当地时间周四（7月27日），存储芯片大厂美光科技（MU.US）涨超5%，单日涨幅创6月以来新高。同日费城半导体指数涨1.86%。

消息面上，7月26日，美光宣布推出业界首款8层24GB HBM（高带宽内存）3 Gen2内存芯片，它是HBM3的下一代产品，采用1β工艺节点。这意味着美光成为业界第一个制造出第二代HBM3内存的厂商。

这款内存芯片总带宽超过1.2TB/s，引脚速度超过9.2Gb/s，比HBM3提高50%。此外，HBM3Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右，能效大幅提升。

在官网产品页，美光着重强调了这款芯片对生成式AI的帮助作用——美光HBM3 Gen2专为人工智能和超级计算而构建，“解锁了生成式AI的世界”可提供更高的内存容量，可提高性能并减少CPU负载，从而在大模型（例如ChatGPT）进行推理时更快、更精确。

美光表示，24GB HBM3 Gen2内存已经出样给客户。

人工智能的发展离不开强大存力，存储芯片承担着提升整体AI服务器的系统运算效能，以及存储器传输带宽等的重担。

随着人工智能需求激增，两大高性能存储芯片HBM和DDR5的价格和需求都在增长，在最近一次非公开企业说明会上，SK海力士预计，2024年HBM和DDR5的销售额有望翻番。

相较而言，HBM是一种基于3D堆叠工艺的DRAM内存芯片，其技术门槛更高、性能提升空间更大，相应地溢价更高，其价格是现有DRAM产品的5-6倍。

TrendForce集邦咨询发表研报称，目前高端AI服务器GPU搭载HBM芯片已成主流，预计2023年全球HBM需求量将增近六成，达到2.9亿GB，2024年将再增长30%。

这一背景下，一方面，AI芯片公司正积极开拓新的HBM供应商。从第四季度开始，三星将向英伟达供应HBM3，目前后者的HBM由SK海力士独供；另一方面，扩产HBM、开发更高性能的产品，已经成为存储巨头们的共同选择，以两大韩国厂商为例：

三星称，看到超大规模客户对HBM的高需求。计划在2024年将高带宽内存（HBM）供应能力同比翻倍。

有消息称SK海力士目标将HBM产能扩大2倍，另外，SK海力士继4月份开发出世界首款12层堆叠HBM3后又提出2026年生产HBM4。

从产业链上看，HBM市场火热也让封装、材料、设备等环节随之受益。

封装环节：由于HBM需要集成多个芯片，因此封装成为制造该产品的关键环节。譬如三星与SK海力士无法将HBM以成品形式供给客户，而是需要经过台积电集成。台积电之外，三星和SK海力士也在考虑增加封装生产线。

材料端：HBM多层堆叠对于制造材料尤其是前驱体的用量成倍提升，制造材料核心厂商包括雅克科技、神工股份等；对于封装材料：HBM将带动TSV和晶圆级封装需求增长，而且对封装高度、散热性能提出更高要求，封装材料核心厂商包括联瑞新材、华海诚科、飞凯材料等。

设备端：由于独特的3D堆叠结构，HBM芯片为上游设备带来了新的增量——前道环节，HBM需要通过TSV来进行垂直方向连接，增加了TSV刻蚀设备需求；中段环节，HBM带来了更多的晶圆级封装设备需求；后道环节，HBM的多芯片堆叠带来diebond设备和测试设备需求增长。

天风国际证券表示，存储芯片片巨头正在将更多产能转移至生产HBM，但由于调整产能需要时间，很难迅速增加HBM产量，所以这或许也是中国弯道超车的好时机。