据韩联社报道，全球最大的存储芯片制造商三星电子公司周四（30日）表示，该公司已经开始大规模生产3纳米芯片，成为全球首个量产该芯片的公司。

新一代3纳米芯片的基于尖端半导体制造技术——环绕式栅极（Gate-All-Around, GAA）技术。三星表示，与现有的FinFET工艺相比，GAA技术允许芯片的尺寸缩小35%，同时性能提高30%、能耗降低50%。

三星表示，其3纳米芯片的工艺节点已经实现了尺寸缩小16%、性能提高23%、能耗降低45%。

三星抢先手以吸引客户

3纳米芯片目前是最先进的芯片制造工艺节点。三星在此节点上抢先手，主要目标还是夺取新客户，希望在代工能力上超越其最大的竞争对手台积电（TSMC）。

台积电此前表示，将在下半年开始大规模生产3纳米芯片。台积电是中国台湾地区的一家全球知名半导体芯片制造商，业内称之全球芯片“代工之王”，三星的代工能力位居其后。

根据行业跟踪机构TrendForce的数据，今年第一季度，台积电占据了全球代工市场的53.5%，其次是三星，占16.3%。

两家公司为赢得更多代工芯片的客户，一直处在激烈竞争中。三星表示，其2nm工艺节点处于开发的早期阶段，计划将于2025年大规模生产。=

分析师：台积电的代工地位尚不可撼动

2019年，三星公布了一项171万亿韩元（合1510亿美元）的大规模投资计划，以期到2030年在逻辑芯片和代工领域超越台积电，成为行业领先者。

上个月自拜登总统到访三星工厂后，三星公司还公布了一项在芯片业务方面的新投资计划，希望加强芯片代工业务，巩固自己的领先地位。

不过分析师表示，虽然三星是存储芯片市场的领导者，但在更为多元化的代工业务上，台积电的投入超过了三星，这使得三星仍难以与之抗衡。

Daol投资证券的分析师Kim Yang-jae表示，“目前只有两种存储芯片——DRAM和NAND闪存，然而非存储芯片的种类太多了。你可以专注于提高存储芯片的效率这一件事，但这在一千种不同的非存储芯片领域，这是行不通的。”

香港未来资产证券（Mirae Asset Securities）的数据显示，2017年-2023年，三星资本支出的复合年均增长率（CAGR）估计为7.9%，而台积电估计为30.4%。