周六晚间，商务部连续发布《商务部公告2025年第27号 公布对原产于美国的进口相关模拟芯片发起反倾销立案调查》、《商务部新闻发言人就对原产于美国的进口相关模拟芯片发起反倾销调查答记者问》、《商务部公告2025年第50号 公布就美国对华集成电路领域相关措施发起反歧视立案调查》、《商务部新闻发言人就中方公布就美国对华集成电路领域相关措施发起反歧视立案调查答记者问》的公告，以下为原文： 商务部公告2025年第27号 公布对原产于美国的进口相关模拟芯片发起反倾销立案调查 中华人民共和国商务部（以下简称商务部）于2025年7月23日收到江苏省半导体行业协会（以下称申请人）代表国内相关模拟芯片产业正式提交的反倾销调查申请，申请人请求对原产于美国的进口相关模拟芯片进行反倾销调查。商务部依据《中华人民共和国反倾销条例》有关规定，对申请人资格、申请调查产品有关情况、中国同类产品有关情况、申请调查产品对国内产业影响、申请调查国家有关情况等进行了审查。 根据申请人提供的证据和商务部初步审查，申请人相关模拟芯片的合计产量符合《中华人民共和国反倾销条例》关于申请人资格的规定。同时，申请书中包含了《中华人民共和国反倾销条例》第十四条、第十五条规定的反倾销调查立案所要求内容及有关证据。 根据上述审查结果，依据《中华人民共和国反倾销条例》第十六条的规定，商务部决定自2025年9月13日起对原产于美国的进口相关模拟芯片进行反倾销立案调查。现将有关事项公告如下： 一、立案调查及调查期 自本公告发布之日起，商务部对原产于美国的进口相关模拟芯片进行反倾销立案调查，本次调查确定的倾销调查期为2024年1月1日至2024年12月31日，产业损害调查期为2022年1月1日至2024年12月31日。 二、被调查产品及调查范围 调查范围：原产于美国的进口相关模拟芯片。 被调查产品名称：相关模拟芯片。 英文名称：Certain Analog IC Chip。 产品描述和主要用途：相关模拟芯片中使用40nm及以上工艺制程的通用接口芯片（Commodity Interface IC Chip）和栅极驱动芯片（Gate Driver IC Chip）。 其中： 通用接口芯片是一种旨在提供多样化接口类型的集成电路芯片，用于连接各类设备、系统或组件，以实现高效的数据传输和信号转换。被调查的通用接口芯片包括： 1.符合ISO11898标准的控制器局域网（CAN，Controller Area Network）接口收发器芯片，用于汽车及其他工业产品中各系统之间信号的发送与接收； 2.符合TIA/EIA-485标准的RS485接口收发器芯片，用于工业系统中各类设备之间信号的发送与接收； 3.基于利用串行数据线和串行时钟线的低速串行总线方式制得的双向二线制同步串行总线（I2C）接口芯片，用于设备中的各类板卡或芯片之间的信号缓冲中继通道的切换与扩展； 4.符合国际电工委员会IEC 60747-5-2标准的数字隔离器芯片，用于汽车及其他工业产品中高低压系统之间的绝缘通信，或用于增强通信抗干扰性能； 5.其他同时兼容上述种类的通用接口芯片。 栅极驱动芯片是一种用于增强控制器的栅极控制信号输出、控制功率半导体器件的导通和截止的集成电路芯片。栅极驱动芯片提供必要的电压和电流水平，以有效地打开和关闭这些半导体开关，从而实现电能的转换和控制。被调查的栅极驱动芯片包括： 1.低边栅极驱动芯片（Low-Side Gate Driver IC Chip）； 2.半桥/多路栅极驱动芯片（Half-Bridge/Multi-Channel Gate Driver IC Chip）； 3.隔离栅极驱动芯片（Isolated Gate Driver IC Chip）。 被调查的栅极驱动芯片具备以下功能：1.将控制器的低压信号转化为更高电压或更大电流的驱动信号，以实现功率器件稳定导通和关断；2.提供瞬态的拉和灌电流，提高功率器件的开关速度，降低开关损耗。 被调查的通用接口芯片和栅极驱动芯片包括成品芯片及可用来生产相同功能芯片的晶圆、晶粒，以及未来发展具有相同功能的产品。 该产品归在《中华人民共和国进出口税则》：85423990。该税则号项下其他产品不在本次调查范围之内。 三、登记参加调查 利害关系方应于本公告发布之日起20天内，向商务部贸易救济调查局登记参加本次反倾销调查。参加调查的利害关系方应根据《登记参加调查的参考格式》提供基本身份信息、向中国出口或进口本案被调查产品的数量及金额、生产和销售同类产品的数量及金额以及关联情况等说明材料。《登记参加调查的参考格式》可在商务部网站贸易救济调查局子网站下载。 利害关系方登记参加本次反倾销调查，应通过“贸易救济调查信息化平台”提交电子版本，并根据商务部的要求，同时提交书面版本。电子版本和书面版本内容应相同，格式应保持一致。 本公告所称的利害关系方是指《中华人民共和国反倾销条例》第十九条规定的个人和组织。 四、查阅公开信息 利害关系方可在商务部网站贸易救济调查局子网站下载或到商务部贸易救济公开信息查阅室（电话：0086-10-65197878）查找、阅览、抄录并复印本案申请人提交的申请书的非保密文本。调查过程中，利害关系方可通过商务部网站贸易救济调查局子网站查询案件公开信息，或到商务部贸易救济公开信息查阅室查找、阅览、抄录并复印案件公开信息。 五、对立案的评论 利害关系方对本次调查的产品范围及申请人资格、被调查国家及其他相关问题如需发表评论，可于本公告发布之日起20天内将书面意见提交至商务部贸易救济调查局。 六、调查方式 根据《中华人民共和国反倾销条例》第二十条的规定，商务部可以采用问卷、抽样、听证会、现场核查等方式向有关利害关系方了解情况，进行调查。 为获得本案调查所需要的信息，商务部通常在本公告规定的登记参加调查截止之日起10个工作日内向利害关系方发布调查问卷。利害关系方可以从商务部网站贸易救济调查局子网站下载调查问卷。 《相关模拟芯片反倾销案国外出口商或生产商调查问卷》询问信息包括公司的结构和运作、被调查产品、对中国的出口销售、国内销售、经营和财务等相关信息、生产成本和相关费用、估算的倾销幅度及核对单等内容。《相关模拟芯片反倾销案国内生产者调查问卷》询问信息包括公司基本情况、国内同类产品情况、经营和相关信息、财务和相关信息、其他需要说明的问题等内容。《相关模拟芯片反倾销案国内进口商调查问卷》询问信息包括公司基本情况、被调查产品贸易和相关信息等内容。 利害关系方应在规定时间内提交完整、准确的答卷。答卷应当包括调查问卷所要求的全部信息。 七、信息的提交和处理 利害关系方在调查过程中提交评论意见、答卷等，应通过“贸易救济调查信息化平台”提交电子版本，并根据商务部的要求，同时提交书面版本。电子版本和书面版本内容应相同，格式应保持一致。 利害关系方向商务部提交的信息如需保密，可向商务部提出对相关信息进行保密处理的请求并说明理由。如商务部同意其请求，申请保密的利害关系方应当同时提供该保密信息的非保密概要。非保密概要应当包含充分的有意义的信息，以使其他利害关系方对保密信息能有合理的理解。如不能提供非保密概要，应说明理由。如利害关系方提交的信息未说明需要保密，商务部将视该信息为公开信息。 八、不合作的后果 根据《中华人民共和国反倾销条例》第二十一条的规定，商务部进行调查时，利害关系方应当如实反映情况，提供有关资料。利害关系方不如实反映情况、提供有关资料的，或者没有在合理时间内提供必要信息的，或者以其他方式严重妨碍调查的，商务部可以根据已经获得的事实和可获得的最佳信息作出裁定。 九、调查期限 本次调查自2025年9月13日起开始，通常应在2026年9月13日前结束调查，特殊情况下可延长6个月。 十、商务部联系方式 地址：中国北京市东长安街2号 邮编：100731 商务部贸易救济调查局 电话：0086-10-65198182 85093415 传真：0086-10-65198172 相关网站：商务部网站贸易救济调查局子网站 商务部 2025年9月13日 商务部新闻发言人就对原产于美国的进口相关模拟芯片发起反倾销调查答记者问 问：我们注意到商务部发布公告，对原产于美国的进口相关模拟芯片发起反倾销调查，能否介绍相关情况？ 答：近期，美国政府泛化国家安全概念，滥用出口管制和“长臂管辖”，对中国芯片产品和人工智能产业进行恶意封锁和打压，严重违反世贸组织规则，损害中国企业正当权益，中方对此坚决反对。 此次反倾销调查是应中国国内产业申请发起，符合中国法律法规和世贸组织规则。调查涉及自美进口的通用接口和栅极驱动芯片。申请人提交的初步证据显示，2022至2024年，申请调查产品自美进口量累计增长37%，进口价格累计下降52%，压低和抑制了国内产品销售价格，对国内产业的生产经营造成损害。 调查机关收到申请后，依法对申请书进行了审查，认为申请符合反倾销调查立案条件，决定发起调查。调查机关将依照法定程序开展调查，充分保障各利害关系方权利，并根据调查结果客观公正作出裁决。 商务部公告2025年第50号 公布就美国对华集成电路领域相关措施发起反歧视立案调查 依据《中华人民共和国对外贸易法》第七条、第三十六条规定，任何国家或地区在贸易方面对中华人民共和国采取歧视性的禁止、限制或者其他类似措施的，中华人民共和国可以根据实际情况对该国家或者该地区采取相应的措施。商务部可自行或会同国务院其他有关部门发起相关调查。 商务部获得初步证据和信息显示，美国对华集成电路领域相关措施（以下称被调查措施）符合《中华人民共和国对外贸易法》第七条规定的“在贸易方面对中华人民共和国采取歧视性的禁止、限制或者其他类似措施”的情形。 依据《中华人民共和国对外贸易法》第三十六条、第三十七条规定，商务部决定自2025年9月13日起就美国被调查措施启动反歧视调查。现将有关事项公告如下： 一、被调查措施 根据获得的初步证据和信息，本次调查对象为美国对华集成电路领域相关措施，可包括： （一）2018年以来，美国政府基于对华301调查结果，已经或将要对包括集成电路在内的中国产品加征关税，以及其他可能的禁止、限制或类似措施。 （二）2022年以来，美国政府通过发布相关规则、发送通知函等方式，限制对中国出口集成电路相关产品、制造设备等，限制“美国人”参与中国半导体项目。如2022年10月、2023年10月、2024年12月、2025年1月等发布的规则。 （三）2022年以来，美国政府根据《芯片与科学法》及相关规则，限制相关企业和个人在中国相关领域开展经贸与投资活动等。 （四）2025年5月，美国政府发布新闻和指南，限制使用包括华为昇腾芯片在内的中国先进计算集成电路、限制美国人工智能芯片用于训练中国人工智能模型等。 此外，美国在集成电路领域，包括设计、制造、封装、测试、装备、零部件、材料、工具在内的各个环节以及具体应用场景等，对华采取的其他歧视性禁止、限制或类似措施也在本次调查范围内。 二、调查程序 依据《中华人民共和国对外贸易法》第三十七条规定，调查可以采取书面问卷、召开听证会、实地调查、委托调查等方式进行。商务部根据调查结果，提出调查报告或者作出处理裁定，并发布公告。 三、调查期限 本次调查自2025年9月13日开始，调查期限通常为3个月，特殊情况下可适当延长。 四、查阅公开信息 调查过程中，利害关系方可通过商务部网站贸易救济调查局子网站查询案件公开信息，或到商务部贸易救济公开信息查阅室（电话：0086-10-65197878）查找、阅览、抄录并复印案件公开信息。 五、提交评论意见 利害关系方可在本公告发布之日起30日内以书面形式将对立案和调查程序相关问题的评论意见提交至商务部贸易救济调查局。 为保证本次调查的公平公正、公开透明，利害关系方可在本公告发布之日起30日内以书面形式填答评论意见表（见附件）并提交至商务部贸易救济调查局。 六、听证会申请 利害关系方可在本公告发布之日起20日内以书面形式将听证会申请提交至商务部贸易救济调查局。 七、政府间磋商 为消除和救济被调查措施造成或可能造成的影响，美国政府可在本公告发布之日起30日内以书面形式向商务部（贸易救济调查局）提交与中国政府进行政府间磋商的申请。 八、信息的提交和处理 利害关系方在调查过程中提交评论意见、答卷等，应通过“贸易救济调查信息化平台”提交电子版本，并根据商务部的要求，同时提交书面版本。电子版本和书面版本内容应相同，格式应保持一致。 利害关系方认为其提供资料泄露后将产生严重不利影响的，可以向商务部申请按照保密资料处理，并说明理由。如商务部同意其请求，申请保密的利害关系方应当同时提供该保密信息的非保密概要。非保密概要应当包含充分的、有意义的信息，以使其他利害关系方对保密信息能有合理的理解。如不能提供非保密概要，应说明理由。如利害关系方提交的信息未说明需要保密，商务部将视该信息为公开信息。 九、联系方式 地址：北京市东长安街2号 邮编：100731 商务部贸易救济调查局 电话：0086-10-65198054、65198073、85093421 传真：0086-10-65198172 相关网站：商务部网站贸易救济调查局子网站 附件：对美国反歧视调查评论意见表.doc 中华人民共和国商务部 2025年9月13日 商务部新闻发言人就中方公布就美国对华集成电路领域相关措施发起反歧视立案调查答记者问 问：我们注意到，中方就美国对华集成电路领域相关措施发起了反歧视调查，能否介绍有关情况？ 答：近年来，美国在集成电路领域对华采取一系列禁止和限制措施，包括301调查和出口管制措施等。这些保护主义做法涉嫌对华歧视，是对中国发展先进计算芯片和人工智能等高科技产业的遏制打压，不仅危害中国发展利益，还严重损害全球半导体产业链供应链稳定，中方对此坚决反对。 根据《中华人民共和国对外贸易法》第七条、第三十六条、第三十七条等规定，中方决定就美国对华集成电路领域相关措施发起反歧视调查，后续根据实际情况对美采取相应措施。 本次调查将坚持公正、公平、公开的原则开展，欢迎包括中国国内产业、企业在内受美方措施影响的各利害关系方积极参与调查。中方将采取一切必要措施捍卫中国企业的正当权益。

算力、运力，以及存力，被视作AI基础设施建设的三驾马车。随着AI、数据中心等场景需求快速成长，存力或将接棒算力，成为AI基建体系中的又一关键变量。 近日消息，英伟达与日本存储大厂铠侠正合作开发一款为AI服务器量身定制的SSD，旨在部分取代作为GPU内存扩展器的HBM。资料显示，这款SSD性能将达到 1亿IOPS（每秒输入输出），其数据读取速度或比传统产品快近100倍。 按照英伟达的要求，数据读取速度需达到2亿IOPS才能符合对计算效率的期望，故铠侠计划在每个算力单位上安装两块SSD。值得一提的是， 传统SSD一般通过CPU连接到GPU，而上述SSD或将直接连接到GPU进行数据交换 ，并兼容PCIe 7.0接口标准。 据悉，这款SSD将于2026年下半年开始进行送样，并于2027年实现商业化。 从传输速度到连接方式，不难发现存储演进趋势与人工智能发展息息相关。铠侠表示，到2029年，预计近一半的NAND需求将与AI相关。就在日前，另一存储巨头SK海力士宣布，为满足具备AI功能的智能手机需求，已开始供应一项全新的NAND解决方案。 更直观的信号在于， AI需求的指数级增长已然传导至存储价格本身 。有消息称，美光已通知客户称DDR4、DDR5等产品价格或将调涨20%-30%。闪迪则于上周宣布对全部渠道通路产品价格执行10%普涨，公司表示，在AI应用和数据中心等出现日益增长的存储需求的背景下，NAND闪存产品需求强劲，未来将定期进行价格评估。 与此同时，各存储厂商营收亦受到影响。根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第二季英伟达Blackwell平台规模化出货，以及北美CSP业者持续扩大布局通用型服务器，均带动Enterprise SSD（企业级固态硬盘）需求显著成长，前五大品牌厂营收合计逾51亿美元，季增12.7%。 DRAM方面，2025年第二季DRAM产业因一般型DRAM合约价上涨、出货量显著增长，加上HBM出货规模扩张，整体营收为316.3亿美元，季增17.1%。 国泰海通指出，随着运算速度的提升，DRAM及NAND在各类AI延伸应用，如智能手机、服务器、笔电的单机平均搭载容量均有成长，又以服务器领域成长幅度最高。伴随AI服务器需求持续增加，AI高端芯片如英伟达下一代Rubin及云端服务业者自研ASIC陆续推出或开始量产，有助于高速运算的DRAM产品量价齐升。 CFM闪存市场最新报告显示，预计包括中国企业在内的各大原厂四季度将迎来价格普涨行情，为明年春季行情走势奠定基调。此次涨价主要聚焦在企业级和手机市场上，预计Q4企业级存储价格将实现个位数涨幅，手机嵌入式存储价格也将小幅上扬。 投资方面，东方证券表示，存储行情景气度持续，国内先进存储产能持续扩充，AI服务器和AI终端，有望持续带动存储需求增长。

半导体投资的江湖暗流涌动。 近日，注册资本达207.2亿元的长存三期（武汉）集成电路有限责任公司正式成立，法定代表人为长江存储董事长陈南翔，业务覆盖集成电路制造、设计与芯片销售等核心领域。 这家重量级的新公司背后，湖北国资的身影格外醒目——由光谷金控、江城基金、长江产投按40%、40%、20%比例持股的湖北长晟三期，以103.2亿元出资拿下49.8068%股权，与长江存储共同推动了三期公司的落地。 其中，首次出现在“长存系”股东名单中的江城基金，尤为值得关注。作为武汉市2024年新设立的市属母基金，首期规模120亿元，明确聚焦泛半导体产业链。 此次入股长存三期，标志着这支新生基金已走过筹备期，进入了实质性投资阶段。而这样的节奏并非个例，去年成立的大基金三期及上海、北京、浙江、江苏等地的集成电路产业基金，都在今年开始了项目出资或设立子基金。 覆盖全国核心区域的半导体国资母基金们，正从“规划”全面走向“实战”。 大基金三期“即将出手” 2024年可以说是，国资半导体产业基金的“设立大年”。在去年，大基金三期、上海国投先导集成电路基金、北京集成电路产业投资基金、无锡集成电路产业专项母基金等一批国资母基金相继注册成立。 2025年，则是核心区域半导体国资基金的“实战元年”。这些基金正在密集披露子基金参股或项目投资动态。 其中，大基金三期的动向始终牵动行业神经，这支2024年正式注册、规模达3440亿元的“国家队”是推动半导体产业链发展的重要机构之一。 在今年1月，由大基金三期持股99.9%的三支子基金（华芯鼎新、国投集新、国家人工智能产业投资基金）先后完成备案，注册资本分别为930.93亿元、710.71亿元、600.60亿元。 截至目前，以上三支子基金还没有公开的投资动态。 但在本周五（9月12日），首个潜在的被投项目信息浮出了水面。 当晚，上市公司拓荆科技（688072.SH）发布公告称，子公司拓荆键科拟以投前估值25亿元的价格，融资共计不超过10.395亿元，参与的投资方中就有国投集新。 公告显示，国投新集以不超过4.5亿元认缴拓荆键科新增注册资本192.1574万元，交易完成后持股比例约12.7137%。如果进展顺利，拓荆键科或将成为大基金三期投向的首个半导体项目。 拓荆键科业务范围属于高端半导体专用设备领域，主要聚焦三维集成设备的研发与产业化应用，属于芯片制造环节的关键短板，这一投资既延续了大基金“补链强链”的一贯逻辑，也释放出三期基金“精准发力、快速落地”的鲜明信号。 长三角“撒钱” 在地方上，作为半导体产业重镇的上海，在规模和节奏上都领先一步。去年成立的国投先导集成电路基金，是上海三大先导母基金之一，注册资本达到了450.01亿元。 今年以来，国投先导集成电路基金先后出资设立了五支子基金，合作方中既有临港科创投、国盛资本等国资机构，也有中芯聚源、元禾璞华等市场化机构。 新近成立的子基金是与元禾璞华共同设立的，这也是元禾璞华首次在上海发起设立股权投资基金。元禾璞华称，此次与国投先导合作，将立足上海充分发挥双方在产业资源和投资经验上的优势，不仅覆盖集成电路全产业链投资机会，还明确将携手上海半导体龙头企业共建产业生态，例如协助被投企业江波龙在上海成立研发中心，打造并购整合平台，提升企业全球竞争力。 除了设立子基金，国投先导在直投上也已经有了收获。财联社创投通-执中数据显示，今年4月，国投先导参与了华力微的C轮融资，持有其7.98%股份。 同属长三角的江浙两省，都选择将省级产业母基金落在省内芯片“高地”上。 2024年，江苏省战略性新兴产业母基金与无锡市共同出资设立、规模50亿元的无锡集成电路产业专项母基金，是省战新母基金在集成电路领域唯一一只设区市产业专项基金。 在几天前，无锡集成电路产业专项母基金披露上首支拟参股子基金动态，即总规模20亿元的中电科（无锡）电子基础产业战新投资基金。这支拟参股子基金将重点投向集成电路设计、制造、装备及零部件、电子材料等全产业链领域，基金管理机构为中电科网信私募基金管理有限公司。 据《科创板日报》记者了解， 该母基金还与毅达资本完成了签约，将合作成立产业子基金，规模预计是20亿元。 浙江省集成电路产业基金则落在了绍兴，由浙江省产业基金联合绍兴国有出资主体和成立了总规模50亿元的浙江富浙绍芯集成电路产业基金。 目前该基金还在招引子基金GP，但在直投上已经完成了两笔关键投资。该基金于年初出资芯联集成（688469.SH）子公司芯联先锋，又在上月入股晶瑞电子。 这两家公司的产能都相当可观。其中。芯联先锋主要负责芯联集成三期12英寸数模混合芯片制造项目的实施。据官方介绍，该项目总投资达222亿元，规划形成10万片/月产能，聚焦车规级功率半导体国产化替代。 晶瑞电子聚焦碳化硅（SiC）等关键材料的研发与制造，目前正在扩建年产60万片8英寸碳化硅衬底片生产线，将显著提升国内新能源与光伏产业的SiC材料自给率。 集中与分化 在大基金三期与上海、江浙等地地方半导体国资母基金进入“实战”的同时，想入局新玩家也开始涌现。 进入2025年，地方集成电路母基金的设立节奏出现明显变化：未见新的省级集成电路母基金成立，新基金中深圳、杭州成为代表。这一趋势的背后，是半导体产业“高投入、长周期、高风险”属性与区域经济实力、产业基础的深度绑定，资本布局的“集中化”与“分化性”愈发凸显。 其中，杭州的新基金与产业紧密相关，由亚洲最大的模拟芯片设计企业矽力杰联合杭州创新基金、高新金投共同出资组建，注册资本50.01亿元， 投资方向也与矽力杰产业布局有关，重点投向模拟芯片、数字芯片、功率器件、MCU、第三代半导体等领域。这支基金的特点是“龙头主导、聚焦细分”，既依托矽力杰在模拟芯片领域的技术积累与市场资源，也紧密贴合杭州数字经济发展对半导体芯片的应用需求，避免了大规模铺量式投资，转而追求“精准发力、高效赋能”。 深圳集成电路专项基金则与地方政策同频。在今年7月，深圳出台了《深圳市关于促进半导体与集成电路产业高质量发展的若干措施》，其中提到为强化资金保障，成立总规模50亿元的深圳市半导体与集成电路产业投资基金——“赛米产业私募基金”。 该基金已于2025年5月完成工商登记注册，由深圳市引导基金、龙岗区引导基金等共同出资，深创投担任管理人，主要投资市半导体与集成电路重点项目和细分龙头企业及其他对完善市半导体产业链有重大作用的项目，着力构建本地化产业链供应链。 相较于2024年上海450亿、北京85亿级别的基金规模，深圳、杭州的母基金规模稍逊一筹，但投资更聚焦。杭州明确了投向的细分领域，深圳瞄准的是完善当地本地产业链。 二者均体现出2025年地方母基金“精准聚焦而非规模铺张”的特征。 “集成电路产业的投资门槛太高了，一个晶圆厂项目动辄需要200亿-300亿元，后续的设备采购、研发投入更是无底洞，而且投资周期至少5-8年，中途一旦技术迭代或市场变化，前期投入很可能打水漂。普通城市根本扛不住这样的资金压力和风险，一个省一般也就只会集中资源投在一个区域。”一位长期跟踪半导体领域的投资人直言。 各地对于设立大规模半导体专项基金的热情不再像过去那样高涨。“现在是要看项目储备情况，有明确的项目清单了，才能推动成立基金，政府母基金尤其看重这一点。”以上投资人表示。 从上海、武汉到绍兴、无锡，所有集成电路母基金落地的区域，都具备两个核心条件：成规模的完整产业链和行业引领性的龙头企业，二者缺一不可。国内具备这样条件的地区并不多。 可以看到的是，各地集成电路母基金不再是简单的资金汇聚，而是“资本+产业链+龙头企业”的深度融合。集成电路母基金的集中化与分化，是产业属性与区域基础差异的必然结果。 对于半导体产业而言，这种趋势既是挑战也是机遇：挑战在于中小城市短期内难以参与核心环节，可能加剧区域产业发展不平衡；机遇在于，重点城市的集中投入能快速整合资源，突破技术短板。

依据《中华人民共和国反倾销条例》第十六条的规定，商务部决定自2025年9月13日起对原产于美国的进口相关模拟芯片进行反倾销立案调查。申请人提交的初步证据显示，2022至2024年，申请调查产品自美进口量累计增长37%，进口价格累计下降52%，压低和抑制了国内产品销售价格，对国内产业的生产经营造成损害。 TI在8月启动新一波涨价，幅度超过6月，重点涉及工控类、车载类、以及算力相关芯片产品，覆盖LDO(低压差线性稳压器)、DC-DC(直流-直流转换器)、数字隔离、隔离驱动等品类。华安证券研报指出，模拟芯片后续交易将同时围绕海外巨头涨价背景下国产厂商的份额提升，及大国博弈背景下对美进口模拟芯片反制双重强化本地替代趋势。 据财联社主题库显示，相关上市公司中： 圣邦股份 是国内模拟芯片行业的标杆企业，产品线覆盖信号链和电源管理两大领域共计25大类产品，如运算放大器、比较器、数据转换器、LDO、LED驱动等。 思瑞浦 近年来大力拓展电源管理芯片产品线，成功转型为“信号链+电源管理”双轮驱动的模拟芯片公司。

随着AI从训练向推理与边缘设备延伸，大容量存储器需求持续升温，供应趋紧。 据台湾经济日报援引供应链消息称，美光高层观察到，客户需求预测显示重大供应短缺，因此公司决定紧急暂停所有产品报价，重新调整后续价格。 据悉， 美光已通知客户，DDR4、DDR5、LPDDR4、LPDDR5等存储产品全部停止报价，报价暂停时间一周，且相关产品价格或将调涨20%-30%。此次涉及的不仅是消费级与工业级存储产品，汽车电子产品涨幅更高，预计达70%。 业内分析称，从美光此举可以看出，在AI推理快速兴起的背景下，大容量存储产品正出现结构性变化，产品需求大幅增长。 在此之前， NAND闪存原厂闪迪Sandisk继4月全系涨价10%之后，于上周宣布，针对全部渠道通路和消费类产品的价格执行10%普涨。 公司表示，在AI应用和数据中心、客户端、移动三领域均出现日益增长的存储需求的背景下，NAND闪存产品需求强劲。未来公司将继续定期进行价格评估，并可能在未来几个季度作出进一步调整。 可以看到， 闪迪与美光本次涨价，都不是出于成本压力，而是看到了下游的“强劲需求”。 从需求端来看，AI应用推动及数据中心、客户端、移动领域存储需求强劲；供应端而言，行业面临供应紧缩，一方面NAND生产商将产量转向下一代节点致低密度芯片供应紧缺，另一方面部分供应商因财务困境短期难扩产。 浙商证券指出，涨价趋势是存储行业需求回暖的必然结果：供需再平衡推动价格回升，技术迭代重塑产品价值，AI 与边缘计算催生行业新需求。 供给端过去几年头部厂商主动减产，下游需求端，消费终端逐渐复苏，AI、数据中心等场景需求快速成长，推动价格分化与动态定价常态化。技术端NAND向超高层堆叠、DRAM 向 HBM 等高带宽方向迭代，接口标准持续升级，带动产品价值持续提升。应用层面，存力成为 AI 基础设施核心，催生分层存储与可信存储等领域的强劲需求。竞争格局上，国际巨头主导定价权与中国厂商加速国产替代并存，行业正从传统的“规模竞争” 转向 “技术纵深竞争”。

据Choice数据统计，截至上周日，沪深两市 本周共501家上市公司接受机构调研 。按行业划分， 机械设备、电子和电力设备 行业接受机构调研频度最高。此外，计算机、食品饮料等行业关注度有所提升。 细分领域看， 专用设备、通用设备和半导体 板块位列机构关注度前三名。此外，军工电子、计算机设备等行业机构关注度提升。 具体上市公司方面，据Choice数据统计， 博实结接受调研次数最多，达到4次。 从机构来访接待量统计， 晶盛机电、联创光电和武商集团排名前三，机构来访接待量分别达237家、66家和49家。 市场表现看， 国产芯片概念股本周表现活跃。 芯原股份周五发布机构调研纪要表示，公司已与业内多家RISC-V领先企业达成合作。截至2025年6月末， 公司的半导体IP已经获得RISC-V主要芯片供应商的10余款芯片所采用，并为20家客户的23款RISC-V芯片提供了一站式芯片定制服务 ，上述项目正陆续进入量产。同时，芯原股份还基于RISC-V核推出了包含数据中心视频转码、可穿戴健康监测、物联网无线通信、带硬件安全支持的智能传感SoC等多个芯片设计平台，以及基于RISC-V核的硬件开发板，上述解决方案正逐步获得客户采用。 二级市场上， 芯原股份周五收盘20CM涨停。 江波龙周三发布机构调研纪要表示，公司企业级存储产品已获得多个不同行业头部客户的广泛认可。根据IDC数据，2024年中国企业级SATA SSD总容量排名中， 公司位列第三，在国产品牌中位列第一 ，同时， 公司企业级PCIe SSD与RDIMM产品已开始批量导入国内头部企业 。此外，截止至7月底，公司主控芯片全系列产品 累计实现超过8000万颗的批量部署 ，并且部署规模仍在保持快速增长。搭载自研主控的 UFS4.1产品正处于多家Tier1厂商的导入验证阶段 ，全年来看，自研主控芯片部署规模将实现放量增长。 二级市场上， 江波龙周五收盘涨近14%。 中微半导周四发布机构调研纪要表示，上半年公司重点研发 车规大资源芯片和端侧AI芯片项目 。上述项目即将流片， 预计明年能够投放市场 。裕太微周四发布机构调研纪要表示，公司密切关注市场需求变化，在2.5G以太网物理层芯片已实现量产的基础上，持续推进交换机与网卡等相关芯片的研发与迭代。在技术布局方面， 公司10G以太网物理层芯片研发工作按计划有序推进 。 晶盛机电周五发布机构调研纪要表示，在半导体集成电路装备领域，公司实现 半导体8-12英寸大硅片设备的国产化 ，并延伸拓展至芯片制造和先进封装领域。在化合物半导体装备领域，公司聚焦第三代半导体碳化硅装备研发，在晶体生长、加工、外延等环节成功突破多项核心技术。 上海新阳周三发布机构调研纪要表示，截至2025年半年度，在国内已投入运行的集成电路生产线中， 公司已成为56条12寸集成电路生产线和23条8寸集成电路生产线的Baseline（基准材料） ，占比分别超过70%和60%。公司目前松江本部有1.9万吨/年产能；合肥新阳一期产能规划扩充至4.35万吨/年，分别为芯片铜互连超高纯硫酸铜电镀液及晶体14000吨/年，芯片超纯清洗液9000吨/年，芯片超纯蚀刻液13500吨/年，芯片超纯研磨液7000吨/年，新增产能正在建设中。 晶华微周二发布机构调研纪要表示，在医疗健康领域， 公司带HCT（红细胞压积）功能的血糖仪专用芯片实现技术突破，已向国内知名头部客户完成批量交付 ；智能家电领域， 晶华智芯78系列高性能触控显示智能控制芯片及72JE系列高价性比小家电触控芯片均已完成流片并验证成功 ，将于下半年推出量产样品；公司将推出多款专用型芯片，支持更高串数以及集成度更高、具备云端通信的智能BMS平台解决方案。 龙芯中科周五发布机构调研纪要表示，公司在6月26日发布的2K3000已经集成了龙芯GPUIP核心LG200，具有一定的推理能力，已经有不少客户在导入； 即将交付流片的9A1000是首款GPGPU芯片 ，低成本，图形方面对标RX550，具有几十T的算力；后续还有9A2000和9A3000的规划。

据韩联社等多家韩媒今早报道，SK海力士12日宣布， 已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，实现了全球最高水平的数据处理速度和能效，并在全球首次构建了量产体系 。 消息发布后，SK海力士（000660. KRX）股价当日盘中一度上涨超5%。 高带宽存储器（HBM，High Bandwidth Memory）垂直连接多个DRAM，与现有的DRAM相比，能显著提升数据处理速度，目前已推出六代产品——HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4。 据海力士介绍，相比前一代产品（HBM3E），新一代HBM4的数据传输通道（I/O）从1024条提升至2048条， 带宽较之扩大一倍 ，与此同时，其HBM4实现了高达10Gbps（每秒10千兆比特）以上的运行速度，这大幅超越JEDEC标准规定的8Gbps（每秒8千兆比特）；另外，该产品 能效提升40% 。这意味着，其HBM4不仅在单位时间内处理的数据量有了巨大提升，还可降低数据中心电力成本。 SK海力士预测，将该产品引入客户系统后， AI服务性能最高可提升69% 。这能让AI训练和推理更快、更高效。 SK海力士在HBM4的开发过程中采用了 自研的MR-MUF封装技术和第五代10纳米级（1b）DRAM工艺 ，MR-MUF工艺指在堆叠半导体芯片后，通过向芯片间隙注入液态保护材料并固化的方式保护层间电路，相较逐层堆叠芯片时铺设薄膜材料的传统方式，该工艺效率更高且散热效果优异。 SK海力士副总裁、HBM开发负责人赵柱焕（Kwon Eon-oh）表示，“HBM4的开发将成为业界新的里程碑”，并补充道，“我们将及时提供满足客户要求的性能、能效、可靠性等产品，确保在AI内存市场的竞争优势，并实现快速上市。” 赵柱焕是DRAM领域的专家，于2022年将全球首创的下一代工艺High-K Metal Gate (HKMG)引入到移动DRAM、LPDDR中，提高了速度并降低了功耗消耗。2023年，他晋升为SK海力士高管，承担起完成该公司HBM技术路线图的重任。 SK海力士AI Infra部门总裁兼首席营销官金柱善（Kim Ju Seon）则明确表态：“HBM4是突破AI基础设施局限性的标志性转折点，SK海力士将通过及时供应AI时代所需的最高品质和多样化性能内存，成长为一家 全栈式AI内存提供商 。”（小K注：SK海力士AI Infra是该公司为专注人工智能领域成立的独立业务部门，主要负责AI半导体相关业务，包括新一代HBM芯片等人工智能技术的研发与市场拓展） HBM对于AI能（特别是大规模训练和推理）、高性能计算以及高端显卡至关重要，它能够极大缓解数据吞吐的瓶颈，让GPU等处理器高效运转。 目前高端HBM市场主要由三星、美光、海力士三大巨头主导，头部厂商在HBM上的竞争异常激烈。SK海力士的HBM产品市场占有率位列第一，新品迭代上，此次SK海力士领先一步，但三星和美光也在积极跟进，两者均已经开发了HBM4产品，前者正在筹备样品生产，计划在2025年第四季度开始初期生产，目标是搭载于英伟达2026年推出的Rubin AI GPU，正计划恢复建设平泽第五工厂，为下一代HBM准备产能，后者已推出12层堆叠36GB HBM4样品，进入客户验证阶段，计划2026年正式量产。

作为人工智能（AI）热潮的最大受益者，英伟达的成功终于令其“最大的空头”之一也忍不住妥协了…… 在给客户的最新报告中， 投资银行DA Davidson将英伟达的股票评级从“中性”上调至“买入”，并将其目标价从每股195美元上调至210美元。 这意味着该股将较当前水平上涨约19%。 这也反映出该行对英伟达的看法发生了巨大的变化，此前DA Davidson分析师曾在3月份预测，英伟达股价将至多下跌48%。 DA Davidson科技研究主管吉尔·卢里亚（Gil Luria）及其分析师团队在报告中写道： “我们对人工智能计算需求增长的日益乐观的看法，取代了我们对英伟达的担忧。” 过去，Luria和他的团队曾警告说，超大型科技公司的支出可能会在2026年达到顶峰，这可能会对英伟达的业务产生重大影响。自ChatGPT掀起AI热潮以来，超大型科技公司为推进其人工智能的雄心壮志而投入数千亿美元。 而且他们认为，人工智能的使用场景需求更重要，因为这才真正能证明公司向英伟达投入多少资金是合理的。 然而，在过去的六个月里，情况发生了变化。在英伟达发布第二季度业绩报告后不久，Luria在一份报告中表示，由于人工智能在企业中的快速发展和采用，该公司对该股的看法在过去半年里“发生了相当大的变化”。与此同时， 超大规模的支出似乎还没有接近峰值。 “这确实意味着最重要的事情——对算力需求的压倒性增长。这也是唯一重要的事情，”分析师们写道： “英伟达应该能够在未来两年保持增长，无论这种增长来自哪个领域。” 尽管考虑到英伟达股价在过去几年破纪录的上涨，但大多数华尔街分析师仍对该公司给出了“买入”评级。这家人工智能芯片制造商今年迄今上涨了28%。 不过最后，Luria的团队也表示，他们将继续关注可能对该股不利的几股“逆流”。 他们例举了近期他们关注的一些因素：** 超大规模企业的资本支出增速 人工智能领域的利润率和投资回报率 来自ASIC芯片和其他GPU替代品的竞争加剧 由于能源可用性、数据中心建设和其他瓶颈导致的增长受限程度 市场预期是否过于乐观

前瞻布局产业创新，全链协同引领半导体行业未来方向！ ——SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展盛大开幕 9月10日，深圳国际会展中心内前沿技术密集亮相，全球半导体行业目光聚焦于此—— SEMI-e 深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展 正式启幕。本届展会由CIOE中国光博会与集成电路产业技术创新联盟（简称大联盟）共同主办，深圳市中新材会展有限公司与爱集微（上海）科技有限公司承办，在规模与行业影响力上实现全面跃升，为全球半导体及集成电路产业构建起高效交流与创新展示的平台。 在双展联合开幕式上，数百位嘉宾齐聚，包括科技部原副部长，季华实验室理事长 、大联盟理事长曹健林，中国科学院院士、中国光学学会理事长顾瑛，国家02专项总师、中国科学院微电子研究所原所长、中国集成电路创新联盟副理事长兼秘书长叶甜春，中国科学院姚建铨院士，中国工程院范滇元院士，中国科学院尤肖虎院士，中国工程院张学军院士，中国科学院祝宁华院士，中国工程院外籍院士常瑞华，中国国际光电博览会创始人、执行主席杨宪承等，以及来自光电、集成电路全产业链各环节的重点企业、高校和科研院所代表，为开幕式注入强劲的行业影响力与专业高度。 曹健林先生在致辞中表示，随着半导体、激光、计算机、通信、新能源、人工智能技术的飞速发展，光电融合已经成为科技发展的大趋势。SEMI-e 深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展与CIOE 中国光博会实现首次“同期同地”联合举办，正是顺应了这一发展趋势。他也对展会未来发展提出三方面期望：一是依托双展融合优势，助力破解产业转型中的 “卡脖子” 技术瓶颈与 “内卷” 发展困境，在推动新质生产力培育过程中积极借鉴国际先进经验；二是搭建高效交流渠道，促进跨领域技术与经验共享，抓住全球产业合作机遇，拓宽我国相关产业 “走出去” 的路径；三是充分发挥平台资源聚合作用，激发行业创新灵感，同时为国际合作深化与新型产业建设人才培养提供有力支撑。 顾瑛女士指出，中国光学学会作为展会的执行机构与合作伙伴，20多年来一直大力支持展会的发展。今年展会带给人们更大的惊喜是SEMI-e 深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展与CIOE中国光博会的联合，这是展会协同融合创新发展的重要举措，也将带给人们这一划时代技术变革的全新体验。双展联动带来的几千家国际国内优秀光电科技企业，几百场行业研究报告与专题会议，无数先进技术与研究成果的产品项目汇聚于此。参会将能够感受到现场这些新兴技术融合与碰撞。 叶甜春先生指出，光电技术和半导体集成电路作为数字经济时代的核心驱动力，二者正通过深度融合、协同演进，深刻重塑全球产业格局 —— 这种联动发展既是技术迭代的必然趋势，更是产业布局的核心需求。他表示双展的联合举办的这一创新模式充分释放‘1+1 远大于 2’的聚合效应，不仅能为参展企业与专业观众提供更丰富的价值赋能、更广阔的产业视野、更充足的商业机遇，更将为国内外光电与半导体产业的持续繁荣注入强劲动力。期待各方以展会为纽带，深化交流合作，共同创造产业发展的丰硕成果。 双展联动深度融合，全产业链图景完整呈现 SEMI-e 深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展与CIOE 中国光博会实现首次 “同期同地” 联合举办。双展整合后规模突破 30 万平方米，吸引超 5000 家优质展商齐聚，构建起覆盖集成电路、光电子两大核心领域的 “超级展示平台”，集中呈现全球行业顶尖产品与前沿技术成果。一方面，集成电路全产业链在此实现 “一站式” 完整呈现，为观众提供全维度产业视角；另一方面，先进制造工艺夯实光电子器件制造基础，让光电子器件实现更高的集成度与智能化水平，双展联动让下游应用场景联动更趋紧密，既能促进上下游企业精准对接，更能强化跨环节协同合作。 这种 “1+1>2” 的联动模式，双向赋能，打破了单一产业展会的边界限制，推动两大战略产业从技术研发、供应链构建到市场应用的全链条深度耦合，将加速光芯片、硅光技术、光电集成等前沿领域的技术突破与场景落地，构建更完整、更紧密的产业共同体。光电融合也是打破“后摩尔时代”性能瓶颈的关键技术之一，随着硅光子学、异质集成等技术的成熟，光电融合将在通信、计算、医疗、自动驾驶等领域持续释放潜力，推动新一代信息技术的革命性发展，为产业高质量可持续发展注入强劲新动能。 全产业链领军企业聚力，助产业协同发展 本次展会凭借强大的行业影响力，汇聚了半导体全产业链的核心代表力量，涵盖芯片设计、制造、封测、材料、设备等多个关键领域，全方位展现半导体产业的顶尖实力与发展活力，成为行业内极具影响力与代表性的盛会。​ 在 芯片及芯片设计领域 ，集结了众多引领技术方向的领军企业。其中， 紫光展锐 是全球领先的平台型芯片设计企业，深耕通信半导体产业二十余年，拥有芯片设计、无线通信、软硬件系统集成技术能力； 中兴微电子 以通信技术为核心，已具备复杂SoC芯片前后端全流程设计能力，为产业发展提供关键核心支撑； 北京君正 深耕处理器、多媒体、AI 等计算技术，芯片在智能视频监控、AIoT、工业与消费、生物识别、教育电子领域，占据稳健广阔市场； 兆芯 掌握自主通用处理器及其系统平台芯片研发设计的核心技术，全面覆盖指令集、微架构、互连、IO及其实现技术等关键领域； 国芯科技 拥有RISC-V、PowerPC和M*Core三大指令集40余款自主CPU内核和NPU等IP，为客户提供IP授权、芯片定制和自主芯片及模组产品。 华大九天 作为领先的EDA提供商，发力制造端贯通设计制造全链条； 芯原股份 依托自主半导体IP与芯片定制服务，为设计企业赋能，这些企业共同构成了我国芯片设计领域的核心力量； 晶圆制造、封装测试领域 的核心企业纷纷亮相，进一步夯实展会的产业核心地位。 华虹半导体 作为国内技术领先的晶圆代工厂，在特色工艺领域成果显著； 武汉新芯 聚焦于三维集成、数模混合和特色存储等业务； 通富微电 作为国内封测行业的龙头企业之一，具备强大的封装测试能力，为芯片成品化提供关键保障； 华进半导体 作为国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心，通过以企业为创新主体的产学研用相结合的模式，开展系统封装设计、2.5D/3D 集成、晶圆级扇出封装、大尺寸FCBGA封装、光电合封、SiP封装等关键核心技术研发；这些制造及封测环节的核心代表企业，让展会成为展现芯片制造实力的重要窗口； 功率器件及化合物领域 ，本届展会 比亚迪半导体 展示功率半导体、智能控制IC、光电半导体等核心产品及服务； 瑞能半导体 解锁“高能器件”，携全新TSPAK系列碳化硅产品、超级结MOSFET等产品亮相； 天科合达 凭借在碳化硅材料领域的持续创新与产业化能力，重点带来及分享碳化硅材料的创新产品及技术； 半导体设备的展示也是本次展会的 “硬核” 亮点，汇聚了国内设备产业的核心力量： 北方华创、中微半导体、盛美上海、华海清科、拓荆科技、芯源微、京仪装备、中科飞测、苏州天准、华卓精科、芯上微装、御微半导体、微崇半导体、日联科技、恩腾半导体、上银科技、新松半导体、山善、容道社、俐玛精测、建华高科、宇环精研、大族微电子、同飞股份、快克芯装备、山善 …，这些设备企业共同共同构建起产业发展的 “核心矩阵”； 展会进一步打通半导体产业链协同链路，除核心设备企业外， 沪硅产业、江丰电子、安集科技、上海新阳、中船特气、南大光电、硕成集团、天承科技、皇冠 等半导体材料领域核心代表企业，以及 富创精密、沈阳科仪、雷赛智能、全传科技、派纳维森、中村精机、新莱集团、云德半导体、固高伺创、智赢 等半导体设备零部件领域重点企业也共同参与。从半导体材料到设备零部件，再到核心设备，展会实现了半导体设备产业链关键环节的 “全链条覆盖”，全方位展现国内半导体产业生态的完整性与协同发展能力，凸显其在行业内的标杆性与代表性。 此外，展会还吸引了科研机构与产业联盟的深度参与， 季华实验室、示范性微电子学院产学融合发展联盟、集成电路材料创新联合体、中国汽车芯片产业创新战略联盟、国家第三代半导体技术创新中心 (深圳) 等权威联盟与创新中心 ，搭建起产学研用协同发展的桥梁，推动产业链上下游资源整合与技术协同，让展会成为链接产业资源、引领行业发展方向的核心平台，进一步强化了展会在半导体产业中的核心代表力。​ 本届展会在双展联动模式上的探索以及领军企业的集聚与全产业链的联动，形成了从“设计工具-芯片制造-封装测试-设备材料”的全链条创新网络。这种生态化的集聚效应，不仅加速了技术难题的协同攻关，更打破了产业链各环节的信息壁垒，推动形成“研发-产业化-市场反馈”的良性循环，并将为我国在光电融合、芯片自主化等关键领域抢占全球技术制高点、打造国际竞争新优势提供了重要的产业协同载体，更成为落实国家 “自主可控、安全高效” 产业链供应链战略的生动实践。 高规格峰会预判趋势，顶尖智慧定义行业未来 为进一步强化前瞻引领作用，展会同期举办的超 20 场高规格峰会，汇聚分析师、企业领袖与技术专家，以 “数据预判 + 趋势解读+技术探讨” 的方式，为行业提供未来的发展蓝图。会议主题覆盖 端侧/边缘AI芯片、RISC-V、功率半导体、新型半导体材料、半导体设备、半导体零部件、半导体检测与测试、光电合封CPO、TGV技术、汽车芯片、制造生态 等热门话题。论坛汇聚华大九天、云天励飞、 苏州国芯、一汽红旗、 东芯半导体、佰维存储、华睿科技、北方华创、盛美半导体、南砂晶圆、华进半导体以及RISC-V领域知名厂商的企业代表，还有清华大学集成电路学院、厦门大学 、南方科技大学、深圳平湖实验室等专家教授，通过面对面交流、技术探讨让行业对未来市场规模、技术方向有更清晰的认知，为企业战略布局提供关键参考。 当前半导体产业面临从供应链到前沿技术的重大变革，这需要凝聚各方智慧，联动相关产业，共同突破发展瓶颈。这些论坛会议精准切入了半导体产业的“变革赛道”，实现了“产业实践”与“学术前沿”的深度碰撞。 从技术前沿到半导体产业趋势预判，再到跨界融合机遇的挖掘， SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展 以全方位的前瞻布局，成为引领半导体行业未来方向的 “核心枢纽”。 9 月10-12日这场盛会持续释放前瞻价值，助力全球半导体企业把握变革机遇，共同推动产业向更高质量、更宽领域的未来迈进。

当地时间周三，Wolfspeed宣布，其200毫米碳化硅材料产品组合开启大规模商用。此前，公司在初步向部分客户提供200毫米碳化硅产品之后，市场反响积极。 Wolfspeed 同时还提供可立即进行认证的200毫米碳化硅外延片。 公司首席商务官Cengiz Balkas表示：“Wolfspeed的200毫米碳化硅晶圆不仅仅是尺寸的扩展，更是一项材料创新。”其指出，200毫米碳化硅晶圆在350微米厚度下具有改进的参数规格，并增强了掺杂和厚度均匀性。这些改进旨在帮助设备制造商提高MOSFET产量并加速产品上市时间。 此前Wolfspeed曾在5月深陷破产漩涡。彼时公司由于一直无法解决债务危机，将在数周内申请破产。其拒绝了债权人提出的多项庭外债务重组方案，计划申请第11章破产保护，这一申请也得到其大多数债权人的支持。 不过在当地时间9月8日，Wolfspeed宣布， 公司重组计划已获得法院批准，预计将在未来数周内完成重整程序。 一旦完成重整程序，Wolfspeed将减少约70%债务，使公司能够更好地执行其战略优先事项，并持续专注于创新。 除了工业、新能源等应用领域之外，AI行业也正在将目光投向碳化硅，有望为碳化硅带来新增量市场。 9月5日有消息称，为提升性能，英伟达在新一代Rubin处理器的开发蓝图中，计划把CoWoS先进封装环节的中间基板材料，由硅换成碳化硅。目前台积电邀请各大厂商共同研发碳化硅中间基板的制造技术，英伟达第一代Rubin GPU仍会采用硅中间基板。但由于英伟达对性能进步的要求极高，当芯片内产生的热超过极限，就必须采用碳化硅，最晚2027年，碳化硅就会进入先进封装。 东吴证券指出，以当前英伟达H1003倍光罩的2,500mm2中介层为例，假设12英寸碳化硅晶圆可生产21个3倍光罩尺寸的中介层，2024年出货的160万张H100若未来替换成碳化硅中介层，则对应76,190张衬底需求。台积电预计2027年推出7×光罩CoWoS来集成更多处理&存储器，中介层面积增至1.44万mm2，对应更多衬底需求。 单晶碳化硅作为一种具有高导热性的半导体，数据显示其热导率达到490W/m•K，比硅高出2–3倍。东方证券认为，基于碳化硅晶体优异的导热性能，其在散热要求更高的环境中具有一定应用潜力，有望在中介层、散热基板等环节应用，相关厂商有望受益，建议关注天岳先进、三安光电。