7月26日，美光公司宣布已开始量产全球首款 232 层 NAND，与前几代美光 NAND 相比，它具有业界最高的面密度，并提供更高的容量和更高的能效。

按照美光介绍，这是闪存行业首次跨入两百层。与前几代美光 NAND 相比，新产品具有业界最高的面密度，可以提供更高的容量和更高的能效，从而为从客户端到云的数据密集型用例提供一流的支持。

" 美光的 232 层 NAND 是存储创新的分水岭，它首次证明了在生产中将 3D NAND 扩展到超过 200 层的能力，" 美光技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 说。" 这项突破性技术需要广泛的创新，包括创建高纵横比结构的先进工艺能力、新型材料的进步以及基于我们市场领先的 176 层 NAND 技术的领先设计增强。"Scott DeBoer 进一步指出。

美光232 层 NAND 技术提供了必要的高性能存储，以支持数据中心和汽车应用所需的高级解决方案和实时服务，以及在移动设备、消费电子产品和 PC 上的响应式沉浸式体验。该技术节点能够引入业界最快的 NAND I/O 速度 — 每秒 2.4 GB (GB/s) — 以满足人工智能和机器学习等以数据为中心的工作负载的低延迟和高吞吐量需求，非结构化数据库和实时分析以及云计算。

该速度比美光 176 层节点上启用的最快接口快 50%。与上一代相比，232 层 NAND 还提供高达 100% 的更高写入带宽和 75% 以上的每裸片读取带宽。这些单芯片优势可转化为 SSD 和嵌入式 NAND 解决方案的性能和能效提升。

232 层 NAND 采用新的 11.5 毫米 x 13.5 毫米封装发货，其封装尺寸比美光前几代产品小 28%。美光 232L TLC NAND 被称为 B58R，单 Die 容量 1Tb，可以以 16*Die 封装实现单芯片封装内 2TB 的容量。

此外，232层NAND推出全球首款六平面TLC量产NAND。它在所有 TLC NAND中每个芯片的平面最多，并且每个平面都具有独立的读取能力。高 I/O 速度、读写延迟和美光的六平面架构相结合，可在许多配置中提供一流的数据传输。这种结构确保了写入和读取命令之间的冲突更少，并推动了系统级服务质量的改进。

据悉，美光的 232 层 NAND 现已在该公司的新加坡工厂量产，最初将以组件形式通过 Crucial 英睿达 SSD 消费产品线向客户发货。