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HBM大战三星暂落后 封装工艺会改道?芯片材料市场暗流涌动

在人工智能热潮之中,高带宽存储芯片(HBM)成为半导体巨头们的“兵家必争之地”。目前,SK海力士和美光公司在这一领域领跑,而全球最大的存储芯片制造商三星电子却暂时落在了下风。

在制造HBM芯片的道路上,困扰三星的技术难题之一,就是封装问题。目前,三星仍采用更为主流的非导电薄膜(NCF)技术,然而实际生产中的良品率却明显低于竞争对手SK海力士。

有知情人士昨对媒体透露,三星电子启动了新的芯片制造计划,将采用竞争对手SK海力士倡导的批量回流模制底部填充(MR-MUF)封装技术。三星作为全球存储半导体龙头企业,如果三星也引入MUF技术,那么MUF可能会成为主流技术,半导体封装材料市场也会发生巨大的变化。

不过周三早间,三星电子又发布声明称,关于三星将在其HBM芯片生产中应用MR-MUF技术的传言并不属实。

尽管消息被证伪,但三星和SK海力士在HBM封装技术上的分歧,以及对半导体材料市场的潜在影响,仍旧值得投资者持续关注。

NCF技术VS MUF技术

三星目前所采用的的NCF技术(非导电薄膜技术),是目前芯片制造商门制造HBM芯片时所广泛采用的、更为主流的技术。在这一技术工艺中,芯片制造商使用热压缩薄膜来连接芯片。利用热压缩薄膜,可以减少堆叠芯片之间的空间,从而在紧凑的HBM芯片组中堆叠多层芯片。

但随着芯片层数的增加,芯片制造变得愈发复杂,粘合材料也经常出现问题。各大芯片制造商一直在寻找解决这一问题的替代方案。

因此,SK海力士率先成功改用批量回流模制底部填充(MR-MUF)技术。简单的来说,MUF技术就是在将半导体芯片堆叠后,在其空间中注入液体形态的环氧模塑料并固化的封装工艺技术。

与NCF技术相比,MR-MUF 是一种更高效的工艺,并且散热效果更好,也有助提升HBM的性能。

在这一技术的帮助下,SK海力士成功成为第一家向英伟达提供HBM3芯片的供应商。KB Securities分析师杰夫•金(Jeff Kim)估计,在今年英伟达所采购的HBM3和更先进的HBM产品中,SK海力士所占的份额将超过80%。

三星已经明显落后

在SK海力士之后,美光上个月也成功“获选”,宣布其最新的HBM3E芯片将被英伟达采用,为后者的H200 Tensor芯片提供动力,该芯片将于第二季度开始发货。

而相比之下,三星的HBM3系列产品尚未获得向英伟达供货的资格。据几位分析师称,三星的HBM3芯片生产的良品率仅为约10-20%,而SK海力士的HBM3的良品率约为60-70%。

这一落后也体现在股价上:三星股价今年已经累计下跌7%,而SK海力士和美光同期分别上涨了17%和14%。

三星作为全球存储半导体龙头企业,如果三星也引入MUF技术,那么MUF可能会成为主流技术,半导体材料市场也会发生巨大的变化。然而,在三星否认这一消息后,该公司能否在近期快速突破封装技术瓶颈,将成为市场关注的焦点。

根据研究公司TrendForce的数据,在人工智能相关需求的推动下,HBM芯片市场今年将增长一倍以上,达到近90亿美元。

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