6月21日，在由上海有色网信息科技股份有限公司（SMM）、湖南宏旺新材料科技有限公司、娄星区人民政府、国家级娄底经济技术开发区联合主办的2025SMM（第四届）电驱动系统大会暨驱动电机产业论坛——汽车电驱动系统论坛上，巨一动力系统有限公司驱动模块专家钟敬稳对“电控逆变砖技术发展规划”这一主题进行了分享。
一、逆变砖规划
二、逆变砖Gen1展示
逆变砖Gen1展示（小功率段TPAK）
其还对逆变砖Gen1展示（中功率段TPAK并联）、逆变砖Gen1展示（大功率段HPD）、逆变砖Gen1展示（双电控）等内容进行了分析。
三、逆变砖Gen2展示
逆变砖-Gen2需求分析
Gen2逆变砖性能提升需求：
•低杂散电感,降低开关损耗，适配SIC应用；
•平台化设计，高兼容性（电压平台，SIC&IGBT）；
•提高结温监测的准确性及有效性；
•快速的过流保护，适应SIC应用；
•高效散热，高功率密度
•功率模块结温耐温提升；
•成本优化。
逆变砖-Gen2
中功率平台逆变砖（＜150kW）：
•兼容400V、800V平台；
•兼容IGBT与SIC功率模块。
高功率平台逆变砖（＜250kW）
•兼容400V、800V平台；
•兼容IGBT与SIC功率模块。
逆变砖Gen2-低杂散设计和电容一体灌封
低杂散设计：DC-Link电容优化母排及芯子设计，杂散电感控制＜2nH；功率模块端子连接采用激光焊接工艺，整体杂散电感控制＜5nH。
电容一体灌封：DC-Link电容与壳体水道一体灌封，可有效降低成本，减小体积，提升芯子散热能力。
•Gen2逆变砖系统杂散可降低至8nH，较Gen1降低75%；在电压尖峰相同的情况下，开关损耗降低70%，可以极大的提升SIC模块的效率及输出能力。
逆变砖Gen2-功率模块
集成无磁芯电流检测：三相电流采样使用无磁芯检测方案，省去传统的磁芯，可有效降低传感器成本；磁芯的减小及三相铜排采用激光焊接工艺可有效缩短三相端尺寸。
兼容性：IGBT与SIC封装兼容；800V与400V平台封装兼容。
高功率平台-HPD G3：470V@≥560Arms；900V@≥460Arms；Tjmax185°C@SIC。
中功率平台-HPD SMALL：470V@≥560Arms；900V@≥320Arms；Tjmax 185°C@SIC。
支持on chip温度检测：支持on chip温度检测能力，可以实现快速、直接有效的结温监测并执行保护；
支持on chip过流检测：SIC模块的短路耐受能力较弱，支持on chip过流检测可快速执行过流及短路工况保护。
逆变砖Gen3展示（PCB 嵌埋式封装技术）
技术方案介绍：
嵌埋式模组杂感低约为3nH，嵌埋系统杂感约为6-8nH；HPD封装杂感约为8-10nH；HPD系统杂感约为25nH-30nH；
动态损耗相比HPD系统降低约50%，相同芯片面积出流提升20%；
模块总成本：嵌埋式封装可降低约10-20%，主要贡献来自芯片面积节省。（前提：PCB嵌埋工艺良率水平提升，达到常规PCB量产良率水平）
电控系统成本：功率密度提高、集成化程度提高；电控系统成本有机会进一步降低。
逆变砖Gen3展示（PCB 嵌埋式封装技术）
