车、智能机器人等应用的发展将释放出大量芯片制造的需求，进一步推动上游半导体设备行业的稳步增长。 光电子LED产业中，以LED新型显示为代表的新兴产业，逐渐成为显示行业追逐的热点。 当前新兴的小间距LED显示在物理拼缝、显示效果、功耗、使用寿命方面均有优越表现，未来随着Mini LED和Micro LED技术的进一步发展和完善， LED新型显示产业有望成为继LED照明产业后，MOCVD应用产业发展最迅速的版块之一。 中微公司在2023年10月的投资者调研中表示，市场机构预测到2026年，全球每年需求超过800台MOCVD设备。中微公司在其中三个领域，即Mini LED、Micro LED、功率器件有开发相关产品。该公司预计可以覆盖大约75%的MOCVD设备市场。 在化合物半导体功率器件领域，随着新基建、“碳达峰、碳中和”的政策与规划密集推出，化合物半导体在清洁能源、新能源汽车及充电桩、功率器件快充、大数据中心等应用市场的需求已经开始呈现出快速增长趋势。