随着钨价飙升，WF6供应商已经向韩国半导体制造企业提出大幅涨价要求。 据The Elec消息， SK Specialties、Foosung、日本关东电化（Kanto Denka）等主要WF6生产企业，近期已向三星电子、SK海力士、东部高科、麦格纳等韩国半导体制造商表示，自明年起供应单价将上调70%-90%。 一位业内人士表示：“钨价在短短五个月内上涨一倍，原料成本压力显著增加，这是涨价的主要原因。日本系气体企业还以汇率等因素为由，要求涨价约90%。”该人士还指出，“由于半导体厂商也清楚钨价暴涨的现状，因此大多觉得可能不得不接受涨价。” “WF6价格暴涨并非暂时性冲击，而是供应结构变化的直接反映。”另有业内人士分析本轮涨价。 作为氟与钨形成的无机化合物，WF6是密度最大的气体之一。半导体制造中，WF6主要用于电子工业中金属钨化学气象积淀工业（CVD）工艺，其可在晶圆表面沉积钨金属，填补通道与孔洞，形成芯片内的导电连接层， 是制作逻辑芯片、DRAM和3D NAND的关键材料。 招商银行研究院指出，2022年以来我国含氟特气的自主供应能力显著提升，国产化率达到50%。 用量最大的三氟化氮和WF6方面，国内已有中船特气、南大光电、昊华科技等企业陆续向台积电、中芯国际供货。

据Digitimes报道，存储龙头三星电子将针对12层HBM3E推出30%的降价策略，以试图抢占市场。 “价格战”背后的逻辑是三星产品良率爬坡速度缓慢导致的市场份额落后。直到今年9月，三星12层HBM3E产品才通过英伟达测试，并正式开始供应，预计今年第四季度出货量将达到数万片。 三星HBM3E出货时间仍然明显落后于SK海力士、美光等存储厂商。公开资料显示，早在2024年，SK海力士便已通过良率测试，并确定向英伟达供应HBM3E产品，今年上半年更是实现了16层HBM3E的量产供货；另有消息称，今年6月，美光HBM3E的良率已提高至70%以上，且预计出货量超过8层HBM3E。 在良率与市场份额明显落后的局面下，三星于今年7月被传出将针对部分客户提出HBM3E的降价提案，以促成商用合作 。彼时的三星提醒，HBM3E的供应增长速度将超过需求增长速度，预计供需关系将发生变化。短期内市场价格也可能受到影响。 不过，就产品迭代趋势而言，HBM3E仅仅是高带宽内存系列中的第五代产品。站在当下时点，高带宽内存系列第六代产品——HBM4或即将全面推出。 本月消息称，三星正在加紧推进HBM4的研发，其计划于10月27日至31日在2025年三星科技展上发布第六代12层HBM4，并计划于今年晚些时候量产。其他存储厂商方面，今年9月，SK海力士表示已完成全球首款HBM4的开发工作，已为量产做好准备。 在HBM4全面接棒老款产品的背后，是英伟达等科技巨头对AI芯片架构的全面升级。早在去年，黄仁勋就预告推出Blackwell Ultra AI芯片，且将采用HBM4内存。 而据TrendForce集邦咨询最新调查，近期英伟达积极要求Vera Rubin server rack的关键零组件供应商提高产品规格，包括HBM4的Speed per Pin须调升至10Gbps。值此背景，预计SK海力士在HBM4量产初期将维持其最大供应商的优势。 从价格趋势来看，TrendForce预测，2025年HBM的平均销售单价将同比上涨20.8%，达到1.80美元/Gb，盈利能力可观。另有机构预计明年上市的12层HBM4产品单价将达到500美元，比售价约300美元的12层HBM3e高出60%以上。 目前来看， 三星发动的HBM价格战，传导到DRAM等传统存储芯片的概率较低 。根据此前韩国KB证券研究主管Jeff Kim预计，若DRAM当前涨势持续，明年非HBM内存芯片的盈利能力甚至可能将超越HBM。据其估算，三星7-9月期间标准DRAM业务运营利润率约为40%，HBM业务则达60%。 另据日前消息，三星电子、SK海力士等存储厂商将在今年第四季度针对传统内存继续向客户调整报价，包括DRAM和NAND在内存储产品价格将上调高达30%，从而顺应AI驱动的存储芯片需求激增趋势。

韩国芯片制造商SK海力士周一（10月27日）表示，该公司在“2025 OCP全球峰会”中展示了针对人工智能行业定制的下一代NAND存储产品的策略。 SK海力士周一在一份声明中表示，“随着人工智能推理市场的迅速发展，人们对那些能够快速、高效地处理大量数据的NAND存储产品的需求也正在急剧增长。” 该公司指出，其将通过推出AI-NAND（AIN）系列的产品线来满足客户需求，这些产品是“为人工智能时代量身定制的解决方案”。 AIN产品线 具体来看，AIN系列产品在性能（Performance）、带宽（Bandwidth）、容量（Density）三方面分别优化了NAND闪存解决方案产品，旨在提升数据处理速度，并实现存储容量最大化。 其中，AIN P是一款专为大规模人工智能推理环境中海量数据的输入与输出而打造的高效解决方案。该方案通过将AI运算与存储之间的瓶颈尽量减少，显著提升了处理速度与能效。为此，公司正在以全新架构重新设计NAND闪存与控制器，并计划于2026年底推出样品。 而AIN D则是一款旨在以低功耗、低成本实现海量数据存储的高容量解决方案，特别适用于人工智能数据的存储。相较于现有基于QLC的TB级的SSD，AIN D可将存储容量提升至最高PB级，同时兼顾SSD的高速性能与HDD的经济性，成为一种中间层存储产品。 最后，AIN B是一款通过堆叠NAND闪存以扩大带宽的解决方案产品。该产品采用了公司名为HBF的技术。据悉，HBF（高带宽闪存，High Bandwidth Flash）与堆叠DRAM芯片的HBM（高带宽存储器）相似，是一种通过堆叠NAND闪存而制成的产品。 SK海力士的首席开发官Ahn Hyun表示，“在下一代NAND存储市场中，SK海力士将与客户和合作伙伴密切合作，以成为这一领域的关键参与者。”

受益于AI算力领域的高速增长，芯原股份（688521.SH）第三季度营收创历史新高，AI算力相关订单占比达65%，但在“亮眼成绩单”背后，公司仍尚未摆脱亏损。财联社记者注意到，今年以来不少国产芯片企业在业绩大增的情况下，面临着盈利考验，企业盈利拐点仍尚待市场检验。 公司昨日晚间发布公告，随着近两年订单的不断转化，2025年第三季度实现营业收入12.81亿元，单季度收入创历史新高，同比增长78.38%，环比增长119.26%；前三季度累计营收22.55亿元，同比增长36.64%，营收规模持续扩大。 其中，公司第三季度实现芯片设计业务收入4.28亿元，环比增长290.82%，同比增长80.23%；实现量产业务收入6.09亿元，环比增长132.77%，同比增长157.84%；此外，今年第三季度公司新签订单15.93亿元，其中AI算力相关的订单占比约65%。 公司方面透露，今年前三季度新签订单32.49亿元，已超过2024年全年新签订单水平，其中来自系统厂商、大型互联网公司、云服务提供商和车企等客户群体的订单占比达到83.52%。在今年三季度末的在手订单中，一站式芯片定制业务在手订单占比近90%，预计一年内转化比例约为80%。 不过在“亮眼成绩单”背后，公司仍尚未摆脱亏损。财报显示，公司前三季度实现归母净利润-3.47亿元，其中第三季度归母净利润为-2685万元。虽然单季度亏损同比、环比均实现大幅收窄，分别收窄8420.27万元、7265.40万元，但公司自2023年三季度开始，亏损一直在持续。 事实上，芯原股份并非个例。财联社记者注意到，今年以来受益于AI算力领域的高速增长，不少国产芯片企业在业绩大增的情况下，依旧面临盈利考验。 而这背后，与芯片行业技术壁垒高、需要研发投入的“烧钱”相关。正如公司在财报中表示，集成电路设计行业具有投资周期长，研发投入大的特点，需要坚持高研发投入以打造高竞争壁垒。数据显示，2025年前三季度研发投入9.91亿元，占比43.94%，第三季度研发投入3.51亿元，占收入比重为27.39%，同比下降15.99%。 当前，AI 大模型、智能汽车、工业互联网等下游应用加速渗透，算力芯片及配套IC的定制化需求持续释放。IDC数据显示，预计2025年全球半导体收入将达到8000亿美元，较2024年的6800亿美元同比增长17.6%。 不过财通证券也同时分析指出，目前全球集成电路行业主要受汽车、工业等应用的高需求带动，如果未来行业增长趋势放缓或行业出现负增长，可能会导致市场竞争加剧、产品需求下降的情况，对公司业绩及经营产生不利影响。

高通推出人工智能芯片，在数据中心市场与英伟达展开竞争。高通AI200和AI250预计分别于2026年和2027年投入商业使用。高通涨幅一度扩大至20%，创2019年以来最大日内涨幅。 高通在公告中宣布，推出高通AI200和AI250芯片和机架产品，这些产品均采用公司的神经处理单元（NPU）技术。其中，预定于2026年上市的AI200单卡支持768GB的LPDDR内存（低功耗动态随机存取存储器）。而将于2027年上市的AI250解决方案将首发一种基于“近存储计算（near-memory computing）”的创新内存架构，为AI推理工作负载带来“跨代的效率与性能飞跃”。高通声称，这款芯片在有效内存带宽方面提升超过10倍，同时显著降低功耗。 银河证券指出，在算力紧张的局面下，科技巨头对AI芯片资源主导权的竞争日益激烈。相较美国科技巨头，中国科技企业摆脱算力依赖的需求更加强烈。展望未来，中国AI芯片市场规模将持续提升，同时格局有望进一步优化，AI芯片国产化进程将持续加速。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 顺络电子 一体成型功率电感性能表现优秀，目前已成功进入高通认证方案当中，为国内首发。 长电科技 曾表示旗下不同的工厂与高通之间都有紧密的合作。其中集团子公司星科金朋韩国有限公司（SCK）2022年被高通授予“卓越供应商奖”。

过往只是在CPU里添一点“AI算力”的高通突然在周一放出大招：推出机架级人工智能加速器，正面挑战“绿色巨人”英伟达。 高通在公告中宣布， 推出高通AI200和AI250芯片和机架产品 ，这些产品均采用公司的神经处理单元（NPU）技术。 受此消息刺激， 高通股价周一开盘后直线拉涨，日内涨幅一度接近20%。 截至发稿，涨幅收窄至10%左右。 公司“划重点”称， 两款产品都有卓越的内存容量 ，能够以行业领先的总体拥有成本（TCO）提供AI推理所需的卓越性能。 其中，预定于2026年上市的AI200单卡支持 768GB的LPDDR内存（低功耗动态随机存取存储器） 。作为对比，英伟达最新的GB300每个GPU配备288GB的HBM3e内存。 高通强调，这款芯片侧重于推理（运行AI模型），而不是训练。 更玄乎的是， 高通透露将于2027年上市的AI250解决方案将首发一种基于“近存储计算（near-memory computing）”的创新内存架构，为AI推理工作负载带来“跨代的效率与性能飞跃” 。高通声称，这款芯片在有效内存带宽方面提升超过10倍，同时显著降低功耗。 据悉，两款机架解决方案均采用 直接液冷 的散热方案，支持通过PCIe进行纵向扩展，以及通过以太网进行横向扩展。高通透露，单机柜功耗为160千瓦。 高通技术规划、边缘解决方案与数据中心高级副总裁兼总经理Durga Malladi在公告中表示：“通过高通AI200和AI250。我们正在重新定义机柜级AI推理的可能性。这些创新的AI基础设施解决方案，使客户能够以史无前例的总拥有成本部署生成式AI，同时保持现代数据中心所需的灵活性与安全性。” 高通也在周一宣布，将实现类似于英伟达和AMD的产品发布节奏—— 每年都推出一款新的算力芯片 。 公司发言人拒绝透露芯片或产品的具体价格，或哪家代工厂正在制造这些处理器。三星和台积电都将高通列为客户。 值得一提的是，高通今年5月曾与沙特国家级人工智能企业Humain签署合作协议。高通也在周一宣布，Humain是这款新芯片的首个用户， 目标是从2026年起部署200兆瓦的AI200和AI250机架解决方案 。 （来源：高通） 这两块人工智能芯片也代表着高通加速战略转变：此前高通主要专注于无线连接和移动设备半导体，并非大型数据中心芯片。 目前高通的绝大部分营收仍来自手机芯片。在最近一个财季中，高通共取得89.93亿美元的半导体收入，其中手机业务贡献63.3亿美元。但智能手机的销量增长趋缓，叠加苹果等大客户转向自研芯片，逼着高通迈出开拓的步伐。 有媒体曾预期，到2030年用于数据中心的资本支出将达到近6.7万亿美元，其中大部分将花在AI芯片系统上。虽然该行业目前仍由英伟达主导，但OpenAI、谷歌、亚马逊等公司一直在寻找替代方案，甚至自己下场研发芯片。

10月27日，东方钽业股价盘中再次出现涨停，这也是其继10月23日的涨停之后，再次出现了涨停，截至27日13:31分，东方钽业涨10%，报31.9元/股。 东方钽业10月24日晚间发布2025年三季报显示：前三季度公司营业收入为11.99亿元，同比增长33.90%；归母净利润为2.08亿元，同比增长33.43%。其中，第三季度营业收入为4.02亿元，同比增长32.83%；归母净利润为6353.02万元，同比增长44.55%。 对于前三季度营业收入增加的原因，东方钽业三季报显示：主要系报告期内公司积极拓展市场空间，调整产品结构，募投项目产能逐步释放,产品销量同比增加，营业收入同比上升。 东方钽业同日还公告，公司于2025年10月23日召开第九届董事会第二十五次会议，审议通过了《关于部分募集资金投资项目结项并将节余募集资金永久补充流动资金的议案》。部分募投项目已达到预定可使用状态，包括‘钽铌板带制品生产线技术改造项目’和‘年产100只铌超导腔生产线技术改造项目’。节余募集资金1009.29万元（含利息收入），董事会同意将上述项目结项，并将节余募集资金永久补充流动资金。该事项尚需提交公司股东会审议。 东方钽业10月17日晚间发布关于2022年限制性股票激励计划预留授予部分第一个解除限售期解除限售股份上市流通的提示性公告称，公司2022年限制性股票激励计划第一个解除限售期解除限售条件已经成就，本次符合解除限售条件的激励对象共计5名，可解除限售的限制性股票共计39，601股，占目前公司总股本的0.0078%。本次解除限售股份可上市流通的日期为：2025年10月22日。 被问及“今年你们的钽材料有没有涨价呢？”东方钽业10月13日在互动平台回应：公司产品定价主要根据原材料价格波动，综合客户需求、公司自身成本及市场行情等因素与下游厂家进行协商谈判的模式确定。 对于“公司研发制造的“前沿科技”产品与“存储芯片”的关联性以及是否已稳步进入“中芯国际”产品的供应链。”东方钽业10月13日在互动平台表示，公司产品广泛应用于超导产品、高温合金添加剂、溅射靶材、钽电容器、硬质合金、化工防腐等领域。在半导体领域，公司生产的高纯钽粉、高纯钽锭、12英寸钽靶坯已实现全流程技术突破和产业贯通。 被问及“司生产的超导铌材是否可以生产铌钛和铌锡？这些合金材料应该是制造超导磁体的关键材料，可用于产生强磁场来约束等离子体！另外参股公司西材院是否曾参与核聚变实验堆项目？”东方钽业10月13日在投资者互动平台表示：公司生产的铌材可用于下游生产铌钛、铌锡等合金。 对于“公司研发制造的“前沿科技产品”(铌金属等产品)在“人造太阳”项目上如何保障其上游原材料的供应链。”东方钽业10月13日在互动平台表示：公司本着“做全湿法、做优钽粉、做稳钽丝、做大火法、做强制品、做好延链”的发展理念，持续聚焦主责主业，充分发挥全产业链优势，把握发展机遇，加快推进新一批技术改造项目，保障钽铌材料供应链安全。 东方钽业10月9日公告，公司近日收到深交所出具的《关于受理宁夏东方钽业股份有限公司向特定对象发行股票申请文件的通知》，深交所根据相关规定，对公司报送的向特定对象发行股票的申请文件进行了核对，认为申请文件齐备，决定予以受理。公司本次向特定对象发行股票事项尚需通过深交所审核，并获得中国证监会做出同意注册的决定后方可实施。 东方钽业在其半年报中介绍：公司主要从事稀有金属钽、铌及合金等的研发、生产、销售和进出口业务。目前已形成钽金属及合金制品、铌金属及合金制品等系列产品。上述产品被广泛应用于电子、通讯、航空、航天、冶金、石油、化工、照明、原子能、太阳能等领域。在半年报中介绍核心竞争力分析东方钽业表示：公司以钽铌金属及制品的研发、生产、销售为核心业务，也是公司盈利能力和经济增长的主要着眼点。公司目前是国内最大的钽、铌产品生产基地、科技先导型钽铌研究中心；是国家重点高新技术企业、国家首批创新型企业、国家863 成果产业化基地、全国专利工作试点企业、博士后科研工作站和国家级企业技术中心。公司核心竞争及持续发展能力主要体现在以下方面：（1）品牌优势公司钽铌新材料产业在行业内具有突出的地位。公司与全球大型电容器生产企业建立了长期稳定的合作关系，具有良好的信誉、稳定的供货、销售渠道和销售服务体系，在行业中企业品牌优势明显。 公司生产的宝山牌钽粉及钽丝是中国名牌产品。公司宝山牌熔炼铌、大规模集成电路用钽靶坯等产品均被授予宁夏名牌产品。（2）技术优势 公司长期坚持把技术进步放在首位，走生产和科研相结合的发展道路。近 10 年以来，公司共承担完成国家和省部级科研课题 61 项，获得国家和省部级科技奖励 25 项，拥有 86 项国际专利。（3）研发优势 公司通过聘用两级专家、三级工程师和两级技师，建立和健全了人才发展通道，为技术人员搭建了发展平台，拥有实践经验丰富的研究团队。公司拥有一个国家钽铌特种材料工程研究中心和一个分析研究中心，具有独立的研究、开发和设计能力。公司享受政府特殊津贴专家 3 人，具有中高级以上职称207 人，高级技师及技师63人。 公司先后成功地完成了“超高比容钽粉”、“中高压比容钽粉”、“电容器阳极引线用钽丝”等多个国家级重点生产技术改造项目。共有 4 项科研成果获“国家科技进步奖”，在钽粉、钽丝领域研制开发了多个品级的系列产品，钽粉、钽丝及铌制品的质量、品级居于国际同类产品先进行列。（4）营销网络优势 在五十多年的发展过程中，公司与世界众多知名企业建立了稳定的合作关系，公司逐步树立了自身的营销优势，保证了公司产品销售渠道的畅通。公司坚持服务营销与品牌营销相结合的经营理念，凭借良好的服务意识和品牌形象赢得了客户的广泛认同。公司拥有一支年轻进取、知识结构合理、素质相对较高的营销人才队伍，建立了规范的客户档案管理、市场信息监测与分析机制。（5）管理优势 公司已构建了完善的法人治理结构，不断地引进先进管理理念和管理方式，促进企业持续的管理创新。公司建立了以风险管理为导向的内部控制体系，公司规范了包括质量管理和环境职业安全健康管理在内的业务流程，建立健全了各项流程匹配的制度，全方位组建了公司制度体系，推动公司业务管理流程化、标准化和制度化。公司秉承“团结拼搏激情 超越”的企业精神和“钽铌行业的领跑者，高端材料的制造商”的企业愿景，积极推行卓越绩效管理模式。公司以对标世界一流企业的管理水平为驱动，以市场为核心，不断优化资源配置，提升过程运行效率。 国盛证券指出，战略小金属的“类避险”价值有望迎来重估。传统的避险资产是贵金属，主要基于“稀缺”+“信用中性”+“共识”。而小金属亦具备“稀缺”的自然属性以及不可替代战略用途的“共识”，且定价上相对货币中性，因此可视为“类避险”资产。海外标的估值抬升，或将推高国内战略资产的“重置价值”；看好稀土、钨、锑等战略金属标的后市表现。 民生证券点评东方钽业半年报的研报显示：扩张产能逐步释放，钽铌主业快速增长。西材院稳步增长，贡献稳定投资收益。定增预案实现扩产扩能和一体化布局，打开远期成长空间。中期分红积极回报资本市场。公司作为传统国企代表，积极实施市场化激励改革和持续研发创新双管齐下，提质增效成果持续兑现；公司作为国内钽铌铍行业龙头，钽丝钽粉主业企稳复苏，高端新兴应用领域需求多点开花，伴随定增项目扩张产能逐步释放，业绩进入增长加速期。维持“推荐”评级。风险提示：原材料价格波动风险、新品研发不及预期、下游需求不及预期。

据彭博社报道，美国最大汽车供应商协会MEMA表示，受中美在芯片制造商安世半导体（Nexperia）问题上的争端影响，美国汽车工厂的整车生产可能在2至4周内遭遇“重大冲击”。 本月，中国禁止安世半导体从其在华工厂出口产品。安世半导体是汽车及消费电子行业关键芯片供应商。中方此举是对荷兰政府接管安世半导体的回应，也凸显出中西方贸易关系的持续恶化。 MEMA高级副总裁Steve Horaney表示：“事实上，仅少数几种此类芯片缺货，就可能导致一整条总装厂停产。虽然存在替代芯片，但未必所有企业都能获得。” 欧洲汽车行业已在昼夜不停采取应对措施，以防止这场争端引发生产中断。日前，安世半导体已告知其日本汽车客户，可能无法再保证供货。目前，中国正收紧对关键制造业零部件的管制，而在备受关注的中美领导人峰会召开前，特朗普政府也采取了相应反制措施。 Steve Horaney指出，安世半导体供应给汽车行业的芯片采用较老旧技术，主要用于驱动雨刷启动、车窗升降等基础功能，与用于辅助驾驶等复杂功能、技术更新、速度更快及性能更强的芯片不同。他表示，正因为这些是老旧技术芯片，生产此类芯片的企业数量相对较少。 Steve Horaney说道：“目前汽车芯片行业内并没有太多闲置的额外产能。在汽车总装流程中，更换半导体芯片可不像拧下并更换一颗螺母或螺栓那么简单。” 福特汽车首席执行官Jim Farley称安世半导体争端是一个“政治问题”，并表示他在华盛顿之行中已向美国政府官员提及此事。 10月23日，Jim Farley在福特汽车今年第三季度财报电话会议上对分析师表示：“这是一个全行业性问题。要避免整个汽车行业在今年第四季度出现产量损失，就必须尽快取得突破性进展。” 通用汽车公司首席执行官Mary Barra则向投资者表示，芯片供应限制“有可能影响生产”。Mary Barra在财报电话会议上称：“我们的团队正与供应链合作伙伴昼夜协作，以最大限度减少可能出现的中断。目前局势变化非常快。” Stellantis在一封电邮中表示，该公司“正与安世半导体及其他供应商合作，评估潜在影响并制定缓解措施”。

导读： ①市场整体转强，沪指创新高、创业板大涨超 3.5%，量能能否持续放大决定反弹延续性；②存储芯片板块全线反弹，多股涨停，行业价格上涨周期延续，但需留意短线个股分歧风险；③光刻胶领域获技术突破利好，叠加国产化推进，存在反复活跃空间；④算力硬件方向走强，龙头股创新高、业绩预增，但核心标的面临前高压力，需关注能否放量突破。 10月27日 12:00 今日早盘市场震荡走强，三大指数均涨超1%，其中沪指逼近4000点大关。算力硬件延续强势，新易盛再创历史新高，可控核聚变、存储芯片等方向同样涨幅居前，临近午盘福建本地股异动拉升。不过需要注意的是，随着指数的震荡走强盘中热门板块的分歧也逐步加剧，后续应对上仍以震荡向上结构看待，更多把握寻找轮动机会为主。 10月27日 10:45 开盘来看，市场在如期高开后震荡回落，其中沪指始终较强。小金属涨幅居前，厦门钨业、东方钽业涨停，中钨高新、宜安科技涨幅居前。此外钢铁、煤炭、猪肉等板块震荡走强。而科技股方向则普冲高回落，存储芯片、算力硬件核心标的均遭遇分歧，不过截至目前还是具有不俗的承接动能。 10月27日 9:15 上周五市场震荡走强，沪指刷新年内新高，创业板更是涨超3.5%，短线再现转强信号。叠加周末消息面整体偏暖，后续仍有进一步冲高之动能，量能能否持续放大或将较大程度决定本轮反弹延续性。 科技股方向上周五全线反弹，其中存储芯片涨幅居前，普冉股份、香农芯创20余股涨停或涨超10%。三星电子与SK海力士已在第四季度将其DRAM和NAND闪存的价格上调最高达30%，并将新的价格体系传导至客户。此举是内存巨头对当前市场供需失衡的直接回应，价格上涨周期仍在延续。 而美光科技等海外存储巨头也于近期持续创下新高。故在产业预期依旧向好以及海外巨头的映射效应的共振推动下，存储芯片相关概念股走出了极强的延续性。但需注意的是，本轮存储芯片行情在反复演绎后相关个股的位阶已然不低，在上周五集体放量拉升后，短线或再度趋于高潮，留意板块内部个股分歧加剧的可能性。 另一方面，光刻胶领域周末再传利好。近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。光刻胶是光刻过程最重要的耗材，长期被东京应化、信越化学、JSR、富士胶片等国际巨头垄断。近年来，随着我国加快半导体国产化步伐，产业链上下游多个环节实现技术的重大突破。故在消息催化下，该方向仍存在反复活跃之空间。 算力硬件方向再度走强，生益电子20CM涨停，其前三季度净利同比预增476%-519%。再度印证了海外算力链业绩依旧维持高增态势。光模块龙头中际旭创大涨12%再度刷新历史高点，总市值逼近5500亿。算力硬件对于市场整体仍具较高的带动性，并与短线情绪形成共振。不过需注意的是，多数核心标的在经历了连续的反弹后已来至至前高压力区附近，后续能否进一步放量突破仍是后市的观盘重点。