TrendForce集邦咨询资深研究副总吴雅婷今日表示，今年第二季已开始针对2025年HBM进行议价，不过受限于DRAM总产能有限，为避免产能排挤效应，供应商已经初步调涨5%-10%，包含HBM2e，HBM3与HBM3e。

对于议价时间提前到今年二季度，集邦咨询表示其原因包括：一是因为HBM买方对AI需求展望仍具高度信心，愿意接受价格续涨；二是因为HBM3e的TSV良率目前仅约40%-60%，因此买方愿意接受涨价以锁定质量稳定的货源；三是因为未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度，以及供应能力产生价差，对于供应商而言，未来平均销售单价将会因此出现差异，并进一步影响获利。

毫无疑问，AI热度的攀升导致HBM产销走俏。在近日的媒体招待会上，HBM龙头企业SK海力士CEO表示，公司按量产计划2025年生产的HBM产品基本售罄，主要由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求。此前，公司宣布其2024年HBM的产能已被客户抢购一空。

另一存储巨头三星电子也在紧锣密鼓的推进HBM3e的量产。公司4月30日表示，目前正供应12层堆叠HBM3E内存——36GB HBM3E 12H DRAM样品，计划今年二季度量产，其8层堆叠的HBM3 8H已开始初步量产。SK海力士的12层堆叠HBM3e内存也有望于三季度完成。

整体行业规模方面，SK海力士认为，目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年可以达到61%。

集邦咨询也预计2023年-2025年间HBM之于DRAM产能及产值占比均将大幅向上。产能方面，2023年至2024年HBM占DRAM总产能分别是2%及5%，至2025年占比预估将超过10%。产值方面，2024年起HBM之于DRAM总产值预估可逾20%，至2025年占比有机会逾三成。

中信证券在近期研报中指出，预计2024年、2025年全球HBM容量需求年化增长超100%，占DRAM总容量需求将从2023年的不足1%增长至超5%。国内方面，机构认为后续在本土高端封测厂商和设备厂商的配合下，国内DRAM存储原厂有望跟进HBM产品，对半导体设备产生增量需求。综合来看，在需求与叠加技术创新周期的双重叠加下，HBM原厂、先进封装、半导体设备、半导体材料等环节公司均有望持续受益。